[中报]锴威特(688693):苏州锴威特半导体股份有限公司2024年半年度报告

时间:2024年08月30日 19:35:57 中财网

原标题:锴威特:苏州锴威特半导体股份有限公司2024年半年度报告

公司代码:688693 公司简称:锴威特 苏州锴威特半导体股份有限公司 2024年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
公司已在本半年度报告中描述可能存在的风险,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分的相关内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人罗寅、主管会计工作负责人刘娟娟及会计机构负责人(会计主管人员)刘娟娟声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2024年半年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润,利润分配预案如下:公司拟向全体股东每10股派发现金红利1元(含税)。截至2024年06月30日,公司总股本73,684,211股,以此计算合计拟派发现金红利7,368,421.10元(含税)。

在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动的,拟维持每股分配比例不变,相应调整分配总额,并将另行公告具体调整情况。

公司2024年半年度利润分配预案已经公司第二届董事会第十五次会议及第二届监事会第十次会议审议通过,尚需提交公司股东大会审议。


七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告涉及未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质性承诺,敬请投资者关注投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 8
第三节 管理层讨论与分析 ............................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 31
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 33
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 35
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 73
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 78
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 78
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 79



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报表。
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。



第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
锴威特、公司、本公 司苏州锴威特半导体股份有限公司
港晨芯苏州港晨芯企业管理合伙企业(有限合伙)
大唐汇金大唐汇金(苏州)产业投资基金合伙企业(有限合伙)
港鹰实业张家港市港鹰实业有限公司
金茂创投张家港市金茂创业投资有限公司
甘化科工广东甘化科工股份有限公司,深圳证券交易所上市公司,股票代 码 000576
国经众明无锡国经众明投资企业(有限合伙)
招港共赢张家港市招港共赢企业管理合伙企业(有限合伙)
新工邦盛江苏疌泉新工邦盛创业投资基金合伙企业(有限合伙)
邦盛聚泓徐州邦盛聚泓股权投资合伙企业(有限合伙)
邦盛聚源南京邦盛聚源创业投资合伙企业(有限合伙)
禾望投资深圳市禾望投资有限公司,系深圳市禾望电气股份有限公司(上 海证券交易所上市公司,股票代码 603063)全资子公司
悦丰金创张家港市悦丰金创投资有限公司
创芯投资苏州创芯投资有限公司,公司全资子公司
西安锴威西安锴威半导体有限公司,公司全资子公司
陆巡科技深圳陆巡科技有限公司,公司参股子公司
报告期、本报告期2024年 01月 01日至 2024年 06月 30日
上年同期、2023年 同期2023年 01月 01日至 2023年 06月 30日
报告期初2024年 01月 01日
报告期末2024年 06月 30日
半导体常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材 料有硅、锗、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料 中,在商业应用上最具有影响力的一种
IC、集成电路、芯片一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺,把一个 电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一 起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装 在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构
分立器件、半导体分 立器件半导体分立器件。与集成电路相对的,采用特殊的半导体制备工 艺,实现特定单一功能的半导体器件,且该功能往往无法在集成 电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件 主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等
功率器件、半导体功 率器件又称电力电子功率器件,主要用于电力设备的电能变换和电路控 制,是进行电能(功率)处理的核心器件,弱电控制和强电运行 间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分
二极管全称为半导体二极管,是一种具有正向导通、反向截止功能特性 的半导体分立器件
三极管全称为半导体三极管,包括双极晶体管、场效应晶体管等
MOSFET、功率 MOSFET或 MOSMOS管,是金属( Metal) —氧化物( Oxid) —半导体 (Semiconductor)场效应晶体管,属于电压控制型器件
平面 MOSFET以平面工艺为技术路线的 MOSFET产品
SOISilicon-On-Insulator,绝缘体上硅,该技术是在顶层硅和背衬底之
  间引入了一层埋氧化层,SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点: 可以实现集成电路中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅 CMOS 电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路具有寄生 电容小、集成密度高、速度快、漏电小等优势
BCD工艺一种结合了 BJT、CMOS和 DMOS的单片 IC制造工艺
沟槽型 MOSFETMOSFET栅极结构通过沟槽工艺制备,具有高元胞密度、低导通 损耗等特点
超结 MOSFET基于电荷平衡技术理论,在传统的功率 MOSFET中加入 p-n柱相 互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构,具有工作频率 高、导通损耗小、开关损耗低、芯片面积小等特点
IPIntellectual Property的缩写,即知识产权
IP核知识产权模块,在芯片设计中指可重复使用的具有成熟设计的功 能模块
FRMOS、集成快恢 复 高 压 功 率 MOSFET在平面 MOSFET中集成快恢复功率二极管的一种功率器件,可大 幅改善器件的反向恢复时间、反向恢复电荷等参数特性,属于平 面 MOSFET的一种细分产品
PWMPulse Width Modulation,脉宽调制,是一种模拟控制方式,根据相 应载荷的变化来调制晶体管基极或 MOS管栅极的偏置,来实现晶 体管或 MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的改 变
AC-DC将交流电转换成直流电的一种技术和方法
LLC谐振电路(Resonant Converters),由开关网络(全桥或半桥)、 电感(以字母 L表示)、电容(以字母 C表示)等元器件构成, LLC由于实现了软开关,有效降低了开关损耗,提高了电源效 率,适用于高频、高功率密度设计
DC-DC直流变换器,可将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压
GDS文件指 Graphic Data System格式的文件,半导体芯片设计中一般指用于 芯片流片的工业标准数据文件,其中记录了芯片的各图层、图层 内的平面几何形状、文本标签等用于制作光掩膜版的文件数据
功率模块、模块将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一 起,形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功 率控制能力强,往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。
流片像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片
IDM指垂直一体化模式,半导体行业中从芯片设计、加工制造、封装 测试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司
Fabless无晶圆生产的经营模式,指企业只从事芯片设计研发和销售,而 将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成
封装将芯片转配为最终产品的过程,即把晶圆上的半导体集成电路, 用导线及各种连接方式,加工成含外壳和管脚的可使用的芯片成 品,起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用
测试集成电路晶圆测试及成品测试
SiC碳化硅,是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度 大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质,特别 适用于高压、大功率半导体功率器件领域
GaN氮化镓,是第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有禁带宽度 大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等 性质
晶圆在硅片上加工电路结构后形成的产品
开关利用半导体分立器件模拟机械开关,起导通和截止的作用
稳压利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程
光刻一种利用光照、感光剂(光刻胶)、掩膜版(其上有设计好的图 形)配合的复印技术,可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上
中国证监会中国证券监督管理委员会
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《苏州锴威特半导体股份有限公司章程》
元、万元人民币元、人民币万元
注:本报告中若出现总数与各分项数值之和尾数不符的情况,均为四舍五入原因造成。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称苏州锴威特半导体股份有限公司
公司的中文简称锴威特
公司的外文名称Suzhou Convert Semiconductor CO., LTD.
公司的外文名称缩写CONVERTSEMI
公司的法定代表人罗寅
公司注册地址张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室
公司注册地址的历史变更情况1、2015年1月,公司成立时注册地址为:张家港经济 开发区(高新技术创业服务中心B幢511号); 2、2018年3月,公司地址变更为:张家港市杨舍镇沙 洲湖科创园A1幢9层; 3、2022年9月,公司地址变更为现注册地址。
公司办公地址张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室
公司办公地址的邮政编码215600
公司网址www.convertsemi.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用

二、 联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名严泓王勇
联系地址张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创 园B2幢01室张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园 B2幢01室
电话0512-589799500512-58979950
传真//
电子信箱[email protected][email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称上海证券报(www.cnstock.com) 中国证券报(www.cs.com.cn) 证券时报(www.stcn.com) 证券日报(www.zqrb.cn)
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司证券部
报告期内变更情况查询索引不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板锴威特688693不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入57,630,652.33133,287,340.72-56.76
归属于上市公司股东的净利润-28,076,548.4129,317,591.15-195.77
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润-34,789,378.7825,515,202.53-236.35
经营活动产生的现金流量净额-22,330,727.26-1,138,353.59不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产981,715,217.891,022,318,082.17-3.97
总资产1,030,518,721.441,066,314,809.40-3.36

(二) 主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)-0.38100.5305-171.82
稀释每股收益(元/股)-0.38100.5305-171.82
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)-0.47210.46-202.63
加权平均净资产收益率(%)-2.788.27减少11.05个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)-3.457.20减少10.65个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)43.3513.05增加30.29个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、公司营业收入大幅变动的主要原因系行业竞争加剧,市场拓展不及预期。

2、归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润大幅变动的主要原因系营业收入下滑、费用增加以及库存减值计提所致。

3、基本每股收益、稀释每股收益以及扣除非经常性损益后的基本每股收益大幅变动的主要原因系本期归属于上市公司股东的净利润减少所致。

4、研发投入占营业收入的比例大幅变动的主要原因系研发投入增加及营业收入下滑所致。

5、经营活动产生的现金流量净额大幅变动的主要原因系营业收入下滑导致销售回款减少及经营性支出增加所致。


七、 境内外会计准则下会计数据差异

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如 适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减值准备的冲销部分  
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切相关、符 合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损益产生持续影 响的政府补助除外4,376,616.77 
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外,非金融企业 持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益以及处置金融 资产和金融负债产生的损益3,520,099.72 
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费  
委托他人投资或管理资产的损益  
对外委托贷款取得的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的各项资产损失  
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益  
非货币性资产交换损益  
债务重组损益  
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性费用,如安置职工 的支出等  
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益产生的一次性影响  
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份支付费用  
对于现金结算的股份支付,在可行权日之后,应付职工薪酬的公 允价值变动产生的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产 生的损益  
交易价格显失公允的交易产生的收益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出731.00 
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额1,184,617.12 
少数股东权益影响额(税后)  
合计6,712,830.37 

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一) 所属行业情况
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。根据《中华人民共和国国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。

公司所处的功率半导体行业属于半导体产业链中的重要组成部分,强调芯片设计与制造工艺的结合,研发设计需要深厚的工艺经验、实践积累,需要具有丰富研发实力的人员在相关领域长年深耕。近年来,在强化国家战略科技力量、推动低碳绿色发展、加速新质生产力的背景下,功率半导体产业已经成为国民经济先导性、战略性、支柱性产业。美、日、欧龙头公司如英飞凌、意法半导体、安森美等凭借着先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累,处于行业领先地位。国内功率半导体厂商在芯片设计或制造工艺方面亦积累较为深厚的技术,在国内市场已形成一定品牌效应和规模效应,市场份额稳步提升,但受到企业规模及技术水平的制约,在高端功率半导体产品领域尚未形成整体的规模效应,在技术能力、经验和客户积累上同国外企业尚存在一定差距。因此,中国功率半导体的进口量和进口占比仍然较大,尤其是用于工业控制及高可靠领域的高性能产品,国产化替代空间较大。

公司通过自主创新和技术沉淀,已同时具备功率器件和功率 IC的设计、研发能力。公司具备坚实理论基础,掌握了功率半导体芯片的前端设计技术,凭借专利技术和工艺诀窍(Know-how)的积累和丰富的行业经验,自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台。公司产品性能表现及质量的稳定性和一致性受到各类客户的广泛认可,业已成为高品质功率器件及智能功率IC的国内优质供应商之一。

(二) 主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,可实现电源开关和电能转换的功能,实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,始终围绕功率半导体产品不断进行业务开拓和持续创新,主要产品包含功率器件及功率 IC两大类。在功率器件方面,公司产品以高压平面 MOSFET为主,并在平面 MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率 MOSFET(FRMOS)系列产品。在第三代半导体方面,公司的 SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段;在功率 IC方面,公司产品系列主要包括 PWM控制IC和栅极驱动 IC。

(三) 主要经营模式
公司为采用 Fabless经营模式的芯片设计企业,将晶圆制造和封测环节委外,晶圆代工厂根据公司提供的产品设计版图、工艺制程要求完成晶圆的加工制造,经公司验收后,公司再根据市场需求对其进行委外封装和测试。通过将制造、封装、测试环节委外,公司集中力量于功率半导体芯片设计、可靠性考核及产品销售环节,专注于自身所擅长的领域,提升核心竞争力;同时Fabless经营模式较 IDM经营模式更为灵活,公司可快速根据市场变化进行产品结构调整。

1、研发模式
公司制定了系统的研发管理制度和版图设计流程规范,包括《产品设计开发控制程序》《版图设计管理规定》《产品验证管理规定》《工程封装管理规定》等,对研发过程中各个环节进行了规范,保证设计研发产出符合公司要求规定,从而提升研发产出效率和成功率。研发流程主要包括论证阶段、设计阶段、工程试制阶段和定型阶段。

2、采购模式
公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务。公司自主设计研发相关产品,再委托晶圆代工厂商生产并向其采购。晶圆采购根据公司是否提供原材料外延片分为直接委外和带料委外两种采购形式:对于直接委外,晶圆代工厂自行采购外延片并根据公司设计版图(公司设计版图的具体载体为 GDS文件或掩膜版)及工艺要求制造出公司所需晶圆,向公司销售加工后晶圆;对于带料委外,由公司提供外延片,晶圆代工厂仅负责晶圆制造,根据公司提供的设计版图及工艺要求制造出公司所需晶圆,并向公司收取加工费。两种模式所采购晶圆均为公司自主设计研发。对于加工后晶圆,晶圆代工厂具备中测条件的,公司会直接采购中测后晶圆,如晶圆代工厂不具备中测条件,公司采购加工好的晶圆后,再另行委外中测,中测完成后入库。

公司制定了《采购控制程序》,对晶圆、外延片、封装、包辅料等采购流程制定了严格规定并遵照执行。公司还制定了《供应商开发和管理程序》《wafer委外加工管理规定》《CP委外加工管理规定》《封装委外加工管理规定》等规定,对各类外协采购进行严格管理和控制,保证外协采购内容满足公司要求。

3、销售模式
公司采取直销为主、经销为辅的销售模式,主要直销客户多为业内知名的芯片设计公司及高可靠领域客户;经销客户为公司的经销商。公司的经销模式为买断式,属于行业内的常规模式。

公司制定了《成品客户管理规定》《报价管理规定》《售后服务管理制度》《客户投诉处理控制程序》等规定,其中对经销商的导入、价格制定、客诉流程等方面均作出了详细规定,公司与经销商均签署《产品授权经销协议》,对双方的权利和义务作出明确规定。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司核心技术来源均为自主研发,具有较强的市场竞争力。报告期内公司的核心技术及其先进性没有发生重大变化。

截至报告期末,公司主要的核心技术情况如下:

序号技术名称技术先进性表征应用产品
1高压 MOSFET的少子 寿命控制技术及工艺 实现技术通过控制重金属掺杂浓度,控制硅中的少子寿命,技术整 体达国际先进水平。利用该技术制造的 FRMOS产品具有 反向恢复时间短、漏电流小、高温特性好、反向恢复特性 较软、低电磁干扰的产品特性,性能优于利用电子辐照技 术制造的同类产品FRMOS
2新型复合终端结构及 实现工艺技术采用横向变掺杂和场板复合的终端结构,使终端表面电场 分布更加均匀,降低产品的高温漏电流,提高产品可靠 性,技术整体达国际先进水平。应用该技术可将高压平面 MOSFET的终端环尺寸减小 50%平面 MOSFET
3一种防止自掺杂的背 封结构公司研制的一种掺砷衬底防止自掺杂的背封结构,可以确 保在 MOSFET正面工艺过程中避免衬底对高阻外延层的自 掺杂影响。技术整体达国际先进水平。相比使用锑掺杂衬 底材料的制造工艺,该技术可取消薄片注入和退火的工 序,有效降低碎片率,提升产品制造良率平面 MOSFET
4高可靠性元胞结构采用 spacer侧墙技术、浅槽孔技术及复合介质层工艺,实 现了稳定可靠的高电流密度元胞结构,技术整体达国内领 先水平。在同等工艺平台下,可达到更高的电流密度,实 现更小的芯片面积平面 MOSFET
5短沟道碳化硅 MOSFET器件系列产 品沟道控制及其制造 技术1、常规方法利用两次光刻的尺寸差异来形成沟道,套刻偏 差容易导致沟道离散,限制了沟道长度精度。该技术通过 自对准工艺形成极短且一致性好的沟道长度,可在优化 Ronsp参数的同时,确保器件参数的一致性和稳定性 2、在碳化硅 MOSFET器件中集成碳化硅肖特基二极管, 从而改善碳化硅 MOSFET的体二极管特性,用一颗器件可 以替换系统应用中的碳化硅 MOSFET和碳化硅二极管两颗 器件并联,简化系统并降低系统成本SiC MOSFET
6一种利用 Power MOS 管实现高压快速启动 的 AC-DC开关电源 的实现方法1、可利用功率 MOS场效应管实现高压快速启动,具有启 动时间短、成本低、待机功耗小等优点 2、将高压 MOS启动管、过热采样单元、过流采样单元同 高压 MOS开关管集成,降低了主控芯片的工艺难度,使各 种保护功能更精准,响应速度更快平面 MOSFET、 功率 IC
7基于 SOI BCD工艺的 设计平台基于合作晶圆代工厂的标准工艺平台,公司对工艺条件持 续优化,基于晶圆代工厂 0.5um SOI BCD工艺自主搭建了 设计平台,利用 SOI工艺的低寄生、低漏电、闩锁免疫等 优势,设计各种拓扑的功率 IC芯片,包括反激、正激、有 源钳位、SEPIC、级联、推挽、半桥等多种 IP核,并在 IP 基础上成功开发了近 40余款功率 IC产品功率 IC
8一种全电压范围多基 准电压同步调整电 路、高精准过压保护 电路及相对电源的高 压稳压电路1、提供一种栅极氧化层烧写电路,可以在芯片封装后进行 修调,避免了芯片制造、封装过程带来的误差,确保了产 品参数的一致性 2、实现 2n位的电压调整档位,可输出全电压范围高精度 多基准参考电压 3、有效改善产品参数的一致性及过压保护的判决时间精 度,提高过压保护的一致性 4、提供一种相对电源的高压稳压电路,可以为功率 IC内 部模块供电提供一种灵活的供电方式功率 IC
9一种半桥驱动芯片电 路设计及制造工艺可简化半桥驱动芯片的制造工艺,降低制造成本;采用恒 流驱动的方式,可降低电路功耗,增强其可靠性栅极驱动 IC等
10一种输入失调电压自 动修正电路实现电路在每次上电时都会对输入失调电压进行修正,消 除外部环境对输入失调电压的影响。该技术方案下采用常 规器件即可实现失调电压自动修正,比较器的输入失调电 压可以达到微伏级别PWM控制 IC等

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体认定称号认定年度产品名称
锴威特国家级专精特新“小巨人”企业2022高压 MOSFET晶圆

2. 报告期内获得的研发成果
公司通过自主创新和技术沉淀,已同时具备功率器件和功率 IC的设计、研发能力。公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术,自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台;公司与晶圆代工厂深度合作,可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程,进一步优化产品性能。

公司本期新获授权专利 21项(其中发明专利 19项、实用新型专利 2项),集成电路布图设计专有权 11项;截至 2024年 06月 30日,公司累计共已获授权专利 109项(其中发明专利 66项、实用新型专利 43项),集成电路布图设计专有权 87项。

报告期内获得的知识产权列表


 本期新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利81910766
实用新型专利024843
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他17119887
合计2532253196
注:表内“其他”为集成电路布图设计专有权。

3. 研发投入情况表
单位:元

 本期数上年同期数变化幅度(%)
费用化研发投入24,980,049.6717,398,223.7043.58
资本化研发投入000
研发投入合计24,980,049.6717,398,223.7043.58
研发投入总额占营业收入比例(%)43.3513.05增加 30.29个百分点
研发投入资本化的比重(%)000

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期内研发费用为 2,498.00万元,同比增长 43.58%,研发费用占营业收入的比例为43.35%。公司始终重视研发创新能力建设,持续加大研发投入,根据市场发展趋势、下游客户需求,不断拓宽产品系列,强化自主研发产品竞争力,报告期内公司稳步推进产品研发及迭代升级。此外,为优化公司研发环境,提升研发实力,在去年 6月份新增南京研发分支机构后,本报告期内公司无锡研发中心顺利完成乔迁工作。同时,公司广纳优秀研发技术人才,截至 2024年 6月 30日,公司研发人员人数增至 73人,同比增加 22人。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:元

序 号项目名称预计总投 资规模本期投入金额累计投入金额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平具体应 用前景
1平面 MOSFET40,000,0002,669,913.6632,603,708.371、已完成 4层光刻的 55V~100V工 艺平台开发,基于工艺平台开发以及 产品系列化 2、1700V MOSFET产品样品试制中1、开发 4层光刻的 55V~100V工艺 平台 2、开发 1700V平面 MOSFET行业 先进车载、 电机
2SiC MOSFET60,000,0003,185,008.9224,280,149.381、已建立 650V、900V、1200V和 1700V SiC MOSFET工艺平台,完成 部分型号的开发 2、2600V、3300V SiC MOSFET产品 样品试制完成,可靠性考核中1、在 650V、 900V、 1200V、 1700V SiC MOSFET电压平台下, 开发系列化产品,电流能力覆盖 3A~150A 2、优化 Ronsp和 Qg 3、开发 2600V、 3300V SiC MOSFET产品国内 领先新能源 领域
3沟槽型 MOSFET20,000,0002,199,445.455,716,271.461、新一代 100V屏蔽栅工艺平台试制 完成,样品已完成 2、12寸工艺开发的 20V~40V沟槽 MOSFET持续优化中1、开发 120V、150V、200V屏蔽 栅工艺平台 2、开发新一代的 100V屏蔽栅工艺 平台 3、基于 12英寸工艺开发 20V-40V 沟槽型 MOSFET行业 先进电动工 具、电 机驱 动、锂 电保护
4高压超结 MOSFET10,000,0001,097,408.234,519,840.54已完成 600V~650V 100A大电流产品 开发1、开发 600V~650V 100A以上大电 流产品系列 2、开发新一代超结工艺,性能指 标对标英飞凌 P7,开发 900V~950V电压工艺平台国内 领先充电 桩、工 业电源
5AC-DC或隔 离 DC-DC30,000,0002,523,826.2613,585,173.28已开发了反激、正激、有源钳位、半 桥、推挽、全桥和移相全桥的芯片产 品,持续研发适配 SiC MOSFET的芯 片;推出双相交错功率因数校正芯片开发高频、高效率的 AC-DC或隔 离 DC-DC电源管理 IC,完成反 激、正激、有源钳位、半桥、推国际 领先高可靠 领域
      挽、全桥和移相全桥、功率因数校 正芯片的研发和布局  
6DC-DC30,000,0002,831,920.217,787,555.48已开发了 DC-DC降压、升压控制器 和 COT降压 DC-DC转换器,升降压 控制器持续研发中,并持续研发大电 流 DC-DC转换器和支持多相并联的 控制器开发高频、高效率的非隔离 DC- DC电源管理 IC以及产品系列化国内 领先高可靠 领域
7电源开关20,000,0002,485,570.715,159,344.12已开发了 4款理想二极管控制芯片和 2款浪涌抑制控制芯片,持续系列化 上述两种芯片;高侧开关芯片已立 项,启动研发开发电源开关 3个产品系列:理想 二极管控制芯片、浪涌抑制控制芯 片、高侧开关芯片国际 领先高可靠 领域、 车用
8栅极驱动20,000,0002,459,709.607,758,550.10已开发低侧、半桥、全桥栅极驱动芯 片 20余款,正在研发隔离型栅极驱 动芯片开发低侧、半桥、全桥和隔离栅极 驱动芯片,完成上述产品的系列化行业 领先工业、 高可靠 领域
9固态继电器10,000,000318,841.832,909,671.51已开发光电池芯片 8款,部分产品向 车用客户导入,8寸工艺研发即将完 成研发及系列化光电池芯片,并完成 6寸转 8寸工艺的研发,提升该系 列的竞争优势国内 领先工业和 车用
10隔离芯片30,000,000549,546.293,655,167.58已完成数字隔离芯片的设计工作,正 在流片试制中研发数字隔离芯片、隔离运放,完 成产品系列化国内 领先工业和 高可靠
11其他 4,658,858.5112,061,928.03    
合 计/ 24,980,049.67120,037,359.85// /



5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上年同期数
公司研发人员的数量(人)7351
研发人员数量占公司总人数的比例(%)41.7143.22
研发人员薪酬合计1,321.40886.36
研发人员平均薪酬18.1017.38


教育程度  
学历构成数量(人)比例(%)
博士研究生11.37
硕士研究生1824.66
本科5068.49
专科34.11
高中及以下11.37
合计73100.00
年龄结构  
年龄区间数量(人)比例(%)
30岁以下(不含 30岁)3953.42
30-40岁(含 30岁,不含 40岁)2230.14
40-50岁(含 40岁,不含 50岁)1013.70
50-60岁(含 50岁,不含 60岁)22.74
60岁及以上00.00
合计73100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
(1)公司的研发和技术优势
公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业、“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位,公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。截至 2024年 06月 30日,公司已获授权专利 109项(其中发明专利 66项、实用新型专利 43项),集成电路布图设计专有权 87项。

在功率器件方面,公司积累了包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”“一种利用 Power MOS管实现高压快速启动的 AC-DC开关电源的实现方法”等多项核心技术,其中 3项达到国际先进水平,1项达国内领先水平,使公司产品关键技术指标达到了与国际领先厂商同类产品的水平;在功率 IC方面,公司基于晶圆代工厂 0.5um 600V SOI BCD和 0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台;公司与晶圆代工厂深度合作,可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程,进一步优化产品性能。公司已形成百余款功率 IC产品,并完成了多款功率 IC所需的 IP设计与验证;公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术,有效提升了产品参数一致性,增强了产品可靠性。

凭借高性能的产品,公司荣获由中国电子信息发展研究院(赛迪研究院)评选的第十六届(2021年度)和第十五届(2020年度)“中国芯”优秀技术创新产品奖;由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构联合评选的第十四届(2019年度)和第十二届(2017年度)中国半导体创新产品和技术奖。公司还获得了知名晶圆代工厂“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项,芯片设计和工艺调试能力得到业内认可。

(2)丰富的产品矩阵
公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展战略,公司目前拥有包括平面 MOSFET、功率 IC等 700余款产品。公司平面 MOSFET产品覆盖 40V-1700V电压段,已形成低压、中压、高压全系列功率 MOSFET产品系列,拥有近 500款不同规格的产品;公司在第三代半导体功率器件方面,已推出 650V-3300V SiC MOSFET产品系列;功率 IC方面,公司基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD和 0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台;公司与晶圆代工厂深度合作,可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程,进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力。未来,公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖,并进一步促进功率 IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。公司将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商,助力功率半导体国产化替代,推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。

(3)广泛的客户覆盖
公司凭借丰富的产品矩阵、高性能的产品和及时迅速的服务能力,已与超过 400家客户进行合作,实现了广泛的客户覆盖。近年来基于公司前期较早地布局了高可靠应用领域,不断加大功率 IC和功率器件产品在高可靠、工业控制和新能源应用领域的客户开拓力度。在高可靠领域,公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所,并获得众多高可靠领域客户的高度认可;在工业控制领域,公司深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求,超高压平面 MOSFET、高压超结 MOSFET、SiC MOSFET等细分产品的产品研发及市场开拓取得良好成效。


(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
2024年上半年,公司实现营业总收入 5,763.07万元,较上年同期下降 56.76%;实现归属于母公司所有者的净利润为-2,807.65万元,较上年同期下降 195.77%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-3,478.94万元,较上年同期下降 236.35%。

报告期内,半导体产业整体复苏周期长于预期,回暖速度呈现明显分化。受数字经济、AI及新质生产力发展的推动,与数字芯片相关的晶圆代工及封测已呈恢复态势,但功率及模拟类仍不达预期。当前,功率半导体行业仍处供过于求阶段,国产功率器件厂商面临市场需求萎靡、行业竞争加剧等不利局面,产品价格持续下滑,短期看价格未出现全面上涨信号。同时叠加行业竞争同步加剧,受成本增加等因素影响,公司业绩恢复不及预期。

公司部分面向消费电子领域的平面 MOSFET产品销量和价格下降明显,进而导致存货减值损失增加;面向高可靠领域的功率 IC产品,由于集成电路处于高可靠领域产业链配套末端,公司配套产品验收程序严格和复杂、订单验收缓慢、收入确认滞后,同时新增订单不及预期。工业控制领域部分细分行业领域需求虽有所复苏,但仍不及以往需求,客户订单不及预期。

报告期内,公司期间费用占营业收入的比例为 77.35%。相较行业内主要竞争对手,公司的成立时间相对较短,目前处于发展期,业务规模相对较小,面临较为激烈的市场竞争,难以获取与业内龙头企业同等的优势。公司作为研发驱动型企业,为保证公司综合竞争力,亟待利用资金及人员支持达到技术领先、规模效应和品牌效应,进一步拓展市场,提升产品的市场份额。报告期内公司持续加大产品研发和销售投入,针对高可靠、新能源、储能、智能电网等重点应用领域进行产品研发,同时加大市场布局和产品推广。因此,期间费用较上年同期有大幅提升。

公司积极应对技术创新、市场需求、行业竞争等多重挑战,继续深耕功率半导体领域,始终坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,以高质量发展为指引,坚持创新驱动和应用牵引,加大产品开发及应用研发投入,以适应行业发展的新趋势,稳妥应对不利影响,推动公司各项工作迈上新台阶。报告期内,公司主要经营管理工作如下:
(一) 持续注重研发创新,研发工作稳步推进
2024年上半年,报告期内研发费用为 2,498.00万元,同比增长 43.58%,研发费用占营业收入的比例为 43.35%。公司始终重视研发创新能力建设,持续加大研发投入,根据市场发展趋势、下游客户需求,不断拓宽产品系列,强化自主研发产品竞争力,报告期内公司稳步推进产品研发及迭代升级。PWM控制 IC方面:公司持续丰富产品线,完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品系列化,推出了输入电压高达 100V以上同步 Buck控制器、同步 Boost控制器等新品。为提高电源系统效率,推出了可支持反激、QR、LLC等拓扑的同步整流驱动 IC,工作频率可高达 1MHz,工作电压可达 300V。功率驱动 IC方面:公司推出 80V 3A集成 MOSFET的单芯片 H桥驱动芯片,同时可支持 100%占空比工作中,进一步提升系统的安全及可靠性;公司推出 180V GaN专用半桥驱动芯片,工作频率高达 1MHz以上。在功率 MOSFET方面,报告期内公司开发完善了沟槽 MOSFET及高压超结的工艺平台优化和产品布局,开发了 100V SGT工艺平台及 12寸 20V-40V的沟槽工艺平台,完成了 650V 100A大电流的超结产品开发。SiC MOSFET方面:公司加大 SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了 1200V、1700V、2600V、3300V SiC MOSFET的生产工艺平台,其中 1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段,新推出 2600V和 3300V SiC MOSFET产品,目前产品正在客户验证中。

为优化公司研发环境,提升研发实力,报告期内公司无锡研发中心顺利完成乔迁工作,全力以赴开创新局面。此外,作为一家以人才为核心的集成电路设计企业,公司广纳优秀研发技术人才,截至 2024年 6月 30日,公司研发人员人数增至 73人,占公司总人数的比例为 41.71%,其中硕士及以上学历的占研发技术人员总数的 26.03%,研发技术团队规模持续扩大,人员素质不断提升。

在知识产权方面,截至 2024年 06月 30日,公司已获授权专利 109项(其中发明专利 66项、实用新型专利 43项),集成电路布图设计专有权 87项。

(二) 加强市场推广,完善营销体系
报告期内,公司销售费用 680.66万元,同比增长 68.81%。公司始终以客户需求为导向,注重加强与客户的技术与需求交流,通过积极参加国内展会和技术交流会等方式加强产品和品牌的推广,在行业内保持良好互动,使公司始终站在行业最前沿,有效把握行业发展趋势,持续提升公司产品在行业的知名度和客户认可度。

报告期内,公司销售人员人数增至 36人,同比增加 36%。为更好服务客户、及时响应客户需求和把握市场动态,提升客户覆盖度和服务质量,公司持续完善销售渠道和销售网络、增加营销人才,开发新的销售渠道,使公司客户群体更加丰富,客户结构不断优化,针对重点领域推进相关产品的市场开发及客户维护工作,力求增强老客户粘性及提高新客户转化率。

(三) 优化供应链管理,建立有效产品品质管控
公司坚持以“服务零缺陷”为质量目标,注重与上游供应商、下游客户的战略共赢,形成了资源共享、优势互补、协同发展的供应链长期合作关系,建立了较为稳定的晶圆制造、封装和测试的供应渠道,不断完善外协供应商管理体系。为客户提供高效、可靠、优质的服务,建立良好的客户沟通合作机制,以客户需求为出发点,为客户创造价值,与客户共同成长,全力保障客户的权益。

公司对于产品品质与可靠性保持一贯的重视与专注。公司根据产品研发销售的需要与品质策略,依照行业专用标准要求及募投项目建设需要,陆续组织投入资金,选型采购设备、研究产业及产品相关标准与实验方法,已建设成具备一定规模与能力的高可靠性检测实验室,有利于稳定并提升公司产品的品质与可靠性,满足客户及市场对高可靠性产品的需求。实验室及各种硬件资(四)完善内部控制,提升公司治理水平
报告期内,公司严格按照中国证监会、上海证券交易所的其他相关法律法规、部门规章的要求,公司不断完善内控流程体系,规范公司行为。公司股东大会、董事会(包括专门委员会)、监事会及经营层,积极履行各自职责,严格履行信息披露义务,确保公司规范治理得到持续加强,切实维护公司及全体股东利益,助力公司实现高质量健康发展。


报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用

五、 风险因素
√适用 □不适用
(一) 业绩大幅下滑或亏损的风险
报告期内,公司实现营业总收入 5,763.07万元,较上年同期下降 56.76%;实现归属于母公司所有者的净利润为-2,807.65万元,较上年同期下降 195.77%。功率半导体行业仍处供过于求阶段,国产器件厂商面临市场需求萎靡、行业竞争加剧等不利局面,产品价格下滑,短期看价格未出现全面上涨信号。同时叠加成本增加、研发费用等经营性费用同比提升等因素推动,公司业绩大幅下滑。未来受市场需求变化、行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响,公司的销售收入将可能面临较大幅度波动的情况,同时公司业绩还将面临原材料成本、人力成本、持续的研发投入等各方面因素影响,从而使得公司面临经营业绩下滑的风险。

(二) 核心竞争力风险
1、新产品研发及产业化不及预期的风险
半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点,产品技术优化升级需要持续的资源投入。

由于新品研发至实现规模销售需要一定的时间周期,公司功率器件、功率 IC新产品的研发进度及研发成果实现产业化都存在不确定性。如果新产品研发及产业化进度未达预期或无法在市场竞争中占据优势,公司将面临新产品研发及产业化失败的风险,前期的研发投入也将无法收回,给公司未来业务拓展带来不利影响。

2、技术泄密的风险
集成电路设计行业为技术密集型行业,核心技术是行业内企业保持领先优势的重要保障,对企业发展具有重要作用。基于多年的技术积累和研发投入,公司在功率半导体领域已形成多项核心技术,并广泛应用于自有产品中,同时公司正致力于新技术和新产品的研发。如果公司核心技术人员流失或个别人员核心资料保管不善,则可能导致公司核心技术失密的风险。若公司核心技术泄密,并被竞争对手所获知和模仿,则可能会削弱公司的竞争优势,并对公司生产经营带来不利影响。

(三) 经营风险
1、晶圆委外加工及产能供应稳定性的风险
目前,公司采用 Fabless经营模式,专注于芯片的设计、研发和销售环节,而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。若晶圆代工、封装测试等委外加工价格大幅上涨,或因晶圆代工厂、封装测试厂产能紧缺或工艺波动等原因影响公司产品供给,将对公司供应稳定性、盈利能力造成不利影响。若未来公司与主要晶圆供应商的合作关系发生不利变化,或主要供应商由于产能受限等原因而降低对公司的产能供给,而公司在短期内无法及时寻找新的晶圆供应商并快速获取产能形成稳定供应,将影响公司晶圆供应的稳定性,从而对公司生产经营造成不利影响。

2、供应商集中度较高的风险
目前,公司采用 Fabless经营模式,专注于芯片的设计、研发和销售环节,而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。由于资金、技术等壁垒,半导体行业内符合公司技术和工艺要求的晶圆代工厂数量较少。若未来公司主要供应商出现产能受限、自身生产经营或与公司合作情况发生不利变化等情况,公司在短时间内替换供应商存在较大困难,可能导致公司不能足量、及时出货,从而对公司生产经营造成不利影响。

3、关键技术人员流失的风险
目前国内半导体企业众多,对功率半导体关键技术人员需求缺口较大,运用高薪或者股权激励等方式吸引技术人员已逐渐成为行业内的常规手段,导致行业内人员流动愈发频繁。未来,如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势或人才发展及内部晋升受限,公司对关键技术人才的吸引力将减弱,甚至可能出现现有关键技术人员流失的情形,对公司生产经营产生不利影响。

(四) 财务风险
1、收入增长可持续性的风险
报告期内,功率半导体行业仍处供过于求阶段,国产器件厂商面临市场需求萎靡、行业竞争加剧等不利局面,产品价格下滑,短期看价格未出现全面上涨信号。同时叠加成本增加等因素推动,公司产品销量和价格下降明显。若未来半导体行业市场供需关系未得到有效调整或者市场竞争持续加剧导致公司不能保持产品的核心竞争力和市场竞争优势,则会对公司产品售价、销量造成进一步负面影响,并可能导致客户订单执行延缓或出现违约、主要客户流失,从而使公司面临收入增长可持续性的风险。

此外,公司功率 IC产品主要面向高可靠领域,客户集中度较高,且该领域客户订单在一定程度上会受到年度预算和终端需求等因素的影响。若未来客户订单延迟或取消、公司未能准确把握行业技术发展趋势或下游市场需求发生重大不利变化等,可能导致公司功率 IC业务出现新客户拓展不达预期、现有客户流失等情形,从而使公司面临收入增长可持续性的风险。

2、毛利率及盈利能力下降的风险
受宏观经济环境、地缘政治变局、行业周期等不利因素的扰动,报告期内公司主要产品毛利率出现一定程度下滑。随着市场需求的变化和行业技术的发展,若公司未能正确判断市场需求变化、技术水平停滞不前、未能有效控制产品成本或市场竞争格局发生不利变化,将会导致公司产品售价和成本出现预期外的波动,公司产品毛利率及盈利能力未来存在下降的风险。

3、存货滞销及减值的风险
报告期内下游市场需求持续疲软,相关产业链整体呈现去库存压力。若未来下游领域需求端持续低迷或市场环境发生其他不利变化、客户临时改变需求、竞争加剧或技术升级,或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理,导致产品滞销、周转天数延长、存货积压,公司可能面临存货滞销及减值的风险。

4、应收账款增加的风险
受行业不利因素及部分客户管理体系与预算支出调整的影响,部分市场产品出现订单验收缓慢、收入确认滞后、新增订单不及预期等不利情况。若未来下游需求端持续低迷或市场环境发生其他不利变化,公司不能有效加强应收账款的催收,导致应收账款增加,则公司可能面临发生坏账的风险,进而会对公司的盈利能力产生不利影响。

5、公司期间费用增加的风险
根据本公司战略发展规划,未来在新产品开发、新市场拓展以及业务布局上需要充足资金支撑公司业务发展,并且随着业务规模的扩大,研发、销售、管理成本均有所提高,财务费用也将增加,将会对公司盈利能力造成一定影响。

(五) 行业风险
1、技术迭代风险
公司主要经营的产品包括功率器件和功率 IC,两者均属于功率半导体。功率半导体行业属于技术密集型行业,不追求先进制程,产品生命周期长,较数字芯片相比迭代速度慢。从技术发展层面来看,一方面,下游客户的个性化需求不断丰富,下游应用领域对产品技术参数的要求亦不断提升,如公司无法顺应行业技术发展趋势,在产品研发中紧跟下游客户应用需求的变动方向,则有可能导致公司产品被赶超或替代。

2、市场竞争风险
目前,我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段,行业内厂商积极进行市场拓展,市场竞争逐渐加剧。公司所处行业的竞争对手较多,既包括英飞凌、安森美等国际一流功率半导体厂商,也包括华润微、士兰微等国内的知名功率半导体厂商。公司需要持续投入大量资金用于核心技术及新产品的研发,以缩小与竞争对手的差距并保持自身竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势,不能根据客户需求及时推出新产品、不断优化产品性能与提高服务质量,则可能导致公司竞争能力下降,公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。

(六) 宏观环境风险
1、国际贸易摩擦的风险
在经济全球化日益深化的背景之下,国际贸易关系的变化对于半导体行业景气度可能产生深远影响。部分国家通过贸易保护的手段,试图制约中国相关产业的发展;尤其是随着中美贸易摩擦的加剧,美国政府已将多家中国企业和机构列入美国出口管制的“实体清单”。若美国将公司及公司主要客户、供应商列入“实体清单”名单或采取其他经济限制手段,可能导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束,公司的正常生产经营将受到不利影响。同时,半导体产业链上下游可能出现生产和采购受限的情形,从而对公司经营业绩造成不利影响。

2、产业政策变化风险
半导体产业是国家战略性产业。近年来,国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展,增强了中国半导体产业的创新能力和国际竞争力,带动了整个产业的发展。但若未来国家相关产业政策支持力度减弱,可能导致下游市场需求下滑、税收优惠减少、政府补贴金额下降等,公司的经营业绩可能会因此受到不利影响。

六、 报告期内主要经营情况
2024年上半年,公司实现营业总收入 5,763.07万元,较上年同期下降 56.76%;实现归属于母公司所有者的净利润为-2,807.65万元,较上年同期下降 195.77%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-3,478.94万元,较上年同期下降 236.35%。2024年 1-6月公司的营业收入及利润水平较 2023年同期均有较大幅度的下滑。

(一) 主营业务分析
1 财务报表相关科目变动分析表
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入57,630,652.33133,287,340.72-56.76
营业成本33,307,906.4268,611,071.37-51.45
销售费用6,806,626.724,032,133.5668.81
管理费用15,679,411.4910,086,810.4355.44
财务费用-2,890,492.33297,067.53-1,073.01
研发费用24,980,049.6717,398,223.7043.58
经营活动产生的现金流量净额-22,330,727.26-1,138,353.59不适用
投资活动产生的现金流量净额18,426,066.95-6,627,406.81不适用
筹资活动产生的现金流量净额-13,892,912.8811,641,013.10-219.34
营业收入变动原因说明:行业竞争加剧,市场拓展不及预期 (未完)
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