[中报]中微半导(688380):2024年半年度报告

时间:2024年08月28日 02:15:57 中财网

原标题:中微半导:2024年半年度报告

公司代码:688380 公司简称:中微半导




中微半导体(深圳)股份有限公司
2024年半年度报告


















2024年8月

重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营活动中可能存在的相关风险及应对措施,敬请查阅本 报告“第三节管理层讨论与分析”


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人周彦、主管会计工作负责人吴新元及会计机构负责人(会计主管人员)孙玲声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 不适用

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用


八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本公告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺, 请投资者注意投资风险

九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用


目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 5
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 9
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 28
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 30
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 32
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 68
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 74
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 75
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 76




备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表。
 载有现任法定代表人签字和公司盖章的2023年半年度报告全文及摘 要。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。




第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
报告期2024年1月1日至2024年6月30日
公司、中微半导、本公司中微半导体(深圳)股份有限公司
北京中微芯成北京中微芯成微电子科技有限公司
四川中微芯成四川中微芯成科技有限公司
成都芯联发成都市芯联发电子科技有限公司
四川芯联发四川芯联发电子有限公司
香港中微SHENZHEN CHINA MICRO SEMICON CO., LIMITED
新加坡中微SINGAPORE CHANGI TECHNOLOGY PTE. LTD.,香港中微全 资子公司
中山联发微中山市联发微电子有限公司
中微渝芯中微渝芯(重庆)电子科技有限公司
电科芯片中电科芯片技术股份有限公司,曾用名中电科声光电科 技股份有限公司
顺为芯华顺为芯华(深圳)投资有限合伙企业(有限合伙),系公司 的员工持股平台
顺为致远顺为致远(深圳)投资有限合伙企业(有限合伙),系公司 的员工持股平台
南海成长深圳南海成长同赢股权投资基金(有限合伙),系公司的 股东
中小企业发展基金中小企业发展基金(深圳南山有限合伙),系公司的股东
重庆芯继重庆芯继企业管理咨询合伙企业(有限合伙),系公司的 股东
丰泽一芯丰泽一芯(深圳)贸易有限公司
华虹宏力上海华虹宏力半导体制造有限公司
SoCSystem on Chip的英文缩写,中文称为芯片级系统,意 指一个有专用目标的集成电路,其中包含完整系统并有 嵌入软件的全部内容。
MCUMicrocontroller Unit的英文缩写,中文称为微控制单 元,是把中央处理器的频率与规格做适当缩减,并将内 存、计数器、USB 等周边接口甚至驱动电路整合在单一 芯片上,形成芯片级的计算机。
ADCAnalog-to-Digital Converter的英文缩写,中文称为 模数转换器,是可实现将连续变量的模拟信号转换为离 散的数字信号的器件。
DACDigitial-to-Analog Converter的英文缩写,又称DA、 D/A 转换器,中文称为数模转换器,是将二进制数字量 形式的离散信号转换成以标准量(或参考量)为基准的模 拟量的转换器。
MOSMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的缩写,即金属-氧化物半导体场效应晶体 管,简称金氧半场效晶体管。
LDOLow Dropout Regulator的英文缩写,中文称为低压差 线性稳压器,是一种线性稳压器,使用在其饱和区域内 运行的晶体管或场效应管,从应用的输入电压中减去超 额的电压,产生经过调节的输出电压。
BMSBattery Management System的英文缩写,中文称为电 池管理系统,是对电池进行管理的系统,主要就是为了 智能化管理及维护各个电池单元,防止电池出现过充和 过放,延长电池的使用寿命,监控电池的状态。
V电压,也被称作电势差或电位差,是衡量单位电荷在静 电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
RISCReduced Instruction Set Computing的英文缩写, 中文称为精简指令集计算机,是一种执行较少类型计算 机指令的微处理器,起源于80年代的MIPS主机(即RISC 机),RISC机中采用的微处理器统称RISC处理器。
CE传导骚扰,用来测量被试设备在正常工作状态下通过电 源线、信号/控制线对周围环境所产生的传导干扰是否符 合要求。
RE辐射骚扰,测量被试设备通过空间传播的辐射骚扰场强。
CMOSComplementary Metal Oxide Semiconductor的英 文缩写,中文称为互补金属氧化物半导体,是指制造大 规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来 的芯片。
IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写, 中文称为绝缘栅双极型晶体管,是由 BJT(双极型三极 管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压 驱动式功率半导体器件,兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点,驱动功率小而饱和压 降低。
USBUniversal Serial Bus的英文缩写,中文称为通用串行 总线,是一个外部总线标准,用于规范电脑与外部设备 的连接和通讯,是应用在PC领域的接口技术。
IPD集成产品开发(Integrated Product Development), 是一套产品及研发管理的体系,是从产品投资与开发的 角度来审视产品与研发管理的思想和架构。
模拟芯片处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟信 号是指用电参数,如电流和电压,来模拟其他自然物理 量而形成的连续性的电信号。




第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称中微半导体(深圳)股份有限公司
公司的中文简称中微半导
公司的外文名称Shenzhen China Micro Semicon Co., Ltd
公司的外文名称缩写CMS
公司的法定代表人周彦
公司注册地址深圳市前海深港合作区南山街道桂湾三路91号景兴海 上大厦2101
公司注册地址的历史变更情况公司分别于2022年8月23日、2022年9月28日召开公司 第一届董事会第十八次会议和2022年第二次临时股东 大会,审议通过了《关于变更公司注册地址的议案》 ,并已办理完成工商变更登记,公司注册地址由“深 圳市南山区南头街道大汪山社区桃园路8号田厦国际中 心A座2008”变更为“深圳市前海深港合作区南山街道 桂湾三路91号景兴海上大厦2101”。
公司办公地址深圳市前海深港合作区南山街道桂湾三路91号景兴海 上大厦2101
公司办公地址的邮政编码518000
公司网址www.mcu.com.cn
电子信箱[email protected]
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二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代 表)证券事务代表
姓名吴新元赵羽佳
联系地址深圳市前海深港合作区桂湾三 路91号前海金融中心T1栋21楼深圳市前海深港合作区桂湾三 路91号前海金融中心T1栋21楼
电话0755-269200810755-26920081
传真0755-268956830755-26895683
电子信箱[email protected][email protected]


三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》《证券 日报》《经济参考报》
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司董事会秘书办公室
报告期内变更情况查询索引


四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板中微半导688380不适用

(二) 公司存托凭证简况

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入428,684,740.05288,212,021.7848.74
归属于上市公司股东的净利润43,022,197.6626,540,258.9762.1
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润63,174,711.84-15,891,960.47不适用
经营活动产生的现金流量净额126,273,207.69-86,407,883.27不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产2,911,887,651.122,971,638,437.37-2.01
总资产3,088,749,943.353,151,080,027.72-1.98

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.110.0757.14
稀释每股收益(元/股)0.110.0757.14
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.16-0.04不适用
加权平均净资产收益率(%)1.430.83增加0.6个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)2.1-0.5增加2.6个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)13.8919.19减少5.3个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、报告期内公司实现营业收入 42,868.47万元,较上年同期增长 48.74%;实现归属于上市公司股东的净利润 4,302.22万元,较上年同期增长 62.10%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 6,317.47万元,较上年同期-1,589.20万元增长 7900余万元。

主要原因为:2024上半年,市场行情继续回暖,产品需求稳定,公司整体毛利维持。

2、报告期内公司经营活动产生的现金流量净额为 12,627.32万元,较上年度大幅增加,主要原因是公司销售收入增加的同时,加强了应收账款和库存商品的管理,从而因经营活动取得的现金增加约 1.38亿元,因采购晶圆等现金支出减少约 0.55亿元。

3、报告期末公司归属于上市公司股东的净资产为 291,188.77万元,较上年度下降 2.01%、公司总资产为 308,874.99万元,较上年度下降 1.98%。主要原因是公司 2024年支付股利 9,989.88万元。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减值 准备的冲销部分14,578.31 
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营 业务密切相关、符合国家政策规定、按照确定 的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府 补助除外23,109,825.35 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外,非金融企业持有金融资产和金融负债 产生的公允价值变动损益以及处置金融资产 和金融负债产生的损益-59,831,268.48 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费  
委托他人投资或管理资产的损益15,839,402.87 
对外委托贷款取得的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的各 项资产损失  
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资 成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨 认净资产公允价值产生的收益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益  
非货币性资产交换损益  
债务重组损益  
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用,如安置职工的支出等  
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益 产生的一次性影响  
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份 支付费用  
对于现金结算的股份支付,在可行权日之后, 应付职工薪酬的公允价值变动产生的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益  
交易价格显失公允的交易产生的收益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-44,063.88 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额-759,011.65 
少数股东权益影响额(税后)  
合计-20,152,514.18 
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)主要业务、主要产品及其用途
1、主要业务
中微半导是一家以MCU为核心的平台型芯片设计企业,专注于数字和模拟芯片的研发、设计与销售,力求为智能控制器提供芯片级一站式整体解决方案。公司前身为1996年成立的一家芯片应用方案公司,创始人在方案开发过程中萌发芯片设计初心,2001年跨界进入芯片设计行业并成立公司。公司自成立以来,围绕控制器所需芯片从ASIC芯片设计开始,不断拓展技术布局,如今掌握8位和32位MCU、高精度模拟、功率驱动、功率器件、无线射频和底层核心算法等设计能力。

产品在55纳米至180纳米CMOS、90纳米至350纳米BCD、双极、SGT MOS和IGBT等工艺上投产,并逐步向 40 纳米、20 纳米等更高制程迈进,广泛应用于智能家电、消费电子、工业控制、医疗健康、汽车电子等领域。

2、主要产品及用途
公司主要产品以 MCU 芯片为核心,还包括各类 ASIC 芯片(高精度模拟、电源管理、通信交互、功率驱动等)、SoC芯片、功率器件芯片和底层核心算法,为智能控制器提供芯片级一站式整体解决方案。

MCU是芯片级的计算机,又称单片机,是把中央处理器(CPU)的频率与规格做适当缩减,并将内存(Memory)、计数器(Timer)、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口,甚至LCD驱动电路都整合在单一芯片上,形成芯片级的计算机。MCU 芯片的组成部分可分为:中央处理器、存储器、以及输入/输出。MCU芯片按用途分类可分为通用型和专用型。通用型MCU芯片指的是将可开发的资源(ROM、RAM、I/O、EPROM)等全部提供给用户。专用型MCU芯片指的是其硬件及指令是按照某种特定用途而设计,例如录音机机芯控制器、打印机控制器、电机控制器等。公司是国内最早自主研发设计MCU的企业之一,2004年就在华虹宏力工艺研发MCU芯片,并于2005年推出公司首颗8位MCU,如今MCU产品以专用型为主,覆盖8位和32位全系列,具体如下图所示:
ASIC是专用集成电路,是指应特定用户要求或特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路,例如ADC、DRAM、FLASH等这些具备明确单一功能的,或者H.264编解码、802.3协议、5G基带等特定应用场景的芯片,功能相对单一ASIC在批量生产时与通用集成电路相比具有体积小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。公司2002年推出自主设计的第一款专用新芯片--燃气热水器定时芯片,2014 年进入栅极驱动设计,2018 年进入高精度模拟产品设计。目前,公司针对特定领域推出具备完美性价比及能效优势的专用芯片系列,产品包括传感、触摸、显示驱动、电机驱动、高精度ADC、BMS模拟前端、遥控、线性稳压器等。

数据转换芯片主要包括模数转换(ADC)和数模转换(DAC)芯片。ADC用于将真实世界产生的模拟信号转换成数字信号进行输入,数字集成电路进行信号处理,然后用DAC将数字信号调制成模拟信号进行输出。公司的高精度ADC产品,通过采样和噪声整形等方式提高了测量的精度,其中24位高精度ADC的有效精度达到21.5位。

电源管理芯片是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的关键器件,使得电压和电流应保持在设备可以承受的规定范围内,其性能优劣和可靠性对整机的性能和可靠性有着直接影响,功能一般包括电压转换、电流控制、电源选择、电源开关时序控制等。公司的电源管理芯片主要产品包括线性电源LDO和开关电源DC-DC等。其中LDO为低压差线性稳压器,用于实现低压差场景下的降压转换,具有低噪声、纹波小、高精度等特征;而DC-DC可以实现降压、升压、升降压转换等多种功能,电压及电流适用范围更广,能够实现高转换效率。

功率IC是半导体芯片中模拟芯片的典型代表,可实现功率(电压、电流、频率)的变换控制与调节,为后续电子元器件提供相应的功率供应和管控要求。公司栅极驱动 IC 主要为电机驱动IC,其能够将电机控制器/MCU输出的低压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号,来驱动功率器件进行开关动作,从而驱动电机工作,集成了高侧和低侧驱动器,可降低开关损耗,适应嘈杂的环境并提高系统效率。公司的驱动IC产品包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列,可满足多种场景的应用要求。

公司的ASIC芯片系列如下图所示:

SoC 是系统级芯片,又称片上系统,一个专用目的的集成电路,是由多个具有特定功能的集成电路组合在一个芯片上形成的系统或产品,其中包含完整的硬件系统以及承载的嵌入式软件。

SoC芯片组成可以是系统级芯片控制逻辑模块、微处理器/微处理器CPU内核模块、数字信号处理器DSP模块、嵌入的存储器模块、外围通信接口模块、含有ADC/DAC的模拟前端模块、电源提供和功耗管理模块、用户定义逻辑以及微电子机械模块,以及内嵌的基本软件模块或可载入的用户软件。SoC 芯片通常为客户定制或是面向特定用途的标准产品。公司以高度集成的优势,将数字和模拟 IP 设计在同一颗 SoC 里以实现特定的功能应用。例如电机控制、无线充、测量、无线链接、高压驱动、电磁加热、BMS、电动牙刷等混合信号SoC,不但可以简化设计,同时可以有效缩减BOM尺寸面积,较之传统芯片电路更小,功耗更低,可靠性更高,可以灵活且充裕的能力来执行更高级、用户应用级别的任务。公司现有SoC产品如下图所示:
功率器件又叫功率分立器件,是在电力控制电路和电源开关电路中必不可少的电子元器件, 主要用于电子电力的开关、功率转换、功率放大、线路保护等。MOSFET和IGBT的推出,集高频、 高压、大电流于一身,使功率器件的应用从单一的电力领域迅速渗透到消费电子、汽车电子、新 能源、变频家电等各大领域。功率器件属于模拟电路,相对于数字电路,开发难度较大,需要有 长期的技术积累。公司早在2013年第一款1350V沟槽型终止IGBT就实现量产。目前,公司推出 新一代的SGT MOS、IGBT和CSP MOS,丰富了公司的产品系列,提升了公司一站式整体解决方案 的能力。公司的功率器件产品如下图:
底层核心算法就是各种用于计算机自身运行的驱动程序(经过选择并可以更新)和为控制运行而编制的专用程序。公司注重底层核心软件算法的研发设计,让客户更容易使用公司产品,目前能够提供触摸库、上位机控制软件、电机底层算法等,如下图所示: 公司负责芯片产品的设计,将所有的晶圆制造和主要的芯片封装测试等环节通过委外方式实 现。公司主要产品的工艺流程图如下所示: 公司的产品广泛应用于消费电子、智能家电、工业控制、汽车电子和医疗健康领域,可为该类领域的智能控制器提供芯片级的一站式整体解决方案。具体应用领域如下图所示: (二)经营模式
随着集成电路技术、工艺的不断进步,行业内分工的逐渐细化,集成电路行业的经营模式也逐渐成熟,其主要经营模式包括IDM模式和Fabless模式。

IDM 模式(Integrated Device Manufacture,即垂直一体化模式),指集成电路设计、晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和测试均由企业内部分工协作完成。 该模式便于公司内部整合资源、获取整体高额利润,但对企业的技术能力、资 金实力、管理组织水平以及市场影响力等方面都有极高的要求。诸如英特尔(Intel)、三星(Samsung)等国际芯片大厂主要采用IDM模式。

Fabless 模式(Fabrication-Less,即垂直分工模式、无晶圆模式),指企业专注于集成电路的研发、设计及销售,将晶圆制造、芯片封测等环节分别委托给专业的晶圆制造企业和封装测试企业完成。该模式对资金和规模门槛要求相对较低,因此全 球绝大部分芯片设计企业均采用 Fabless 模式。

公司总体属于Fabless模式集成电路设计公司,集中优势资源用于集成电路产品的研发、设计和销售环节,将全部的晶圆制造、晶圆测试及主要的芯片封装、芯片测试委外代工完成,同时自建一条研发促进、产能调节型的芯片封装、测试产线,确保研发产品的快封、快测和必要芯片封装、测试的产能调节。


(三)公司所属行业发展状况以及公司所处的行业地位分析
1、行业发展状况
公司主营业务为芯片产品的研发、设计与销售,根据《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》,公司所处行业属于 I652“集成电路设计”;根据《国民经济行业分类(GB/T4754-2017)》,公司所属行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”,行业代码“6520”。

集成电路是20世纪的一种半导体微型器件,是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等制造工艺,把半导体、电阻、电容等电子元器件及连接导线全部集成在微型硅片上,构成具有一定功能的电路,然后焊接封装成的电子微型器件。集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间变化的信号,例如温度、压力、浓度等)。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号)。公司具备模拟和数字集成电路设计能力。

集成电路是现代信息产业的基石,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业,属于国家高度重视和鼓励发展的行业;同时,集成电路行业是一个快速发展的高科技行业,各种新技术、新产品层出不穷,一方面产生了巨大的市场机遇,另一方面也导致市场变化较快,持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的重要手段。

2、公司的行业地位情况
集成电路按处理的信号对象不同,通常可分为模拟芯片和数字芯片两大类。公司是国内知名的MCU供应商,且为国内少有的以MCU为核心的平台型芯片设计企业,同时掌握数字和模拟设计技术,具备8位和32位MCU、高精度模拟、功率驱动、功率器件、无线射频和底层核心算法的设计能力,具有技术布局全、产品系列丰富、应用领域广的特点,能为智能控制器提供芯片级一站式整体解决方案。

报告期内,公司在产品研发和市场开拓上不断突破,在整个下游市场需求放缓的形势下,通过积极的市场策略,公司芯片出货量环比有所增加,市场占有率进一步扩大。



二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司自成立以来,围绕智能控制器所需芯片和底层算法进行技术布局,经过20年的自主创新,形成包括高可靠性MCU技术、高性能触摸技术、高精度模拟技术、电机驱动芯片技术及底层算法、低功耗技术、高性能CSP MOSFET技术、逆导IGBT技术等核心技术,广泛应用于公司的各类产品,具体情况如下:

序号核心技术 名称主要用途技术特点描述所处阶 段技术来源
1高可靠性M CU技术MCU设计MCU作为主控芯片,其可靠性是产品品质的重要 指标,影响MCU可靠性的因素很多,包括时钟电 路、复位电路、内置存储数据的读写保护等,公 司在20余年MCU设计的经验基础上,掌握包括MCU 高可靠性架构、充足的设计裕量和抗干扰存储技 术在内的高可靠性MCU技术量产自主研发
2高性能触 摸技术MCU设计触摸功能是部分主控芯片常备功能,而其灵敏度 直接影响产品的性能和竞争力。公司高性能触摸 技术特点主要包括:1、超高灵敏度调节、隔空 触摸、接近感应;2、优异的传导抗扰度(CS) 、传导骚扰(CE)、辐射骚扰(RE)性能量产自主研发
3高精度模 拟技术ADC设计公司高精度模拟技术特点主要包括:1、Sigma- Delta 24位ADC;2、高精度运放/比较器/PGA;3、高精 度内部高速振荡器;4、高精度内部温度传感器 ;5、高精度内部基准源/LDO量产自主研发
4电机驱动 芯片技术 及底层算 法功率驱动 设计及电 机控制公司电机驱动芯片技术及底层算法应用于公司电 机与电池芯片中,特点主要体现为:1、高低压 全系列电机驱动芯片技术;2、掌握无感矢量控 制核心算法的多种实现方式(RFO,MRAS等)量产自主研发
5低功耗技 术MCU设计公司低功耗技术应用于公司消费电子芯片中,特 点主要体现为:1、运行功耗低极低;2、睡眠功 耗低至0.4微安;3、唤醒时间短至25微秒量产自主研发
6高性能CSP MOSFET技 术锂电保护 开关设计公司的高性能的CSP MOSFET特点主要包括:1.功率损耗低;2.机械能 力强;3.雪崩能力强;4.抗冲击能力强量产受让取得、自 主研发
7逆导IGBT 技术1350V IGBT设计公司的逆导IGBT技术特点主要包括:1.单片集成 了FRD,芯片成本降低;2.芯片面积小,减少了 系统的体积量产受让取得
8车规级MCU 技术车规级MCU 设计汽车“三化”催生了对MCU的需求,车规级MCU成 为车身域控制、底盘域控、驱动域控、安全气囊 控制、助力转向控制、ADAS雷达、多传感器数据 采集、发动机管理、车身智能网关等汽车电子的 核心部件,要求满足 ISO 26262设计标准和AEC- Q100 Grade1/0测试标准。量产自主研发


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
中华人民共和国工业和信息化部国家级专精特新“小巨人”企业2022年/

2. 报告期内获得的研发成果
2024年上半年度,公司新申请发明专利2项,获得发明专利批准3项;新申请实用新型专利2项,获得实用新型专利批准0项;新申请集成电路布图50项,获得集成电路布图批准33项。

截至报告期末,公司累计申请发明专利61项,获得授权的发明专利31项;累计申请实用新型专利42项,获得授权的实用新型专利36项;累计申请软件著作权26项,获得授权的软件著作权26项;累计申请集成电路布图196项,获得集成电路布图批准177项。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利236131
实用新型专利204236
外观设计专利0000
软件著作权002626
其他5033196177
合计5436325270
注:“其他”为集成电路布图。


3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入59,560,591.3355,311,499.427.68
资本化研发投入00不适用
研发投入合计59,560,591.3355,311,499.427.68
研发投入总额占营业收入 比例(%)13.8919.19减少5.30个百分 点
研发投入资本化的比重(%)00不适用

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序 号项目 名称预计总投资规模本期投入金额累计投入金额进展 或阶 段性 成果拟达到 目标技 术 水 平具体 应用 前景
1大家 电主 控芯 片研 发项 目200,000,000.0010,648,062.66101,137,010.69部分 型号 量 产; 整体 开发 阶段实现基 于M4内 核进行 用于空 调室外 变频电 机控制 的32位 高可靠 性 MCU 的研发, 实现进 口替代国 内 领 先空冰 洗等 白电 领域
2车规 级 MCU280,000,000.0017,071,615.4689,389,935.57部分 型号 量利用国 产车规 级国 内汽车 电 子、
 系列 芯片 研发 项目   产; 整体 开发 阶段110nm 及以下 制程,实 现基于 M0+ 或 M4 内核 车用仪 表显示 控制芯 片等系 列车规 级芯片 的研发, 实现进 口替代领 先工业 控制 领域
3物联 网 SoC 及模 拟芯 片系 列化 芯片 项目130,000,000.0014,632,864.8633,133,112.70部分 型号 量 产; 整体 开发 阶段自研多 种高性 能信号 采集模 拟模块 和芯片、 高性能 的信号 调理模 块和芯 片、高性 能的信 号传输 模块和 芯片以 及高性 能的信 号处理 SOC 芯 片国 内 领 先智能 三 表、 智能 穿戴 等物 联网 领域
4基于 55/40 纳米 制程 的芯 片研 发项 目80,000,000.007,712,639.1130,489,754.36部分 型号 量 产; 整体 开发 阶段利用国 产 55nm 制程带 来的高 速、小尺 寸的工 艺特性, 用于指 纹识别、 血氧仪、 血压计 等的小 尺寸、高 算力要 求的主国 内 领 先汽车 电 子、 工业 控制 及消 费电 子领 域
      控芯片。 主频速 度提升 到 150MHz 以上,待 机功耗 控制在 5 微安 以下。  
5下一 代电 机系 列芯 片项 目100,000,000.006,748,695.8979,385,131.73部分 型号 量 产; 整体 开发 阶段应用自 研的 AGC(自 动增益 控制)技 术和同 步采样 技术,动 态调整 电流信 号放大 增益,高 效利用 硬件的 速度优 势处理 关键信 号。支持 电机转 速超过 15 万 转。国 内 领 先工业 控 制、 消费 电子 领域
6超低 功耗 芯片 研发 项目80,000,000.002,746,713.3516,534,523.56部分 型号 量 产; 整体 开发 阶段自研运 行功耗 低极低、 睡眠功 耗低至 0.4 微 安、唤醒 时间短 至25微 秒的超 低功耗 芯片。国 内 领 先消费 电 子、 医疗 电子 领域
合 计/870,000,000.0059,560,591.33350,069,468.61////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币
基本情况
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)216275
研发人员数量占公司总人数的比例(%)65.8568.58
研发人员薪酬合计4,311.974,197.35
研发人员平均薪酬19.9615.26
注:公司研发人员同比下降的主要原因系:1、公司研发向MCU聚焦,裁减了功率器件研发团队;2、建立健全考核奖励机制,严格优胜劣汰,为吸引和保留更多优秀人才腾出了人力资源空间。


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士00.00
硕士3013.89
本科16275.00
本科以下2411.11
合计216100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
50岁及以上62.78
40-49岁2612.03
30-39岁7333.80
20-29岁11151.39
合计216100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
公司在芯片设计领域深耕20余年,不断拓展自主设计能力,积累的自主IP超过1,000个,具有技术全面、产品线丰富、人才团队建设完善、供应链保障度高的特点。

1、技术布局全、应用领域广
公司围绕智能控制器所需芯片和算法进行技术与产品布局,经过20余年的技术积累,具备主流系列MCU、高精度模拟、功率驱动、功率器件、无线射频、高性能触摸和底层核心算法的设计能力,掌握各类自有IP超过1,000个;产品在40纳米至180纳米CMOS工艺、90纳米至350纳米BCD、高压700V驱动、双极、SGT MOS、IGBT等工艺制程上投产,可供销售产品900余款,可满足多个细分领域不同客户对芯片功能、资源、性价比的差异化需求。全面的技术能力,使公司成为平台型的芯片设计企业,实现了芯片的结构化和模块化开发,针对不同细分领域可快速推出具有竞争优势的产品,还可为客户提供差异化、定制化服务。产品广泛应用于家电、消费类、物联网、医疗电子、工业控制、汽车电子等领域,具有应用领域广的优势。

2、整合能力强、集成程度高
公司始终追求集成电路的本质,通过全面的设计技术(数字、模拟、功率器件设计能力)提升外围电子的整合能力、提高产品集成度,通过提供更多的算力、存储、集成模拟功能、管脚组合和封装形式选择,不仅可以支持嵌入式应用开发多样化的特点,而且可以为客户提供更具性价比方案,提高产品性能、降低综合成本,提升产品综合竞争力。

以公司电机SoC芯片为例,与传统方案相比,公司单芯片集成了MCU、LDO、预驱、3颗(P+N)MOS,一颗芯片实现了传统方案6颗芯片的功能,公司电机方案与传统方案的设计图与实物图对比情况如下:
传统电机方案设计图 公司电机方案设计图 传统电机方案实物图 公司电机方案实物图

3、团队协同好、平台型开发
IC设计行业是知识密集型行业,企业发展的关键因素是人才。公司结合不同城市的地域特点、人才储备优势和贴近市场需求进行研发团队的布局,并于 2018 年在成都购置 16 亩土地建造22,000平方米的研发中心,形成以成都为研发中心,以中山、重庆、北京、上海、新加坡等技术团队为支撑的“一个中心、多点支撑”的技术布局;团队分别为IP设计部、数字产品部、模拟产品部和功率器件部以及应用开发支持部门。

公司以MCU为核心的研发平台成熟,自有IP过1000个,面向具体应用定义产品后进行模块化、结构化设计,新产品设计,开发边际成本低,开发周期短,市场导入快,新领域营收增长快。

4、合作程度深、产能保障好
公司与主要供应商稳定合作多年。2001年与封测厂天水华天合作,携手共同成长;2005年与晶圆厂华虹宏力合作在国内率先推出8位MCU芯片,开启全方位、全产线深度合作,2021年在3个工艺实现量产,是华虹12寸厂90/55nm eFlash工艺首发客户,同时也是少有的在其所有工艺全部量产客户;2013年与晶圆厂GLOBAL FOUNDRIES合作,并开发自有EE存储IP使用至今;同时公司寻求多晶圆厂、多工艺合作,确保晶圆产能持续增加以支撑公司快速发展;2014年与测试厂广东利扬芯片建立芯片测试合作。长期合作所积累的信誉与共同增长的产能供给与需求,加深了公司与主要供应商之间的合作,形成了合作共赢、共同发展的战略合作伙伴关系,增强供应链合作黏性,在产能上得到较为稳定的保证。此外,公司在四川遂宁建设有产能调节型的封装测试产线,增强公司封装测试的应急能力和工程批芯片即封即测的能力,提高新产品研发验证效率。

5、产品应用经验丰富、贴近市场紧密
公司创始团队具备多年芯片应用开发经验,对终端产品应用场景具有深刻的理解。2001年公司从芯片产业链的应用开发端走向前端的研发设计,继承了芯片应用开发基因和对应用开发认识的天然优势,善于从应用端和客户功能需求角度定义芯片、规划产品,充分认识到应用开发对芯片市场推广、更新迭代的作用,保持了强大的应用开发队伍,长期对产品进行应用研究和对客户进行技术支持,促进公司产品快速推广,降低了客户开发难度,同时在对客户服务和交流中掌握终端产品的功能需求,并将获得的信息反馈给设计前端,使公司在新产品定义或升级换代中准确响应终端需求,设计出市场定位准、资源配置恰当、性能优越、性价比高、竞争力强的芯片产品。

6、产品系列全、客户群体多
公司产品系列全,包括8位和32位MCU、ASIC、混合信号SoC、功率器件等,对应的应用领域广、市场空间大。公司产能在各产品线、领域中高效调节与配置,确保产能消耗和实现更大产能附加值;公司客户群体多,无大客户依赖,客户关系均衡,抗市场风险和持续盈利能力强。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2024上半年,半导体行业景气度逐步复苏,且行业库存水位触底后回暖,整体经营环境较上年度同期有明显好转。公司通过持续的扩大市场策略,产品出货量同比大幅增加,库存持续下降。

报告期内,产品出货量同比增长51%,实现营收42,868.47万元较2023年同期28,821.20万元增长48.74%;归属于上市公司股东的净利润为4,302.22万元,比去年同期2,654.03万元增长62.10%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为6,317.47万元,比去年同期-1,589.20万元增长497.53%。

(一)持续改进产品性能和品质,将产品推向更高端应用领域
持续改进产品性能和品质,满足更多应用场景的性能需求和品质要求,推动产品应用从消费电子市场向工业控制和汽车电子市场迈进。报告期内,公司研发重心从满足消费电子需求向满足工业控制和汽车电子需求倾斜,大力提升产品的性能指标;同时以提高产品品质为抓手,坚持每半月进行一次品质分析会,从设计、生产、销售和服务全流程检讨和总结,提升产品品质,改进服务,大幅提高了客户满意度,产品在行业标杆客户中占比增加,在工业控制、汽车电子等高端应用领域的占比逐步提升。

(二)继续保持高强度研发投入,为公司业绩快速增长提供有力的产品支撑 继续保持高强度研发投入,一方面加速已有产品更新迭代提升产品竞争力,另一方面瞄准新的领域进行新品研发和技术储备,为新的增长点寻找机会。报告期内,公司投入研发费用5,956.06万元,较去年同期5,531.15万元增加7.68%,占公司营业收入的13.89%;研发立项15件,产品涵盖公司全部应用领域,为公司营收快速增长提供有力的产品支撑。

(三)持续聚焦行业大客户,提升一站式解决方案能力
产品和服务向行业大客户聚焦,通过与行业大客户的密切接触,掌握大客户需求和行业发展趋势,提升公司一站式解决方案能力;通过对大客户服务的示范作用,提升公司在市场中的声誉和形象,吸引更多潜在客户,拓展公司产品的市场渗透率。

(四)建立健全考核奖励体系,激发队伍干事创业活力
建立健全合理的考核奖励体系,及时兑现目标责任,加大员工激励与淘汰,让奋斗者有平台,让业绩突出者高收益,让躺平者出局,营造干部骨干能上能下,人员优胜劣汰的有序流动的机制,报告期内对研发人员进行大幅调整,为吸引和保留优秀人才腾出了人力资源空间,激发了员工干事创业激情。



报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一)技术风险
(1)产品研发风险
公司作为芯片设计公司,为适应市场新需求和新变化,坚持以研发和技术创新为引领。由于芯片设计的技术要求高、工艺复杂,且流片成本较高,若公司产品研发失败,存在前期投入资金无法收回的风险。

公司正在从事的主要研发项目包括大家电主控芯片研发项目、车规级MCU系列芯片研发项目、基于55/40纳米制程的芯片研发项目、下一代电机系列芯片项目等,上述新产品研发的开发周期较长、资金投入较大,若公司在产品规划阶段未能及时跟踪市场需求走向,或未能维持研发人员的稳定性及研发体系的稳健运作,或在研项目的下游产品技术路径、应用场景等未获市场认可,将对公司未来业绩造成一定影响;此外,若公司研发投入未能及时产业化、技术人才储备无法适应行业的技术形势,导致公司市场竞争中处于落后地位,无法及时、有效地推出满足客户及市场需求的新产品,可能会对公司市场份额和核心竞争力产生一定影响。

(2)技术泄密风险
集成电路设计行业技术密集型的特征日益凸显,拥有核心技术及高素质的研发人员是公司生存和发展的根本。若因核心技术人员流动、技术泄密,或知识产权措施不力等原因,造成公司核心技术流失,可能在一定程度上削弱公司的技术优势,对公司的核心竞争力产生不利影响。

(二)经营风险
(1)供应商风险
公司属于Fabless模式集成电路设计公司,存在因外协工厂生产排期导致供应量不足、供应延期或外协工厂生产工艺存在不符合公司要求的潜在风险。由于行业特性,晶圆制造和封装测试均为资本及技术密集型产业,国内主要由大型国企或大型上市公司投资运营,因此行业集中度较高。如果公司的供应商发生不可抗力的突发事件或未能及时开拓新的供应商,或因集成电路市场需求旺盛出现产能紧张等因素,晶圆代工和封装测试产能可能无法满足需求,将对公司经营业绩产生一定的不利影响。报告期内,上游晶圆加工和封测产能充分释放,下游市场需求未能同步扩张,晶圆和封装测试趋于供大于求状态。

(2)市场周期性的风险
公司MCU产品主要应用于家电、消费和工控与汽车电子领域,虽然工业控制领域占比逐年增加,汽车电子实现突破,但小家电和消费电子领域占比仍然较高。受全球消费能力下降和整个市场周期性影响,家电行业的景气程度和下游客户经营情况会较大程度地影响公司芯片的使用需求。若未来家电和消费类市场需求萎缩,将对公司未来盈利能力产生不利影响。

(3)人才流失风险
芯片设计行业属于技术密集型产业,对技术人员的依赖度较高。同行业竞争对手可能通过更优厚的待遇吸引公司技术人才,同时,公司可能会受其他因素影响导致技术人才流失。上述情况将对公司新产品的研发以及技术能力的储备造成影响,进而对公司的盈利能力产生一定的不利影响。

(三)财务风险
(1)应收账款回收风险
报告期下游市场需求下滑,公司相应改变销售策略、放宽了账期,导致应收账款增加明显,同时随着公司经营规模的扩大,应收账款绝对金额可能逐步增加。如果未来公司应收账款管理不当或者由于某些客户因经营出现问题导致公司无法及时回收货款,将增加公司的经营风险。

(2)毛利率波动风险
公司产品的终端应用领域具有市场竞争较为激烈,产品和技术更迭较快的特点。为维持较强的盈利能力,公司必须根据市场需求不断进行产品的迭代升级和创新。如若公司未能契合市场需求率先推出新产品,或新产品未能如预期实现大量出货,将导致公司综合毛利率出现下降的风险。

(3)税收优惠政策风险
根据财政部、税务总局、发展改革委、工业和信息化部《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》(财政部税务总局发展改革委工业和信息化部公告2020年第45号),国家鼓励的重点集成电路设计企业和软件企业,自获利年度起,第一年至第五年免征企业所得税,后续年度减按10%的税率征收企业所得税。由于研发投入加大,公司预计今年能够达到国家鼓励的重点集成电路设计企业指标,按10%企业所得税计提。

若未来上述税收优惠政策发生调整,或者公司不再满足享受以上税收优惠政策的条件,公司将需要补缴2024年度企业所得税,将对公司的经营业绩产生一定影响。

(4)存货跌价风险
公司根据已有客户订单需求以及对市场未来需求的预测情况制定采购和生产计划。随着公司业务规模的不断扩大,存货规模随业务规模扩大而逐年上升。若市场需求环境发生变化、市场竞争加剧或公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理、合理控制存货规模,可能导致产品滞销、存货积压,从而存货跌价风险提高,将对公司经营业绩产生不利影响。

(5)汇率波动风险
公司的晶圆采购主要以美元报价和结算。随着公司总体业务规模扩大,境外销售及采购金额预计将进一步增加,虽然公司在业务开展时已考虑了合同或订单订立及款项收付之间汇率可能产生的波动,但随着国内外政治、经济环境的变化,汇率变动仍存在较大的不确定性,未来若人民币与美元汇率发生大幅波动,将对公司业绩造成一定影响。

(四)行业政策风险
集成电路行业是国家经济发展的支柱型行业之一,我国目前已通过一系列法律法规及产业政策,从提供税收优惠、保护知识产权、提供技术支持等角度,大力推动行业发展。如果目前良好的行业政策环境发生负面变化,将对集成电路产业的发展产生一定的影响。除此之外,国际间的贸易摩擦,以及有关国家的贸易保护主义抬头以及美国近期通过的《芯片与科学法案》,可能会对公司的新品研发和营收产生影响。公司将继续重视市场、产品、供应链等方面的多元化布局,抓住供应链本土化的时机,实现公司业务快速发展。


六、 报告期内主要经营情况
详见本节“一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明”。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入428,684,740.05288,212,021.7848.74
营业成本301,043,886.08230,591,788.0330.55
销售费用8,563,995.967,861,493.198.94
管理费用18,222,353.6712,830,269.4342.03
财务费用-8,094,477.30-7,232,036.34不适用
研发费用59,560,591.3355,311,499.427.68
经营活动产生的现金流量净额126,273,207.69-86,407,883.27不适用
投资活动产生的现金流量净额-721,975,327.89-362,028,327.82不适用
筹资活动产生的现金流量净额-103,559,083.84-175,332,079.91不适用
营业收入变动原因说明:公司市场行情回暖,产品出货量同比增长51%,同时产品毛利率同比升。

营业成本变动原因说明:出货量大幅增加导致营业成本增加。

销售费用变动原因说明:薪酬费用和房租及物业费支出增加。

管理费用变动原因说明:薪酬费用和房租及物业费支出增加。

财务费用变动原因说明:公司持有的定期存款在上半年集中到期,导致利息收入同比增加128.68万元。

研发费用变动原因说明:主要为薪酬费用和折旧摊销费用的增加,此外研发用材料费用、IP费用、技术开发支出同比都有较大幅度增长。

经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:2024年公司一方面严格管控赊销信用期,在销售量大幅度提升推动营业收入增长的情况下,回款速度显著加快;另一方面公司进一步“控库存”,使得采购成本支出较去年同期减少。

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系购买理财支付本金所致。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:分配股息红利金额变化。


2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明
□适用 √不适用

(三) 资产、负债情况分析
√适用 □不适用
1. 资产及负债状况
单位:元

项目名称本期期末数本期期 末数占 总资产 的比例 (%)上年期末 数上年期 末数占 总资产 的比例 (%)本期期末 金额较上 年期末变 动比例 (%)情况说明
货币资金217,973,73 7.327.06917,255,4 02.5129.11-76.24主要系闲置资金理 财产品由上期定期 存款为主转为大额 存单及结构性存 款。
交易性金 融资产708,213,96 0.3222.93427,012,8 31.5113.5565.85主要系结构性存款 的增加所致。
其他流动 资产1,256,483, 980.1340.68870,130,0 98.4627.6144.40主要系重分类至其 他流动资产的大额 存单的增加所致。
使用权资 产10,978,519 .290.3614,527,01 2.150.46-24.43主要系子公司终止 租赁导致使用权资 产减少。
应付职工 薪酬17,884,325 .490.5825,659,57 3.850.81-30.30主要系半年计提的 年终与年终相比奖 减少所致。
其他说明


2. 境外资产情况
√适用 □不适用
(1) 资产规模
其中:境外资产76,163,696.8(单位:元 币种:人民币),占总资产的比例为2.47%。


(2) 境外资产占比较高的相关说明
□适用 √不适用

其他说明


3. 截至报告期末主要资产受限情况
□适用 √不适用

4. 其他说明
□适用 √不适用

(四) 投资状况分析
对外股权投资总体分析
□适用 √不适用

1. 重大的股权投资
□适用 √不适用

2. 重大的非股权投资
□适用 √不适用

3. 以公允价值计量的金融资产
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

资产类别期初数本期公允价值变 动损益计入权益的 累计公允价 值变动本期计 提的减 值本期购买金额本期出售/赎回 金额其他变动期末数
股票255,975,365.76-59,831,268.48     196,144,097.28
其他171,037,465.752,069,863.04  645,000,000.00305,000,000.00-1,037,465.75512,069,863.04
合计427,012,831.51-57,761,405.44  645,000,000.00305,000,000.00-1,037,465.75708,213,960.32
(未完)
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