[中报]上海合晶(688584):上海合晶2024年半年度报告

时间：2024年08月29日 21:11:27 中财网

原标题:上海合晶:上海合晶2024年半年度报告

公司代码：688584 公司简称：上海合晶 上海合晶硅材料股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人刘苏生、主管会计工作负责人管继孟及会计机构负责人（会计主管人员）陈重光声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 5
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 9
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 25
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 26
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 32
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 64
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 72
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 72
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 73

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报表
	报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本 及公告原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、 股份公司、上 海合晶	指	上海合晶硅材料股份有限公司
合晶有限	指	上海合晶硅材料有限公司，公司前身，曾先后用名“上海晶华电子科技有 限公司”、“晶华电子材料有限公司”
STIC	指	Silicon Technology Investment (Cayman) Corp.（注册于开曼群岛），公司 控股股东
合晶科技	指	合晶科技股份有限公司（注册于中国台湾地区），其股票在中国台湾地 区证券柜台买卖中心挂牌交易
WWIC	指	Wafer Works Investment Corp.（注册于萨摩亚），STIC控股股东
荣冠投资	指	荣冠投资有限公司（注册于中国香港，英文名称为 Fame Crown Investment Limited），公司股东
美国绿捷	指	美国绿捷股份有限公司（注册于美国加利福尼亚州，英文名称为 Green Expedition LLC），公司股东
兴港融创	指	河南兴港融创创业投资发展基金（有限合伙），公司股东
中电中金	指	中电中金（厦门）智能产业股权投资基金合伙企业（有限合伙），公司 股东
厦门联和	指	厦门联和集成电路产业股权投资基金合伙企业（有限合伙），公司股东
厦门联和二期	指	厦门联和二期集成电路产业股权投资基金合伙企业（有限合伙），公司 股东
厦门金创	指	厦门市金创集智创业投资合伙企业（有限合伙），公司股东
双百贤才	指	厦门双百贤才创业投资合伙企业（有限合伙），公司股东
比亚迪	指	比亚迪股份有限公司，公司股东
华虹虹芯	指	上海华虹虹芯私募基金合伙企业（有限合伙），公司股东
上海盛雍	指	上海盛雍国企改革新势能私募投资基金合伙企业（有限合伙），公司股 东
瀚思博投	指	厦门瀚思博投企业管理合伙企业（有限合伙），公司股东
深圳众晶	指	深圳众晶投资合伙企业（有限合伙），公司股东
盛美上海	指	盛美半导体设备（上海）股份有限公司，公司股东
创启开盈	指	深圳市创启开盈创业投资合伙企业（有限合伙），公司股东
郑州兴晶旺	指	郑州兴晶旺企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东
上海聚芯晶	指	上海聚芯晶企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东
上海海铸晶	指	上海海铸晶企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东
扬州芯晶阳	指	扬州市芯晶阳科技咨询服务合伙企业（有限合伙），公司股东
郑州兴芯旺	指	郑州兴芯旺企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东
上海安之微	指	上海安之微企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东
上海海崧兴	指	上海海崧兴企业管理咨询合伙企业（有限合伙），公司股东
上海合晶松江 工厂、松江工 厂	指	上海合晶位于上海市松江区石湖荡镇长塔路 558号的生产基地
上海晶盟	指	上海晶盟硅材料有限公司，公司全资子公司
扬州合晶	指	扬州合晶科技有限公司，公司全资子公司
郑州合晶	指	郑州合晶硅材料有限公司，公司全资子公司
华虹宏力	指	华虹半导体有限公司及其下属企业
元	指	人民币元
万元	指	人民币万元
亿元	指	人民币亿元
单晶硅	指	硅的单晶体，是一种良好的半导体材料
多晶硅	指	单质硅的一种形态，可作拉制单晶硅的原料
晶棒	指	硅晶棒，是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成的 圆柱状的单晶硅晶棒
抛光片、衬底 片	指	经过抛光工艺形成的半导体硅片，作为外延片的原材料时也被称为衬底 片
外延片	指	在抛光片的基础上，经过外延工艺形成的半导体硅片
功率器件	指	用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件
模拟芯片	指	对连续性模拟信号进行传输、变换、处理、放大和测量的集成电路芯片
CIS、图像传感 器	指	CMOS Image Sensor，即 CMOS图像传感器，是一种典型的固体成像传 感器，可将光像转换为与光像成相应比例关系的电信号
IGBT	指	Insulated Gate Bipolar Translator，绝缘栅双极型晶体管
外延炉	指	用于外延生长的设备，使用高频感应炉或者红外辐射照加热，对衬底片 进行外延生长
mm	指	毫米，0.001米
μm	指	微米，0.000001米
SPC	指	Statistical Process Control，是一种借助数理统计方法的过程控制工具
SAP管理系统	指	Systems Applications and Products in Data Processing，又称企业管理解决 方案，借助软件程序为企业定制并创建管理系统
MES 生产管 理系统	指	一套面向制造企业车间执行层的生产信息化管理系统
Super Junction	指	超级结技术，超结功率半导体器件是一类具有超结耐压层的重要器件， 能够实现高速开关和耐高压等功能
良率	指	指产线上最终通过测试的良品数量占投入材料理论生产出的数量的比例
报告期、本报 告期	指	2024年 1月 1日至 2024年 6月 30日

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	上海合晶硅材料股份有限公司
公司的中文简称	上海合晶
公司的外文名称	Wafer Works（Shanghai）Co., Ltd.
公司的外文名称缩写	WWXS
公司的法定代表人	刘苏生
公司注册地址	上海市松江区石湖荡镇长塔路558号
公司注册地址的历史变更情况	/
公司办公地址	上海市松江区石湖荡镇长塔路558号
公司办公地址的邮政编码	201617
公司网址	http://www.waferworks.com.cn
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	不适用

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	庄子祊	赵银香
联系地址	上海市松江区石湖荡镇长塔路558号	上海市松江区石湖荡镇长塔路558号
电话	021-57843535	021-57843535
传真	86-21-57843572	86-21-57843572
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	中国证券报（ www.cs.com.cn）、上海证券报（ www.cnstock.com）、证券时报（www.stcn.com）、证 券日报（www.zqrb.cn）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	上海市松江区石湖荡镇长塔路558号董事会办公室
报告期内变更情况查询索引	不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	上海合晶	688584	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：万元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同 期增减(%)
营业收入	54,230.47	70,369.69	-22.93
归属于上市公司股东的净利润	4,820.95	13,061.94	-63.09
归属于上市公司股东的扣除非经 常性损益的净利润	4,163.28	12,570.06	-66.88
经营活动产生的现金流量净额	16,950.32	21,425.43	-20.89
	本报告期末	上年度末	本报告期末比上年 度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产	404,480.57	278,881.78	45.04
总资产	492,494.14	367,344.18	34.07

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.08	0.22	-63.64
稀释每股收益（元／股）	0.07	0.22	-68.18
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	0.07	0.21	-66.67
加权平均净资产收益率（%）	1.29	4.92	减少3.63个百分 点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	1.11	4.73	减少3.62个百分 点
研发投入占营业收入的比例（%）	8.57	8.77	减少0.20个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
公司 2024上半年实现营业收入 54,230.47万元，同比下降 22.93%，但今年第二季度较第一季度环比增加 17.73%；实现归属于母公司所有者的净利润 4,820.95万元，同比下降 63.09%，但今年第二季度较第一季度环比增加 63.92%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益净利润4,163.28万元，同比下降 66.88 %，但今年第二季度较第一季度环比增加 68.57%。上述同比衰退情况已较第一季度有所改善。

归属于上市公司股东的净资产和总资产较去年同期大幅度增加,主要原因均系今年上市成功后取得募集资金约 14亿元。

基本每股收益和稀释每股收益同比分别减少 63.64%及 68.18%，主要原因系今年第一季度受半导体行业景气度下行的持续影响，销货数量及单价的降低导致营业收入下滑，以及产能利用率不佳造成的成本上升，虽然第二季度产销量有所回升，但累积上半年毛利率及营业利润仍较去年同期有所减少。

扣除非经常性损益后的基本每股收益同比减少 66.67%，主要原因系本期净利衰退。

加权平均净资产收益率同比减少 3.63个百分点，主要原因系本期净利衰退。

扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率同比减少 3.62个百分点，主要原因系本期净利衰退。



七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减 值准备的冲销部分	352,505.52
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外	6,410,929.31
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值	83,178.09
业务外，非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费
委托他人投资或管理资产的损益
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用，如安置职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	297,167.57
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	567,056.37
少数股东权益影响额（税后）
合计	6,576,724.12

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
全球半导体产业在 2024年上半年，主要受数据中心、电动汽车、人工智能等技术迭代的推动，以及下游需求复苏、行业周期性回暖和全球经济变化带来的产业链重整等因素影响，销售逐步触底回升，保持温和复苏势态。根据美国半导体协会 SIA的数据，全球半导体产业第一季度销售收入达到 1377亿美元同比增长 15.2%，第二季度为 1499亿美元同比增长 18.3%。由于硅晶圆是半导体制造的关键材料，其出货量通常与半导体市场的整体表现密切相关。根据 SEMI（国际半导体产业协会）旗下的 Silicon Manufacturers Group (SMG)发布的硅晶圆季度分析报告，全球硅晶圆在2024年第一季度出货量为 28.34亿平方英寸，第二季度环比增长 7.1%，达到 30.35亿平方英寸，虽与 2023年同期相比有所下降，但环比已呈现增长趋势。

中国目前是全球最大的半导体市场，也表现出强劲的增长态势，根据中国半导体行业协会的数据，中国半导体产业 2024年第一季度、第二季度销售额同比增长都达到 20%以上，在半导体全球各主要市场中增速位居前位。但受到市场竞争加剧、成本上升以及部分产品价格压力等因素的影响，尽管销售额有所增长，产业的整体盈利能力却出现下滑。

从中长期视角来看，全球半导体行业展现出周期性与成长性的双重特质，短期的供需波动并不会改变产业中长期向好的发展趋势。随着人工智能、新能源、新材料、新型电力系统以及先进节能减排等领域的蓬勃发展，对高质量半导体产品的需求日益提升，这将进一步推动全球半导体市场的扩张。据世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2024年全球半导体市场有望实现 16%的增长，销售总额预计会达到 6110亿美金，其中亚太地区将贡献显著的增长动力。公司将充分发挥自身优势，积极把握市场趋势，致力于实现公司的持续成长和价值的最大化。

作为长期深耕于从长晶开始的一体化外延片的研发、生产和销售的企业，公司矢志成为世界一流的硅材料供应商，为客户提供产品解决方案。2024年上半年，面对国内外经济与产业环境的复杂多变，公司坚定不移地贯彻 “8英寸做强、12英寸做大”及“差异化竞争”的战略方针，积极应对各种挑战与机遇，稳步推进各项战略发展计划。通过不懈努力，公司产能利用率得到提升，报告期内生产、销售量在经历去年第四季度的短暂下降调整后，呈现出逐月稳步上升的积极态势，展现出公司的发展动力和市场竞争力。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
核心技术主要围绕半导体材料的研发与生产，掌握了半导体硅片生产的多项核心技术，如直拉单晶生长技术、热场优化及调整，完美单晶生长技术、超精密抛光技术、优质外延技术等。实现了大尺寸完美单晶生长和平坦度控制工艺、公司拥有专门的研发团队结合现有技术，开发出具有知识产权的大尺寸完美单晶及硅片超精密抛光技术。

序 号	技术分类	技术名称	技术先进性	对应已授权 专利号	技术 来源
1	晶体成长	磁场直拉 单晶技术	在传统的直拉长晶基础上，结合磁 场控制长晶技术，通过自主设计并 优化工艺管控参数，有效提升晶体 生长过程中熔体及生长界面的稳定 性，大幅降低晶体缺陷，在控制晶 体参数均匀性和控制超低氧含量的 晶体成长上具备优势	202120477773.4 201420802643.3 200510023563.3	自主 研发
2	晶体成长	多元素掺 杂长晶技 术	半导体硅片有硼、磷、砷、锑四种 常规掺杂元素，公司已实现工艺的 全面覆盖。公司在自行开发的热场 基础上，针对不同掺杂元素物理特 性开发出不同的掺杂技术，加之针 对不同元素单晶的长晶工艺辅助，	201921321603.6 201720543582.7 201621102268.7 202021001990.8 202020860547.X 201921320006.1	自主 研发
序 号	技术分类	技术名称	技术先进性	对应已授权 专利号	技术 来源
			实现半导体用常规四种掺杂单晶的 生长以及阻值控制	201720543564.9 201420799612.7
3	晶体成长	晶体缺陷 控制技术	公司综合运用优化的长晶热场，根 据不同掺质产品的特性，结合流量、 压力、温度的合理设定，实现对晶体 原生缺陷的控制	202021103487.3 202021103640.2 202020832245.1 201420833489.6 201921940060.6 201921885954.X 201921885102.0 201921884778.8 201720735297.5	自主 研发
4	晶体成长	晶体中氧 析出行为 动力学模 型技术	晶体生长过程所经历的热历史决定 了晶体中氧的析出行为，进而影响 晶体的内部吸杂与硅片的强度，公 司通过自主开发设计的长晶热场与 工艺流程，通过晶体成长模拟技术， 优化工艺流程及工艺参数，实现对 晶体中氧的析出行为的有效控制	专有技术	自主 研发
5	晶体成长	超低电阻 长晶技术	公司利用自主设计并优化的长晶热 场和控制系统，综合搭配压力、流 量、温度等特定工艺设定，在避免 组成过冷的条件下，实现超低电阻 晶棒的生长	202020390927.1 201921314219.3	自主 研发
6	衬底成型	硅片单片 抛光技术	基于原厂所设计的单片式抛光机硬 件架构上，自主进行 27项硬件改造 进而提升制程能力，硅片边缘平坦 度达到国际先进水平	202122526446.6 202122182302.3 202022551718.3 202022206758.4 201922134728.4 201820822046.5 M609202	自主 研发
7	衬底成型	硅片表面 洁净度处 理技术	公司自主开发的硅片表面洁净度处 理技术，能够有效清除硅片表面的 各种污染物，如表面微尘、有机物、 轻/重金属等，目前公司衬底片的表 面洁净度水平处于国际先进	202022551717.9 202021342533.5 202022377926.6	自主 研发
8	衬底成型	表面纳米 形貌控制 技术	硅片表面纳米形貌会影响到制作半 导体组件时的表面氧化层厚度差 异。公司通过表面纳米形貌控制技 术，实现精准控制硅片表面粗糙度 和表面纳米形貌的效果，目前在 2mm×2mm的微区上衬底片的微粗 糙度小于 60nm，达到国际先进水平	I732719	自主 研发
9	衬底成型	硅片平整 度控制技 术	公司自主开发的硅片平整度控制技 术,通过优化抛光工艺，切片、磨片、 酸/碱蚀刻工艺中的关键参数，实现 衬底片平整度达到国际先进水平	201110231799.1 201110231810.4 200810204445.6	自主 研发
10	外延生长	外延片温 场控制技 术	由于外延生长的环境温度通常超过 1,100摄氏度，导致实际操作中很难 量测外延温度并进行控制。公司利 用自主设计的离子注入片在不同加	201310513112.2 201510448219.2 202121085132.0	自主 研发
序 号	技术分类	技术名称	技术先进性	对应已授权 专利号	技术 来源
			热温度下表现出的方块电阻，实现 对外延机台内不同点的实际加热温 度的监控、校验，并通过实时故障检 测与分类系统（FDC系统）实现对 外延炉台的温度控制，可达到温度 精准控制在 0.5%以内
11	外延生长	衬底晶背 多晶硅析 出控制技 术	通过外延特色工艺及在外延前对基 座的处理，使抛光片的背面在放入 炉台前得到保护，从而避免硅片背 面多晶硅析出	201810722379.5 202121408826.3	自主 研发
12	外延生长	外延机台 腔体内多 晶硅层刻 蚀技术	通过对外延炉的改造以及刻蚀技术 的优化，有效去除腔体内多晶层杂 质，以控制外延机台腔体洁净度，相 较传统工艺，减少 60%的氯化氢用 量	202122538445.3	自主 研发
13	外延生长	埋层外延 技术	埋层外延片的主要生产难点在于， 在外延前，硅片表面已有光照图形， 需要将高温外延流程控制在合适的 温度，使光照图形无模糊、无偏移畸 变，公司的埋层外延技术攻克了这 个技术难点，通过利用公司自主设 计的离子注入芯片，将温度准确控 制在适用于埋层外延的特殊温度， 实现高温外延中光照图形无模糊、 无偏移畸变	202123385124.0	自主 研发
14	外延生长	超厚外延 技术	公司利用自主设计的漂浮式取片 器，解决了硅片边缘的接触损伤问 题，有效提升了超厚外延产品的良 率，使公司具备了生产外延厚度 150μm外延产品的能力，可应用于 制造大功率器件，同行业公司的技 术水平一般在 100μm	201310240216.0 202123388317.1	自主 研发
15	外延生长	超结器件 双层外延 技术	利用自主设计的超结器件双层同心 圆外延技术和自主设计改进的电阻 量测设备，在低功耗的基础上，实现 对外延电阻的精确控制，解决了外 延电阻率均匀性变差以及因自掺杂 现象导致“基板-外延”过渡区变宽的 问题，该技术制造的外延片可以用 于生产击穿电压达 630V的超结功 率器件	201210311175.5	自主 研发
16	外延生长	大尺寸厚 外延一次 成型技术	对于大尺寸外延片，在保证低缺陷 度水平的情况下，公司能够实现 75μm厚度的外延层一次成型，一方 面相较多次生长减少约 35~50%的 生产时间，另一方面避免多次生长 导致外延层电阻均匀性异常波动， 同行业公司的技术水平尚无法完成	I795228	自主 研发

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定称号	认定年度	产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业	2022年	不适用

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司申请发明专利 9项，取得发明专利授权 1项；申请实用新型专利 18项，取得实用新型专利授权 19项。截至报告期末，公司拥有境内外发明专利 27项、实用新型专利 177项、软件著作权 3项。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	9	1	89	27
实用新型专利	18	19	232	177
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	0	0	3	3
其他	0	0	0	0
合计	27	20	324	207

3. 研发投入情况表
单位：万元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	4,647.77	6,173.10	-24.71
资本化研发投入			不适用
研发投入合计	4,647.77	6,173.10	-24.71
研发投入总额占营业收入 比例（%）	8.57	8.77	减少 0.20个百分点
研发投入资本化的比重 （%）			不适用

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序号	项目名称	预计总投资 规模	本期投 入金额	累计投入 金额	进展或阶 段性成果	拟达到目标	技术水平	具体应用前景
1	水平炉长厚 POLY 技术研究	280.00	16.15	274.99	量产阶段	15000? POLY良率≥99%	国内先进水平	应用于功率器件 品质提升
2	树脂砂轮倒角工艺 的研究	140.00	37.00	37.00	小批量实 验测试	1、主要技术指标: 粗糙度 ≤0.1umSlip≤10mm 2、主要经济指标: 改善倒 角品质，提升市场竞争力	国内先进水平	重要原辅料国产 化
3	硅片背封白边缺陷 改善技术的研发	140.00	42.09	42.09	小批量实 验测试	1、主要技术指标:无白边 2、主要经济指标:MUFFLE 使用寿命增加一倍，成本降 低 50%	国内先进水平	应用于功率器件 品质提升
4	超重掺 B抛光面边 缘点缺陷改善的研 究	130.00	34.27	34.27	小批量实 验测试	超重掺硼抛光片边缘点缺 陷发生率从 5%降低至 2%以下	国内先进水平	应用于功率器件 品质提升
5	8 Inch 重掺砷低阻 单晶开发	98.00	83.40	83.40	长晶工艺 测试调整 阶段	降低 8Inch 重掺砷单晶阻 值	国内先进水平	直拉单晶硅的生 长技术
6	8 Inch 重掺硼单晶 工艺开发	112.00	70.19	70.19	产品客户 端验证阶 段	建立 8Inch 重掺硼单晶长 晶能力	国内先进水平	直拉单晶硅的生 长技术
7	300mm 外延温度控 制优化	532.97	12.26	513.78	已完成	通过 PID等参数设定	国内先进水平	CIS器件用 12吋 外延片、功率器 件用 12吋外延片
8	300mm 外延炉机台 备件国产化开发	572.48	11.30	534.83	已有合格 供应商	通过石墨件国产化达到降 低成本	国内先进水平	国产化备件全面 应用到 12寸外延 炉，有效避免断 料发生
9	300mm 外延片 37nm颗粒清洗能力 研发	477.60	10.23	441.88	完成工艺 验证并进 入生产线 送样验证 阶段	提高清洗机台清洗能力，达 到 37nm颗粒制程能力	国内先进水平	用于 IGBT，P/P 和一般 300mm外 延片中
10	300mm 全自动目检 机开发	512.09	11.09	478.65	量产阶段	减少人为因素造成的产品 报废，提高良率及品质	国内先进水平	应用于大硅片外 观检查
11	300mm P/P外延片 工艺研发	513.47	12.42	478.62	已完成	通过温度/生长速率/气流配 比控制 ADE参数	国内领先	大规模集成电路
12	ASM E2000外延炉 备件国产化开发	2,150.16	12.50	1,451.58	已有合格 供应商	开发国产化替代备件，降低 运行成本，降低备件断料风 险	国内领先	国产化备件全面 应用到 ASM E2000外延炉， 有效避免断料发 生
13	多层外延技术研发	1,963.26	11.72	1,316.84	量产阶段	改善多层外延能力	国内领先	应用于制造高压 超结 Super Junction 器件的 衬底，多层外延 可改善器件电 性。
14	LPE 3061外延炉备 件国产化开发	1,947.35	13.04	1,338.27	已完成	备件国产化，降低断料风 险，降低成本	国内领先	国产化备件全面 应用到 LPE 3061 外延炉，有效避 免断料发生
15	12英寸车规级 850V 以上 IBGT超厚外延 片研发	1,105.38	319.55	319.55	工艺参数 调整测试 阶段	开发出新能源汽车行业关 键基础材料车规级IGBT用 12英寸高压厚膜外延片	国内先进水平	用于车规级 850V 以上的 IGBT功 率器件
16	12英寸 45-60nm 级 先进工艺 BCD外延 片研发	1,159.30	327.80	327.80	产品调试	BCD用外延片产品研发及 良率提升	国内先进水平	BCD器件，电源 管理模拟芯片
17	12英寸 CIS用外延 研发	1,435.65	381.66	381.66	工艺参数 调整测试	送样生产，厚度 /阻值 /Flatness/Particle/BMD/Life	国内领先	应用于手机，安 防，监控，医
					阶段	time/等参数达到客户要求 的 BSL		疗，工业上的摄 像头
18	8英寸高品质外延片 清洗工艺开发	909.92	484.25	484.25	DOE设计 &工艺试验	颗粒（>=0.12um）≦20ppw, 芯片表面金属沾污水平 （Cu，Fe，Cr，Ni，Zn）≦ 1E8 atom/cm3，表面轻金属 沾污水平 （Na，K, Ca, Al) ≦5E8 atom/cm3	国内领先	提高 200mm硅外 延片的良率
19	8英寸超厚外延工艺 研发	842.52	615.80	615.80	外延蚀刻 工艺优化	良率达到 95%成本节约 3%	国内先进	应用于 IGBT器 件，可大量用于 新能源期汽车与 充电桩，有广阔 的市场前景
20	8英寸 ASM多层外 延工艺研发	1,287.37	619.20	619.20	外延工艺 优化及验 证	改善多层外延能力	国内领先	ASM2000/ASM2 000PLUS/ASM25 00等机型上有效 缩短 EPI时间提 升机台产能
21	直径 300mm抛光后 硅片表面缺陷控制 工艺技术研究	808.00	143.66	446.42	工艺参数 优化调 整，工艺 参数验证 阶段	完善 12英寸抛光片表面缺 陷控制工艺	达到国内先进 水平	集成电路硅片表 面质量改善
22	直径 200mm硅抛光 片背面缺陷控制工 艺技术研究	460.00	152.08	455.46	抛光工艺 参数调整 测试阶段	降低硅片背面刮伤率	达到国内先进 水平	集成电路硅片表 面质量改善
23	直径 200/300mm 重 掺晶圆 Ring etching 技术的研究	1,365.00	20.47	155.01	产品小规 模生产测 试阶段	实现边缘蚀刻精度精准控 制，提高产品良率	达到国际先进 水平	芯片制造过程中 晶圆表面清洗、 刻蚀及表面定性 等工艺及半导体 制造过程的 ESH 问题
24	直径 200mm硅片研 磨污染控制新工艺 及装置研发	440.00	29.10	270.82	工艺参数 调整测试 阶段	提高产品的洁净度水平	达到国内先进 水平	集成电路硅片表 面质量改善
25	直径 200mm抛光布 形状控制新技术及 装置研究	812.00	73.13	265.46	抛光工艺 参数调整 测试阶段	提高产品的平坦度	达到国内先进 水平	集成电路平坦度 改善
26	一种侦测 200mm晶 圆盒变形的研发装 置研究	400.00	22.86	237.47	工艺参数 调整测试 阶段	提高产品的平坦度、降低缺 陷度	达到国内先进 水平	集成电路平坦度 改善
27	直径 300mm轻掺低 氧单晶硅棒工艺研 发	469.00	217.50	217.50	工艺参数 调整测试 阶段	控制硅片中心氧含量水平	达到国内先进 水平	直拉单晶硅的生 长技术
28	直径 300mm P型外 延一体化单晶硅棒 新工艺研发	1,000.00	133.27	133.27	工艺参数 调整测试 阶段	大尺寸 P/P-单晶硅生长工 艺开发	达到国内先进 水平	直拉单晶硅的生 长技术
29	直径 300mm硅片 Edge Surface Metal 控制工艺技术研究	480.00	92.11	92.11	工艺参数 调整测试 阶段	研发新型的清洗技术，去除 硅片边缘的金属杂质	达到国内先进 水平	集成电路硅片表 面质量改善
30	直径 200mm硅片表 面颗粒控制抛光技 术研究	480.00	68.23	68.23	工艺参数 调整测试 阶段	减少或消除硅片表面颗粒 的产生	达到国内先进 水平	集成电路硅片表 面质量改善
31	直径 200mm超重掺 硼抛光后硅片表面 刮伤缺陷控制工艺 技术研究	480.00	68.12	68.12	工艺参数 调整测试 阶段	降低表面缺陷 Reject rate， 减少硅片损伤	达到国内先进 水平	集成电路硅片表 面质量改善
32	直径 300mm硅抛光 片平坦度控制工艺 技术研究	520.00	110.15	110.15	不同抛光 垫调整测 试阶段	研究大尺寸轻掺 P/P-抛光 硅片的制备工艺	达到国内先进 水平	集成电路平坦度 改善
33	高浓度 N型掺质晶 棒工艺研发	600.00	67.01	67.01	工艺参数 调整测试 阶段	重掺单晶硅棒工艺研发	达到国内先进 水平	直拉单晶硅的生 长技术
34	直径 300mm超薄片 抛光工艺技术研究	480.00	102.65	102.65	不同抛光 垫调整测 试阶段	大尺寸超薄片抛光工艺技 术开发	达到国内先进 水平	直拉单晶硅的生 长技术
	其他本期投入金额 低于 10万元的项目	8,199.00	221.52	5,809.00
合计	/	33,302.53	4,647.77	18,343.34	/	/	/	/

5. 研发人员情况 （未完）