[中报]源杰科技(688498):陕西源杰半导体科技股份有限公司2024年半年度报告
原标题:源杰科技:陕西源杰半导体科技股份有限公司2024年半年度报告 陕西源杰半导体科技股份有限公司 2024年半年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。 三、 公司全体董事出席董事会会议。 四、 本半年度报告未经审计。 五、 公司负责人ZHANG XINGANG、主管会计工作负责人陈振华及会计机构负责人（会计主管人员）曹夏璐声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4 第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 6 第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 9 第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 31 第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 34 第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 36 第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 54 第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 61 第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 62 第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 63
第一节 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、 公司基本情况
二、 联系人和联系方式
三、 信息披露及备置地点变更情况简介
四、 公司股票/存托凭证简况 (一) 公司股票简况 √适用 □不适用
(二) 公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、 其他有关资料 □适用 √不适用 六、 公司主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 (1) 本报告期营业收入同比上升95.96%，主要系光芯片行业较2023年半年度有一定恢复，虽然中低速率产品市场竞争压力仍较大，但随着产品线进一步丰富，总体收入同比有所增加； (2) 归属于上市公司股东的净利润同比下降 44.56%，主要系报告期收到政府补助同比大幅减少所致； (3) 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比上升129.97%，主要系收入增加导致利润同步增加及销售产品结构变化所致； (4) 基本每股收益、稀释每股收益同比下降 59.38%，主要系报告期净利润下降及股本增加所致；扣除非经常性损益后的基本每股收益同比上升 57.14%，主要系股本增加及报告期确认其他收益、公允价值变动收益及投资收益等非经常性损益较上年同期减少较多所致； (5) 加权平均净资产收益率同比减少0.41个百分点，主要系报告期利润减少所致；扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率增加0.25个百分点，主要系本期确认其他收益、公允价值变动收益及投资收益等非经常损益较上年同期减少较多所致； (6) 研发投入占营业收入的比例同比减少3.17个百分点，主要系报告期收入同比增加所致。 七、 境内外会计准则下会计数据差异 □适用 √不适用 八、 非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位:元 币种:人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用 九、 非企业会计准则业绩指标说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 (一)所属行业情况说明 (1)所处行业 公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售。根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”。根据《战略性新兴产业分类（2018）》（国家统计局令第23号），公司所处的行业细分领域为“1新一代信息技术产业”之“1.2电子核心产业”之“1.2.1新型电子元器件及设备制造”之“3976光电子器件制造”。 (2)行业的发展阶段及基本特点 随着全球信息互联规模不断扩大，光电信息技术正在崛起。在这种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提出更高的要求。 目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细分为光纤接入和移动通信两个细分领域。 电信市场：2024年上半年，5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设有序推进。在光纤接入市场：随着千兆光纤网络升级，目前10G PON市场正在广泛的部署。截至6月末，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.54亿户，比上年末净增1810万户。1000Mbps及以上接入速率的固定互联网宽带接入用户达1.87亿户，比上年末净增2416万户，占总用户数的28.6%，占比较一季度提升1.2个百分点。在高速率用户持续增长拉动下，家庭户均接入带宽达487.6Mbps/户，同比增长17.9%。10G PON网络的投资和部署保持较高水平。千兆宽带正在快速普及同时，开始向“千兆+”、“万兆”加速。作为ITU-T定义的下一代PON技术，50G PON比10G PON带宽提升了 5倍、时延降低了 100倍，具备提供确定性业务体验的能力。根据 Omdia的预测，2024至2028年期间，50G PON端口出货量将不断提升，并保持每年200%的复合年增长率。在移动通信市场，运营商进一步推进5G网络覆盖的广度和深度加强。同时，由于5G-A在网络速度、延迟、连接数等方面实现显著提升，引入了通感一体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好地匹配人联、物联、车联、高端制造、感知等场景。运营商也逐步推进其商用部署或组网试点。 相关技术的成熟与推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。 数据中心市场：随着人工智能的快速发展，模型大小和数据集大小的增加，模型性能提高。 训练大模型需要大量算力，导致对光器件的需求、能力的增加。在这样的背景下，数据中心市场高速率需求持续增加。当前，GPU对光模块的需求主要以400G/800G为主，下一代GPU产品将提升至 800G/1.6T，这无疑将进一步刺激对高速光模块的需求。对功耗提出更高要求，数据中心对功耗和密度的要求越来越高，因此光模块需要不断优化，以实现更高的能效比和更紧凑的封装设计。低功耗、小型化、集成化将成为未来光模块发展的重要趋势。硅光技术在可插拔光模块中逐步提升，特别在高功耗模块中应用广泛。此外，CPO和LPO方案也是未来趋势，虽然LPO在标准统一和互联互通上仍存在挑战，但其在特定场景中表现出较低功耗和成本的优势。根据 Light Counting预测，2027年全球光模块市场规模将突破200亿美元，2022年至2027年复合平均增长率为12%。 (3)主要技术门槛 更高速率、更高功率、更长传输距离的光芯片的技术研发、工艺设计具有更高开发难度与门槛。一方面，随着需求提升，光芯片的结构设计的精度要求极高，技术研发及工艺开发需结合高速射频电路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多学科，设计合适的芯片结构，满足芯片精度及尺寸的要求；另一方面，激光器芯片的生产需要几十至几百道工序，每道生产工序都将影响产品最终的性能和可靠性，因此对生产线工艺成熟和稳定有极高要求。此外，高速率激光器芯片相较于中低速率产品，在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键结构的设计与开发上，需综合考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互制约因素，因此存在极高壁垒。 (二)主营业务情况说明 公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动通信网络。在光通信领域中，主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产品和大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激光雷达激光器芯片等产品。 经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线，公司逐步发展为国内领先的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
1、2.5G、10G、25G、50G、100G、200G代表激光器芯片的传输速率；CWDM、LWDM、MWDM代表可应用于波分复用网络的激光器芯片；PAM4代表可应用于PAM4脉冲调制技术的激光器芯片； 2、报告期内，公司主要向客户销售激光器芯片，但为满足部分客户需求，公司会将激光器芯片封装后进行销售。 (三)主要经营模式 1、销售模式 公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以及维护客户关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生产与运营部，协调产品研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等工作。 新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客户需求先与其进行深度技术交流，研发部在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，然后在厂内进行样品性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，客户会小批量下单采购，并在多批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求新客户。 2、采购模式 每月月底采购部根据生产与运营部提供的次月生产计划及安全库存，制定对应的生产原物料采购计划（包括预测需求）；原材料采购到货后，品质部负责生产原物料的检验工作，并提供生产原物料的质检项目和质检结果；质检合格后，由仓管科负责核对到货单物料数量与采购订单物料数量，财务部负责最终付款。另外研发部门、生产类部门、厂务部门、行政部门等根据公司经营需要，制定相应各部门采购计划并提前传递采购部审核，由采购部统一采购。 公司制定供应商认证及供应商管理流程，对新的供应商进行资质评估及调查，对提供的样品进行验证，并进行合格供应商评审，合格的供应商将被录入《合格供方名单》。公司对供应商进行绩效考核并分级管理，按需进行物料替代管理、供应商稽核管理，确保公司的采购质量。 3、生产模式 公司生产激光器芯片属于IDM模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。 公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司根据年度销售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生产压力。 4、研发模式 公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发部《设计和开发控制程序》体系进行管理，从立项开始先后经历6个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工程验证测试（EVT）、设计验证测试（DVT）、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）等阶段，各阶段要求满足后进入下一阶段，具体如下： （1）立项阶段 市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交市场与销售部、研发部及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分析，包括项目方案概况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客户指标需求等。 （2）设计输入输出阶段 项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工艺指导文件、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。 （3）工程验证测试阶段（EVT） 研发部根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与流程进行样品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生产异常关闭率进行评审。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，直到满足客户需求后可转入下一阶段。 （4）设计验证测试阶段（DVT） 研发部根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品稳定性与异常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测试（EVT）开始开发，直到满足客户需求并通过验证。 （5）研发转生产培训考核阶段 研发转生产培训考核阶段，研发部提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、工单、参数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的人员进行培训与考核，通过评审后方可转入下个阶段。 （6）批量过程验证测试优化阶段（PVT） 批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产能、管理投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。 二、 核心技术与研发进展 1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 （1）核心技术的情况 经过多年研发与产业化积累，公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”“脊波导型激光器芯片制造平台”“光放大器集成芯片制造平台”“高速调制激光器芯片技术”“异质化合物半导体材料对接生长技术”“小发散角技术”“集成式光芯片高可靠性技术”“大功率激光器高可靠性技术”“高速激光器芯片的封装技术”等技术，具体情况如下：
1）高速调制激光器芯片技术，实现高速激光器芯片的规模化生产 移动通信网络与数据中心数据高速传输的需求，要求激光器芯片调制速率提升至25G及以上。 高速调制激光器的开发难点在于对有源区量子阱进行高速应用设计、纳米级精度的外延生长技术与高速芯片谐振腔的设计。 公司高速调制激光器芯片技术完成以下难点开发：①通过理论计算，建立结构模型，进行高度专业化仿真，以完成高速芯片结构设计，有效减少试错成本与开发周期；②有源区晶圆外延工艺参数匹配调试；③高速应用之相移光栅工艺条件开发验证；④各项高速验证指标评测系统搭建。 公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决高速晶圆外延精度问题、芯片高温环境运行可靠性、寄生电容限制芯片高速特性等技术难题，突破了高速激光器芯片产品的技术瓶颈，有助于实现25G、50G PAM4 DFB激光器芯片的规模化、高质量、低成本的生产制造。2020年，公司凭借25G MWDM 12波段DFB激光器芯片，成为满足中国移动相关5G建设方案批量供货的厂商。 2）电吸收调制器集成技术，突破100G PAM4 EML激光器芯片的海外技术垄断 目前国际先进的100G PAM4 EML激光器芯片采用电吸收调制器集成技术，其将DFB激光器芯片技术与电吸收调制器芯片技术进行集成，以此突破高速瓶颈。电吸收调制器集成技术的开发难点在于，集成大功率DFB激光器芯片和高速调制器于同一芯片，在不同区域分别实现发射光源和高速调制的功能。如集成设计及生产过程不合宜，会导致对接介面缺陷、晶向失配等材料缺陷问题，影响产品的可靠性。 公司电吸收调制器集成技术完成以下技术突破：①分别设计发射光源区与调制区的晶圆量子阱结构，实现功能独离优化；②光波导光路计算与仿真；③异质波导有源区外延工艺技术开发；④芯片高频寄生电容优化。⑤大功率发射光源与高速调制器低损耗对接技术。公司凭借该技术，设计定型了100G PAM4 EML激光器芯片，目前处于验证测试阶段，有助于打破海外领先光芯片企业垄断的局面，为公司长期发展提供技术保障。 3）异质化合物半导体材料对接生长技术，实现高温、大电流工作环境中高速激光器芯片产品的高可靠性 速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中，量子阱发光区一般使用铝铟镓砷（AlInGaAs）等复合化合物半导体材料，因该材料在空气中易氧化，导致芯片在高温工作环境中快速裂化失效，极大限制终端室外通信设备的可靠性。 公司异质化合物半导体材料对接生长技术完成以下难点开发：①异质化合物半导体材料光波导设计与仿真；②异质化合物半导体材料对接生长晶圆外延工艺参数匹配调试；公司利用较稳定的化合物半导体材料进行异质半导体材料对接生长，降低半导体材料在制程时曝露空气产生缺陷的概率，从根本上解决可靠性劣化问题。公司该项技术开发难度极高，提供了产品劣化解决方案，实现高速率激光器芯片的高可靠性，使得产品成功用于国内外大型通信设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信等国内外知名运营商网络中。 4）非气密环境下光芯片设计与制造技术，实现客户拓展至数据中心市场 数据中心的应用场景中，客户持续降低成本的需求，促使光模块厂商采用非气密设计。该设计方案下，光芯片易受到水和氧气侵蚀，导致性能失效，因此，对光芯片高温高湿耐受能力要求极高。非气密环境下光芯片设计与制造技术开发难点在于高温高湿环境失效机理研究、钝化膜材料选择、集成工艺等。 公司非气密应用芯片结构技术完成以下技术突破：①抵抗高温、高湿的光学镀膜材料和设计方案；②多种材料的实验与理论验证；③激光器芯片的高温高湿环境模拟与测试系统；④多层光学膜与钝化膜的设计与集成制造。公司凭借该项技术，实现高速激光器芯片在高温、高湿环境下的长期可靠工作，成功实现向大型数据中心客户的批量供货，将产品的应用场景延伸至数据中心。 5）相移光栅技术，实现非周期光栅制作 光通信要求光信号在传输过程中不失真，因此激光器芯片的信噪比指标非常重要。信噪比代表主信号与背景噪声的比值，信噪比越大代表主信号占优势，能顺利将信息传递而不受噪声干扰。 相移光栅技术是改善激光器芯片信噪比的重要技术，相移光栅具备优异的单模光输出性能（光的单色性、光的纯度），能够提升主信号的比值，减小噪声的影响。该技术近年来被大量应用于高端高速光芯片，已成为行业中高度认可的制造高速激光器芯片必须技术之一。传统的光栅技术通过全息系统实现，但仅能够制作等周期间距的光栅，无法制作特殊非等周期的光栅结构。相移光栅技术的开发难点在于光栅相移量的理论设计非常繁杂，涉及光和电的综合知识，此外搭建相移光栅制作系统需花费大量的开发时间与资金成本。 公司相移光栅技术完成以下难点开发：①建立理论模型，进行高度专业化仿真，完成10G/25G/50G芯片光栅设计；②电子束光栅设备的投资与操作技术开发；③相移光栅工艺条件开发验证；实现制作特殊相移光栅技术。公司将该技术成功应用于所有激光器芯片中，大幅提升了产品良率与性能指标。 6）大功率激光器芯片技术，开发下一代高速光模块用大功率激光器芯片 高速数据中心市场中，400G、800G及更高速率光模块代表行业最先进的技术，其要求使用的激光器芯片直调速率达到50G或100G，已逼近直调激光器芯片设计与制作的极限。硅光子集成技术成为400G、800G及更高速率光模块的解决方案，其要求激光器芯片发射光源耦合到硅基材料的波导中，但存在不同材料间光源的耦合效率低、光传输损耗较大的问题。大功率激光器芯片技术能够实现产品的高光功率输出，弥补光传输损耗问题，其开发难点在于有源区的量子阱设计、外延生长技术及芯片谐振腔几何结构的设计等。 公司大功率激光器芯片技术完成以下难点开发：①结构设计与理论仿真；②晶圆外延工艺和光波导设计；③光栅设计与制造；④大功率芯片测试与可靠性评估系统。公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决光功率在高温下饱和的问题，成功实现25/50/70mW大功率激光器新片的开发。目前，仅海外少数头部光芯片厂商能够提供相关产品，公司将该技术应用于大功率激光器芯片的开发，为行业内下一代高速光模块的新兴技术提供稳定与高性能的激光器芯片。 7）小发散角技术，降低封装成本并减少进口依赖 光通信系统中，激光器芯片发射出的光信号需耦合到光纤中，才能真正用于通信传输，因此芯片发光耦合到光纤的效率为下游模块厂商关注的重点。为提升耦合效率，传统耦合方案中下游模块厂商常采用昂贵的进口耦合透镜，与激光器芯片进行光模块的封装生产。小发散角技术可以整形激光器芯片发射的光斑，使得芯片输出的光信号更易耦合至光纤中，从而使得模块厂商采用国产普通耦合透镜，就可封装出高性能的产品，有效提升了耦合效率，降低了生产成本。 公司小发散角技术完成以下难点开发：①光斑转换器（SSC）光波导设计与仿真；②光斑转换器光波导工艺制作与开发。公司凭借该技术，以光在波导的传输行为理论为基础，开发出于有源区以外的光斑转换器结构制作技术，在不牺牲芯片性能前提下实现小发散角的功能。公司将该技术应用于各类激光器芯片中，在同类产品实现了差异化竞争，并降低模块厂商对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部署的供应链安全及成本问题。 8）抗反射技术，降低封装成本并减少进口依赖 光信号在光通信系统传递过程中，如遇到不同段光纤之间的接口或连结器件，容易形成光反射并沿光纤返回激光器芯片，产生相干效应，引起同调性下降、光路信号噪音崩溃等问题，影响激光器芯片的性能。传统解决方案为在光模块中的激光器与光纤接口间额外增加光隔离器，过滤反射光并仅让正向传输的光信号通过，避免反射光对激光器芯片的影响。光隔离器的核心器件常采用进口的法拉第旋光片，增加了光模块的尺寸及封装厂的封装难度和成本，也形成了对进口组件的依赖。 公司抗反射技术完成以下技术突破：①抗反射光损耗波导设计与仿真；②反射光损耗波导外延工艺制作与开发；③芯片级反射光测评系统搭建与开发。公司凭借该技术，成功开发出有源区出光端集成反射光损耗波导结构制作技术，将隔离器功能集成于芯片结构中，实现激光器芯片对系统造成的反射光不再敏感。下游模块厂商在使用公司这类芯片进行模块生产时，可以减少使用昂贵的进口隔离器，降低了封装成本，以及对进口器件的依赖。 9）掩埋型激光器芯片制造平台，实现高电光转化效率产品的制造 光纤接入应用的大功率2.5G激光器芯片、数据中心应用的大功率激光器芯片，均要求激光器芯片的高光功率、低电功耗，掩埋型结构的激光器芯片相较于脊波导型激光器芯片具有更高电光转化效率。掩埋型结构开发难点在于晶圆外延与晶圆刻蚀的工艺技术开发，需开发者具备成熟与高精度的制造工艺水平。 公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了掩埋型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产工艺包括：①晶圆的量子阱外延技术；②晶圆的电流阻挡层外延技术；③晶圆的台阶刻蚀技术；④晶圆的低缺陷多次外延技术；⑤完整的可靠性验证与测试。公司凭借此平台制造的大功率2.5G激光器芯片是公司的主要产品之一，采用该平台成功开发的70mW大功率激光器芯片也将成为应对满足未来硅光趋势的产品。 10）脊波导型激光器芯片制造平台，实现高速率产品的制造 目前10G、25G以及更高速激光器芯片通常采用的是脊波导结构。公司通过技术人员的研发、核心生产人员培训及生产经验积累，解决脊波导结构制造过程中的设计、工艺与生产等技术和工程问题，实现了高速率芯片的量产，也为更高速率产品的研发奠定了基础。脊波导型结构开发难点在于需精确控制脊波导尺寸，尺寸控制不佳会降低电注入效率与产品高速性能。 公司经过多年生产经验积累及工艺打磨，开发了脊波导型激光器芯片制造平台，积累的主要技术及生产工艺包括：①高精度电子束光栅曝光系统的生产工艺；②高精度低缺陷脊波导刻蚀工艺；③针对不同应用的异质结波导技术；④脊波导激光器芯片的可靠性与高频验证体系。公司凭借该技术，开发了低缺陷的脊波导型激光器芯片结构，实现10G、25G激光器芯片的高性能指标、高可靠性及批量出货。 11）集成式光芯片高可靠性技术，实现集成式光芯片各区的可靠性要求 集成式光芯片通过将不同功能局域进行集成，可在单一光芯片上展现更强的性能，此类集成芯片形成量产的前提必须保证分区集成光芯片上各区域的可靠性，确保集成式光芯片的使用寿命，而集成式光芯片中不同功能区域可能为不同的外延材料、组份、结构等所组成，因此要兼顾集成芯片中不同区域的可靠性能力具备相当的难度，公司经过多年不同材料、结构的生产经验积累及工艺打磨，熟悉不同材料、结构在可靠性方面的技术难点，因此结合相关设计开发经验于集成式光芯片上，从设计开发之初，考量分区的结构材料、组份、应力、掺杂、几何结构、光电转换、热分布等差异化的区域特性，在保证芯片可靠性的大前提下，进行性能设计开发，使集成式光芯片能同时实现高可靠性与多功能性能的绝对优势。 此类技术应用于所有集成式光芯片，场景包含数据中心与AI计算领域的高速光模块、长距离接入网等场景，由于集成式光芯片的应用场景广，具备此类集成式产品的高可靠性技术力已成为行业中的竞争优势。 12）大功率激光器高可靠性技术，实现大功率光芯片严苛操作场景下的可靠性要求 硅光子集成技术成为400G、800G及更高速率光模块的解决方案，而硅光子集成技术中需求的大功率激光器芯片能够实现高光功率输出，弥补硅光子集成技术光传输损耗问题，但是此类激光器长期在大电流输入与高光功率输出操作下，承受相对于一般激光器更大的输入输出能耗，因此在产品的可靠性设计方面有较高的开发门槛。 公司在材料科学与产品可靠性工程的大量研发投入，已针对此类高应力操作场景进行专项开发多年，从专项开发所需的设备、软件、工艺能力、材料知识、专家人才等方面着手，完成了大功率光芯片的可靠性专项能力的提升，可用于大功率光输出激光器的可靠性需求。 13）光放大器集成芯片制造平台，光放大器集成于光芯片上，实现长距离场景、高分光比场景下的应用需求 光放大器在光通信系统链路中，能提供中继光放大的功效，用以解决系统链路中光损耗造成的光功率不足问题，将此光放大器直接集成于激光器发射端，或是集成于光接收器端，非常有利于降低链路成本，因此开发光放大器集成芯片制造平台，已成为集成芯片技术中，非常具备竞争力的技术平台，例如：现有的高速EML激光器集成光放大器后，能同时具备高速调制与大功率输出的优势。 此类技术平台开发难点在于外延能力的限制，分区集成的光芯片必须于每个区域各司其职，发光、高速调制、光放大这些功能的实现，需要有不同的分区结构与外延设计，这提升了外延与集成工艺的难度，公司已在上述分立的主动式光器件积累多年开发经验，具备相当的外延能力与工艺经验积累，逐步于近年实现光放大器集成芯片制造平台的开发。 长距离场景与高分光比场景下，都是需要大光功率的技术以减少链路上的损耗，光芯片加上了光放大器的集成能力，非常合适于应用在此类场景，由于适用面广、可降低链路成本，此技术平台已成为光芯片产品的核心竞争力之一。 14）高速激光器芯片的封装技术 高速激光器芯片的封装，不同于传统的单颗芯片封装，高速调制的芯片电路需要做信号匹配和抗干扰处理，一方面基板的设计非常重要，能有效降低反射等带来的损耗，其次，封装过程中，需要搭配多个电容、电阻等元器件，同时实现多芯片的贴装，保持一定的封装精度，在完成封装的同时，需要进行COC的老化、测试等环节，直至产出性能、可靠性均达标的成品。 公司可实现基板的自主设计开发，同时搭配先进的封装工艺设备，生产过程自动化，工艺过程可追溯，整个生产制造平台已经具备量产化经验，拥有批量交付能力。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2. 报告期内获得的研发成果 截至2024年6月30日，公司累计获得各类知识产权46项，其中发明专利17项，实用新型专利15项，商标10项，作品著作权4项。 报告期内获得的知识产权列表
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