[中报]京仪装备(688652):北京京仪自动化装备技术股份有限公司2024年半年度报告
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时间:2024年08月29日 21:11:24 中财网 |
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原标题:
京仪装备:北京京仪自动化装备技术股份有限公司2024年半年度报告
公司代码:688652 公司简称:
京仪装备
北京京仪自动化装备技术股份有限公司
2024年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人沈洪亮、主管会计工作负责人郑帅男及会计机构负责人(会计主管人员)和琳琳声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 5
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 9
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 28
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 30
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 32
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 58
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 63
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 64
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 65
备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人
员)签名并盖章的财务报表 |
| 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 |
第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
常用词语释义 | | |
报告期 | 指 | 2024年1月1日至2024年6月30日 |
本报告期末、报告期末 | 指 | 2024年6月30日 |
公司、本公司、京仪装备 | 指 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 |
股东大会 | 指 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司股东大会 |
董事会 | 指 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司董事会 |
监事会 | 指 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司监事会 |
中国证监会、证监会 | 指 | 中国证券监督管理委员会 |
上交所 | 指 | 上海证券交易所 |
元、万元、亿元 | 指 | 人民币元、人民币万元、人民币亿元 |
公司章程 | 指 | 《北京京仪自动化装备技术股份有限公司章程》 |
京仪集团 | 指 | 北京京仪集团有限责任公司 |
北控集团 | 指 | 北京控股集团有限公司 |
北京市国资委 | 指 | 北京市人民政府国有资产监督管理委员会 |
安徽京仪 | 指 | 安徽京仪自动化装备技术有限公司,系公司全资子公司 |
安徽北自 | 指 | 安徽北自投资管理中心(有限合伙) |
海丝民合 | 指 | 青岛海丝民合半导体投资中心(有限合伙) |
芯存长志 | 指 | 嘉兴芯存长志股权投资合伙企业(有限合伙) |
信银明杰 | 指 | 鹰潭市信银明杰投资有限合伙企业 |
国丰鼎嘉 | 指 | 苏州国丰鼎嘉创业投资合伙企业(有限合伙) |
新鼎啃哥 | 指 | 青岛新鼎啃哥贰贰股权投资合伙企业(有限合伙) |
泰达盛林 | 指 | 天津泰达盛林创业投资合伙企业(有限合伙) |
橙叶峻荣 | 指 | 橙叶峻荣(淄博)股权投资合伙企业(有限合伙) |
中信证券投资 | 指 | 中信证券投资有限公司 |
嘉兴宸玥 | 指 | 嘉兴宸玥股权投资合伙企业(有限合伙) |
航天国调 | 指 | 北京航天国调创业投资基金(有限合伙) |
尖端芯片 | 指 | 北京集成电路尖端芯片股权投资中心(有限合伙) |
中山宸玥 | 指 | 中山宸玥股权投资合伙企业(有限合伙) |
宁波先达 | 指 | 宁波先达创业投资合伙企业(有限合伙) |
海南悦享 | 指 | 海南悦享叁号私募股权投资基金合伙企业(有限合伙) |
博涛科技 | 指 | 天津市博涛科技有限公司 |
维通光信 | 指 | 扬州维通光信天航投资合伙企业(有限合伙) |
半导体 | 指 | 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,按照制造技术
可分为集成电路(IC)、分立器件、光电子和传感器,可广泛
应用于下游通信、计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空
航天等产业 |
泛半导体 | 指 | 集成电路、平板显示、光伏、半导体照明行业的统称 |
半导体专用温控设备
(Chiller) | 指 | 主要用于对半导体制程中半导体工艺设备温度进行精准控制的
温度控制设备 |
半导体专用工艺废气处
理设备(Local Scrubber) | 指 | 主要用于处理半导体制程产生的工艺废气的设备 |
晶圆传片设备(Sorter) | 指 | 主要用于半导体制程中晶圆的传送、定位和排序的设备 |
IC、集成电路、芯片 | 指 | Integrated Circuit,指集成电路,通常也叫芯片(Chip),
是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中
所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制
作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一 |
| | 个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构 |
前道、后道 | 指 | 芯片制造分为前道工艺和后道工艺,前道主要是光刻、刻蚀、
抛光、注入等;后道主要是封装,包括互连、打线、密封、测
试等 |
光刻 | 指 | 利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传
递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工
艺技术 |
刻蚀 | 指 | 用化学或物理方法有选择地在硅表面去除不需要的材料的过
程,是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺,是半导体
制造工艺的关键步骤 |
离子注入 | 指 | 将离子束流射入半导体材料,离子束与材料中的原子或分子将
发生一系列物理和化学相互作用,入射离子逐渐损失能量并停
留在材料中,引起材料表面成分、结构和性能的变化 |
扩散 | 指 | 物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移,直到均匀分布的现
象,其中,扩散的速率与物质的浓度梯度成正比 |
逻辑芯片 | 指 | 一种通用芯片,它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定 |
NAND | 指 | 闪存,属于非易失性存储器 |
SEMI | 指 | Semiconductor Equipmentand Materials International,国
际半导体设备与材料产业协会 |
nm、纳米 | 指 | -9
1纳米=10 米 |
晶圆 | 指 | 用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料 |
晶圆厂 | 指 | 通过氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛
光等一系列特定的加工工艺,在硅片上加工制造半导体器件的
生产厂商 |
机械手 | 指 | 一种能模仿人手和臂的某些动作功能,用以按固定程序抓取、
搬运物件或操作工具的自动操作装置,特点是可以通过编程来
完成各种预期的作业,构造和性能上兼有人和机械手机器各自
的优点 |
分立器件 | 指 | 具有固定单一特性和功能的半导体器件 |
传感器 | 指 | 是一种检测装置,能感受到被测量的信息,并能将感受到的信
息,按一定的规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出,
以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求 |
机台 | 指 | 半导体行业对生产设备的统称 |
Plasma | 指 | 等离子体,又叫做电浆,是由部分电子被剥夺后的原子及原子
团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质 |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
公司的中文名称 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 |
公司的中文简称 | 京仪装备 |
公司的外文名称 | Beijing Jingyi Automation Equipment Co.,Ltd. |
公司的外文名称缩写 | BAEC |
公司的法定代表人 | 沈洪亮 |
公司注册地址 | 北京市北京经济技术开发区凉水河二街8号院14号楼A座 |
公司注册地址的历史变更情况 | 不适用 |
公司办公地址 | 北京市北京经济技术开发区凉水河二街8号院14号楼A座 |
公司办公地址的邮政编码 | 100176 |
公司网址 | http://www.baecltd.com.cn/ |
电子信箱 | [email protected] |
报告期内变更情况查询索引 | 无 |
二、 联系人和联系方式
| 董事会秘书(信息披露境内代表) | 证券事务代表 |
姓名 | 郑帅男 | 安宁 |
联系地址 | 北京市北京经济技术开发区凉水河二
街8号院14号楼A座 | 北京市北京经济技术开发区凉水河二街
8号院14号楼A座 |
电话 | 010-58917326 | 010-58917326 |
传真 | 010-58917219 | 010-58917219 |
电子信箱 | [email protected] | [email protected] |
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
公司选定的信息披露报纸名称 | 《上海证券报》(www.cnstock.com)
《中国证券报》(www.cs.com.cn)
《证券时报》(www.stcn.com)
《证券日报》(www.zqrb.cn) |
登载半年度报告的网站地址 | 上海证券交易所网站(http://www.sse.com.cn/) |
公司半年度报告备置地点 | 公司证券部 |
报告期内变更情况查询索引 | 无 |
四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况 | | | | |
股票种类 | 股票上市交易所及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
人民币普通股(A股) | 上海证券交易所科创板 | 京仪装备 | 688652 | 不适用 |
(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币
主要会计数据 | 本报告期
(1-6月) | 上年同期 | 本报告期比上
年同期增减(%) |
营业收入 | 505,332,431.18 | 430,109,444.47 | 17.49 |
归属于上市公司股东的净利润 | 79,765,812.77 | 78,162,893.17 | 2.05 |
归属于上市公司股东的扣除非经常性
损益的净利润 | 59,596,189.34 | 70,702,669.57 | -15.71 |
经营活动产生的现金流量净额 | -54,394,623.87 | 64,493,522.47 | -184.34 |
| 本报告期末 | 上年度末 | 本报告期末比
上年度末增减
(%) |
归属于上市公司股东的净资产 | 2,000,604,437.01 | 1,933,688,598.41 | 3.46 |
总资产 | 3,373,351,735.79 | 2,860,771,455.34 | 17.92 |
(二) 主要财务指标
主要财务指标 | 本报告期
(1-6月) | 上年同期 | 本报告期比上年同期
增减(%) |
基本每股收益(元/股) | 0.47 | 0.62 | -24.19 |
稀释每股收益(元/股) | 0.47 | 0.62 | -24.19 |
扣除非经常性损益后的基本每股收益
(元/股) | 0.35 | 0.56 | -37.50 |
加权平均净资产收益率(%) | 4.05 | 13.31 | 减少9.26个百分点 |
扣除非经常性损益后的加权平均净资
产收益率(%) | 3.02 | 12.04 | 减少9.02个百分点 |
研发投入占营业收入的比例(%) | 8.85 | 6.37 | 增加2.48个百分点 |
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
营业收入5.05亿元,较上年同期增长17.49%,主要系受益于半导体设备市场需求旺盛及公司产品竞争优势,收入持续增长。
归属于上市公司股东的净利润0.80亿元,较上年同期增长2.05%,主要系报告期内收到的政府补助增加导致。归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润0.60亿元,较上年同期降低15.71%,主要系报告期内毛利率下降及研发费用、销售费用增加导致。
经营活动产生的现金流量净额-0.54亿元,较上年同期降低184.34%,主要系本期业务增长采购备货、发出商品增加,购买商品、接受劳务支付的现金增加,从而导致本期经营活动现金流量净额较上期降低。
归属于上市公司股东的净资产较期初增幅为3.46%,总资产较期初增幅为17.92%,主要系本期营业利润增长导致未分配利润增加所致。
基本每股收益较上年同期降低24.19%、稀释每股收益较上年同期降低24.19%、扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年同期降低37.50%,主要系本期加权平均股数增加导致。
加权平均净资产收益率较上年同期减少9.26个百分点、扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率较上年同期减少9.02个百分点,主要系公司2023年11月完成首次公开发行股票并在科创板上市收到募集资金,使得2024年上半年加权平均净资产较上年同期大幅度增加导致。
七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用
八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币
非经常性损益项目 | 金额 | 附注(如适用) |
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减值
准备的冲销部分 | -35,054.71 | |
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营 | 13,650,854.21 | |
业务密切相关、符合国家政策规定、按照确定
的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府
补助除外 | | |
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业
务外,非金融企业持有金融资产和金融负债产
生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金
融负债产生的损益 | 10,326,567.74 | |
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用
费 | | |
委托他人投资或管理资产的损益 | | |
对外委托贷款取得的损益 | | |
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的各
项资产损失 | | |
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回 | | |
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资
成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认
净资产公允价值产生的收益 | | |
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并
日的当期净损益 | | |
非货币性资产交换损益 | | |
债务重组损益 | | |
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性
费用,如安置职工的支出等 | | |
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益
产生的一次性影响 | | |
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份
支付费用 | | |
对于现金结算的股份支付,在可行权日之后,
应付职工薪酬的公允价值变动产生的损益 | | |
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地
产公允价值变动产生的损益 | | |
交易价格显失公允的交易产生的收益 | | |
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损
益 | | |
受托经营取得的托管费收入 | | |
除上述各项之外的其他营业外收入和支出 | -213,398.50 | |
其他符合非经常性损益定义的损益项目 | | |
减:所得税影响额 | 3,559,345.31 | |
少数股东权益影响额(税后) | | |
合计 | 20,169,623.43 | |
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用
九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)公司所属行业情况
1、所属行业及确定依据
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售,主营产品包括半导体专用温控设备(Chiller)、半导体专用工艺废气处理设备(Local Scrubber)和晶圆传片设备(Sorter)。根据《国民经济行业分类》(GB/T 4754-2017),公司属于“专用设备制造业”(行业代码:C35)中的“电子和电工机械专业设备制造”(行业代码:C356)中的“半导体器件专用设备制造”(行业代码:C3562)。根据国家统计局颁布的《战略性新兴产业分类(2018)》,公司属于“1 新一代信息技术产业”之“1.2 电子核心产业”之“1.2.1 新型电子元器件及设备制造-3562*半导体器件专用设备制造”,属于《重点产品与服务目录》中的“集成电路生产线设备”。公司所在行业属于科创板重点推荐的“新一代信息技术”领域中的“半导体和集成电路”。
2、半导体设备行业概况
半导体产业的核心在于制造,制造的核心在于工艺,而工艺的核心是设备和材料。半导体制造流程主要包括芯片设计、晶圆制造、封装测试三个主要环节。按制造流程区分,半导体设备可分为前道设备和后道设备,前道设备是晶圆制造设备,负责芯片的核心制造,后道设备是封装测试设备,负责芯片的包装和整体性能测试。公司的主营产品半导体专用温控设备、半导体专用工艺废气处理设备以及晶圆传片设备,作为半导体前道制造不可或缺的一部分,对于半导体制造至关重要。
半导体技术的进步以及产品不断的迭代使得市场对于半导体设备的要求越来越高。我国半导体产品严重依赖进口的原因在于我国本土半导体行业设计和制造能力不足,这也是半导体生产过程中壁垒较高的两个环节。目前中国集成电路产业快速发展,但国产设备的国产化率仍较低,集成电路产业有着较强的国产替代需求。
3、公司所在细分行业概况
(1)公司所在细分行业基本情况
半导体专用温控设备、半导体专用工艺废气处理设备及晶圆传片设备可应用于半导体制程各环节,应用领域较为广泛,属于半导体制造必需的设备。
半导体专用温控设备主要应用于刻蚀、离子注入、扩散、薄膜沉积、化学机械抛光等环节。
半导体专用工艺废气处理设备主要用于刻蚀、薄膜、扩散等环节。晶圆传片设备主要用于半导体制程各工艺环节之间的晶圆下线、传片、翻片、倒片、出厂。
(2)公司所在细分行业市场前景
半导体专用设备市场的发展主要受下游半导体制造市场推动。公司的半导体专用设备为半导体生产过程提供了必要的温度控制、工艺废气处理及晶圆传送等功能,是晶圆制造所必须配备的专用生产设备,该类设备的需求会随着晶圆制造产线建设加快和设备投资支出的增长而增长。
当前全球半导体产业正处于产业转移期,芯片制造逐渐向新兴国家转移。近些年来,我国集成电路产业开始进入大规模发展建设时期,行业基础设施和企业规模不断扩大,集成电路产业投资支出增多。
在集成电路产业资本支出中,最大的资本支出来自于半导体设备,而在半导体设备资本支出中,晶圆制造设备占比最高。
2015年以来,我国大陆大规模兴建晶圆厂。随着晶圆厂的兴建,下游晶圆制造厂商对包括半导体专用温控设备、半导体专用工艺废气处理设备、晶圆传片设备在内的半导体专用设备需求日益增长,带动半导体设备行业进入高速发展阶段。
(二)主营业务情况
1、公司主要产品情况
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售,主营产品包括半导体专用温控设备(Chiller)、半导体专用工艺废气处理设备(Local Scrubber)和晶圆传片设备(Sorter)。公司自成立以来,主营业务未发生重大变化。
公司产品主要包括半导体专用温控设备、半导体专用工艺废气处理设备和晶圆传片设备,具体如下:
类别 | 图示 | 产品主要技术指标/参数 | 应用领域 |
半导体专用温控设备 | | | |
单通道 | | 温控区间:-45℃~120℃
空载温控精度:±0.05℃~±0.2℃
带载温控精度:±0.5℃~±1℃
制冷能力:5kW@-40℃,3kW@-10℃,
Upto30kW@30℃ | 在制程中主要对反应腔进行
温度控制,主要应用于 12英
寸晶圆前道刻蚀、化学气相
沉积等工艺,批量应用于逻
辑芯片 90nm-14nm,64 层
-192 层 3DNAND 存储芯片
等各种工艺需求,适配泛林
半导体、东京电子、应用材
料、中微公司、北方华创、
屹唐股份等设备公司的主工
艺设备 |
双通道 | | 温控区间:-70℃~120℃
空载温控精度:±0.05℃~±0.2℃
带载温控精度:±0.5℃~±1℃
制 冷 能 力 : 8.5kW@-60℃ ,
3kW@-10℃,Upto21kW@30℃ | |
三通道 | | 温控区间:-45℃~120℃
空载温控精度:±0.05℃~±0.2℃
带载温控精度:±0.5℃~±1℃
制冷能力:6kW@-40℃,4kW@-10℃,
Upto30kW@30℃ | |
半导体专用工艺废气处理设备 | | | |
单腔 | | 废气处理量(标准状况下升/分钟):
400slm~800slm
废气处理效率:>99%
废气处理方式:燃烧水洗式、等离子
水洗、电热水洗式、吸附式 | 主要应用于12英寸集成电路
制造产线中刻蚀、薄膜、扩
散等工艺,用于将各工艺环
节中产生的工艺废气进行无
害化处理,批量应用于
90nm-28nm逻辑芯片、64层
-192 层 3DNAND 存储芯片
等各种工艺需求,适配泛林
半导体、东京电子、应用材 |
类别 | 图示 | 产品主要技术指标/参数 | 应用领域 |
双腔 | | 废气处理量(标准状况下升/分
钟):800slm~1,600slm
废气处理效率:>99%
废气处理方式:燃烧水洗式、等离子
水洗式 | 料、日本国际电气、中微公
司、北方华创、屹唐股份等
设备公司的主工艺设备 |
晶圆传片设备 | | | |
二端口 | | 产品单位时间全流程晶圆传送量
WPH:>330
机械手重复定位精度:±0.1mm
缺口定位精度:±0.2° | 在制程中主要应用于晶圆的
下线、制程间倒片的卡控和
产品出厂校验、排序以及有
翻片需求的工艺,批量应用
于逻辑芯片 90nm-28nm等各
种工艺需求 |
四端口 | | 产品单位时间全流程晶圆传送量
WPH:>330
机械手重复定位精度:±0.1mm
缺口定位精度:±0.2° | |
公司产品主要应用于成熟或先进制程集成电路制造的12英寸集成电路制造产线。在逻辑芯片领域,28nm以下为业内先进制程,公司产品已经适配国内最先进的14nm逻辑芯片制造产线;在3DNAND存储芯片领域,128层以上(含128层)为业内先进制程,公司产品已经适配国内最先进的192层3DNAND存储芯片制造产线。
2、主要经营模式
(1)盈利模式
公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售业务,通过向下游半导体领域公司销售半导体专用温控设备、半导体专用工艺废气处理设备和晶圆传片设备等产品实现收入和利润。报告期内,公司主营业务收入主要来源于半导体专用设备产品的销售。
(2)采购模式
公司采购的原材料种类繁多,主要类别包括电器装置类、电气元件类、机械标准件类、机械加工件类、化学制品类、仪器仪表类等,其中,部分电器装置类零部件及机械加工件等核心零部件由供应商依据公司提供的图纸自行采购原材料并完成定制加工后向公司供应。
为加强对供应商的管理及筛选,公司采购中心会同品质中心、研发中心及运营效率中心下属的生产部等相关部门对供应商进行遴选和评估,考察供应商的资质实力、产品质量情况、供货及时性等方面,经审核通过后确定合格供应商名录,并跟踪考核进行持续更新。目前,公司已与主要供应商建立了长期稳定的合作关系。
公司通过与供应商签署采购合同的方式开展采购业务。采购部根据生产、研发等部门提交并经公司批准采购信息文件(如采购申请单等),综合考虑公司现有生产安排、销售订单、原材料库存、研发需求等情况安排采购计划,按要求在合格供应商名录中选择供应商并进行询价、比价,确定最终合格供方后进行采购。采购物资送达后,品质中心进行到货检验,检验合格后由采购中
心及生产部办理入库手续,完成采购。
(3)研发模式
公司主要采用自主研发模式,逐步取得了半导体专用温控设备、半导体专用工艺废气处理设
备、晶圆传片设备系列重要研发成果。公司遵循行业惯用研发模式,产品研发流程严格按照公司
设计的研发流程执行。公司研发流程主要包括预研阶段、设计开发需求输入、计划阶段、设计开
发阶段、验收阶段、研发样机入库阶段、客户端验证(Demo)、生产导入阶段、收尾阶段。新品
设计开发流程图如下: ①预研阶段/设计开发需求输入/计划阶段
根据市场及客户需求,公司研发中心结合产品实际应用、产品生命周期维护阶段优化等需求形成设计开发需求。设计开发负责人负责组织市场调研,同时对该领域的知识产权信息、相关文献及其他信息进行检索,分析项目的技术发展状况、知识产权状况和竞争对手状况等,保证研究投入的合理性,并将调研结果形成立项申请书。运营效率中心下属的项目管理部对立项申请书进行评审,立项评审通过后,设计开发负责人根据要求成立项目研发小组。
②设计开发阶段/验收/样机入库阶段
研发人员整合设计开发预研需求、设计开发需求和立项申请书,进行设计和开发。研发中心内部对设计开发进行评审,通过评审后需根据评审的技术要求制作样机,并进行样机实验和所需的可靠性实验,作为本次设计和开发的验证依据。样机完成设计研发开发后,技术负责人需对设计开发过程进行确认,生成设计开发输出清单(包括设计的评审报告、会议纪要和可靠性验证报告等)。
设计开发完成后,研发中心向项目管理部提交验收申请,由项目管理部组织验收工作,对样机进行测试与检验。完成测试检验活动后,由项目管理部组织项目验收会对涉及开发输出是否满足输入的要求进行评审,评审通过后研发样机入库。
③Demo/生产导入阶段/收尾阶段
验证评审通过后,由研发中心主导,生产、品质、采购等多部门开展生产导入,形成作业装配图、生产流程工序卡、产品技术规范等文件。产品达到量产总体评审后,研发中心将产品过程文件移交生产部。项目收尾阶段由项目管理部组织项目结项进行评审与项目复盘。
(4)生产模式
公司销售中心汇总市场信息,并根据客户需求形成销售订单。销售订单签署后,公司销售、采购、生产部召开月度投产会议,讨论投产计划,形成投产计划并经公司批准通过后执行。公司生产部根据投产计划安排生产,按照投产物料需求领取物料,并根据装配指导和工艺文件对生产组件、半成品等进行组装和装配,品质中心对生产过程进行监督。装配完成后由生产部进行产品调试,调试合格后品质中心对产品进行检验,检验通过后完成产成品入库。
在保证核心技术安全的情况下,公司将部分组装环节交由第三方负责。第三方完成组装后,将产品交付给公司,由公司负责调试和测试。调试合格后品质中心对产品进行检验,检验通过后完成产成品入库。
公司高度重视产品质量和交付效率,根据生产进度情况不断调整优化生产过程,确保产品和服务满足客户需求。
(5)销售模式
报告期内,公司采用直销模式销售产品,通过商务谈判或招投标等方式获取销售订单。直销模式可减少产品中间流通环节与成本,贴近市场并有助于及时深入了解客户需求,有利于控制产品销售风险和及时接收客户反馈,以便于更好、更迅速的服务客户。公司在销售的过程中重点突出技术领先、性价比高、服务优良的综合优势,及时跟进行业发展趋势,适时推出新产品以满足客户需要。公司的销售程序一般包括市场调查与推介、客户需求确认、产品报价、销售订单签署、合同执行、合同回款、产品安装调试及售后服务等步骤。
公司设有销售中心负责市场开发和产品销售,同时售后部的服务工程师在主要客户所在地驻场工作,便于及时响应客户需求,负责公司产品的安装、调试、维保、维修和技术咨询。经过多年努力,凭借优质的产品和售后服务,公司已与多家国内主流集成电路制造商建立了良好的合作关系。
(6)公司采用目前经营模式的原因及未来变化趋势
公司结合国家产业政策、上下游发展状况、市场供需情况、自身主营业务及发展阶段等因素,形成了目前的经营模式。报告期内,公司现有经营模式取得了良好的效果,业务快速发展,公司经营模式未发生重大变化,在可预见的未来亦不会发生重大变化。
二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
通过多年的深耕积累,公司在主要产品领域自主研发并掌握了相关核心技术,致力于为集成电路制造环节提供生产效率更高的设备。公司拥有的核心技术在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。
1、半导体专用温控设备核心技术概况
序号 | 名称 | 技术来
源 | 技术先进性及具体表征 | 应用和贡
献情况 |
1 | 半导体温
控装置制 | 自 主 研
发 | 本技术采用喷气增焓、喷液及两级复叠制冷技术,对
压缩机的喷液量精准控制。能够满足集成电路-70℃ | 大批量生
产 |
序号 | 名称 | 技术来
源 | 技术先进性及具体表征 | 应用和贡
献情况 |
| 冷控制技
术 | | 的低温温控要求,本技术增加特殊的回路设计,满足
单独运行高温或低温的宽温区使用要求 | |
2 | 半导体温
控装置精
密控温技
术 | 吸 收 引
进 基 础
上 自 主
研发 | 实际的半导体制程工况切换非常频繁,给半导体温控
装置的控温提出很高的要求。
本控制技术,在 PID控制的基础上,采用串级控制思
路,结合模糊控制理论对温度进行精准控制;本技术
要求对压缩机频率、制冷电子膨胀阀和热气膨胀阀匹
配控制,还要对系统的过热度有效控制,不但能保证
制冷系统的长期稳定运行,而且要满足装置的温度在
空载及带载状态下的精确控制 | 大批量生
产 |
3 | 半导体温
控装置节
能技术 | 自 主 研
发 | 常规温控装置采用制冷系统来实现循环介质的降温,
采用加热器来实现循环介质的升温。
本技术利用衍生热源发热来实现循环介质升温,并有
效利用及调节压缩机的排气侧热量,压缩机采用先进
变频控制,实现节能。采用两级控制思路不仅提高控
制精度,在空载及带载时都保证了制冷及加热量的最
小输出,减少能耗 | 大批量生
产 |
2、半导体专用工艺废气处理设备核心技术概况
序号 | 名称 | 技术来
源 | 技术先进性及具体表征 | 应用和贡
献情况 |
1 | 低温等离
子废气处
理技术 | 自主研
发 | 利用等离子电源,将氮气通过等离子火炬后形成高温
等离子能量源,从而进行半导体废气处理。以氮气形
成高温等离子源进行半导体废气处理,而不用天然气
燃烧进行废气处理,达到先进热源使用及低碳减排的
效果 | 大批量生
产 |
2 | 新型材料
防腐及密
封技术 | 自主研
发 | 气体流通核心连接部件所用到的密封材质是一种特殊
经过一定比例掺杂的高分子密封材质。气体流通核心
连接部件的密封材质可以有效应对半导体废气中的高
温及强腐蚀性环境,保证半导体的废气不会泄漏到环
境中。废气处理设备中的密封结构是在保证设备可维
护性、可操作性的同时保证了设备的整体密封性 | 大批量生
产 |
3 | 系统设计
算法及原
理 | 自主研
发 | 根据废气处理量的需求进行系统的设计计算而确定设
备各部分结构的尺寸及平衡系统热量。半导体废气处
理设备的软件控制系统、安全控制系统,保证设备运
行中的安全。本原理根据半导体的制程工艺进行不同
废气处理量的产品设计,每款产品均符合半导体的
SEMI S2安全认证 | 大批量生
产 |
4 | 半导体废
气处理纯
氧燃烧技
术 | 自主研
发 | 在半导体废气处理的有限燃烧反应腔的空间内,利用
燃气与氧气燃烧形成的高温环境进行半导体废气处理
并对高温火焰状态进行实时监控,且对其燃烧产生的
高温环境进行有效的温度控制。以燃气与纯氧气燃烧
进行半导体废气处理,可以提高燃气的燃烧效率,形 | 大批量生
产 |
序号 | 名称 | 技术来
源 | 技术先进性及具体表征 | 应用和贡
献情况 |
| | | 成的高温环境对半导体废气中的PFC气体的处理达到
更好的处理效果 | |
5 | Harsh工
艺除尘技
术 | 自主研
发 | 本技术为废气处理设备中设计特定的结构设计,以防
止半导体工艺中的harsh工艺对废气处理设备的进气
管路、腔体等形成堵塞,延长维护周期。在进气管路
端出口、反应腔内部、洗涤塔内部进行特定结构设计,
防止粉尘堵塞设备,延长设备的维护周期 | 大批量生
产 |
3、晶圆传片设备核心技术概况
序号 | 名称 | 技术来
源 | 技术先进性及具体表征 | 应用和贡
献情况 |
1 | 半 导 体
晶 圆 传
控技术 | 自主研
发 | 建立晶圆传送路径流程图,通过运动控制单元完成运
动学正逆解算法、运动轨迹规划、多轴协同运动控制
算法和抑振控制,实现晶圆高速、可靠、超洁净度的
传片倒片,实现双臂 R-θ的节拍控制 | 大批量生
产 |
2 | 晶 圆 翻
片技术 | 自主研
发 | 翻转机构的晶圆位置监测系统利用多组传感器,对翻
片的各个状态进行监测,实现翻转机构的稳定运行 | 大批量生
产 |
3 | X-θ自动
寻 心 算
法 | 吸收引
进基础
上自主
研发 | 使用机械手集成的寻心传感器抓取晶圆边沿的三个点
的平面坐标,根据三个点的坐标计算出圆心的位置。
本算法不需要增加额外的预对准装置,提高了设备的
集成度 | 大批量生
产 |
4 | 微 晶 背
接 触 传
控技术 | 自主研
发 | 通过摩擦力实现晶圆的传输,通过运动控制实现晶圆
的平稳传输 | 大批量生
产 |
5 | 晶 圆 区
域 检 测
技术 | 自主研
发 | 通过在机械手末端增加传感器,检测晶圆的偏移,一
旦晶圆偏移超过传感器限定的区域,机械手停止运行
防止晶圆掉落;通过在 θ 轴上安装区域检测传感器,
可以检测到晶圆是否已经运行到物料盒的区域,如果
实际晶圆位置所计算的区域和传感器对应的区域有偏
差,则需要进行停机进行检查,防止晶圆发生意外的
碰撞 | 大批量生
产 |
国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用
认定主体 | 认定称号 | 认定年度 | 产品名称 |
工业和信息化部 | 国家级专精特新“小巨人”企业 | 2021年 | 不适用 |
2. 报告期内获得的研发成果
截至2024年6月30日,公司已获专利及软件著作权等共计315项,其中发明专利101项。
报告期内获得的知识产权列表
| 本期新增 | | 累计数量 | |
| 申请数(个) | 获得数(个) | 申请数(个) | 获得数(个) |
发明专利 | 17 | 7 | 266 | 101 |
实用新型专利 | 4 | 18 | 150 | 134 |
外观设计专利 | 2 | 10 | 50 | 38 |
软件著作权 | 2 | 3 | 41 | 39 |
其他 | 3 | 1 | 7 | 3 |
合计 | 28 | 39 | 514 | 315 |
3. 研发投入情况表
单位:元
| 本期数 | 上年同期数 | 变化幅度(%) |
费用化研发投入 | 44,709,884.59 | 27,382,905.04 | 63.28 |
资本化研发投入 | - | - | 不适用 |
研发投入合计 | 44,709,884.59 | 27,382,905.04 | 63.28 |
研发投入总额占营业收入比
例(%) | 8.85 | 6.37 | 增加2.48个百分
点 |
研发投入资本化的比重(%) | - | - | 不适用 |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
公司重视核心技术的研发,加大研发投入,本期研发投入较上年同期增长63.28%,主要系研发人员职工薪酬及材料费大幅增加。
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元
序
号 | 项目名称 | 预计总投
资规模 | 本期投入
金额 | 累计投入金
额 | 进展或阶段
性成果 | 拟达到目标 | 技术水
平 | 具体应用
前景 |
1 | 半导体工
艺气体热
反应处理
装备持续
升级优化
及研究 | 3,050.00 | 485.83 | 2,492.83 | 已实现产业
化应用,并
持续进行产
品拓展与优
化 | 持续研发升级
半导体专用工
艺废气处理设
备,解决多粉尘
工艺应用过程
中反应腔堵塞
严重、进气管路
堵塞等问题,延
长产品及零部
件使用寿命 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
2 | 半导体温
控装备产
品技术创
新迭代及 | 1,030.00 | 394.24 | 901.24 | 研究阶段,
部分机型已
实现客户端
应用,并持 | 研究针对既有
产品进行新部
品部件开发与
验证;产品技术 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
| 新部品技
术设计开
发及验证 | | | | 续拓展工艺
应用 | 迭代及创新;模
块化设计及效
率提升、质量提
升;成本优化、
环保优化 | | |
3 | 泛半导体
领域的工
艺废气处
理装备开
发研究及
产业化 | 2,310.00 | 139.07 | 248.07 | 阶段性研发
样机研制完
成,进入可
靠性测试阶
段 | 研发出针对泛
半导体领域的
各类型专用工
艺废气处理设
备,进行全新系
统布局,实现各
系统模块化设
计及标准化设
计,产品性能指
标达到客户要
求 | 国际先
进 | 光伏、面
板等泛半
导体制造
领域 |
4 | 集成电路
R-θ洁
净机械人
传控技术
平台研究
及产品开
发 | 4,500.00 | 554.51 | 3,847.51 | 已实现一定
产业化应
用,并持续
进行产品拓
展与升级 | 开发和应用
R-θ洁净机械
手,优化电控系
统,研发新运动
控制平台,开发
和完善G3系列
晶圆传片设备 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
5 | 集成电路
X-θ洁
净机械人
传控技术
平台研究
及产品开
发 | 1,145.00 | 0.16 | 866.16 | 已实现产业
化应用,并
持续进行产
品拓展与优
化 | 通过研发新运
动控制平台、升
级寻心算法、开
发新运动控制
卡程序等完善
晶圆传控设备
产品 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
6 | 集成电路
制造晶圆
工艺设备
前端模块
产品开发 | 2,400.00 | 354.54 | 729.54 | 研究阶段,
形成部分样
机 | 研发适配集成
电路制造用工
艺及量测设备
的前端模块,按
照客户的要求
进行系统布局
和功能设计,用
于在洁净大气
环境下将晶圆
精确的传送到
工艺或量测设
备的装载模块,
产品尺寸、性能
指标、可靠性达
到客户要求 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
7 | 集成电路
制造温控
装备前沿
技术探究
及产品研
发 | 2,800.00 | 38.58 | 1,861.58 | 研究阶段,
部分机型已
实现产业化
应用,并持
续拓展工艺
应用 | 研发低温切换
及混合温控产
品、超低温预研
及大流量、大负
载Chiller、新
型热交换器系
列产品等,满足
产品迭代需求 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
8 | 集成电路
制造温控
装备信息
采集及智
慧化调测
系统 | 1,510.00 | 152.11 | 1,210.11 | 阶段性实现
产业化应
用,并持续
拓展工艺应
用 | 研发半导体专
用温控装备的
信息采集及智
慧化调测系统,
提升产品调测
效率,增强大批 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
| | | | | | 量现场装机机
台的智慧化管
理。同时,将开
发的新技术、新
产品快速应用
于已售产品,进
行器件、技术升
级,延长
Chiller产品
生命周期,提高
市场竞争力 | | |
9 | 集成电路
制造新一
代节能及
多通道温
控装备技
术 | 3,030.00 | 151.63 | 2,562.63 | 已部分实现
产业化应
用,并持续
拓展工艺应
用 | 在现有产品基
础上优化产品
能耗、温度控制
区间,研发新一
代半导体专用
节能温控装备
及多通道温控
装备 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
10 | 集成电路
专用超低
温温控装
置研发及
产业化 | 6,600.00 | 1,748.56 | 4,192.56 | 研究阶段,
部分机型已
实现产业化
应用,并持
续拓展工艺
应用 | 主力研发超低
温产品,涵盖超
低温样机、工质
研究、超低温控
制算法、超低温
载冷剂、超低温
保温技术以及
针对低温产品
测试专用平台
等方面的技术
研究与产业化 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
11 | 新一代半
导体工艺
气体热反
应处理装
备及研究 | 3,400.00 | 451.77 | 2,329.77 | 部分机型已
进入量产阶
段 | 针对现有产品
研发新一代半
导体专用工艺
废气处理设备,
提升废气处理
效率以及处理
量,实现各个系
统模块化设计
及标准化设计,
优化设备布局
结构 | 国际先
进 | 集成电路
逻辑芯
片、存储
芯片制造 |
合
计 | / | 31,775.00 | 4,471.00 | 21,242.00 | / | / | / | / |
5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币
基本情况 | | |
| 本期数 | 上年同期数 |
公司研发人员的数量(人) | 113 | 96 |
研发人员数量占公司总人数的比例(%) | 18.86 | 20.56 |
研发人员薪酬合计 | 2,302.19 | 1,530.24 |
研发人员平均薪酬 | 20.37 | 15.94 |
教育程度 | | |
学历构成 | 数量(人) | 比例(%) |
博士研究生 | 2 | 1.77 |
硕士研究生 | 26 | 23.01 |
本科 | 70 | 61.95 |
专科 | 15 | 13.27 |
合计 | 113 | 100.00 |
年龄结构 | | |
年龄区间 | 数量(人) | 比例(%) |
30岁以下(不含30岁) | 27 | 23.89 |
30-40岁(含30岁,不含40岁) | 69 | 61.07 |
40-50岁(含40岁,不含50岁) | 17 | 15.04 |
合计 | 113 | 100.00 |
6. 其他说明
□适用 √不适用
三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
(1)掌握核心技术,研发能力突出
公司作为国内实现进口替代的半导体专用设备供应商,高度重视核心技术的自主研发与创新,截至2024年6月30日,公司应用于主营业务的发明专利101项,研发创新成果显著。
在半导体专用温控设备的研发中,公司自主研发并掌握了制冷控制技术、精密控温技术、节能技术等核心技术,并结合温度控制算法,实现半导体前道工序环节温度的快速切换和精准控温。
在半导体专用工艺废气处理设备的研发中,自主设计等离子(Plasma)发生器及控制单元、燃烧点火装置等核心工艺器件,掌握低温等离子废气处理技术、新型材料防腐及密封技术和系统设计算法等核心技术,实现国产半导体专用工艺废气处理设备的技术突破。在晶圆传片设备的研发中,公司自主研发并掌握了晶圆自动寻心装置技术、晶圆传控技术、晶圆翻片技术和微晶背接触传控技术等核心技术。目前,公司整体技术水平处于国内领先、国际先进水平。
(2)定制化产品,满足客户多样化需求
公司的半导体专用温控设备型号现已涵盖逻辑芯片、存储芯片等领域的应用,对28nm、14nm逻辑芯片以及128层、192层存储芯片领域均有良好的表现,温控范围从-70℃到120℃,空载温控精度为±0.05℃,运行状态下温控精度为±0.5℃,温控范围、温控精度和冷却能力均处于世界先进水平,并领先于国内其他厂商,能够适配多种晶圆制造设备的定制化要求。
公司的半导体专用工艺废气处理设备有燃烧式、等离子式和电加热式,可处理氢气、硅烷气体、碳氟气体、三氟化氮、三氟化氯等全氟化物气体、易燃易爆性气体、酸性气体、有毒有害性气体。为适应不同晶圆制造客户的需求,公司的半导体专用工艺废气处理设备在处理容量、进气口数量以及燃料类型等方面又进行了多机型扩展,满足了客户的不同需求。
晶圆传片设备的晶圆传控、翻片等功能是基于自主研发的底层特性,能够通过调整底层特性快速响应客户的定制化需求。
(3)客户资源稳定
半导体制造行业技术工艺复杂且资本投入较大,对半导体设备的技术水平、可靠性和安全性有着严格的要求,因此对设备供应商的选择设置了严格的控制程序。经过持续努力的产业深耕,公司自主研发的半导体专用设备已成功进入多家行业知名半导体制造企业,与客户建立了良好的合作关系。公司根据上述企业的使用反馈情况,对客户在核心工艺需求和技术发展趋势等方面有着更深刻的理解,能够根据客户需求并基于现有的技术储备进行产品研发,快速响应客户定制化需求。因此,公司目前已拥有优质、稳定的客户资源,在行业内积累了良好的产品、技术和服务口碑,与主要客户有着稳定的合作关系。(未完)