[中报]路维光电(688401):路维光电2024年半年度报告

时间：2024年08月26日 18:51:39 中财网

原标题:路维光电:路维光电2024年半年度报告

公司代码：688401 公司简称：路维光电






深圳市路维光电股份有限公司
2024年半年度报告









重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人杜武兵、主管会计工作负责人刘鹏及会计机构负责人（会计主管人员）张少坤声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 不适用

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 .................................................................. 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................. 7 第三节 管理层讨论与分析...................................................... 10 第四节 公司治理 ............................................................. 34 第五节 环境与社会责任 ....................................................... 35 第六节 重要事项 ............................................................. 38 第七节 股份变动及股东情况 .................................................... 74 第八节 优先股相关情况 ....................................................... 79 第九节 债券相关情况 ......................................................... 80 第十节 财务报告 ............................................................. 80

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表。
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
路维光电、公司、本公 司、母公司	指	深圳市路维光电股份有限公司
成都路维	指	成都路维光电有限公司
路维科技	指	成都路维光电科技有限公司
香港路维	指	香港路维实业有限公司
路维盛德	指	共青城路维盛德股权投资合伙企业（有限合伙）
路行维远	指	苏州市路行维远企业管理合伙企业（有限合伙）
路维兴投资	指	深圳市路维兴投资有限公司
国投科技	指	国投（上海）创业投资管理有限公司－国投（上海）科技成果转化 创业投资基金企业（有限合伙）
兴森科技	指	深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
兴森投资	指	深圳市前海睿兴投资管理有限公司－兴森股权投资（广州）合伙企 业（有限合伙）
新意资本	指	新意资本基金管理（深圳）有限公司
新余顺禄	指	新余顺禄并购投资管理中心（有限合伙）
新余百耀	指	新余百耀投资中心（有限合伙）
新余粤典	指	新余粤典并购投资中心（有限合伙）
新余华谦	指	新余华谦投资管理中心（有限合伙）
控股股东、实际控制 人	指	杜武兵
股东大会	指	深圳市路维光电股份有限公司股东大会
董事会	指	深圳市路维光电股份有限公司董事会
监事会	指	深圳市路维光电股份有限公司监事会
中国证监会、证监会	指	中国证券监督管理委员会
《公司法》	指	《中华人民共和国公司法》
《证券法》	指	《中华人民共和国证券法》
《公司章程》	指	《深圳市路维光电股份有限公司章程》
保荐机构、国信证券	指	国信证券股份有限公司
报告期	指	2024年1月1日至2024年6月30日
元、万元	指	人民币元、人民币万元
京东方	指	京东方科技集团股份有限公司（A股上市公司，股票代码000725） 及其子公司的统称，公司客户
TCL 华星	指	TCL华星光电技术有限公司（原深圳市华星光电技术有限公司）及 其子公司的统称，公司客户
天马微电子	指	天马微电子股份有限公司（A股上市公司，股票代码：000050）及 其子公司的统称，公司客户
信利	指	信利光电股份有限公司、信利半导体有限公司、信利（惠州）智能 显示有限公司、信利（仁寿）高端显示科技有限公司、信元光电有 限公司的统称，公司客户
晶方科技	指	苏州晶方半导体科技股份有限公司（A 股上市公司，股票代码： 603005）及其子公司的统称，公司客户
华天科技	指	华天科技（昆山）电子有限公司，系华天科技（A股上市公司，股 票代码：002185）之全资子公司，公司客户
通富微电	指	通富微电子股份有限公司（A股上市公司，股票代码：002156）、 南通通富微电子有限公司、厦门通富微电子有限公司、合肥通富微
		电子有限公司的统称，公司客户
三安光电	指	三安光电股份有限公司（A股上市公司，股票代码：600703）及其 子公司的统称，公司客户
上海仪电	指	上海仪电显示材料有限公司、昆山仪电显示材料有限公司的统称， 公司客户
Mycronic	指	Mycronic AB（瑞典上市公司，股票代码：MYCR）、迈康尼电子设备 （上海）有限公司的统称，公司设备供应商
掩膜版	指	掩膜版（又称光掩膜版、光罩，英文为Photomask），是微纳加工 技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透 明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产 品基片上
TFT	指	TFT（Thin Film Transistor）是薄膜晶体管的缩写，是一种特殊 的场效应管，主要由半导体主动层、介电质层、金属电极层等构成。 根据半导体主动层材质的不同，可分为a-Si技术、LTPS技术和IGZO 技术等
平板显示、FPD	指	平板显示（Flat panel display，缩写为FPD）是指显示屏对角线 长度与整机厚度比大于 4：1 的显示器件，包括液晶显示器、等离 子体显示器、电致发光显示器、真空荧光显示器、平板型阴极射线 管和发光二极管显示器等
TFT-LCD	指	是指使用TFT（薄膜晶体管）技术制造的LCD显示器（液晶显示器）。 其制作流程包括TFT-Array制程（薄膜晶体管阵列制程）和CF制 程（Color filter彩色滤光片制程）
STN-LCD	指	指Super Twisted Nematic-LCD的简称，中文名超扭曲向列型液晶 显示器。是在 TN 技术的基础上改良的液晶排列技术，其特点是在 液晶排列时与玻璃基板间预设了预倾角，可以改善 TN 技术对比度 差的问题
分立器件	指	泛指半导体晶体二极管、三极管及特殊器件，是半导体行业的重要 分支
光电子器件	指	是指利用光-电转换效应制成的各种半导体器件，主要用于光通信、 光显示、红外探测等行业
传感器	指	是指能将被感受或被测量信息按照一定的规律转换成其它可用信 号的器件或装置，通常由敏感元件和转换元件组成
LED	指	是指发光二极管（light-emitting diode），利用电子与空穴复合 释放能量发光的一种发光器件，广泛应用于照明及平板显示等行业
PCB	指	是指印刷电路板（Printed Circuit Board）
FPC	指	是指柔性印刷电路板（Flexible Printed Circuit），其特点是电 路板基板采用聚酰亚胺或聚酯薄膜等柔性材料制成，其产品可挠可 弯曲
AMOLED	指	主动矩阵有机发光二极体（Active Matrix Organic Light Emitting Diode）面板，每个像素连续可独立的主动发光，具有高 亮度、高分辨率、低能耗等特点
Mini-LED	指	芯片尺寸介于50~200μm之间的LED器件，主要用于显示器件或背 光模组
Micro-LED	指	微型发光二极管，指由微小LED作为像素组成的高密度集成的LED 阵列。阵列中的像素点距通常在50μm以下，通过巨量转移和微封 装技术将 Micro-LED 芯片连接到驱动基板上进而实现有源寻址的 显示技术
IC	指	Integrated Circuit，中文称作集成电路，是一种集成了晶体管、 电阻等元件的微型电子器件
LTPS	指	低温多晶硅（Low Temperature Poly-silicon），运用于TFT-LCD
		和AMOLED 显示面板的半导体主动层，与传统a-Si相比，该技术 具有高分辨率、反应速度快、高开口率等优点
IGZO	指	铟镓锌氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide），运用于TFT-LCD 和AMOLED 显示面板的半导体主动层，主要应用于大尺寸显示面板 制造
LTPO	指	LTPO 指低温多晶氧化物（Low Temperature Polycrystalline Oxide），LTPS与IGZO技术的结合体，具有LTPS屏高分辨率、反 应速度快的优点，同时兼具了IGZO屏低待机功耗的优点
硅基OLED	指	硅基OLED技术又称Micro OLED技术，是指在硅片上实现矩阵式有 机发光二极管（OLED）的显示技术，区别于传统的玻璃基工艺，可 以实现更小的像素间距，更高亮度和屏幕刷新率
IC封装	指	将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的 过程，以是否焊线分为传统封装技术与先进封装技术，其中先进封 装包括倒装（Flip Chip），凸块（Bumping），晶圆级封装（WLP）， 2.5D封装，3D封装（TSV）等封装技术
第三代半导体	指	是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为主的宽禁带半导体材料，具 有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高迁移率、可承受大 功率等特点
半色调掩膜版、HTM	指	半色调掩膜版（Half-tone Mask，缩写为HTM），是在普通二阶掩 膜的基础上，利用具有一定光学透过率的膜来实现部分透光、透光、 遮光三种功能的掩膜版
相移掩膜版、PSM	指	相移掩膜版（Phase Shift Mask），利用相移（Phase Shift）技 术实现光的相位反转，改善图形对比度，增强图形曝光分辨率
Metal Mesh	指	是一种在PET、玻璃等基材上通过各种工艺形成的导电金属网格， 可用于触控技术
OPC	指	Optical Proximity Correction，即光学邻近效应修正技术，用于 修正光刻图形和掩膜版图形之间由于曝光产生的变形和偏差
MEMS	指	Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统，是集微传感器、 微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高 性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统
PPI	指	Pixels Per Inch也叫像素密度单位，所表示的是显示产品中每英 寸所拥有的像素数量
FMM	指	Fine Metal Mask高精度金属掩模板，用于AMOLED面板制造中的 发光材料蒸镀环节
Barcode	指	指条形码，是将宽度不等的多个黑条和空白，按照一定的编码规则 排列，用以表达一组信息的图形标识符，用于掩膜版识别
Mura	指	中文意思表示色差、条纹，特指平板显示掩膜版或者显示面板本身 因为微观精度波动造成的宏观上的颜色、亮度等不均匀的情况
Omdia	指	Omdia 由 Informa Tech 的研究部门（Ovum、Heavy Reading 和 Tractica）与收购的IHS Markit 技术研究部门合并而成，是一家 全球领先的市场调研与研究机构。Omdia研究团队包括400 多名分 析师，涵盖200 多个细分市场，定期出具行业研究报告及市场排名 数据，其数据被众多证券公司行业研究报告引用
SEMI	指	Semiconductor Equipment and Materials International（国际 半导体产业协会），SEMI定期收集和发布全球半导体行业数据及预 测，是全球半导体行业数据的权威机构，其数据被众多证券公司行 业研究报告引用
SIA	指	Semiconductor Industry Association(美国半导体产业协会)， 是美国半导体行业的权威组织

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	深圳市路维光电股份有限公司
公司的中文简称	路维光电
公司的外文名称	Shenzhen Newway Photomask Making Co., Ltd.
公司的外文名称缩写	Newway Photomask
公司的法定代表人	杜武兵
公司注册地址	深圳市前海深港合作区南山街道梦海大道5035号前海华润金融 中心T5写字楼801
公司注册地址的历史变更情况	2023年3月13日，公司注册地址由“深圳市南山区朗山路16号华 瀚创新园办公楼D座102”变更为“深圳市前海深港合作区南山 街道梦海大道5035号前海华润金融中心T5写字楼801”
公司办公地址	深圳市南山区南山街道桂湾社区梦海大道5035号华润前海大厦A 座9楼
公司办公地址的邮政编码	518052
公司网址	http://www.newwaymask.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	/

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	肖青	沈晓萍
联系地址	深圳市南山区南山街道桂湾社区梦海大 道5035号华润前海大厦A座9楼	深圳市南山区南山街道桂湾社区梦海大 道5035号华润前海大厦A座9楼
电话	0755-86019099	0755-86019099
传真	/	/
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《上海证券报》(https://www.cnstock.com/)《中国证券报》 (https://www.cs.com.cn/)《证券时报》(http://www.stcn.com/) 《 证 券 日 报 》 (http://www.zqrb.cn/) 及 经 济 参 考 网 （ http://www.jjckb.cn/）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	董事会办公室，深圳市南山区南山街道桂湾社区梦海大道5035号 华润前海大厦A座9楼
报告期内变更情况查询索引	/

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所科创板	路维光电	688401	/

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入	395,721,525.20	307,985,898.48	28.49
归属于上市公司股东的净利润	82,422,996.04	70,631,259.87	16.69
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	74,485,980.86	58,179,288.20	28.03
经营活动产生的现金流量净额	70,415,169.69	107,503,028.22	-34.50
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	1,279,360,358.79	1,461,670,576.89	-12.47
总资产	2,127,836,017.70	2,322,589,909.48	-8.39

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.43	0.37	16.22
稀释每股收益（元／股）	0.43	0.37	16.22
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	0.39	0.30	30.00
加权平均净资产收益率（%）	5.63	5.12	增加0.51个百分 点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	5.09	4.22	增加0.87个百分 点
研发投入占营业收入的比例（%）	5.04	5.41	减少0.37个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、经营活动产生的现金流量净额同比下降，主要系报告期内购买商品、接受劳务支付的现金增加。

2、扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增长，主要系公司营业收入增长，盈利能力增强后带来扣除非经常性损益后的基本每股收益增长。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(三) 境内外会计准则差异的说明：
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减值准备的冲销部 分	1,025,344.16
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相 关、符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损益 产生持续影响的政府补助除外	6,980,043.52
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，非金融 企业持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益以及 处置金融资产和金融负债产生的损益	1,192,739.73
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费
委托他人投资或管理资产的损益
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的各项资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得 投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损 益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性费用，如安置 职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益产生的一次性 影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份支付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之后，应付职工薪酬 的公允价值变动产生的损益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变 动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	123,712.39
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	1,556,090.85
少数股东权益影响额（税后）	-171,266.23
合计	7,937,015.18

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所处行业发展情况
公司掩膜版产品作为下游行业批量生产过程中的基准和蓝本，是连接工业设计和工艺制造的关键，其精度和质量水平会直接影响最终下游制品的良品率。在显示技术向高精细化、尺寸大型化、应用多元化、产品定制化和半导体技术特色工艺、精密度及应用领域持续提升的推动下，掩膜版市场迎来前所未有的增长期。全球掩膜版市场呈现出勃勃生机，市场规模持续扩大，年复合增长率维持在高位。随着新能源、AI人工智能、自动驾驶、近眼显示等新型领域的快速发展与升级，平板显示及芯片应用场景的持续扩张，进一步催生了对高精密度高质量掩膜版的旺盛需求。

从下游需求的行业结构来看，掩膜版市场主要可细分为半导体掩膜版市场、平板显示掩膜版市场和其它细分领域。

半导体行业作为现代高科技产业和新兴战略产业，为现代信息技术、电子技术、通信技术、信息化等产业提供坚实的支撑。作为全球科技产业中重要组成部分，半导体技术被广泛应用于5G通信、人工智能、物联网、汽车电子、云计算、消费电子、智能家居、智能化工厂等领域，在《“十四五”国家信息化规划》中，我国计划在教育、科研、开发、资金支持等各个领域，大力支持半导体产业的发展，以期实现产业独立自主。根据美国半导体行业协会（SIA）最新发布的数据显示，在算力芯片的需求增长以及存储行业复苏的双重推动下，2024 年全球半导体行业规模将增长13.1%，达5,958亿美元。

全球半导体市场规模（亿美元）
数据来源：SIA
根据中商产业研究院发布的《2024-2029 年中国掩膜版市场调查与行业前景预测专题研究报告》数据显示，2018-2022年，全球半导体掩膜版市场规模由40.41亿美元增长至49亿美元，复合年均增长率达4.9%，预计2024年半导体掩膜版市场规模将继续增长至53.24亿美元。2022年10月，美国商务部公布的修订后的《出口管理条例》，加大对于半导体设备及零部件的出口供货限制，包含了对掩膜版的供应限制，国内先进制程掩膜版进口受阻，急需国产掩膜版填补供应，掩膜版行业的国产替代进程有望进一步加速。

在第三代半导体领域，以SiC、GaN为代表的材料以其高热导率、高击穿场强等特点，在国防、航空、航天、高铁、新能源汽车、光学存储、激光打印等多个领域展现出巨大的应用潜力。在国家政策支持和市场需求驱动下，我国第三代半导体产业快速发展，已基本形成了涵盖上游衬底、外延片，中游器件设计、器件制造及模块，下游应用等环节的产业链布局，这将带动半导体掩膜版市场的快速发展。

2023年，半导体行业掀起新一轮的投资热潮，各大企业纷纷扩充产能，带动掩膜版市场需求的上涨。随着2024年初以Sora为代表的生成式AI（人工智能）发布，AI在理解真实世界场景并与之互动的能力方面实现飞跃。AI 技术的快速进步促使各大科技公司纷纷加速布局 AI 领域。AI领域的快速发展将进一步带动对算力的新增需求，AI芯片和光模块作为算力实现的基础，预计将迎来高速增长。在半导体晶圆制造材料中，光掩膜占比达13%，位列第三，对于下游产品批量生产有着关键性的作用。

平板显示行业经过长期发展，呈现出像素高精细化、尺寸大型化、应用多元化、产品定制化等特点。平板显示作为数字世界的关键接口，其技术与应用场景不断升级、拓展。新兴产业多元化发展带来细分市场多元化需求，对平板显示行业的发展和进步发挥了积极的推动作用。

全球平板显示掩膜版市场规模
数据来源：Omdia Omdia预计，至2028年,平板显示掩膜版市场规模将进一步发展至1,504亿日元。分地区来 看，排名前四的需求市场依次为中国大陆地区、韩国、中国台湾、日本，四者合计占比超99%，其 中中国大陆地区占比历年保持在55%以上，占据主导地位。自2017年起，中国大陆地区平板显示 掩膜版市场需求稳步攀升，特别是成功自主研发G11平板显示掩膜版后，我国掩膜版产业正式跻 身国际先进行列。根据Omdia分析，2028年中国大陆平板显示掩膜版销售占比将达到59%。 全球平板显示掩膜版市场规模分地区占比 数据来源：Omdia
掩膜版制造技术不断革新，主要体现在高精度和工艺特色化等维度。新型掩膜版材料、工艺及先进生产设备的应用，使得掩膜版的质量和生产效能得到了大幅提升，为行业注入了强大的动力。

（二）主营业务情况
1.主要业务
公司自成立至今，一直致力于掩膜版的研发、生产和销售，产品主要应用于平板显示、半导体、触控和电路板等行业，是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本。掩膜版的作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。作为光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版是连接工业设计和工艺制造的关键，掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。

经过多年技术积累和自主创新，公司已具有G2.5-G11全世代掩膜版生产能力，可以配套平板显示厂商所有世代产线；实现了180nm及以上制程节点半导体掩膜版量产，并储备了150nm制程节点及以下成熟制程半导体掩膜版制造关键核心技术，可以满足国内先进半导体封装和半导体器件等应用需求。公司在G11超高世代掩膜版、高世代高精度半色调掩膜版和光阻涂布等产品和技术方面，打破了国外厂商的长期垄断，对于推动我国平板显示行业和半导体行业关键材料的国产化进程、逐步实现进口替代具有重要意义。报告期内，公司坚持技术创新促进公司各项业务平稳发展，促使营业收入保持增长趋势。公司实现营业收入39,572.15万元，同比增长28.49%；归属于上市公司股东的净利润为 8,242.30 万元，同比增长 16.69%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润7,448.60万元，同比增长28.03%；基本每股收益0.43元。

2.主要产品或服务情况
根据基板材料的不同，公司的产品可以分为石英掩膜版、苏打掩膜版。根据下游应用行业的不同，公司的产品可分为平板显示掩膜版、半导体掩膜版、触控掩膜版和电路板掩膜版等。

平板显示掩膜版应用于薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）制造，包括 TFT-Array 制程和 CF制程；低温多晶硅液晶显示器（LTPS-LCD）制造；有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）制造；扭曲/超扭曲向列型液晶显示器（TN/STN-LCD）制造；铟镓锌氧化物有机发光二极管显示器（IGZO-OLED）制造，低温多晶硅氧化物有机发光二极管显示器（LTPO-OLED）制造等。

半导体掩膜版应用于集成电路（IC）制造、集成电路（IC）封装、半导体器件制造（包括分立器件、光电子器件、传感器及微机电（MEMS）等）及LED芯片外延片制造等。

触控掩膜版用于触摸屏的制造过程；电路板掩膜版用于PCB及FPC的制造过程。

3.主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事掩膜版的研发、生产和销售，通过向平板显示和半导体等下游行业的客户提供定制化掩膜版产品实现收入和利润。公司始终坚持技术创新、产品领先的发展战略，使掩膜版产品持续向大尺寸、高精度演进，形成了以技术创造业绩、以业绩支撑研发的良性循环，推动掩膜版的国产化进程，打开了广阔的市场空间。

（2）采购模式
公司主要采取以销定采的采购模式，同时对掩膜基板等重要的原材料根据市场部的销售预测、原材料库存情况及原材料供应情况适当备货。在采购方式方面，对于掩膜基板、光学膜等重要的原材料，公司主要采用询比议价方式，原则上至少选取三家实力雄厚、交货及时、服务意识良好的合格供应商作为供货渠道，以确保价格具有竞争性，同时保证物料的供应稳定、到货及时，公司的主要原材料以境外采购为主，境内采购为辅；对于生产设备，属于技术复杂或者性质特殊的物资，公司主要采用竞争性谈判或单一来源采购方式，与供应商就价格、质量和交付要求等内容进行充分谈判，在保证质量和交付要求的前提下，力求以最低价格达成交易；对于包装盒等辅助材料、低值易耗品，由于金额较小且价格透明，公司通常采取直接采购的方式。公司目前建立了较为完善的供应商管理与评价机制，公司对供应商进行季度质量评价与年度综合评价，从质量、交期、价格、售后服务等多个方面对供应商进行打分，对供应商进行分级评价。

（3）生产模式
公司采取“见单生产”的模式，即根据销售订单安排生产，主要是由于掩膜版为定制化产品，不同下游领域的客户对于掩膜版的尺寸、精度要求均不同；且由于掩膜版为下游客户生产制造过程中的定制化模具，并非大批量购买的原材料，因此客户单笔订单的采购量较少。

掩膜版生产过程是通过光刻工艺及显影、蚀刻、脱膜、清洗等制程将微纳米级的精细电路图形刻制于掩膜基板上，生产呈现高度定制化和自动化特点。公司的核心生产设备是光刻机，光刻采用激光直写像素化图形的方式进行，系整个掩膜版制造过程中最为耗时的工序。为合理调配产能，公司采用每条产线配置一台光刻机、多条产线共用其它后段设备的方式进行生产线布局。

（4）销售模式
公司的销售模式均为直销，鉴于掩膜版产品的定制化特征，公司通过高度配合客户产品需求和认证流程、提供专业服务，获取订单。掩膜版是光刻微纳加工的核心材料，直接影响终端产品的品质和良率，客户在引进掩膜版供应商或导入掩膜版新产品时需要对多个环节进行严苛的测试及验证，通过该等认证流程后公司方能与客户签署合同或订单。报告期内，公司与平板显示类主要客户签署了框架合同，与之保持长期战略合作；其他类产品的客户通过签署单笔订单开展交易。

公司主要通过参加行业展会与专业论坛、拜访客户及老客户推荐等方式开拓客户。

（5）研发模式
公司自成立以来，始终坚持自主研发和技术创新，致力于打破国外技术垄断，逐步实现掩膜版的国产化。

公司的研发部门分为技术研发和工艺研发两大职能模块。技术研发主要沿下游行业技术演进开展研发活动，公司定期与国内不同行业客户开展技术交流，深度挖掘客户中远期需求以及行业可能存在的技术演进方向，以客户技术需求与产品诉求为目标，形成需求分析→技术研发→产品测试→优化提升的研发机制，且通过相关竞品分析查找工艺技术差异点，以研发带动产品销售；工艺研发旨在对现有技术、设备工艺提升与优化，通过挖掘相关材料、设备等技术现状与发展路径，结合自身工艺特点，提出优化的材料、工艺与设备解决方案，不断提升产品品质与生产效率。

针对上述研发目标，公司的研发活动主要围绕原材料理化特性、各生产环节设备工艺参数调节、原材料与生产工艺参数的匹配，以及研究不同生产环节之间对于最终产品性能的相互影响展开。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。报告期内，公司新增 4项核心工艺技术，现共拥有41项核心工艺技术，具体情况如下：

序 号	划分维 度	核心技术	技术内容	在主要产品中的 应用情况	技术来源	知识产权 保护情况
1	产品制 造技术	G11及以下TFT （a-Si）掩膜版 制造技术	最小图形可达3μm,线/间（CD）精度可 控制在±0.25μm以内；总长（TP）及位 置（Position）精度可控制在±0.5μm以 内，产品缺陷尺寸可控制在1.0μm以内。	G11 及以下尺寸 a-Si TFT显示面 板用掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
2	产品制 造技术	G11及以下平板 显示用多灰阶 （Multi-tone） 掩膜版制造技 术	包含半色调及灰阶掩膜版，线/间（CD） 精度可控制在±0.10μm以内；总长（TP） 精度可控制在±0.5um以内，两层图形之 间套合偏差（Overlay Shift）可控制在 ±0.5μm以内，半色调层透过率均匀性 可控制在2.0%以内。	G11 及以下尺寸 平板显示用掩膜 版	自主研发	已获得专 利保护
3	产品制 造技术	G6 及 以 下 AMOLED 掩膜版 制造技术	最小图形可达1.2μm，精度及均匀性高， 线/间（CD）精度可控制在±0.1μm以内， 均匀性可控制在 80nm 以内；位置 （Position）及总长（TP）精度可控制在 ±0.2μm以内，产品缺陷尺寸可控制在 0.75μm以内。	G6及以下AMOLED 显示面板用掩膜 版	自主研发	已获得专 利保护
4	产品制 造技术	150nm节点半导 体掩膜版制造 技术	线/间（CD）精度可控制在±50nm以内； 总长（TP）精度可控制在±0.2μm以内。	150nm 节点及第 三代半导体用掩 膜版	自主研发	已获得专 利保护
5	产品制 造技术	G6及以下LTPS 掩膜版制造技 术	最小图形可达1.5μm,线/间（CD）精度 可控制在±0.1μm以内，均匀性可控制 在 100nm 以内；位置（Position）及总 长（TP）精度可控制在±0.30μm以内， 产品缺陷尺寸可控制在1.0μm以内。	G6及以下LTPS显 示面板用掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
6	产品制 造技术	先进半导体封 装及指纹模组 封装用掩膜版 制造技术	线/间（CD）精度可控制在±0.1μm以内， 总长（TP）精度可以控制在±0.2μm以 内，产品缺陷尺寸可控制在1.0μm以内。	半导体、指纹模组 等封装用掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
7	产品制 造技术	高精度蓝宝石 衬底(PSS) 用 掩膜版制造技 术	线/间（CD）精度可控制在±0.1μm,总长 （TP）精度可控制在±0.15μm以内，允 许缺陷尺寸≤1.0μm。	PSS 蓝宝石衬底 用掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
8	产品制 造技术	G5.5 及以下 Metal Mesh 掩 膜版制造技术	线/间（CD）精度可控制在±0.3μm,总长 （TP）精度可控制在±0.75μm以内，产 品缺陷可控制在5.0μm以内。	G5.5 及 以 下 Metal Mesh触控 用掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
9	产品制 造技术	带AF防护膜层 的掩膜版制造 技术	产品具有防指纹、耐划伤等功能，具有疏 水性，水滴角可达115°及以上。	触控、线路板、LED 等行业用掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
10	核心工 艺技术	掩膜版光阻涂 布技术	可实现不同粘度、对比度、敏感度及膜厚 要求的光阻涂布，1）光阻涂布膜厚均匀 性可控制在3.0%以内；2）控制涂布过程 中的流量、间隙、转速、气压等，消除涂 布后因光阻不均匀造成的色差，达到控 制涂布Mura的目的。	应用于 G11 及以 下平板显示掩膜 版/半导体掩膜版 的光阻涂布	自主研发	已获得专 利保护
11	核心工 艺技术	掩膜版涂布洗 边（EBR）控制技 术	采用高纯度有机溶液，通过调整Nozzle 角度、喷洒状态等，可对不同粘度、膜厚 的光阻进行洗边（EBR）处理，实现不同 范围内的光阻洗边。	应用于 G11 及以 下平板显示掩膜 版/半导体掩膜版 的光阻涂布洗边	自主研发	已获得专 利保护
12	核心工 艺技术	掩膜版图档防 静电处理技术	通过分析掩膜版图形线路电学特性，针 对性进行图档设计优化处理，从而有效 避免因设计原因造成的掩膜版静电击伤 现象，提高了掩膜版品质及使用寿命。	LCD/TP/TFT 用掩 膜版的生产	自主研发	已获得专 利保护
13	核心工 艺技术	DCM补偿光刻技 术	针对面板制造中由于投影光刻过程造成 的图形Distortion，通过相关算法对掩 膜版设计图档进行光刻参数补偿，从而	G11 及以下平板 显示掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
序 号	划分维 度	核心技术	技术内容	在主要产品中的 应用情况	技术来源	知识产权 保护情况
			实现掩膜版图形与面板投影曝光的整体 匹配。
14	核心工 艺技术	多次对位光刻 技术	针对多膜层结构掩膜版，开发多次对位 光刻技术，实现不同膜层图形套合精度 的要求。	G11 及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
15	核心工 艺技术	掩膜版显影过 程中缺陷控制 技术	自主开发用于掩膜版显影过程的浸润 液，运用该浸润液可保证掩膜版在显影 过程中表面无气泡产生，出现气泡的比 率从目前的 10%降低到 0%，提升了产品 品质。	G6 及以下尺寸掩 膜版	自主研发	未单独申 请专利
16	核心工 艺技术	显影后精度补 偿技术	针对掩膜版蚀刻后精度偏差问题，自主 开发显影后精度补偿技术，极大提高蚀 刻后图形线条质量，减小图形的精度误 差。	G11 及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
17	核心工 艺技术	掩膜版高效清 洗技术	自主开发针对掩膜版表面有机异物的清 洗技术，利用光学手段并结合化学方法， 针对性去除掩膜版表面的有机杂质和异 物。与传统单一化学清洗方式相比，极大 提高了有机杂质和异物的清洗效率。	G11 及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
18	核心工 艺技术	半色调(Half- tone)掩膜版沉 积式修补技术	采用不同于传统气相化学沉积的方式， 可针对不同透过率半色调膜层缺陷进行 修补。最小修补图形可达1μm，可实现 10%到60%透过率范围膜层修补，修补膜 层透过率均匀性可控制在2%以内。	G11 及以下平板 显示用半色调掩 膜版	自主研发	未单独申 请专利
19	核心工 艺技术	掩膜版贴膜后 缺陷处理技术	针对掩膜版贴膜过程中造成的异物缺 陷，自主开发贴膜后缺陷处理技术，运用 激光处理的方式，可实现掩膜版贴膜后 异物性缺陷的去除，处理效率高。	G11 及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
20	核心工 艺技术	掩膜版光学膜 贴附技术	自主开发掩膜版光学膜贴附技术，结合 自主开发的自动、半自动装置，可将贴附 精度控制在±0.5mm以内，效率高、品质 优异。	G11 及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
21	核心工 艺技术	高世代掩膜版 用包装材料清 洗技术	自主开发化学清洗药液及自动化装置， 形成高效自动化清洗工艺，能在短时间 内进行有效清洗，满足平板显示掩膜版 产品包装洁净度、防静电等品质要求。	G11 及以下平板 显示掩膜版包装 材料的清洗	自主研发	已获得专 利保护
22	核心工 艺技术	衰减型相移掩 膜版(ATT PSM) 工艺技术	自主开发相移掩膜版工艺技术，可用以 实现嵌入式单层式衰减型相移掩膜版的 制造；使用该类掩膜版曝光时，光在图形 边界处的相位角相差 180°（误差在± 2°以内），出现光的相消叠加，最终使 得客户端的光刻分辨率有所提高。	180nm 及以下节 点半导体用掩膜 版	自主研发	未单独申 请专利
23	核心工 艺技术	高精度半导体 掩膜版光阻涂 布技术	可实现不同精度要求的半导体用掩膜版 的光阻涂布、不同光阻涂布膜厚的控制； 涂布均匀性可控制在1.0%以内，可满足 不同粘度、感光性光阻的涂布要求。	半导体用掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
24	产品制 造技术	980*1550 TFT Array掩膜版制 造技术	通过开发对应涂布、光刻、制程、清洗等 工艺，实现 980*1550 TFT 掩膜版的制 造。针对图形尺寸精度、总长精度、图形 套合精度控制等方面进行开发研究，实 现产品CD精度±0.1μm，位置精度±0.3 μm。	980*1550 TFT Array 显示面板 用掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
25	核心工 艺技术	新型掩膜版缺 陷修复技术	开发掩膜版显影后缺陷修复技术，避免 产品蚀刻后出现大尺寸缺陷，降低CVD修 复风险，提高产品制造良率，缺陷修复面 积可达200μm以上。	LCD/TP/TFT 用掩 膜版的生产	自主研发	未单独申 请专利
26	核心工 艺技术	半导体掩膜版 贴膜缺陷控制 技术	开发新型半导体掩膜版贴膜工艺及流 程，降低Particle对贴膜成功造成的影 响，提高产品贴膜良率及品质。	半导体用掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
27	核心工 艺技术	混版图形 Mura 控制技术	通过研究混版间距、曝光及制程参数对 混版图形位置精度的影响，结合图形重 新设计排布，开发混版图形Mura控制技 术，实现不同混版图形的Mura要求。	G11 及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
序 号	划分维 度	核心技术	技术内容	在主要产品中的 应用情况	技术来源	知识产权 保护情况
28	产品制 造技术	下置型半色调 （Half-tone） 掩膜版制造技 术	开发新型下置型半色调（Half-tone）掩 膜版制造技术，可实现二元图形和半色 调图形的一次制作，CD精度可控制在± 0.10μm以内；两层图形之间套合偏差可 控制在±0.3μm以内。	G11 及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主研发	正在申请 专利
29	产品制 造技术	980*1150 TFT Array掩膜版制 造技术	通过开发对应涂布、光刻、制程、清洗等 工艺，实现 980*1150 TFT 掩膜版的制 造。针对图形尺寸精度、总长精度、图形 套合精度控制等方面进行开发研究，实 现产品CD精度±0.1μm，位置精度±0.3 μm。	980*1150 TFT Array 显示面板 用掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
30	核心工 艺技术	高 PPI AMOLED 显示面板掩膜 版 OPC 光刻补 偿技术	开发应用于G6及以下AMOLED显示面板 用掩膜版产品的 OPC 光刻补偿技术，使 其中高 PPI 类产品的复杂图形以及更锐 利的尖角可以有良好的制作效果。	G6及以下AMOLED 显示面板用掩膜 版	自主研发	未单独申 请专利
31	核心工 艺技术	高 PPI AMOLED 显示面板掩膜 版缺陷检查技 术	通过优化自动扫描设备逻辑与算法，实 现高PPI AMOLED显示面板用掩膜版产品 中CH图形缺陷检查，检出能力可达0.5 μm。	G6及以下AMOLED 显示面板用掩膜 版	自主研发	未单独申 请专利
32	产品制 造技术	高精度G8.5灰 阶掩膜版制造 技术	通过研究光阻涂布、光刻及化学制程等 关键工艺，开发G8.5灰阶掩膜版制造技 术，实现产品光阻涂布膜厚达到5000?， 均匀性可达到 1.5%以内；产品 CD 精度 灰阶区域可达±0.1μm；图形修补精度 可达±0.15μm。	G8.5 及以下显示 面板用掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
33	核心工 艺技术	半导体掩膜版 精细化光刻控 制技术	通过控制及调整优化overlap区域能量， 优化像素能级分布，针对不同厚度膜层 优化 Defocus 补偿，实现精细化控制光 刻过程，将图形 local CD 精度控制在 20nm内。	半导体用掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
34	核心工 艺技术	半导体掩膜版 防霉变清洗包 装技术	通过研究不同基板材质特性及半导体掩 膜版霉变影响因素，从环境温湿度、保护 气体填充、包装前的清洗干燥工艺控制、 包装箱体设计等多方面因素出发，开发 针对性的清洗包装方式及制具，改善半 导体掩膜版霉变现象，延长产品使用寿 命。	半导体用掩膜版	自主研发	已获得专 利保护
35	核心工 艺技术	半导体掩膜版 Mura检查技术	根据半导体掩膜版产品的图形设计及制 作工艺差异，开发半导体掩膜版Mura检 查专用工具及检查工艺，通过此技术可 以检查出普通肉眼下无法分辨出的 Mura。	半导体用掩膜版	自主研发	正在申请 专利
36	产品制 造技术	硅基OLED用掩 膜版制造技术	通过开发对应涂布、光刻、制程、清洗等 工艺，实现硅基OLED用掩膜版产品开发， 线/间（CD）精度可控制在±0.07μm以 内，总长（TP）精度可以控制在±0.15μ m 以内，产品缺陷尺寸可控制在 0.7μm 以内,同时产品无Mura。	半导体用掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
37	产品制 造技术	G6 及以下 FMM 用掩膜版制造 技术	开发产品制造中的扫描技术、基板镀膜 前后清洗技术、图形缺陷处理技术；产品 图形精度可达±0.5μm，表面水滴角可 ＞100°，产品表面无Mura。	G6 及以下FMM用 掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
38	产品制 造技术	Mosi 系双层 PSM掩膜版制造 技术	开发产品制造中Mosi系膜层蚀刻技术、 双层 PSM 图形修复技术；产品透过率精 度可达±0.5%，range＜0.8%，相移角精 度可达±5°。	G11 及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
39	产品制 造技术	PSO掩膜版制造 技术	开发 PSM+OPC 相结合的产品蚀刻技术、 清洗技术、图形修复技术；最小图形0.5 μm可以有良好的制作效果，产品精度可 达±0.1μm	G11 及以下平板 显示掩膜版/半导 体掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
40	核心工 艺技术	半导体掩膜版 Min Contact	开发半导体掩膜版光刻图形处理补偿技 术，改善极限方孔直角制作效果；1.5μ m方孔图形精度可达±0.1μm。	半导体用掩膜版	自主研发	未单独申 请专利
序 号	划分维 度	核心技术	技术内容	在主要产品中的 应用情况	技术来源	知识产权 保护情况
		Hole 圆弧角形 貌优化技术
41	产品制 造技术	Metal Mesh 用 PSM掩膜版制造 技术	开发产品制造中的光阻涂布、二次对位 光刻、相移层清洗、相移层缺陷处理技 术；产品图形精度可达±0.1μm，二次对 位精度可达±0.3μm。	G5.5 及 以 下 Metal Mesh触控 用掩膜版	自主研发	未单独申 请专利

（未完）