[中报]拓荆科技(688072):2024年半年度报告

 时间：2024年08月28日 02:01:41 中财网

原标题:拓荆科技:2024年半年度报告

公司代码：688072 公司简称：拓荆科技 拓荆科技股份有限公司 2024年半年度报告





重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。

三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人刘静、主管会计工作负责人杨小强及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。

九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ........................................................................................................................................3
第二节 公司简介和主要财务指标 ....................................................................................................6
第三节 管理层讨论与分析 ..............................................................................................................10
第四节 公司治理 ..............................................................................................................................48
第五节 环境与社会责任 ..................................................................................................................51
第六节 重要事项 ..............................................................................................................................53
第七节 股份变动及股东情况 ..........................................................................................................84
第八节 优先股相关情况 ..................................................................................................................95
第九节 债券相关情况 ......................................................................................................................95
第十节 财务报告 ..............................................................................................................................96



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人 员）签名并盖章的财务报表。
　报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。



第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义　　
报告期、报告期内指2024年1月1日至2024年6月30日
本报告期末、报告期末指2024年6月30日
公司、本公司、拓荆科技指拓荆科技股份有限公司（含合并报表范围内的子公司）
股东大会指拓荆科技股份有限公司股东大会
董事会指拓荆科技股份有限公司董事会
监事会指拓荆科技股份有限公司监事会
中国证监会指中国证券监督管理委员会
元、万元、亿元指人民币元、人民币万元、人民币亿元
《公司法》指《中华人民共和国公司法》
《证券法》指《中华人民共和国证券法》
《上市规则》指《上海证券交易所科创板股票上市规则》
《公司章程》指《拓荆科技股份有限公司章程》
拓荆创益指拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，系公司全资子公司
拓荆上海指拓荆科技（上海）有限公司，系公司全资子公司
拓荆北京指拓荆科技（北京）有限公司，系公司全资子公司
岩泉科技指上海岩泉科技有限公司，系公司全资子公司
拓荆键科指拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司，系公司控股子公司
拓荆美国指Piotech (USA) Inc.，系公司全资子公司
拓荆日本指Piotech Tokyo株式会社，系公司全资子公司
国家集成电路基金指国家集成电路产业投资基金股份有限公司
国投上海指国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）
中微公司指中微半导体设备（上海）股份有限公司
润扬嘉禾指青岛润扬嘉禾投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫和指共青城芯鑫和投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫全指共青城芯鑫全投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫龙指共青城芯鑫龙投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫成指共青城芯鑫成投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫旺指共青城芯鑫旺投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫盛指共青城芯鑫盛投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫阳指共青城芯鑫阳投资合伙企业（有限合伙）
沈阳盛腾指沈阳盛腾投资管理中心（有限合伙）
沈阳盛旺指沈阳盛旺投资管理中心（有限合伙）
沈阳盛全指沈阳盛全投资管理中心（有限合伙）
沈阳盛龙指沈阳盛龙投资管理中心（有限合伙）
姜谦及其一致行动人指姜谦、吕光泉、张孝勇、刘忆军、凌复华、吴飚、周仁、张 先智等8名直接持有公司股份的自然人，以及芯鑫和、芯鑫 全、芯鑫龙、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫阳、沈阳盛腾、 沈阳盛旺、沈阳盛全、沈阳盛龙11个公司员工持股平台
富创精密指沈阳富创精密设备股份有限公司
新松半导体指沈阳新松半导体设备有限公司
SEMI指Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体产业协会
薄膜沉积指半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜 可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧 化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的
　　前段工序 FEOL（制作晶体管等部件）和后段布线工序 BEOL （将在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路） 均有多处应用
晶圆指在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛 光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片
晶圆制造、芯片制造指通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片 的过程，一般分为前道晶圆制造和后道封装测试
晶圆厂指通过一系列特定的加工工艺，在硅片上加工制造半导体器件 的生产厂商
机台指半导体行业对生产设备的统称
Demo机台指公司销售活动中，部分客户要求预先验证公司生产的机台， 待工艺验证通过后转为正式销售。Demo机台通常是新工艺、 新机型的首台设备
Demo订单指针对Demo机台签订的验证订单
封装指在半导体制造的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在 支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电 路板的工艺
先进封装指处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结 构封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、硅通孔 技术（TSV）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装 范畴
CVD指Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积，是指化学气体 或蒸汽在基底表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导 体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大 范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料
PECVD指Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体 增强化学气相沉积
UV Cure指紫外固化，紫外固化是辐射固化的一种,是利用紫外线UV产 生辐射聚合、辐射交联等作用，可以有效改善薄膜的物理性 能和化学性能
ALD指Atomic Layer Deposition，原子层沉积
PE-ALD指Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，等离子体增 强原子层沉积
Thermal-ALD指Thermal Atomic Layer Deposition，热处理原子层沉积
SACVD指Sub-atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition， 次常压化学气相沉积
HDPCVD指High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，高密 度等离子体化学气相沉积
Bonding指键合，主要指将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半 导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合， 通过范德华力、分子力甚至原子力使两片半导体材料成为一 体的技术
Fusion Bonding指熔融键合，是两个平衬底自然连接的键合技术。其特点是抛 光片在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火， 等离子体预处理使得衬底能够在室温下接合
Hybrid Bonding指混合键合，指金属键合（业界主流为铜-铜键合）与熔融键合 混合进行的键合方法。混合键合是一种扩展的熔融键合,主要 应用领域是先进逻辑芯片、先进存储芯片和图像处理器芯片 的三维堆叠
EFEM指Equipment Front-End Module，一种晶圆传输系统，可用于
　　制造设备与晶圆产线的晶圆传输模块
介质指电介质，亦称绝缘体，是一种不导电的物质
通用介质薄膜指在集成电路制造过程中使用的SiO2、SiN、SiON等介质薄膜
SiO2指硅与氧的化合物二氧化硅，可以作为一种电介质
SiN指氮化硅，可以用作芯片制造中的阻挡层、钝化层
TEOS指Tetraethyl Orthosilicate，正硅酸乙酯，可作为SiO薄膜 2 的反应源
SiON指Silicon Oxynitride，即氮氧化硅，主要用于光刻过程中的 消光作用，提高曝光效果
SiOC指N-FREE DARC（Nitrogen-free Dielectric Anti-reflective Coating），主要用于光刻过程中的消光作用，提高曝光效果， 避免光刻胶中毒
FSG指Fluorinated Silicate Glass，即掺杂氟的氧化硅，做为层 间介质层，可以降低介质层的介电常数，减少寄生电容
STI指Shallow Trench Isolation，通常用于0.25微米以下工艺， 通过图形化工艺在晶体管结构之间形成槽填充绝缘层，以达 到晶圆表面器件之间隔离
PSG指Phospho-silicate Glass，即掺杂磷的二氧化硅，可用于金 属布线层间的绝缘层、回流介质层和表面钝化保护层
BPSG指Boro-phospho-silicate Glass，即掺杂了硼和磷的二氧化硅
SA TEOS指采用SACVD沉积的TEOS薄膜材料
SAF指极高深宽比氧化硅薄膜工艺
AlO 2 3指氧化铝，主要用于芯片制造过程中的表面钝化层、阻挡层和 硬掩膜
先进介质薄膜指在集成电路制造过程中沉积的LokⅠ、LokⅡ、ADCⅠ、ACHM、 α-Si等介质薄膜材料
LokⅠ指掺碳氧化硅薄膜，是低介电常数薄膜，主要应用于集成电路 芯片后段互连层间介导层，通过低介电常数，降低电路的漏 电电流，降低导线之间的电容效应，提高芯片性能
LokⅡ指超低介电常数薄膜，为LokⅠ的下一代新型介质薄膜，通过 相对于LokⅠ更低的超低介电常数，降低电路的漏电电流， 降低导线之间的电容效应，提高芯片性能
ACHM指Amorphous Cabon Hard Mask，非晶碳硬掩膜，该薄膜能够提 供良好的刻蚀选择性
ADCⅠ指Nitrogen Doped Carbide，先进掺氮碳化硅薄膜，主要应用 于扩散阻挡层以及刻蚀阻挡层，由于较低的介电常数，可以 降低导线间的电容效率，提升了芯片整体的传输性能
ADC II指Oxide Doped Carbide，先进掺氧碳化硅薄膜，主要应用于扩 散阻挡层以及刻蚀阻挡层，相较ADCⅠ可以实现更低的介电 常数，降低导线间的电容效率，提升了芯片整体的传输性能
HTN指High Tensile Nitride，即高应力氮化硅，主要用于先进制 程中的前道应力记忆层，通过应力记忆减小短沟道效应，增 强载流子迁移率，提高器件速度
α-Si指Amorphous Silicon，非晶硅，主要应用在硬掩膜以实现小尺 寸高深宽比的图形传递
Thick TEOS指微米级TEOS薄膜
PF-300T、PF-300T Plus指四边形传片平台，最多搭载3个反应腔，每个反应腔内最多 有2个沉积站，每次可以同时最多处理6片晶圆
PF-300M指由2个四边形传片平台相连接，最多搭载5个反应腔，每个 反应腔内最多有 2个沉积站，每次可以同时最多处理 10片
　　晶圆
NF-300H指四边形传片平台，最多搭载3个反应腔，每个反应腔内有6 个沉积站，每次可以同时最多处理18片晶圆
TS-300指六边形传片平台，最多搭载5个反应腔，每个反应腔内有2 个沉积站，每次可以同时最多处理10片晶圆
TS-300S指六边形传片平台，即TS-300型号平台的缩小版，最多搭载5 个反应腔，每个反应腔内有1个沉积站，每次可以同时最多 处理5片晶圆
PCT指Patent Cooperation Treaty，即专利合作条约

注：本报告中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍五入所致。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称拓荆科技股份有限公司
公司的中文简称拓荆科技
公司的外文名称Piotech Inc.
公司的外文名称缩写Piotech
公司的法定代表人刘静
公司注册地址辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司注册地址的历史变更情况无
公司办公地址辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司办公地址的邮政编码110171
公司网址www.piotech.cn
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引无

二、 联系人和联系方式

　董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表
姓名赵曦刘锡婷
联系地址辽宁省沈阳市浑南区水家900号辽宁省沈阳市浑南区水家900号
电话024-24188000-8089024-24188000-8089
传真024-24188000-8080024-24188000-8080
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称中国证券报（ www.cs.com.cn）、上海证券报 （www.cnstock.com）、证券时报（www.stcn.com）、证券日 报（www.zqrb.cn）、经济参考报（www.jjckb.cn）
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点中国辽宁省沈阳市浑南区水家900号公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引无

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况　　　　
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板拓荆科技688072不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入1,266,890,685.671,003,709,264.0226.22
归属于上市公司股东的净利润129,093,960.35124,565,953.333.64
归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益的净利润19,957,472.6965,182,519.13-69.38
经营活动产生的现金流量净额-899,812,522.62-742,829,155.50　
　本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产4,560,920,520.604,593,860,407.52-0.72
总资产12,473,072,407.669,969,345,254.1525.11

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）0.460.452.22
稀释每股收益（元／股）0.460.452.22
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）0.070.24-70.83
加权平均净资产收益率（%）2.773.26减少0.49个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）0.431.71减少1.28个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）24.8120.93增加3.88个百分点
注：根据公司2023年第三次临时股东大会决议，公司以股权登记日2023年9月27日的总股本为基数，以资本公积向全体股东每股转增0.48股；根据公司2023年年度股东大会决议，公司以股权登记日2024年6月7日收盘后公司总股本扣减回购专用证券账户中的股份总数为基数，以资本公积向全体股东每股转增 0.48股，前述资本公积转增股本实施完毕后，公司总股本为278,320,842股，扣减回购专用证券账户中股份1,267,894股后，股份总数为277,052,948股。

公司按调整后的股数重新计算比较期间基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益。


公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、报告期内，受益于公司持续高强度的研发投入，在推进产品产业化和各产品系列迭代升级的过程中取得了重要成果,超高深宽比沟槽填充CVD设备、PE-ALD SiN工艺设备、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工艺设备等新产品及新工艺经下游用户验证导入，公司收入稳步增长，2024年上半年，公司实现营业收入126,689.07万元，同比增长26.22%；出货金额32.49亿元，同比增长146.50%。

截至报告期末，公司发出商品余额31.62亿元，较2023年末发出商品余额19.34亿元增长63.50%，为后续的收入增长奠定良好基础。

随着公司产品布局逐渐完善，客户认可度持续攀升，出货机台陆续实现收入转化，2024年第二季度营业收入达到79,510.10万元，同比增长32.22%，环比增长68.53%。

2、报告期内，公司实现归属于上市公司股东的净利润12,909.40万元，同比增长3.64%，低于营业收入的同比增速，主要原因为：1）公司持续进行高强度研发投入，不断拓展新产品及新工艺，包括超高深宽比沟槽填充CVD设备、PECVD Bianca工艺设备及键合套准精度量测产品，并持续进行设备平台及反应腔的优化升级，包括新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）等，同时进一步扩大公司产品及工艺覆盖面，提升产品核心竞争力，报告期内研发费用达31,431.34万元，同比增长49.61%；2）为支持业务规模的高速增长及快速响应客户的需求，报告期内销售人员薪酬等费用有所增加，销售费用达 15,979.17万元，同比增长39.24%。

2024年第二季度，公司实现归属于上市公司股东的净利润11,862.23万元，同比增长67.43%，环比增长1,032.79%。

3、报告期内，公司实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 1,995.75万元，同比减少 4,522.50万元，主要原因为报告期内公司计入非经常性损益的政府补助收益为10,712.91万元，同比增加4,790.86万元。

2024年第二季度，公司实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润6,416.67万元，同比增长40.90%，环比大幅扭亏。

4、报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额为-89,981.25万元，同比减少 15,698.34万元，主要系：1）出货金额及发出商品余额均大幅度增长带来的材料付款增加，本期购买商品、接受劳务支付的现金为238,609.11万元，较上年同期增加62,277.78万元，同比增长35.32%；2）预收货款对应的合同负债期末达到203,760.70万元，较2023年末增加65,608.24万元，增长47.49%，本期销售商品、提供劳务收到的现金为190,798.68万元，较上年同期增加57,313.64万元，同比增长42.94%。

公司2024年第二季度经营活动产生的现金流量净额为-17,846.17万元，较第一季度的现金流量净额-72,135.08万元大幅度收窄，主要为第二季度销售商品、提供劳务收到的现金达到140,783.46万元，较第一季度增加90,768.24万元，环比增长181.48%。

七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减值准 备的冲销部分-18,346.99　
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业 务密切相关、符合国家政策规定、按照确定的标 准享有、对公司损益产生持续影响的政府补助除 外107,129,056.19　
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务 外，非金融企业持有金融资产和金融负债产生的 公允价值变动损益以及处置金融资产和金融负债 产生的损益4,072,499.91　
对于现金结算的股份支付，在可行权日之后，应 付职工薪酬的公允价值变动产生的损益1,746,400.00　
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-168,771.30　
其他符合非经常性损益定义的损益项目-396,557.67　
减：所得税影响额3,196,054.95　
少数股东权益影响额（税后）31,737.53　
合计109,136,487.66　
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

九、非企业会计准则业绩指标说明非企业会计准则业绩指标说明
√适用 □不适用
单位：万元

项目名称本报告期（1-6月）上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
剔除股份支付费用影响后，归属 于上市公司股东的净利润23,222.7225,084.51-7.42
剔除股份支付费用影响后，归属 于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润12,269.4118,854.13-34.92
注：上述股份支付费用指报告期内产生的全部股份支付费用，包括但不限于第二类限制性股票、股票增值权等产生的股份支付费用。


第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一） 公司所属行业情况 1、行业基本情况 （1）半导体设备行业 集成电路产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体行业 历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为产业链的核心环节， 需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。 随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起，以人工智能、物联网、智能驾驶等为代表的 新兴产业的创新发展，对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。面对新兴市场需求的不断 涌现，高端半导体设备产业需要持续迭代创新，不断提升产品性能，以满足市场对于更高性能、 更低功耗、更小尺寸的集成电路需求，同时，也产生了巨大的半导体设备市场空间。根据SEMI统 计和预测，2023年全球半导体设备的销售额达1,063亿美元，2024年预计增长至1,090亿美元， 并持续保持增长态势，2025年预计达到1,280亿美元的新高。 数据来源：SEMI
中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备带来了广阔的市场空间，尤其是在终端市场强劲需求和新兴产业快速发展的拉动下，对半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI统计，2023年中国大陆半导体设备销售额为366亿美元，同比增长29%，连续第四年成为全球最大半导体设备市场。

数据来源：SEMI 近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半 导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，但高端半导体设 备自给率仍较低，这也为国内半导体设备厂商的发展提供了巨大的成长机遇。 （2）公司所聚焦的薄膜沉积设备行业 在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决 定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造 过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工 序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2023年晶圆制造设备销售额约占总体 半导体设备销售额的90%，达到约960亿美元。而薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%， 由此推算，2023年全球薄膜沉积设备市场规模约为211亿美元。 全球半导体设备及晶圆制造设备占比情况 数据来源：SEMI，同行业公司定期报告 公司自设立以来，一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用。公司凭借多年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设备系列产品， 在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细 分领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应 用工序，主要应用及薄膜材料如图示： 在逻辑芯片中的应用图示 在3D NAND存储芯片中的应用图示

在DRAM存储芯片中的应用图示 （3）公司所聚焦的混合键合设备行业
随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，不能再只依赖缩短工艺极限实现最优的芯片性能和复杂的芯片结构，而是转向通过新的芯片设计架构和芯片堆叠的方式来实现，该方式已成为先进芯片制造的发展趋势，并由此产生了新的设备需求，即应用于三维集成领域的半导体设备。

应用于三维集成领域的设备是三维集成芯片、Chiplet等芯片堆叠的技术基础，同时也是先进逻辑和先进存储从2D向3D芯片设计架构发展的技术支撑。混合键合设备作为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，可以提供键合面小于1μm互联间距以实现芯片或晶圆的堆叠，使芯片间的通信速度提升至业界更高水平，从而提高芯片系统性能。

面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合（Hybrid Bonding）设备产品系列，同时，该设备还能兼容熔融键合（Fusion Bonding）。键合设备主要应用原理如图示：






晶圆键合设备应用示意图 （二）公司主营业务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。此外，公司推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列，已实现产业化应用。

2、主要产品情况
公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜设备产品系列及混合键合设备产品系列均已在客户端实现产业化应用，量产规模逐步扩大，其设备性能和产能均达到国际领先水平。

报告期内，公司持续推进各系列产品的迭代升级，不断拓展新工艺，并加大力度推进新工艺以及新型平台、新型反应腔的验证与产业化应用，持续保持产品核心竞争力。此外，公司开发一套智能化的软硬件系统（Smart Machine），能够提升设备装机调试效率和设备性能，进一步提升产品竞争力。

公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD及混合键合系列产品情况如下： （1）PECVD系列产品
PECVD设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的 CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。

公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UV Cure产品。

① PECVD产品
公司PECVD系列产品具体情况如下：

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T　在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先 进封装等领域已实现产业化应用，可以沉 积SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、 BPSG、PSG等通用介质薄膜材料，以及 LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、ADCⅡ、HTN、 a-Si等先进介质薄膜材料，可实现8英寸 与 12英寸 PECVD设备兼容，在客户端具 有高产能、低生产成本优势。
PF-300T eX PF-300T Plus eX　　
PF-300T pX PF-300T Plus pX　　
PF-300T Supra-D PF-300M Supra-D　　
PF-300T Bianca　主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片 制造领域，可以在晶圆背面沉积SiN、SiO 2 等介质薄膜材料，实现对晶圆翘曲的纠正 以及晶圆背面的保护。
NF-300H　在集成电路存储芯片制造领域已实现产 业化应用，适用于沉积较厚的薄膜，如 Thick TEOS介质材料薄膜。
PF-150T PF-200T　在新型功率器件领域已实现产业化应用， 可以沉积 SiC器件制造中的 SiO、SiN、 2 TEOS、SiON等介质材料薄膜。

② UV Cure产品
UV Cure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。公司UV Cure产品具体情况如下：
主要产品型号产品图片应用领域
PF-300T Upsilon　在集成电路芯片制造领域已实现产业化 应用。该设备可以与PECVD成套使用，为 PECVD HTN、LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线 固化处理。
（2）ALD系列产品
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD 是必不可少的核心设备之一。

公司ALD系列产品包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品和Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产品。

① PE-ALD产品
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。公司PE-ALD产品具体情况如下：
主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T Astra　在集成电路逻辑芯片、存储制造及先进封 装领域已实现产业化应用，可以沉积高 温、低温、高质量的SiO2、SiN等介质薄 膜材料。
NF-300H Astra　　
② Thermal-ALD产品
Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。公司Thermal-ALD产品具体情况如下：

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T Altair　主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片 制造领域，已实现产业化应用，可以沉积 Al2O3等金属及金属化合物薄膜材料。
TS-300 Altair　　
（3）SACVD系列产品
SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。

在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。公司SACVD产品具体情况如下：
主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T SA　广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片 制造领域，可以沉积SA TEOS、SA BPSG、 SAF（包括等离子体处理优化的SAF）等介 质薄膜材料，可实现 8英寸与 12英寸 SACVD设备兼容。
PF-300T SAF PF-300T Plus SAF　　
（4）HDPCVD系列产品
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。

HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。公司HDPCVD产品具体情况如下：

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T Hesper　主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片 制造领域，已实现产业化应用，可以沉积 USG、FSG、PSG等介质薄膜材料。
TS-300S Hesper　　
（5）超高深宽比沟槽填充CVD系列产品
超高深宽比沟槽填充CVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之一。超高深宽比沟槽填充CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。公司自主研发并推出了超高深宽比沟槽填充CVD产品，具体情况如下：

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T Flora　主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片 制造领域，已实现产业化应用，可以沉积 SiO等介质薄膜材料。 2
（6）混合键合系列产品
混合键合设备是晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，可以在常温下通过直接键合工艺技术实现芯片或晶圆的堆叠。通常对晶圆表面进行等离子激活和清洗之后，运用高精密对准技术和键合工艺控制技术，实现晶圆对晶圆或芯片对晶圆的键合，并将键合精度控制在亚微米级，从而有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能。除此之外，混合键合工艺可以有效缩短芯片开发周期。

公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）产品、芯片对晶圆键合表面预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation）产品以及键合套准精度量测产品（Bonding Metrology）。

① 晶圆对晶圆键合产品
晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的 12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺，公司晶圆对晶圆键合产品具体情况如下：

产品型号产品图片产品应用情况
Dione 300　主要应用于晶圆级三维集成、存储芯片制 造领域，已实现产业化应用，可实现12寸 晶圆对晶圆的混合键合和熔融键合。
② 芯片对晶圆键合表面预处理产品
芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序，公司已推出的芯片对晶圆键合表面预处理产品情况如下：
产品型号产品图片产品应用情况
Propus　主要应用于芯片对晶圆三维集成领域，已 实现产业化应用，可实现混合键合前晶圆 及切割后芯片的表面活化与清洗。
③ 键合套准精度量测产品
键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。公司自主研发的键合套准精度量测产品具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景，产品情况如下：
产品型号产品图片产品应用情况
Crux 300　主要应用于晶圆级三维集成领域，可实现 晶圆对晶圆混合键合和芯片对晶圆混合 键合后的键合精度量测。
（三）主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售半导体专用设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。

（2）研发模式
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体设备研发技术团队。

公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的基石。公司根据客户需求、半导体专用设备技术动态和国家专项目标为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品功能。

（3）采购模式
公司采购业务主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件是根据机台技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。

（4）生产模式
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。

（5）销售和服务模式
报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。

经过多年的努力，公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。

公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。

报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。

二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成应用领域，形成了晶圆高速高精度对准技术、混合键合实时对准技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。公司核心技术及其先进性的具体表征如下：
序号核心技术名称技术特点技术水平
1先进薄膜工艺 设备设计技术先进薄膜工艺设备设计技术，通过对反应腔进行设计和 优化，以实现先进薄膜材料的性能要求。国际先进
　　? 使用含碳的前驱体沉积低k类材料：通过对射频功率 及液态源气化速率的精准控制，保障了所沉积薄膜的低 介电性能和薄膜硬度。?　
　　? 沉积新型阻挡层（如ADCⅠ）材料：通过对沉积过程 中各反应源浓度的均匀性和浓度本身的精准控制，反应 气体的输运速率控制，配合射频功率的升降控制，使反 应材料达到恰当的比例，实现所沉积薄膜性能达到要求 的低介电性、密封性、均匀性。?　
　　? 沉积新型硬掩膜（如ACHM）：通过采用一种边缘隔离 环用于沉积站的晶圆中心并覆盖其边缘的方案，从而防 止晶体边缘出现沉积，该技术既能保证晶圆定位的准确， 又能避免因晶圆的侧边与陶瓷环接触而产生颗粒及因薄 膜边缘过厚而产生颗粒。?　
　　? 氧化硅/氮化硅堆叠薄膜：通过薄膜沉积反应腔设计， 及其配套沉积工艺和腔体清洗工艺，解决氧化硅/氮化硅 叠层沉积过程中，由于连续多次沉积引起的反应物在腔 体内部表面附着力降低而导致的颗粒污染，并通过对反 应腔内表面温度的精确控制及反应环境化学成分控制， 有效降低颗粒污染的产生。?　
2反应模块架构 布局技术反应模块架构包含了双站型和多站型等布局的处理腔 室。该技术可以在保证均匀一致性的情况下提高产能， 还可以实现在一台设备上进行多种工艺的组合。国际先进
　　? 双站型产品：模块式搭建，一个传片平台搭配最多三 个双站型反应腔，每次可处理6片晶圆。每个反应腔内 有两个独立的反应站，通过反应站之间设置环境匹配通 道，以实现两个相互独立的反应站共用气体输运控制和 压力控制，从而实现各反应站内薄膜的一致性。?　
　　? 多站型产品：模块式搭建，一个传片平台搭配最多三 个六站型反应腔，每次可处理18片晶圆，反应站之间以 活动隔离组件隔开，可实现独立控制和相对隔离控制， 进而实现反应站之间的独立性和一致性。该技术可以提　
　　高生产效率，解决特殊半导体工艺中的产能需求。?　
　　? 该技术可以同时搭载ALD和PECVD反应模块，有效提 高产能，又能保证工艺性能。?　
3半导体制造系 统高产能平台 技术半导体制造系统高产能平台包含大气传输系统（EFEM）、 真空过渡模块（LOADLOCK）、真空传输模块（Transfer Module）。国际先进
　　? 通过对真空过渡模块和真空传输腔的设计，可高效实 施线上任务，有效缩短生产时间，提高薄膜沉积设备的 生产能力并有效降低颗粒污染；?　
　　? 通过多边形传输模块的设计，实现每个传输模块同时 搭载多个反应腔室，如六边形传输模块，可以搭载最多 五个反应腔（10个反应站），提高薄膜沉积设备的产能。　
4等离子体稳定 控制技术针对薄膜沉积反应特殊需求，通过对射频系统进行优化 设计和改进，将射频赋能等离子体过程控制在10毫秒等 级。射频快速响应能够使等离子体在最短时间内达到稳 定状态，实现以等离子体化学气相沉积原理成膜的薄膜 厚度和膜厚均匀性的精准控制。国际先进
5反应腔腔内关 键件设计技术反应腔腔内关键件设计技术是通过针对反应腔内可能与 晶圆接触的所有部件的单独设计和联合设计，使得反应 环境和工艺参数可以得到严格控制的技术。关键件包含 喷淋头、加热盘、腔内陶瓷件、抽气设置等，通过设计 优化，实现反应腔气流的均匀性、晶圆温度控制、反应 环境的可控性和晶圆传输的可靠性，可以有效控制薄膜 的性能、避免颗粒产生。国际先进
6半导体沉积设 备气体输运控 制系统针对两站或多站型沉积工艺，采用特别设计的分流机制 进行喷淋头的送气，保证各站对应连接管路的一致性， 确保各站流量均衡，前驱体的浓度均衡，从而一定程度 保障了薄膜工艺表现。国际先进
7气体高速转换 系统设计技术通过对气体输送系统中的流量控制、高速阀门选型、管 路设计及各部件对应的电控机制的设计，达到气体高速 精准转换，保障了薄膜性能，缩短了成膜周期，提高了 机台的产能。国际先进
8反应腔温度控 制技术通过对反应腔体加热盘、气体管路、喷淋板、工艺加热 装置和泵气系统的加热模块进行设计及温度控制，可以 有效控制晶圆片间均匀性，提高设备的稳定性、保障客 户生产需求。国际先进
9载片与器件晶 圆高速高精度 对准技术通过晶圆边缘和定位槽的图像识别来对准而无需额外制 备标识，以完成晶圆对准，对准精度可达到微米级，同 时有效提高产能。国际先进
10混合键合实时 对准技术将晶圆光学视觉定位装置设置在晶圆同一侧以获取对准 图像，减少多次移动对准装置的工艺步骤及其带来的误 差，进而提升晶圆键合精度，同时提高机台产能。?国际先进

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2. 报告期内获得的研发成果
公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备和混合键合设备的研发与产业化。截至报告期末，公司已先后累计承担 9项国家重大专项/课题。

公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利 1279项（含PCT）、获得专利 402项；报告期内，公司新增申请专利 74项（含 PCT）、新增获得专利 45项。

报告期内获得的知识产权列表


　本期新增　累计数量　
　申请数（个）获得数（个）申请数（个）获得数（个）
发明专利4419892209
实用新型专利726327192
外观设计专利0021
软件著作权333838
其他230580
合计77481,317440
注1：上表“其他”指PCT申请数量；
注2：上表“累计数量”中“申请数”包含已失效专利，“获得数”不包含已失效专利。

3. 研发投入情况表
单位：元

　本期数上年同期数变化幅度（%）
费用化研发投入314,313,424.99210,085,534.7149.61
资本化研发投入　　　
研发投入合计314,313,424.99210,085,534.7149.61
研发投入总额占营业收入 比例（%）24.8120.93增加3.88个百分点
研发投入资本化的比重（%）　　　

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
研发费用较上年同期增长49.61%，系公司持续进行高强度研发投入，不断拓展新产品及新工艺，包括超高深宽比沟槽填充CVD设备、PECVD Bianca工艺设备及键合套准精度量测产品，并持续进行设备平台及反应腔的优化升级，包括新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）等，进一步扩大公司产品及工艺覆盖面，提升产品核心竞争力。因此，报告期内的研发直接投入、研发人员薪酬均有所增加。

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序号项目名称预计总投资 规模本期投入金 额累计投入金 额进展或阶段 性成果拟达到目标技术水平具体应用前 景
1PECVD系列产 品及工艺开发 与产业化191,963.0216,346.32102,637.99已实现产业 化应用，并 持续拓展工 艺应用研发PECVD系列薄膜设备，实现SiO、 2 SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG 等通用介质薄膜材料，以及LokⅠ、 LokⅡ、ACHM、ADCⅠ、ADCⅡ、HTN、a-Si 等先进介质薄膜材料工艺，产品性能指 标达到客户产线要求。国际同类 设备水平集成电路逻 辑芯片、存 储芯片制造 及先进封装 领域
2ALD系列产品 及工艺研发与 产业化98,055.085,183.5840,385.38已实现产业 化应用，并 持续拓展工 艺应用研发PE-ALD和Thermal-ALD系列薄膜设 备，实现 SiO、SiN等介质薄膜材料、 2 Al2O3等金属及金属化合物薄膜材料工 艺，产品性能指标达到客户产线要求。国际同类 设备水平集成电路逻 辑芯片、存 储芯片制造 领域
3沟槽填充薄膜 工艺系列产品 研发与产业化42,861.803,992.4922,842.96已实现产业 化应用，并 持续拓展工 艺应用研发沟槽填充系列薄膜设备，实现浅槽 隔离、金属前介质层等沟槽填充的薄膜 工艺，产品性能指标达到客户产线要求。国际同类 设备水平集成电路逻 辑芯片、存 储芯片制造 领域
4应用于三维集 成领域的系列 产品研发与产 业化13,500.001,493.869,496.04已实现产业 化应用，并 持续拓展产 品及应用研发混合键合系列设备产品，性能指标 达到客户要求。国际同类 设备水平晶圆级三维 集成应用领 域
5半导体设备关 键部件研发与 验证70,161.004,415.0910,876.13研发和验证 中，部分部 件通过验证研发应用于半导体设备领域的关键部 件，满足不同工艺设备需求。国际同类 部件技术 水平半导体专用 设备领域
合计/416,540.9031,431.34186,238.50////
注：公司在研项目中 “PECVD系列产品及工艺开发与产业化项目”、“ALD系列产品及工艺研发与产业化”、“应用于三维集成领域的系列产品研发与（未完）
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