[中报]卓胜微(300782):2024年半年度报告

时间:2024年08月28日 22:05:58 中财网

原标题:卓胜微:2024年半年度报告

江苏卓胜微电子股份有限公司
Maxscend Microelectronics Company Limited



2024年半年度报告
(公告编号:2024-054)




2024年 08月

第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人许志翰、主管会计工作负责人朱华燕及会计机构负责人(会计主管人员)汪燕声明:保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。

本报告中涉及未来计划等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,也不代表公司的盈利预测,能否实现取决于市场状况变化等多种因素,存在较大不确定性,敬请投资者注意投资风险。

公司已在本报告中详细阐述了未来可能发生的有关风险因素,详见“第三节管理层讨论与分析”之“十、公司面临的风险和应对措施”,敬请投资者予以关注。

公司计划不派发现金红利,不送红股,不以公积金转增股本。


目录
第一节 重要提示、目录和释义 ....................................................................................................................................... 1
第二节 公司简介和主要财务指标 .................................................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 .................................................................................................................................................. 10
第四节 公司治理 ....................................................................................................................................................................... 36
第五节 环境和社会责任 ....................................................................................................................................................... 38
第六节 重要事项 ....................................................................................................................................................................... 45
第七节 股份变动及股东情况 ............................................................................................................................................. 49
第八节 优先股相关情况 ....................................................................................................................................................... 54
第九节 债券相关情况 ............................................................................................................................................................ 55
第十节 财务报告 ....................................................................................................................................................................... 56

备查文件目录
(一)经公司法定代表人签名的2024年半年度报告全文及其摘要。

(二)载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人员)签名并盖章的财务报表。

(三)报告期内在中国证监会指定信息披露载体上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

(四)其他相关资料。

公司将上述文件的原件或具有法律效力的复印件置备于公司证券投资部。


释义

释义项释义内容
卓胜美国Lynnian, Inc.
卓胜香港Maxscend Technologies(HK)Limited
卓胜成都成都市卓胜微电子有限公司
卓胜上海卓胜微电子(上海)有限公司
卓胜日本Maxscend Technology JAPAN株式会社
卓胜新加坡Maxscend Technology Singapore Pte.Ltd.
芯卓湖光、芯卓无锡芯卓湖光半导体有限公司
芯卓投资江苏芯卓投资有限公司
汇智投资无锡汇智联合投资企业(有限合伙)
山景股份上海山景集成电路股份有限公司
苏州耀途苏州耀途股权投资合伙企业(有限合伙)
上海馨欧上海馨欧集成微电有限公司
上海合见上海合见工业软件集团有限公司
晟朗微无锡晟朗微电子有限公司
华兴激光江苏华兴激光科技有限公司
上海新硅上海新硅聚合半导体有限公司
报告期2024年1月1日至2024年6月30日
报告期末2024年6月30日
元、万元人民币元、人民币万元
集成电路、芯片、ICIntegrated Circuit,简称IC,将大量元器件集成于一个单晶片上所 制成的电子器件,俗称芯片
射频、RFRadio Frequency,简称RF,一种高频交流变化电磁波的简称,频率范 围在300KHz~300GHz之间
射频前端,RFFERF Front-end,包括发射通路和接收通路,一般由射频功率放大器、射 频滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放大器等芯片组成
射频开关、Switch构成射频前端的一种芯片,主要用于在移动智能终端设备中对不同方向 (接收或发射)、不同频率的信号进行切换处理
射频低噪声放大器、LNALow-Noise Amplifier,简称LNA,构成射频前端的一种芯片,主要用 于通信系统中将接收自天线的信号放大,以便于后级的电子器件处理
天线开关、Tuner射频开关的一种,与天线直接连接,主要用于调谐天线信号的传输性能 使其在任何适用频率上均达到最优的效率;或者交换选择性能最优的天 线信道
射频功率放大器、PAPower Amplifier,简称PA, 构成射频前端的一种芯片,主要用于将发 射通道的射频信号放大,使信号馈送到天线发射出去,从而实现无线通 信功能
射频滤波器、Filter构成射频前端的一种芯片,负责收发通道的射频信号滤波,将输入的多 种射频信号中特定频率的信号输出
双工器、四工器构成射频前端的一种芯片,使得工作在不同频率上的接收和发射通路能 够共享一个天线。它通常由两个或两个以上的带通滤波器并联而成,其 作用是将发射和接收讯号相隔离,保证接收和发射都能同时正常工作, 互不干扰。根据滤波器数量不同,包括双工器、四工器等
低功耗蓝牙、BLEBluetooth Low Energy,简称BLE,使用全球通用频带2.4GHz,能够使 蓝牙设备以更低能耗工作,实现蓝牙设备之间、蓝牙设备和智能手机、 平板电脑等控制器的连接
低功耗蓝牙微控制器芯片将BLE、MCU集成到同一芯片,形成以蓝牙收发射频信号的微控制器
封测"封装、测试"的简称;"封装"指为芯片安装外壳,起到安放、固定、密 封、保护芯片和增强电热性能的作用;"测试"指检测封装后的芯片是否 可正常运作
晶圆Wafer,集成电路制作所用的硅晶片,生产集成电路所用的载体,可加 工制作成各种电路元件结构,由于其形状为圆形,故称为晶圆
FablessFabrication(制造)和less(无、没有)的组合词;一指集成电路市 场中,没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式,通常也被称为 "Fabless模式";也用来指代无芯片制造工厂的IC设计公司,经常被 简称为"无晶圆厂"或"Fabless厂商"
IDMIntegrated Device Manufacturing,简称IDM,是集成电路行业中, 垂直整合制造的模式,包含了芯片设计、晶圆制造、封测等全部芯片制 造环节
Fab-Lite轻晶圆厂的集成电路企业经营模式,是介于Fabless模式与IDM模式之 间的经营模式,即在晶圆制造、封装及测试环节采用自行建厂和委外加 工相结合的方式
4G、5G、5.5G4G,指第四代移动通信技术与标准;5G,指第五代移动通信技术与标 准; 5.5G,5G-A移动通信技术,指增强版5G
MEMSMicro-Electro-Mechanical System,简称MEMS,是加工RF产品的一 种技术
GaAs砷化镓,是第二代半导体材料
CMOSComplementary Metal Oxide Semiconductor,简称CMOS,是制造大规 模射频前端芯片用的一种工艺
SOISilicon-On-Insulator,简称SOI,即绝缘衬底上的硅,该技术是在顶 层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层
SiGe是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的 Ge形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工 艺集成技术
IPDIntegrated Passive Device,简称IPD,集成无源器件
MLC低温共烧陶瓷技术,是以功能材料作为电路基板材料,将电极材料、基 板、电子器件等一次性烧成,是一种用于实现高集成度、高性能的工艺
POI一种用于表面声波(SAW)滤波器的衬底材料,以高阻硅作为基底、中 层为氧化埋层,顶部是一层薄且均匀的单晶压电层
SAWSurface Acoustic Wave,简称SAW。其原理为在输入端由压电效应把 电信号转换为声信号在介质表面传播,在输出端由逆压电效应将声信号 转换为电信号
BAWBulk Acoustic Wave,利用谐振体声波工作,简称BAW。声波在介质内 部传播

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司简介

股票简称卓胜微股票代码300782
股票上市证券交易所深圳证券交易所  
公司的中文名称江苏卓胜微电子股份有限公司  
公司的中文简称(如有)卓胜微  
公司的外文名称(如有)Maxscend Microelectronics Company Limited  
公司的外文名称缩写(如有)Maxscend  
公司的法定代表人许志翰  
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名刘丽琼徐佳
联系地址无锡市滨湖区胡埭工业园刘闾路29号无锡市滨湖区胡埭工业园刘闾路29号
电话0510-851853880510-85185388
传真0510-851685170510-85168517
电子信箱[email protected][email protected]
三、其他情况
1、公司联系方式
公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期是否变化 □适用 ?不适用
公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期无变化,具体可参见2023年年报。

2、信息披露及备置地点
信息披露及备置地点在报告期是否变化
□适用 ?不适用
公司披露半年度报告的证券交易所网站和媒体名称及网址,公司半年度报告备置地在报告期无变化,具体可参见2023年
年报。

3、注册变更情况
注册情况在报告期是否变更情况
□适用 ?不适用
公司注册情况在报告期无变化,具体可参见2023年年报。

四、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
□是 ?否

 本报告期上年同期本报告期比上年同期 增减
营业收入(元)2,284,703,558.091,665,264,606.5437.20%
归属于上市公司股东的净利润(元)354,367,235.55366,551,070.50-3.32%
归属于上市公司股东的扣除非经常性损 益的净利润(元)353,995,089.37366,553,653.06-3.43%
经营活动产生的现金流量净额(元)-288,880,677.87968,809,466.66-129.82%
基本每股收益(元/股)0.66370.6867-3.35%
稀释每股收益(元/股)0.66260.6855-3.34%
加权平均净资产收益率3.55%4.13%-0.58%
 本报告期末上年度末本报告期末比上年度 末增减
总资产(元)13,126,560,715.2210,957,700,894.9019.79%
归属于上市公司股东的净资产(元)10,101,196,553.539,802,924,940.553.04%
五、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

六、非经常性损益项目及金额
?适用 □不适用
单位:元

项目金额说明
非流动性资产处置损益(包括已计提资产减值准备的冲销部分)2,766,235.89出售固定资产
计入当期损益的政府补助(与公司正常经营业务密切相关、符合国 家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损益产生持续影响的政 府补助除外)965,648.20取得的政府补助
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,非金融企业持 有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益以及处置金融资产 和金融负债产生的损益1,119,838.55远期结售汇取得的投资收益
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份支付费用-481,077.90股权激励放弃行权
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-3,933,884.63企业对外公益捐赠等支出
减:所得税影响额64,613.93 
合计372,146.18 
其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况:
□适用 ?不适用
公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益
项目的情况说明
□适用 ?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为
经常性损益的项目的情形。


第三节 管理层讨论与分析 一、报告期内公司从事的主要业务 (一)主营业务 公司是江苏省高新技术企业,专注于射频集成电路领域的研究、开发、生产与销售,主要向市场提供射频开关、射 频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品解决方案,同时公司还对外提供低 功耗蓝牙微控制器芯片。公司射频前端分立器件和射频模组产品主要应用于智能手机等移动智能终端产品,客户覆盖全 球主要安卓手机厂商,同时还可应用于智能穿戴、通信基站、汽车电子、蓝牙耳机、VR/AR设备及网通组网设备等需要 无线连接的领域。公司低功耗蓝牙微控制器芯片主要应用于智能家居、可穿戴设备等电子产品。 公司在射频领域拥有多年的技术积累,一直积极投入研发创新与资源布局,专注提高核心技术竞争力。目前,公司 正全力推进自有完整生态链的建设,整合设计、研发、工艺、器件、材料和集成技术等资源优势,打造射频“智能质造” 资源平台。 依托长期以来的技术积累和竞争优势,公司将持续夯实在射频领域的布局,在保持并深入拓展手机等移动智能终端 领域的同时,深入挖掘通信基站、汽车电子、网通组网设备、物联网等应用领域的市场机会。公司坚持自主研发核心技 术与资源平台建设,随着5G通信技术的发展,公司已成为国内少数对标国际领先企业的射频解决方案提供商之一。 1、射频前端芯片
(1)移动通信
1)分立器件
1射频开关
传导开关
射频传导开关的作用是将多路射频信号中的任一路或几路通过控制逻辑连通,以实现不同信号路径的切换,包括接
收与发射的切换、不同频段间的切换等。公司的射频传导开关产品的主要种类有移动通信传导开关、WiFi开关等,采用
RF SOI的材料及相应工艺,广泛应用于智能手机等移动智能终端。

天线开关
天线开关是射频开关的一种,与天线直接连接,主要用于调谐天线信号的传输性能使其在任何适用频率上均达到最
优的效率,或者交换选择性能最优的天线信道。公司的天线开关根据功能的不同,分为天线调谐开关、天线调谐器、天
线交换开关等,主要采用RF SOI的材料及相应工艺,广泛应用于智能手机等移动智能终端。

2射频低噪声放大器
射频低噪声放大器的功能是把天线接收到的微弱射频信号放大,尽量减少噪声的引入,在移动智能终端上实现信号
更好、通话质量和数据传输率更高的效果。公司的射频低噪声放大器产品,根据适用频率的不同,分为全球卫星定位系
统射频低噪声放大器、移动通信信号射频低噪声放大器、电视信号射频低噪声放大器、FM调频信号射频低噪声放大器等。

上述射频低噪声放大器产品采用 SiGe、RF CMOS、RF SOI、GaAs等材料及相应工艺,主要应用于智能手机等移动智能终
端。

3射频滤波器
射频滤波器的作用是保留特定频段内的信号,将该频段外的信号滤除,从而提高信号的抗干扰性及信噪比。公司滤
波器产品根据应用场景的不同,分为用于卫星定位系统的GPS滤波器、用于无线连接系统前端的WiFi滤波器、适用于移
动通信的滤波器等,公司现阶段主要采用SAW、IPD等工艺,上述产品主要应用于智能手机等移动智能终端。

4射频功率放大器
射频功率放大器的作用是把发射通道的射频信号放大,使信号馈送到天线发射出去,从而实现无线通信功能。公司
目前推出的射频功率放大器产品,主要采用GaAs材料及相应工艺实现,主要应用于移动智能终端。

2)射频模组
射频模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上功能的分立器件集成为
一个模组,从而提高集成度与性能并使体积小型化。射频模组根据集成方式的不同可分为不同类型不同功能的模组产品,
公司的射频模组产品包括 DiFEM(接收模组,集成射频开关和滤波器)、L-DiFEM(接收模组,集成射频低噪声放大器、
射频开关和滤波器)、GPS模组(集成射频低噪声放大器和滤波器)、LFEM(接收模组,集成射频开关、低噪声放大器和
滤波器)、LNA BANK(接收模组,集成多个射频低噪声放大器和射频开关)、L-PAMiF(主集收发模组,集成射频功率放大
器、射频开关、滤波器、低噪声放大器)等。其中DiFEM、L-DiFEM、GPS模组适用于sub-3GHz频段,LFEM和L-PAMiF适
用于 sub-6GHz频段,LNA BANK在 sub-3GHz与 sub-6GHz频段皆有相适应的产品,上述射频模组产品主要应用于移动智
能终端。

(2)无线连接
1)WiFi连接模组
WiFi前端模组(WiFi FEM)是将 WiFi射频功率放大器、射频开关、低噪声放大器等以多种组合方式集成为一个模组,用于无线信号发射和接收,实现 WiFi数据传输。公司的 WiFi前端模组产品主要应用于移动智能终端及网通组网设
备。

2)蓝牙前端模组
蓝牙前端模组(BT FEM)主要用于蓝牙无线系统前端,位于蓝牙 SoC芯片和天线之间。蓝牙前端模组根据系统需求
架构形式集成射频功率放大器、射频低噪声放大器、射频开关,用于提高蓝牙的发射功率或者提升接收灵敏度。公司目
前推出的蓝牙前端模组产品主要应于物联网及其他通讯系统,如蓝牙耳机、VR/AR设备等。

2、物联网芯片
低功耗蓝牙微控制器
低功耗蓝牙微控制器芯片是将 BLE射频收发器、存储器、CPU和相关外设集成为一颗芯片,形成具有蓝牙收发射频信号功能的微控制器。低功耗蓝牙微控制器芯片采用无线连接方式,使其能够快速接入手机、平板、电视等智能终端,
实现数据共享和智能控制。公司的低功耗蓝牙微控制器产品主要应用于智能家居、可穿戴设备、无线充电等领域。

报告期内,公司采用Fab-Lite经营模式,是垂直一体化经营和Fabless并行的方式,开展关键技术和工艺的研发及 产品的产业化生产,形成从研发设计、晶圆制造、封装测试到销售的完整生态链。Fab-Lite经营模式能够全面提升公司 协同能力,加强对产业链各环节的自主控制能力,从新产品技术和工艺的开发、产业链协同、产品交付等角度全面提升 竞争力,不断巩固在射频前端芯片领域的影响力。 研发方面,公司产品均为自主研发,并结合市场需求、技术发展趋势等,提前布局技术发展方向,同时凭借研发团 队的丰富经验建立了切实有效和完善的新产品开发管理流程。公司从产品定义的阶段就着眼于国内领先、国际先进的定 位,用国际化标准引领产品研发流程的各个阶段。 生产方面,公司产品在生产过程中,采用委外和自主生产相结合的模式。针对代工产业链资源较为完善的产品采用 委外生产,公司只从事集成电路的研发、设计和销售,其余环节分别委托给晶圆制造商和封装测试厂完成;对于工艺技 术、定制化、差异化要求较高的产品,公司采用自主生产的方式。 销售方面,公司通过直销和经销的销售模式对公司产品进行推广,既能够及时了解大型客户需求并针对性提供产品 与服务,又能够提高对中小型客户的服务效率,从而不断扩大客户群体,提升品牌知名度与市场竞争力。 (三)业绩驱动因素
公司2024年上半年度实现营业收入22.85亿元,较去年同期增长37.20%,归属于上市公司股东的净利润3.54亿元,较去年同期减少3.32%。

报告期内,公司借助高效资源平台业务模式,把握市场机遇,在不断巩固并提升原有优势产品市场份额的同时,积
极扩大射频模组产品的市场开拓力度,其中滤波器模组在产品中成长速度位居第一,是公司业绩增长的根本驱动因素。

报告期内射频模组占总营收比例已达到42.29%,其占比预计将在未来持续增长。

在快速变化的市场环境中,创新是公司稳步增长的动力源泉。公司汇聚核心资源布局发射端 L-PAMiD模组产品的技
术研发和市场推广,在报告期内已取得一定进展,该产品系列已在部分品牌客户验证通过。公司将进一步发挥已建立起
的品牌等各方面协同的优势,打造射频全产品线覆盖,提升高端产品的渗透率,强化公司的核心竞争力。

近年来,公司坚持高价值化、长期的发展道路,始终专注于资源平台的打造,助推更先进的技术和工艺能力升级迭
代,实现产品快速迭代和持续交付,同时加速对高集成度、复杂度的模组产品的布局,形成发展战略闭环,为未来引领
射频行业形态和竞争格局奠定基石。

1、集成电路行业发展格局 (1)集成电路行业整体发展格局 集成电路作为信息技术产业的基础和核心,是关系国民经济和社会发展的战略性、基础性、先导性产业,已成为电 子工业时代迈向数字时代的重要驱动。大力发展集成电路产业是拉紧中国经济发展、国家技术创新能力和国际市场竞争 力共同纽带的重要路径。在当前通信技术日新月异的时代背景下,消费电子产品的广泛普及、汽车电子的智能化转型、 工业智能控制的深入应用,以及计算机技术的持续革新,共同编织了一幅多元化发展的图景。尤其是 5G通信、AI、IoT、 VR/AR以及高性能计算等新兴技术的爆发式增长,正以前所未有的速度拓展集成电路产业的智能化边界,为行业注入了 无限活力与可能。展望未来,我国集成电路产业在巩固并强化基础技术支撑的同时,将更加注重与智能化技术的深度融 合,通过技术迭代与应用创新的双重驱动,加速实现产业自主可控的战略目标。 2024上半年,全球宏观经济增长放缓,全球经济发展的复杂性、不确定性上升。在科技与产业技术革命的双重驱动 下,集成电路产业迈入一个崭新的历史阶段,同时承载着应对严峻挑战的考验与把握无限机遇的潜能。据世界半导体贸 易统计组织(WSTS)统计和预测,2023年全球半导体市场规模达到5,268亿美元,2024年全球半导体市场规模预计将上 升至5,884亿美元。 一直以来,中国都是集成电路的进口大国,据海关总署的统计数据,在产业政策和不断投入的产业资源的背景下, 2024年上半年,集成电路进口金额为12,721.71亿人民币,同比增长14.4%,出口金额为5,427.44亿人民币,同比增长 25.6%,间接反映我国集成电路产业在各种错综复杂的挑战下,不断突破重围,研发及制造能力的提升成效初显。未来, 我国集成电路产业必将持续发力,加快自主可控进程,逐步降低对外依赖度。 数据来源:世界半导体贸易统计组织 (WSTS)
(2)集成电路设计发展格局
集成电路设计旨在根据终端和市场需求提供各种芯片产品的设计解决方案,是推动集成电路产业发展的关键因素,
也是构建集成电路完整产业生态链的基础。随着 5G、人工智能、物联网、新能源汽车等领域的高速迭代,终端应用对高
性能、低功耗芯片的设计需求日益增长。我国集成电路产业起步较晚,但凭借着对技术的不懈追求和对市场的敏锐洞察,
已逐渐从跟跑者转变为并跑者,甚至在部分领域实现了领跑。国内企业在集成电路设计领域取得的显著成就,不仅体现
在技术实力的飞跃上,更在于对市场需求的精准把握与快速响应。面对未来新兴领域产品性能的多元化以及自主可控的
迫切需求,国内企业将充分利用积累的设计经验,结合技术迭代创新,进一步强化集成电路设计产业与终端需求的黏附
性,夯实集成电路设计产业生态链的基础。我国集成电路设计业正处于稳健增长阶段,在全球半导体行业市场地位也将
不断稳固。

(3)集成电路制造行业发展格局
集成电路制造在集成电路产业中扮演着至关重要的角色,它代表了国家高端制造业的发展水平。作为推动国家信息
化与工业化融合的核心组成,集成电路制造产业对产业结构的健康、可持续和国家安全具有重大意义。集成电路制造业
主要包括标准代工模式和 IDM模式两种运作模式。标准代工模式的企业只负责芯片的制造,不涉及设计,以通用工艺为
主,可以同时为多家设计公司提供服务,从而实现规模化经济效应。IDM模式指垂直整合制造模式,其业务范围涵盖从
集成电路产品设计、方案研发到晶圆制造、封装测试等产业链上的各个环节。IDM模式的主要优势在于企业能够根据市
场需求快速响应,完全自主整合内部资源并达到最优;同时产品设计与工艺演进深度结合,形成自主的生产支持,满足
差异化、定制化的需求,积极快速布局合理化、灵活化的产品。

以射频前端产业为例,其所需芯片以对技术节点演进不敏感的特色工艺为主,需要投入大量的研发资源配合快速高
效的定制化开发和技术迭代,对制造与设计的能力和资源紧密配合的要求极高。多年来,海外头部射频企业凭借其卓越
的研发、创新和制造能力,几乎垄断了射频前端产业全球市场份额。

中国拥有全球最大的半导体市场和最大的市场内需,而与之形成鲜明对比的是我国集成电路生产制造积淀薄弱,进
口额远高于出口额,高端产品的自给率极低。近年来,国际技术壁垒和政治情势诡谲多变,中国也针对性地出台了一系
列集成电路产业法律法规和产业政策,推动了集成电路制造产业的高效发展。

2、集成电路行业政策法规
集成电路产业作为推动科技革命和产业变革的关键力量,为国家信息化建设和信息安全提供了坚实屏障,有效推动
了国民经济和社会进步的健康、可持续发展。当前,国际地缘政治紧张局势加剧的大环境下,集成电路产业全球化生态
的不稳定性与日俱增。在这一时代背景下,集成电路产业的自主可控以提升产业生态的抗风险能力已上升至国家战略层
面。


时间发布单位政策主要内容
2020年国务院《新时期促进集成电路产业 和软件产业高质量发展的若 干政策》明确“凡在中国境内设立的集成电路企业和软件企业, 不分所有制性质,均可按规定享受相关政策。鼓励和倡 导集成电路产业和软件产业全球合作,积极为各类市场 主体在华投资兴业营造市场化、法治化、国际化的营商 环境。”
2021年两会《“十四五”规划纲要和 2035年远景目标纲要》提出健全我国社会主义条件下新型举国体制,打好关键 核心技术攻坚战,推进科研院所、高校、企业科研力量 优化配置和资源共享
2022年国务院《2022年国务院政府工作 报告》要促进数字经济发展培育壮大集成电路、人工智能等数 字产业
2023年财政部、税务总局《关于集成电路企业增值税 加计抵减政策的通知》提出集成电路企业增值税加计抵减政策以促进集成电路 产业高质量发展
2024年国家发展改革委、 工信部 、财政 部、 海关总署、 税务总局《关于做好2024年享受税 收优惠政策的集成电路企业 或项目、软件企业清单制定 工作有关要求的通知》旨在降低集成电路企业、软件企业的运营成本,促进其 健康发展
为解决国家经济发展和产业瓶颈问题,多年来,国家从税收优惠、技术创新、人才培养、产业集群等出台了多项助
力政策,多方位推动集成电路行业的持续健康发展。
3、行业周期性特点
集成电路产业具有资本投入和技术需求密集的特点,其具有鲜明的周期性特征。首先,产品的生命更迭周期是影响
产业周期的重要因素之一。此外,宏观经济波动、技术发展、产品创新周期、上游产能供需以及下游应用市场的波动会
对行业周期产生影响,而近年来产业链库存的结构性变化对周期性影响较为明显。以射频前端芯片这一产业重要组成元
素为例,其最常见且最具代表性的终端应用就是智能手机(移动智能终端中普及率最高、形态最多元、需求量最大的产
品)。节假日中智能手机的消费会传导至产业上游,导致产业及相关生态出现季节性波动且早于终端的智能手机的季节性
波动。

2024上半年,受到终端库存结构性变化、库存策略调整、宏观经济无规律性变动等多重因素的影响,射频前端行业
整体波动幅度及周期性趋于弱态。

4、公司所处的行业地位
凭借多年的产业技术积累、前瞻性的资源布局、不断完善的产品体系、卓越的产品质量控制及安全高效的供给能力,
卓胜微逐步打造出良好的市场品牌,形成了一定的技术和成本优势,持续拓展了市场和客户渠道,并赢得了市场的高度
认可。也正是这些坚持不懈的努力,使得公司成长为国内集成电路产业在射频前端细分领域中业务较为全面、综合能力
较强、产业链布局最为领先和完整的企业之一。公司是国内率先采用Fab-Lite经营模式的射频厂家,通过自建产线,统
筹布局射频前端产品的设计研发和制造,突破国际头部企业的市场垄断,在国内外的竞争中脱颖而出,成为射频行业的
主要竞争者之一。

在持续强化公司长期以来建立的综合优势的同时,卓胜微积极推动芯卓半导体产业化项目建设,构建关键产品和工
艺的智能制造能力,打造集设计、研发、工艺、器件、材料和整合优化等技术于一体的“智能质造”资源平台。公司依
托自建产线的滤波器产品在品牌客户端逐步放量,市场占有率持续提升,自有资源平台的优势日益凸显。同时公司正加
速高端模组产品的市场推广进程,其将成为未来公司向上突围、实现从“点”到“面”发展的关键驱动力

5、行业竞争格局
射频前端器件是通信系统的关键组成,全球射频前端市场较为集中,主要市场份额被国外领先大厂所占据。射频前
端领域设计及制造工艺技术门槛较高,一方面,国际领先企业起步较早,底蕴深厚,在技术、专利、工艺等方面积累了
资本、人才等竞争优势,同时通过一系列产业整合拥有完善全面的产品线布局,具备雄厚的高端产品研发实力。随着通
讯领域的快速发展和5G的兴起,全球半导体器件头部供应商通过不断整合并购,谋求产业链优化,并利用规模优势获取
更低的制造成本和更多的市场话语权。另一方面,大部分国际厂商以 IDM模式经营,拥有设计、制造和封测的全产业链
能力,建立了完整的生态链和森严的技术壁垒,长期垄断市场并主导技术的发展。而国内射频前端行业起步时间较晚,
技术水平、经验储备等与国外发达国家之间有着较大差距。

国内射频前端产业受益于国家政策环境、供应链多元化红利及资本热潮的驱动,近几年涌入了大量行业新进者,在
部分技术门槛较低且同质化严重的中低端射频前端产品领域,本土竞争日趋激烈。其间,也不乏国内同行业公司抓住机
会迅速扩大自身规模,不断加快和提高新产品研发速度与能力,持续推出具有高可靠性、高集成度、高性能的新产品,
以满足市场对高端应用的需求。规模更大、产品线更完善的企业将得到更高的客户认可度,将推动企业产品往更高端的
产品演进,从而提升企业核心竞争力,形成良性循环。产业健康可持续发展的需求也促进了国内射频前端市场正逐步向
具备创新技术实力、品牌效应的公司聚焦,行业分化逐步明晰,竞争格局初步形成。同时,随着行业向集中化发展,本
土射频前端企业通过产品的升级迭代和产品线的深化拓宽,逐步完善产品布局,加剧了市场竞争的激烈程度。

展望未来,在新技术不断涌现满足多变的市场需求和必要的供应链自主可控需求的双驱动下,国内射频前端厂商被
要求以更迅速的产品升级迭代和更高效的产品矩阵调整来响应多变的市场需求。国内企业唯有在新技术、新产品及资源
建设等方面规模化持续投入,在战略上进行前沿布局,构建具有自主发展能力和核心竞争力的壁垒,才能从激烈的国际
竞争中脱颖而出,逐渐靠拢行业领先企业。

(五)下游应用领域宏观需求趋势
全球智能手机需求趋势
射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部分,而智能手机是移动智能终端中普及率最高、形态最多元、需求
量最大的产品。近年来,通信技术发展驱动手机不断迭代升级,智能手机功能日益强大,逐步向性能多元化、外型轻薄
预测,2024年第二季度全球智能手机出货量为2.88亿部,同比上升12%;2024年全球智能手机出货量预计为11.7亿部。 在手机性能和显示技术精密融合发展及需求端对大尺寸机型体验感和科技感渴望的双重背景下,折叠屏手机逐渐成 为智能手机趋势性新亮点和新抓手。根据TrendForce统计显示, 2024年全球折叠屏智能手机预估出货量约为1,770万 部,同比增长11%。与此同时,智能手机市场将面临着新的变革,在这场变革中,AI技术的崛起成为推动行业发展的新动 力。根据IDC统计显示,2024年AI手机出货量将达到1.7亿部,占智能手机市场的近15%。 中国依然是手机需求量较大的一块市场,据中国信通院数据显示,2024年 1-6月,国内市场手机总体出货量累计 1.47亿部,同比增长13.2%,其中,5G手机出货量1.24亿部,同比增长21.5%,占同期手机出货量的84.4%,我国手机 市场已基本完成向5G过渡。 2024上半年,随着新技术进一步创新与发展、消费电子需求逐步释放,智能手机市场需求较去年同期有了一定的改 善。未来通信技术的不断升级及消费者需求的不断变化,下游智能终端产品的多样化将进一步推动射频前端芯片市场的 发展。 2019Q1-2024Q2手机市场规模 单位:百万台 数据来源:Canayls
(六)公司主要产品市场发展趋势
1、射频前端芯片技术发展趋势
(1)通过设计、工艺、材料、器件等升级迭代,实现更高的性能
作为模拟电路中应用于高频领域的一个重要分支,射频前端的技术升级主要依靠设计与制造工艺的结合。射频前端
器件采用特殊制造工艺,工艺壁垒较高,行业中普遍采用的器件材料和工艺平台包括RF CMOS、RF SOI、GaAs、SiGe、
SAW以及压电晶体等,逐渐出现的新材料工艺还有 GaN、MEMS等,行业中的各方参与者需在不同应用背景下,寻求材料、
器件和工艺的最佳组合,以提高射频前端芯片产品的性能。


产品类型主流材料工艺
射频开关RF SOI、RF CMOS、GaAs、MEMS等材料和工艺
射频低噪声放大器RF CMOS、SiGe、RF SOI、GaAs等材料和工艺
射频滤波器SAW、BAW、IPD、MLC等材料和工艺
射频功率放大器GaAs、RF CMOS、GaN、SiGe等材料和工艺
随着通信技术升级,通信应用越来越广泛,对射频前端芯片的需求也日益丰富。除工艺和材料以外,仅从器件和设
计在产品性能上演进空间有限,产品的成熟度和成本有更高的需求。然而,移动终端设备内部留给射频前端芯片的空间
一直以来在逐渐减少,为满足移动智能终端小型化、轻薄化、功能多样化的需求,射频前端芯片正逐渐走向集成模组化。

同时,射频前端方案也在不断的进行递进式更新,驱动了射频前端器件向高集成度、低成本方向发展。如何在更小的尺
寸上集成更多器件同时成本更低会是未来射频前端行业明确的演进需求,这将为射频前端行业带来更多创新技术和发展
趋势。

(3)新技术和新应用的出现推动定制化、差异化布局
射频前端行业正迎来更多发展机遇和可能性,包括5.5G及6G通信技术的接踵而至、卫星通信领域的逐步探索、终端机型轻量化、多元化的快速变化及为射频前端行业量身打造的“PhaseX”方案的不断演进等。不同的终端逐步开始对
外观设计、性能要求和成本有差异性的诉求。如何通过不同的技术路径更合理的实现相同的功能会加剧不同射频前端厂
商之间性能和成本的差异。与过去更多的同质化竞争相比,部分射频前端厂商通过战略性布局搭建产线,更深入地掌握
核心技术和生产工艺,减少对外部供应链的依赖;在产品设计和制造上拥有自主权的基础上,更高效地响应市场需求和
技术变化,加速产品的迭代升级并满足客户多样化需求并定制化设计生产、提供差异化产品和服务。

2、射频前端市场发展趋势
(1)市场竞争加剧、强化壁垒成为射频前端行业发展大势
射频前端芯片技术,由于其高难度和长研发周期,对企业提出了巨大的挑战。这不仅需要企业具备强大的技术创新
能力,还需要具备雄厚的资金实力和一流的人才储备。随着市场竞争的加剧,全球射频前端市场正逐渐走向集中。然而,
与国际领先企业相比,国内企业在技术积累、产业环境、人才培养和创新能力等方面仍存在明显差距。这使得国外射频
前端领先企业能够凭借其技术优势和产业化经营优势,占据更多的市场话语权。当前,全球射频前端芯片行业已经形成
了成熟的产业链,这无疑会增加行业壁垒,并进一步提高该领域的技术和资本密集度。对于国内企业而言,要想在激烈
的竞争中脱颖而出,必须不断提升自身的技术创新能力、资金实力和人才素质,以应对行业发展的挑战。

(2)供应链自主可控成为射频前端产业发展动力
射频前端对通信行业发展至关重要,而目前全球射频前端芯片市场集中度较高,国内自给率较低。从市场需求上而
言,5G技术的快速渗透普及以及应用领域拓展,市场对高性能射频前端产品的需求正迅速扩大,这让国内厂商看到了机
会。面对全球政治环境的不确定性,能够自主控制关键核心技术的供应链显得尤为重要,为国内射频前端芯片厂商的突
围破局提供助力。

根据Yole Development的统计与预测,2022年移动终端射频前端市场为192亿美元,到2028年有望达到269亿美元,2022-2028年年均复合增长率将达到5.8%。其中发射端模组市场规模预计122亿美元,接收端模组预计45亿美元,
分立滤波器预计30亿美元,分立传导开关预计9亿美元,天线开关预计19亿美元,分立低噪声放大器预计12亿美元。

数据来源:Yole Development
(七)报告期内公司的主要经营情况
近年来,受国际地缘政治冲突、经济增速放缓、市场竞争激烈等宏观因素的影响,全球乃至国内半导体市场面临较
大压力,公司所处的射频前端芯片细分领域亦受大环境影响,周期性变化趋势减弱。

依托芯卓半导体产业化项目的有序量产及特色工艺,公司滤波器模组产品进入收获期。报告期内,公司加大滤波器
模组产品的市场推广力度,逐步提升高性能产品在品牌客户端的渗透率与市场份额,射频模组销售占比攀升至 42.29%,
创下有史以来最高比例,且未来仍有持续增长的空间。公司坚定以特色工艺的迭代来提升竞争力,以资源平台建设重新
定义业务结构,以多维度发展推进客户战略,为未来营收增长创造新动力

公司保持既定的发展战略和经营计划,报告期内,公司实现营业收入 22.85亿元,同比增长 37.20%。归属于母公司
股东的净利润 3.54亿元,同比减少 3.32%。重点开展的工作及经营成果如下: 1、持续加大研发投入,增强核心技术壁垒
在快速演进和不断变革的半导体产业中,技术创新是公司保持长期竞争力的关键。一方面,公司追求高价值化、差
异化、成本化的深度布局,聚焦高端模组产品的研发设计及工艺能力,夯实公司在行业内的核心竞争力;另一方面,公
司投入大量研发资源配合资源平台构建产品和工艺的智能制造能力,进行快速高效的特色化开发和技术迭代,拓展自主
可控的制造能力,全力推进自有完整生态链的建设。

报告期内,公司研发投入 49,297.01万元,较上年同期增长 94.22%,研发支出占营业收入比重为 21.58%,高于去年
同期 6.34%。加大研发投入不仅是公司追求技术进步的需要,更是确保公司在激烈的市场竞争中处于领先地位的战略选
择。

2、资源平台优势凸显,着重发力高端市场
公司依托自建产线,在特色工艺、材料、技术、差异化等方面持续拓展。近年来公司战略的重心会始终放在全面打
造射频前端领域资源平台,力求在资源、产品及市场等方面取得突破,实现从分散的“点状规划”向整合的“面状布局”

迈进,旨在将公司的产品和技术的领先优势转化为资源和平台的优势。

(1)6英寸滤波器晶圆生产线
目前公司 6英寸滤波器晶圆生产线已具备较为完整的生产制造实力,可迅速适应市场需求的变化和技术发展趋势,
基本覆盖低、中、高端全类型的产品形态,满足客户的多元化、差异化的需求。6英寸滤波器产线的产品品类已实现全
面布局,具备双工器/四工器、单芯片多频段滤波器等分立器件的规模量产能力,同时集成自产滤波器的 DiFEM、L-
DiFEM、GPS模组等产品已成功导入多家品牌客户并持续放量。截至报告期末,6英寸滤波器晶圆生产线自稳定规模量产
以来实际发货已超过10万片。

报告期内,公司对集成 6英寸滤波器晶圆生产线自产 MAX-SAW的 L-PAMiD(主集收发模组,集成射频低噪声放大器、
射频功率放大器、射频开关、双工器/四工器等器件的射频前端模组)产品性能、工艺和技术不断优化和迭代,目前已达
到行业主流水平。截至报告期末,该产品系列已在部分品牌客户验证通过。公司针对 L-PAMiD产品的研发覆盖全频段,
将逐步丰富产品型号,持续布局高价值化的产品矩阵,形成产品战略闭环。

公司将利用资源平台快速迭代的优势,配合 L-PAMiD产品的持续优化,以更加灵活和迅速的方式响应客户需求,从
而加速产品的市场化进程。未来公司将以此高端产品为发力点,深耕向高端应用领域,持续提升品牌影响力和市场占有
率。

(2)12英寸晶圆生产线
射频前端高性能模组产品的不断推陈出新与先进工艺架构及器件的支撑迭代紧密相关,在 IDM的经营模式下,进行
快速高效的生产制造能力的工艺、器件、材料开发和技术迭代,是构建技术壁垒并形成竞争优势的最高效途径。因此,
公司着力构建先进射频前端芯片及模组的产研能力和先进架构,集聚平台化资源为客户创造价值,为未来拓展更多的产
品品类和行业应用领域提供了更多的可能性。

报告期内,公司12英寸IPD平台已正式进入规模量产阶段,L-PAMiF、LFEM等相关模组产品中采用自产IPD滤波器的比例已达到较高水平。

截至报告期末,公司 12英寸射频开关和低噪声放大器的第一代工艺生产线已实现工艺通线,并于 2024年第二季度
进入量产阶段,产能开始持续爬坡,公司将结合市场需求情况和技术演进趋势合理规划产能爬坡节奏。公司12英寸射频
开关和低噪声放大器的工艺生产线产品应用形式包含分立器件和在模组集成器件,截至报告期末,自产的射频开关已实
现量产出货,后续将逐步扩展到其他类型产品。该类产品于报告期内在客户端逐步放量提升,已覆盖多家品牌客户以及
绝大部分ODM客户。
与此同时,公司正在建设高端先进模组技术能力,通过3D堆叠封装形式实现更好的性能和面积优势,产品已经进入
验证阶段。

外部代工厂通常是标准化的通用工艺,在这种模式下通过设计优化以提升产品性能的演进空间有限。把标准化供应
牵引到定制化工艺,将研发设计与工艺研发紧密联动,从而更缩短研发周期,更高效地提升产品性能,降低生产成本,
最终达成公司产品快速迭代需求及模组化、系统化的高端产品规划。公司将在维持现有供应链稳定的基础上,抓住快速
变化的市场需求,聚焦于射频前端芯片特色工艺平台建设,拓展射频产品的工艺与自主可控的制造能力,并进一步强化
模组化和系统化的解决方案,构建安全稳定并具有竞争优势的射频前端产品线。

3、提升精细化管理水平,实现推行降本增效
随着晶圆制造能力的逐步完善,公司已站在一个新的发展阶段的门槛上,降本增效是制造型企业实现高质量发展的
重要途径。报告期内,公司持续完善运营体系,高度重视生产过程中各环节的成本控制,致力于提高生产效率和资源利
用率,确保效率与良率的双提升,打造高效生产流程。此外,公司推行成本管理,强化公司上下全员成本意识,围绕优
化管理模式、节能降耗、强化供应链管理、优化组织结构等多维度出发,着力提质降本增效,推动高质量发展,提高抵
御市场风险的能力。

未来公司会持续推动精益与高效运营,深入挖掘提升质量与效率的潜力,探索一条实现公司利益最大化的发展之路。

二、核心竞争力分析
(一)研发优势:创新驱动前行,紧跟技术前沿
研发和创新是集成电路企业发展的核心驱动力之一。公司自设立以来积极投入研发与创新,专注于提高核心竞争力,
通过不断创新及自主研发,公司逐步掌握了具有领先优势的技术,加速布局上下游产业链,紧跟国际一流企业技术创新
步伐。通过不断创新及自主研发,公司产品覆盖 RF CMOS、RF SOI、SiGe、GaAs、IPD、SAW、压电晶体等各种材料及相
关工艺,可以根据市场及客户需求灵活地提供不同产品。

公司在射频领域具有丰富的技术储备,已在射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器、WiFi蓝
牙、射频模组产品以及封装结构等领域形成了多项发明专利和实用新型专利,这些专利是公司产品竞争优势的有力保障,
同时也为公司保持产品创新奠定了技术基础。截至本报告期末,公司共计取得 132项专利,其中国内专利 130项(包含
发明专利 77项)、国际专利 2项(均为发明专利);21项集成电路布图设计。持续、稳定的研发投入保证了公司自身
的研发设计能力和在技术上的领先优势。

公司积极探索产、学、研相结合的新形式,不断深化与各类院校的合作,与全国多所院校建立了长期稳定的合作关
系,合作建立创新基地,形成以市场为导向、以产业为抓手、以研发为支撑的技术创新机制。为了更好地把握市场动态,
公司密切跟踪行业技术演变和发展趋势,对行业进行深度调研,探索公司未来发展方向。公司新产品的开发趋向高端化、
复杂化,通过新设计、新工艺和新材料的结合,持续、稳定地投入研发,保证了公司自身的研发设计能力和在技术上的
积累和演进。基于深厚的技术积累和完整的专利体系,公司能够积极顺应通信技术的变革,快速推出适应最新通信技术
的产品,提升公司产品的市场竞争力。

(二)产品优势:产品布局日益完善,聚焦差异化产品研发创新
经过多年经营实践的积累和持续的新产品研发,公司射频前端产品系列日益丰富,应用领域不断拓宽。产品类型从
分立器件到射频模组逐步丰富;产品应用领域从智能手机向通信基站、汽车电子、蓝牙耳机等领域拓展;产品工艺从单
一的成熟工艺到参与研发先进工艺,以及到多种材料与工艺的结合;业务模式从仅参与供应链中的设计研发到设计研发、
晶圆制造及封装测试的全产业链参与。公司在技术研发、产品布局、应用领域、资源平台建设等方面持续创新和布局。

同时,公司研发技术水平的不断提升加快了新产品的研发和迭代速度,提升了公司产品的差异化水平,从而为全面地覆
盖并响应客户不同的需求,夯实产品的核心竞争力。公司当前的规划是为未来的全面布局和发展蓄力,为公司下一阶段
盈利能力的提升和可持续发展奠定扎实的基础。

(三)人才优势:汇聚行业精英队伍,广纳国内外优秀人才
卓越的人才团队是公司获得持续、快速发展的最核心要素。公司的管理团队拥有丰富的行业从业经验和专业的技术
能力,具有高度协同力和凝聚力,是一支具备国际化视野的专业管理团队。公司的技术团队由创始人带领,他们均于国
内外一流大学或研究所取得高等教育学位,并曾供职国内外知名的芯片厂商,具备优秀的技术能力和丰富的产品开发经
验,以其卓越的创新能力带领技术团队引领行业潮流。

经过多年在射频前端应用领域的深耕与积累,公司已建立了一支稳定高效、自主创新、拥有成熟完善管理体系的专
业团队,涵盖了技术研发、市场销售、生产运营、品质管理、财务管理、制造工艺等各个方面,将人才优势变为发展优
势,提高公司的竞争力和可持续发展能力。同时,公司高度注重人才的发掘和培养,推进人才引进工作,吸引了全国各
地优秀高校学子的加盟,引进了多名国内外高层次人才,形成了面向长远的人才梯队。随着人才梯队建设不断完备,截
至报告期末,公司 30岁及以下人数占比 78.47%,公司以才聚才,培植产业发展“生力军”;同时,新生代的创新能力
与活跃思维不断碰撞,为产业孕育新质生产力,也为公司未来走可持续发展之路奠定人才基础。

公司持续布局芯卓半导体产业化建设项目,不断加强制造工艺和技术人才队伍的建设,已逐步建立了成熟的射频器
件及模组研发设计和工艺制造团队,研发团队核心成员拥有多年射频器件的设计、开发、工艺调试,以及丰富的射频芯
片及模组的封装技术经验。

公司不断加强岗位培训和专业技能提升培训,提升公司的人才竞争优势。同时公司因地制宜,设立了侧重点不同的
利于维护公司主要管理团队和核心团队高度稳定,为公司进一步丰富射频前端产品线及进入更多的应用市场奠定了良好
的人才基础,确保公司经营战略、技术研发等能够有效执行。

(四)客户优势:聚焦深挖客户需求,合作伙伴关系稳固
公司的研发及产品设计以满足客户需求为动力,围绕射频领域技术,紧跟市场发展趋势持续进行产品创新。公司依
靠稳定的交付能力、卓越的品质和优秀的服务,在与国内外客户的深度合作中,积累了良好的品牌认知和客户资源,不
仅形成了高度的认同感和卓有成效的业务伙伴关系,而且形成了较为全面的体系对接和深度融合。

公司客户群体均为国内外知名厂商,此类客户对供应商在产品性能、价格、质量、交付、技术支持等各方面均有较
高要求。因而,公司通过同这些企业的合作,可以学习其优秀的管理制度和经验,并接触到业内最新的应用产品需求,
有利于公司持续提升自身的技术、管理能力,并进一步树立企业品牌,扩大市场影响力。

公司基于多年经验和客户资源积累建立了较为完善的客户支持体系,并持续推动集成客户服务与产品开发流程的架
构建设,有力提升产品推向市场的精准度和效率。公司与部分客户打造客户全流程参与的联合开发模式,借助双方优势
资源,精准定位客户需求,实现公司、客户、资源的共赢共享,构建全流程、全周期、高效率的业务对接客户服务体系。

此模式有助于提升产业资源协同效率,加快产品推向市场的速度,加强生产资源与市场需求的一致性,降低库存风险,
并为建立客户长期稳定的合作关系提供有力保障。

(五)供应链优势:长期稳定的供应链管理和产能供给
为保证高品质、高效率、可持续的供货能力,公司与全球顶级的晶圆制造商、芯片封测厂商形成紧密合作,积极参
与其产能建设,高效整合资源,持续深化供应链合作。一方面,公司在历史经营过程中,与晶圆制造商和芯片封测厂商
形成了稳定的合作机制,建立了稳固、良好的合作关系,在产能供应链管理方面积累了丰富的经验,有效地保障了公司
大规模产品长期、稳定、准时的交付需求。另一方面,公司通过与供应商制订长期产能规划战略、设立生产测试专线、
自购核心关键设备、锁定硬件扩充能力等机制确保产能需求,极大地降低了行业产能波动对公司产品产量、供货周期的
影响。

与此同时,公司立足产业发展趋势及公司发展战略,积极打造关键产品的垂直整合供应链结构与全产业链参与能力,
目前公司采用Fab-Lite经营模式,通过自建芯卓产线,使公司参与关键产品的芯片设计、工艺制造和封装测试一体化环
节,将产品设计与工艺研发深度结合,形成自主的生产工艺支持,满足差异化需求,打造更具市场竞争力的产品。自有
产线使得公司能够更灵活地应对客户需求,能够更迅速地调整生产计划以适应市场需求的变化,提高响应速度,灵活控
制产能,兼顾生产效率和产品性能,增强市场竞争力。其次,在自有产线中,公司可以更好地保护设计和制造过程中的
关键技术,形成自主知识产权,以应对外部市场竞争变化。通过自建产线构建产品的专属生产能力,确保产能稳定供给,
提升公司对关键产品的效率、成本、质量和性能把控。

公司通过高效的资源规划、协同管理和精益化管理,实现了供应链各环节之间的无缝衔接,不断提高供应链的运营
效率和产品质量,同时也能够为客户提供更快捷、更灵活、更稳定的服务。

(六)质量优势:健全完善管理体系,提供高品质产品服务
产品质量是公司生存的根本,公司拥有高效完善的质量管理体系,以“技术创新,优质高效,客户满意,不断提高”

为方针,公司已通过 ISO9001质量体系、QC080000危害物质过程管理、ISO14001环境管理和ISO22301业务连续性管理
等体系认证。在2023年度,公司通过了质量管理体系认证的年度审核,强化质量体系监管。公司通过对每一款产品的性
能、质量与可靠性进行严格把关,达到了手机品牌厂商对芯片的高要求、严标准。

公司不断完善管理标准制定、供应链控制、执行力强化等,保证了产品质量的稳定性与一致性。一方面,公司与供
应商建立了良好的战略合作关系,制定并实施了一整套从晶圆制造到封测的专业质量控制流程,为公司产品的高质量和
市场开拓提供了可靠的保证。另一方面,针对自建产线,公司对产线原材料进行严格标准的质量检验,通过信息化、数
公司定期组织开展系列质量活动,通过互动共享的形式,宣传质量文化,强化高质量意识,营造全员参与的质量氛
围,提升质量运行效果,为公司高质量发展保驾护航。

(七)成本优势:强化全链条精细管理,产品成本优势凸显
随着公司规模的扩大、研发实力的提升,公司在物料采购、产品设计、质量控制等方面的能力得到了较大的提升。

一方面,在芯片生产过程中,芯片设计会对产品的成本有直接影响,公司基于对客户应用需求的深刻理解和准确把握,
根据应用需求设计出成本最优化的产品。另一方面,晶圆和封测成本是产品成本的主要构成,公司与行业内专业知名的
晶圆制造商和封测厂商达成长期合作,通过大量订单形成的规模优势,在与外协厂商合作过程中具有更强的议价能力,
进一步降低生产成本。与此同时,公司通过与供应商协作建立生产专线、参与关键工艺与技术的研究开发、自购关键设
备、提升产品良率等方式共同降低生产成本,以达到互利共赢。另外,公司适时引入新的供应商,多元化的供应商管理
使得公司成本管理更具有弹性和空间。

公司自建产线逐步投入使用,一方面,随着产能爬坡,公司利用自动化、智能化生产制造技术,逐步推动生产过程
的实时监测、数据采集分析,通过科学决策,对生产过程不断进行优化调整,减少无效操作和资源浪费,并将通过精细
化管理持续提高生产效率。另一方面,芯卓产线通过实时监测和控制生产过程,能够更好地保证产品的品质和稳定性,
减少产品的次品率和损耗率,产线良率得到提升,从而提高晶圆利用率,助力成本有效控制。同时,整合研产销产品全
生产周期,公司产品的技术工艺迭代速度和研发效率将不断提升,公司产品的成本优势也将进一步凸显。另外,未来伴
随着大规模量产,将为公司带来较为明显的规模优势,从而更有利于公司进行成本控制。

(八)资源平台优势:全面深化Fab-Lite经营模式,资源平台效应初显 面对射频关键器件长期被国外企业垄断的挑战,公司投入重点资源建设,全面深化Fab-Lite经营模式。公司作为国
内射频芯片领域领先企业,依托当前自主可控加速推进的市场机遇和长期储备的深厚技术积累,通过自建产线,拥有芯
片设计、工艺制造和封装测试的全产业链能力,在工艺技术创新、产品快速迭代、研发效率提升、资源整合等环节实现
更有效的把控,降低对外部依赖,快速响应市场需求,在激烈的市场竞争中保持核心竞争力。

截至报告期末,6英寸滤波器晶圆生产线已具备较为完整的生产制造实力,覆盖低、中、高端全类型的产品形态,满足客户的多元化、差异化的需求。12英寸晶圆生产线已具备IPD滤波器、射频开关和低噪声放大器的工艺制造能力,
均已处于量产阶段。未来,公司将更多资源投入关键产品的生产制造中,并依托芯卓半导体产业化项目积极布局并进军
高端模组产品市场和领域,实现全产线产品增效提能的目标。

公司旨在打造集设计、研发、工艺、器件、材料和整合优化等技术于一体的“智能质造”资源平台,以标准演进、
实际应用需求为起点,先进物理集成平台为载体,定制差异化的工艺器件技术,聚焦特色工艺能力建设,突破传统晶圆
制造技术平台的限制,为公司开辟有价值的可持续发展的成长之路。

三、主营业务分析
概述
参见“一、报告期内公司从事的主要业务”相关内容。

主要财务数据同比变动情况
单位:元

 本报告期上年同期同比增减变动原因
营业收入2,284,703,558.091,665,264,606.5437.20%收入增长所致
营业成本1,322,479,060.29848,329,224.8155.89%收入增长所致
销售费用24,165,026.2816,045,072.6750.61%人工成本上升以及股权激
    励增加所致
管理费用84,001,310.3473,494,666.1714.30%无重大变化
财务费用6,740,280.83-18,701,442.50136.04%利息收入减少以及本期新 增借款利息所致
所得税费用-19,273,230.38-3,736,384.31-415.83%研发费用加计扣除导致当 期所得税费用下降所致
研发投入492,970,112.42253,816,592.9394.22%持续加大研发投入所致
经营活动产生的现金流量净额-288,880,677.87968,809,466.66-129.82%备货增加所致
投资活动产生的现金流量净额-1,256,581,942.71-887,018,767.21-41.66%芯卓半导体建设持续投入 所致
筹资活动产生的现金流量净额1,518,027,097.65-89,747,456.361,791.44%本期新增短期借款所致
现金及现金等价物净增加额-29,261,371.0923,786,177.98-223.02% 
公司报告期利润构成或利润来源发生重大变动
□适用 ?不适用
公司报告期利润构成或利润来源没有发生重大变动。

占比10%以上的产品或服务情况
?适用 □不适用
单位:元

 营业收入营业成本毛利率营业收入比上 年同期增减营业成本比上 年同期增减毛利率比上 年同期增减
分行业      
集成电路2,284,703,558.091,322,479,060.2942.12%37.20%55.89%-6.94%
分产品      
射频分立器件1,265,879,521.27718,417,837.5743.25%14.74%29.23%-6.36%
射频模组966,130,127.88572,822,783.4940.71%81.41%106.86%-7.29%
分地区      
境内951,760,910.36548,630,483.9742.36%131.92%176.90%-9.36%
境外1,332,942,647.73773,848,576.3241.94%6.22%19.02%-6.25%
主营业务成本构成
单位:元

产品名称成本构成本报告期 上年同期 同比增减
  金额占营业成本比 重金额占营业成本比重 
射频分立器件原材料484,234,416.2836.62%374,431,443.4144.14%29.33%
射频分立器件人工及其他9,174,693.380.69%0.000.00%100.00%
射频分立器件封测费225,008,727.9117.01%181,498,382.8721.39%23.97%
射频模组原材料415,217,068.2831.40%187,993,932.9322.16%120.87%
射频模组人工及其他31,851,849.642.41%21,724,184.182.56%46.62%
射频模组封测费125,753,865.579.51%67,192,410.527.92%87.15%
同比变化30%以上 (未完)
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