[中报]微导纳米(688147):江苏微导纳米科技股份有限公司2024年半年度报告
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时间：2024年08月29日 20:51:09 中财网 |
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原标题:
微导纳米:江苏
微导纳米科技股份有限公司2024年半年度报告
公司代码：688147 公司简称：
微导纳米
江苏
微导纳米科技股份有限公司
2024年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节 管理层讨论与分析“五、风险因素”部分内容。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人王磊、主管会计工作负责人俞潇莹及会计机构负责人（会计主管人员）俞潇莹声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 5
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 9
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 28
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 30
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 31
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 54
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 60
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 60
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 61
| 备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
人员）签名并盖章的财务报表。 |
| | 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 |
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
| 常用词语释义 | | |
| 微导纳米、本公司、公司 | 指 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
| 万海盈投资 | 指 | 无锡万海盈投资合伙企业（有限合伙） |
| 聚海盈管理 | 指 | 无锡聚海盈管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 德厚盈投资 | 指 | 无锡德厚盈投资合伙企业（有限合伙） |
| 先导智能 | 指 | 无锡先导智能装备股份有限公司（股票代码：300450.SZ） |
| 《公司章程》 | 指 | 《江苏微导纳米科技股份有限公司章程》 |
| 《公司法》 | 指 | 《中华人民共和国公司法》及其不时修订 |
| 《证券法》 | 指 | 《中华人民共和国证券法》及其不时修订 |
| 《上市规则》 | 指 | 《上海证券交易所科创板股票上市规则》及其不时修订 |
| 中国证监会 | 指 | 中国证券监督管理委员会 |
| 上交所 | 指 | 上海证券交易所 |
| 报告期 | 指 | 2024年 1月 1日-2024年 6月 30日 |
| 报告期期末 | 指 | 2024年 6月末 |
| 元、万元、亿元 | 指 | 人民币元、人民币万元、人民币亿元 |
| ALD、原子层沉积 | 指 | Atomic Layer Deposition，是一种可以将物质以单原子层形式一
层一层地镀在基底表面的工艺 |
| TALD | 指 | Thermal Atomic Layer Deposition（热原子层沉积），一种原子
层沉积技术 |
| PEALD | 指 | Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition（等离子体增强原子
层沉积），一种原子层沉积技术 |
| CVD | 指 | Chemical Vapor Deposition（化学气相沉积法），利用气态或蒸
汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的
过程 |
| PECVD | 指 | Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（等离子体增强化
学气相沉积），CVD的一种，在沉积室利用辉光放电使其电离
后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他
材料薄膜的制备方法 |
| LPCVD | 指 | Low Pressure Chemical Vapor Deposition（低压化学气相沉积），
CVD的一种 |
| PVD | 指 | Physical Vapor Deposition（物理气相沉积），利用物理过程实
现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程 |
| 晶硅太阳能电池 | 指 | 采用晶体硅作为半导体材料的太阳能光伏电池 |
| 柔性电子 | 指 | Flexible Electronics，是一种技术的通称，是将有机/无机材料电
子器件制作在柔性/可延性基板上的新兴电子技术 |
| MEMS | 指 | Micro Electro Mechanical System（微机电系统），是集微传感
器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制
电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件
或系统，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的
智能系统 |
| 晶圆 | 指 | 用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料 |
| 舟 | 指 | 由石英或金属连接而成承载晶圆的装置 |
| OLED | 指 | OrganicLight Emitting Diode，属于一种电流型的有机发光器件，
是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入
的电流成正比 |
| Micro LED | 指 | LED微缩化和矩阵化技术，将 LED背光源进行薄膜化、微小 |
| | | 化、阵列化，可以让 LED单元小于 50微米，与 OLED（Org
anic Light-EmittingDiode，有机发光二极管）一样能够实现每个
像素单独定址，单独驱动发光 |
| TOPCon | 指 | Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化物钝化接触，一种太
阳能电池结构 |
| HJT | 指 | Heterojunction with Intrinsic Thin Layer（具有本征薄层异质结），
又称为 HJT/SHJ，一种异质结太阳能电池 |
| IBC | 指 | Interdigitated Back Contact（叉型背接触电池），一种高效晶硅
太阳能电池结构 |
| XBC | 指 | IBC以及 TBC（TOPCon技术与 IBC技术结合的 BC类太阳能
电池结构）等 BC类太阳能电池 |
| k、介电常数 | 指 | 希腊文 Kappa，描述一种材料保有电荷的能力 |
| 高 k、High-k | 指 | 具有高 k性质的材料可以比其他材料能够更好的存储电荷 |
| 栅、栅极 | 指 | Gate，用来打开或闭合晶体管，包括有多晶硅栅、金属栅等 |
| 栅介质 | 指 | Gate dielectric，是用来将栅从电流通道隔离出来的绝缘体底层 |
| 多重曝光 | 指 | Multiple Patterning，将一层图形光掩模拆成两层或多层光掩模，
分先后制作，实现精度更高的图形制造 |
| 场效应晶体管 | 指 | Field-effect Transistor，即场效应晶体管，包含源、栅、漏极的
晶体管。其行为由源极经过栅极流向漏极的多数载流子电流决
定。电流由栅极下的横向电场控制 |
| DRAM | 指 | Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器，采用动
态存储单元的随机存储器 |
| SEMI | 指 | Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导
体装备与材料产业协会 |
| nm/纳米 | 指 | 长度的度量单位，国际单位制符号为 nm，1纳米等于一百万分
之一毫米 |
| KW、MW、GW | 指 | 千瓦、兆瓦、吉瓦，1MW=1,000KW，1GW=1,000MW |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
| 公司的中文名称 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
| 公司的中文简称 | 微导纳米 |
| 公司的外文名称 | Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co., Ltd. |
| 公司的外文名称缩写 | Leadmicro |
| 公司的法定代表人 | 王磊 |
| 公司注册地址 | 无锡市新吴区长江南路27号 |
| 公司注册地址的历史变更情况 | 2023年8月，公司注册地址由“无锡市新吴区漓江路11
号（经营场所：无锡市新吴区新硕路9-6号厂房）”变
更为“无锡市新吴区长江南路27号” |
| 公司办公地址 | 无锡市新吴区长江南路27号 |
| 公司办公地址的邮政编码 | 214028 |
| 公司网址 | www.leadmicro.com |
| 电子信箱 | [email protected] |
| 报告期内变更情况查询索引 | 不适用 |
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
| 公司选定的信息披露报纸名称 | 《中国证券报》《上海证券报》《证券时报》《证券
日报》和经济参考网（www.jjckb.cn） |
| 登载半年度报告的网站地址 | www.sse.com.cn |
| 公司半年度报告备置地点 | 公司证券部办公室 |
| 报告期内变更情况查询索引 | 不适用 |
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
| 公司股票简况 | | | | |
| 股票种类 | 股票上市交易所
及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
| 人民币普通股
（A股） | 上海证券交易所
科创板 | 微导纳米 | 688147 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币
| 主要会计数据 | 本报告期
（1－6月） | 上年同期 | 本报告期比上年
同期增减(%) |
| 营业收入 | 786,975,763.30 | 382,077,210.54 | 105.97 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 42,847,221.37 | 68,567,191.18 | -37.51 |
| 归属于上市公司股东的扣除非
经常性损益的净利润 | 11,455,559.27 | 45,502,550.97 | -74.82 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | -795,090,785.27 | 217,754,407.35 | -465.13 |
| | 本报告期末 | 上年度末 | 本报告期末比上
年度末增减(%) |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 2,427,156,005.45 | 2,344,470,366.51 | 3.53 |
| 总资产 | 8,673,848,503.07 | 7,582,005,963.29 | 14.40 |
(二) 主要财务指标
| 主要财务指标 | 本报告期
（1－6月） | 上年同期 | 本报告期比上年同期
增减(%) |
| 基本每股收益（元／股） | 0.09 | 0.15 | -40.00 |
| 稀释每股收益（元／股） | 0.09 | 0.15 | -40.00 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收
益（元／股） | 0.03 | 0.10 | -70.00 |
| 加权平均净资产收益率（%） | 1.77 | 3.43 | 减少1.66个百分点 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净
资产收益率（%） | 0.47 | 2.28 | 减少1.81个百分点 |
| 研发投入占营业收入的比例（%） | 29.15 | 25.66 | 增加3.49个百分点 |
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
2024年 1-6月，公司营业收入为 78,697.58万元，同比增长 105.97%，主要系报告期内公司光伏和半导体领域内的产品工艺覆盖度和技术水平的持续提升，获得客户验收的设备数量增长，前期在手订单陆续实现收入转化所致。其中，光伏设备收入同比增长 84.76%，半导体设备收入同比增长 812.94%。
2024年 1-6月，公司归属于上市公司股东的净利润为 4,284.72万元，同比减少 2,572.00万元。
报告期内公司营业收入及营业毛利同比增长，但由于公司规模的扩大以及研发投入的增加，管理费用和研发费用上升较多；此外，出于谨慎性原则，公司根据信用风险计提坏账损失增加。2024年上半年，公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 1,145.56万元。
2024年 1-6月，公司经营活动产生的现金流量净额为-79,509.08万元，主要系报告期内为满足订单生产的需要，公司采购原材料金额大幅增加。
七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用
八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
| 非经常性损益项目 | 金额 | 附注（如适用） |
| 非流动性资产处置损益，包括已计提资产减
值准备的冲销部分 | -1,417,159.70 | |
| 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经
营业务密切相关、符合国家政策规定、按照
确定的标准享有、对公司损益产生持续影响
的政府补助除外 | 18,109,949.77 | |
| 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值
业务外，非金融企业持有金融资产和金融负
债产生的公允价值变动损益以及处置金融资
产和金融负债产生的损益 | 18,832,334.50 | |
| 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占
用费 | | |
| 委托他人投资或管理资产的损益 | | |
| 对外委托贷款取得的损益 | | |
| 因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的
各项资产损失 | | |
| 单独进行减值测试的应收款项减值准备转回 | | |
| 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投
资成本小于取得投资时应享有被投资单位可
辨认净资产公允价值产生的收益 | | |
| 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合
并日的当期净损益 | | |
| 非货币性资产交换损益 | | |
| 债务重组损益 | | |
| 企业因相关经营活动不再持续而发生的一次
性费用，如安置职工的支出等 | | |
| 因税收、会计等法律、法规的调整对当期损
益产生的一次性影响 | | |
| 因取消、修改股权激励计划一次性确认的股
份支付费用 | | |
| 对于现金结算的股份支付，在可行权日之
后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损
益 | | |
| 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房
地产公允价值变动产生的损益 | | |
| 交易价格显失公允的交易产生的收益 | | |
| 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的
损益 | | |
| 受托经营取得的托管费收入 | | |
| 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 | 1,406,242.61 | |
| 其他符合非经常性损益定义的损益项目 | | |
| 减：所得税影响额 | 5,539,705.08 | |
| 少数股东权益影响额（税后） | | |
| 合计 | 31,391,662.10 | |
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）主营业务、主要产品或服务情况
微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游客户提供先进薄膜设备、配套产品及服务。
在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型 High-k原子层沉积（ALD）设备应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示（硅基 OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。
在光伏领域内，公司作为率先将 ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。根据公开的市场数据统计，公司 ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。
作为国家高新技术企业，公司先后荣获国家“专精特新”小巨人企业、国家知识产权优势企业、苏南国家自主
创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业（制造类）等称号，并被认定为国家博士后科研工作站、江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省原子层沉积技术工程研究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室、江苏省博士后创新实践基地、江苏省研究生工作站，承担多项国家、省级重大科技专项。公司自主研发的 iTomic HiK系列 ALD设备被认定为江苏省首台（套）重大装备以及第十五届“中国半导体创新产品和技术奖”，iTomic MW系列批量式 ALD设备荣获中国集成电路创新联盟第七届“IC创新奖”。
公司已开发和正在开发的多款薄膜沉积设备，具体如下：
1、半导体领域主要产品
| 产品图示 | 产品说明 |
| | 适用于高介电常数（High-k）栅氧层、MIM
电容器绝缘层、TSV介质层等薄膜工艺需
求。产品凭借原子级别的精确控制、沉积
薄膜的高覆盖率和超薄膜厚的均匀性，可
为逻辑芯片、存储芯片提供介质层等关键
工艺解决方案，技术和设备指标达到国内
一流、国际先进水平。 |
| | 采用创新的批量型（mini-batch）腔体设计，
可一次处理 25片 12英寸晶圆，适用于成
膜镀率低，厚度要求高，以及产能要求高
的关键工艺及应用。产品利用特有的流场
设计，具有成膜速度快，占地面积小，产
能高、使用成本低等优势，为存储芯片以
及 Micro-OLED显示器、MEMS等提供定
制化量产的解决方案。 |
| 产品图示 | 产品说明 |
| | 产品采用原创设计开发的自动化平台与
模块化 ALD反应腔相结合，可以按需配
置 PEALD或 Thermal ALD等工艺需求。
产品具有强大的兼容性，其硬件配置在保
持量产机型强大功能的前提下，可满足各
类晶圆尺寸（6、8英寸）量产工艺需求，
同时也可满足客户高端研发和新工艺试
量产需求，可广泛应用于 MEMS、光电器
件等泛半导体器件领域。 |
| | 产品可根据不同温度要求制备氧化硅、氮
化硅、氮氧化硅、氮碳化硅等薄膜制备工
艺及应用，通过精准快速控制成膜速度、
低反应温度、材料配比等技术，实现材料
厚度均匀性、膜应力，热过程，以及阶梯
覆盖率等极具挑战的工艺需求。可为逻辑
芯片、存储芯片、先进封装等提供客制化
掩膜层、介质层、多级图案化等关键工艺
解决方案。 |
| | 产品采用自主研发的反应腔室和电气软
件集成化服务，在逻辑、存储、先进封装、
显示器件等芯片制造领域具有广泛应用，
可满足多种功能性薄膜沉积工艺的开发
和应用需求。搭载新型平台可安装更多反
应腔以满足高产能需求。 |
| | 公司独立研发的、适用于高产能半导体制
程设备的晶圆传输系统。该系统可根据客
户工艺需要，灵活挂载一至多个工艺腔体
（每个工艺腔体可配备一至多个工作站）
在真空环境下进行快速高效晶圆传输。 |
注：1、随着公司产品种类的不断丰富，公司持续完善产品型号命名规则；2、产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行，开发实现是指已形成研发样机，虽未与客户签署销售合同但已发往客户处进行试样验证，下同。
在半导体领域内，公司现有产品能够对逻辑芯片、存储芯片、化合物半导体、新型显示（硅基 OLED）中的薄膜沉积应用实现较为全面的覆盖，公司目前产品已经覆盖 HfO?、Al?O3、ZrO?、TiO?、La?O3、ZnO、SiO?、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、SiCN、无定形碳、SiGe等多种薄膜材料。
iTomic系列原子层沉积系统，适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料，可用于逻辑芯片、传统及新型存储芯片的电容介质层、高 k栅介质覆盖层、掺杂介质层、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等多个应用领域。该系列部分产品已取得客户验收，实现产业化应用，并取得重复订单。
iTomic MW系列批量式原子层沉积系统，适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料，可用于逻辑芯片、传统和新型存储芯片电容介质层、掺杂介质层、新型显示器、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等应用领域。该系列部分产品已取得客户验收，实现产业化应用，并取得重复订单。
iTomic PE系列等离子体增强沉积系统，适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料；可用于 MEMS、逻辑、存储、CMOS芯片的多重图案化和间隔层。
iTronix系列化学气相沉积系统，可应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件等镀膜领域。该系列部分产品在 2023年 7月首台设备出货后，目前已经取得客户批量重复订单。
2、光伏领域主要产品
| 产品图示 | 产品说明 |
| | 采用微导原创的反应腔体设计和先进的薄膜沉积
技术及自动化集成技术，可为高效晶硅太阳能电池
表面钝化提供高质量超薄钝化膜的制备，确保电池
光电转换效率的进一步提升。基于成功量产机型的
设计原理，该产品是公司原创设计的第七代产品，
代表了光伏行业国产创新设备的先进技术，在提供
超高产能的同时，最大程度降低设备的运营成本，
为客户提供可靠的量产解决方案，引领光伏产业化
高效电池智能化制造。 |
| | 祝融系列（ZR5000×1）管式 PECVD系统突破性解
决传统管式 PECVD的产能瓶颈，可与公司 ALD钝
化技术无缝对接，确保 PERC、TOPCon、XBC等高
效电池生产。以先进技术和装备高度集成，形成高
质量、高产能、低成本的产业化量产。
祝融系列（ZR5000×2）管式 PEALD/PECVD集成
系统利用公司原创设计的工业级等离子体增强原
子层沉积 (PEALD)技术，以及行业创新的
PEALD/PECVD同管技术，实现了超高产能的批量
型 PEALD镀膜，是 ALD领域量产化技术又一次突
破，专为接触钝化技术(TOPCon、HPBC、SHJ、POLO
和 TBC)量身定制，为后 PERC高效电池技术提供
可靠的量产解决方案，引领光伏产业化高效电池智
能化制造。
祝融系列（ZR5000×3）管式 PEALD/PECVD集成
系统一体式设计实现氮化硅正膜、氧化铝/背膜、氧
化硅/多晶硅钝化膜一站式完成，可实现单道产能翻
倍，节省占地面积。同时兼具先进的制造执行管理
系统（MES）和自动导引车（AGV）对接功能。在
提供超高产能的同时，最大程度降低设备的运营成
本，为后 PERC高效电池技术提供理想可靠的量产
解决方案，引领光伏产业化高效电池智能化制造。 |
| | 采用原创设计的高温热场控制技术，真正实现了兼
容磷、硼两种扩散工艺，其中硼扩散工艺又兼容
BBr3和 BCl3两种工艺源。独创的冷却技术可提升
设备与零件的使用寿命，同时缩短了工艺时间，为
PERC+和TOPCon等下一代量产高效电池的提效降
本，提供了全套的主机及先进的工艺解决方案。此
外，羲和系统也提供退火，氧化和低压化学气相沉
（LPCVD）功能。 |
| 产品图示 | 产品说明 |
| | 采用自主知识产权的真空腔内温场和流场设计，实
现空间型原子层沉积镀膜工艺方式，为钙钛矿薄膜
太阳能电池组件产线提供高质量氧化物功能薄膜
材料，以确保量产组件的高效率和长寿命。面向平
米级玻璃衬底，高速镀膜解决方案，适配线型产线
的生产节拍，集成成熟的上下料自动化方案，为客
户提供可靠的大规模量产解决方案。 |
公司设备在光伏产品生产中的具体镀膜工艺、应用领域和产业化阶段情况如下：
| 设备类型 | 镀膜工艺 | 目前应用领域 |
| TALD | Al O等工艺
2 3 | PERC电池背面钝化层、
TOPCon电池正面钝化
层、XBC电池正背面钝化
层、钙钛矿/晶硅叠层等高
效太阳能电池 |
| PECVD | SiN等工艺
X | PERC电池减反层
TOPCon电池背面减反层 |
| PEALD和
PECVD | Al O、SiN等
2 3 X
工艺 | PERC电池背面钝化层、
减反层、TOPCon电池正
背面钝化层、减反层 |
| PEALD和
PECVD | 隧穿氧化硅、掺杂
多晶硅等工艺 | TOPCon电池隧穿层、
掺杂多晶硅层 |
| 炉管设备 | 非晶硅晶化及掺
杂、扩散 | TOPCon电池扩散、退火 |
| ALD/
PEALD/
PECVD | 非晶/微晶硅基掺
杂薄膜、阻水阻
氧保护层等 | 钙钛矿、钙钛矿/晶硅叠层
电池 |
3、其他新兴应用主要产品
| 产品图示 | 产品说明 |
| | 基于自主研发，将超大空间型 ALD镀膜技术
与真空卷对卷技术结合，开发大型卷对卷原
子层沉积镀膜平台。其中平台集成超大型平
面原子层沉积(ALD)系统，并开发满足产业
化量产的成熟工艺材料体系，实现在超大宽
幅柔性基材上制备高阻隔膜的整体解决方
案。经过多年产业化验证和装备升级已经迭
代到二代产品。 |
除上述专用设备外，公司还为客户提供配套产品及服务，主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。
①设备改造。公司的设备采用模块化设计，公司可以针对市场需求和技术发展趋势，为已销售的在役设备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。
②备品备件及其他。公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。备品备件主要为载具（一体舟）等产品。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。
（二）主要经营模式
1、盈利模式
公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成本、费用等相关支出，形成公司的盈利。
2、采购模式
公司主要根据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划，在合理控制库存的同时，保证物料供应的及时性。
3、生产模式
公司采用定制化设计与生产。根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产，以满足客户的差异化需求。公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。
4、销售模式
公司的销售模式为直销，主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。设备运至客户指定的位置后，公司负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。
5、研发模式
公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段。
报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
（三）所属行业发展情况
根据《国民经济行业分类与代码》（GBT/4754-2017），公司所处行业属于 C3562半导体器件专用设备制造（指生产集成电路、二极管（含发光二极管）、三极管、
太阳能电池片的设备的制造），属于
高端装备在半导体、光伏等新一代信息技术领域、
新能源的应用。根据公司产品的应用领域的不同，下游行业发展情况如下：
1、半导体薄膜沉积设备行业
（1）薄膜沉积设备是半导体前道工艺设备的核心设备之一，受下游晶圆产线扩产、技术迭代和新兴工艺的驱动，行业拥有较大的市场空间和良好的成长性。
半导体行业是电子
信息产业的基础支撑，产业链主要包括半导体材料、半导体设备以及设计、晶圆制造、封测环节。长期来看，半导体是周期与成长并存的行业，全球半导体行业已经历多轮周期，整体在波动中上升。预计随着以人工智能（AI）为代表的新兴应用的高速发展，HBM、GAA-FET等尖端芯片和高端存储芯片产能扩产将是半导体设备市场未来的核心推动力。
晶圆制造环节中，薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用，直接影响半导体器件性能，其与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备，投资额占晶圆制造设备投资总额的 20%以上。
薄膜沉积设备的不断创新和进步支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。随着集成电路制造不断向更尖端工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，先进制程芯片和高端存储芯片所需要的薄膜层数和种类越来越多，对绝缘介质薄膜、导电薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，这给以薄膜沉积设备为核心产品的公司带来了极大的成长机会。根据 SEMI数据预计，2023年全球半导体晶圆制造前端设备市场规模为 956.1亿美元，到 2025年将扩大至 1,127.8亿美元，2023至 2025年复合年均增长率达到 5.7%。薄膜沉积设备约占晶圆制造前端设备市场 22%，2025年市场规模预计 248.1亿美元。
（2）半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒，国际市场目前主要由传统设备厂商占主要市场份额，国产化趋势明显。
半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒，由于传统的国际大型厂商成立较早，具有先发优势，而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点，后发厂商的客户认证壁垒较高，多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料 AMAT(Applied Materials,Inc.)、泛林半导体 LAM (Lam Research Corporation)、东京电子 TEL(Tokyo Electron Limited)、先晶半导体 ASM(ASM International)等传统设备厂商占有主要市场份额。
为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，相关支持政策不断落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机。同时，当前，海外半导体工艺设备供应受限，基于供应链安全的考虑，国内晶圆厂商对半导体工艺设备的国产化需求强烈，本土半导体设备的导入和验证加速。薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的发展机遇。
2、光伏薄膜沉积设备行业
（1）薄膜沉积设备是
太阳能电池片制造环节的关键设备之一，受益于光伏行业装机规模持续扩大和旧设备改造需求增长，市场前景广阔。
光伏电池片制造过程中，薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率。随着电池结构的发展与电池转换效率的不断提升，薄膜沉积设备的重要地位愈发凸显，且在电池产线设备投资中的占比不断提高。
全球《巴黎协定》的签订以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩大。国内经过过去十多年快速发展，光伏技术不断突破，发电成本快速下降，装机规模迅猛增长，根据中国光伏行业协会（CPIA）数据，2023年国内累计新增装机 216.88GW，同比增长 148.1%，新增和累计装机量继续保持全球第一的水平。电池片产量超过 545GW，同比增长超过 64.9%。同时，随着激光增强烧结技术等新兴技术发展，电池技术也加快了从 PERC到 TOPCon的迭代，N型电池 TOPCon市场占有率大幅度上升。装机容量和电池片产量的不断扩大，以及电池技术的迭代带动了光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。
另外，国家发改委同有关部门研究制定了《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》，相关政策将支持探索在风电光伏、航空等新兴领域开展
高端装备再制造业务。加快风电光伏、动力电池等产品设备残余寿命评估技术研发，有序推进产品设备及关键部件梯次利用。完善风力发电机、光伏设备及产品升级与退役等标准。预计在这一政策的推动下，现存行业内现存的 PERC电池产线将产生较大规模的设备改造服务需求。
在 PERC电池产线向 TOPCon产线升级的过程中，核心的薄膜沉积设备需要进行升级替换，公司既具备相应的设备改造服务能力，也能够为客户提供改造过程中核心设备，降低客户产线改造的成本，提升产线的经济效益。
（2）光伏电池片技术迭代带来设备新需求，具备相应技术储备和研发实力的公司具有更强的市场竞争力。
光伏电池片制造环节的规模优势明显、技术迭代较快，在实现规模经济、降本增效的驱力下，电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用，其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。
目前，由于 PERC电池片的量产平均转换效率已逐渐接近理论极限，TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线正逐步成为电池技术的主要发展方向。新建量产产线开始主要聚焦于 TOPCon、HJT、XBC三种技术路线。本轮技术迭代周期，率先实现技术研发与量产的领先设备厂商将更具市场竞争力。公司长期深耕光伏
新能源产业，在 TOPCon、XBC、钙钛矿及钙钛矿叠层等电池技术领域均有产品储备、布局和出货，下游厂商提供全球领先的设备产品和解决方案，持续引领行业技术发展。
二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
受益于公司完整的 ALD和 CVD设备布局、公司核心技术持续突破、产品升级快速迭代，产品种类不断丰富。公司布局的薄膜设备（包含近年来迅速发展的 CVD技术和处于研发攻坚末期的 PVD技术）在半导体集成电路行业是除光刻机和刻蚀机外第三大设备市场，目前公司逐步形成了薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术、柔性材料制备技术、薄膜封装技术以及高效电池整线工艺技术等十大核心技术。
报告期内，公司核心技术无重大变化。
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用
| 认定主体 | 认定称号 | 认定年度 | 产品名称 |
| 江苏微导纳米科技股份有限
公司 | 国家级专精特新“小巨人”企业 | 2021年 | 不适用 |
2. 报告期内获得的研发成果
报告期内公司新增专利申请及授权数量再创新高。其中，新增各类型国家专利授权共计 30项，累计授权专利数达到 160项；新增申请专利共计 97项，累计申请专利数达到 460项。
报告期内获得的知识产权列表
| | 本期新增 | | 累计数量 | |
| | 申请数（个） | 获得数（个） | 申请数（个） | 获得数（个） |
| 发明专利 | 66 | 13 | 303 | 47 |
| 实用新型专利 | 31 | 17 | 148 | 104 |
| 外观设计专利 | 0 | 0 | 9 | 9 |
| 软件著作权 | 0 | 0 | 20 | 20 |
| 其他 | 10 | 10 | 134 | 65 |
| 合计 | 107 | 40 | 614 | 245 |
备注：其他为商标。
3. 研发投入情况表
单位：元
| | 本期数 | 上年同期数 | 变化幅度（%） |
| 费用化研发投入 | 120,766,383.30 | 63,900,425.85 | 88.99 |
| 资本化研发投入 | 108,676,068.04 | 34,131,463.68 | 218.40 |
| 研发投入合计 | 229,442,451.34 | 98,031,889.53 | 134.05 |
| 研发投入总额占营业收入
比例（%） | 29.15 | 25.66 | 增加 3.49个百分点 |
| 研发投入资本化的比重（%） | 47.37 | 34.82 | 增加 12.55个百分点 |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期研发投入总额相比去年同期增加 13,141.06万元,增长幅度为 134.05%,系公司进一步扩充研发团队、加大研发投入、积极加快新产品研发活动所致。
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
√适用 □不适用
报告期内随着公司研发项目的推进，部分项目已取得客户订单，进入开发实现或产业化验证阶段，公司对此部分满足资本化条件的研发投入予以资本化处理。
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元
| 序
号 | 项目名称 | 预计总投资
规模 | 本期投入
金额 | 累计投入
金额 | 进展或阶
段性成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应
用前景 |
| 1 | TOPCon整线
技术的开发 | 6,766.30 | 843.04 | 6,853.52 | 产业化应
用，并持
续开发中 | 开发出可量产的批量型等离子增强型设备兼容 ALD
（PEALD）和 PECVD薄膜沉积技术及其配套产品，
同时完成 TOPCon电池正面钝化层及减反射层、背面
隧穿层及多晶硅层的制作。 | 国际同类
先进水平 | 光伏
领域 |
| 2 | 应用于新能源
电池的 ALD
镀膜设备的研
发及产业化 | 1,785.00 | 115.31 | 1,152.17 | 开发实现
阶段 | 开发出批量式粉末 ALD沉积设备、新能源及催化材
料改性柔性材料 ALD沉积设备，在精确控制镀膜厚
度的同时，提升包覆率、均匀性，提高材料性能，降
低原材料耗用量以及提升产能，生产成本。 | 目标达到
国际先进
水平 | 新能源
领域 |
| 3 | 大尺寸硅片
PEALD/PECV
D设备 | 5,281.00 | 774.52 | 5,628.84 | 产业化应
用，并持
续开发中 | 开发基于等离子增强型的 ALD设备（PEALD），以
及配套设备，使其能够满足相关工艺加工需求。 | 国际同类
先进水平 | 光伏
领域 |
| 4 | 新一代化合物
半导体 mini-
LED显示技术
关键工艺技术
研发及产业化 | 3,600.00 | 460.84 | 2,234.90 | 产业化验
证，并持
续开发中 | 本项目研发的针对新一代化合物半导体 MiniLED显
示技术的设备可用于各类高、低温薄膜工艺应用，特
别是氮化硅工艺，能够全面满足 300mm/200mm晶圆
的薄膜沉积工艺需求，为逻辑芯片、存储芯片、封装
等提供介质层、图案化等关键工艺解决方案。 | 目标达到
国际先进
水平 | 新型显
示领域 |
| 5 | 基于 300mm
晶圆半导体制
造高产能自动
化真空传输技
术的研究与产
业化 | 3,228.67 | 1,085.01 | 3,050.41 | 产业化应
用，并持
续开发中 | 开发生产半导体集成电路专用工艺平台，即具有低微
尘、高产能的晶圆传输平台的半导体集成电路量产专
用团簇平台。 | 国际同类
先进水平 | 半导体
等领域 |
| 6 | RD15 | 5,300.00 | 1,858.98 | 5,145.83 | 产业化应
用，并持
续开发中 | 开发用于芯片制造高介电常数（High-k）材料的原子
层沉积（ALD）设备及工艺。 | 国际同类
先进水平 | 半导体
等领域 |
| 7 | 高效太阳能晶
硅电池接触钝
化技术的研究
与产业化 | 6,637.90 | 998.22 | 7,197.58 | 产业化应
用，并持
续开发中 | 开发应用于新型高效电池技术生产工序中的正背膜钝
化设备，确保光电转换效率的进一步提升，并进一步
提升了高效电池的产能。 | 国际同类
先进水平 | 光伏
领域 |
| 8 | 叠层电池技术
研发 | 3,600.00 | 2,166.69 | 3,553.03 | 产业化验
证，并持
续开发中 | 开发一种等离子体镀膜用电极结构，保证镀膜均匀
性；开发一种沉积多种材料类型的镀膜技术，保证硅
异质结电池（叠层电池）技术灵活性，为更高效电池
效率的取得提供可能性。 | 目标达到
国际先进
水平 | 光伏
领域 |
| 9 | 高阻隔膜产业
化技术研发 | 3,750.00 | 455.00 | 2,803.52 | 产业化应
用，并持
续开发中 | 开发幅宽大、阻隔等级超高的量产型卷对卷空间原子
层设备及配套自动化装备。 | 国际同类
先进水平 | 柔性电
子材料 |
| 10 | 批量型集成电
路 ALD系统
研发 | 3,773.00 | 198.53 | 693.11 | 产业化应
用，并持
续开发中 | 开发具有成膜速度快，占地面积小，产能高、使用成
本低的批量型 ALD系统和工艺以及设备自动化需求
的软硬件控制系统，满足集成电路及显示产业应用需
求的，可一次处理 25片 12英寸晶圆，适用于薄膜质
量高，成膜镀率低，厚度要求高，以及产能要求高的
关键工艺及应用。 | 国际同类
先进水平 | 半导体
等领域 |
| 11 | 半导体高级薄
膜工艺 | 47,003.15 | 10,662.78 | 22,005.47 | 部分已产
业化验
证，并持
续开发中 | 开发满足半导体高质量薄膜工艺需求，能够满足稳定
性、重复性和可维护性的设备，带动产业技术升级，
实现国际化，促进微纳器件制造与加工工艺领域的进
一步发展。 | 目标达到
国际先进
水平 | 半导体
领域 |
| 12 | 光伏高效镀膜
系统 | 13,724.00 | 2,888.73 | 6,498.99 | 部分已产
业化验
证，并持
续开发中 | 开发应用于 TOPCon及新一代高效电池技术工艺，为
电池制造提供整线解决方案。 | 目标达到
国际先进
水平 | 光伏
领域 |
| 13 | 应用于新型显
示领域的 ALD
镀膜设备的研
发及产业化 | 1,420.00 | 436.58 | 881.59 | 开发实现
阶段 | 开发应用于新型显示领域的 ALD钝化工艺和 IGZO
导电层的 ALD设备。 | 目标达到
国际先进
水平 | 新型
显示 |
| 合
计 | / | 105,869.02 | 22,944.25 | 67,698.96 | / | / | / | / |
注：因部分在研项目市场持续开拓，工艺升级持续优化的需要，报告期内调整部分项目预计总投资额度，部分项目已结项不再列示。合计数与单项加总
的尾差系四舍五入所致。
5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币
| 基本情况 | | |
| | 本期数 | 上年同期数 |
| 公司研发人员的数量（人） | 419 | 303 |
| 研发人员数量占公司总人数的比例（%） | 20.29 | 19.25 |
| 研发人员薪酬合计 | 9,122.95 | 5,469.71 |
| 研发人员平均薪酬 | 21.77 | 18.05 |
| 教育程度 | | |
| 学历构成 | 数量（人） | 比例(%) |
| 博士研究生 | 19 | 4.53 |
| 硕士研究生 | 103 | 24.58 |
| 本科 | 250 | 59.67 |
| 其他 | 47 | 11.12 |
| 合计 | 419 | 100.00 |
| 年龄结构 | | |
| 年龄区间 | 数量（人） | 比例(%) |
| 30岁以下（不含 30岁） | 184 | 43.91 |
| 30-40岁（含 30岁，不含 40岁） | 191 | 45.58 |
| 40-50岁（含 40岁，不含 50岁） | 36 | 8.59 |
| 50-60岁（含 50岁，不含 60岁） | 6 | 1.43 |
| 60岁及以上 | 2 | 0.48 |
| 合计 | 419 | 100.00 |
（未完）
