[中报]安集科技(688019):2024年半年度报告

时间:2024年08月25日 16:20:56 中财网

原标题:安集科技:2024年半年度报告

公司代码:688019 公司简称:安集科技
安集微电子科技(上海)股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人Shumin Wang、主管会计工作负责人刘荣及会计机构负责人(会计主管人员)刘荣声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 8
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 12
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 41
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 44
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 46
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 65
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 71
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 72
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 73



备查文件目录报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿
 载有公司法定代表人、财务负责人签章的财务报表



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
安集科技、公 司安集微电子科技(上海)股份有限公司
Anji CaymanAnji Microelectronics Co. Ltd.,公司控股股东
安续投资宁波安续企业管理合伙企业(有限合伙)
上海安集安集微电子(上海)有限公司,公司全资子公司
宁波安集宁波安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
台湾安集台湾安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
宁波安集投资宁波安集股权投资有限公司,公司全资子公司
北京安集北京安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
安集电子材料上海安集电子材料有限公司,公司全资子公司
新加坡安集ANJI MICROELECTRONICS PTE. LTD.,宁波安集投资全资子公司
法国CTCORDOUAN TECHNOLOGIES,新加坡安集全资子公司
SEPPURESEPPURE PTE. LTD.
安特纳米山东安特纳米材料有限公司
钥熠电子上海钥熠电子科技有限公司
股东大会安集微电子科技(上海)股份有限公司股东大会
董事会安集微电子科技(上海)股份有限公司董事会
监事会安集微电子科技(上海)股份有限公司监事会
高级管理人员公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书
《公司章程》《安集微电子科技(上海)股份有限公司章程》
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
报告期2024年1月1日-2024年6月30日
化学机械抛光 (CMP)Chemical Mechanical Planarization,集成电路制造过程中实现晶圆 全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不 同,CMP技术由化学作用和机械作用两方面协同完成。
化学机械抛光 液、抛光液、研 磨液由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成,是化学机械抛光工艺过程中使用 的主要化学材料。
研磨颗粒、纳 米磨料为生产化学机械抛光液所需的关键原材料,主要包括硅溶胶、气相二氧 化硅和二氧化铈等品类。
清洗技术通过化学处理、气体或物理方法去除晶片表面杂质的过程。通常在工艺 之间进行,用于去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染 物、金属残留、有机物残留物,去除光阻掩膜或残留,也可根据需要进 行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀,为下一步工序准备 好良好的表面条件。晶圆清洗步骤数量约占所有芯片制造工序步骤 30% 以上,而且随着节点的推进,清洗工序的数量和重要性会继续提升。根 据清洗介质的不同,目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗 两种工艺路线,晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主。
湿法清洗针对不同的工艺需求,采用特定的化学药液和去离子水,对晶圆表面进 行无损伤清洗,以去除晶圆制造过程中的颗粒、自然氧化层、有机物、 金属污染、牺牲层、抛光残留物等物质,可同时采用超声波、加热、真 空等辅助技术手段。
湿 电 子化 学 品、工艺化学 品是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程中不可缺少的 关键性基础化工材料之一,一般要求超净和高纯,对生产、包装、运输 及使用环境的洁净度都有极高要求。按照组成成分和应用工艺不同,可 将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类。
光刻半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻 胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到 所在衬底上。
光刻胶光刻中采用的感光物质,其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转 移至衬底上。
光刻胶去除刻蚀过程中光刻胶定义的图像被转移到晶圆表面并且刻蚀到定义的深 度,刻蚀之后作为刻蚀保护层或者阻挡层的剩余光刻胶需要从晶圆表面 去除。
光 刻 胶去 除 剂、光阻去除 剂又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”,是光刻胶去除工艺中使用 的化学材料,主要由刻蚀剂、溶剂及添加剂等组成,通过将半导体晶片 浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片,去除半导体晶片上的光 刻胶及其光刻胶刻蚀后残留物。
刻蚀后清洗液一种光刻胶去除剂,应用于干法刻蚀后晶圆表面残留物去除。
光刻胶剥离液一种光刻胶去除剂,应用于厚膜光刻胶去除,包括晶圆级封装以及部分 集成电路工艺。
半导体电镀、 电化学沉积在芯片制造过程中,将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面形成金属互 连。
电镀基础液提供电沉积金属离子,与电镀液添加剂相互作用,在电场作用下实现金 属电化学沉积。
电镀液添加剂电镀工艺核心材料,改善镀层性能及电镀质量。在电镀工艺中,电镀液 添加剂与基础液相互作用,在电场作用下实现金属电化学沉积。
刻蚀用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,主要 分为干法刻蚀和湿法刻蚀,其中湿法刻蚀指用液体化学试剂(如酸、碱 和溶剂等)以化学的方式去除硅片表面的材料,干法刻蚀是通过等离子 气与硅片发生物理或化学反应(或结合物理、化学两种反应)的方式将 表面材料去除。
芯片、集成电 路(IC)Integrated Circuit,是一种微型电子器件或部件。通过氧化、光刻、 扩散、外延、蒸镀、表面处理等制造工艺,把电路设计中所需的晶体管、 电阻、电容和电感等元件进行布线互连,在硅晶圆或化合物材料的基板 上,再进行封装工艺分割而成。
制程、节点、特 征线宽晶体管栅极宽度的尺寸,用来衡量半导体芯片制造的工艺水准。尺寸越 小,表明工艺水平越高,如130nm、90nm、28nm、14nm、7nm等等。
逻辑芯片一种通用芯片,它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。
存储芯片又称“存储器”,是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备,其存 储与读取过程体现为电子的存储或释放,广泛应用于内存、U 盘、消费 电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。
模拟芯片主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理 模拟信号的芯片类型。
DRAM动态随机存取存储器,属于易失性存储器。
NAND闪存,属于非易失性存储器。
2D NAND存储单元为平面结构的一种NAND存储器。
3D NAND一种新兴的闪存类型,通过把存储单元堆叠在一起来解决 2D 或者平面 NAND闪存带来的限制。
CISCMOS图像传感器。
晶圆(wafer)集成电路制作所用到的基材片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在晶 圆上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电
  路产品。
传统封装先将晶圆片切割成单个芯片再进行封装的工艺,主要包括单列直插封装 (SIP)、双列直插封装(DIP)、小外形封装(SOP)、小晶体管外形封 装(SOT)、晶体管外形封装(TO)等封装形式。
先进封装处于前沿的封装形式和技术。目前,带有倒装芯片(FC)结构的封装、 晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、2.5D 封装、3D 封装等均 被认为属于先进封装范畴。先进封装四大要素分别为RDL、TSV、Bump和 Wafer,RDL起到XY平面电气延伸的作用,TSV起到Z轴电气延伸的作 用,Bump起到界面互联和应力缓冲的作用,Wafer作为集成电路的载体 以及RDL和TSV的介质和载体。
晶 圆 级封 装 (WLP)Wafer-Level Packaging,在晶圆上封装芯片,而不是先将晶圆切割成单 个芯片再进行封装。这种方案可实现更大的带宽、更高的速度与可靠性 以及更低的功耗,并为用于移动消费电子产品、高端超级计算、游戏、 人工智能和物联网设备的多晶片封装提供了更广泛的形状系数。
三维集成将多层集成电路芯片堆叠键合,通过穿透衬底的三维互连实现多层之间 的电信号连接的技术,TSV是三维集成技术的实现方法之一。
凸块 (Bumping)技 术在芯片上制作凸块,通过在芯片表面制作金属凸块提供芯片电气互连的 “点”接口,广泛应用于FC(倒装)、WLP(晶圆级封装)、CSP(芯片 级封装)、3D(三维立体封装)、(SiP)系统级封装等先进封装。凸块 制造过程一般是基于定制的光掩模,通过真空溅镀、黄光、电镀、蚀刻 等环节而成,该技术是晶圆制造环节的延伸,也是实施倒装(FC)封装 工艺的基础及前提。材料一般为Cu、Au、Ni、Ag-Sn等,有单金属的凸 点,也有合金凸点,最常用的凸点材料是Cu和Au。相比以引线作为键 合方式传统的封装,凸块代替了原有的引线,实现了“以点代线”的突 破。该技术可允许芯片拥有更高的端口密度,缩短了信号传输路径,减 少了信号延迟,具备了更优良的热传导性及可靠性。此外,将晶圆重布 线技术(RDL)和凸块制造技术相结合,可对原来设计的集成电路线路接 点位置进行优化和调整,使集成电路能适用于不同的封装形式,封装后 芯片的电性能可以明显提高。
重布线层 (RDL)技术Redistribution Layer,起着XY平面电气延伸和互连的作用。RDL技术 的核心是在晶圆表面沉积金属层和介质层并形成相应的金属布线图形, 对芯片的I/O端口进行重新布局,根据后续封装工艺需求,将其布局到 新的且占位更为宽松的区域,并形成面阵列排布。随着工艺技术的发展, 通过RDL形成的金属布线的线宽和线间距也越来越小,从而提供更高的 互连密度。目前RDL技术多采用电化学沉积的方式来完成。
小芯片组、芯 粒(Chiplet) 技术在同一个封装或系统里集成多个裸片的一种新型芯片设计模式。
硅通孔(TSV) 技术Through Silicon Via,通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作 垂直导通,实现芯片之间互连的新的技术解决方案。TSV 技术能够使芯 片在三维方向堆叠的密度最大,芯片之间的互连线最短,外形尺寸最小, 大大改善芯片速度和低功耗的性能。
铜阻挡层集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材料,目的是防止铜 和绝缘介质发生反应。
鳍式场效应晶 体管(FinFET)Fin Field-Effect Transistor,一种新的互补式金氧半导体晶体管, FinFET命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非常相似。这种设计可以大幅改 善电路控制并减少漏电流,也可以大幅缩短晶体管的闸长。
摩尔定律当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月 便会增加一倍,性能也将提升一倍。
超越摩尔当芯片中的临界尺寸越来越接近物理极限,摩尔定律不能沿用原来的方
  法单纯缩小元器件尺寸来提高元器件密度。只能通过引入更加创新的三 维集成来提升芯片性能,包括革命性的新材料,芯片内的三维堆积,芯 片之间的三维互联。
后道工艺半导体芯片制造工艺流程中比较靠后的对晶体管进行导线连接的工艺 步骤,如铜互连、金属退火等。
前道工艺半导体芯片制造工艺流程中比较靠前的对晶体管性能进行控制的工艺 步骤,如栅极光刻技术、离子注入技术等。
平坦化在制造工艺中,通过热流程、有机层或化学机械抛光技术对晶圆表面的 平整化。
铜制程、铜互 连技术在半导体集成电路互连层的制作中采用铜金属材料取代传统铝金属互 连材料的半导体制造工艺技术。铜互连工艺具有更低的电阻率、抗电迁 移性,能够满足芯片尺寸更小、功能更强大、能耗更低的技术性要求。
大马士革工艺衍生自古代的Damascus(大马士革)工匠之嵌刻技术,先在介电层上刻 蚀金属导线用的图膜,然后再填充金属,特点是不需要进行金属层的刻 蚀。
导体具有低电阻和高电导率的材料。
介电材料属绝缘体,是指在外电场作用下能发生极化、电导、损耗和击穿等现象 的材料。在化学机械抛光领域,介电材料通常指二氧化硅、氮化硅等绝 缘材料。
浅槽隔离 (STI)即Shallow-Trench Isolation。通常用于0.25μm以下工艺,通过利用 氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽,并在槽中填充淀积氧 化物,用于与硅隔离。
宽 禁 带半 导 体、第三代半 导体使用禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料(如碳化硅、氮化镓等)的 半导体器件。
SEMISemiconductor Equipment and Materials International,国际半导 体设备与材料产业协会。
WSTSWorld Semiconductor Trade Statistics,世界半导体贸易统计协会。
SIASemiconductor Industry Association,美国半导体产业协会。
TECHCET一家全球知名的电子材料咨询公司。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称安集微电子科技(上海)股份有限公司
公司的中文简称安集科技
公司的外文名称Anji Microelectronics Technology (Shanghai) Co., Ltd.
公司的外文名称缩写Anji Technology
公司的法定代表人Shumin Wang(王淑敏)
公司注册地址上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南 区)T6-9幢底层
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址上海市浦东新区华东路5001号金桥综合保税区T6-5
公司办公地址的邮政编码201201
公司网址www.anjimicro.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名杨逊冯倩
联系地址上海市浦东新区华东路5001号金桥综合 保税区T6-5上海市浦东新区华东路5001号 金桥综合保税区T6-5
电话021-20693346021-20693346
传真021-50801110021-50801110
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板安集科技688019不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入797,273,450.87574,910,253.7838.68
归属于上市公司股东的净利润233,995,840.71235,014,487.04-0.43
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润234,841,919.38160,769,402.7146.07
经营活动产生的现金流量净额195,294,022.80158,244,850.2223.41
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产2,348,282,731.192,124,045,086.3810.56
总资产2,999,615,904.962,603,401,095.7315.22

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同期 增减(%)
基本每股收益(元/股)1.821.84-1.09
稀释每股收益(元/股)1.821.84-1.09
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)1.821.2644.44
加权平均净资产收益率(%)10.3813.47减少3.09个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)10.429.21增加1.21个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)18.1317.62增加0.51个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现营业收入79,727.35万元,较上年同期增长38.68%,主要原因系公司持续加大产品研发和产品商业化的多方位布局,同时不断加强与客户合作交流,积极扩充产品品类,产品研发及市场拓展均按预期顺利推进。公司积极推进不同产品新订单的获取,持续拓宽市场覆盖度,获得客户良好认可。在先进制程领域,公司持续发力,紧密跟随客户上量节奏,各产品导入及上量顺利进行;同时,搭载公司自主可控的二氧化硅和二氧化铈研磨颗粒的相应抛光液终端产品持续在客户端推进并获得新增订单,进一步扩大销售,达成公司上游核心原材料布局道路商业推进的又一里程碑。具体详见“第三节 二、核心技术与研发进展”。

归属于上市公司股东的净利润为 23,399.58 万元,较上年同期下降 0.43%,主要系上年同期集中完成了部分政府补助项目验收,确认其他收益约8,000万元,导致同比基数较高。

归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 23,484.19 万元,较上年同期增长46.07%,主要系公司在积极扩大研发和生产建设投入的同时,持续提高盈利能力和经营管理水平,从而实现扣除非经常性损益的净利润持续增长。

经营活动产生的现金流量净额为19,529.40万元,较上年同期增长23.41%,主要系营业收入增长带来的客户回款增加所致。

归属于上市公司股东的净资产较上年度末增长10.56%,主要系公司2024年半年度经营积累所致。

归属于上市公司股东的总资产较上年度末增长15.22%,主要系公司2024年半年度经营积累及公司研发和生产建设持续投入所致。

基本每股收益和稀释每股收益较上年同期下降1.09%,与净利润变动保持一致。

扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年同期增长44.44%,主要系扣除非经常性损益的净利润增长所致。

加权平均净资产收益率较上期下降 3.09 个百分点,主要系上年同期因政府补助导致归属于上市公司股东的净利润同比基数较高所致。

扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率较上期增加1.21个百分点,主要系公司在收入增长的同时,持续降本增效,经营效率稳步提高。

研发投入占营业收入的比例为18.13%,较上年同期增加0.51个百分点,主要由于公司着眼于未来市场及业务拓展方向,持续保持研发投入,加速扩充研发能力,不断提升研发水平。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减 值准备的冲销部分-225,367.31 
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外6,885,856.29 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外,非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益-7,411,480.52 
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-275,114.81 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额-180,027.68 
少数股东权益影响额(税后)  
合计-846,078.67 

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 (一) 公司所属行业 公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光液、 功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂系列产品,主要应用于集成电路制造和先进封装领域。根 据国家统计局《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业为“C39计算机、通信和 其他电子设备制造业——C3985 电子专用材料制造”。按照行业界的一般分类标准,公司所处行 业为半导体材料行业。 半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节,是半导体产业的基石和推动集成电路技术创 新的引擎,对半导体产业发展起着重要支撑作用,与下游半导体市场的发展紧密相关。受益于半 导体产业长期发展趋势,全球半导体材料市场规模保持增长态势,且制造更先进技术节点的逻辑 芯片、3D存储芯片架构和异构集成技术需要更多的工艺步骤,带来更高的晶圆制造材料和封装材 料消耗需求。根据TECHCET,预计2028年全球半导体材料市场规模将超过880亿美元。 2001-2025年全球半导体产业周期性成长趋势 数据来源:WSTS
1、半导体材料行业概况
材料和设备是半导体产业的基石,是推动集成电路技术创新的引擎。半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节,对半导体产业发展起着重要支撑作用,具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。

半导体材料是半导体产业的重要支撑 数据来源:SEMI,WSTS,SIA 第一,产业规模大。半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料。根据 SEMI,2022 年全 球半导体材料市场销售额增长 8.9%,达到 727亿美元,超过了 2021年创下的 668亿美元的前一 市场高点。2023年,受整个半导体行业环境影响,全球半导体材料市场销售额下降 8.2%至 667亿 美元。从材料大类来看,2023年全球晶圆制造材料和封装材料的销售额分别为 415亿美元和 252 亿美元,占全球半导体材料销售额的比重分别约 62%和 38%;从地区分布来看,中国台湾和中国 大陆是全球前两大半导体材料消费地区,2023年销售额分别为 192亿美元和 131亿美元,占全球 半导体材料销售额的比重分别约 29%和 20%,其中中国大陆是 2023 年全球唯一实现半导体材料 销售额同比增长的地区。 中国是全球最大的半导体材料市场(亿美元) 数据来源:SEMI
第二,细分行业多。半导体材料行业是半导体产业链中细分领域最多的产业链环节,其中晶圆制造材料包括硅片、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材料、工艺化学品、电子特气、抛光液和抛光垫、靶材及其他材料,封装材料包括引线框架、封装基板、陶瓷基板、键合丝、包封材料、芯片粘结材料及其他封装材料,每一种大类材料又包括几十种甚至上百种具体产品,细分子行业多达上百个。

第三,技术门槛高、研发投入大、研发周期长。由于半导体材料尤其是晶圆制造材料在集成电路芯片制造中扮演着重要的角色,甚至部分关键材料直接决定了芯片性能和工艺发展方向,因此下游客户对于产品的要求极为苛刻,在上线使用前需要长周期的测试论证工作,并且上线使用后也会通过较长周期逐步上量。加之产品在能够进入测试论证阶段之前需要经历长时间、高难度的研发阶段,研发过程中需要大量的研发投入。

2、公司主要产品所属细分行业情况
在半导体特别是集成电路制造过程中,晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆优良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一,化学机械抛光(CMP)、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积(电镀)等表面技术起到非常关键的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理技术和高端化学品配方核心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建了“化学机械抛光液-全品类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局”、“电镀液及其添加剂-强化及提升电镀高端产品系列战略供应”三大具有核心竞争力的技术平台。目前,公司技术已涵盖集成电路制造中的“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺,产品组合可广泛应用于芯片前道制造及后道先进封装过程中的抛光、刻蚀、沉积等关键循环重复工艺及衔接各工艺步骤的清洗工序。

公司主要产品在芯片制造及先进封装领域的关键循环重复工艺中多次应用 (1)化学机械抛光液市场情况
化学机械抛光(CMP)是半导体先进制程中的关键技术,其主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下,被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动,借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合,使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的 CMP抛光工艺步骤。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同,CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除,从而达到晶圆表面的高度(纳米级)平坦化效应。CMP已成为 0.35μm以下制程不可或缺的平坦化工艺。

CMP工艺原理图 随着制程节点的进步,多层布线的数量及密度增加,CMP 工艺步骤增加,CMP 技术越来越重要,其对后续工艺良率的影响越来越大。例如 14 纳米技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数将由 180纳米技术节点的 10次增加到 20次以上,而 7纳米及以下技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的 CMP工艺步骤数甚至超过 30次。此外,更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料,为抛光液带来了更多的增长机会。同样地,对于存储芯片,随着由 2D NAND向 3D NAND演进的技术变革,也会使 CMP工艺步骤数近乎翻倍,带动了钨抛光液及其他抛光液需求的持续快速增长。此外,先进封装技术的应用使 CMP 从集成电路前道制造环节走向后道封装环节,在如硅通孔(TSV)、混合键合(Hybrid Bonding)等工艺中得到广泛应用。

化学机械抛光液在 CMP 技术中至关重要,在抛光材料中价值占比超过 50%,其耗用量随着晶圆产量和 CMP 平坦化工艺步骤数增加而增加。根据应用的不同工艺环节,可以将抛光液分为硅衬底抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、介质材料抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液以及用于先进封装的硅通孔(TSV)抛光液等。抛光液特点为种类繁多,即使是同一技术节点、同一工艺段,根据不同抛光对象、不同客户的工艺技术要求也有不同配方。

根据 TECHCET,2024年全球半导体 CMP抛光材料(包括抛光液和抛光垫,其中抛光液占比近 60%)市场规模将增长 6%至 35.5亿美元。随着全球晶圆产能的持续增长以及先进技术节点、新材料、新工艺的应用需要更多的 CMP工艺步骤,TECHCET预计 2028年全球半导体 CMP抛光材料市场规模将达到 44亿美元,2024-2028年复合增长率为 5.6%。

(2)湿电子化学品市场情况
湿电子化学品是在清洗、刻蚀等多个微电子/光电子湿法工艺环节中使用的各种高纯度电子化学材料的统称,其生产涉及的核心工艺包括分离纯化、分析检测、混配及包装运输技术等,具有较高的技术壁垒。湿电子化学品主要分为通用性湿化学品和功能性湿化学品,其中通用性湿化学品主要包括主体纯度大于 99.99%、杂质含量低于 ppm级别的酸类、碱类、有机溶剂类及其他类产品;功能性湿化学品指为满足湿法工艺中特殊工艺需求,通过复配工艺制备的配方类或复配类化 学品,主要包括各类刻蚀液、清洗液及光刻胶配套试剂(剥离液、稀释剂、去边剂、显影液)等。 不同于混合使用的通用湿化学品可以由半导体制造企业自己混配使用,功能性湿化学品需要由电 子化学品生产企业进行研发和生产,以特定的产品形式供应给半导体制造企业使用。 公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道晶圆级封装用高端功能性湿电子化学品领域,产 品涉及清洗液、剥离液和刻蚀液。清洗液用于半导体制造的清洗工艺,去除微粒、金属或离子型 导电污染物及有腐蚀作用的无机、有机污染物等,根据其应用工艺不同,清洗液可分为化学机械 抛光(CMP)后清洗液、铝工艺刻蚀后清洗液、铜工艺刻蚀后清洗液、HKMG假栅去除后清洗液、 封装工艺用去溢料清洗液等。为最大限度地减少杂质对芯片良率的影响,当前的芯片制造流程在 光刻、刻蚀、离子注入、沉积、抛光等重复性工序后均设置了清洗工序,清洗步骤数量约占所有 芯片制造工序步骤的 30%以上,是所有芯片制造工艺步骤中占比最大的工序,而且随着技术节点 的推进,清洗工序的数量和重要性将继续提升,在实现相同芯片制造产能的情况下,对清洗液的 需求量也将相应增加。光刻胶剥离液是在曝光显影及后续工艺后去除硅片上光刻胶所用的试剂, 光刻胶在经过湿法刻蚀、干法刻蚀、离子注入等不同工艺后不易被去除,要求剥离液对光刻胶有 较强的溶解性能。半导体制造工艺应用的刻蚀技术主要包括湿法刻蚀和干法刻蚀两大类,刻蚀工 艺用到的湿化学品为刻蚀液。 清洗和刻蚀是半导体制造过程中重要的工艺环节 湿电子化学品的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响,随着集成电路技术的不断发展,工艺复杂性和技术挑战不断增加,对湿电子化学品的杂质含量、颗粒数量、清洗去除能力、刻蚀选择性、工艺均匀性、批次稳定性与一致性等的管控要求越来越高。此外,由于新结构、新器件和新材料的不断引入,主流芯片制造厂商间的差异性也越来越大,对于功能性湿电子化学品来说,满足客户的定制化需求也成为未来发展的重要趋势。根据TECHCET,2024年全球半导体湿电子化学品市场规模将增长 8%至 55亿美元。受益于芯片技术节点进步及全球芯片产能的持续增长,TECHCET预计 2028年全球半导体湿电子化学品市场规模将超过 66亿美元,2024-2028年复合增长率为 6.1%。

(3)电镀液及添加剂市场情况
电化学沉积(电镀)技术作为集成电路制造的关键工艺技术之一,是实现金属互连的基石,主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺和后道先进封装凸块(Bumping)、重布线层(RDL)、硅通孔(TSV)等电镀工艺。随着晶体管尺寸不断缩小,进入 130nm制程以后,铝互连工艺已经不能满足集成电路集成度、速度和可靠性持续提高等需求,铜已逐渐取代铝成为金属互连的主要材料。由于铜很难进行干法刻蚀,因此传统的金属互连工艺已不再适用,拥有镶嵌工艺的镀铜技术成为铜互连的主要制备工艺,业界也称为大马士革铜互连工艺。大马士革铜互连工艺在 8 英寸以上晶圆、130nm 以下芯片制造中得到广泛应用。

在铜互连电镀工艺中,将带有扩散阻挡层和籽晶层的芯片浸没在含有添加剂的高纯电镀液中,用电镀工艺填充已经刻蚀好的互连穿孔(Via)和槽隙(Trench)。其中铜互连电镀添加剂包括加速剂、抑制剂及整平剂,在电镀工艺中起到关键作用,通过不同组分相互作用,实现从下到上填充效果以及镀层晶粒、外观及平整度。

除芯片制造铜互连工艺外,电镀液及添加剂还应用于 Bumping 、RDL、TSV 等先进封装工艺。TSV技术的核心是在晶圆上打孔,并在硅通孔中进行镀铜填充,从而实现晶圆的互联和堆叠,在无需继续缩小芯片线宽的情况下,提高芯片的集成度和性能。和芯片制造铜互连工艺相比,TSV电镀的尺寸更大,通常需要更长的沉积时间、更高的电镀速率以及多个工艺步骤,铜互连电镀液及添加剂成本占 TSV工艺的总成本比重也更高。

目前半导体电镀已经不限于铜线的沉积,还有锡、锡银合金、镍、金等金属,但是金属铜的沉积依然占据主导地位。铜导线可以降低互联阻抗,降低器件的功耗和成本,提高芯片的速度、集成度、器件密度等。随着先进逻辑器件技术节点带来的互连层的增加,先进封装对重新布线层和铜柱结构应用的增加,以及广泛运用铜互连技术的半导体器件整体增长,带动了电镀液及其添加剂市场的增长。根据 TECHCET,2024年全球半导体电镀化学品市场规模将增长 7%至 10亿美元以上,其中铜互连、铜封装、锡银合金/锡/镍电镀化学品占比分别为 63%、8%、29%。随着先进封装应用及下一代逻辑器件中金属互连层数的增加,TECHCET 预计 2023-2028 年全球半导体电镀化学品年复合增长率将超过 5.4%。

(二) 主营业务情况
公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂系列产品,主要应用于集成电路制造和先进封装领域。公司始终围绕液体与固体表面处理和高端化学品配方核心技术并持续专注投入,成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液和部分功能性湿电子化学品的垄断,实现了进口替代,使中国在该领域拥有了自主供应能力,并持续拓展和强化电化学沉积领域的技术平台,产品覆盖多种电镀液及添加剂。同时,公司依靠自主创新,在特定领域实现技术突破,使中国具备了引领特定新技术的能力。

在化学机械抛光液板块,公司致力于实现全品类产品线的布局和覆盖,旨在为客户提供完整的一站式解决方案。公司化学机械抛光液产品已涵盖铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液等多个产品平台。同时,公司还基于化学机械抛光液技术和产品平台,支持客户对于不同制程的需求,定制开发用于新材料、新工艺的化学机械抛光液。

在功能性湿电子化学品板块,公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道晶圆级封装用等高端功能性湿电子化学品产品领域,致力于攻克领先技术节点难关,并基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品水平的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。目前,公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、晶圆级封装用光刻胶剥离液、抛光后清洗液、刻蚀液等产品。

在电镀液及添加剂产品板块,公司完成了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及添加剂产品系列平台的搭建,并且在自有技术持续开发的基础上,通过国际技术合作等形式,进一步拓展和强化了平台建设,包括技术平台及规模化生产能力平台,从而提升了公司在此领域的一站式交付能力。目前,先进封装用电镀液及添加剂已有多款产品实现量产销售,产品包括铜、镍、镍铁、锡银等电镀液及添加剂,应用于凸点、重布线层(RDL)等技术;在集成电路制造领域,铜大马士革工艺及硅通孔(TSV)电镀液及添加剂也按预期进展,进入测试论证阶段,进一步丰富了电镀液及添加剂产品线的应用。

公司产品已成功应用于逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、功率器件、传感器、第三代半导体及其他特色工艺芯片,并已进入半导体行业领先客户的主流供应商行列。

同时,为了提升自身产品的稳定性和竞争力,并确保战略供应,公司建立并持续强化核心原材料自主可控供应的能力,以支持产品研发,并保障长期供应的可靠性。



二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司拥有一系列具有自主知识产权的核心技术,核心技术权属清晰,技术水平国际先进或国内领先,成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司的核心技术涵盖了整个产品配方和工艺流程,包括金属表面氧化(催化)技术、金属表面腐蚀抑制技术、抛光速率调节技术、化学机械抛光晶圆表面形貌控制技术、光阻清洗中金属防腐蚀技术、化学机械抛光后表面清洗技术、光刻胶残留物去除技术、选择性刻蚀技术、电子级添加剂纯化技术、磨料制备技术、电镀液添加剂技术等。

公司主要依靠核心技术开展生产经营,核心技术产品为集成电路领域化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂。公司核心技术的应用主要体现在产品配方和生产工艺流程两个方面。一方面,公司基于核心技术研发产品配方并通过申请专利等方式加以保护,产品配方是核心技术的具体体现。另一方面,生产工艺流程是公司产品生产过程的关键,也是核心技术转化为最终产品的实现手段,公司通过技术秘密等形式对生产工艺流程予以保护。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
安集微电子科技(上 海)股份有限公司国家级专精特新“小巨人”企业2020年度- 2024年度化学机械抛光液及 功能性湿电子化学 品等

2. 报告期内获得的研发成果
公司始终秉承“研发创新驱动企业发展”的理念,持续研发投入,不断提升研发创新能力,加大市场开拓力度。公司围绕液体与固体表面的微观处理技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建“3+1”技术平台及应用领域,全面提升公司核心竞争力:“化学机械抛光液-全品类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局”、“电镀液及添加剂-强化及提升电镀液高端产品系列战略供应”及“核心原材料建设-提升自主可控战略供应能力”。

在铜及铜阻挡层抛光液方面,公司紧跟摩尔定律,紧跟行业领先客户的先进制程,提前进行技术平台的布局及技术能力的积累,持续推进相关产品的研发,持续优化先进技术节点产品的性能及稳定性,报告期内,铜及铜阻挡层抛光液产品在先进制程持续上量,多款产品在多个新客户端作为首选供应商实现量产销售,使用国产研磨颗粒的铜及铜阻挡层抛光液已实现量产销售。

在介电材料抛光液方面,报告期内,公司进一步开发先进技术节点系列产品,多款氮化硅抛光液在客户端的评估持续推进;同时公司持续改进氧化物抛光液,使用国产研磨颗粒的氧化物抛光液已成功实现量产销售。

公司钨抛光液在存储芯片和逻辑芯片领域的应用范围和市场份额持续稳健上升,报告期内,多款钨抛光液在存储芯片和逻辑芯片的先进制程通过验证,实现量产。

报告期内基于氧化铈磨料的抛光液产品取得重要进展,使用自研自产的国产氧化铈磨料的抛光液产品首次应用在氧化物抛光中,实现了技术路径的突破,并在客户端实现量产销售,显著提高了客户的良率;另有多款新产品在不同客户端完成论证测试并实现量产销售。

在衬底抛光液方面,公司紧跟国内大硅片企业的发展和打造材料自主可控能力的趋势,充分了解客户的需求后定制化开发抛光液产品。报告期内,公司研发的新型硅抛光液在客户端顺利上线,性能超过竞争对手,达到全球领先水平。

除此之外,报告期内,公司用于三维集成的TSV抛光液、混合键合抛光液和聚合物抛光液进展顺利,公司在多家客户端作为首选供应商帮助客户打通技术路线,助力国内先进封装技术的发展,实现销售。同时,公司积极投入研发,为客户定制开发满足新应用、新要求的抛光液产品。

在功能性湿电子化学品领域,公司致力于攻克领先技术节点难关并提供相应的产品和解决方案,持续拓展产品线布局,目前已涵盖刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液及刻蚀液等多种产品系列,广泛应用于逻辑电路、3D NAND、DRAM、CIS等特色工艺及异质封装等领域。报告期内,在刻蚀后清洗液方面,先进制程刻蚀后清洗液研发及产业化顺利,持续上量;在抛光后清洗液方面,先进制程碱性抛光后清洗液进展顺利,快速上量。

公司在电镀液及添加剂领域,基于已经搭建完成的电镀液及添加剂产品系列平台和一站式交付能力,报告期内,电镀液本地化供应进展顺利,持续上量;集成电路大马士革电镀、硅通孔电镀、先进封装锡银电镀开发及验证按计划进行。

公司技术及产品已涵盖集成电路制造中“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺。随着公司研发产品范围及应用的进一步拓展,应用逐渐覆盖芯片制造中成熟制程及特殊制程多个技术节点,在先进封装领域的产品覆盖面也越来越广,客户数量得到进一步提升。

与此同时,公司持续加快建立核心原材料自主可控供应的能力,一方面优化产品性能,提升现有产品竞争力;另一方面加强新产品、新技术的研究开发,保障公司产品长期供应的安全性和可靠性。报告期内,参股公司开发的多款硅溶胶应用在公司多款抛光液产品中并实现量产销售;公司通过自研自建的方式持续加强了氧化铈颗粒的制备的自主可控能力,自产氧化铈磨料应用在公司产品中的测试论证进展顺利,多款产品已通过客户端的验证并实现量产供应,部分产品在重要客户实现销售,并有产品实现新技术路径的突破,显著提高客户良率。

公司持续投入大量资金、人力等研发资源,夯实现有研发平台能力建设,把握产品迭代更新,不断提高研发成果转化效率,公司产品的应用能力和延展能力得到进一步提升。公司坚持研发创新的同时,不断完善自主知识产权的布局,截至2024年6月30日,公司及其子公司共获得295项发明专利授权,其中中国大陆211项、中国台湾67项、美国7项、法国5项、新加坡3项、韩国2项;另有337项发明专利申请已获受理。


报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利019337295
实用新型专利    
外观设计专利    
软件著作权    
其他    
合计019337295

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入144,565,200.86101,296,415.2642.72
资本化研发投入---
研发投入合计144,565,200.86101,296,415.2642.72
研发投入总额占营业收入 比例(%)18.1317.62增加0.51个百分点
研发投入资本化的比重(%)-- 


研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期内,公司研发投入较上年同期增长4,326.88万元,同比增长42.72%,主要系公司为保持技术领先优势,持续开展研发设施和能力建设,加大了人力、设施和研发活动,从而带来人力成本、研发设施折旧及摊销、研发物料消耗增长较快所致。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术水 平具体应用前景
1铜抛光液系 列产品12,000.002,786.8311,632.15用于先进技术节点的产品 稳定上量。具有更高性价 比的迭代产品在多个客户 端验证顺利,逐步上量。持续开发用于先进技术节点 的产品平台和优化用于成熟 技术节点的具有更高性价比 的产品并在客户端测试验 证。达到国 际先进 水平产品满足成熟制程和先 进制程的技术要求,具 有成长空间。
2阻挡层抛光 液系列产品3,500.001,079.293,377.77用于先进技术节点的产品 实现量产,在客户端持续 验证扩大销售。具有更高 性价比的产品迭代正在进 行,逐步量产销售。持续开发用于先进技术节点 的产品平台和优化用于成熟 技术节点的具有更高性价比 的产品并在客户端测试验 证。达到国 际先进 水平产品满足成熟制程和先 进制程的技术要求,具 有成长空间。
3钨化学机械 抛光液12,000.003,045.5211,428.83用于更先进技术节点的产 品在客户端通过验证实现 销售。成熟技术节点的产 品并在客户端验证,扩大 应用范围。持续开发用于先进技术节点 的产品并在客户端测试验 证;持续优化用于成熟技术 节点的产品并在客户端验 证,扩大应用范围。达到国 际先进 水平产品满足成熟制程和先 进制程的技术要求,具 有成长空间。
4硅衬底抛光 液系列产品1,500.005.481,318.72硅精抛液产品验证顺利, 逐步量产销售。持续开发和优化硅精抛液并 在客户端验证,扩大市场份 额;持续优化硅粗抛液并在 客户端验证。达到国 际先进 水平逐步完善产品,扩大应 用和市场份额。
5基于氧化铈 的抛光液系 列产品6,000.001,235.755,737.16用于更具性价比的成熟技 术节点的产品已经通过客 户测试,逐步导入量产销 售;面向先进技术节点相 关产品已在海外关键客户 导入验证迭代。持续开发和优化用于成熟技 术节点和先进技术节点的产 品并在客户端进行测试验 证,扩大应用范围。达到国 际先进 水平逐步完善产品,扩大应 用和市场份额。
6介电材料抛 光液系列产 品1,200.00251.02603.40用于先进逻辑芯片制程工 艺的氮化硅抛光液持续在 客户端验证,在先进存储 芯片工艺中实现销售。氧 化硅抛光液正在逐步实现 研磨颗粒国产化,部分产 品已经通过验证上限。持续开发和优化氮化硅抛光 液并在客户端测试验证;开 发具有更高性价比的氧化硅 抛光液在客户端测试验证。达到国 际先进 水平逐步完善产品,扩大应 用和市场份额。
7新材料新工 艺用抛光液 系列产品2,000.00768.532,735.92用于三维集成工艺的TSV 铜/阻挡层抛光液、混合 键合抛光液、聚合物抛光 液持续在更多的客户端作 为首选供应商上线使用, 逐步扩大销售。持续与客户合作,完成新材 料用抛光液和三维集成用抛 光液的开发和测试,扩大应 用。达到国 际先进 水平持续扩大应用和市场份 额。
8刻蚀后清洗 液12,000.002,132.667,015.55用于先进技术节点的产品 在客户端持续扩大销售, 新技术需求产品持续研发 验证中。先进技术节点产 品批量量产。持续与客户合作,完成先进 技术节点刻蚀后清洗液开发 及产业化达到国 际先进 水平逐步完善产品,扩大应 用和市场份额。
9光刻胶剥离 液1,000.00133.29583.04批量应用于晶圆级封装等 超越摩尔领域中,并持续 扩大应用,新技术需求产 品持续迭代中。厚膜光刻胶剥离液持续优 化,满足超越摩尔等产品需 求达到国 际先进 水平满足先进技术节点需 求,市场前景广阔。
10刻蚀液2,000.00399.871,358.87成功建立刻蚀液技术平 台,刻蚀液研发及验证正 在按计划进行中。开发适用于12英寸先进制 程独特配方型刻蚀液,支持 先进工艺发展达到国 际先进 水平满足先进技术节点需 求,市场前景广阔。
11电镀液1,000.00812.562,326.06完善集成电路大马士革工 艺及先进封装电镀产品 线,先进封装电镀产品批 量量产。建立电化学镀技术平台,开 发满足集成电路大马士革工 艺及先进封装凸点工艺等电 镀液添加剂并进行产业化达到国 际先进 水平满足集成电路大马士革 工艺及先进封装需求, 市场前景广阔。
12电子级添加 剂纯化3,000.00490.683,187.00成功建立电子级添加剂纯 化技术平台,多款添加剂 纯化达到ppb级别,并实 现量产,新技术需求产品 持续研发验证中。开发电子级添加剂纯化技 术,实现原材料自主可控达到国 际先进 水平满足先进技术发展需 求,有效支持公司长期 发展。
13高端纳米磨 料3,000.001,174.304,707.55部分产品已通过客户端测 试验证,进入量产阶段。抛光指标和性能达到国际先 进水平达到国 际先进 水平客制化磨料与进口磨料 互补,保障供应安全。
合 计/60,200.0014,315.7956,012.03////

情况说明
无。




5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)264202
研发人员数量占公司总人数的比例(%)50.0946.98
研发人员薪酬合计5,426.143,945.65
研发人员平均薪酬20.5519.53
注:上述薪酬不含股权激励。


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士3814.39
硕士5018.94
本科13852.27
大专2810.61
中专、高中及以下103.79
合计264100
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下14050.03
30岁-40岁(不含)9234.85
40岁-50岁(不含)269.85
50岁及以上62.27
合计264100

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、深耕高端半导体材料领域
公司自成立之初就将自己定位为以科技创新及知识产权为本的高端半导体材料供应伙伴,始终围绕液体与固体衬底表面处理和高端化学品配方核心技术并持续专注投入,成功搭建了“3+1”技术平台,为公司持续产品开发及产业化提供了坚实的技术基础。随着集成电路技术的不断推进,以及新结构、新器件和新材料的引入,工艺复杂性和技术挑战不断增加,下游客户对关键半导体材料的要求也不断提高且呈现多样化,因此满足客户定制化需求将成为集成电路关键材料发展的重要趋势,能够与行业领先客户联合开发或定制开发是公司产品成功产业化的关键条件。公司紧密围绕现有核心技术平台,结合市场需求及相关领域技术进程,持续为客户提供更全面、更具竞争力的产品组合和技术解决方案。通过多年持续投入,公司已拥有一系列具有自主知识产权的核心技术,成熟并广泛应用于公司产品中。截至 2024年 6月 30日,公司及子公司拥有境内外授权了完善的知识产权管理体系,并通过了国家知识产权管理体系认证。公司通过完善的知识产权布局保护核心技术,持续创新并更新知识产权库,实现产品和技术的差异化,为公司开发新产品和开拓新业务创造了有利条件。

未来,公司将凭借在高端半导体材料领域积累的宝贵经验持续深耕,依托已有的先进技术平台和人才团队为客户提供高附加值的产品和服务。

2、高效的研发和产品转化能力
公司致力于为集成电路产业提供以创新驱动的、高性能并具成本优势的产品和技术解决方案,从解决方案设计、产品研发、测试认证、供应保障、物流配套、技术支持等方面着手,提供全生命周期、全价值链的一站式服务。公司坚持创新驱动和客户至上的理念,利用在化学配方、材料科学等领域的专长,持续研发创新产品或改进产品以满足下游技术先进客户的需求,将客户面临的具体挑战转化成现实的产品和可行的工艺解决方案。

最近三年及本报告期,公司研发费用分别为 15,310.78万元、16,136.46万元、23,661.27万元和 14,456.52万元,分别占营业收入的比例为 22.30%、14.99%、19.11%和 18.13%,研发投入持续保持在较高水平。公司持续投入大量的资金、人力等研发资源,将重点聚焦在产品创新上,以满足下游集成电路制造和先进封装行业全球领先客户的尖端产品应用。得益于有竞争力的商业模式,公司产品研发效率高且具有针对性,近年来持续、及时推出了符合市场和客户需求的新产品,量产经验持续丰富。

3、可靠的原材料供应能力
公司在原材料采购及供应渠道方面积累了丰富的资源,与主要原材料供应商建立了长期稳定的合作伙伴关系,并积极拓展供应资源。同时,公司依托于公司通过长期积累已搭建的核心技术平台,纵向深入研究上游关键原材料,通过自建、合作等多种方式加快建立核心原材料自主可控供应的能力,拓宽供应品类,保障长期供应的可靠性。

4、国际化、多元化的人才储备
通过多年的集成电路制造及先进封装领域的研发实践,公司组建了一批高素质的核心管理团队和专业化的核心技术团队。最近三年及报告期末,公司研发人员数量分别为 145 人、180 人、236人、264人,占员工总数的比重分别为 43.81%、45.69%、50.43%、50.09%,研发人才占比保持高位。公司核心技术团队均由资深行业专家组成,在化学、材料化学、材料工程等专业领域有着长达几十年的研究经验,并在半导体材料行业深耕积累了数十年的丰富经验和先进技术。公司核心管理团队也在战略规划、行业发展、人才培养、团队建设、销售与市场、跨国公司管理等方面拥有丰富经验。公司管理团队在半导体材料及相关行业的丰富经验为公司的业务发展带来了全球先进乃至领先的视角。公司高素质的员工队伍为维持竞争优势提供了保证。

与此同时,公司持续加大后备人才引进和培养,整合优势资源,进一步提升公司整体综合实力。团队规模逐渐扩大的同时,团队能力培养初见成效,公司加大培训投入,在识别和分析公司人才需求的基础上,针对性地组织内外部培训、研讨交流会、知识分享会,始终贯彻了“终身学习”的理念,构建了结构化、多元化、体系化的学院式培训,有效提升员工的综合素质能力。

5.贴近市场和客户的服务模式
公司根植于全球半导体材料的第一大和第二大市场,布局富有经验的应用工程师团队在当地提供24小时服务。根据SEMI,中国台湾和中国大陆是全球前两大半导体材料消费地区,2023年销售额分别为192亿美元和131亿美元,占全球半导体材料销售额的比重分别约29%和20%,其中中国大陆是 2023 年全球唯一实现半导体材料销售额同比增长的地区。贴近市场和客户的服务模式有利于公司及时响应客户需求,运输时间短,运输成本低,并且与本土客户文化融合程度高,沟通效率高,具有较强的灵活性。

6.规范的管理体系和卓越的运营能力
公司始终秉承“使命必达”的工作态度和服务宗旨,以高标准、严要求建立健全了以内部控制为中心的一系列政策体系、管理流程和机制,以全面防范应对各项风险危机。质量管控方面,公司围绕产品导入的全流程建立了成熟有效的产品质量保证体系,在产品研发、供应商管理、进料控制、过程控制、出货控制、客户服务、产品优化和迭代等方面进行全流程质量管控并已通过ISO9001,ISO14001,ISO45001等管理体系的第三方认证。报告期内,公司以高效、积极状态推进生产、运营高质量发展,不断加强研发、生产、质量、供应链等全流程管理,提升自动化和信息化水平,不断改进、完善并夯实ESH管理流程的落实和监管,在各项业务有序推进的同时,重大建设项目也按预期完成交付。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
安集科技作为一家以科技创新及知识产权为本的高端半导体材料企业,始终致力于高增长率和高功能材料的研发和产业化,坚持“立足中国,服务全球”的战略定位。公司持续深化化学机械抛光液一站式和全方位服务;进一步拓宽功能性湿电子化学品品类;在自主研发的基础上,引入电镀液及添加剂的国际合作,逐步覆盖多种产品品类;不断加深加快关键原材料的自主可控进程。在打破特定领域高端材料100%进口局面,填补国内技术空白的基础上,带动、引领半导体材料产业链的快速发展。

? 市场地位日渐巩固,营业收入稳健增长
在面对经济环境反复多变、市场竞争日趋加强的情况下,公司继续坚持“立足中国,服务全球”的战略定位,沿着既定的发展路线和市场拓展规划,保持与现有客户积极紧密的合作关系,并努力拓展新客户。凭借公司多年来积累的丰富经验,依托已建立的产品技术平台,坚持创新驱动和客户至上的理念,持续为客户提供定制化的产品及解决方案,解决客户痛点,满足客户需求,增强客户粘度,巩固市场地位。继续加大力度开拓中国大陆地区成熟制程和先进制程的市场的同时,公司投入更多资源积极拓展中国台湾及海外客户的市场份额。报告期内,公司营业收入稳健增长,实现营业收入79,727.35万元,比上年同期增长38.68%;归属于上市公司股东的净利润为23,399.58 万元,较上年同期下降 0.43%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为23,484.19万元,较上年同期增长46.07%。

? 技术平台持续加强,竞争优势逐步延展到上游
公司始终秉承“研发创新驱动企业发展”的理念,不断加大研发投入,持续加强“3+1”技术平台及应用领域,全面提升公司核心竞争力。报告期内,公司在新领域、新应用、新产品的研发拓展方面取得显著成效,多个产品平台中的多款产品在成熟制程和先进制程的客户完成测试论证并实现量产销售,其中相当一部分产品作为首选供应获得订单。基于氧化铈磨料的抛光液产品取得重要进展,使用自研自产的国产氧化铈磨料的抛光液产品首次应用在氧化物抛光中,实现了技术路径的突破,并在客户端实现量产销售,显著提高了客户的良率。同时,参股公司开发的多款硅溶胶应用在公司多款抛光液产品中并实现量产销售。公司技术已涵盖集成电路制造中的“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺,产品组合可广泛应用于芯片前道制造及后道先进封装过程中的抛光、刻蚀、沉积等关键循环重复工艺及衔接各工艺步骤的清洗工序,结合高端纳米磨料及电子级添加剂纯化技术的熟练掌握,安特纳米自动化生产基地建成投产及安集电子材料在上海电子化学品专区的制造基地开工建设,上游原材料自主可控能力大大加强,公司技术成果转化能力全面提升,进一步加强公司核心竞争优势。(未完)
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