[中报]富创精密(688409):2024年半年度报告

时间:2024年08月29日 21:07:08 中财网

原标题:富创精密:2024年半年度报告

公司代码:688409 公司简称:富创精密






沈阳富创精密设备股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅第三节管理层讨论与分析“五、风险因素”部分内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人郑广文、主管会计工作负责人崔静及会计机构负责人(会计主管人员)栾玉峰声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以权益分派股权登记日登记的总股本扣除公司回购专用账户中的股份数量为基数分配利润,本次利润分配预案如下:
公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币2.00元(含税)。截至公告日,公司总股本为308,027,995股,扣减回购专用账户的股数3,678,403股,以此计算合计拟派发现金红利60,869,918.40元(含税)。

上述利润分配预案已经公司第二届董事会第十次会议、第二届监事会第九次会议审议通过,本次利润分配方案尚需经公司股东大会审议通过后实施。


七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管 人员)签名并盖章的财务报表
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、富创精 密、沈阳富创沈阳富创精密设备股份有限公司
沈阳先进沈阳先进制造技术产业有限公司,曾用名“沈阳先进制造技 术产业发展有限责任公司”,为公司第一大股东
辽宁科发辽宁科发实业有限公司,曾用名“辽宁科发实业公司”,为 公司股东
宁波祥浦泰州祥浦创业投资基金合伙企业(有限合伙),报告期内曾 用名“宁波祥浦创业投资合伙企业(有限合伙)”,为公司股 东
上海国投国投(上海)科技成果转化创业投资基金企业(有限合伙), 为公司股东
宁波芯富宁波芯富投资管理合伙企业(有限合伙),为公司股东,公 司员工持股平台之一
宁波芯芯宁波芯芯投资管理合伙企业(有限合伙),为公司股东,公 司员工持股平台之一
宁波良芯宁波良芯投资管理合伙企业(有限合伙),为公司股东,公 司员工持股平台之一
辽宁中德辽宁中德产业股权投资基金合伙企业(有限合伙),为公司 股东
中证投资中信证券投资有限公司,为公司股东
长峡金石长峡金石(武汉)股权投资基金合伙企业(有限合伙),曾用 名“三峡金石(武汉)股权投资基金合伙企业(有限合伙)”, 为公司股东
交控金石安徽交控金石并购基金合伙企业(有限合伙),为公司股东
全体首发前股东除截至报告期末已全部减持完的首发前股东
北京富创北京富创精密半导体有限公司,为公司控股子公司
南通富创南通富创精密制造有限公司,为公司全资子公司
沈阳融创沈阳融创精密制造有限公司,为公司全资子公司
沈阳强航沈阳强航时代精密科技有限公司,为公司控股子公司
瑞特热表沈阳瑞特热表动力科技有限公司,为公司控股子公司
新加坡富创SMARTT PRECISION MFG PTE. LTD,为公司全资子公司
北方华创北方华创科技集团股份有限公司,深圳证券交易所上市公司, 证券代码002371.SZ,国内半导体设备龙头企业之一,为公司 客户
拓荆科技拓荆科技股份有限公司,曾用名“沈阳拓荆科技有限公司”, 上交所科创板上市公司,证券代码:688072.SH,国内半导体 领域薄膜沉积设备龙头企业之一,为公司客户,同时为公司 关联方
半导体常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体器件 根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)定义可分为集成电路 (IC)、分立器件、光电子和传感器,广泛应用于下游通信、 计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空航天等产业
晶圆在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛 光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片
芯片集成电路载体,是集成电路经设计、制造、封装、测试后的
  结果
摩尔定律戈登·摩尔提出摩尔定律:集成电路上所集成的晶体管数量, 每隔18-24个月就提升一倍,相应的性能增强一倍
半导体设备用于制造半导体器件(主要为集成电路(IC)产品)的工艺 设备
泛半导体设备国内通常将集成电路、发光二极管(LED)、显示面板和光伏 统称为泛半导体行业,前述范围中显示面板、光伏在世界半 导体贸易统计组织(WSTS)定义的半导体器件范围外,本招 股说明书中将制造显示面板和光伏产品中涉及半导体工艺的 高端设备定义为泛半导体设备
刻蚀用化学或物理方法有选择地在硅表面去除不需要的材料的过 程,是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺,是半导 体制造工艺的关键步骤
离子注入离子束射到固体材料以后,受到固体材料的抵抗而速度慢慢 减低下来,并最终停留在固体材料中
薄膜沉积半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜 可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧 化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的 前段工序FEOL(制作晶体管等部件)和后段布线工序BEOL(将 在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路)均有 多处应
光刻利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形 传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形 的工艺技术
涂胶将光刻胶均匀涂覆到晶圆表面的过程
显影 将曝光完成的晶圆进行成像的过程,通过这个过程,成像在 光阻上的图形被显现出来
化学机械抛光(CMP)Chemical Mechanical Polishing,集成电路制造过程中实现 晶圆全局均匀平坦化的关键工艺
前道 集成电路芯片制造的前道工序,是把衬底材料(目前集成电 路主要是硅衬底)加工成包含成千上万个芯片的工艺过程, 指的是从制造器件结构到进行金属互联,一直到最后的表面 钝化的过程
机械制造通过机械设备(一般为数控机床)精确地去除材料,以获得 一定形状和尺寸产品的制造方法
表面处理利用现代物理、化学、金属学和热处理等学科的边缘性新技 术来改变物体表面的状况和性质,使之与新材料做优化组合, 以达到预定性能要求的工艺方法
阳极氧化铝及其合金在硫酸电解液的工艺条件下,在外加电流的作用 下,在铝制品(阳极)上形成一层氧化膜的过程。硬质阳极 膜层为陶瓷膜层,不导电且具有较强耐腐蚀性
等离子喷涂等离子喷涂采用由直流电驱动的等离子电弧作为热源,将陶 瓷、合金、金属等材料加热到熔融或半熔融状态,并以高速 喷向经过预处理的工件表面而形成附着牢固的表面层的方 法。喷涂膜层具有耐磨、耐蚀、耐高温氧化等性能。目前已 经成熟应用的膜层为氧化钇膜层
致密喷涂Y-Al涂层利用大气等离子喷涂方式,通过高温火焰的作用,使Y-Al陶 瓷粉末在基材表面形成一层致密的陶瓷膜层的工艺方法
等离子喷涂含氟涂层技 术利用大气等离子喷涂方式,通过高温火焰的作用,使含氟陶 瓷粉末在基材表面形成一层致密的陶瓷膜层的工艺方法
纳米薄膜技术利用原子层沉积方式,在真空环境中,通过自限性吸附反应, 在基材表面形成致密陶瓷膜层的工艺方法
电子束焊接通过在高真空环境把电子加速至光速的 60%以上轰击零件表 面,产生热量以达到熔化母材进而实现焊接效果,其特点为 热影响区小,可实现在紧凑区域的高精密焊接,且焊接质量 高
激光焊接利用高能量密度的激光束作为热源的一种高效精密焊接方法
真空钎焊一种特殊的焊接方法,工件被放置在真空环境中进行加热, 利用液态钎料在母材表面润湿、铺展,并通过毛细流动填满 母材间隙,实现零件间的牢固连接,核心特点是在高真空环 境中进行,有助于避免工件氧化,从而提高焊接质量。
LPC液态粒子检测Liquid Particle Counter,即液态粒子计数,测定单位空间 内含有的液态粒子数量,用于洁净度指标
ICP金属元素检测利用电感耦合等离子体质谱仪测试单位空间金属元素密度的 方法,用于洁净度指标
02重大专项《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020)》确定 的16个国家科技重大专项中的第2项,即“极大规模集成电 路制造设备及成套工艺”
CVDChemical Vapor Deposition,化学气相沉积
PECVDPlasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增 强化学气相沉积
ALDAtomic layer deposition,原子层沉积,是一种可以将物质 以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法
首件产品批量生产前,生产方按需方要求生产的供需方确认的样 件
Know-How非标工业自动化行业技术诀窍,是随着企业不断自主研发设 计、生产优化而总结积累的关于设计路线、设备集成、操作 要点、性能指标控制等方面的技术经验
纳米-9 1纳米=10米
微米-6 1微米=10米
SEMISemiconductor Equipment and Materials International, 国际半导体设备材料产业协会
WSTSWorld Semiconductor Trade Statistics,世界半导体贸易 统计组织
SEAJ Semiconductor Equipment Association of Japan,日本半 导体制造装置协会
《公司章程》《沈阳富创精密设备股份有限公司章程》及其历次修订版本
《科创板上市规则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《关联交易管理制度》《沈阳富创精密设备股份有限公司关联交易管理制度》
《股东大会议事规则》《沈阳富创精密设备股份有限公司股东大会议事规则》
《董事会议事规则》《沈阳富创精密设备股份有限公司董事会议事规则》
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
保荐机构中信证券股份有限公司
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
元、万元、亿元除特别注明的币种外,指人民币元、人民币万元、人民币亿 元
报告期、报告期内、本 年、本期2024年1月1日至2024年6月30日
本报告期末、报告期末2024年6月30日

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称沈阳富创精密设备股份有限公司
公司的中文简称富创精密
公司的外文名称Shenyang Fortune Precision Equipment Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写Fortune Precision
公司的法定代表人郑广文
公司注册地址辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号
公司办公地址的邮政编码110168
公司网址http://www.fortune-semi.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名梁倩倩梁倩倩
联系地址辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号
电话024-31692129024-31692129
传真024-31692129024-31692129
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称中国证券报(www.cs.com.cn)、上海证券报( www.cnstock.com)、证券日报(www.zqrb.cn)、证 券时报(www.stcn.com)
登载半年度报告的网站地址上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及 板块股票简称股票代码变更前股票简称
人民币普通股(A股)上海证券交易所科 创板富创精密688409/

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:万元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入150,630.1682,853.9081.80
归属于上市公司股东的净利润12,180.089,568.2127.30
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润11,237.712,519.43346.04
经营活动产生的现金流量净额-10,028.37-30,238.87不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产451,744.12456,485.55-1.04
总资产774,675.21758,986.392.07

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同期 增减(%)
基本每股收益(元/股)0.550.4619.57
稀释每股收益(元/股)0.550.4619.57
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.500.12316.67
加权平均净资产收益率(%)2.682.02增加0.66个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)2.470.53增加1.94个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)6.8111.08减少4.27个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、 营业收入同比增长 81.80%,主要原因是受益于国内半导体市场需求强势增长,以及国外半导体市场的复苏,公司提前储备产能等资源,满足客户需求,收入规模持续增长。

2、 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增长 346.04%,主要原因是公司归属于上市公司股东的净利润增长以及非经常性损益下降所致。

3、 扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增长 316.67%,主要原因是公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润增长所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:万元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减 值准备的冲销部分-682.09 
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外1,337.79 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外,非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益467.77 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费  
委托他人投资或管理资产的损益  
对外委托贷款取得的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失  
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益  
非货币性资产交换损益  
债务重组损益  
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用,如安置职工的支出等  
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响  
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用  
对于现金结算的股份支付,在可行权日之  
后,应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益  
交易价格显失公允的交易产生的收益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-7.45 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额159.51 
少数股东权益影响额(税后)14.14 
合计942.37 

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一) 公司所属行业情况
半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律,半导体设备是延续行业“摩尔定律”的瓶颈和关键。鉴于半导体设备厂商往往为轻资产模式运营,其绝大部分关键核心技术需要物化在精密零部件上,或以精密零部件作为载体来实现。半导体设备精密零部件具有高精密、高洁净、超强耐腐蚀能力、耐击穿电压等特性,生产工艺涉及精密机械制造、工程材料、表面处理特种工艺、电子电机整合及工程设计等多个领域和学科,是半导体设备核心技术的直接保障。

因此,半导体设备的升级迭代很大程度上有赖于精密零部件的技术突破,半导体精密零部件不仅是半导体设备制造环节中难度较大、技术含量较高的环节之一,也是国内半导体设备企业“卡脖子”的环节之一,其支撑着半导体设备行业,继而支撑半导体芯片制造和整个现代电子信息产业

公司作为全球为数不多的能够为7纳米工艺制程半导体设备批量提供精密零部件的厂商,报告期内,受益于国内需求的持续旺盛及海外需求的逐步复苏,形成收入、利润的双增长。

1.半导体设备行业市场规模
SEMI在7月10日发布的数据指出,原设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计创下新的行业纪录,2024年将达到1090亿美元,同比增长3.4%。半导体制造设备预计在2025年持续增长,在前后端细分市场的推动下,2025年的销售额预计创下 1280亿美元的新高。按地区划分看,预计到2025年,中国大陆、中国台湾和韩国仍将是设备支出的前三大目的地。随着中国大陆设备采购的持续增长,预计中国大陆将在预测期内保持领先地位。2024年,运往中国大陆的设备出货金额预计将超过创纪录的350亿美元。

根据SEMI和SEAJ联合发布的最新报告显示,全球半导体(芯片)制造设备市场在2024年前三个月陷入萎缩,但中国大陆市场表现尤为抢眼,连续第四个季度成为全球最大的芯片设备市场。

不仅彰显了中国大陆半导体产业的强劲发展势头,也体现了国内市场对半导体设备的持续旺盛需求。

总体来看,全球半导体制造设备市场虽然出现波动,但中国大陆市场的强劲增长为全球半导体产业带来了新的希望和机遇。随着技术的不断进步和市场的不断扩大,全球半导体制造设备市场将迎来更加广阔的发展前景。

2.半导体零部件行业规模
根据SEMI数据估计,2024年全球半导体设备零部件直接材料市场规模约492亿美元,国内半导体设备零部件直接材料市场规模约164亿美元。

(二)公司所从事的主要业务及经营情况
公司是国内半导体设备精密零部件的领军企业,主要产品包括工艺零部件、结构零部件、模组产品和气体管路,覆盖集成电路制造中刻蚀、薄膜沉积、光刻及涂胶显影、化学机械抛光、离子注入等核心环节设备,部分产品已应用于7纳米制程的前道设备中。

受益于国内半导体市场需求强势增长,以及国外半导体市场的复苏,公司提前储备产能的逐步释放,报告期内公司收入、利润规模持续增长,为公司未来发展奠定更坚实的基础。

(三)公司主要经营模式
1、 采购模式
(1)原材料采购
公司制定了严格的合格供应商准入制度,通过询价、比价、议价方式在合格供应商名录中确定供应商。对于主要原材料,公司一般与合格供应商签订框架协议锁定年度价格。由于部分公司客户对部分原材料的供应商存在复杂、长期的认证过程,且要求保障原材料质量的稳定、一致性和可追溯性,因此,存在部分客户指定原材料品牌或指定原材料供应商的情形。

(2)外协采购
公司外协主要包括特种工艺外协和机械制造外协两种情形。对于一部分公司不具备能力或尚未成熟的特种工艺制程,公司会进行委外加工。公司基于成本、交付周期以及经济性考虑,将少量机械制造工序委托给进入公司合格供应商名录的外协厂商,在降低成本的同时灵活调节产能。

2、 生产模式
公司的生产模式主要是以销定产模式,即根据客户的订单情况制定生产计划并组织生产。

3、 销售及服务模式
公司采用直销的销售模式,通过与国内外龙头客户的合作能够及时掌握市场动态和行业发展趋势,不断提升公司技术水平和行业知名度。

产品定价方面,公司以产品生产流程预估的材料成本、制造费用、工艺水平和检测费用等为基础,根据市场竞争情况、公司市场策略和目标利润等因素制定定价策略,再根据客户设备的类型、工艺水平和预估销售台套,与客户协商确定产品的销售单价。

4、 研发模式
半导体设备是半导体工艺制程演进的关键,精密零部件是半导体设备的基础,因此半导体设备要发展,精密零部件的研发需要先行。随着半导体设备和半导体设备精密零部件的不断升级,研发能力的提升尤为关键。

在报告期内,公司通过推进自研项目、与客户协同研发、联合高校协同研发三方面推进研发工作,持续加大技术研发投入,致力于提升产品性能和工艺水平。

5、 盈利模式
公司以精密机械制造、表面处理特种工艺、焊接技术、模组技术为核心,通过向国内外客户销售半导体设备精密零部件及模组产品等相应收入,扣除成本、费用等相关支出,形成公司的盈利。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司结合多年的技术研发与项目实践经验所积累的科研成果,在精密机械制造、表面处理特种工艺、焊接等半导体设备精密零部件关键环节具备了领先的技术能力。

公司产品生产流程均需要多道加工工序协同完成,各工序所涉核心技术均为该道工序中不可或缺的组成部分,就其中代表性核心技术情况,列举如下:
(1)精密机械制造技术
报告期内,公司紧跟先进制程发展趋势及客户需求,坚持自主研发,以“高精密多工位复杂型面制造技术”、“高精密微孔制造技术”、“不锈钢超高光洁度制造技术”、“特氟龙加工技术”为核心技术代表,主要应用于工艺零部件中的过渡腔、传输腔、反应腔、匀气盘及工艺气体传送与流量控制等产品中,并应用于刻蚀、薄膜沉积、CMP等设备中,其中公司在报告期内通过研发试切并进行多次迭代,开发的“特氟龙加工技术”填补了公司技术盲区并实现CMP设备的高质量交付。

(2)表面处理特种工艺技术
随着芯片制造走向更先进制程,公司的表面处理特种工艺技术优势会愈发凸显,除公司已拥有的“耐腐蚀阳极氧化技术”、“高洁净度精密清洗技术”等,公司开发的“致密喷涂Y-Al涂层技术”、“等离子喷涂含氟涂层技术”、“纳米薄膜技术”,主要应用在工艺零部件中的内衬、匀气盘等产品。报告期内应用“等离子喷涂含氟涂层技术”、“纳米薄膜技术”的产品已实现量产,供应于国内头部客户。

采用“致密喷涂Y-Al涂层技术”、“等离子喷涂含氟涂层技术”、“纳米薄膜技术”工艺后的产品,在洁净度方面,表面LPC液态粒子检测和ICP金属元素检测可达到主流国际客户的标准;耐腐蚀方面,可实现盐酸中浸泡数小时无气泡产生,酸性盐雾环境中几十天膜层不发生腐蚀,超过主流国际客户标准。

(3)焊接技术
公司已经具备多种焊接技术能力,其中以“电子束焊接技术”、“激光焊接技术”、“真空钎焊”、“超洁净管路焊接技术”为代表,上述技术主要应用于匀气盘、加热盘、气体管路、内衬等半导体设备精密零部件,其中:
“电子束焊接技术”可实现在真空环境下焊接,保证焊接质量及工艺可控性;“激光焊接技术”具备稳定的焊接质量,有效克服铝合金材料激光吸收效率差、易高反的特点,同时解决半导体级别铝合金激光自熔易裂的问题,焊接质量达到主流国际客户标准;“真空钎焊技术”可实现复杂多层结构零部件焊接,代表公司已具备在紧凑零部件中焊接密集水道、气道能力;使用“超洁净管路焊接技术”后的零件洁净度可达到主流国际客户标准,高端制程产品可达到无颗粒,并实现气体管路内焊缝无氧化。公司目前可以根据客户零件结构及功能性需求,多种焊接模式相结合,为客户提供有效的焊接结构及方案设计,满足客户需求。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
□适用 √不适用

2. 报告期内获得的研发成果
截止报告期末,公司共获得专利授权和软件著作权284项,其中发明专利61项,实用新型专利219项,外观设计专利2项,软件著作权2项。


报告期内获得的知识产权列表

 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利271344561
实用新型专利3735303219
外观设计专利0022
软件著作权0122
其他0000
合计6449752284

3. 研发投入情况表
单位:万元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入10,260.829,180.9711.76
资本化研发投入   
研发投入合计10,260.829,180.9711.76
研发投入总额占营业收入 比例(%)6.8111.08减少4.27个百分 点
研发投入资本化的比重(%)   

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序 号项目名 称预计总投资 规模本期投入 金额累计投入金 额进展或 阶段性 成果拟达到目标技术 水平具体应用前景
1高性能 涂层工 艺开发23,500.002,663.4114,812.66持续研 发1、开发出热喷涂及原子层沉积技术, 并应用于腔体、内衬、匀气盘等核心 零部件,实现批量产业化 2、开发出高反射镀金工艺,制作镀金 标准工艺制程规范国内 领先可应用于刻蚀、CVD、ALD等关 键制程设备中的核心零件;
2核心功 能部件 开发19,571.003,254.879,614.66持续研 发1、建立设计及制造高精度气路阀组件 的能力,建立测试能力及平台; 2、实现集成电路化学机械抛光设备中 保持环零部件产品的国产化开发国内 领先1、可应用于CVD、PECVD、 ALD、刻蚀等制程设备反应腔 中的核心零部件 2、可应用于集成电路化学机 械抛光设备中的核心零部件;
合 计/43,071.005,918.2824,427.32////
注:在研项目取自截至报告期末公司研发预算排名前十项目,并通过研发项目类别进行归纳整理后列示。

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)497421
研发人员数量占公司总人数的比例(%)17.1619.48
研发人员薪酬合计6,234.334,478.79
研发人员平均薪酬12.5410.64


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士研究生40.80
硕士研究生12324.75
本科27555.33
专科6613.28
高中及以下295.84
合计497100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含30岁)25150.50
30-40岁(含30岁,不含40岁)19739.63
40-50岁(含40岁,不含50岁)346.85
50-60岁(含50岁,不含60岁)71.41
60岁及以上81.61
合计497100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
√适用 □不适用
报告期内,公司的核心竞争力随着业务的拓展和研发的推进得以持续强化,主要体现在以下几方面:
1. 全球头部客户资源优势及国际化布局
目前,公司已进入的客户供应链体系既包括国际知名半导体龙头设备商,又包括国内主流半导体设备厂商。由于半导体设备厂商对所选用的精密零部件要求极为苛刻,一旦确定合作关系往往长期深度绑定;一旦通过全球主流设备厂家认证,行业内其他厂家会相继跟进与其开展合作,因此公司的客户基础为公司持续经营能力和整体抗风险能力提供了有力保障。

同时,公司基于自身战略布局并为响应客户需求,在海外扩建产能,设立全资子公司,积极推动与海外客户共建稳定合作关系,新加坡建厂进度的突破有利于进一步扩大公司国际业务规模,拓宽公司产品线,保持技术领先性,增强公司盈利水平,深化公司与国际客户之间的黏性,提高全球供应链采购能力,有效提升国际市场占有率及公司整体抗风险能力。

2. 多种制造工艺、丰富的产品清单和优异的产品性能
半导体设备精密零部件行业所需的资本和研发投入门槛较高,各家均有独特的生产Know-How,行业内大多数企业只专注于个别工艺技术,或特定零部件产品,而公司已形成了达到全球半导体设备龙头企业标准的多种制造工艺和产品。

公司多种的制造工艺、丰富的产品清单和优异的产品性能有利于客户降低供应链成本、提升采购效率,使得双方合作关系更加紧密。

3. 离散型制造企业柔性化、智能化管理优势
公司在精密零部件制造行业进行了长期的生产管理实践,对“多品种、小批量、定制化”的离散型制造企业的管理特点具有较为深刻的认识和理解,致力于实现柔性化和智能化生产管理。

公司开发共性半导体精密零部件技术平台系统,可将复杂的首件分解成大量公司已积累的标准化模板,降低对人工经验的依赖,实现工艺整合、利用一台设备完成多道加工工序以及一体化在线生产与检测,保证了产品质量的稳定与生产效率的提高。

通过标准化操作、柔性化管理,规范业务处理流程,保证每项业务和制造流程的各个环节均处于可控状态,产品品质和可靠性得到了客户的认可。


(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
(一)市场销售情况
报告期内,公司实现主营业务收入144,751.92万元,较上年同期增长77.26%;公司主营业务按产品类别构成分析情况如下:
1. 四大类产品总体销售情况
单位:万元 币种:人民币

本报告期 上年同期 
金额占当期主营业务 收入比重(%)金额占当期主营 业务收入比 重(%)
33,332.6323.0319,527.2523.91
38,964.8026.9220,331.7524.90
57,935.0240.0234,493.2742.24
本报告期 上年同期 
金额占当期主营业务 收入比重(%)金额占当期主营 业务收入比 重(%)
14,519.4710.037,307.838.95
144,751.92100.0081,660.11100.00
注:上表数据为主营业务收入,数据尾差为四舍五入所致。

报告期内,受益于行业增长以及公司产能陆续释放,公司各产品类别收入均呈现不同程度的增长。

2. 国内外市场占比情况
单位:万元 币种:人民币

本报告期 上年同期 
金额占当期主营业务 收入比重(%)金额占当期主营 业务收入比 重(%)
108,619.2175.0452,581.4064.39
36,132.7124.9629,078.7035.61
144,751.92100.0081,660.11100.00
注:上表数据为主营业务收入,数据尾差为四舍五入所致。

报告期内,受益于国内市场的需求增长,公司来自于大陆地区的收入同比增长106.57%,同时,由于存储市场上半年的增长以及国外客户需求的提升,公司来自大陆以外地区的收入同比增长24.26%。

(二)产能建设情况
1. 沈阳富创
沈阳工厂作为公司主要生产经营地,产能已接近饱和。基于以客户为中心的服务理念及公司战略布局的推进,公司在国内向长三角、京津冀地区进行产能布局,在海外新加坡、美国陆续建厂、持续扩张以应对高速增长的零部件市场需求。

2. 南通富创
基于零部件市场的增长需求,公司在南通市通州区新建厂房,总用地面积约171亩,并购置精密机械加工、表面处理、焊接、组装等全工艺配套设备,打造公司华东地区半导体设备精密零部件全工艺智能生产基地。南通工厂已在报告期内陆续释放产能,为报告期内业绩带来一定贡献。

3. 北京富创
为加强与北方华创等国内半导体设备厂商合作,公司在北京经济技术开发区新建厂房,并购置精密机械加工、表面处理、焊接、组装等全工艺配套设备,打造公司华北地区半导体设备精密零部件全工艺智能生产基地。

4. 新加坡富创
根据SEMI预测,半导体制造设备全球总销售额在2024年将达到1090亿美元,创下新的行业纪录,2025年也将持续增长,行业的增长会为公司海内外市场带来更大的发展空间。同时,新加坡作为亚洲知名的金融与科技中心,受到外资半导体企业的看好,并在近年来加大了投资力度,诸多大型芯片厂商也正采取行动,在新加坡投资加码、增加产能。目前新加坡已具备芯片设计、制造、封装、测试到设备、材料、分销等各个环节的半导体完整产业链。

公司于2011年成为海外大客户的合格供应商,十余年来一直保持稳定友好的合作关系,双方也在不断完善中长期合作发展战略。

(三)人才队伍建设情况
公司重视人才储备、培养和激励。报告期内,公司持续完善员工培养和激励机制,为公司实现中长期战略目标持续吸纳、留下高端专业人才,同时为充分调动公司管理层及员工的积极性,激发员工的创造力和积极性,公司推出第二期限制性股票激励计划,合计授予165万股,参加对象均为公司管理人员和核心业务骨干。

公司将继续建立和完善员工、股东的利益共享机制,改善公司治理水平,提高员工凝聚力和公司竞争力,调动员工的积极性和创造性,促进公司长期、持续、健康发展。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
1. 公司研发不能紧跟工艺制程演进及半导体设备更新迭代的风险
遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的规律,半导体设备和半导体设备精密零部件必须紧跟下游需求不断研发升级。目前晶圆制造和半导体设备已向7纳米及更先进的工艺制程演进,对公司的研发能力不断提出更高要求。此外,对于同一代工艺制程,半导体设备企业也会不断升级产品,提高晶圆制造效率,公司须及时研发相匹配的精密零部件或对原有产品持续优化。

若公司产品研发不能及时满足客户工艺制程演进,不能紧跟客户产品的更新迭代,公司的行业地位和未来经营业绩将受到不利影响。

2. 高端技术人才短缺,人才储备不足的风险
半导体设备精密零部件制造业涉及精密机械制造、表面处理特种工艺、焊接等多个技术领域的知识,对技术人才素质有较高的要求。虽然公司可通过规模效应吸引高端人才,满足阶段性发展需要,但从长远来看,高端技术人才的匮乏仍是公司做精做强、提升核心竞争力和国际竞争力的制约因素。

3. 规模增长带来的管理风险
公司产品具有多品种、小批量、定制化的特点,与之相匹配的离散型制造模式对公司的管理能力要求较高。公司生产经营规模持续增长、组织架构日益庞大,管理、技术和生产人员数量持续增加,且异地募投项目建成投产后存在跨区域生产等均对公司的管理层和内部管理水平提出了更高的要求。如公司管理能力不能及时匹配公司经营规模增长,将影响公司的生产经营和长远发展。

4. 税收优惠及财政补助政策变动的风险
报告期内,扣除对公司利润总额无影响的增值税出口退税,公司其他税收优惠合计金额为6,086.25万元,占当年利润总额的比例为46.29%。公司系高新技术企业,可享受减按15%税率缴纳企业所得税的优惠政策的期限至2025年11月,若未能持续获得高新技术企业认定,公司将不能继续享受前述税收优惠。公司系集成电路装备企业,可享受集成电路企业增值税加计抵减政策,若未来不能持续认定为集成电路装备企业,公司将不能继续享受前述税收优惠。

报告期内,公司确认为当期损益的政府补助为5,289.12万元,占当年利润总额比例为40.23%。若未来政策环境发生变化,公司可能无法持续获得政府补助。

5. 毛利率波动风险
报告期内,公司主营业务毛利率为26.50%。公司产品毛利率受半导体行业技术迭代、行业景气度、产能预投节奏、地缘政治和原材料价格波动等多种因素影响,存在波动风险,具体包括但不限于:
(1)半导体行业技术迭代较快,若公司工艺技术水平和高端产品性能未能匹配客户的先进制程需求,将影响公司毛利率水平;
(2)半导体设备行业与宏观经济和半导体行业密切相关,且周期波动性更强,宏观经济和行业景气度和公司订单、收入和产能利用率呈正比;
(3)公司为资本及技术密集型企业,考虑到建设周期,通常需预投产能以满足未来市场需求。若公司产能达产节奏与行业景气度错配,产能利用率和毛利率波动将进一步放大; (4)若公司主要出口国家或地区与中国贸易关系恶化,主要出口国家或地区客户可能削减公司订单或寻找非中国大陆的替代供应商;
(5)若公司产品价格无法及时随着原材料价格的波动而调整,将影响公司毛利率水平。

6. 应收账款风险
报告期内,公司应收账款账面价值为117,861.80万元,占总资产的比例为15.21%,公司应收账款周转率为1.54。

报告期内,随着业务扩张,公司应收账款余额快速提高。由于行业景气度和扩产节奏波动,公司报告期内收入同比大幅提升;随着零部件国产化的不断推进,国内半导体厂商崛起,回款周期较长的大陆地区客户收入和占比较高,通过数字化应收账款债权凭证方式回款的客户收入增长较快,如未来公司应收账款增长速度过快、主要客户付款周期延长,经营状况出现不利变化,公司应收账款周转率可能下降,继而可能对公司的资金周转和业绩造成不利影响。


六、 报告期内主要经营情况
报告期内公司实现营业收入150,630.16万元,较上年同期增长81.80%,实现归属于上市公司股东的净利润12,180.08万元,较上年同期增长27.30%,实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润11,237.71 万元,较上年同期增长346.04%。


(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:万元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入150,630.1682,853.9081.80
营业成本111,032.1260,025.2084.98
销售费用2,670.901,824.7546.37
管理费用16,425.848,344.2296.85
财务费用1,294.67266.65385.53
研发费用10,260.829,180.9711.76
经营活动产生的现金流量净额-10,028.37-30,238.87不适用
投资活动产生的现金流量净额-6,207.05-64,824.86不适用
筹资活动产生的现金流量净额17,254.1426,198.31-34.14
营业收入变动原因说明:营业收入较上年同比增长81.80%,主要系受益于国内半导体市场需求强势增长,以及国外半导体市场的复苏,公司提前储备产能等资源,满足客户需求,收入规模持续增长。

营业成本变动原因说明:营业成本较上年同比增长84.98%,主要系营业成本随营业收入的增长而增加。

销售费用变动原因说明:销售费用较上年同比增长46.37%,主要系随着收入增长,销售人员的人工成本随之增长。

管理费用变动原因说明:管理费用较上年同比增长96.85%,主要系随着公司规模扩大,管理人员增加,人工成本增加。子公司对应折旧费增加所致。

财务费用变动原因说明:财务费用较上年同比增长385.53%,主要系利息支出增长所致。

研发费用变动原因说明:研发费用较上年同比增长11.76%,主要系公司持续加大研发投入,研发人员人工成本增加。

经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:报告期内公司持续优化管理经营性现金流,客户回款情况较好,经营活动现金流持续改善。

投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系期末未到期的结构性存款金额较上年下降所致。

筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:筹资活动产生的现金流量净额同比下降34.14%,主要系报告期内偿还银行贷款所致。


2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明 □适用 √不适用

(二) 非主营业务导致利润重大变化的说明
□适用 √不适用

(三) 资产、负债情况分析
√适用 □不适用
1. 资产及负债状况
单位:万元

项目名称本期期末数本期期末 数占总资 产的比例 (%)上年期末数上年期末 数占总资 产的比例 (%)本期期末 金额较上 年期末变 动比例 (%)情况说 明
应收账款117,861.8015.2177,752.8010.2451.59(1)
其他流动资产21,000.962.7115,013.451.9839.88(2)
在建工程85,998.8711.1046,103.156.0786.54(3)
一年内到期的 非流动负债19,504.002.5210,776.331.4280.99(4)
股本30,802.803.9820,905.332.7547.34(5)
库存股22,784.162.9413,382.861.7670.25(6)
其他说明 (未完)
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