[中报]慧智微(688512):2024年半年度报告

 时间：2024年08月28日 19:51:52 中财网

原标题:慧智微:2024年半年度报告

公司代码：688512 公司简称：慧智微

广州慧智微电子股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。敬请投资者予以关注，注意投资风险。

三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人李阳、主管会计工作负责人徐斌及会计机构负责人（会计主管人员）徐斌声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 不适用

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。

九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、其他
□适用 √不适用

目 录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 9
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 13
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 41
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 43
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 45
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 82
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 92
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 93
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 94



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人 员）签名并盖章的财务报表
　报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义　　
公司、本公司、 发行人、慧智微指广州慧智微电子股份有限公司
慧智微有限、有 限公司指公司前身，广州慧智微电子有限公司
慧智微（香港）指Smarter Microelectronics (Hong Kong) Limited
慧智微（香港） 有限公司韩国分 公司指??????????????? ????（???）， Smarter Microelectronics (Hong Kong) Limited韩国分公司
一致行动人指李阳、郭耀辉、奕江涛、王国样
大基金二期指国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司
建投华科指建投华科投资股份有限公司
Star指Smartermicro Star Hong Kong Limited
Zhi Cheng指Zhi Cheng Micro Hong Kong Limited
Bridge指Smartermicro Bridge Hong Kong Limited
慧智慧芯指广州慧智慧芯企业管理合伙企业（有限合伙）
慧智慧资指广州慧智慧资企业管理合伙企业（有限合伙）
横琴智古指珠海横琴智古企业管理合伙企业（有限合伙）
横琴智往指珠海横琴智往企业管理合伙企业（有限合伙）
横琴智今指珠海横琴智今企业管理合伙企业（有限合伙）
横琴智来指珠海横琴智来企业管理合伙企业（有限合伙）
Vertex Legacy指Vertex Legacy Continuation Fund Pte.Ltd.，注册在新加坡的有限 责任公司
GSR指GSR Ventures III, L.P.，注册在英属开曼群岛的有限责任公司
Banean指Banean Holdings Ltd., 注册在英属开曼群岛的有限责任公司
诚侨公司指誠僑有限公司（Honesty Bridge Limited），注册在香港的私人股 份有限公司
GZPA指GZPA Holding Limited，注册在香港的私人股份有限公司
华兴领运指宁波梅山保税港区华兴领运股权投资合伙企业（有限合伙）
合肥泽奕指合肥市泽奕半导体投资合伙企业（有限合伙）
峰焱喆投资指海南峰焱喆股权投资基金合伙企业（有限合伙）
混沌投资指上海混沌投资（集团）有限公司
天泽吉富指天泽吉富资产管理有限公司
加盛巢生指无锡加盛巢生壹号创业投资合伙企业（有限合伙）
华兴领鸿指宁波梅山保税港区华兴领鸿股权投资合伙企业（有限合伙）
汇天泽指汇天泽投资有限公司
惠友豪创指深圳市惠友豪创科技投资合伙企业（有限合伙）
元禾璞华指江苏疌泉元禾璞华股权投资合伙企业（有限合伙）
闻天下科技指闻天下科技集团有限公司
横琴安甄指珠海横琴安甄企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
涌泉联发指珠海涌泉联发投资合伙企业（有限合伙）
汾湖勤合指苏州汾湖勤合创业投资中心（有限合伙）
天津德辉指天津德辉投资管理合伙企业（有限合伙）
南鑫珠海港指广州南鑫珠海港股权投资合伙企业（有限合伙）
信德文化指珠海广发信德科文创业投资基金（有限合伙），曾用名：珠海 广发信德科技文化产业股权投资基金（有限合伙）
信德环保指珠海广发信德环保产业投资基金合伙企业（有限合伙）
信德智能指珠海广发信德智能创新升级股权投资基金（有限合伙）
信德创业营指广州信德创业营股权投资合伙企业（有限合伙）
广远众合指广远众合（珠海）投资企业（有限合伙）
信德新州指珠海广发信德新州一号创业投资基金（有限合伙）
Skyworks/思佳讯指Skyworks Solutions, Inc.，一家提供无线通信解决方案的企业， 设计并生产应用于移动通信领域的射频及完整半导体系统解决 方案，总部位于美国，纳斯达克上市公司（股票代码： SWKS.O）
Qorvo/威讯指Qorvo, Inc.，一家为移动、基础设施与航空航天市场提供核心技 术及射频解决方案的企业，总部位于美国，纳斯达克上市公司 （股票代码：QRVO.O）
Broadcom/博通指Broadcom Inc.，主要从事半导体及软件基础架构解决方案的研 发、设计和销售，总部位于美国，纳斯达克上市公司（股票代 码：AVGO.O）
Qualcomm/高通指Qualcomm, Inc.，一家无线通信技术研发公司，总部位于美国， 纳斯达克上市公司（股票代码：QCOM.O）
Murata/村田指Murata Manufacturing Co., Ltd.，一家设计、制造电子元器件及 多功能高密度模块的企业，总部位于日本京都，东京/新加坡证 券交易所上市公司（股票代码：6981.T/PJX.SG）
MTK/联发科指MediaTek Inc. /联发科技股份有限公司，一家全球知名的半导体 企业，专注于提供先进的系统级芯片（SoC）和解决方案，主要 用于智能手机、家庭娱乐设备、物联网（IoT）产品以及其他消费 类电子产品，总部位于中国台湾，中国台湾证券交易所上市公司 （2454.TW）
Realtek /瑞昱指Realtek Semiconductor Corp./ 瑞昱半导体股份有限公司，一家全 球领先的集成电路设计企业，专注于提供广泛的半导体解决方 案，总部位于中国台湾，中国台湾证券交易所上市公司 （2379.TW）
卓胜微指江苏卓胜微电子股份有限公司，一家专注于射频集成电路领域 的研究、开发与销售的企业（股票代码：300782.SZ）
唯捷创芯指唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司，一家主营业务为射 频前端芯片的研发、设计和销售的集成电路设计企业（股票代 码：688153.SH）
闻泰科技指闻泰科技股份有限公司（股票代码：600745.SH）及其关联公 司，包括闻泰科技（深圳）有限公司、安世半导体（中国）有 限公司和 WINGTECH GROUP（HONGKONG） LIMITED
华勤通讯指华勤技术股份有限公司（股票代码：603296.SH）及其关联公司
龙旗科技指上海龙旗科技股份有限公司（股票代码：603341.SH）及其关联 公司
广和通指深圳市广和通无线股份有限公司（股票代码：300638.SZ）及其 关联公司
日海智能指日海智能科技股份有限公司（股票代码：002313.SZ）及其关联 公司
移远通信指上海移远通信技术股份有限公司（股票代码：603236.SH）及其 关联公司
股东大会指广州慧智微电子股份有限公司股东大会
董事会指广州慧智微电子股份有限公司董事会
监事会指广州慧智微电子股份有限公司监事会
《公司法》指《中华人民共和国公司法》
《证券法》指《中华人民共和国证券法》
《公司章程》指现行有效的《广州慧智微电子股份有限公司章程》
证监会、中国证 监会指中国证券监督管理委员会
保荐人指华泰联合证券有限责任公司
审计机构、天 健、天健会计师 事务所指天健会计师事务所（特殊普通合伙）
A股指境内上市人民币普通股
报告期、报告期 内指2024年 1月 1日至 2024年 6月 30日
报告期末指2024年 6月 30日
集成电路、芯片指Integrated Circuit 的简称，是采用一定的工艺，将一个电路中所 需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线连在一起，制作 在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个 管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构
蜂窝通信指采用蜂窝无线组网方式，在终端和网络设备之间通过无线通道 连接，进而实现用户在活动中可相互通信的通信技术，其主要 特征是终端的可移动性，并具有越区切换和跨本地网自动漫游 等功能
2G、3G、4G、 5G、6G指第二代、第三代、第四代、第五代和第六代移动通信技术与标 准
EDA指Electronic Design Automation，指利用计算机辅助设计软件完成 超大规模集成电路芯片的功能设计、综合、验证、物理设计 （包括布局、布线、版图、设计规则检查等）等流程的设计方 式
LTE指是“Long-Term Evolution”的缩写，LTE是第四代（4G）移动 通信技术，用于移动通信网络中的数据传输。目标是提供更高 的数据传输速度、更低的延迟和更好的性能，以满足不断增长 的移动数据需求
5G RedCap指5G Reduced Capability（RedCap）是 3GPP标准化组织定义的一 种 5G技术。5G RedCap是 5G的轻量化版本，具备高传输速 率、低功耗、低复杂性和高设备数量方面的特点，主要应用于 工业无线传感器、视频监控和可穿戴设备。
ODM指Original Design Manufacturer 的简称，原始设计制造商，企业根 据品牌厂商的产品规划进行设计和开发，然后按品牌厂商的订 单进行生产，产品生产完成后销售给品牌厂商
射频指Radio Frequency，简称 RF，一种高频交流变化电磁波的简称， 频率范围在 300KHz-300GHz之间
射频前端指Radio Frequency Front-End，在通讯系统中天线和中频（或基 带）电路之间的部分，包括发射通路和接收通路，一般由射频 功率放大器、射频滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放 大器等共同组成
物联网指Internet of Things，一个基于互联网、传统电信网等信息承载 体，通过信息传感设备，按标准和互操作通信协议，将任何物 体与网络相连接，以实现物体间的信息交换和通信，达到智能 化识别、定位、跟踪、监管等功能
射频功率放大 器、PA指射频前端中的一种芯片，是各种无线发射机的重要组成部分， 将调制电路所产生的射频信号功率放大，以输出到天线上辐射 出去
PA模组指集成射频功率放大器及其他芯片的模组
射频开关指射频前端中的一种芯片，在移动智能终端设备中主要用于对信 号传输路径上（接收或发射）不同频率或不同通信制式下的信 号进行切换
射频低噪声放大 器、LNA指构成射频前端的一种芯片，主要用于无线通信系统中将接收自 天线的信号放大，以便于后级的电子设备处理
滤波器指构成射频前端的一种芯片，负责滤除特定频率范围的频率成 分，从而将输入的多种射频信号中特定频率的信号输出
双工器指构成射频前端的一种芯片，使得工作在不同频率上的接收和发 射通路能够共享一个天线。它通常由两个带通滤波器并联而 成，其作用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能 同时正常工作，互不干扰
L-PAMiF指Low Noise Amplifier-Power Amplifier Module integrated Filter，集 成射频功率放大器、滤波器、射频开关和低噪声放大器的射频 功率放大器模组
L-PAMiD指Low Noise Amplifier-Power Amplifier Module integrated Duplexer，集成低噪声放大器、功率放大器、射频开关、滤波 器、双工器等的射频前端模组
L-FEM指Low Noise Amplifier-Front End Module，集成滤波器、低噪声放 大器和开关的射频前端模组
MMMB PA指Multi-Mode Multi-Band PA，多模多频 PA模组
Wi-Fi FEM指Wireless Fidelity Front End Module，集成功率放大器、射频开关、 低噪声放大器等的 Wi-Fi应用射频前端模组
Fabless指Fabrication（制造）和 less（无、没有）的组合词；一指集成电 路市场中，没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式，通 常也被称为“Fabless模式”；也用来指代无芯片制造工厂的 IC 设计公司，经常被简称为“无晶圆厂”或“Fabless厂商”
晶圆代工厂指在集成电路领域中专门负责生产、制造芯片的厂家
封装指封装是半导体制造过程中的重要环节，指的是将芯片安装到一 个保护性的包壳中，以便于芯片的热管理、电连接、物理支撑 以及保护芯片免受物理损害或环境影响。封装不仅确保了芯片 的机械强度和电路的完整性，还有助于芯片的热散逸和电信号 的输入输出
测试指检测封装后的芯片是否可正常运作
封测指“封装”、“测试”的合称
GaAs指砷化镓，一种应用于半导体产品的砷元素和镓元素的化合物材 料
CMOS指Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半 导体，是一种芯片制造工艺
体硅 CMOS指Bulk Silicon CMOS，是一种半导体技术，它使用硅作为主要材 料来制造互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路
SOI指Silicon-On-Insulator，简称 SOI/绝缘硅，该技术是在顶层硅和背 衬底之间引入一层埋氧化层，有助于减少寄生电容，提升工艺 性能
SMD指Surface Mounted Devices，表面贴装器件，包括电阻、电容、电 感等
PC2指全称是 Power Class 2，是 3GPP定义的用户终端的发射功率等 级，发射功率达到 26dBm，比中低频段普遍要求的功率等级 PC3高 3dB
SiP封装指System In a Package，简称 SiP，系统级封装是将多种功能芯片 和无源器件集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能
匹配网络指电路设计中的阻抗匹配，在信号源或者传输线跟负载之间的一 种合适的阻抗搭配方式，使得在信号频率范围内，从信号源至 负载的传输最大化
流片指集成电路设计、制造和生产中的一个环节，把通过计算机辅助 设计软件完成的电路设计，在晶圆代工厂按一定的制程生产出 芯片的过程。通过流片，检验电路是否具备所需要的性能和功 能。如果成功，就可以大规模制造；反之则需找出其中的原 因，进行相应的优化设计，并进行再次流片。
频段指在通讯领域中，频段指的是电磁波的频率范围，单位为 Hz，按 照频率的大小，可分为低频、中频、高频等，在不同通信制式 下，有 B1、B3、B5、n41、n77等频段
n77/n78/n79指n77、n78、n79的频率范围分别为 3.3GHz~4.2GHz、 3.3GHz~3.8GHz、4.4GHz~5.0GHz。其中 n78的频率范围包含于 n77频段，因此支持 n77/n78频段的产品通常称为单频产品，支 持 n77/n78/n79频段的产品通常称为双频产品
5G新频段/ 5G重耕频段指3GPP标准化协会规定 5G NR（5G新空口）频谱包含 Sub-6GHz 的频率范围 1（FR1）和毫米波的频率范围 2（FR2），其中 FR1的频率范围为 410 MHz–7,125 MHz（因大部分频谱规划及 R15版本均在 6GHz以下，业界通常称为 Sub-6GHz），FR2的 频率范围为 24250 MHz-52600 MHz（业界通常称为毫米波）。 FR1中 3GHz~6GHz频段范围称为 5G新频段，在 3GHz以下原 4G LTE通信的主要频段范围内应用 5G通信技术，实现对 4G LTE通信频段的复用，该等频段称为 5G重耕频段
带宽指信道的频带宽度，为最高频率与最低频率之差
线性度指射频功率放大器的指标之一，用来度量放大器使信号形状失真 的程度，线性度越高，失真越小
IP指Intellectual Property，知识产权
注:本报告书中若部分合计数与单项数据之和在尾数上存在差异，均为四舍五入原因所致。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称广州慧智微电子股份有限公司
公司的中文简称慧智微
公司的外文名称Smarter Microelectronics（Guangzhou）Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Smarter Micro
公司的法定代表人李阳
公司注册地址广州市高新技术产业开发区科学城科学大道182号创新 大厦C2第三层307单元
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址广州市高新技术产业开发区科学城科学大道182号创新 大厦C2第八层
公司办公地址的邮政编码510663
公司网址http://www.smartermicro.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

　董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表
姓名徐斌朱晓磊
联系地址广州市高新技术产业开发区科学城科 学大道182号创新大厦C2第八层广州市高新技术产业开发区科学城科 学大道182号创新大厦C2第八层
电话020-82258480020-82258480
传真020-82258993020-82258993
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券日报》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况　　　　
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板慧智微688512不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入253,275,049.79247,812,720.652.20
归属于上市公司股东的净利润-183,413,217.66-175,382,744.34不适用
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润-200,464,261.78-183,165,351.61不适用
经营活动产生的现金流量净额-237,546,431.50-64,903,807.03不适用
　本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产2,032,369,198.612,171,731,711.29-6.42
总资产2,301,592,020.232,392,902,856.63-3.82

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上年同期增 减(%)
基本每股收益（元／股）-0.40-0.43不适用
稀释每股收益（元／股）-0.40-0.43不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）-0.44-0.46不适用
加权平均净资产收益率（%）-8.73-11.33增加2.60个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）-9.54-11.84增加2.30个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）55.5659.62减少4.06个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
（1）2024年上半年公司营业收入为 25,327.50万元，较上年同期增长 2.20%，归属于上市公司股东的净利润为-18,341.32万元，净亏损较上年同期增加 4.58%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-20,046.43万元，净亏损较上年同期增加 9.44%，主要原因系报告期内公司持续完善射频前端产品线，不断提升市场份额，芯片产品销量较上年同期增长较多，但由于市场竞争激烈，导致产品价格受到一定承压，导致公司收入同比增幅较小，毛利率有所下降，同时公司基于谨慎性考虑，本期计提信用及资产减值损失较上年同期增加。

（2）2024 年上半年公司经营活动产生的现金流量为-23,754.64万元，净流出较上年同期增加266.00%，主要原因系公司本期产量增加，购买原材料、封测费支出增加，同时为适应市场变化，与客户建立长期稳定业务关系，本期调整主要客户信用政策，导致销售商品、提供劳务收到的现金较上年同期减少。

（3）2024 年上半年末，归属于上市公司股东的净资产同比下降 6.42%，总资产同比下降 3.82%，主要原因系本期净亏损增加。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位：元 币种：人民币

非经常性损益项目金额附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减 值准备的冲销部分　　
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外5,477,092.03政府补助
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益9,380,257.50公允价值变动收益
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费　　
委托他人投资或管理资产的损益2,508,384.94投资收益
对外委托贷款取得的损益　　
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失　　
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回　　
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益　　
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益　　
非货币性资产交换损益　　
债务重组损益　　
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用，如安置职工的支出等　　
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响　　
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用　　
对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益　　
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益　　
交易价格显失公允的交易产生的收益　　
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益　　
受托经营取得的托管费收入　　
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-308,613.40营业外收入、营业外支出
其他符合非经常性损益定义的损益项目　　
减：所得税影响额6,076.95　
少数股东权益影响额（税后）　　
合计17,051,044.12　

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

□适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 慧智微是一家为智能手机、物联网等领域提供射频前端的芯片设计公司，主营业务为射频前 端芯片及模组的研发、设计和销售。公司具备全套射频前端芯片设计能力和集成化模组研发能力， 技术体系以功率放大器（PA）的设计能力为核心，兼具低噪声放大器（LNA）、射频开关（Switch）、 集成无源器件滤波器（IPD Filter）等射频器件的设计能力，同时具备高集成模组的高精度仿真和 封装集成核心技术。 射频前端芯片作为无线通信设备的核心器件，负责执行射频信号的收发、功率放大等关键功 能。公司产品系列覆盖的通信频段需求包括 2G、3G、4G、3GHz以下的 5G重耕频段、3GHz~6GHz 的 5G新频段等，可为客户提供射频前端发射模组、接收模组等全套解决方案。 公司所开发射频前端产品应用于三星、vivo、小米、OPPO、荣耀等智能手机品牌机型，并 进入闻泰科技、华勤通讯和龙旗科技等一线移动终端设备 ODM厂商和移远通信、广和通、日海 智能等头部无线通信模组厂商。 注：公司以首字母排序
（一）主要产品和业务情况
报告期内，公司对外销售的主要射频前端模组产品为 5G模组和 4G模组。随着射频前端支持的通信频段不断增加、通信频率不断上升，射频前端的复杂度和对可靠性的要求不断提升，射频前端逐渐从分立芯片走向集成化模组，从低集成模组向高集成模组演进。公司基于自主设计的核心射频前端芯片集成其他元器件形成射频前端模组并对外销售。同时，公司积极深入市场，凭借技术积累和资源投入，2024年上半年推出 Wi-Fi FEM模组，拓展公司产品线。

1、射频前端的基本构成和功能简介
通讯系统中，射频前端是无线通信设备的核心部件，负责天线和射频收发机之间的射频信号放大、滤波、频段选择等处理，以满足通信系统对无线电波发射和接收的需求。

按照功能，射频前端可分为发射链路（TX）和接收链路（RX）。在发射链路中，数字信号通过调制解调器（Modem）转换成易于传输的连续模拟信号，随后收发器（Transceiver）将模拟信号调制为不易受干扰的射频信号，进入射频前端进行射频信号的功率放大、滤波、开关切换等信号处理，最后通过天线将信号对外发射。接收链路则由天线接收到空间中传输的射频信号，通过射频前端对用户需要的频率和信道进行选择，对接收到的射频信号进行滤波和放大，最后输入收发 器和调制解调器得到数字信号。 按照组成器件，射频前端可分为功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、滤波器（Filter）、 射频开关（Switch）等。功率放大器负责发射通道的射频信号放大；低噪声放大器负责接收通道中 的小信号放大；滤波器负责发射及接收信号的滤波，去除非信号频率的杂波信号；射频开关负责 收发以及不同频率通道之间的切换。 资料来源：Qualcomm
2、公司主要产品类型及业务情况
报告期内，主要产品类型及业务情况如下：
①5G新频段系列产品
5G新频段系列产品主要包括 L-PAMiF发射模组和 L-FEM接收模组。该系列产品支持3GHz~6GHz的频段范围，更高的频率有利于支持更大的通信带宽，从而获得更快的通信速度。

L-PAMiF发射模组内部集成 PA、LNA、Switch、Filter等元件，将 Sub-6GHz的 n77/78/79的射频发射和接收通路集成在一起，是 5G手机核心的器件之一。公司为满足不同市场和客户需求，开发有 1T2R和 1T1R等多种形态产品。公司 2023年发布的 5G新频段小尺寸高集成 n77/n79双频 L-PAMiF产品，支持低压 PC2高功率，性能进一步提升。

L-FEM接收模组内部集成 LNA、Switch、Filter等元件，将天线接收到的微弱信号放大，达到更好的接收信号效果，包括单频 1R、单频 2R 和双频 2R 等多种产品形态。公司开发的 L-FEM模组已量产出货，在客户端获得了良好的反馈并取得了一定的市场优势。

②5G重耕频段系列产品
5G重耕频段主要集中于 3GHz以下的频率范围，通信频段覆盖 663~2690MHz。5G重耕频段复用 4G LTE通信频段，其通信频率与 4G共频段，并支持 5G通信协议。5G重耕频段产品主要是 5G MMMB PA模组和 L-PAMiD模组，支持 3GHz以下的 5G NR、4G LTE和 3G通信频段。

5G MMMB PA模组内部集成 PA和 Switch。除了常规高压 PA外，公司为 5G手机开发了低压 PA芯片，可以在 3.4V低压下输出 Power Class 2的高功率，满足大带宽和高线性要求，在关键性能参数上均具备良好的表现，具备较强的竞争力。

L-PAMiD模组内部集成 PA、LNA、Switch、Filter等元件，将 Sub-3GHz的射频发射和接收通道集成在一颗芯片模组。公司基于射频前端芯片领域的技术积累，以及对射频系统的理解，将多种元件集成在一起并有效避免了频段间干扰。
③4G频段系列产品
随着通信制式从 4G向 5G演进，4G LTE的智能手机市场逐步成为长尾市场，4G Cat.1等物联网市场迎来扩容，预计未来 4G 频段系列产品会有一定的市场保有量。

自成立以来，公司就专注研发 4G多频多模功率放大器模组（MMMB PAM），2015年成功推出 4G LTE可重构射频前端产品，实现可重构功率放大器模组的商用，2017年推出新一代MMMB PA模组，该款产品支持 4G LTE全频段，通过可重构技术可以在多个模式和频段下实现通路复用，该产品集成度高，性能优越，获得市场的认可。随着 4G市场竞争加剧，公司不断技术创新，产品迭代，推出更具竞争力的 4G MMMB PA模组。

④其他系列产品
为了更快地适应射频前端市场环境变化，保持市场竞争力，公司不断挖掘细分市场，持续开展新技术和新产品的研发。随着数字化时代的发展，Wi-Fi技术已成为连接世界的重要桥梁之一，针对路由器、手机、物联网等市场，公司开发了系列高性能、低功耗 Wi-Fi FEM产品，可应用于高通、MTK、Realtek等系列 Wi-Fi系统平台。该产品采用先进的射频技术和优化的电路设计，不仅能够满足从路由器的大范围信号覆盖到物联网设备的稳定数据传输，而且针对手机等便携设备的无缝连接等需求，均表现出良好的性能。

（二）主要经营模式
公司的经营模式为集成电路行业常见的 Fabless模式。公司充分利用集成电路行业高度专业化分工的产业链特点，主要负责产业链中的设计环节，包括射频前端模组中的核心芯片设计、基板设计和集成化模组设计，并向代工厂委托射频前端芯片的晶圆制造、基板制造和封装测试。在此模式下，公司可以将资源集中在设计研发环节，有利于公司紧密跟随市场变化趋势，不断推出性能优良、竞争力卓越的产品，以满足不断发展的市场需求。

1、研发模式
公司作为 Fabless模式的芯片设计公司，其研发活动的核心为对新技术、新产品的研发和设计。公司紧密跟随市场和技术的发展趋势，设计出用于支持各类通信制式及各类射频前端方案的芯片及模组产品，以满足复杂的无线通信需求。为保障客户对公司产品的可靠性、稳定性和一致性的要求，公司已制定多项研发相关内部控制制度，对研发活动的每个环节进行规范化管理，通过各个节点的内部管控降低研发失败的风险。

2、采购及生产模式
公司采用 Fabless模式，主要负责射频前端模组产品的研发、销售与质量管控，产品的生产则采用委外加工的模式完成。公司根据产品定义设计芯片版图和基板设计方案，委托晶圆代工厂根据芯片版图进行晶圆制造，委托基板代工厂根据基板设计方案进行基板的生产制造，晶圆代工厂、基板代工厂自主采购所需原材料，晶圆制造、基板制造完成后交付给后端封测代工厂，同时公司自主采购滤波器、SMD器件等物料，委托封测代工厂根据集成化模组的设计方案封装成模组产品。

目前，公司采购的物料主要为晶圆、基板及相关的封装测试服务，公司的晶圆代工厂、基板代工厂和封测代工厂均为行业知名企业。

3、销售模式
公司的终端客户包括智能手机品牌客户、移动终端 ODM客户及物联网模组客户等。按照集成电路行业惯例和企业自身特点，公司采用“经销为主、直销为辅”的销售模式。公司与经销商的关系属于买断式销售关系。公司与经销商签订销售框架协议，经销商根据其客户需求和自身销售备货等因素向公司下达订单，公司根据订单安排出货，后续的定期对账、付款和开票均由公司与经销商双方完成。

（三）公司所处行业情况
公司主要从事集成电路产品的研发、设计和销售。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》，公司所属行业为“新一代信息技术产业”。 根据《中华人民共和国国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据国务院颁布的《关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策的通知》，公司所处的集成电路行业属于鼓励类产业。

1、集成电路行业的现状
公司所处集成电路设计行业位于半导体产业链上游，属于技术密集型产业，对技术研发实力要求极高，具有技术门槛高、细分门类多等特点。受益于消费电子市场蓬勃发展，集成电路行业自 2000年以来，尽管行业存在一定周期性的波动，但总体呈现上升趋势。根据中华人民共和国工业和信息化部数据显示，2024年上半年中国的集成电路产量为 2,071亿块，同比增长 28.9%，集成电路产量呈上涨趋势。

近年来我国集成电路产业发展迅速，但是需求和供给之间仍存在不平衡的情况。根据中国海关总署的数据统计，自 2019年以来，我国对集成电路的进口金额和出口金额贸易逆差一直在 2,000亿美元以上，存在高度的不匹配。未来集成电路产业仍然存在较大的国产替代空间。

中国集成电路进出口情况 图表来源：中国半导体行业协会
2、射频前端行业的基本情况
射频前端芯片属于集成电路中的模拟芯片，主要处理高频射频模拟信号，在模拟芯片中属于进入门槛较高、设计难度较大的细分领域。射频前端芯片的 PA芯片直接决定了无线通信信号的强弱、稳定性、功耗等因素，直接影响了终端用户的实际体验，因此 PA芯片在射频前端芯片中处于较为核心的地位。

随着 5G通信的快速普及，根据 Yole预测，全球移动设备的射频前端市场规模将从 2019年的 124.04亿美元增长到 2026年的 216.70亿美元，年均复合增长率约为 8.3%，高于半导体行业的平均增长速度。一方面，射频前端行业受益于智能手机等无线连接终端需求的增长；另一方面，伴随着通信制式从 2G向 5G演进，智能手机需同时兼容 2G、3G、4G和 5G，技术难度不断提升，推动射频前端器件的单机用量和单机价值不断提升。

3、公司所处的行业地位分析及其变化情况
目前，射频前端市场主要由国际厂商占据领导地位，其技术实力雄厚，产品定义能力强，占据了射频前端领域主要的市场份额，主要厂商包括 Skyworks（思佳讯）、Qorvo（威讯）、Broadcom（博通）、Qualcomm（高通）和 Murata（村田）等。

自 2011年成立以来，公司一直专注于射频前端芯片领域，基于多年的技术积累，逐渐实现将研发投入转化成经营成果，已形成一批具有自主知识产权的核心技术。其中，“多频多模移动终端可重构射频芯片关键技术与产业化应用”项目获得了 2021年通信学会科学技术一等奖，经该奖项的评价委员会认定，“该项目总体技术达到国际先进水平，其中 SOI和 GaAs的 SiP架构的可重构射频前端芯片技术处于国际领先水平”。

在 5G新周期与国产替代的大背景下，公司基于长期的技术积累，不断加强以功率放大器为核心的射频完整方案布局。2023年公司高集成 5G L-PAMiD模组成功量产，增加了公司产品可覆盖的市场范围。继 2020年率先量产 5G L-PAMiF模组后，公司继续完善单频、双频 L-PAMiF模组形态布局和出货。随着手机和物联网市场竞争愈加激烈，公司将进一步迭代更高性能、更高性价比的射频产品，满足客户需求的多样化。

公司的射频前端模组产品具备高集成度、高性价比、高可靠性的特点，受到客户的广泛认可，市场知名度不断提升，逐步扩大各系列产品在客户的市场份额。公司的射频前端模组已经在三星全球畅销系列 5G手机、vivo、小米、OPPO、荣耀等智能手机机型中实现大规模量产，并进入闻泰科技、华勤通讯、龙旗科技等一线移动终端设备 ODM厂商。公司还积极布局物联网领域，持续保持与移远通信、广和通、日海智能等头部无线通信模组厂商的深度合作。基于长期的经验积累和前瞻的技术研发，充分运用公司的核心技术，依托日益优质的客户结构，公司能够准确把握国内射频前端领域客户需求及技术趋势，及时推出迭代升级产品，已具备较强的竞争优势。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司坚持自主研发的技术路线，高度重视技术、产品的研发。截至本报告期末，公司的主要核心技术情况如下：

序号主要核心技术名称技术先进性说明技术 来源主要应用 产品
1自适应输出偏置电压 技术掌握高频射频信号在不同工作环境下的 特征，基于自主设计传感电路实时监测芯 片的温度、功率等环境信息，通过内部反 馈电路自适应调整输入功率放大器的偏 置电压，对环境变量实现系统级补偿，大 幅提升复杂工作环境下的稳定性自研4G模组、 5G模组
2多功能模块的低互扰 高集成技术在绝缘硅晶圆单芯片集成开关、LNA、数 字电路、模拟电路、IPD及驱动级功率放 大器等，解决了各种电路之间的相互耦合 和干扰影响，实现高集成度，大幅减少布 图面积和晶圆数量，极大降低封装成本和 供应链备货难度自研4G模组、 5G模组
3功放电路记忆效应改 善技术在砷化镓/绝缘硅材料相关工艺功率放大 器不同位置的偏置电路上，设计具有宽带 特性的阻抗，显著降低功放电路在放大宽 带调制信号下的非线性失真，从而改善大 宽带调制信号下的记忆效应自研4G模组、 5G模组
4自适应模拟预失真技 术可重构射频前端中，根据功率级在不同工 作点的失真特性，在绝缘硅晶圆中设计模 拟预失真电路；同时内置随频段变化的自 适应调节技术，大幅改善功率放大器在不 同频段下的线性度，尤其是大信号带宽下 的线性度且实现电路简洁、易于集成自研4G模组、 5G模组
5匹配网络可重构技术为应对不同频段对匹配网络的性能优化 需求，自主开发了可调匹配网络，以数字 电路控制低插损、高线性绝缘硅工艺射频 开关对匹配网络进行通路重构，实现匹配 网络在不同频段下的最佳匹配效果，从而 使得功率放大器能覆盖更宽的工作频率 带宽和更优的射频性能自研4G模组、 5G模组
6驱动级射频放大技术基于公司长期以来对绝缘硅材料和工艺 的理解和积累，实现绝缘硅晶体管用于射 频驱动级功率放大电路的精准建模与仿 真，创新性地设计绝缘硅驱动级放大器及 其偏置电路，支持大功率、高频应用场景， 大幅提升了效率、线性和可靠性自研4G模组、 5G模组
7负压快速产生电路技 术该技术可在绝缘硅晶圆上快速产生负压， 用于驱动大规模开关阵列，实现可重构射 频通路的快速切换，且电路结构简单，不 需要双相非重叠时钟，有效节省芯片面积自研4G模组、 5G模组
8全 FlipChip封装工艺 技术根据砷化镓晶圆、绝缘硅晶圆的材料特 征，通过精准的应力、热电建模及仿真， 合理设计铜柱尺寸以及其在晶圆上的布 局，结合晶圆电路针对性芯片设计，成功 将 FlipChip封装工艺全面应用于砷化镓 及绝缘硅晶圆，实现全 FlipChip封装，大 幅优化 FlipChip工艺在该领域的良率， 充分利用 FlipChip的优势，包括减小阻 容感寄生、提升散热效率等自研4G模组、 5G模组
9射频电路可靠性优化 技术基于绝缘硅材料相关工艺设计过压保护 电路 OVP和过流保护电路 OCP，提升 PA 在高功率和高 VSWR阻抗等各种极限条 件下的可靠性，防止 PA在大电压或电流 下出现烧坏现象自研4G模组、 5G模组
10支持可重构架构控制 的 MIPI协议栈技术基于绝缘硅材料相关工艺自主研发基于 MIPI3.0内核的协议栈 IP技术，通过设计 优化数字逻辑等技术，开发适用于控制可 重构架构的 MIPI数字电路自研4G模组、 5G模组
11谐波抑制电路利用 PA负载匹配网络实现谐波抑制功 能，降低了链路的插损，无需独立的滤波 器，节省成本和降低芯片面积自研4G模组、 5G模组
12大带宽高线性功率放 大器设计技术基于公司长期以来在器件和工艺方面的 理解和积累，通过对射频功率放大器、无 源匹配网络、偏置电路、控制电路等方面 的设计与优化，尤其是创新性地加入绝缘 硅增益提升电路、线性补偿电路、宽带提 升电路、记忆效应消除电路等技术，可实 现更高的线性功率、更低的功耗和更大的 带宽覆盖，同时功率放大器在更低的电源 电压下工作，并大幅提升可靠性自研5G模组
13可重构大带宽低噪声 放大器设计技术通过对绝缘硅晶体管的精准建模仿真，搭 配可重构匹配网络达到大带宽及多级增 益档的 LNA设计，同时优化快速启动的自研5G模组
　　偏置电路以应对 5G对 LNA快速切换的 需求　　
14可重构集成滤波器技 术通过对绝缘硅器件及工艺精准的电磁热 等指标的仿真建模，采用基于绝缘硅工艺 的厚金属、低插损的先进 IPD工艺，快速 设计产品所需求的高性能 IPD滤波器或 输出匹配电路自研5G模组
15可重构多频双向耦合 器技术该技术基于绝缘硅材料相关工艺实现多 个耦合通路共用信号路径，通过对耦合输 出端和隔离端灵活切换，实现多频双向耦 合，极大简化射频链路，减小布版面积， 降低成本自研5G模组


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
广州慧智微电子股份有限公司国家级专精特新“小巨人”企业2023年——

2. 报告期内获得的研发成果
公司历来重视研发成果保护工作，截至报告期末，公司拥有 146项发明专利、26项实用新型专利、125项集成电路布图设计专有权。

报告期内获得的知识产权列表


　本期新增　累计数量　
　申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）
发明专利525238146
实用新型专利022826
外观设计专利----
软件著作权----
其他05139125
合计532405297
注：1.累计数量中的“获得数”为截至报告期末的有效数量，不包含已经失效的知识产权数量。（未完）
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