[中报]普冉股份(688766):普冉半导体（上海）股份有限公司2024年半年度报告
原标题:普冉股份:普冉半导体（上海）股份有限公司2024年半年度报告 普冉半导体（上海）股份有限公司 2024年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述经营过程中可能面临的风险及应对措施，有关内容详见第三节“管理层讨论与分析”，敬请投资者注意阅读。 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人王楠、主管会计工作负责人钱佳美及会计机构负责人（会计主管人员）沈奕声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2024年半年度利润分配方案如下： 公司拟以2024年度实施权益分派方案的股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数，向全体股东每10股派发现金红利1.9元（含税）。公司回购专用账户中的股份不参与本次权益分派。以公司截至2024年6月30日的总股本105,609,735股扣减公司回购专用证券账户中279,160股后的股份为基数测算，合计分配20,012,809.25元（实际分配利润金额以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司最终登记结果为准，如有尾差，系取整所致）。 如在公司董事会决议通过之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动，公司将维持每股分配比例不变，相应调整拟分配的利润总额，并另行公告具体调整情况。 公司2024年半年度利润分配方案已经公司第二届董事会第十次会议审议及第二届监事会第十次会议通过，本次分配方案还须经股东大会审议。 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 8 第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 12 第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 36 第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 40 第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 42 第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 62 第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 69 第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 70 第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 71
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 √适用 □不适用
六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 一、 报告期内实现营业收入 89,602.12万元，同比增加 42,744.74万元，增幅 91.22%，主要系 2024年上半年，受益于 IOT、可穿戴设备、手机、智能家居等消费电子的景气度回暖、下游终端应用的功能升级以及新型终端设备的场景应用等，公司主营产品所处的市场需求相较于去年同期有所提升。公司在非易失存储器产品线的完整布局和性能领先上持续稳定发挥，在既有产品的基础上大力拓展产品市场份额，同时积极推进新产品顺利量产落地。公司产品出货量同比实现较大幅度提升。 二、 报告期内归属于上市公司股东的净利润同比增加 21,423.29万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增加 24,940.92万元，主要有以下原因： 1、 营业收入增加的影响： （1）2024年上半年营业收入同比增加 42,744.74万元，增幅 91.22%，主要系消费电子产品等下游市场回暖，以及公司积极拓展市场份额的策略行之有效，公司产品出货量及营业收入同比去年有所上升； （2）报告期内，受到市场回暖影响，营业成本同比增幅少于营业收入同比增幅，毛利率同比增加。 2、 期间费用的影响：报告期内，公司持续重视产品研发和下游应用结构的优化，保持高强度的研发投入。报告期内研发费用较上年增加 1,751.36万元，增幅比例达 18.68%。公司的规模扩大使得销售、管理人员也有所增加，薪酬和相关费用支出均有明显增长，报告期内销售费用和管理费用增幅分别为 26.32%和 15.41%。 3、 存货跌价准备的计提：2024年上半年，随着下游市场的景气度提升，公司所处行业市场供求关系向好，资产减值损失计提同比减少 9,222.89万元。 4、 报告期内，公司持有华大九天的股票存在二级市场价格波动风险，其公允价值变动收益相较 2023年同期减少 3,694.20万元。 5、 本报告期，因公司盈利，确认所得税费用 852.58万元。 三、 基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增加 2.03元/股、2.02元/股及 2.37元/股，主要系本报告期内实现的净利润，同比增加 21,423.29万元所致。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 √适用 □不适用 单位：万元
第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一） 所处行业情况 1、 公司所处行业 公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业分类指引》，公司所处行业为“C制造业——C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据《国民经济行业分类（GB/T 4754—2017）》，公司所处行业为“6520 集成电路设计”。 2、 所处行业情况 集成电路行业作为全球信息产业的基础，经历了 60多年的发展，如今已成为世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如 5G、6G、物联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。集成电路行业主要包括集成电路设计业、制造业和封装测试业，属于资本与技术密集型行业，业内企业普遍具备较强的技术研发能力、资金实力、客户资源和产业链整合能力。 近年来，得益于技术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动，全球半导体行业呈现出快速发展的态势。作为现代信息技术产业的核心，半导体在通信、消费电子、工业控制、汽车电子等领域发挥着不可替代的作用，其重要性日益凸显。此外，随着智能汽车、AI大模型等新兴场景的涌现，对存储需求的增长提供了强劲动力。存储技术升级和容量提升将进一步推动行业发展。 技术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动全球半导体行业快速发展。中国作为全球最大的半导体市场之一，其半导体产业规模不断扩大，技术水平逐步提升，一批具有国际竞争力的企业开始逐步崭露头角。尽管如此，在部分高端芯片、关键设备等领域，与全球领先水平相比，我国仍存在明显差距。为提升中国半导体产业的自主创新能力，实现核心技术突破，国家出台了一系列扶持政策，国产替代势在必行。 过去两年时间，宏观经济增长疲软对行业带来了一定的冲击，但随着经济的温和复苏，半导体行业将重新焕发活力，在国产替代的大浪潮下，继续保持增长态势。2024年，存储芯片行业的市场需求也有所复苏，主流存储器价格持续上涨；同时由于供给收缩和需求逐步复苏，利基存储器价格也有所修复，对企业带来业绩改善机会。研究机构 IDC预估，2024年全球半导体营收有望回升至 6302亿美元，增长 20%。存储市场增长最强劲，增幅达 52.5%，2025年将再增长 14.4%。 同时在 AI、运算基础设施、汽车、HBM及 Chiplet驱动下，2029年半导体营收有望逼近 1万亿美元规模，2032年将增长至超过 1万亿美元。 存储芯片需求不断提升，这对存储芯片的性能、容量、读写速度、体积、功耗等方面都提出了更高的要求。 随着经济的复苏和技术的进步，在政策的持续扶持和市场的推动下，中国半导体行业有望实现快速发展。我国优秀企业也将努力追赶，不断缩小与国际先进水平的差距，为全球半导体产业的繁荣作出贡献。 （二） 主营业务情况 1、 存储系列芯片 报告期内，公司实现存储系列芯片营业收入 7.24亿元，同比上升 70.81%，毛利率 34.81%，同比上升 15.32个百分点，出货量 37.84亿颗，同比上升 71.44%。 （1） NOR Flash产品 NOR Flash具备随机存储、读取速度快、芯片内执行（XIP）等特点。作为数据读取和存储的重要器件，其主要功能是数据的存储和读取，同时实现开机启动等固定运行的程序。由于 NOR Flash不必把应用程序代码读到系统 RAM中即可直接运行，使得 NOR Flash在运行程序时优势更显著，适用于开机响应时间、可靠性等要求较高的电子设备。基于 NOR Flash上述应用特点及性价比优势，其被广泛应用于手机，电脑，可穿戴等消费类电子、汽车电子、安防、工控、基站、物联网设备等其他领域。 公司 NOR Flash产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构，提供了 512Kbit到1Gbit容量的系列产品，覆盖 1.1V-3.6V的操作电压区间，具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的优异性能，公司 NOR Flash产品应用领域集中在蓝牙、IOT、BLE、AMOLED、工业控制等相关市场。目前 NOR Flash行业主流工艺制程为 55nm，公司 40nm SONOS工艺制程下 4Mbit到 128Mbit容量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先技术水平。 公司 40nm工艺节点已成为公司 SONOS工艺结构下 NOR Flash产品的主要工艺节点，能够进一步提高公司产品的成本优势，同时更好的满足下游应用的面积需求。此外，公司也并行采用浮栅（ETOX）工艺结构，提供以中大容量为主、中小容量为辅的系列产品，已达到 50nm的先进制程，目前已经实现了全容量系列产品的大批量量产出货，报告期内，ETOX NOR Flash产品512Mbit容量产品实现量产出货。未来将继续通过工艺研发和设计创新实现产品完备化，实现公司在大容量市场的快速导入，持续提升公司在 NOR Flash领域的市场占有率。 公司中小容量 SONOS NOR Flash车载产品已陆续完成 AEC-Q100认证，主要应用于部分品牌车型的前装车载导航、中控娱乐等。同时，公司全容量 ETOX NOR Flash系列产品通过 AEC-Q100车规认证，为公司在汽车电子领域的进一步发展奠定了坚实的基础，打开了更加广阔的市场空间。 报告期内，公司推出的超低电压超低功耗新一代 SPI NOR Flash系列新产品，支持 1.1V电源系统，同时具备宽电压范围，可涵盖 1.2V和 1.8V系统，该产品系列计划覆盖 4Mbit-128Mbit的容量区间，应用于基于嵌入式 SoC、手持移动应用、多媒体信息处理等场景中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。同时，在 NOR Flash多款产品封装可靠性上进一步优化。 （2） EEPROM产品 EEPROM是一类通用型的非易失性存储器芯片，在断电情况下仍能保留所存储的数据信息，可以在计算机或专用设备上擦除已有信息重新编程，可擦写次数至少 100万次，数据保存时间超过 100年。该类产品相较于 NOR Flash的容量更小、擦写次数高，因此适用于各类电子设备的小容量数据存储和反复擦写的需求，广泛应用于智能手机摄像头、工业控制、汽车电子、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电等领域。 公司已形成覆盖 2Kbit到 4Mbit容量的 EEPROM产品系列，操作电压覆盖 1.2V-5.5V，主要采用 130nm工艺制程，具有高可靠性、面积小、性价比高等优势，同时实现了分区域保护、地址编程等功能，可对芯片中存储的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改，可擦写次数可达到 400万次，数据保持时间可达 200年。公司部分中大容量产品采用 95nm及以下工艺制程下并已实现量产，公司 EEPROM产品 P24C系列满足 1000万次擦写寿命，100年数据保存的高可靠性要求。 公司持续推进 EEPROM产品在工业控制和车载领域的应用，工业控制上应用占比显著提升，对稳定公司毛利率起到一定作用；同时，公司车载产品完成 AEC-Q100标准的全面考核，在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付，汽车电子产品营收占比有所提升；同时公司持续推进 EEPROM产品全系列的车规认证。 2 公司超大容量 EEPROM系列产品，支持 SPI/I C接口和最大 4Mbit容量，其中 2Mbit产品批量用于高速宽带通信和数据中心。 与此同时，公司推出的超低电压1.2V系列EEPROM已实现量产出货，涵盖32Kbit至512Kbit，是目前行业内工艺节点领先和容量覆盖面较为完备的超低电压产品线。 2、 “存储+”系列芯片 报告期内，公司实现“存储+”系列芯片营业收入1.72亿元，同比上升284.61%，毛利率29.24%，同比下降 1.53个百分点，出货量 3.73亿颗，同比上升 275.36%。 （1） MCU产品 MCU是微控制单元，又称单片机，是把 CPU（中央处理器）的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、USB、A/D转换、DMA等周边接口，甚至包括 TFT、LCD、LED驱动电路等整合在单一芯片上形成的芯片级计算机，可广泛应用于各类消费电子产品，如智能可穿戴设备、电机与电池、传感器信号处理、家电控制、计算机网络、通信、工业控制、汽车电子等应用领域。 公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势，布局 ARM Cortex-M内核系列 32位通用型 MCU产品。公司陆续推出了 ARM M0+和 ARM M4内核的 17大系列超过 300款MCU芯片产品，覆盖55nm、40nm工艺制程，产品支持24MHz~144MHz主频、24KByte~384KByte Flash存储容量、USB/CAN/SDIO等主流接口，以及 20~100 IO的多种封装形式，形成宽电压、低功耗、支持 105℃及 125℃高温等高质量、高可靠性、高性价比通用产品矩阵。产品主要应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器、电子烟等下游领域，国产替代趋势下持续导入空间较大。 公司通过扩充相关支持团队等方式持续推进 MCU生态环境建设，如重要客户方案设计、FAE现场支持、工具开发、驱动程序推出、客户开发环境、网站支持等方面都积极配合实施推广。报告期内，ARM KEIL和 IAR已全面支持公司 32位 M0+及 M4系列 MCU，并同步为客户提供完整的开发代码编辑、编译、调试等功能。 报告期内，公司从功能开发、性能升级、使用场景多样化、封装形式全覆盖等多个角度持续拓展 MCU产品系列，并逐步导入消费电子、工业控制等众多下游应用终端中，具体如下： 公司基于 ARM内核研发了电机专用型 M0+ MCU产品，覆盖单相至三相、低压至高压、中低端至高端风机和水泵应用，提供自主知识产权的高效率基础算法和客户应用软硬件支持。目前该产品中 1个系列已经量产，主要应用于电动工具、风筒、水泵等下游应用领域； 1） 公司基于 ARM内核研发了超低功耗型 M0+ MCU产品，该系列产品支持 48MHz主频，深度休眠模式下功耗低至 0.7μA，目前该产品已经量产，主要应用于家电、灯控、无线麦克风、电子烟等消费电子领域； 2） 公司基于 ARM内核的 M4 MCU产品目前已有 1个系列 10余颗料号量产出货，产品主要应用于智能家居、小家电、舞台灯光等下游领域； 3） 公司基于家电控制和消费电子触控功能领域研发了相关高性能触控技术MCU芯片产品，目前相关研发设计已完成，后续将持续推进量产和相关领域的导入。 （2） 模拟产品 VCM Driver芯片 音圈马达（VCM）是摄像头模组内用于推动镜头移动进行自动聚焦的装置，音圈马达驱动芯片（VCM Driver）为与音圈马达匹配的驱动芯片，主要用于控制音圈马达来实现自动聚焦功能。 目前，开环式、闭环式、光学防抖式是音圈马达驱动芯片最为常见的三类产品，主要应用于手机摄像头模组领域。 公司内置非易失存储器的 PE系列音圈马达驱动芯片（二合一)多颗产品量产,支持下一代主控平台的 1.2V PD系列音圈马达驱动芯片产品也已量产出货。该系列产品可有效降低产品功耗，缩小芯片面积，以顺应各类智能终端轻薄化的发展趋势。同时，公司中置音圈马达驱动芯片也已经大批量出货，依托 EEPROM产品的客户资源优势，实现下游的顺利交付。此外，公司结合行业发展趋势，与终端密切配合，研发的新一代 VOIS（光学防抖音圈马达驱动）芯片实现量产，OIS芯片也在手机和安防客户端批量交付。 公司 VCM Driver产品能与 EEPROM产品形成良好的协同效应，提升公司在摄像头模组领域的竞争优势和市场占有率。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司的核心技术可以分为设计及工艺技术和特定产品技术。设计及工艺技术指该类核心技术主要在设计和工艺阶段，可应用于公司的多条或全部产品线；特定产品技术指该类技术主要应用于某一类产品线，该类技术也可能出现跨产品线应用的情况。 报告期内，公司在存储器芯片领域持续拓展，进行 40mn以下新一代工艺和浮栅下一代技术创新技术储备，推出 1.1V超低电压超低功耗创新技术，并在存储领域延展 ETOX工艺技术开发中大容量 NOR Flash产品系列，布局“存储+”战略，包括基于 ARM内核的 32位 MCU芯片多个系列上百种型号的产品实现研发量产出货，以及应用于摄像头模组的高性能 VCM Driver芯片系列模拟产品。 相关的核心技术如下： A. 存储器芯片相关核心技术 （1） 超低功耗设计 通过模拟及混合信号电路设计，实现全差分低幅度的灵敏放大器，高速的双沿采样实现读取数据的低功耗；结合数字电路的优化，芯片手表及品牌 TWS耳机等穿戴领域具备领先的低功耗优势。 在芯片擦写电路设计中，采用非离散域控制方法，实现较低的输出抖动和较低的动态功耗。 （2） 宽电源电压设计 公司在产品规划中采用了一体化自适应读出电路电源管理和宽电压低功耗电荷泵设计技术，产品支持 1.65V至 3.60V工作电压范围。公司在成立之初推出了支持四线模式和宽电压的 Flash产品，满足了低功耗蓝牙在电池系统供电下与主流 SoC配合的供电范围要求。 （3） 超低电源电压设计 公司推出的 1.2V EEPROM系列产品，支持最低 1.1V工作电压；这是基于超低电压的模拟及存储器技术。 （4） 高可靠性设计 公司采用特殊器件和温度补偿电路，实现擦写电压的零温度系数，在相同工艺条件下，公司的 EEPROM产品擦写寿命可达 400万次。 （5） 面向封装的可靠性设计 公司的 WLCSP产品均采用自主知识产权的划片槽技术，能有效避免生产过程中带来的裂片风险，在手机模组应用的 WLCSP存储器产品划片中实现更优的失效率和颗粒残留，满足摄像头模组的可靠性要求。 （6） 面向产品灵活性和竞争力的设计 公司利用单套掩膜版实现多颗产品的设计技术，实现产品软件配置可调而支持多地址、多接口的应用。 B. 工艺研发及优化的核心技术 存储器芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成。存储单元方面，目前 NOR Flash的主流基础工艺包括浮栅 ETOX和电荷俘获的 SONOS工艺结构，为芯片设计企业提供了不同的存储单元结构选择；外围电路方面，芯片设计企业在确定基础工艺后，结合存储单元结构特性和产品功能需求进行复杂的外围电路设计，外围电路设计技术的不同决定了 NOR Flash性能的差异化。因此，存储单元结构是芯片设计的基础，电路设计的核心技术是决定产品性能的关键因素，是不同芯片设计公司之间芯片产品差异化的来源，帮助企业形成自身的产品竞争优势和核心技术壁垒。 （1）先进工艺节点的 Cell单元优化； （2）面向工艺均一性的制程优化技术； （3）面向良率提升的制程优化技术； （4）面向核心工艺设备（炉管等）的工艺优化和窗口提升技术。 目前 NOR Flash领域中，兆易创新、华邦、旺宏等传统闪存芯片厂商均采用浮栅 ETOX工艺结构。公司则率先将 SONOS工艺结构应用于 NOR Flash的研发设计，现阶段已形成完整的核心技术体系和技术壁垒，并凭借超低功耗和高可靠性等产品特点，形成了极具竞争力的 NOR Flash产品矩阵。公司与晶圆厂充分配合，在存储单元开发和工艺优化方面展开了深入的合作。公司成立至今，累计实现了三个制程节点近十种存储单元的开发。 C. NOR Flash相关核心技术 ? SONOS工艺下 NOR Flash相关核心技术 （1） SONOS工艺平台 公司采用 SONOS工艺平台，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，采用了双管（2T）单元共源（CSL）结构，有效满足了穿戴应用及 IoT应用对低电压和低功耗的要求。双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单元的漏电，使得产品具备极低的静态功耗。而对于共源（CSL）结构，在存储单元尺寸显著减小同时也可以进一步降低编程和擦写电压，降低功耗，并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。 公司通过自主研发和设计架构的配合，通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的数量，从而降低产品的成本，通过降低操作电压，降低了擦除和写入操作对单元结构的损耗，实现 NOR Flash低功耗和高可靠性。目前公司已完成 SONOS工艺面向 NOR Flash的工艺和设计研发，形成了完整的 NOR Flash芯片设计技术体系，帮助公司 NOR Flash产品实现了低功耗、快速读取等优异性能。 （2） 产品设计及测试相关技术 公司通过创新的存储器架构和模拟电路的设计和优化，实现产品超低功耗的读出和擦写，产品在深睡眠模式下只需满足极低工作电流的操作条件。 公司结合工艺和器件的特点，通过自主研发的存储器架构和全芯片的优化设计（含存储单元周边驱动电路、模拟电路和数字电路），实现 1.65-3.60V的宽电压工作范围并支持四线工作模式。 通过存储单元设计技术的创新与升级，实现了三个产品优势： 1）快速擦除，全芯片擦除速度较 ETOX工艺下的 NOR Flash大幅提升，对于在线擦除或批量烧录的擦除有显著的优势； 2）产品使用过程中，初期擦写时间和末期擦写时间不变，相较于 ETOX NOR Flash，公司的SONOS NOR Flash产品在特定的应用环境中具备一定优势； 3）异常掉电下的安全性和上电的快速特性，即掉电不影响非擦写区域，不会在掉电恢复后产生芯片漏电而无法正常工作的问题，也保障了上电过程的快速实现。 通过自主研发的校准技术和温度补偿技术，实现擦写电压与存储单元的温度特性匹配，有效提升产品的可靠性，达到擦写次数优于 10万次，数据保持时间优于 20年。 通过产品缓存的优化设计，实现产品并行写入效率的 2至 4倍提高，有效提升产品进行在线升级或批量烧录的效率，从而降低成本。通过独特的页单位的擦除模式设计，改善产品在小数据结构下的擦写效率，有利于可靠性和应用效率的提升。 通过自主研发的面向测试的设计技术，提升产品的测试效率、缩短测试时间，同时提升测试的覆盖率。 通过针对 SONOS NOR Flash面向制造的设计技术（包括电路和版图），提升产品在先进工艺下的生产控制窗口，提升产品的良率。 通过自主开发的智能校准和动态调整技术，实现产品规格与工艺窗口的动态匹配，提升产品良率，并优化可靠性水平。 通过采用全差分读取电路、高灵敏度比较器、以及亚阈值设计等先进设计技术，实现产品超低电压工作；采用高效率读相关电路、功耗优化的低电压电荷泵等技术实现产品超低功耗，推出业界首款支持 1.1V工作的超低电压、超低功耗 Flash平台。 ? ETOX工艺下 NOR Flash相关核心技术 （1） 功耗优化技术 公司产品在读和擦写功耗上，采用了多种新技术对功耗进行了优化。在读功耗上：采用逻辑控制非用即关技术，优化了读取控制电路的功耗；采用了新的解码编排技术，减小了位线寄生电容，减少了读取功耗；采用了新的敏感放大技术，节约了数据读取所需要时间，减小了读取功耗。 在写功耗上，采用了逐级控制电流技术，提升了编程效率，缩减了编程功耗；采用了动态算法编程技术，提升了随机数编程效率；在擦除功耗上，对擦除步骤之一的预编程进行了改进，用隧穿编程替代了热载流子编程，大大缩短了预编程的时间和功耗。 （2） 读取速度提升技术 公司产品采取的多种技术提升了的产品的读取速度。采用了动态采样、输出再编码、传输路径最适化、字线匹配及非满幅检出等技术。 （3） 过擦除保护技术 公司 ETOX产品的特点有过擦除问题，需要对过擦除进行修复。产品采用了逼近优化的两步修复技术对过擦除进行修复；产品还采用了上电过擦除检测及修复机制，对异常断电及数据老化导致的阈值变化进行检测和纠正。 （4） 冗余位线自动修复技术 公司 ETOX产品在测试时需要用到冗余位线对常规位线的坏块进行修复，产品采用了冗余位线自动修复技术，在一定背景数据下，当位线出现坏块时，修复系统自动对字线坏块进行修复，并输出修复信息或出错信息，减少了修复处理的复杂度及测试时间。 D. EEPROM相关核心技术 （1） 130nm制程下的存储单元改进技术 行业内公司的 EEPROM芯片主流制程为 130nm，公司在 130nm制程的基础上，对存储单元结构进行工艺优化改进，优化编程电压及电荷泵补偿结构。 一方面，降低了存储单元的面积和 EEPROM芯片的大小，另一方面，擦写电压的优化和补偿结构，提升了产品的可靠性和寿命，使得公司的 EEPROM芯片具备 400万次擦写能力及 200年的数据保存时间。 （2） 95nm及以下工艺制程的开发升级 在 130nm高可靠性 EEPROM的基础上，从工艺制程、电路设计等方面切入，对手机摄像头模组等消费类 EEPROM以及智能电表、智慧通信等工业类 EEPROM存储器芯片进行升级研发，达到了 95nm及以下的工艺制程，实现更大容量、更低工作电压和更低功耗。 （3） 工艺结合设计的可靠性优化 通过特殊工艺器件的开发，工艺膜厚的优化、结合设计补偿和电荷泵启动技术，实现擦写电压的温度补偿、并显著降低高压过程对存储单元的损伤，实现常温的高擦写次数，同时更为显著地提升了高温下的擦写能力和擦写寿命。 （4） 工艺结合设计的成本优化设计 通过特殊工艺层次的加入，结合设计电路在浮栅的控制方法，实现存储单元窗口的平移和操作电压的优化，从而改善了存储单元的面积，同一工艺节点下实现存储单元和芯片尺寸的缩小。 （5） 容错纠错技术 在容错和纠错技术的研究和开发方面，一是采用 ECC技术，也就是纠错校验技术，在存储单元阵列的基础上，需要增加一位的校验码，当数据被写入 EEPROM的时候，相应的 ECC代码与此同时也被保存下来。当重新读回刚才存储的数据时，保存下来的 ECC代码就会和读数据时产生的 ECC代码做比较。来保证数据的准确性。二是采用差分存储方案，利用差分存储单元特点，把数据存储分在差分的两个位置同时存储，在读出的时候再比对两个位置的数据，解码一致则读出。 （6） 先进封装和小型化技术 针对手机摄像头 WLCSP封装对 EEPROM小型化及可靠性需求。公司采用软件地址编程及软件写保护技术，实现在 4球的封装中提供全地址可编程的方案。同时针对手机摄像头加工和组装中容易产生灰尘颗粒缺陷的要求，在产品设计的时候，采用无金属化的划片槽设计，能有效降低芯片加工过程中产生的裂片和颗粒缺陷的风险，降低产品使用过程中可能发生的潜在失效。 E. 微控制器相关核心技术 （1） 宽电压 MCU技术 公司 MCU产品规划中定义了宽电压设计指标，产品低压支持最低 1.7V工作电压，高压支持最高 5.5V工作电压。既可以满足新兴市场低电压、低功耗的要求，也可以满足早期 8位 MCU市场 5V应用的需求。 （2） 多 IO设计技术 通过优化芯片电源网络和 PMU设计，最大化的减少芯片电源引脚，在封装引脚限定的情况下提供更多的通用 IO，增加功能性。 （3） 基于先进存储工艺的自主开发嵌入式 Flash闪存技术 公司 MCU产品采用 55nm及以下嵌入式 Flash工艺技术，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，采用了双管（2T）单元共源（CSL）结构，双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单元的漏电，使得产品具备极低的静态功耗。而对于共源（CSL）结构，在存储单元尺寸显著减小同时也可以进一步降低编程和擦写电压，降低功耗，并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。 基于多年来在闪存工艺及设计技术上的耕耘，公司自主开发的 Flash闪存具有低动态和静态功耗，快速 Flash擦除速度，同等容量下更小更有竞争力的闪存 IP面积，和独立 Flash相匹敌的Flash擦写次数和数据保持等可靠性指标。 （4） 低功耗设计技术 动态电流方面：公司 MCU产品采用先进工艺及自有 IP，擦和写都是通过 FN隧穿方式实现擦写电流低。采用公司专利的读电路设计可以大幅降低读电流，芯片动态功耗具备优势。 静态功耗方面：公司 MCU产品采用多电源域的设计，通过对不同电源域的电压控制和电源开关控制，实现更低的静态电流。 （5） 高可靠性设计技术 公司 MCU产品 ESD满足 8KV指标。产品设计了可靠的 POR/BOR电路，保证各种条件和电压下的可靠上电下电复位。 （6） 工艺结合设计的成本优化设计 公司 MCU产品采用先进制程下的嵌入式 Flash工艺和设计，使得版图优化，从而实现更小更有竞争力的芯片面积，同时通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的数量，从而降低产品的成本。 （7） 高性能触控技术 公司 32位触控 MCU内置电容检测电路，配备完善的触控库算法，兼具灵敏度和可靠性，可以稳定通过 10V动态 CS测试，可实现高信噪比、超强抗干扰性和超低功耗功能，具有易操作、响应快、成本低、无开孔等优点。 （8） 高性能电机驱动控制技术 公司电机专用型MCU通过集成相适配的高效架构算法、电机结构设计方案以及多通道接口，可实现高低电压自适应启动、转子初始位置自学习、零速闭环启动、宽转速范围等功能，有效提升产品运行效率和稳定性。 F. 模拟产品的音圈马达驱动芯片相关核心技术 （1） 接口低电压技术 现在主流的智能终端应用处理器平台为实现系统整体低功耗，未来几年通用接口将逐渐过渡到采用 1.2V接口，本公司音圈马达驱动全系列产品实现了 1.2V到 3.6V全电压输入范围的正常通讯，可兼容各种通用接口的接口电平。 （2） 马达快速稳定算法 公司自主研发的四阶马达快速稳定算法，与电机阻尼系数调较，两种技术的叠加使用，可以实现电机的稳定时间在 10ms以内，比业界通用标准（<15ms.）提高 30%的速度。 （3） VCM Driver与 EEPROM二合一的产品开发技术 产品实现地址可选择，稳定算法参数的用户配置，更优的成本和更小的产品体积。 （4）动态电压适配驱动技术 通过设定不同的 Driver IC的输入电压，可以获得不同的最大电流输出能力，兼顾功耗节省和电机推动能力的不同需求。 （5）高主频 OIS Driver 公司高主频 OIS driver支持 2路 OIS和 1路 AF线性驱动控制，并支持 6轴 PWM驱动输出，可同时支持传统的 OIS马达和 SMA马达。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2. 报告期内获得的研发成果 报告期内，公司取得 10项发明专利，1项实用新型专利授权；新提交 20项发明专利申请，1项实用新型专利申请；取得 5项集成电路布图设计登记。 报告期内获得的知识产权列表
3. 研发投入情况表 单位：元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4. 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：万元
情况说明 1、上述4个项目的“本期投入金额”及“累计投入金额”分别为本期研发费用及累计研发费用口径； 2、第1至第2个项目为募集资金投资项目，预计总投资规模包括研发项目的设备购置费用、研发费用、基本预备费、铺底流动资金等。 5. 研发人员情况 单位:万元 币种:人民币
 |