[中报]概伦电子(688206):2024年半年度报告

时间：2024年08月30日 19:26:11 中财网

原标题:概伦电子:2024年半年度报告

公司代码：688206 公司简称：概伦电子





上海概伦电子股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”中“五、风险因素”的相关内容，请投资者注意投资风险。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人刘志宏、主管会计工作负责人但胜钊及会计机构负责人（会计主管人员）秦雯声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 6
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 9
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 38
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 40
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 42
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 67
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 71
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 72
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 73

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管 人员）签名并盖章的财务报表
	报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
概伦电子、公司	指	上海概伦电子股份有限公司，在用以描述公司资产、业务与财务情况时， 根据文义需要，亦可能包括其各分子公司
本次发行及上市	指	公司首次公开发行股票并在上海证券交易所科创板上市
概伦有限	指	上海概伦电子有限公司，系公司之前身，曾用名为济南概伦电子科技有 限公司
KLProTech	指	KLProTech H.K. Limited，公司境外持股平台
共青城明伦	指	共青城明伦投资合伙企业（有限合伙），公司股东，系员工持股平台
共青城峰伦	指	共青城峰伦投资合伙企业（有限合伙），公司股东，系员工持股平台
共青城伟伦	指	共青城伟伦投资合伙企业（有限合伙），公司股东，系员工持股平台
共青城经伦	指	共青城经伦投资合伙企业（有限合伙），公司股东，系员工持股平台
共青城毅伦	指	共青城毅伦投资合伙企业（有限合伙），公司股东，系员工持股平台
共青城智伦	指	共青城智伦投资合伙企业（有限合伙），公司股东，系员工持股平台
井冈山兴伦	指	井冈山兴伦投资合伙企业（有限合伙），公司股东，系员工持股平台
金秋投资	指	共青城金秋股权投资管理合伙企业（有限合伙），公司股东
嘉橙投资	指	共青城嘉橙股权投资合伙企业（有限合伙），公司股东
静远投资	指	井冈山静远股权投资合伙企业（有限合伙），公司股东
睿橙投资	指	共青城睿橙股权投资合伙企业（有限合伙），公司股东
国兴同赢	指	株洲市国兴同赢创业投资合伙企业（有限合伙），公司股东
博达微	指	北京博达微科技有限公司，公司全资子公司
Entasys	指	Entasys Design, Inc., 公司韩国子公司
芯智联	指	福州芯智联科技有限公司，公司全资子公司
Magwel	指	Magwel NV，公司比利时子公司
概伦信息技术	指	上海概伦信息技术有限公司，公司全资子公司
新思科技	指	Synopsys, Inc.或其有关实体
铿腾电子	指	Cadence Design Systems, Inc.或其有关实体
西门子 EDA	指	Siemens AG 旗下 Siemens EDA 部门或其有关实体，原明导资讯（Mentor Graphics Corporation）
报告期、报告期内	指	自 2024年 1月 1日起至 2024年 6月 30日止的期间
报告期末	指	2024年 6月 30日
保荐人、保荐机 构、招商证券	指	招商证券股份有限公司
会计师、德皓国际	指	北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙），曾用名北京大华国际会 计师事务所（特殊普通合伙）
招股说明书	指	《上海概伦电子股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股 说明书》
《公司章程》	指	《上海概伦电子股份有限公司章程》及其不时的修改、修订
中国台湾	指	中国台湾地区
中国、境内	指	中华人民共和国，不包含中国香港特别行政区、中国澳门特别行政区和 中国台湾地区
元、万元、亿元	指	人民币元、万元、亿元
半导体器件	指	Semiconductor Device，是利用半导体材料特殊电特性完成特定功能的电 子器件
IP	指	Semiconductor Intellectual Property，是已验证的、可重复利用的、具有某 种确定功能的集成电路模块
IDM	指	Integrated Device Manufacturer，是涵盖集成电路设计、晶圆制造、封装 及测试等各业务环节的集成电路企业
集成电路设计、芯 片设计	指	包括电路功能设计、结构设计、电路设计及仿真、版图设计、绘制和验 证，以及后续处理过程等流程的集成电路设计过程
集成电路制造、芯 片制造	指	通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的过程
工艺节点	指	Technology Node，是集成电路内电路与电路之间的距离，精度越高，同 等功能的 IC体积越小、成本越低、功耗越小，当前工艺节点已达 nm级
工艺平台	指	Technology Platform，集成电路制造方提供的一个集成的技术平台，主要 包括工艺技术，工艺设计工具包（PDK）等，帮助客户进行集成电路和 系统芯片设计
EDA、EDA工具	指	Electronic Design Automation，即电子设计自动化软件工具
设计-工艺协同优 化、DTCO	指	Design Technology Co-Optimization，一种推动集成电路设计与制造领域 的深度和高效联动的方法学
SPICE	指	Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis，即仿真电路模拟器， 是芯片工作人员使用电路组件的文本描述，用于在数学上预测该零件在 变化条件下的行为，包含模型和仿真器两部分
FinFET	指	Fin Field-Effect Transistor ，即鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金 氧半导体晶体管，一种集成电路制造工艺
FD-SOI	指	Fully Depleted-Silicon-On-Insulator，即完全耗尽型绝缘体上硅，是一种实 现平面晶体管结构的工艺技术，具有减少硅几何尺寸同时简化制造工艺 的优点
GAAFET		Gate-all-around Field Effect Transistor，即环绕栅极场效应晶体管
BSIM	指	Berkeley Short-Channel IGFET Model，即伯克利短通道 IGFET模型，是 指用于集成电路设计的 MOSFET晶体管模型系列
PDK	指	Process Design Kit，即工艺设计套件，是晶圆厂与集成电路设计企业的 沟通桥梁，包含了器件模型描述文件、设计规则文件、版图设计和工艺 验证文件、电学规则文件等能够描述制造工艺能力的信息。集成电路设 计企业通过加载晶圆厂提供的特定工艺平台的 PDK，获取电路设计所需 的必要信息和数据，开展设计工作。器件模型和参数化单元（PCell）等 基础单元信息共同组成 PDK的核心部分
存储器、存储器芯 片	指	电子系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。例如计算机中全部信息， 包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保 存在存储器中。其根据控制器指定的位置存入和取出信息
DRAM	指	Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器，是一种半导 体存储器，通常用于计算机处理器运行所需的数据或程序代码
SoC	指	System on Chip，即片上系统，是将系统关键部件集成在一块芯片上，可 以实现完整系统功能的芯片电路
HBM	指	High Bandwidth Memory，即高带宽存储器

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	上海概伦电子股份有限公司
公司的中文简称	概伦电子
公司的外文名称	PRIMARIUS TECHNOLOGIES CO., LTD.
公司的外文名称缩写	PRIMARIUS
公司的法定代表人	刘志宏
公司注册地址	中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
公司注册地址的历史变更情况	公司于2020年7月由山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软 件园大厦B座五层迁至现址
公司办公地址	中国（上海）自由贸易试验区申江路5709号、秋月路26号4幢 901室
公司办公地址的邮政编码	201306
公司网址	http://www.primarius-tech.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	不适用

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	郑芳宏	/
联系地址	中国（上海）自由贸易试验区申江路 5709号、秋月路26号4幢901室	/
电话	021-61640095	/
传真	021-61640095	/
电子信箱	[email protected]	/

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报、经济参考报
登载半年度报告的网站地址	上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）
公司半年度报告备置地点	中国（上海）自由贸易试验区申江路5709号、秋月路26号4幢 901室公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引	不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所科创板	概伦电子	688206	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用


六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减(%)
营业收入	196,042,778.23	152,371,455.22	28.66
归属于上市公司股东的净利润	-40,883,719.66	648,737.57	-6,402.04
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	-18,964,680.96	-4,046,516.98	不适用
经营活动产生的现金流量净额	-52,595,089.44	25,475,665.41	-306.45
剔除股份支付影响归属于上市公司 股东的净利润	-27,454,708.80	11,967,121.72	-329.42
剔除股份支付影响归属于上市公司 股东的扣除非经常性损益的净利润	-5,535,670.10	7,271,867.17	-176.12
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	2,010,737,333.11	2,094,705,214.65	-4.01
总资产	2,396,361,210.24	2,518,818,229.77	-4.86

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益（元／股）	-0.094	0.001	-9,500.00
稀释每股收益（元／股）	-0.094	0.001	-9,500.00
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	-0.044	-0.009	不适用
加权平均净资产收益率（%）	-2.00	0.03	减少2.03个百分 点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	-0.93	-0.19	减少0.74个百分 点
研发投入占营业收入的比例（%）	66.74	59.59	增加7.15个百分 点
研发投入合计	130,841,533.92	90,802,895.41	44.09

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
（1）2024年上半年营业收入同比增长 28.66%，主要系报告期内拓展产品线，增强产品竞争力，在手订单及新签订单持续增长，EDA授权工具和技术开发解决方案业务收入均实现增长所致。

（2）2024年上半年归属于上市公司股东的净利润同比下降 6,402.04%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比减少 1,491.82万，主要系报告期内投资交易性金融资产亏损、计提股份支付费用以及研发投入增加所致。

（3）2024年上半年剔除股份支付影响归属于上市公司股东的净利润同比下降 329.42%，剔除股份支付影响归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比下降 176.12%，主要系报告期内投资交易性金融资产亏损、销售及研发投入增加所致。

（4）2024年上半年经营活动产生的现金流量净额为-5,259.51万元，同比下降 306.45%，主要是销售商品收到的现金较去年同期减少以及员工人数增长支付工资所支出的现金增加所致。

（5）基本每股收益、稀释每股收益分别同比减少 9,500.00%、9,500.00%，扣除非经常性损益后的基本每股收益减少 0.035元/股，系净利润减少所致。

（6）研发投入较去年同期增长 44.09%，主要是研发人员数量增加导致的薪酬增加、计提股份支付费用及与研发相关的无形资产摊销增加所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减值准 备的冲销部分	116,149.45	资产处置收益
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业 务密切相关、符合国家政策规定、按照确定的标 准享有、对公司损益产生持续影响的政府补助除 外	1,088,445.86	政府补助
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务 外，非金融企业持有金融资产和金融负债产生的 公允价值变动损益以及处置金融资产和金融负债 产生的损益	-23,069,540.81	公允价值变动损失、 投资收益
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费
委托他人投资或管理资产的损益
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的各项 资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成 本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日 的当期净损益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性费 用，如安置职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益产 生的一次性影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份支 付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之后，应 付职工薪酬的公允价值变动产生的损益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产 公允价值变动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	-49,174.37	捐赠支出和滞纳金
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	4,926.06
少数股东权益影响额（税后）	-7.23
合计	-21,919,038.70

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
1. 所属行业情况
公司属于 EDA行业，EDA行业属于集成电路设计行业，为新一代信息技术领域。根据中国上市公司协会 《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》（2023年生效），公司属于“信息传输、软件和信息技术服务业”中的“软件和信息技术服务业”，行业代码“I65”；根据《国民经济行业分类》（GB/T 4754-2017），公司隶属于“软件和信息技术服务业”下的“集成电路设计”（行业代码：I6520）。

（1） 行业发展阶段
随着集成电路行业的技术迭代，先进工艺的复杂程度不断提高，下游集成电路企业设计和制造高端芯片的成本和风险急剧上升。在此背景下，EDA工具成为集成电路设计与制造环节必不可少的支撑工具。进入二十一世纪后，EDA工具快速发展，并已贯穿集成电路设计、制造、封装和测试的全部环节。受益于先进工艺的技术迭代和众多下游领域需求的强劲驱动力，全球 EDA市场规模呈现稳定上升趋势。EDA行业占整个集成电路行业市场规模的比例虽然相对较小，但其作为撬动整个集成电路行业的杠杆，以一百多亿美元的全球市场规模，支撑和影响着数千亿美元的集成电路行业，构筑了数十万亿美元的数字经济产业的根基。

EDA行业是技术高度密集的行业，工具种类较多、细分程度较高、流程复杂。且随着全球集成电路行业的发展，EDA 产品在早期积累的基础上进一步发展和演进，逐渐形成以部分关键工具为主、大量其他工具为辅的设计和制造流程，EDA 工具的数量越来越多，形成了一个高度细分、数量繁多的 EDA工具集。EDA工具集复杂程度不断提升，开发难度和市场门槛也越来越高。 全球 EDA市场目前基本处于寡头垄断、三足鼎立的格局，由新思科技、铿腾电子、西门子 EDA三家厂商主导，行业集中度较高。国内 EDA产业因为行业生态环境的发展和支撑相对滞后，领域的行业人才储备、技术演进和产业上下游的协同合作尚在前期蓄力积累阶段，目前国内 3家 EDA上市公司和诸多 EDA初创企业共同构成了本土 EDA行业的市场格局，后续将在各市场条件成熟后逐步迈向整合。

（2） 行业发展思路
目前业界普遍认为集成电路行业已进入后摩尔时代，后摩尔时代的先进工艺技术继续突破的难度激增、设计和制造复杂度和风险的大幅提升，均对 EDA公司提出了新的挑战和要求，面对当今摩尔定律的困境和集成电路行业的发展特点，全球主流 EDA技术发展形成两种思路：1）持续和领先集成电路企业合作，坚定地推动工艺节点向前演进；2）不断挖掘现有工艺节点的潜能，持续进行流程创新，缩短产品上市周期，提升产品竞争力。并利用先进封装、新型计算、人工智能、云计算等先进技术进行赋能。

国内 EDA行业发展在以上两种思路的指引下，同时应关注国内终端客户对 EDA工具的诉求，该部分诉求已经从早期的简单替代调整到产品的价值力本身，体现为更加先进、高效、可靠的 EDA 工具需求，社会和资本对企业的期待也从研发的有无突破调整为公司的健康独立发展，体现为持续且规模化的营收增长要求。当前本土 EDA企业数量的扩张速度已经放缓，有足够技术实力、能实现产品落地、能做产业生态并有强大整合能力的公司会加速做大做强的发展进程，通过资源集中、人才集中、资本集中，从而真正实现由点到面的突破，成为具有全球竞争力的行业领军企业。

2. 主营业务情况
公司的主营业务为向客户提供被全球领先集成电路设计和制造企业长期广泛验证和使用的EDA全流程解决方案，主要产品及服务包括制造类 EDA、设计类 EDA、半导体器件特性测试系统和技术开发解决方案等，对应的细分产品和服务达四十余项，可支持模拟电路、存储电路、射频电路、平板显示电路、数字电路的设计和制造，被广泛应用于数据处理、汽车电子、消费电子、物联网、工业、计算机及周边等产业中。

（1） 制造类EDA
立足于行业领先的器件建模核心技术和先进方法学，公司制造类 EDA产品线历经十余年不 断选代和创新，形成了业界最为完整、成熟的 Design Enablement（设计实现）EDA综合解决方案， 涵盖从测试芯片设计、器件电性测试、SPICE建模、PDK开发到标准单元库开发各阶段的十多款 EDA产品，已被全球前十大晶圆代工厂和业界头部设计企业广泛应用于工艺平台研发、COT流程 开发定制，和新材料、新器件、新工艺研发。 Design Enablement流程开发周期通常长达数月之久，是加快 DTCO（设计制造协同优化）流 程效率的瓶颈，我们通过将自动化、并行加速、云计算等先进方法学与 EDA产品技术相结合，帮 助客户显著提高生产效率，将开发周期从数月缩短至数周，助力芯片制造与设计更高效地协同优 化，提升芯片产品 YPPA（指芯片 Yield良率、Performance性能、Power功耗、Area尺寸四大核 心指标）。 （2） 设计类EDA
公司设计类 EDA基于行业领先的 SPICE和 FastSPICE电路仿真核心技术，产品线包括电路仿真分析、标准单元库优化、定制电路设计和数字电路与 SoC设计。通过深入了解客户需求和市场趋势，不断提升现有产品的性能和功能，提高整体效率和可靠性，同时致力于新产品研发和发布，以填补市场空白、拓展产品线，满足不断涌现的新需求。

公司设计类产品全面覆盖存储器、人工智能、高性能计算和汽车电子等领域，广泛应用于设计公司全定制电路设计、SoC芯片开发，IDM与晶圆厂设计流程搭建，和科研院所芯片设计研发，为客户提供领先的芯片设计 EDA解决方案。

（3） 半导体器件特性测试系统 公司半导体器件特性测试系统凭借其卓越的性能和稳定的质量，与 EDA产品软硬件协同，全 面覆盖半导体器件电学特性测试、噪声特性测试、晶圆级电学参数测试和可靠性测试等领域，广 泛应用于 IDM与晶圆厂工艺平台研发，芯片设计公司 COT流程开发和定制，和新材料、新器件 及工艺研发，实现从科研到量产全覆盖，为客户提供差异化和具有更高价值的数据驱动解决方案。 （4）技术开发解决方案 公司以业界领先的晶圆测试实验室和超大规模的 EDA计算中心为依托，结合自有的 EDA全 流程产品和先进的测试解决方案，凭借十余年服务全球领先设计和制造企业积累的丰富经验和技 术能力，为客户提供专业的一站式技术开发解决方案，已广泛应用于 IDM/晶圆厂工艺平台研发， 芯片设计公司 COT流程开发和定制。 为应对日新月异的技术演进和行业发展，公司还积极布局新材料及器件的创新应用解决方案， 全面覆盖高压/超高压功率半导体、第三代化合物半导体、超导量子、超低温 MOS等领域，为推 动半导体工艺研发和芯片设计进程贡献自己的力量。 报告期内，公司主营业务情况未发生重大变化。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）核心技术情况
① 制造类 EDA技术
制造类 EDA技术基本情况如下表：

核心技术 名称	核心技术简介	在产品或服务中的应用和 贡献情况
高效全面建模 及验证平台技 术	通过内建的模型分析、数据分析、图形化展 示、优化算法、仿真计算等功能，建立模型 参数提取和验证的流程	主要用于 BSIMProPlus中，在半导 体元器件与标准单元电路等需要 SPICE模型建模的应用场景进行建 模和验证
核心技术 名称	核心技术简介	在产品或服务中的应用和 贡献情况
一站式基带及 射频模型提取 及验证技术	集成数据分析、模型仿真、规则检查、图形 化展示等功能，支持从基带到射频的模型参 数提取及验证	主要用于 MeQLab中，在半导体元 器件与标准单元电路等需要 SPICE 模型建模的应用场景进行模型提取 和验证
目标驱动的模 型提取技术	通过智能目标选取、参数控制和实时目标规 格匹配控制等功能，利用先进的优化算法和 计算机多核并行以及分布式加速技术，实现 目标导向的快速模型自动提取	主要用于 SDEP中，实现可复用、高 质量的自动参数提取，在确保模型 质量的前提下，最大程度缩短模型 提取时间
模型、工艺及电 路的验证评估 技术	以 SPICE模型库作为输入，对半导体器件 模型进行仿真分析和验证、对工艺平台性能 进行评估	主要用于 ME-Pro中，进行模型质量 验证和多个工艺平台及版本之间的 比较
PDK自动化验 证技术	自动提取 PDK中 PCell的关键信息并创建 用于验证所需的测试图形，在维持验证高覆 盖率的前提下，加快 PDK验证的速度，确 保 PDK输出的合理性	主要用于 PQLab中，帮助 PDK开 发和使用者快速、高效的完成验证 工作，确保 PDK的质量
PCell自动生成 技术	将 PCell按其器件类型，结构和工艺层等抽 象成不同的模板，包括 CDF参数模板，版 图模板等等。用户无需编程以创建 PCell， 只需要在表格中填写关键的参数和工艺信 息即可自动生成 PCell代码	降低晶圆厂开发 PCell的技术门槛， 并显著提高 PCell的开发速度；模板 的应用，也能更好的保障 PCell的质 量
标准单元库特 征化技术	自动、完整地识别提取信号路径、电路功能； 先进的并行计算架构，实现高吞吐强容错的 大规模并行计算	减少手工配置，方便使用；提高提取 的精度与完备性；提升运行速度与 稳定性
面向可制造性 设计（DFM）的 版图大数据平 台技术	内置版图大数据算法，基于大规模版图数据 库架构，完成一站式热点图形的收集和分析	主要用于 DFM平台前期数据收集， 提高版图修正后检查的质量和效 率，从而提高版图设计和修正的稳 定性

② 设计类 EDA技术
设计类 EDA技术基本情况如下表：

核心技术名称	核心技术简介	在产品或服务中的应用和 贡献情况
高精度快速并 行仿真技术	通过先进的器件模型计算和大规模线性矩 阵求解算法，利用先进的计算机多核运算硬 件资源进行并行计算，加速电路仿真	主要用于 NanoSpice中，在中小规 模的模拟电路及数字电路等高精度 电路仿真应用场景进行电路仿真
分块并行仿真 技术	利用电路中不同模块相对独立且非同步运 行的特点进行分块仿真，利用先进的计算机 多核运算硬件资源进行并行计算，加速电路 仿真	主要用于 NanoSpice Giga中，在大 规模存储器电路、模拟电路及关键 数字电路模块等速度要求较快、较 高精度的电路仿真应用场景进行电 路仿真
自适应双解算 器仿真技术	利用电路模块精度差异动态调整仿真速率， 通过智能电路拓扑识别自动划分最优解算 器，加速电路仿真	主要用于 NanoSpice Pro中，在超大 规模存储器电路、模拟电路、关键数 字电路模块及混合信号电路等速度 要求更高、中高精度的电路仿真应 用场景进行电路仿真
电路设计输入 技术	良好的图形交互能力，易用性好的电路图编 辑，完备的仿真器接口，灵活的脚本语言， 功能强大的波形查看器，以及设计规则检查 能力构成了完整的原理图设计流程	对于定制电路和模拟电路设计提供 了良好支持。借助脚本语言，用户可 以实现在工具基础上的二次开发， 更好支持用户自有设计流程
核心技术名称	核心技术简介	在产品或服务中的应用和 贡献情况
电路版图编辑 技术	良好的图形交互能力，灵活的版图定制能 力，便捷的操作，以及和电路图编辑工具的 通讯实现了原理图驱动版图的设计模式。集 成化的接口满足物理验证的要求。不同工具 的交互也对数据接口提出了很高的要求	对于模拟电路版图设计，功率电子 电路版图设计和平板显示设计提供 了有力支撑，通过 PDK实现了版图 驱动原理图设计流程
数字仿真编译 优化技术	对基于硬件描述语言的测试用例在不同层 次上进行优化，利用多种仿真优化技术和计 算资源硬件架构，减少编译后的仿真任务和 计算量，加速仿真验证	主要用于 VeriSim中，适用于各种 仿真验证应用场景中，能够大量减 少仿真时间
快速静电防护 设计分析及仿 真技术	通过模拟 ESD事件并使用 TLP测试数据拟 合 ESD单元模型进行仿真，去确定模拟集 成电路及混合信号芯片电路图和版图 ESD 问题详细情况	主要应用于分析模拟集成电路和数 模混合芯片设计中的 ESD防护问题
网格生成器和 3D场求解技术	结合专有的基于边的三维网格生成技术和 64位数值求解器，通过计算金属、多晶互连 和过孔的非均匀电流分布，并通过仿真键合 线，精确提取大功率晶体管阵列的 Rdson。 通过仿真功率器件版图分析电流密度和电 迁移，确保可靠性	主要应用于 PTM中，分析功率器件 可靠性问题，为用户提供交叉关联 分析报告与温度场视图

③ 半导体器件特性测试技术
半导体器件特性测试技术基本情况如下表：

核心技术 名称	核心技术简介	在产品或服务中的应用和 贡献情况
低频噪声滤波 放大技术	采用动态滤波电路对偏置供电回路进行滤 波，通过动态负载矩阵对偏置供电回路进行 动态调制，通过采集器对信号进行采集放大 输出，从而获得高精度的低频噪声信号	主要应用于 9812DX、 9812E、 M9800、9813DXC和 NoiseProPlus 中，对半导体器件和电路进行低频 噪声信号的测量和分析
直流 IV测试精 度和速度提升 技术	优化直流 IV测试的测试时序，从而在保证 精度的前提下节省测试时间，在相同测试时 间下提高测试精度	应用于 FS-Pro，进行直流 IV测量和 分析；应用于工程服务测试，大幅提 高测试产能。
超短脉冲电流 电压测试技术	高速跨阻放大的专利拓扑结构，实现 100ns 级脉冲测试，可显著降低因为电压施加时间 过长引起的器件的特性变化导致的量化评 估不准确	应用于 FS-Pro中高速波形发生与测 量套件中，实现了最小 130ns脉冲 宽度的超快脉冲 IV测试能力，进一 步拓展了 FS-Pro测试能力范围
低漏电矩阵开 关技术	采用超高阻抗组成的拓扑结构，显著降低系 统漏电水平和弛豫效应。提升设备对小电流 高速测试的支持	应用于自动测试解决方案，实现了 基于 bench模式的 WAT测试完整 解决方案和模型测试方案
MEMS结构动 态参数测试技 术	研发了自主专利的时间衰减法技术，提高了 对于 MEMS器件的高精度 Q值及谐振频率 的测试效率	应用于 FS-MEMS传感微结构参数 测试仪产品，实现了静态和动态参 数测试一体化解决方案，提升了量 产测试效率
高精度源测量 单元技术	研发了一款测试量程在 200V，1A，测试分 辨率可达 0.1fA的高精度源测量单元以及完 整的数据总线架构	将应用于新一代半导体参数分析设 备，且相关技术可下放到消费端桌 面源表产品

通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。上述核心技术均为公司开展主营业务的基础，与主要产品及服务相对应，包括制造类 EDA工具、设计类 EDA工具和半导体器件特性测试系统等。公司技术开发解决方案业务也是基于公司自身 EDA全流程产品和专业测试系统，结合十余年服务全球领先设计和制造企业积累的丰富经验和技术能力，为客户提供专业完整的设计实现（Design Enablement）软件开发解决方案，该业务亦是基于核心技术开展。

（2）核心技术的先进性及其变化情况
① 公司核心产品获客户信赖
EDA作为集成电路行业的重要支撑，虽在集成电路企业采购总额中占比相对较小，却支撑着整个设计和制造流程并直接影响着产品性能和量产良率。当今芯片功能和性能要求越来越高，集成电路的规模和复杂性日益增加，设计和制造成本攀升，因工艺水平和设计失误而导致的制造失败可能性也大幅提升。集成电路终端应用市场的竞争极为激烈，产品上市时间和窗口极为关键，产品无法按时上市将给企业带来重大损失。

极高的时间成本和资金风险使得集成电路企业对 EDA工具的依赖程度不断加深，在选择EDA工具及其供应商时也极为谨慎，重点关注相关工具能否在关键环节提供更高的技术及商业价值，对功能、性能和精准度等方面亦提出了更严苛的标准和要求。该等企业在进行规模化采购前，往往基于对行业发展和技术需求的认知，对 EDA工具及其供应商在技术、产品、服务及持续发展能力等多维度进行较长时间的审慎评估，以确保相关工具能长期、有效且可靠地在大规模量产中采用。因此，全球领先集成电路企业认可和量产采用情况，可以充分体现 EDA公司技术水平特点及其先进性。

公司主要客户遍及全球领先的晶圆代工厂、存储器厂商和国内外知名集成电路企业。公司主要产品和服务在上述企业设计和制造的过程中使用，其设计或制造出的集成电路产品被广泛应用于数据处理、汽车电子、消费电子、物联网、工业、计算机及周边等产业中，实现科技成果与广泛下游终端应用的深度融合。

② 公司核心技术关键指标国际领先
公司的核心制造类 EDA工具在国际市场具有技术领先性，能够支持 7nm/5nm/3nm等先进工艺节点和 FinFET、FD-SOI、GAAFET等各类半导体工艺路线。该等工具长期被全球领先的晶圆厂在各种工艺平台上采用，在其相关标准制造流程中占据重要地位。该等工具生成的器件模型通过上述国际领先的晶圆厂提供给其全球范围内的集成电路设计方客户使用，其全面性、精度和质量已得到业界的长期验证和广泛认可。

公司的核心设计类 EDA工具拥有技术领先性和国际竞争力，能够支持 7nm/5nm/3nm等先进工艺节点和 FinFET、FD-SOI等各类半导体工艺路线，对数字、模拟、存储器等各类集成电路进行晶体管级的高精度快速电路仿真，已被国际领先的半导体厂商大规模采用。公司的部分设计EDA工具也可以支持客户在 HBM工艺方面的有关研发工作。

公司的半导体器件特性测试系统设备适用于从成熟工艺到 28/14/10/5/3nm等各工艺节点：FS-Pro?系列一体化半导体参数分析仪是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析测试系统，广泛应用于各种半导体器件、LED材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试、器件可靠性等研究领域；公司的 981X系列低频噪声测试系统是低频噪声测试领域的黄金标准工具，可用于各工艺节点的先进工艺研发、IC设计和学术研究中，已被绝大多数国际领先的半导体厂商用于其标准流程中，其测试精度、可靠性和产品质量已得到业界的长期验证和广泛认可。

综上，公司的重点客户在所属领域具有技术代表性和先进性，这些客户对服务商的选择极为慎重、严苛，他们与公司的合作在业内产生了较强的示范效应。综合公司产品在全球头部客户多年量产应用、核心技术关键指标对比及核心技术的科研实力和成果情况，公司的核心技术具有先进性。

报告期内，公司核心技术先进性未发生变化。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
上海概伦电子股份有限公司	国家级专精特新“小巨人”企业	2022	不适用

公司被认定为国家级“第四批专精特新‘小巨人’企业”，有效期为 2022年 7月 1日至2025年 6月 30日。

2. 报告期内获得的研发成果
核心技术的创新研发和成果转化是公司持续保持国际竞争力的关键基础和驱动。围绕工艺与设计协同优化进行技术和产品的战略布局，公司持续对核心技术进行研发、演进和拓展，在器件建模和电路仿真两个领域的技术上已率先突破，产品进入多家国际领先的集成电路设计及制造企业，并持续布局其他关键的核心 EDA技术攻关和产品研发，目前已培育出标准单元库等同样具备先进性的 EDA产品，正在加速推进具备国际市场竞争力的 EDA全流程建设。目前公司已经拥有制造类 EDA技术、设计类 EDA技术、半导体器件特性测试技术三大类核心技术及其对应的 40余项细分产品和服务。截至报告期末，围绕核心技术，公司已在全球范围内拥有 29项发明专利、87项软件著作权，合计 119项有效知识产权，并有超过 100项已申请待批复的专利或软件著作权，储备了丰富的技术秘密。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	3	0	134	29
实用新型专利	0	0	3	2
外观设计专利	0	0	1	1
软件著作权	1	7	88	87
国际专利（注）	0	0	6	0
合计	4	7	232	119

注：国际专利，指通过 PCT（Patent Cooperation Treaty）方式申请的国际专利，即通过专利 合作协定途径及巴黎公约途径申请国际专利的情形。


3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	124,658,773.76	90,802,895.41	37.29
资本化研发投入	6,182,760.16	-	不适用
研发投入合计	130,841,533.92	90,802,895.41	44.09
研发投入总额占营业收入 比例（%）	66.74	59.59	增加 7.15个百分点
研发投入资本化的比重（%）	4.73	-	增加 4.73个百分点

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
2024年上半年研发投入总额为 13,084.15万元，较 2023 年同比增长 44.09%。主要是随着现有产品升级及新产品开发，研发人员增加、对研发人员的股权激励导致研发人员薪酬增加以及购置研发相关无形资产摊销费用增长所致。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
√适用 □不适用
标准单元库建库工具于 2020年立项开始研发，于 2023年三季度通过设计制造工艺制程的验证，开始资本化。该项目技术可行性明确，产生经济利益的方式明确，公司有足够资源支持完成项目的开发，并有能力对外出售，该项目预计能为公司带来经济利益。公司已建立完善的研发项目管理制度归集项目产生的费用，故该项目的研发支出资本化计入开发支出。

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名称	预计总投 资规模	本期投 入金额	累计投入 金额	进 展 或 阶 段 性 成 果	拟达到目标	技 术 水 平	具体应 用前景
1	建模和验证工 具 MeQLab和 MeQLab RF 的开发和增强	2,373.58	195.65	2,117.80	研 发 阶 段	①建立一站式 基带及射频模 型提取及验证 综合技术平台	行 业 先 进	晶圆厂 用于较 高工作 频率下
						②增强小信号 测量、大信号 仿真验证等功 能	水 平	射频芯 片的各 类工艺 平台器 件建模
2	PDK验证和 PCell产生工具 的开发和增强	6,114.15	336.48	2,978.24	研 发 阶 段	①增加 PQlab 对 PDK质量验 证维度，提高 QA效率②开发 PCell生成工具	行 业 先 进 水 平	晶圆厂 用于快 速生成 PDK中 的 Pcell 库；集 成电路 企业用 于快速 分析和 验证 PDK， 并比较 各类工 艺平台 的 PDK 特点和 性能
3	并行仿真器 NanoSpice功 能增强与性能 提升	14,554.31	1,189.86	11,446.12	研 发 阶 段	①提升 NanoSpice后仿 电路仿真性能 1.5倍以上②功 能增强，增加 对高良率仿真 及射频仿真的 支持	行 业 先 进 水 平	应用于 中小规 模的模 拟电路 及数字 电路等 高精度 要求的 电路仿 真
4	DTCO关键技 术	21,567.60	792.51	7,968.48	研 发 阶 段	①建立 DTCO 基础应用平 台，提高现有 流程效率②提 升 SDEP运行效 率，增强所有 相关功能以更 好支持新的模 型种类③增加 SDEP的灵活 性，同时降低 流程开发的复 杂度	行 业 先 进 水 平	能够大 幅度提 高晶圆 厂建模 平台的 自动化 程度和 建模效 率，大 幅缩短 工艺和 设计之 间的迭 代周 期，提 升 DTCO
								效率
5	公共模块和研 发管理平台	2,861.18	236.31	2,486.03	研 发 阶 段	①提升 EDA工 具开发环境的 易用与可靠性 ②提升服务器 集群的硬件资 源利用率③升 级研发流程管 理系统④支持 新的模型标准 或版本⑤其他 公共模块和引 擎的开发，新 产品预研	行 业 先 进 水 平	能够有 力提升 EDA工 具开发 环境的 可靠 性，提 升产品 研发效 率
6	MS01-MS1.0 开发	10,432.93	598.56	1,780.11	研 发 阶 段	①研发新一代 模型参数提取 平台 ②实现高 效，易用，灵 活的自动化参 数提取	行 业 先 进 水 平	晶圆厂 用于中 低工作 频率下 基带芯 片的各 类工艺 平台器 件建模
7	Nano Designer	8,946.79	1,471.54	5,687.64	研 发 阶 段	①支持 OA和其 他 database②支 持用户开发接 口③集成各类 电路分析功能 ④支持先进工 艺节点的电路 设计和版图设 计	行 业 先 进 水 平	为客户 提供一 个灵 活、可 扩展的 存储和 模拟 / 混合信 号 IC 设计平 台，支 持原理 图设 计、智 能化版 图编 辑、交 互式物 理验证 以及电 路设计 优化。
8	标准单元库建 库工具的开发 2.0	2,831.94	618.68	2,775.33	研 发 阶 段	①研发一款标 准单元特征提 取工具，支持 平面工艺与 FinFET工艺，	行 业 先 进 水	晶圆厂 用于标 准单元 库设计 与制造
						以及所有主流 的模型与单元 类型②对标业 界领先的竞品	平	/芯片 设计公 司用于 标准单 元库特 征重新 提取
9	FSP03-基于 PIV模块的系 统集成项目	1,324.22	150.87	1,262.71	研 发 阶 段	①支持 4通道 PIV模块，每通 道符合硬件指 标②完成相关 可靠性测试功 能，测试流程 符合 JEDEC标 准③集成快速 寿命评估技术 ④集成快速 RTN测试技术	行 业 先 进 水 平	可应用 于先进 工艺节 点下百 纳秒级 快速可 靠性测 试，搭 建完整 的晶圆 级可靠 性测试 系统
10	针对存储器电 路快速仿真器 的开发	6,681.22	989.60	2,695.68	研 发 阶 段	①增强对 Characterization 特征提取的仿 真功能 ②提升 DRAM/FLASH 仿真性能 1.5 倍以上	行 业 先 进 水 平	应用于 大规模 及超大 规模存 储器电 路、模 拟电 路、关 键数字 电路模 块及混 合信号 电路等 更快速 度、中 高精度 要求的 电路仿 真
11	NavisPro	1,004.36	142.75	812.28	研 发 阶 段	①引脚约束管 理 ②高级总线 建模 ③Block placement 分析 数据库迁移到 内部数据库	行 业 先 进 水 平	RTL(寄 存器传 输级) 布局规 划
12	LibWiz	497.48	90.77	491.84	研 发 阶 段	①Liberty validation ② Liberty viewer ③Liberty comparison ④	行 业 先 进 水	标准单 元库验 证
						Liberty analysis	平
合 计	/	79,189.76	6,813.58	42,502.26	/	/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	381	268
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	70.69	64.89
研发人员薪酬合计	9,198.85	5,957.12
研发人员平均薪酬	24.14	22.23

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士研究生	37	9.71
硕士研究生	253	66.41
本科	90	23.62
专科	1	0.26
高中及以下	0	0.00
合计	381	100
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
30岁以下（不含 30岁）	161	42.26
30-40岁（含 30岁，不含 40岁）	130	34.12
40-50岁（含 40岁，不含 50岁）	60	15.75
50-60岁（含 50岁，不含 60岁）	20	5.25
60岁及以上	10	2.62
合计	381	100

（未完）