[中报]天承科技(688603):2024年半年度报告
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时间:2024年08月28日 20:06:10 中财网 |
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原标题:天承科技:2024年半年度报告

公司代码:688603 公司简称:天承科技
广东天承科技股份有限公司
2024年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的风险,敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分,请投资者注意投资风险。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人童茂军、主管会计工作负责人王晓花及会计机构负责人(会计主管人员)王晓花声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述,不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 8
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 12
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 31
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 32
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 35
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 62
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 71
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 72
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 73
| 备查文件
目录 | 载有公司法定代表人签名并盖章的公司 2024年半年度报告全文。 |
| | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人员)签
名并盖章的财务报表。 |
| | 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 |
第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
| 常用词语释义 | | |
| 天承科技、母公司、
公司、本公司 | 指 | 广东天承科技股份有限公司 |
| 实际控制人 | 指 | 童茂军 |
| 天承有限 | 指 | 广州市天承化工有限公司、广东天承科技有限公司,发行人前身 |
| 天承化工 | 指 | 天承化工有限公司,天承科技股东 |
| 上海道添 | 指 | 上海道添电子科技有限公司(原广州道添电子科技有限公司),
天承科技股东 |
| 上海青骐 | 指 | 上海青骐企业管理合伙企业(有限合伙)(原广州润承投资控股
合伙企业(有限合伙)),天承科技股东 |
| 青珣电子 | 指 | 上海青珣电子科技合伙企业(有限合伙)(原广州天承电子科技
合伙企业(有限合伙)),天承科技股东 |
| 睿兴二期 | 指 | 宁波市睿兴二期股权投资合伙企业(有限合伙)(原深圳市睿兴
二期电子产业投资合伙企业(有限合伙)),天承科技股东 |
| 川流长枫 | 指 | 分宜川流长枫新材料投资合伙企业(有限合伙),天承科技股东 |
| 华坤嘉义 | 指 | 宁波梅山保税港区华坤嘉义投资管理合伙企业(有限合伙),天
承科技股东 |
| 人才基金 | 指 | 深圳市人才创新创业二号股权投资基金合伙企业(有限合伙),
天承科技股东 |
| 小禾投资 | 指 | 深圳市小禾投资合伙企业(有限合伙),天承科技股东 |
| 发展基金 | 指 | 聚源中小企业发展创业投资基金(绍兴)合伙企业(有限合伙)
(原中小企业发展基金(绍兴)股权投资合伙企业(有限合
伙)),天承科技股东 |
| 皓森投资 | 指 | 南京皓森股权投资合伙企业(有限合伙)(原佛山皓森股权投资
合伙企业(有限合伙)),天承科技股东 |
| 苏州天承 | 指 | 苏州天承化工有限公司,公司全资子公司 |
| 上海天承 | 指 | 上海天承化学有限公司,公司全资子公司 |
| 天承新材料 | 指 | 广东天承新材料科技有限公司,公司全资子公司 |
| 湖北天承 | 指 | 湖北天承科技有限公司,公司之前的全资子公司,公司已于 2024
年 6月出售持有的全部股权 |
| 天承化学 | 指 | 广东天承化学有限公司,公司全资子公司 |
| 天承半导体 | 指 | 上海天承半导体材料有限公司,公司全资子公司 |
| 安美特 | 指 | 美国安美特公司,纽交所上市公司,股票代码 ATC |
| 陶氏杜邦 | 指 | DupontDeNemours,Inc.,由陶氏化学(DowChemical)和杜邦
(DuPont)合并成立,纽交所上市公司,股票代码 DD |
| 麦德美乐思 | 指 | 美国麦德美乐思公司,为 ElementSolutionsInc(ESI.NY)子公司 |
| JCU | 指 | 日本 JCU株式会社,东京交易所上市公司,股票代码 4975 |
| 超特 | 指 | 超特国际股份有限公司
(JETCHEMINTERNATIONALCO.,LTD.) |
| 民生证券 | 指 | 民生证券股份有限公司 |
| 招商银行 | 指 | 招商银行股份有限公司 |
| 国泰君安 | 指 | 国泰君安股份有限公司 |
| 《公司法》 | 指 | 《中华人民共和国公司法》 |
| 《证券法》 | 指 | 《中华人民共和国证券法》 |
| 《公司章程》 | 指 | 天承科技现行有效的《广东天承科技股份有限公司章程》 |
| PCB/印制电路板 | 指 | 组装电子零件用的基板,英文全称“PrintedCircuitBoard”,简称
PCB,是在通用基材上按预定设计形成点间连接及印制元件的印
制板,电子元器件电气相互连接的载体,又称为“印制电路板”
或“印刷线路板” |
| 电子电路 | 指 | 电子电路基板和安装元件的电子电路基板总称 |
| 电子化学品 | 指 | 电子化工材料,一般泛指电子工业使用的专用化学品和化工材
料,即电子元器件、印刷线路板、工业及消费类整机生产和包装
用各种化学品及材料。电子化学品具有品种多、质量要求高、对
环境洁净度要求苛刻、产品更新换代快、资金投入量大、产品附
加值较高等特点 |
| 功能性湿电子化学品 | 指 | 国家统计局 2018年 11月颁布的《战略性新兴产业分类(2018)》
(国家统计局令第 23号),公司属于“3.3先进石化化工新材料”
之“3.3.6.0专用化学品及材料制造(C3985电子专用材料制造)”
之“功能性湿电子化学品(混剂)”功能性湿电子化学品系指通过
复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类或复
配类化学品 |
| 双面板 | 指 | 指双面都有导体线路,中间是介电层的电路板 |
| 多层板 | 指 | 指有多层导体线路,每两层之间是介电层的电路板 |
| 高密度互联板 | 指 | 英文名为 HighDensityInterconnect,简称 HDI。HDI是印制电路
板技术的一种,是随着电子技术更趋精密化发展演变出来用于制
作高精密度电路板的一种方法,可实现高密度布线,一般采用积
层法制造。HDI板通常指孔径在 0.15mm(6mil)以下(大部分为盲
孔)、孔环之环径在 0.25mm(10mil)以下的微孔,接点密度在 130
点/平方英寸以上,布线密度在 117英寸/平方英寸以上的多层印
制电路板 |
| 高频高速板 | 指 | 指利用特殊材料和特别工艺制作的,专用于高频和高速信号传输
的因子电路板 |
| 软板 | 指 | 英文名为 FlexiblePrintedCircuit,简称 FPC,指用柔性的绝缘基材
制成的印制电路板,并具有一定弯曲性的印制电路板,又称“柔
性电路板”、“柔性板” |
| 软硬结合板 | 指 | 又称刚挠结合板,即将刚性板和挠性板有序地层压在一起,并以
金属化孔形成电气连接的电路板。使得一块 PCB上包含一个或
多个刚性区和柔性区,既可以提供刚性板的支撑作用,又具有挠
性板的弯曲性 |
| 类载板 | 指 | 英文名为 Substrate-likePCB,简称 SLP,一种线宽/线距更小的高
精密印制电路板,可将线宽/线距从 HDI的 40/50微米缩短到
20/35微米,接近用于半导体封装的封装载板 |
| 半导体测试板 | 指 | 半导体芯片测试过程中使用的 PCB,应用于从晶圆测试到芯片封
装前后测试的各流程中 |
| 载板 | 指 | 又称封装载板、IC载板,指直接用于搭载芯片的 PCB,可为芯
片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效,以实现多引脚
化,缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯
片模块化的目的 |
| 半导体封装板 | 指 | 指与半导体封装、测试相关的 PCB,主要种类包括半导体测试
板、载板等 |
| 金属网格 | 指 | 指将铜等导电金属及其氧化物的丝线密布在基材导电层上,形成
导电金属网格图案,通过感应触摸实现信号传输功能 |
| 半导体电镀 | 指 | 在芯片制造过程中,将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面形成
金属互连 |
| 电镀液添加剂 | 指 | 电镀工艺核心材料,改善镀层性能及电镀质量。在电镀工艺中,
电镀液添加剂与基础液相互作用,在电场作用下实现金属电化学
沉积 |
| 先进封装 | 指 | 处于前沿的封装形式和技术。目前,带有倒装芯片(FC)结构的
封装、晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、2.5D封装、
3D封装等均被认为属于先进封装范畴。先进封装四大要素分别
为 RDL、TSV、Bump和 Wafer,RDL起到 XY平面电气延伸的
作用,TSV起到 Z轴电气延伸的作用,Bump起到界面互联和应
力缓冲的作用,Wafer作为集成电路的载体以及 RDL和 TSV的
介质和载体 |
| 凸块(Bumping)技
术 | 指 | 在芯片上制作凸块,通过在芯片表面制作金属凸块提供芯片电气
互连的“点”接口,广泛应用于 FC(倒装)、WLP(晶圆级封
装)、CSP(芯片级封装)、3D(三维立体封装)、(SiP)系
统级封装等先进封装。凸块制造过程一般是基于定制的光掩模,
通过真空溅镀、黄光、电镀、蚀刻等环节而成,该技术是晶圆制
造环节的延伸,也是实施倒装(FC)封装工艺的基础及前提。材
料一般为 Cu、Au、Ni、Ag-Sn等,有单金属的凸点,也有合金
凸点,最常用的凸点材料是 Cu和 Au。相比以引线作为键合方式
传统的封装,凸块代替了原有的引线,实现了“以点代线”的突
破。该技术可允许芯片拥有更高的端口密度,缩短了信号传输路
径,减少了信号延迟,具备了更优良的热传导性及可靠性。此
外,将晶圆重布线技术(RDL)和凸块制造技术相结合,可对原
来设计的集成电路线路接点位置进行优化和调整,使集成电路能
适用于不同的封装形式,封装后芯片的电性能可以明显提高 |
| 重布线层(RDL)技
术 | 指 | RedistributionLayer,起着 XY平面电气延伸和互连的作用。RDL
技术的核心是在晶圆表面沉积金属层和介质层并形成相应的金属
布线图形,对芯片的 I/O端口进行重新布局,根据后续封装工艺
需求,将其布局到新的且占位更为宽松的区域,并形成面阵列排
布。随着工艺技术的发展,通过 RDL形成的金属布线的线宽和
线间距也越来越小,从而提供更高的互连密度。目前 RDL技术
多采用电化学沉积的方式来完成 |
| 硅通孔(TSV)技术 | 指 | 硅通孔(TSV,Through-SiliconVia),通过在芯片和芯片之间、
晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的新的技术解
决方案。TSV技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,芯片
之间的互连线最短,外形尺寸最小,大大改善芯片速度 |
| 玻璃通孔(TGV)
技术 | 指 | 玻璃通孔(TGV,Through-GlassVia)是一种先进的微型化封装
技术,它主要应用于半导体封装和微电子设备中。TGV技术涉及
在玻璃基板上制造穿透孔(即通孔),然后填充导电材料(如金
属),以形成垂直连接。这种连接方式允许电子信号和电力在芯 |
| | | 片的多个层次之间高效传递,有助于实现更小型、更高性能的电
子设备 |
| 大马士革工艺 | 指 | 衍生自古代的 Damascus(大马士革)工匠之嵌刻技术,先在介
电层上刻蚀金属导线用的图膜,然后再填充金属,特点是不需要
进行金属层的刻蚀 |
| 沉铜 | 指 | 又称化学铜、无电铜(ElectrolessCopper),指通过化学方法在
基体表面沉积一层铜原子的技术。 |
| 水平沉铜/垂直沉铜 | 指 | 两种不同的沉铜工艺,水平沉铜采用水平收放板,垂直沉铜采用
挂篮上下板,两种工艺采用的设备和药水有较大区别 |
| 电镀 | 指 | 利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过
程,即利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属
膜的工艺从而起到防止金属氧化(如锈蚀),提高耐磨性、导电
性、反光性、抗腐蚀性及增进美观等作用 |
| 直流电镀 | 指 | 在直流电流的作用下将溶液中的金属离子不间断地在阴极上沉积
析出的电镀方法 |
| 脉冲电镀 | 指 | 指用脉冲电流代替直流电流的电镀方法,包括采用电镀回路周期
性地接通和断开、周期性地改变电流方向、在固定直流上再叠加
某一波形脉冲等 |
| 棕化、黑化 | 指 | 多层板压合前内层处理的常用工艺,通过对铜面进行处理使得铜
线路表面与半固化片之间可以形成良好的结合力 |
| 粗化 | 指 | 指通过机械法或化学方法对工件表面进行处理,从而在工件表面
得到一种微观粗糙的结构,以提高金属层与无机材料之间结合力
的一种工艺,根据药水组成和处理粗糙度不同分为超粗化和中粗
化 |
| 退膜 | 指 | 指在通过化学药水将 PCB上的干膜或湿膜去掉的生产工艺,又
可称为“去膜”、“褪膜”、“光阻去除” |
| 微蚀 | 指 | 指清洁铜表面和在铜表面形成一定粗糙度,以增强铜层与有机材
料的结合力的工艺 |
| 通孔 | 指 | 贯通 PCB整板的导通孔,用于固定安装插接件或连通层间走线 |
| 盲孔 | 指 | 连接表层和内层而不贯通整板的导通孔,常见于 HDI。盲孔位于
印刷线路板的顶层和底层表面,具有一定深度,用于表层线路和
下面的内层线路的连接 |
| 埋孔 | 指 | 连接内部任意电路层间但未导通至外层的导通孔,用于内层信号
互连,可以减少信号受干扰的几率,保持传输线特性阻抗的连续
性,并节约走线空间,适用于高密高速的印制电路板 |
| 纵横比 | 指 | 指 PCB孔深和孔径的比例,一般而言,越高纵横比的孔沉铜和
电镀处理难度越高 |
| 可溶性阳极 | 指 | 电镀时阳极自身发生氧化反应变成离子进入电镀液,进而补充溶
液金属离子 |
| 不溶性阳极 | 指 | 电镀时,阳极自身不发生反应,而是其他物质发生氧化反应 |
| 活化 | 指 | 系化学沉铜的关键工序,通过在 PCB孔壁吸附锡-钯胶体或钯-螯
合剂,为后续沉铜提供具有催化作用的金属钯 |
| 背光 | 指 | 用于考核镀孔的金属沉积效果的标准,一般以 10级为评核标
准,级数越大,效果越佳 |
| ppm | 指 | PartsPerMillion,表示“百万分之” |
| TP值 | 指 | PCB电镀的深镀能力,其计算公式为:孔壁平均铜厚/孔环平均
铜厚×100% |
| AR/深宽比 | 指 | 孔的深度与其直径之间的比率,假设通孔的典型值为 10:1,微孔
的典型值为 0.75:1 |
| CPCA | 指 | 指中国电子电路行业协会(ChinaPrintedCircuitAssociation),由
印制电路、覆铜箔板、原辅材料、专用设备、电子装联、电子制
造服务等行业的企业以及相关的科研院校组成的全国性、行业性
社会团体 |
| Prismark | 指 | 指美国 PrismarkPartnersLLC,是印制电路板及其相关领域知名的
市场分析机构,其发布的数据在 PCB行业有较大影响力 |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
| 公司的中文名称 | 广东天承科技股份有限公司 |
| 公司的中文简称 | 天承科技 |
| 公司的外文名称 | GuangdongSkychemTechnologyCo.,Ltd |
| 公司的外文名称缩写 | SkychemTechnology |
| 公司的法定代表人 | 童茂军 |
| 公司注册地址 | 珠海市金湾区南水镇化联三路 280号 |
| 公司注册地址的历史变更
情况 | 2023年 3月,公司注册地址由“广东从化经济开发区太源路 8号
(厂房)首层”变更为“珠海市金湾区南水镇化联三路 280号” |
| 公司办公地址 | 上海市金山区金山卫镇春华路 299号 |
| 公司办公地址的邮政编码 | 201702 |
| 公司网址 | www.skychemcn.com |
| 电子信箱 | [email protected] |
| 报告期内变更情况查询索
引 | 无 |
二、 联系人和联系方式
| | 董事会秘书(信息披露境
内代表) | 证券事务代表 | 证券事务代表 |
| 姓名 | 费维 | 邹镕骏 | 苏志钦 |
| 联系
地址 | 上海市青浦区诸光路 1588
弄虹桥世界中心 L2-B栋
806室 | 上海市青浦区诸光路 1588
弄虹桥世界中心 L2-B栋
806室 | 上海市青浦区诸光路 1588
弄虹桥世界中心 L2-B栋
806室 |
| 电话 | 021-59766069 | 021-59766069 | 021-59766069 |
| 传真 | 021-59766069 | 021-59766069 | 021-59766069 |
| 电子
信箱 | [email protected] | [email protected] | [email protected] |
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
| 公司选定的信息披露报纸名称 | 上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报 |
| 登载半年度报告的网站地址 | www.sse.com.cn |
| 公司半年度报告备置地点 | 董事会办公室 |
| 报告期内变更情况查询索引 | 无 |
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
| 公司股票简况 | | | | |
| 股票种类 | 股票上市交易所及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
| A股 | 上海证券交易所科创板 | 天承科技 | 688603 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
√适用 □不适用
| 公司聘请的会计师事务所(境
内) | 名称 | 北京德皓国际会计师事务所(特殊普通
合伙) |
| | 办公地址 | 北京市西城区阜成门外大街31号5层
519A |
| | 签字会计师 | 黄海洋、杨素 |
| 报告期内履行持续督导职责的保
荐机构 | 名称 | 民生证券股份有限公司 |
| | 办公地址 | 中国(上海)自由贸易试验区浦明路
8号 |
| | 签字的保荐代表人
姓名 | 曾文强、帖晓东 |
| | 持续督导的期间 | 2023年 07月 10日-2026年 12月 31
日 |
备注1:
北京大华国际会计师事务所(特殊普通合伙)已于2024年6月更名为北京德皓国际会计师事务所(特殊普通合伙)。
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币
| 主要会计数据 | 本报告期(1-6
月) | 上年同期 | 本报告期比上年
同期增减(%) |
| 营业收入 | 172,776,665.31 | 160,067,487.63 | 7.94 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 36,652,215.23 | 26,132,572.17 | 40.25 |
| 归属于上市公司股东的扣除非经常
性损益的净利润 | 30,678,710.44 | 26,175,999.10 | 17.20 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | 82,654,177.05 | 24,666,473.39 | 235.09 |
| | 本报告期末 | 上年度末 | 本报告期末比上
年度末增减(%) |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 1,078,240,547.91 | 1,097,127,653.75 | -1.72 |
| 总资产 | 1,154,149,568.04 | 1,170,731,269.42 | -1.42 |
(二) 主要财务指标
| 主要财务指标 | 本报告期(1-6
月) | 上年同期 | 本报告期比上年
同期增减(%) |
| 基本每股收益(元/股) | 0.63 | 0.60 | 5.00 |
| 稀释每股收益(元/股) | 0.63 | 0.60 | 5.00 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收
益(元/股) | 0.53 | 0.60 | -11.67 |
| 加权平均净资产收益率(%) | 3.34 | 7.83 | 减少 4.49个百分
点 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净
资产收益率(%) | 2.80 | 7.84 | 减少 5.04个百分
点 |
| 研发投入占营业收入的比例(%) | 6.46 | 6.92 | 减少 0.46个百分
点 |
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、 公司 2024年 1-6月归属于上市公司股东的净利润36,652,215.23元,较上年同期增加40.25%,主要原因系:(1)公司主营业务中高毛利产品的销售占比上升;(2)公司募集资金理财收益及银行存款利息收入的增加。
2、 公司 2024年 1-6月经营活动产生的现金流量净额为 82,654,177.05元,较上年同期增加 57,987,703.66元,增幅 235.09%,主要原因系:本期销售商品、提供劳务收到的现金较上年同期增加及购买商品、接受劳务支付的现金减少所致。
七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用
八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
| 非经常性损益项目 | 金额 | 附注(如适用) |
| 非流动性资产处置损益,包括已计提资产减值准备的冲
销部分 | | |
| 计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切
相关、符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公
司损益产生持续影响的政府补助除外 | 560,403.38 | 七、67 |
| 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,非
金融企业持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动
损益以及处置金融资产和金融负债产生的损益 | 7,339,328.71 | 七、68/70 |
| 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 | | |
| 委托他人投资或管理资产的损益 | | |
| 对外委托贷款取得的损益 | | |
| 因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的各项资产损
失 | | |
| 单独进行减值测试的应收款项减值准备转回 | | |
| 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于
取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产
生的收益 | | |
| 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期
净损益 | | |
| 非货币性资产交换损益 | | |
| 债务重组损益 | | |
| 企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性费用,如
安置职工的支出等 | | |
| 因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益产生的一
次性影响 | | |
| 因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份支付费用 | | |
| 对于现金结算的股份支付,在可行权日之后,应付职工
薪酬的公允价值变动产生的损益 | | |
| 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价
值变动产生的损益 | | |
| 交易价格显失公允的交易产生的收益 | | |
| 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 | | |
| 受托经营取得的托管费收入 | | |
| 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 | -97,827.29 | 七、74/75 |
| 其他符合非经常性损益定义的损益项目 | | |
| 减:所得税影响额 | 1,828,400.01 | |
| 少数股东权益影响额(税后) | | |
| 合计 | 5,973,504.79 | |
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)行业情况
1、所属行业
公司主营业务为电子电路专用电子化学品的研发、生产和销售。根据国家统计局 2017年修订的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),本公司所属行业为电子元件及电子专用材料制造(代码C398)下属的电子专用材料制造(C3985)中的电子化工材料。
根据国家统计局 2018年 11月颁布的《战略性新兴产业分类(2018)》(国家统计局令第 23号),公司属于“3.3先进石化化工新材料”之“3.3.6.0专用化学品及材料制造(C3985电子专用材料制造)”之“功能性湿电子化学品(混剂)”。功能性湿电子化学品系指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类或复配类化学品,公司生产的各类专用电子化学品符合该定义产品范畴。
2、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业发展阶段
功能性湿电子化学品系电子电路生产制作中的必备原材料,电子电路的生产制造过程中的化学沉铜、电镀、铜面表面处理等众多关键工序均需要使用大量专用电子化学品。根据 Prismark在2024年 2月发布的报告,受多方面因素影响,2023年全球线路板(PCB)总产值为 695.17亿美元,相对于 2022年同期降低了 15.0%。从中长期看,产业将保持稳定增长的态势,2023~2028年全球 PCB产值的预计年复合增长率达 5.4%。中国大陆地区在 2023年产值为 377.94亿美元,全球占比 54.4%,略有增加(与 2022年全球占比相比)。
国内电子电路专用电子化学品行业起步较晚,国内企业起初主要通过技术难度较低的洗槽剂、消泡剂、蚀刻、剥膜、褪锡等产品进入市场,后续逐步开发棕化、沉铜、电镀、化学镍金等重要工艺所用的功能性湿电子化学品。在普通 PCB双面板和多层板专用电子化学品方面,国内厂商占有一定的市场份额。对于高频高速板、HDI、软硬结合板、类载板、半导体测试板、载板、集成电路等高端电子电路使用的专用电子化学品,国内整体的技术水平相比国际先进水平还有一定差距。
由于电子电路专用电子化学品的性能高低能够在一定程度上决定电子电路产品在集成性、导通性、信号传输等特性和功能上的优劣,因此高端电子电路厂商对于电子电路专用电子化学品供应的选择较为谨慎,因此高端电子电路专用电子化学品长时间被欧美、日本等地品牌所占领。
随着中国大陆电子电路产业的发展壮大和国产化替代的需求扩大,近几年来中国大陆电子电路专用电子化学品企业持续加大对研发的投入,建立研发中心,同时招聘高水平技术人才,生产技术水平得到了有效的提升。同时,部分企业针对电子电路厂商的需求进行定制化开发,实现对产品配方创新和改良,将产品打入高端电子电路厂商,逐渐打破外资企业对高端电子电路专用电子化学品的垄断。
(2)行业基本特点
国外功能性湿电子化学品发展起步较早,国际知名功能性湿电子化学品制造商掌握研发的核心技术,品牌知名度高,市场占有率高,具备较强的先发优势。我国功能性湿电子化学品发展起步较晚,国内企业在生产规模、技术和品牌等方面竞争力较弱,高端功能性湿电子化学品国产化需求十分迫切。当前,在全球集成电路、人工智能、大算力、新能源汽车等产业产能加速向中国转移的背景下,从产品交期、供应链保障、成本管控及技术支持等多方面考虑,原材料进口替代的需求十分强烈,境内功能性湿电子化学品企业迎来了重大的发展机遇。
(3)行业主要技术门槛
电子电路功能性湿电子化学品行业具有较高的技术门槛,具体体现为以下方面: ①专业综合性较强:电子电路专用电子化学品的配方设计和调整系材料学、电化学、有机化学、物理、化工工艺等多个学科知识的综合应用,需要技术专家对行业技术有敏锐判断,并经过多次反复测试才能将形成成熟的产品。
②下游技术需求较复杂:电子电路的种类较多,相应对专用电子化学品提出不同的技术需求。
特别对于高端 PCB(含封装载板)和集成电路,近年来高端 PCB材料种类和型号不断增加,包括各类高频高速基材、软板 PI膜、载板的 ABF材料和 BT材料等,因此需要根据材料的特性开发新的技术需求,比如高多层设计的通孔纵横比不断提高,对专用电子化学品的灌孔能力提出更高
的要求;多阶盲孔和任意层互联的结构设计,对专用电子化学品在盲孔的润湿性提出更高的要求。
因此高端 PCB使用的专用电子化学品配方开发具有更高的技术壁垒。
③功能性湿电子化学品在实际应用中,应用工艺的参数比如药水浓度、药水搭配组合、生产
设备运行参数(如运行速率、温度,泵频率)等影响电子化学品的应用效果,行业内企业需要经
过长时间的应用积累才能形成成熟的应用经验,从而形成较高的技术与经验壁垒。
(二)主营业务情况
1、主要业务
公司主要从事电子电路所需要的功能性湿电子化学品的研发、生产和销售。随着应用领域需
求扩大和制造技术进步,公司产品的应用类型由普通的 PCB单双面板和多层板发展出高频高速
板、HDI、软硬结合板、类载板、半导体测试板、载板及先进封装材料、集成电路等高端产品。公
司自主研发并掌握了 PCB、封装载板、光伏、显示屏、集成电路等相关的沉铜、电镀产品制备及
应用等多项核心技术。公司以非金属材料化学镀、电镀、铜面表面处理等核心技术为基础,努力
开发应用于各领域的功能性湿电子化学品,推动高端产品国产化进程,提升自身核心竞争力。
2、主要产品及用途
公司产品为电子电路功能性湿电子化学品,公司主要产品包括水平沉铜专用化学品、电镀专
用化学品、铜面处理专用化学品、垂直沉铜专用化学品、SAP孔金属化专用化学品(ABF载板除
胶沉铜)、其他专用化学品等,应用于沉铜、电镀、棕化、粗化、退膜、微蚀、化学沉锡等多个
生产环节。其中沉铜和电镀工艺是电子电路制程中重要的环节,是实现电子互联的基础,间接影
响电子设备的可靠性。
公司电子电路功能性湿电子化学品按照电子电路制程工艺分为以下几类:
(1)水平沉铜专用化学品
化学沉铜是电子电路生产过程中重要的环节,系通过化学方法在不导电的电子电路孔壁表面
沉积一层薄薄的化学铜层,形成导电层,为后续电镀铜提供导电基层,达到多层板之间电气互联
的目的。化学沉铜的效果是电路板导电性能的重要保证,进而影响电子电路以及电子设备的可靠
性。 随着品质、技术和环保需求的驱动,中国大陆 PCB厂商逐步采用水平沉铜工艺替代垂直沉铜工艺。与此同时,水平沉铜专用化学品成为沉铜制程使用的主流材料。
公司的水平沉铜专用化学品于 2012年成功推向市场,经过十余年的发展,公司持续改善产品,目前已经发展出四大水平沉铜产品系列,能满足市场上不同电路板的生产需求。主要用于高端 PCB、封装载板的生产。
| 产品系列 | 产品特点 | 适用产品 | 目前主要客户 |
| SkyCopp365 | 1、盲孔处理能力强,可处理盲孔纵横比
(孔径 50-125微米)为 1:1;2、适用现
行的高频高速基材;3、单剂稳定剂,便
于客户现场管控 | 适用于多层
板、高频高速
板、HDI、类
载板、半导体
测试板等 | 方正科技、崇达
技术、景旺电
子、信泰电子、
博敏电子、广合
科技、兴森科技
等 |
| SkyCopp365SP | 1、盲孔处理能力强,可处理盲孔纵横比
(孔径 50-125微米)为 1:1—1:1.5;2、
互联可靠性高,特定测试板严酷可靠性 | 适用于多层
板、高频高速
板、HDI、类 | 深南电路、方正
科技、兴森科
技、生益电子、 |
| | 测试下(无铅 Reflow30次)内层连接测
试与国际厂商同等水平。 | 载板、半导体
测试板等 | 景旺电子、中京
电子等 |
| SkyCopp3651 | 产品不含镍,节能环保(市场上的水平
沉铜药水一般含 400ppm的镍离子) | 适用于要求沉
铜废水中不含
镍的生产企业 | 定颖电子、博敏
电子、兴森科
技、景旺电子、
崇达技术等 |
| SkyCopp3652 | 材料兼容性广泛,是一款低应力高贯孔能
力产品,适用 PI和 BT材料 | 适用多层软
板、软硬结合
板以及载板 | 景旺电子、世一
电子、宏锐兴等 |
(2)电镀专用化学品
电子电路在经过沉铜工艺之后,孔壁和铜面(SAP工艺后)上沉积上一层 0.2-1微米的薄铜,
使得不导电的孔壁产生了导电性,但是铜层的厚度还达不到电子元件信号传输和机械强度需要的
厚度。导通孔通常要求孔内铜厚达到 20微米以上,因此需要用电镀的方法把铜层加厚到需要的厚
度。此外,HDI、类载板还要求盲孔完全被填满,采用填铜结构可以改善电气性能和导热性,有助
于高频设计,便于设计叠孔和盘上孔,减少孔内空洞,降低传输信号损失,最终实现产品功能及
质量的提高。
随着电子产业发展,电子电路的孔纵横比越来越大,线宽线距变得越来越小,电镀铜成为电路板制造最大的挑战之一。随着线宽线距变得越来越小,传统电镀工艺使用的可溶性阳极在电镀过程中会因为溶解消耗导致尺寸形状发生变化,影响电流分布,进而影响铜镀层在电路板表面上的均匀性;随着通孔厚径比的增大,电镀工艺的深镀能力也需要进一步提升。
根据以上行业需求,公司对适用于不溶性阳极电镀、脉冲电镀的电镀添加剂技术进行研发,并开发出了以下主要产品系列、主要用于高端 PCB、封装载板等的生产:
| 产品系列 | 主要特点 | 适用产品 | 目前主要应用
客户 |
| SkyPlateCu658 | 1、适用不溶性阳极电镀,解决阳极保养问
题,并减少铜成本;2、应用于水平线脉冲填
孔,对盲孔填孔有显著优势;3、电镀速度
快,完成填孔所需的面铜厚度低 | 适用于
HDI、类载
板电镀 | 超毅、方正科
技等 |
| SkyPlateVF6382 | 1、可应用在 VCP或者龙门电镀设备,设备
兼容性高;2、兼容可溶性阳极和不溶性析氧
阳极,可应用于不溶性阳极直流填孔,填孔
性能稳定;3、兼容通孔盲孔共镀 | 适用于
HDI电镀 | 定颖电子、博
敏电子、南亚
电路、中京电
子等 |
| SkyPlateCu6257 | 1、适用不溶性阳极 VCP脉冲电镀,采用纯
铜溶铜块技术,解决阳极保养问题,并减少
铜成本;2、适用于通孔电镀,深镀能力好;
3、镀层结晶均匀,应力低,延展性好,抗拉
强度优良;4、相对于传统电镀,能应用较大
的电流密度,提升产能。 | 适用于消
费类电子
产品,车
板等 | 景旺电子等 |
此外,公司还开发出了应用于集成电路先进封装领域的电镀专用功能性湿电子化学品,包括RDL、bumping、TSV、TGV等,能提供系统解决方案,相关产品打样和验证结果都得到了客户的极大的认可。
(3)铜面处理专用化学品
电子电路制造过程中需要对铜面进行贴膜、阻焊等工序,在这些工序之前,一般需要对铜面进行特殊处理,主要系通过改变铜表面形貌或化学成分以增强与有机料的结合力。
公司根据不同工序和不同电子电路对铜面处理的要求,开发出以下产品,主要用于 PCB、封装载板、显示屏等的生产:
| 产品类别 | 应用环节 | 适用产品 | 主要客户 |
| 超粗化产
品 | 防焊前处理 | HDI、汽车板 | 奥特斯、定颖电子、方正科技、华通电
脑、华通精密、景旺电子等 |
| 中粗化产
品 | 防焊前处理;贴膜
前处理 | 5G通讯板、
HDI | 定颖电子、南亚电路、安泰诺等 |
| 再生微蚀
产品 | 内层线路贴膜前处
理 | 通用大部分
PCB | 明阳电路、中富电子等 |
| 碱性微蚀
产品 | 表面处理 | 柔性电路板 | 景旺电子、精诚达、鹏鼎控股等 |
a、超粗化产品主要应用于防焊前处理,电路板的表面需要覆盖一层防焊油墨以防止焊接时短
路,其中涉及铜与防焊油墨的结合,铜面必须经过适当处理,才会与防焊油墨有足够的结合力满
足电路板的可靠性要求。公司产品处理前后的对比图如下: b、超粗化技术虽能满足铜与防焊油墨的结合力要求,但其粗糙度过高,不能满足 5G等高频
高速应用对信号完整性的要求。公司开发的中粗化产品,通过在铜面产生不规则蚀刻,在低微蚀
量下使比表面积增加 30-60%,同时能够控制表面峰谷之间的落差不至于过大,不仅可以满足 5G
信号对 PIM值要求,还可以应用于贴膜前处理。公司产品处理前后的对比图如下: c、微蚀产品用于内层线路贴膜前处理,主要作用为对铜面进行处理使其与干膜/湿膜有足够的结合力,传统的微蚀技术需要频繁换槽和添加大量的蚀刻液,并产生大量废水。公司的再生微蚀产品利用三价铁离子对铜面进行微蚀,三价铁离子变成二价铁离子,然后利用电解的方法将二价铁离子转化回三价铁离子,同时铜离子被还原成纯铜回收,槽液循环利用、无废液排放,有利于清洁生产。生产中还可以通过调节电解电流自动控制三价铁离子的浓度从而实现稳定的微蚀速率,降低了综合生产成本。公司产品处理前后的对比图如下:
d、一般电子电路可以采用酸性微蚀产品进行表面处理,但对于某些特殊的材料,不适合采用酸性微蚀产品进行表面处理。如软板在做 OSP时(有机可焊性保护剂,表面处理的一种方法),酸性微蚀药水对镀镍钢片的镍层存在一定程度的腐蚀,导致 OSP后钢片发白,造成批量性的报废。
公司开发出碱性微蚀产品,在碱性环境下对铜面微蚀清洁,不会腐蚀镀镍钢片镍层。
(4)SAP孔金属化专用化学品(ABF载板除胶沉铜)
封装载板是芯片封装体的重要组成材料,主要作用为承载保护芯片以及连接上层芯片和下层电路板。针对新高端 IC载板 ABF膜如 GL102和国产载板增层材料的特性,公司开发了兼容性更强的除胶剂、调整剂和低应力化学沉铜液等产品,随着公司载板沉铜专用化学品在材料兼容性和产品性能等方面的提升,公司在载板领域新开拓了华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、江阴芯智联电子科技有限公司等公司。
(5)其他专用化学品
公司的专用功能性湿电子化学品还包括触摸屏专用电子化学品、化学沉锡专用化学品、光阻去除剂、棕化专用化学品等,分别主要应用于金属网格沉铜工序、PCB化学沉锡工序、退膜工序、棕化工序,在江苏软讯、南亚电路、景旺电子、奥特斯、信泰电子等知名电子电路厂商量产应用。
二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
经过持续多年的研发投入和技术积累,天承科技自主研发并掌握了PCB、芯片核心封装材料、触摸屏、集成电路等产品领域相关的多项核心技术,保持了较强的核心竞争力。
| 序
号 | 核心技
术名称 | 工
艺
技
术
类
别 | 核心技术特点及先进性 | 技术来
源及是
否量产 |
| 1 | PCB水
平沉铜
产品制
备及应
用技术 | 化
学
沉
铜 | (1)低成本:通过在活化液中加入特殊的表面活性剂和促进
剂,在钯离子浓度低至 40-150ppm时,仍可在实现正常的活
化反应速度,钯离子和特定络合物形成具有一定络合常数的
钯络合物,提高活化液的稳定性,延长活化液寿命可达 30
天以上;(2)更环保:化学铜槽液采用环保可生物降解的酒石
钾钠作为络合剂,相对于 EDTA体系形成的螯合物,废水处
理更容易,也更环保;(5)满足背光要求:具有协同作用的添
加剂,可以改善铜的沉积结晶过程,沉积出来的铜膜更加均
匀、致密、可靠性高,沉铜后基材的背光等级达 9级以上;
(6)较强的润湿能力,适合于小孔,盲孔以及高厚径比通孔
(20:1)板生产;(5)能应用于现行主流的高频高速基材:包括
聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯醚(PPO/PPE)、聚苯硫醚(PPS)、碳 | 自主研
发,18
项发明
专利;
量产 |
| | | | 氢树脂等材料;(6)能应用于柔性电路板:采用特殊的沉铜工
艺进行 PI材料处理;(7)无镍沉铜:优化沉铜体系,通过使
用有机的晶体细化剂和晶型控制剂,起到了镍离子类似的作
用,能够实现适中的化学铜沉积速率和优异的可靠性。 | |
| 2 | 封装载
板沉铜
产品制
备及应
用技术 | 化
学
沉
铜 | (1)先进的除胶工艺:在除胶流程中采用润湿性和渗透性更高
的膨松液,保证高锰酸盐凹蚀液具有较高的咬蚀能力,可以
有效去除 ABF中的微球填料,在表面形成均匀的微观粗糙
度,增加其与沉积铜的接触面积。(2)低应力沉铜:采用
特殊配方的沉铜液,形成铜沉积层结构致密,应力低,与
ABF基材结合力好,满足 10μm细线路制程需求。 | 自主研
发,1
项发明
专利;
量产 |
| 3 | 触摸屏
沉铜产
品制备
及其应
用技术 | 化
学
沉
铜 | 采用双络合的沉铜液,搭配特殊的表面活性剂和晶型控制
剂,开发出一种适用于触摸屏金属网格的化学沉铜产品。主
要技术优势:(1)化学镀铜液活性高,90s内沉积铜厚度达到
0.3μm以上;(2)槽液稳定性好,寿命达到 2周以上;(3)化
学铜液能在有效负载低于 1%的条件下沉铜,可制备线宽为
3-5μm的金属铜网格,形成的金属铜网格结构致密,铜面
平整,无裂纹、断线问题,网格和线路间没有铜粉,铜膜与
光刻胶的结合力好,经拉力测试没有脱落现象。 | 自主研
发,2
项发明
专利;
量产 |
| 4 | PCB电
镀铜产
品制备
及其应
用技术 | 电
镀 | (1)不溶性析氧阳极电镀:不溶性阳极直流电镀填孔产品,通
过加入氧化铜粉的方式进行补充铜离子,主要应用于市场上
主流的 VCP电镀工艺,兼容通孔盲孔共镀,具有设备兼容
性好、填孔性能稳定、阳极面积稳定、维护保养简单等优
势;(2)水平脉冲非析氧不溶性阳极盲孔电镀铜:在电镀溶液
里额外加入多价态金属氧化还原对,以实现在不析氧的情况
下完成阳极电子交换。同时该技术的铜离子可以用纯铜补
充,溶铜过程不产生废液废气,只需少量人力维护保养,减
少保养时间,实现连续自动化生产。 | 自主研
发,9
项发明
专利;
量产 |
| 5 | 封装载
板电镀
铜产品
制备及
应用技
术 | 电
镀 | (1)优良的电镀铜添加剂,采用直流或脉冲实现图形电镀
同时实现通孔填充或盲孔填充,具有出色的线路弧度、铜厚
度分布、稳定的可靠性。(2)盲孔填孔效果:介厚 30-60μ
m填充凹陷为 0-5μm,面铜厚度小于 15μm,线宽线距
18/18-25/25μm的线路弧度小于 20%,密集线路与大铜面电
镀线路高度差小于 5μm。通孔:介厚 100-250μm完全填孔
无空心,凹陷为 0-5μm,面铜厚度小于 24μm,线宽线距
18/18-25/25μm的线路弧度小于 20%,密集线路与大铜面电
镀线路高度差小于 5μm. | 自主研
发,1
项发明
专利 |
| 6 | 半导体
电镀铜
产品制
备及应
用技术 | 电
镀 | 半导体电镀铜产品主要应用在 Bumping凸点、RDL重布
线、玻璃通孔 TGV或硅通孔 TSV技术中,满足多样化需求
的封装解决方案。Bumping:兼容 micro-bump,常规 Bumping
和大铜柱工艺,20-40ASD,4-8μm/minRDL:针对填孔型再
布线层开发的电镀铜产品,具备优异的填孔能力(20μm)和
细线路(4μm)能力,同时完成 via、线路和 pad线路的填
充,均匀性优异。TGV/TSV:针对玻璃通孔或硅通孔电镀铜
填充工艺,采用脉冲搭桥和直流填孔工艺,满足介厚 200-
400μm,孔径 20-50μm,实现完全填充且无空心。 | 自主研
发 |
| 7 | 电镀锡
产品制
备及其
应用技
术 | 电
镀 | (1)采用酸性硫酸盐体系:具有电流效率高、沉积速率快、覆
盖能力强、废水容易处理等特点;(2)单一型复合添加剂,各
个物质复配稳定且长时间不变质,应用过程中只需要检测单
一参数即可满足添加剂的平衡,操作简单方便,利于生产控
制;(3)添加剂中含有特定的有色基团有机物,可以在结晶生 | 自主研
发,1
项发明
专利 |
| | | | 长点上进行选择性吸附,使得电镀锡过程锡晶体晶粒细化、
镀层致密均匀,提高了电镀锡层的抗蚀性能。 | |
| 8 | 铜面超
粗化产
品制备
及其应
用技术 | 表
面
处
理
与
改
性 | 有机酸和氯化铜作为基础,采用特殊的微蚀抑制剂,在铜面
实现不均匀咬蚀,使比表面积增加 60-70%,大大提升铜面
与防焊油墨的结合力,能满足 HDI、汽车板阻焊前处理的工
艺要求。 | 自主研
发,2
项发明
专利;
量产 |
| 9 | 铜面中
粗化产
品制备
及其应
用技术 | 表
面
处
理
与
改
性 | 以硫酸和过氧化氢为基础,通过特殊的蚀刻抑制剂,使铜晶
体和晶体之间蚀刻速度不同,产生不规则的表面,在低微蚀
量下使比表面积增加 30-60%,提高铜面结合力,适用于
HDI的贴膜前处理。 | 自主研
发,4
项发明
专利;
量产 |
| 10 | 再生微
蚀产品
制备及
应用技
术 | 表
面
处
理
与
改
性 | (1)利用三价铁离子对铜面进行微蚀,三价铁离子在微蚀槽中
反应变成二价铁离子,然后利用电解的方法将二价铁离子转
化回三价铁离子,同时铜离子被还原成纯铜回收,槽液循环
利用、无废液排放,有利于清洁生产。(2)通过调节电解电流
自动控制三价铁离子的浓度从而实现稳定的微蚀速率,降低
了综合生产成本。 | 自主研
发,1
项发明
专利;
量产 |
| 11 | 碱性微
蚀产品
制备及
应用技
术 | 表
面
处
理
与
改
性 | (1)在碱性环境下对铜面微蚀清洁,不会腐蚀镀镍钢片镍层。
(2)克服了酸性微蚀体系易受氯离子污染的缺点,使得微蚀速
率更加稳定。 | 自主研
发;量
产 |
| 12 | 棕化产
品制备
及应用
技术 | 表
面
处
理
与
改
性 | (1)通过在硫酸双氧水微蚀液的基础上加入复合缓蚀剂和抑制
剂组合,在铜面产生不均匀蚀刻,使得比表面积增大 50-
70%,增加表面粗糙度。(2)在铜表面形成一层有机铜络合
物,以化学键合的方式与介电材料结合,进一步增强结合
力。(3)搭配特有的稳定剂,槽液的铜离子控制在 45g/L左
右,随着生产进行不会产生沉淀,可以延长换槽周期,有效
延长了槽液使用寿命,能减少废水排放。 | 自主研
发,1
项发明
专利;
量产 |
| 13 | 化学沉
锡产品
制备及
应用技
术 | 化
学
沉
锡 | (1)采用有机酸体系,辅以表面活性剂,以化学置换方式在线
路板线路铜面上形成一层约 1微米的致密锡层,焊锡性好,
适合多次无铅焊锡;(2)通过特殊添加剂抑制防焊油墨的析
出,延长槽液寿命;(3)通过添加微量贵金属组合物,改变锡
层的晶格结构,抑制锡须生长,延长沉锡后产品的保存期;
(4)对化学沉锡槽采用冷却法除铜,保证了铜离子的稳定。 | 自主研
发,2
项发明
专利;
量产 |
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用
2. 报告期内获得的研发成果
报告期内,新申请国家发明专利8项。截至报告期末,共取得47项发明专利,19项实用新型专利,2项软件著作权。
报告期内获得的知识产权列表
| | 本期新增 | | 累计数量 | |
| | 申请数(个) | 获得数(个) | 申请数(个) | 获得数(个) |
| 发明专利 | 8 | 4 | 105 | 47 |
| 实用新型专利 | | | 23 | 19 |
| 外观设计专利 | | | | |
| PCT国际专利 | | | 1 | 0 |
| 软件著作权 | | | 2 | 2 |
| 其他 | | | | |
| 合计 | 8 | 4 | 131 | 68 |
3. 研发投入情况表
单位:元
| | 本期数 | 上年同期数 | 变化幅度(%) |
| 费用化研发投入 | 11,162,606.59 | 11,084,323.51 | 0.71 |
| 资本化研发投入 | | | |
| 研发投入合计 | 11,162,606.59 | 11,084,323.51 | 0.71 |
| 研发投入总额占营业收入比例
(%) | 6.46 | 6.92 | 减少 0.46个百分
点 |
| 研发投入资本化的比重(%) | | | |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元
| 序
号 | 项目名称 | 预计总投资规模 | 本期投入金额 | 累计投入金额 | 进展
或阶
段性
成果 | 拟达到目标 | 技
术
水
平 | 具体应用前景 |
| 1 | 载板 SAP
除胶和化
学沉铜工
艺及药水
配方的研
发 | 20,200,000.00 | 1,227,706.61 | 7,827,702.28 | 中试
阶段 | (1)适用于先进封装载板技术的 ABF材料依赖于进口,并且
供应紧张,因此国内多家公司正在开发可以替代 ABF膜的载
板绝缘膜。该研发项目旨在根据市场需求,配合载板厂和绝
缘膜厂研发适用的沉铜产品。(2)玻璃材料具有良好的光学、
电学、机械和化学稳定性能,因此,玻璃基板在光学器件、
射频和微波器件以及 MEMS传感器等集成封装中具有广泛的
应用。玻璃基板目前在表面形成导电层主要采用溅射技术,
工艺难度和成本较高,沉铜技术作为替代技术成为业界目前
研发重点。该研发项目旨在适用于玻璃通孔(TGV)技术的化
学镀专用化学品,应用于玻璃基板的孔金属化制程。 | 国
内
领
先 | 以 ABF材料
SAP制程为基
础的 FCBGA先
进封装载板制
造 |
| 2 | 载板填通
孔工艺电
镀铜添加
剂的研发 | 11,500,000.00 | 654,293.40 | 4,679,032.89 | 中试
阶段 | 该研发项目旨在更高阶盲孔载板电镀技术的研发,例如
AR>0.8的盲孔,同时侧重于研发应用于直通孔、X孔及陶瓷
板梯形孔填充的电镀技术,填充率目标为达到 90%以上,以
提高载板的互连可靠性,扩大产品的应用场景。 | 国
内
领
先 | 玻璃载板、BT
载板等材料通
孔电镀填充,
散热和可靠性
良好 |
| 3 | 载板表面
处理添加
剂及工艺
的研发 | 12,500,000.00 | 872,920.64 | 5,995,385.93 | 中试
阶段 | 5G线路板的线路越来越细,为满足阻抗控制的需要,铜面处
理要求不断提高,该研发项目主要从两个方向开发适用 5G
低损耗的铜面处理专用化学品:(1)对铜面超粗化技术进行升
级,研发目标为降低超粗化技术的微蚀量至 0.5μm,同时能
够形成相当的比表面积,维持相当的结合力与可靠性。(2)不
增加铜导体的粗糙度,以化学键合的方式来提升铜导体与树
脂之间的结合力,避免因粗化而增加铜导体表面阻抗,降低 | 国
内
领
先 | 应用在 5G高频
高速材料的工
艺 |
| | | | | | | 高频信号传输过程中的信号损失,以满足 5G等高频高速应
用技术的需要。 | | |
| 4 | 显示面板
金属化工
艺及专用
化学品研
发 | 8,700,000.00 | 358,144.23 | 3,879,344.83 | 中试
阶段 | 目前公司的金属网格沉铜技术可以制备线宽为 3-5μm的金属
铜网格,该研发项目旨在持续改进用于金属网格的沉铜产
品,改善沉积铜的致密性和结合力,满足更细网格线(1-2μm)
的需求。 | 国
际
领
先 | 全加成法触摸
屏金属网格制
备 |
| 5 | 高纵横比
通孔电镀
铜添加剂
的研发 | 11,300,000.00 | 896,604.68 | 4,994,076.10 | 中试
阶段 | 该研发项目旨在研发适用于背板的脉冲电镀专用化学品。背
板应用在通信和军工行业,孔纵横比可以高达 40:1及以上,
因此需要使用脉冲电镀技术才能达到电镀铜的工艺要求。该
研发项目目标主要为:(1)良好深镀能力(TP):AR=20:1,
TP≧90%(单点);AR=30:1,TP≧80%(单点);AR=40:1,
TP≧70%(单点);(2)铜镀层结晶细致无柱状结晶;(3)电镀液
的使用寿命≧500AH/L。 | 国
内
领
先 | 5G通讯信号或
特殊行业的背
板应用 |
| 6 | 直接电镀
孔金属化
系列产品
的研发 | 7,600,000.00 | 668,892.89 | 2,889,186.70 | 小试
阶段 | 该研发项目旨在目前直接电镀孔金属化产品的基础上,进一
步优化碳孔液和聚孔通系列产品,包括适用 HDI板、软硬结
合板、IC载板的碳孔液产品,适用 HDI板的聚孔通产品,扩
大其在孔金属领域的应用范围。 | 国
内
领
先 | 软板、HDI板
低成本、环保
解决方案 |
| 7 | 载板填盲
孔工艺电
镀铜添加
剂的研发 | 16,900,000.00 | 1,139,964.83 | 7,620,092.46 | 中试
阶段 | 该研发项目旨在对目前公司的直流填孔电镀产品的升级,拓
宽产品的应用场景。研发目标为将 VCP直流填孔电镀产品扩
大应用场景,包括应用在通孔电镀、盲孔填孔共镀工艺中、
X孔填充和直通孔填充,并且在较高的电流密度(2-3ASD)下
进行电镀。 | 国
内
领
先 | 载板 SAP和
MSAP工艺 |
| 8 | 高性能材
料的孔金
属化工艺
的研发 | 27,700,000.00 | 1,258,018.63 | 14,605,357.67 | 中试
阶段 | 目前的 5G高频高速材料主要以进口材料为主,随着 5G市场
的发展,国内很多板材供应商正在不断开发新的 5G材料。
该研发项目旨在研究适用于新型高频高速材料的水平沉铜产
品,主要测试板材为生益科技等公司推出的高频高速基材,
未来还会根据新的高频高速基材的推出进行相关的技术研
究。 | 国
内
领
先 | 5G高频高速
PCB除胶沉铜 |
| 9 | 载板闪蚀
工艺及添 | 10,300,000.00 | 853,982.23 | 4,941,894.08 | 中试
阶段 | 载板线路细小,一般采取 SAP或 MSAP的工艺,需要闪蚀工
序来完成对导电底铜的去除。该研发项目旨在研发适用于载 | 国
内 | 载板 SAP和
MSAP工艺 |
| | 加剂的研
发 | | | | | 板闪蚀的专用电子化学品,能够提高蚀刻液中溶解氧的浓
2+
度,加速 Cu 的再生,提高 ORP值和蚀刻速率,并且能够调
节蚀刻液中溶解氧的浓度,实现蚀刻液 OPR值和蚀刻速率保
持稳定。 | 领
先 | |
| 10 | 不溶性阳
极脉冲电
镀铜添加
剂的研发 | 14,300,000.00 | 1,015,054.50 | 6,149,268.97 | 小批
量测
试 | 目前公司的氧化还原对溶铜技术主要应用在水平电镀上,该
研发项目旨在将氧化还原对溶铜技术应用在 VCP脉冲电镀
上,实现行业技术的突破,主要研发目标包括以下三个方
面:(1)对于高纵横比(AR>15:1)的线路板,在电流密度(4-
5ASD),通过脉冲参数和配方设计,使得通孔的 TP值达到
90%以上。(2)对于低纵横比(AR<8:1)的通孔线路板,实现在
电流密度(5-7ASD)进行生产,大幅度提高生产线产能。 | 国
内
领
先 | 氧化还原对溶
铜技术在 VCP
脉冲电镀上应
用 |
| 11 | 半导体封
装孔金属
化技术的
研发 | 10,000,000.00 | 668,433.71 | 1,097,437.09 | 小试
阶段 | 开发适用于半导体封装用聚合物或玻璃材质转接板的化学沉
铜和电镀铜工艺。实现化学铜在不同基板材料上具有良好的
结合力,镀层均匀性好,粗糙度低;盲孔和通孔填充效果
好,无空心等缺陷。 | 国
际
领
先 | 玻璃和聚合物
基材的转接板
制造 |
| 12 | 锂电铜箔
电镀添加
剂的研发 | 7,000,000.00 | 500,794.76 | 836,737.60 | 小试
阶段 | 开发适用于锂电行业适用的电解铜箔添加剂,在高电流密度
(80ASD)条件下,制得厚度小于 3μm的铜箔,目标极差小于
1μm,延展性大于 5%。 | 国
内
领
先 | 锂电池铜箔行
业 |
| 13 | 新能源电
子专用化
学品的研
发 | 10,000,000.00 | 458,648.79 | 458,648.79 | 小试
阶段 | 开发适用于光伏板线路电镀铜工艺所需的添加剂,电镀后的
线路与基材具有良好的结合力,可以通过 3M胶带测试。同
时栅线形貌更好、栅线宽度更细,线宽可小于 10μm,镀层延
展性大于 20%。 | 国
内
领
先 | 下一代光伏线
路板栅线技术 |
| 14 | 晶圆级封
装互联技
术及添加
剂的研发 | 7,000,000.00 | 589,146.69 | 589,146.69 | 小试
阶段 | 开发适用于玻璃晶圆通孔电镀填充和导通工艺所需的基础镀
液和添加剂,实现低粗糙、高结合力镀层,同时满足玻璃晶
圆厚度>500μm,孔径<100μm规格玻璃通孔 TGV的无孔洞填
充。 | 国
内
领
先 | 玻璃晶圆封装 |
| 合
计 | / | 175,000,000.00 | 11,162,606.59 | 66,563,312.10 | / | / | / | / |
5. 研发人员情况 (未完)