[中报]芯导科技(688230):2024年半年度报告

时间:2024年08月28日 05:21:55 中财网

原标题:芯导科技:2024年半年度报告

公司代码:688230 公司简称:芯导科技 上海芯导电子科技股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”部分内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人(会计主管人员)张娟声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 6
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 10
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 33
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 35
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 36
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 54
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 59
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 60
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 61



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表
 经公司负责人签名的公司2024年半年度报告文本原件
 报告期内在指定信息披露平台上公开披露过的所有公司文件的正本及 公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
芯导科技、公司、本公司上海芯导电子科技股份有限公司
无锡芯导芯导科技(无锡)有限公司,公司全资子公司
莘导企管上海莘导企业管理有限公司
萃慧企管上海萃慧企业管理服务中心(有限合伙)
中国证监会、证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《上海芯导电子科技股份有限公司章程》
报告期、本报告期、本年度2024年1月1日-2024年6月30日
报告期末、本报告期末2024年6月30日
元、万元、亿元人民币元、人民币万元、人民币亿元
半导体产品广义的半导体、电子元器件产品,包括集成电路芯片和 其他电子元器件产品。
集成电路、ICIntegrated Circuit即集成电路,是采用半导体制 作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管 及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布线或遂道布 线的方法将元器件组合成完整的电子电路。
功率半导体对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的半导 体器件。
芯片集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、封装、 测试后的结果。
TVSTransient Voltage Suppresser,即瞬态电压抑制器, 是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它具有极 快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力, 可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时 产生的瞬变电压,以及感应雷所产生的过电压。
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金属氧化物半导体场效应晶体管,简 称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电 路与数字电路的场效晶体管(Field- effecttransistor),依照其“通道”的极性不同, 可分为N-type与P-type的MOSFET。
GaN HEMTGaN(氮化镓) HEMT 即 High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管) 是一种用于新一 代功率元器件的化合物第三代半导体材料。与普通的 半导体材料硅相比,具有更优异的物理性能。
肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简 称SBD),在通信电源、变频器等中比较常见。是以金 属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管芯片,具 有反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压 降更低(仅0.4V左右)的特点。
ESD静电保护二极管,是用来避免电子设备中的敏感电路 受到静电放电影响的器件。
TMBSTrench MOS Barrier Schottky Diode,沟槽MOS型肖
  特基势垒二极管。
DC-DC在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值 的电能的转换电路,也称为直流转换电源。
IDMIntegrated Design and Manufacture,垂直整合制造 模式。
Fabless无晶圆厂集成电路设计企业,只从事集成电路研发和 销售,而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业 厂商完成;也代指此种商业模式。
晶圆硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为 圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路 元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。
封装把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便 于其它器件连接。
测试把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的确 认,以保证半导体元件符合系统的需求。
平面(Planar)工艺平面工艺,是MOSFET产品常见的一种生产工艺。
沟槽(Trench)工艺沟槽工艺,通常可以进一步提高MOSFET产品的沟道密 度,减小芯片尺寸,降低导通电阻,拥有更低的导通电 阻和栅漏电荷密度。
PSCPrisemi Switch Charger,指芯导科技开关充电产品。
PBPower Bank,移动电源的电源管理。
PLCPrisemi Linear Charger,指芯导科技线性充电管理 产品
ODMOriginal Design Manufactuce,原始设计制造商。它 可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期维护的 全部服务,客户只需向 ODM 服务商提出产品的功能、 性能甚至只需提供产品的构思,ODM服务商就可以将产 品从设想变为现实。
NPN半导体工艺中,通过参杂实现的N型+P型+N型三种结 构层,用来实现器件的特殊的功能。
Cascode共源共栅级联结构,通常是将低压N-MOSFET器件和常 开型GaN HEMT器件进行连接合封,形成一个整体常态 关断状态器件。
IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极 型晶体管,IGBT 产品集双极型功率晶体管和功率 MOSFET 的优点于一体,具有高电压、大电流、易于开 关、电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简 单、开关速度快和工作频率高等优点,为世界公认的电 力电子第三次技术革命的代表性产品。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称上海芯导电子科技股份有限公司
公司的中文简称芯导科技
公司的外文名称Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Prisemi
公司的法定代表人欧新华
公司注册地址中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
公司注册地址的历史变更情况报告期内无变更
公司办公地址中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号;上 海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄54 号(D幢)10-11层
公司办公地址的邮政编码201210;201203
公司网址http://www.prisemi.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名兰芳云闵雨琦
联系地址上海市浦东新区张江集成电路设计产 业园盛夏路565弄54号(D幢)11层上海市浦东新区张江集成电路设计产 业园盛夏路565弄54号(D幢)11层
电话021-60753051021-60753051
传真021-60870156021-60870156
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报(www.cnstock.com)、中国证券报( www.cs.com.cn)、证券时报(www.stcn.com)、证券 日报(www.zqrb.cn)
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板芯导科技688230不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入155,807,983.65131,160,155.4318.79
归属于上市公司股东的净利润52,214,533.0538,269,379.7236.44
归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益的净利润24,891,104.1911,030,495.26125.66
经营活动产生的现金流量净额21,209,493.5929,590,563.21-28.32
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产2,207,831,075.532,222,549,376.04-0.66
总资产2,254,557,955.222,281,544,663.25-1.18

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)0.440.3333.33
稀释每股收益(元/股)0.440.3333.33
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.210.09133.33
加权平均净资产收益率(%)2.321.75增加0.57个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)1.110.50增加0.61个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)11.0516.24减少5.19个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现营业收入15,580.80万元,较上年同期增长18.79%;实现归属于上市公司股东的净利润 5,221.45 万元,较上年同期增长 36.44%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润2,489.11万元,较上年同期增长125.66%;每股收益0.44元,较上年同期增长33.33%;扣除非经常性损益后的每股收益0.21元,较上年同期增长133.33%。影响上述指标变动的主要原因有:
1、主营业务影响
2024年上半年,下游需求回暖及厂商持续推进库存去化,半导体行业也逐步呈现了复苏迹象,受益于消费电子市场景气度回暖,公司主营产品所处的市场需求相较于去年同期有所提升; 公司抓住市场的有利因素,采取有效的销售策略,巩固现有市场份额,拓展新市场,营业收入较上年同期增长18.79%;同时,积极推进产品更新迭代,加强供应链的合作及开发,相比上年2、期间损益的影响
(1) 为保持公司更加稳健的发展,报告期内有效控制各项费用,期间费用较上年同期有所下降;
(2) 报告期内享受增值税加计抵减政策,其他收益较上年同期增加; (3)受美元汇率波动影响,报告期内汇兑收益较上年同期减少。

2024年上半年,公司总资产225,455.80万元,同比减少1.18%;归属于上市公司股东的净资产220,783.11万元,同比减少0.66%。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减值准备的冲销 部分  
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切相 关、符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损 益产生持续影响的政府补助除外239,274.90 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,非金 融企业持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益 以及处置金融资产和金融负债产生的损益1,724,527.49 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费  
委托他人投资或管理资产的损益28,347,021.36 
对外委托贷款取得的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的各项资产损失  
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取 得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的 收益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净 损益  
非货币性资产交换损益  
债务重组损益  
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性费用,如安 置职工的支出等  
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益产生的一次 性影响  
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份支付费用  
对于现金结算的股份支付,在可行权日之后,应付职工薪 酬的公允价值变动产生的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值 变动产生的损益  
交易价格显失公允的交易产生的收益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出48,541.65 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额3,035,936.54 
少数股东权益影响额(税后)  
合计27,323,428.86 

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所属行业情况
1、行业发展情况
公司所处行业属于集成电路设计行业,根据国家统计局 2017年修订的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
2024年初以来,随着全球经济的弱复苏、下游需求回暖及厂商持续推进库存去化,半导体行业也逐步呈现了复苏迹象。根据SIA数据显示,2024年5月全球半导体产业销售额达到491亿美元,环比增长4.1%,同比增长19.3%。其中,美国市场销售额同比增速最为显著,达到43.6%;中国市场紧随其后,增速为24.2%。此外,SIA还预测,2024年Q2至Q4季度,全球半导体市场销售金额同比增速将达到10%,继续保持温和复苏态势。

在消费电子领域,2024年上半年全球智能手机市场展现出强劲的复苏势头。根据Canalys的数据,上半年全球智能手机总出货量达到5.84亿部,其中第二季度的出货量同比增长12%,达到2.88 亿部,实现了连续三个季度的同比增长。中国市场表现突出,上半年智能手机出货量达到1.382亿部,二季度出货量回升至7,000万台水平,同比增长10%。

自2022年以来,面对美国及其盟国对中国在半导体生产设备、设计软件及相关原材料方面实施的一系列管制措施,中国集成电路产业的自主可控变得尤为迫切。在这种复杂的外部环境下,国产替代进口的需求空间巨大,预计国产芯片,特别是拥有自主核心技术的产品,将在未来市场中占据更大的份额。

2023年,中国上市的功率半导体公司营业总收入达到443亿元,市占率约为21%。 另外根据Yole的报告,随着新能源变革的推进,功率半导体行业将迎来显著增长,预计全球功率半导体市场将从2021年的461亿美元增长至2027年的596亿美元,年均复合增长率(CAGR)达到4.4%。

这一增长趋势为国产功率半导体厂商提供了巨大的发展机遇。

目前,公司产品主要包括功率器件和功率IC,功率器件产品主要为TVS(包括ESD保护器件)、MOSFET、肖特基等;功率IC产品主要为电源管理IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点,可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时,也在积极将产品向汽车电子、光伏储能等领域拓展。

2、行业地位
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、上海市规划布局内重点集成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市高新技术企业、上海市三星级诚信创建企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事会理事单位。


一种降低芯片反向 MOS型肖特基势 、一种负载识别 平。一种GaN HEMT 化了终端结构,使 自主专利技术的G 国内企业。 及功率IC产品, 森美(ON Semicon 产化替代空间巨大 将进一步释放,市 情况 品 功率半导体的研发 用于消费类电子、 品主要包括瞬态电 垒二极管(SBD 品主要为ESD保护漏电流的技术、深槽隔 二极管的改进技术、可 路等核心技术显著提升 器件制备技术,优化了 GaN HEMT产品具有 N HEMT产品,并在多 有高性能、低功耗、小 uctor)、商升特半导 。随着公司产品不断向 场前景广阔。 与销售,公司功率半导 网络通讯、安防、工业 压抑制二极管(TVS) 、氮化镓(GaN HEMT) 器件。各产品介绍如下离及穿通型 连续调节的 了公司产品 终端结构, 片良率高、 客户端进行 尺寸的特点 (Semtech 汽车电子、 体产品包括 、汽车、储 金属-氧化 绝缘栅双极 : 
产品图片主要功能应用领域 
ESD 保护 器件 具有静电防护、浪涌 吸收等防过电压功 能,对电源线、信号 线、输入输出端口等 进行保护。消费类电 子、安 防、网络 通讯、汽 车电子等 领域
普通 TVS 吸收瞬间大电流,将两 端电压箝制在一个预 定的数值上,从而对 后面的电路进行保 护。安防、网 络通讯、 工业、汽 车电子等 领域

 把输入电压的变化转 化为输出电流的变 化,起到开关或放大 等作用。消费类电 子、安 防、网络 通讯、工 业、汽车 电子等领 域
 在变频器、开关电 源、驱动电路中用作 检波、电流整流。消费类电 子、安 防、网络 通讯、工 业、汽车 电子等领 域
 GaN功率器件可以实 现更小的导通电阻和 栅极电荷。因此GaN 功率器件作为开关和 驱动应用时,特别适 合于高频应用场合, 对提升变换器的效率 和功率密度非常有 利。消费类电 子、安 防、网络 通讯、工 业等领域
 IGBT通过加正向栅极 电压形成沟道而导 通,由于存在电导调 制效应使IGBT在高电 压下具有较低的导通 损耗。IGBT主要作用 是进行交流电和直流 电的转换、电压高低 的转换,能够根据信 号指令来调节电路中 的电压、电流、频 率、相位等,实现精 准调控。轨道交 通、智能 电网、新 能源发 电、新能 源汽车、 航空航 天、船舶 驱动、交 流变频、 电机传动 等产业领 域

(2)功率IC
公司的功率IC产品主要为电源管理IC,具体包括负载开关芯片、线性充电芯片、单节锂电池充电芯片、过压保护芯片、音频功率放大器、DC-DC类电源转换芯片、氮化镓驱动IC等。各产品介绍如下表所示:

   
产品图片主要功能应用 领域
 通过控制电源路径来管 理电力传输。消费类电 子、网络 通讯、汽 车等领域
 对锂离子电池进行充电 管理。消费类电 子、医疗 等领域
 用于给锂电池充电,并支 持设备之间相互充电。消费类电 子、安防 等领域
 应用于电子产品的电源 输入口处,实现过压保 护、短路保护、过温保 护等功能。消费类电 子、安防 等领域
 用于放大微弱的音频信 号,以驱动扬声器发出 音量合适的声音;内置 防止破音功能。消费类电 子、网络 通讯、安 防等领域
 电压转换器,将一定的直 流电压升高或降低至合 适值,为设备供电。消费类电 子、网络 通讯、安 防、工业 等领域
 用于电力电子领域的能 量转换开关及控制。消费类电 子、网络 通讯、汽 车等领域
2、主要经营模式
公司自设立以来一直采用Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在Fabless模式下,公司专注于功率半导体相关产品的设计,将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工,由外协厂商负责生产。

(1)产品研发模式
公司采用Fabless经营模式,产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技术,紧跟客户需求和市场变化趋势,打造自主研发的技术平台,并以此为基础,持续推进技术迭代,丰富产品种类和型号,拓展应用领域,从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。

(2)采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的Fabless经营模式,专注于功率半导体产品的研发和销售环节,晶圆制造和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。

(3)销售模式
根据行业、产品及市场情况,公司主要采取“经销为主,直销为辅”的销售模式。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发,经过多年的技术积累和持续创新,在功率器件和功率IC工艺设计方面积累了多项核心技术。

在功率器件方面:公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了 TVS、肖特基、稳压管等产品的低漏电和高温下的可靠性,使产品在应用过程中更加安全和稳定;深槽隔离及穿通型NPN结构技术实现了TVS产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性,同时实现了产品封装的小型化,不但使产品在应用中减少了空间的占用,同时提升了浪涌防护能力,对产品的保护效果更加优异;MOSFET 的沟槽优化技术实现了 MOSFET 产品的低导通阻抗、低损耗特性,使产品在应用中大幅降低了功耗,减少了发热;沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性,在使用过程中降低了产品功耗。

报告期内,公司不断丰富产品阵容,在TVS、MOSFET、肖特基、GaN HEMT、IGBT等产品方面持续保持研发动力,使产品更加齐全、性能不断优化。

在功率IC方面:可连续调节占空比的环路控制技术使功率IC 产品更快速响应负载变化,可调输出电压范围更大;一种复合 DC-DC电路技术不需要额外补偿电路,可以使功率1C产品具有负载响应快、精度高的优点;一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置,即可完成负载大小的识别,实现简单且高效。通过衬底控制实现反向电流控制保护,有效解决系统多路申源复用安全控制问题。开发了一种保护类IC技术,可以在提供一定浪涌防护能力的情形下,将安全等级进一步提高,在更大的浪涌或者超高压冲击下,彻底断开输入电源连接。

报告期内,公司不断完善产品性能与参数,现有产品系列化不断丰富。过压保护类产品在手机、平板、TWS等领域重点推广,最新30V/108mΩ规格产品已开展送样推广工作;充电管理产品的迭代及优化工作也在有序推进中。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
中华人民共和国工业和信息化部国家级专精特新“小巨人”企业2021年度/

2. 报告期内获得的研发成果
截至2024年6月30日,公司现行有效知识产权累计120项,其中发明专利22项,实用新型38项,另有集成电路布图设计专有权54项,商标6项。报告期内,公司获得新增授权知识产权12项。


报告期内获得的知识产权列表

 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利326022
实用新型专利245438
外观设计专利    
软件著作权    
其他666960
合计1112183120

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入17,212,663.1321,300,643.32-19.19
研发投入合计17,212,663.1321,300,643.32-19.19
研发投入总额占营业收入比例(%)11.0516.24减少5.19个百分点

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序号项目名称预计总 投资规 模本期投 入金额累计投入 金额进展或 阶段性 成果拟达到目标技术 水平具体应用前景
1大功率充电及 保护解决方案 项目1,50026.931,399.61送样推 广待量 产阶段1.充电电流最高达5A以上,升压放电电流可到 2.4A;2.端口过压保护导通阻抗低至 60mΩ以 下;3.高速保护响应时间。国内 领先主要用于5G智能手机、平 板电脑充电系统。
2高性能数模混 合电源管理芯 片开发及产业 化5,709460.532,533.38持续研 发阶段组合式快充技术,配合自主研发快充协议芯片支 持PD3.0、BC1.2,支持最大8A大电流充电,效 率达99%以上。国内 领先主要用于手机、氮化镓快 充充电器、平板电脑、笔 记本、电动工具、IoT设备 等多种应用。
3高性能分立功 率器件开发和 升级-大功率 高性能的 TVS 产品1,910202.78672.52持续研 发阶段采用CSP DFN SOD等小尺寸封装,工作电压将覆 盖 1V~48V,在非信号线端口上,器件达到 Ippmax>50AIppmax>150AIppmax>300A 等不同等 级的大 Ipp 防护器件,在信号线端口 Ippmax>15A,Ippmax>20A,Cj<0.3pF的深回退产 品。建议技术平台,并基于此基础平台开发符合 AECQ101标准的汽车级产品。逐步形成系列化产 品。国内 领先主要用于手机、智能平板 电脑、TWS、AR、VR等便携 式、可穿戴式的消费类电 子产品、5G 网络通讯设 备、5G通讯终端设备、物 联网、AI人工智能、智能 安防、新能源等多种应用。
4高性能分立功 率器件开发和 升级-超低导 通阻抗、超低 栅 极 电 荷 的 MOSFET3,195126.031,561.44持续研 发阶段采用CSPDFNSOD等等的小尺寸封装,开发具有超 低导通阻抗超低栅极电荷的中低压 MOSFET 产 品 , 耐 压 在 20~150VRdson<1mR@Vgs=10VRdson<4mR@Vgs=4.5 V的超小封装尺寸的Qg<100的MOSFET产品,并 逐步建立起技术平台,开发符合AECQ101标准的 汽车级产品,接下来,逐步产品系列化。国内 领先主要用于手机、智能平板 电脑、TWS、AR、VR、PD快 充适配器等消费类产品, 以及BMS锂电池管理与保 护、5G网络通讯设备、5G 通讯终端设备、AI人工智 能、智能安防、新能源等 多种应用。
5高性能分立功 率器件开发和89817.03157.49持续研 发阶段基于DFN1006 DFN0603 DFN1608 SOD323 SOD523 SOD123FL等封装,设计开发耐压20-100V,正向国内 领先主要用于手机、智能平板 电脑、TWS、AR、VR等便携
 升级-超低 VF 的肖特基二极 管    压 降 目 标 在 Vf<0.6V@If=0.5A , Vf<0.55V@If=1A,Vf<0.5V@If=2A,Vf<0.45V@If= 5A,并建立起技术平台,基于此技术平台开发符 合 AECQ101 标准的汽车级超低 Vf 的肖特基产 品。 式、可穿戴式的消费类电 子产品、5G 网络通讯设 备、5G通讯终端设备、物 联网、人AI人工智能、智 能安防、新能源等多种应 用。
6硅基氮化镓高 电子迁移率功 率器件开发项 目4,010118.96686.92持续研 发阶段采用p-GaNHEMT技术,DFN、TO、CSP、BGA等多 种封装,Vds为40V~650V,Rdson做到尽可能小, 阈值电压为1-2V,工作电压范围-10V至7V。国内 领先主要用于5G通讯设备、快 充电源、无线充电等多种 应用。
7研发中心建设 项目10,088208.31447.65////
8高性能音频功 率放大IC850-0.159.64持续研 发阶段采用1.5X电荷泵自升压技术,单节锂电能支持 大功率恒定输出并具有极低的谐波失真,提供好 音质指标,喇叭保护功率可配:0.6W、0.8W、1W 和 1.2W,支持6/8欧姆喇叭,低噪声:40~100uV, 高效率:功放整体效率高达83%,一线脉冲控制 和AGC自动增益控制,高 PSRR:-68dB(217Hz)。国内 领先主要应用于蓝牙音箱、手 机、平板电脑扬声器驱动。
9高性能同步电 压转换器IC1,19027.7146.61持续研 发阶段集成了充电指示、输入过压保护、电池温度检测 功能、恒温度充电功能,充电电流外部可编程, 最大充电电流1A。升压部分采用1.2MHz工作频 率,支持 2.2uH 小尺寸电感应用,输出 5.1V, 负载电流能力500mA,待机功耗1uA,控制EN可 完全关断输出电压,支持边充边放,具有过流、 短路和过温保护功能。截止电流:fixed 3.5mV 档位,充电电流:fixed在52mv档位:(25m: 2.08A|140mA;100mohm:520mA|35mA),输入 限流:不限流,VSP改为最小档位(0,1档位一 样),ISHORT:20mA, CREG:10-100nF, STAT : 待机---拉高; 充电---拉低; 充满----拉高,国内 领先主要用于 TWS、蓝牙耳机 仓、智能音箱、移动电源、 充电宝、锂电池系统充放 电应用等多种应用领域。
      CV:4.2/4.35/4.4/4.45V,Precharge 电流: fixed 10mV档位。  
10智能大功率负 载保护IC1,556114.05390.22持续研 发阶段限流点可灵活设置及状态反馈支持的负载开关, 封装形式多样,广泛应用于USB接口及终端负载 的功耗管理与保护。内部 3 种限流值 1A、2A、 3A,同时外部电阻可调限流值,外部限流公式可 选,短路限流设置为400mA,静态功耗28uA,具 有欠压保护、过温保护、限流保护以及反向电流 保护,Rdson=60mΩ。国内 领先主要应用于 USB 总线/自 供电集线器、USB 外围设 备、ACPI配电、PC卡热插 拔、笔记本电脑、主板 PC、平板电脑、消费电子、 机顶盒、工业系统、电信 系统等应用。
11一种超低导通 阻抗的屏蔽栅 结构的 MOSFET 产品系列600240.67523.57持续研 发阶段达到国内领先的超低导通阻抗性能水平。国内 领先消费类、通讯、工业(风、 光、储等)。
12一种超低钳位 电压超大电流 泄 放 能 力 的 TVS产品系列500110.52306.21持续研 发阶段在更小尺寸的封装中实现更大的电流泄放能力, 同时降低正向和负向的钳位电压,保持国内领 先。国内 领先主要为手机、平板、TWS、 智能手表等便携式、可穿 戴式消费类产品。
13一种 650V P- GaN 结构的硅 基氮化镓功率 器件系列4000.1250.72持续研 发阶段提升产品性能,提高产品良率、降低产品成本。 1.欧姆接触电阻做到0.4ohm*mm以内,阈值电压 做到 1.5V 以上,瞬态耐压做到 850V 以上。2. IGSS漏电在50uA以内,IDSS漏电在做到30uA 以内,实现整体流片良率80%以上的水平。3.动 态Rdson和Vth漂移在1.1倍以内。国内 领先主要在快充适配器等领域 后续拓展家电、物联网等 领域。
14通 用 沟 槽 型 IGBT 器件产品 系列1,50067.8295.51持续研 发阶段完成650V/1200V/1700V通用元器件,主要是单 管产品的系列化开发,器件电流一般为100A及 以下产品,良好的参数一致性国际 领先UPS、光伏、充电等新能源 领域
15带 1.5 倍电荷 泵的 G 类音频 功放1,150-0.08990.65送样推 广待量 产阶段1.1W功率下0.01%的超低谐波失真;2.听筒与功 放二合一模式;3.各种安全保护机制。国内 领先主要应用于智能手机、平 板电脑扬声器驱动。
合计/35,0561,721.2710,022.14////

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)5561
研发人员数量占公司总人数的比例(%)47.0149.59
研发人员薪酬合计1,219.251,344.45
研发人员平均薪酬21.5822.42
注:研发人员平均薪酬按照平均研发人员计算,已考虑报告期内公司对研发人员实施股权激励带来的股份支付费203.90万元。



教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
硕士1425.45
本科3054.55
专科1018.18
高中及以下11.82
合计55100
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含30岁)1730.91
30-40岁(含30岁,不含40岁)1832.73
40-50岁(含40岁,不含50岁)1934.55
50岁及以上11.81
合计55100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、技术和研发优势
公司作为功率半导体设计企业,拥有完善的技术创新体系、强大的研发能力和一定的技术优势。经过多年的技术积累,凭借公司强大的研发投入及优秀的研发团队,已经自主研发一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节占空比的环路控制技术、一种复合DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术、一种GaN HEMT器件制备技术。该等核心技术使得公司芯片产品及应用方案在性能、尺寸、功耗、兼容性等方面较为先进。

得益于国内FAB厂的技术沉淀与发展,结合国内设计公司的设计优势,目前部分国产功率器件的性能基本与国际大厂相当;公司的部分TVS、MOSFET等功率器件产品在技术上处于国内前列,与国际大厂的技术相当。

在功率IC产品方面,公司已在快充领域深耕多年,已有多个成熟量产的产品线,覆盖了PSC、PB、PLC系列,能够满足客户需求。公司目前还在不断加大研发投入,扩充产品线,研发小功率场景的数字控制线性充电技术,研发多协议支持的快充管理芯片,扩充支持更高输入输出耐压的保护类产品。

2、新产品开发优势
在功率半导体新产品开发方面,公司已在快充领域深耕多年,已有多个成熟量产的产品线,覆盖了PSC、PB、PLC 系列,能够多满足客户需求。公司目前还在不断加大研发投入,护充产品线研发小功率场景的数字控制线性充电技术,研发多协议支持的快充管理芯片,扩充支持更高输入输出耐压的保护类产品。

3、产品供应优势
近年来,公司基于在功率半导体领域已有的研发优势和下游客户资源优势,不断丰富和优化产品类别,进一步优化供应商管理,完善产品供应体系,公司的产品供应能力得到了较高的提升。

公司合作的主要晶圆、封测厂商大多为行业内知名厂商,产品供应得到有效的保证。

4、终端客户优势
半导体行业上下游产业链之间具有高度的粘性,下游应用行业对产品质量和供应商的选定有严格的要求,一旦对选用的半导体产品经过测试、认证并大规模使用之后不会轻易更换供应商。

终端客户与供应商建立合作前,会对供应商的整体资质进行评价,从供应商的整体规模、产品结构、现有客户结构多维度了解相关情况,并由专人进行现场审核,审核通过后,方可进入终端厂商的合格供应商体系;待双方合作关系建立后,终端客户在供应商产品进入批量供应前通常需要对产品进行认证,认证流程主要包括:样品性能测试、整机性能测试、综合可靠性测试、小批量试产评估等。由于终端客户的认证体系复杂且认证周期较长,一般的功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大。

公司一直注重客户需求,高度重视产品质量管理和客户关系维护,通过快速的客户服务和高效的客户反馈响应机制,既保证快速满足客户需求又能够紧跟市场变化,确保公司产品持续更新、保持先进水平。凭借自身较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的服务,公司产品成功应用于下游行业内小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等ODM客户。

5、品牌优势
公司各类产品广泛应用于小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、闻泰、龙旗等ODM客户。多年来,公司在行业中积累了良好的口碑,形成了一定的品牌优势,公司产品的客户认知度和忠诚度均较高,公司品牌获得了客户和经销商的认可。随着公司业务的增长,公司将进一步提升公司品牌优势,与业绩增长形成良性循环。
6、营销及服务网络优势
公司总部位于上海张江高科技园区,全资子公司设立在无锡经济开发区,以国内销售为主,拥有本土优势和营销网络优势,具备丰富的客户资源和较高的品牌知名度。公司通过“经销+直销”的方式建设营销网络,可快速响应客户需求。为贴近客户,并提供专业服务,公司在上海和深圳建立了技术服务中心,配套专业测试设备,为客户提供“一站式”技术支持,不但增进了客户满意度,与客户建立起紧密而稳定的合作关系,同时提升了品牌知名度,提高了市场竞争力。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造,为客户提供卓越的产品与服务,实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命,凭借优秀的研发能力及研发团队,通过多年的技术积累,具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。

目前,公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台,公司针对TVS产品先后开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等;公司针对MOSFET产品先后开发了平面(Planar)工艺MOSFET技术平台、沟槽(Trench)工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽(Trench)工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等;公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基(TMBS)技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基(TMBS)技术平台等;公司针对第三代半导体GaN HEMT产品开发了高压P-GaN HEMT技术平台;公司针对IC产品先后开发了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台,负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步,在技术平台下持续更新、迭代,研发出新一代产品投入市场。

(一)报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现营业收入15,580.80万元,较上年同期增加18.79%;实现归属于上市公司所有者的净利润 5,221.45 万元,较上年同期增加 36.44%;归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润2,489.11万元,较上年同期增加125.66%。

报告期末,公司总资产 225,455.80 万元,同比减少 1.18%;归属于上市公司的所有者权益220,783.11万元,同比减少0.66%。

(二)报告期内重点任务完成情况
1、稳步推进研发创新,提升核心竞争力
作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业,公司一直坚持以自主技术创新为基础,坚持技术领先战略,不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求,有计划、有步骤地进行技术开发和创新,扩展现有产品系列,加强对现有产品的更新迭代,保证公司产品的竞争优势和可持续发展。

(1)功率器件研发方面:
①在TVS产品方面:
A. 公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力 ESD产品已经在终端大客户验证通过,将在新项目中采用。另外该系列产品也由 1.0*0.6mm的尺寸升级,缩小至 0.6*0.3mm,目前更小尺寸的深回退低容超强浪涌防护能力 ESD产品在封装中,将使产品的阵容更加完善和齐全。

B. 超低容值(0.15pF)具有深回退特性、超小封装(0.6*0.3mm)的 SCR ESD产品基础上升级,开发具有更强静电防护能力的系列产品,目前该增强静电能力系列产品已经进入正式流片阶段。

同时开发用于 HDMI2.1接口保护应用的容值低于 0.3pF的 4路深回退保护器件,目前已经在部分终端客户小批量试运营通过。此外,在超低容值产品的开发工作方面,朝向更低的 0.1pF 的极低容值的 SCR ESD产品已经正式立项开发,目前已经进入版图设计阶段。

C. 公司开发出的超低钳位电压、超大泄放电流的 TVS产品,已经通过大客户的性能验证,由于具有优异的钳位电压、电流泄放能力和动态电阻性能,优于同类其他品牌产品而已被客户设计到终端产品中,目前该系列产品已经有多个型号批量出货。同时,在 Vbus(总线保护)应用方面,基于 DFN2020封装在开发高工作电压的双向保护产品,以满足终端客户在海外出口产品的应用需求,以及具有超低应用负向钳位电压的单向 TVS产品,目前两个系列均在晶圆流片中。

②在 MOSFET产品方面:
A. 中压超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET,不断完善产品阵容,加快产品系列化进程。

立项投入开发新的产品,目前新产品项目已经进入到流片阶段,将进一步扩大在电源、光伏储能、电机驱动等领域的市场机会。

B. 低压超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET 产品,新的增强 GS 间静电保护能力的MOSFET系列产品已经进入封装阶段,将在手机、平板电脑、TWS、笔记本电脑等消费类领域,为终端客户提供更加安全、可靠的产品。在电动工具、BMS、电机控制等多领域也同步在完善产品阵容,包括 N沟通、P沟道的不同档位的产品也逐步形成量产出货。同时在开发贴合应用的叠片工艺、共 S、共 D极产品,将为终端客户提供最优应用解决方案。

③在肖特基产品方面:
目前正在开发具有超小封装尺寸,超低正向导通压降的超低容值肖特基产品,该产品已经进入到版图设计阶段,开发成功后,具有开关频率快,产品损耗低等突出性能。

④在GaN HEMT产品方面:
公司第三代半导体 650V GaN HEMT 产品阵列中已成功加入具有90-300mR 的P-GaN系列产品,目前多个客户已将前述产品纳入自身项目资源池中,公司正在积极与客户沟通,等待客户正式启动项目后进入小批量试生产。此外,中低压GaN HEMT产品有序开发中,其中40V产品已经进入封装测试环节。650V Cascode结构GaN HEMT有序开发中,目前初步形成了90-900mR系列产品。

⑤在IGBT产品方面:
公司650V/1200V 100A以下小电流产品已初步形成产品系列化,通流能力在25A~75A范围,采用TO-247/TO-247PLUS单管封装形式,目前在工业控制等领域重点推广;公司1200V 100A以上大电流产品设计和工艺平台建成,首颗1200V200A芯片完成测试评价,参数一致性好,具有高可靠性和强鲁棒性。1200V100A/150A、1700V150A/200A 等系列化产品陆续进行流片产出。大电流产品主要采用Econodual3/62mm等模块封装形式,重点在储能等新能源领域推广。

(2)功率IC研发方面:
①在过流过压保护类IC产品方面:
A. 现有产品系列化不断丰富,成功导入知名终端产品中,并实现量产。

B. 30V/108mΩ规格产品已完成改版开发,处于送样推广阶段。

C. 公司高耐压、低成本过压保护类产品正在立项评估中,可行性评估通过后推进产品设计开发工作。

②在充电类IC产品方面:
A. 开关充电系列从“3A充电(带路径管理)”到“3A充电低待机电流(带路径管理)”、“3A大电流(带协议、带路径管理)”规格不断更新,积极响应客户需求,丰富公司产品功能,目前该系列产品已在客户端完成试产验证。

B. 同系列“单芯片 5A带路径管理开关充电产品”已完成性能优化版本的设计工作。为满足客户项目不断升级的需求,公司将原 5V/1.75A开关充电 IC迭代成 5-12V/3.78A高压充电 IC,已完成初版开发,目前在推进改版事宜。

③在大电流降压DC-DC IC产品方面:
具有高效率高可靠性特点的产品,已扩展到工控领域的应用,实现小批量出货,并同步推进平台验证,持续导入品牌客户。

④在负载开关IC产品方面:
为了满足客户日益增长的功耗管理需求,对现有产品进行系列化,通过拓展限流负载开关产品,丰富开关保护IC品类,已成功导入多家品牌客户。

2、深化品牌建设,巩固合作伙伴关系
公司始终以客户需求作为第一需求,积极参加行业展会、论坛,及时掌握行业动态及客户需求,促进与合作伙伴的交流合作,进一步加强品牌宣传力度,提升公司知名度。提高产品质量,提升服务水平,为客户提供更丰富的产品和更优质的服务,赢得客户认可,实现市场拓展和业务增长,维护公司品牌形象。报告期内,公司完成了如下工作:
(1)公司2024产品推介会暨合作伙伴大会在深圳举行,公司向行业资深合作伙伴及优秀代理商积极传递了各产品线的竞争优势和应用机会,大家汇聚一堂,加深合作,携手共进。

(2)公司受邀参加上海祥承通讯技术有限公司2024全球供应伙伴大会,公司凭借优质的产品与卓越的服务荣获“风雨同舟奖”,本次获奖既是对公司多年合作的肯定,更是对未来相互成就的期许。

(3)第十届中国品牌经济(上海)论坛系列活动——上海专精特新品牌价值创新提升主题论坛在上海举办,公司入选“2024上海专精特新‘小巨人’企业品牌价值榜——百佳企业”名单。(未完)
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