银河微电(688689):中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2024年半年度持续督导跟踪报告

 时间：2024年08月30日 19:35:57 中财网
原标题:银河微电:中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司2024年半年度持续督导跟踪报告

中信建投证券股份有限公司
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
2024年半年度持续督导跟踪报告

根据《证券发行上市保荐业务管理办法（2023年修订）》、《上海证券交易所科创板股票上市规则（2024年4月修订）》、《上海证券交易所上市公司自律监管指引第11号——持续督导（2023年修订）》等相关规定，中信建投证券股份有限公司（以下简称“中信建投证券”、“保荐机构”）作为常州银河世纪微电子股份有限公司（以下简称“银河微电”、“公司”）的首次公开发行股票和向不特定对象发行可转换公司债券的保荐机构，对银河微电进行持续督导，并出具本持续督导跟踪报告。

一、持续督导工作情况

工作内容
建立健全并有效执行持续督导工作制度， 并针对具体的持续督导工作制定相应的工 作计划。
根据中国证监会相关规定，在持续督导工 作开始前，与上市公司或相关当事人签署 持续督导协议，明确双方在持续督导期间 的权利义务，并报上海证券交易所备案。
通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽 职调查等方式开展持续督导工作。
工作内容
持续督导期间，按照有关规定对上市公司 违法违规事项公开发表声明的，应于披露 前向上海证券交易所报告，经上海证券交 易所审核后在指定媒体上公告。
持续督导期间，上市公司或相关当事人出 现违法违规、违背承诺等事项的，应自发 现或应当发现之日起五个工作日内向上海 证券交易所报告，报告内容包括上市公司 或相关当事人出现违法违规、违背承诺等 事项的具体情况，保荐机构采取的督导措 施等。
督导上市公司及其董事、监事、高级管理 人员遵守法律、法规、部门规章和上海证 券交易所发布的业务规则及其他规范性文 件，并切实履行其所做出的各项承诺。
督导上市公司建立健全并有效执行公司治 理制度，包括但不限于股东大会、董事会 监事会议事规则以及董事、监事和高级管 理人员的行为规范等。
督导上市公司建立健全并有效执行内控制 度，包括但不限于财务管理制度、会计核 算制度和内部审计制度，以及募集资金使 用、关联交易、对外担保、对外投资、衍 生品交易、对子公司的控制等重大经营决 策的程序与规则等。
督导公司建立健全并有效执行信息披露制 度，审阅信息披露文件及其他相关文件并 有充分理由确信上市公司向上海证券交易 所提交的文件不存在虚假记载、误导性陈 述或重大遗漏。
工作内容
对上市公司的信息披露文件及向中国证监 会、上海证券交易所提交的其他文件进行 事前审阅，对存在问题的信息披露文件应 及时督促上市公司予以更正或补充，上市 公司不予更正或补充的，应及时向上海证 券交易所报告。 对上市公司的信息披露文件未进行事前审 阅的，应在上市公司履行信息披露义务后 五个交易日内，完成对有关文件的审阅工 作对存在问题的信息披露文件应及时督促 上市公司更正或补充，上市公司不予更正 或补充的，应及时向上海证券交易所报告
关注上市公司或其控股股东、实际控制人 董事、监事、高级管理人员受到中国证监 会行政处罚、上海证券交易所纪律处分或 者被上海证券交易所出具监管关注函的情 况，并督促其完善内部控制制度，采取措 施予以纠正。
持续关注上市公司及控股股东、实际控制 人等履行承诺的情况，上市公司及控股股 东、实际控制人等未履行承诺事项的，及 时向上海证券交易所报告。
关注公共传媒关于上市公司的报道，及时 针对市场传闻进行核查。经核查后发现上 市公司存在应披露未披露的重大事项或与 披露的信息与事实不符的，应及时督促上 市公司如实披露或予以澄清；上市公司不 予披露或澄清的，应及时向上海证券交易 所报告。
发现以下情形之一的，保荐机构应督促上 市公司做出说明并限期改正，同时向上海 证券交易所报告：（一）上市公司涉嫌违反 《上市规则》等上海证券交易所相关业务 规则；（二）证券服务机构及其签名人员出 具的专业意见可能存在虚假记载、误导性 陈述或重大遗漏等违法违规情形或其他不 当情形；（三）上市公司出现《保荐办法》 第七十一条、第七十二条规定的情形；（四 上市公司不配合保荐机构持续督导工作； （五）上海证券交易所或保荐机构认为需 要报告的其他情形。
工作内容
制定对上市公司的现场检查工作计划，明 确现场检查工作要求，确保现场检查工作 质量。上市公司出现以下情形之一的，应 自知道或应当知道之日起十五日内或上海 证券交易所要求的期限内，对上市公司进 行专项现场检查：（一）存在重大财务造假 嫌疑；（二）控股股东、实际控制人及其关 联人涉嫌资金占用；（三）可能存在重大违 规担保；（四）控股股东、实际控制人及其 关联人、董事、监事或者高级管理人员涉 嫌侵占上市公司利益；（五）资金往来或者 现金流存在重大异常；（六）上海证券交易 所要求的其他情形。
持续关注上市公司的承诺履行情况。
二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况
无。

三、重大风险事项
公司目前面临的风险因素主要如下：
（一）核心竞争力风险
1、新产品开发风险
半导体产业的下游是各类电子电器产品，随着终端产品在例如轻薄化、高功率密度等方面要求的不断提高，以及汽车电子、工业控制等新的应用场景不断涌现，客户对公司不断优化现有产品性能并根据其提出的要求进行新产品开发的能力要求较高。在产品优化及开发过程中，公司需要根据客户要求进行器件整体设计，包括芯片的性能指标、结构，所采用的封装规格，芯片与封装的结合工艺以及成品检测方法等，对公司技术能力要求较高，同时还需保证产品具有较好的成本效益。如公司无法持续满足客户对新产品开发的要求，将造成公司业绩增长放缓，对盈利能力造成负面影响。

2、技术研发不及预期风险
公司依靠核心技术开展生产经营，只有不断推进新的芯片结构和生产工艺、封装规格、测试技术等方面的储备技术的研发，才能为公司在进行产品设计时提供更大的技术空间和多工艺平台的可能性，以便更好的满足客户需求。公司主要依靠自主研发形成核心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复合产品，技术复杂程度高，新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结果不确定性高等特点。另外，由于基础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、先导性，研发成果存在着一定的市场化效果不及预期，或被国外已有技术替代的风险。因此，如果公司的研发活动未取得预期结果，或者研发结果产业化进程不及预期，将使公司大额研发投入无法实现成果转化，影响公司经营业绩。

3、核心技术人员流失及技术泄密风险
半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产品开发均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失或发生核心技术泄密的情况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司在行业内的竞争地位。

（二）经营风险
1、原材料价格波动风险
报告期内，公司材料成本占成本的比例较高，对公司毛利率的影响较大。公司所需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供求关系、国家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动，将直接导致公司产品成本出现波动，进而影响公司的盈利能力。

2、环保风险
公司生产过程中会产生废水、废气、废渣等污染性排放物，如果处理不当会污染环境，产生不良后果。公司已严格按照有关环保法规及相应标准对上述污染性排放物进行了有效治理，使“三废”的排放达到了环保规定的标准，各项目也通过了有关部门的环评审批，但随着国家和社会对环境保护的日益重视，相关部门可能颁布和采用更高的环保标准，将进一步加大公司在环保方面的投入，增加公司的经营成本，从而影响公司的经营业绩。

3、固定资产折旧的风险
随着扩建项目的陆续投产使用，将新增较大量的固定资产，使得新增折旧及摊销费用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。

（三）财务风险
1、存货损失风险
报告期内，公司存货账面价值为18,373.66万元，占资产总额的比例分别为9.08%。

公司订单具有“小批量、多批次、交期短和定制化”的特点，在公司根据客户订单排产后，部分下游客户会根据其自身生产计划调整采购需求，导致公司部分存货处于呆滞状态。对由于客户暂缓或取消订单导致呆滞的存货、公司根据可变现净值对其余存货进行减值测试，计提跌价准备。同时，公司针对部分客户的订单排程需求，先将产成品发送至客户端寄存仓库，待客户实际领用并与公司对账确认后确认收入，在确认收入前，作为公司的发出商品核算。由于该部分存货脱离公司直接管理，尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制，但在极端情况下依然存在存货毁损、灭失的风险。

未来随着公司业务规模的不断扩大，存货余额可能相应增加。较大的存货余额可能影响公司的资金周转率，也可能使得存货的报废和跌价损失增加，从而对公司经营业绩造成不利影响。

2、应收账款回收风险
虽然公司应收账款债务方主要为资信良好、实力雄厚的公司等，应收账款有较好的回收保障，形成坏账损失的风险较小，公司也已按照会计准则的要求建立了稳健的坏账准备计提政策。但如果公司应收账款持续大幅上升，若公司客户因宏观经济波动或其自身经营原因，出现财务状况恶化、无法按期付款的情况，则将会加大公司应收账款坏账风险，从而对公司的经营稳定性、资金状况和盈利能力产生不利影响。

（四）行业风险
1、与国际领先企业存在技术差距的风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品牌知名度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。未来如果公司不能及时准确地把握市场需求和技术发展趋势，无法持续研发出具有商业价值、符合下游市场需求的新产品，缩小与同行业国际领先水平的技术差距，则无法拓展高性能要求领域的收入规模，将对公司未来进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等新兴市场产生不利影响，甚至部分传统产品存在被迭代的风险。

2、市场竞争风险
国际市场上，经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断汽车电子、工业控制、医疗设备等利润率较高的应用领域。

国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧，公司如果研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，公司市场份额存在下降的风险。

3、产业政策变化的风险
在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体分立器件行业整体的技术水平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。如果国家降低对相关产业扶持力度，将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步，加剧国内市场对进口半导体分立器件的依赖，进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。

（五）宏观环境风险
1、宏观经济波动风险
半导体分立器件行业是电子器件行业的子行业，电子器件行业渗透于国民经济的各个领域，行业整体波动与宏观经济形势具有较强的关联性。公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、网络通信、汽车电子等下游领域，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，半导体分立器件行业的景气度也将随之受到影响。下游行业的波动和低迷会导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利影响，进而影响公司盈利水平。

2、国际经贸摩擦波动风险
国际经贸关系随着国家之间政治关系的发展和国际局势的变化而不断变化，经贸关系的变化于宏观经济发展以及特定行业景气度可以产生深远影响。在全球主要经济体增速放缓的背景下，贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在，国际贸易政策存在一定的不确定性，如未来发生大规模经贸摩擦，可能影响境外客户及供应商的商业规划，存在对公司业绩造成不利影响的风险。

3、税收优惠政策变动的风险
公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、部分项目加计扣除等。

公司及子公司银河电器均系高新技术企业，公司分别于2016年11月、2019年12月、2022年11月通过审批被认定为高新技术企业，子公司银河电器分别于2017年11月、2020年12月、2023年12月通过审批被认定为高新技术企业，因此报告期内公司、银河电器减按15%的税率征收企业所得税。如果未来未取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。

4、汇率波动的风险
报告期内，公司出口销售收入占主营业务收入比例超过25%。公司境外销售货款主要以美元结算，汇率的波动给公司业绩带来了一定的不确定性。近年来我国央行不断推进汇率的市场化进程、增强汇率弹性，汇率的波动将影响公司以美元标价外销产品的价格水平及汇兑损益，进而影响公司经营业绩。

四、重大违规事项
本持续督导期间，公司不存在重大违规事项。

五、主要财务指标的变动原因及合理性
2024年1-6月，公司主要财务数据如下表所示：
单位：元

2024年1-6月2023年1-6月
416,094,772.18329,986,288.74
34,841,931.4730,523,573.88
22,081,784.8317,786,538.06
28,258,382.9048,854,475.41
本报告期末上年度末
1,297,731,339.121,317,708,884.61
2,023,725,911.761,990,282,900.28
2024年1-6月，公司主要财务指标如下表所示：

2024年1-6月2023年1-6月
0.290.24
0.290.24
0.180.14
2.642.37
1.661.38
5.936.48
2024年1-6月，公司主要财务数据及指标变动的原因如下：
1、2024年上半年公司实现营业收入41,609.48万元，同比增加26.09%；实现归属于母公司所有者的净利润3,484.19万元，同比增加14.15%；实现归属于母公司所有者2,208.18 24.15% 2024
的扣除非经常性损益的净利润 万元，同比增加 ，主要系 年上半年，公司生产经营和销售情况平稳恢复，营业收入有所增长所致。

2024年上半年，公司经营活动产生的现金流量净额为2,825.84万元，同比降低42.16%，主要系2024年上半年购买商品、接受劳务支付的现金略有上升，经营活动现金流出有所增加所致。

2、报告期末，公司财务状况良好，总资产202,372.59万元，较报告期初增加1.68%。

综上，公司2024年1-6月主要财务数据及财务指标变动具有合理性。

六、核心竞争力的变化情况
报告期内，公司专注核心技术积累与新产品开发，坚持保障研发投入，2024年上半年累计投入2,469.03万元，占营业收入比例为5.93%，新增申请专利13项，其中发明专利5项。

公司扎实推进多个研发项目的实施，涵盖了芯片设计、芯片工艺、封装工艺平台基础技术研发、新封装开发、产学研关键技术开发等研发项目，具体包括用于功率模块的FRD芯片开发，6英寸平面芯片技术及产品开发，超低阻抗高散热功率贴片封装及器件开发，新能源汽车用SiCMOSFET功率器件和模块关键技术研发等。通过不断的技术创新和研发投入，公司不断提升自身的技术创新能力，强化了其在科技领域的核心竞争力。

总结而言，公司在半导体分立器件制造领域通过技术创新、工艺优化和研发项目，保持了从芯片设计到封装测试的持续技术升级，为公司的长远发展奠定了坚实的基础。


现有核心技术　技术描述及特点
组装 技术无压烧结 银装片技 术开发无压真空烧结技术替代传统高温钎焊料。具有 无铅环保，热阻低，耐温特性好等优点。
　封装体研 磨减薄技 术开发精密研磨抛光技术减薄封装体的上表面，产品 研磨厚度一致性好，不同材质界面层接合紧密，是 实现双面散热封装的重要技术。
　高精度高 稳定点胶 固晶跳线 技术研发高精度高稳定度焊料点胶技术，同步导入 100%AOI实时检测胶量大小。解决了芯片贴装过程 中不稳定的问题，减少累计误差，提高固晶精度。
　高密度阵 列式框架 设计技术框架采用多排高密度化设计使每条框架产品数增 加，同时提高单位面积内的产品数，提高生产效率 及降低材料消耗。
　芯片预焊 技术将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在 提升焊接工序效率、减少芯片沾污方面有明显效 果，焊接气孔由5%减少到3%以下，提高产品质量 及可靠性。
　点 胶 量 CPK 自动 测量控制 技术通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控 制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都 在受控范围。
　功率芯片 画锡焊接 技术通过特殊设计的高温针头在装片基岛范围内均匀 行走，达到焊锡量分布均匀平整，位置可控，从而 可达到装片后芯片四周溢锡均匀、BLT厚度稳定可
　　控、焊接空洞减少的目的，提升功率器件的性能和 可靠性。
　甲酸真空 焊接技术焊接过程中通入甲酸可以将框架表面的氧化铜还 原，使框架表面无氧化层，提升塑封料与框架之间 的结合强度，降低产品分层异常。
　高温反向 漏电控制 技术SKY芯片采用多层钝化和多次金属化表面，在封装 过程中增加焊接后化学清洗，极大程度降低器件的 高温漏电，提高产品的高温可靠性。
　多层叠焊 技术通过精准的锡量控制，使芯片与芯片之间焊锡层厚 度和覆盖面积控制达到最优，并实现多层芯片的串 联，从而可以实现超高耐压或特殊功能要求的器 件，实现单芯片不能实现的功能。
　LED 倒装 封装技术通过将LED芯片PN结输出进行特殊设计，组装过 程中将芯片直接与基板上的正负极共晶焊接，无线 焊接缩短了热源到基板的热流路径，具有较低的热 阻。同时倒装结购使产品具有更好的抗大电流冲击 稳定性和光输出性能，尺寸可以做到更小，光学更 容易匹配。
　超薄超小 DFN 封装 技术采用特殊的框架设计和制造工艺，框架的密度是普 通蚀刻工艺的2倍以上，封装采用我司先进的超薄 超小芯片的封装工艺，最终封装产品塑封体厚度可 以做到0.22mm以下，塑封体外形可以做到市面上 最小的0201外形。
　双面散热 封装技术在现有的底部散热封装外形的结构基础上，通过设 计厚尺寸clip并用于芯片与框架之间的连接，产 品塑封后对上模面采用独特的打磨工艺获得平整 裸露Clip散热面，从而实现产品底部和顶部均带 散热功能，极大程度提高产品的散热能力，从而提 高功率产品的电流能力。
　基于塑封 前喷涂涂 层的防分 层技术在塑封前于芯片表面喷涂一种特殊的隔离溶胶，该 溶胶与芯片、框架及塑封料均具有有极强的粘接力 和强密着性，并可以在芯片与塑封料之间、框架和 塑封料之间起到很好的缓冲作用，因此可有效解决 芯片、框架与塑封料之间受热力容易产生的的分层 异常，提升功率器件的PCT能力和可靠性。
　Clip焊接 技术在框架焊接工艺中采用clip完成芯片上表面的电 极与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产 品潜在失效风险。
　大功率超 薄芯片封 装技术尺寸越大、厚度越薄的芯片在封装过程中越容易引 起芯片破裂，我司通过采用特殊的芯片研磨切割工 艺、采用UV膜及多顶针机构进行装片、通过BLT 和芯片平整度管控等方法有效解决封装过程的机 械及封装应力问题。
成型 技术Auto模自 动封装技 术采用对塑封模具、框架结构等设计，选用 Automolding系统实现自动塑封，生产过程中可实 现分段开合模、分段注塑等特殊应用功能，满足有 特殊注塑工艺要求产品的生产，整个过程几乎不受
　　作业人员操作不当影响，生产效率高，制程受控。
　光耦器件 管脚一体 成型技术通过将不同工位的刀具系统集成在同一副系统或 模具上，实现在切筋成型过程中所有工序一体完 成，极大节约设备占据场地空间以及提升工序生产 效率，同时保证产品成型稳定性。
测试 筛选 技术基于产品 特性数据 分析的测 试技术针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定 测试方案，并用PAT方法筛选出产品性能离散及有 潜在失效模式的产品。
　基于光学 影像的全 自动产品 测量技术通过光学影像监测功能对产品的外观进行监测，配 合产线的生产设备，可以实现产品100%外观监测， 将不符合标准产品有效剔除，检测效率极高。
　基于开尔 文接触方 式的多颗 串联高压 测试技术通过对高压测试座的结构进行特殊优化设计并采 用带回路检测功能的高压测试仪器，从而避免高压 测试过程中因产品引脚与测试座接触不良而发生 漏测，提高测试的生产效率和剔除有效性。
　基于FMEA 的测试技 术针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影 响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过 程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产品。
　SiC MOSFET器 件动态反 偏筛选技 术SiCMOSFET晶圆在现有的生产工艺过程中，栅氧 界面质量不可避免存在一定缺陷，该缺陷通过常用 的恒定栅氧反偏测试难以剔除。由于SiCMOSFET 在实际应用中主要当作高频开关器件使用，栅极在 高电平与低电平之间会频繁切换，栅氧会长期承受 高速动态栅应力的作用，故容易引起使Vth退化 失效。我司通过研究分析量化，掌握了一套模拟 SiCMOSFET实际应用对栅氧施加动态早期失效产 品，保证器件的出厂可靠性品质。
第三 代半 导体高性能沟 槽型 SiC MOSFET芯 片设计沟槽结构SiCMOS是在SiC外延层上刻蚀沟槽，在 沟槽表面通过氧化形成栅氧化层，沟槽结构可以增 加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小， 开关速度快、损耗低。我司通过选取合适沟道晶面 并通过元胞结构优化，实现了较佳的沟道迁移率， 显著降低芯片导通电阻。
SGT- MOS 晶圆 设计SGT 结构 中 低 压 MOS 芯片 设计该工艺在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基 础上引入了水平耗尽，通过改变MOSFET内部电场 的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩的梯形 电场，从而进一步减小EPI层的厚度，降低导通电 阻Rds(on)。
平面 芯片 制造 技术芯片表面 多层厚金 属层制备 技术该方法在高真空环境下，采用高压电子束轰击金属 表面，使金属熔融，形成蒸气，金属蒸气运动附着 到晶圆表面，冷凝形成薄膜，通过监控电子膜厚仪， 达到我们需要的厚度。可降低芯片金属层的电流集 聚，降低芯片的接触电阻，提升产品可靠性。
　平面结构 芯片无环 高耐压终 端技术特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台面 结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以采用 标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、CVD 等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提升产品 稳定性、可靠性等目的。
　平面结构 芯片表面 多层钝化 技术采用多层CVD钝化膜技术，形成芯片表面所需的综 合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化，平面 玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备 5um~20um的钝化介质层。多层CVD钝化膜起到固 定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽渗透，绝缘电介 质等功能，从而形成芯片表面所需的综合钝化保护 膜，相应产品性能稳定性优异。聚酰亚胺钝化，平 面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇到的可 靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、可靠性。
　平面结构 功率稳压 二极管、 TVS 芯片 设计及制 备技术特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免了 传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题， 可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达到提升 产品一致性、稳定性、可靠性的目的。
　大 功 率 TVS 产品 提升功率 技术采用平面和台面结构相结合的方式，有效增加芯片 的接触面积，提升产品的功率能力
　TVS 芯片 VC恒定制 造工艺控 制技术采用特殊的芯片结构及深结工艺，改变单双向TVS 芯片IPP/VC曲线，在IPP范围内芯片的VC保持在 一个较小范围，提升产品功率和电压抑制保护能 力。
　稳 压 管 ZZK 改善 技术扩散时采用特殊的气体的方式，对芯片表面缺陷、 杂质浓度分布等进行有效的改善，大大降低产品的 动态电阻。
台面 芯片 制造 技术电晕造型 技术通过电场作用，使芯片腐蚀面圆润及平滑，降低尖 端效应，提升性能一致性。
　沟槽湿法 腐蚀形状 控制计划台面沟槽造型特别是“鸟嘴”造型对器件的VB电 压及可靠性有很大影响，我司通过工艺调整改善芯 片表面扩散浓度来调整沟槽腐蚀的速率和方向，有 效消除了原先的“鸟嘴”形状，解决原先“鸟嘴” 处的应力问题，提升了钝化效果。
　PEG 特殊 钝化工艺 保护应用 技术采用一种特殊的组合工艺，结合了刀刮法、光阻法 和电泳法的优势，钝化层根据需要排序进行生长， 一方面钝化过程中不会带入其他杂质，玻璃内部不 产气泡和黑渣点，另一方面形成的玻璃钝化层非常 致密，芯片的击穿硬特性和耐高温特性大大提高， 可应用于高可靠性要求的应用场合。
七、研发支出变化及研发进展
（一）研发支出及变化情况
单位：元

本期数上年同期数
24,690,301.8521,398,632.49
--
24,690,301.8521,398,632.49
5.936.48
--
（二）在研项目情况
本持续督导期间，公司的在研项目情况如下：
单位：万元

项目名称预计总投 资规模本期投 入金额累计投 入金额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平
基于深度 学习的半 导体封装 缺陷检测 技术30.00030.39项目完成基于深度学习原理，设计出可以自动检测产 品塑封体外观划痕、破损、压脚、气孔不良， 应用到封装产线，提高产线制程检验能力和 效率。国内 领先
6英寸平 面芯片技 术及产品 开发600.00137.92561.86研发阶段扩展6英寸平面芯片工艺平台，完成全系列 稳压二极管和高可靠度高频开关二极管芯片 开发。国内 先进
面向平面 芯片的精 密封装技 术及产品 开发1,000.00476.10476.10小批量通过高位置精度和胶量稳定性控制方法实现 平面芯片高可靠度组装，有效控制芯片的焊 接外观质量和可靠性，降低焊接空洞率，实 现封装良率和可靠性能的提升。国内 先进
超低阻抗 高散热功 率贴片封 装及器件 开发1,600.00896.38896.38小批量开发出车规级SiCMOS器件TO-247-4L封 装，制程中采用画锡、真空回流烧结等特殊 工艺提高器件的可靠性；通过对MOS晶圆背 面金属的材质选取及厚度分布的研究，平衡 芯片材料硅与框架铜之间的热应力，实现较 大尺寸芯片能够实现共晶焊接不产生分层； 通过设计特殊的焊接工装，失效薄框架小尺 寸贴片封装的铝带焊接，降低器件的封装阻 抗，提高器件的电流功率密度。国内 先进
用于功率 模 块 的 FRD芯片330.00130.73130.73研发阶段基于公司现有的6寸晶圆产线，开发175℃结 温的LOWVF和HIGHSPEED的两个系类 FRD芯片产品，能够满足车规应用要求。国内 先进
开发　　　　　　
可控硅光 耦产品开 发85.0080.5980.59小批量研究并掌握车规级光耦的产品生产技术，开 发完成BL303X系列可控硅光耦产品，相关 产品能够满足UL/VDE及车规级认证要求。国内 先进
基于芯片 封装的指 纹的轻量 级区块链 关键技术 研发650.0034.6234.62研发阶段面向物联网系统的高安全性低成本的安全认 证协议及相应密码硬件加速器设计，研制一 款轻量级、高安全性的基于混沌原理的真随 机数发生器电路和无密钥存储的区块链数字 签名产品国内 先进
新能源汽 车用 SiC MOSFET 功率器件 和模块关 键技术研 发300.0053.0753.07研发阶段基于SiCMOSFET功率器件和模块设计和关 键工艺技术的攻关，形成完整的SiC MOSFET功率器件和模块制造工艺流程，研 制出1200V系列化车规级SiCMOSFET功率 器件和模块。国内 先进
高电流密 度高性能 功率整流 芯片及产 品开发900.00521.88521.88小批量完成高电压、大电流系列功率整流芯片的开 发，芯片Vbr电压≥1600V,浪涌电流能力≥ 36A/mm2,配合整流桥封装产线做出单相/三 相整流桥系列产品。国内 先进
RFID超高 频芯片前 端开发及 其产业化1,000.00103.69103.69研发阶段1、开发产品为具有自主知识产权的“芯片指 纹”（物理不可克隆PUF）电路，以及基于 “芯片指纹”物理不可克隆技术（PUF）的 防伪NFC标签以及超高频的RFID标签；2、 打造更加安全、低成本的基于RFID的产业 解决方案，其中包括：开发基于PUF的RFID 智能仓储系统解决方案；开发基于PUF的 RFID新零售、无人零售系统解决方案；建立 基于PUF的RFID服务平台等。国内 先进
BLDC 电 机驱动芯 片160.002.582.58研发阶段从无感控制方式出发，针对同一系列的 BLDC电机开发软硬件协同的电机驱动控制 器。利用UART、CAN等接口电路与外部系国内 先进
　　　　　统通信与调试，驱动算法部分通过优化控制 算法和PWM技术，控制器可以驱动同一系 列或者参数相关的BLDC，同时降低电机运 行时的噪音，提升用户体验。　
DIP4光耦 产品线扩 产项目220.0019.1119.11研发阶段通过选取高生产效率和低材料消耗的技术方 案失效DIP4光耦产品的扩产，降低该系列光 耦产品的生产成本，提高产品竞争力。国内 先进
SOP4光耦 新封装产 品线项目200.0012.3612.36研发阶段利用先进的技术工艺封测体积更小、厚度更 薄的新封装产品，减少产品应用线路板的空 间。国内 先进
/7,075.002,469.032,923.36///
（三）2024年1-6月取得的研发成果
在半导体分立器件制造领域，公司通过不断优化和创新，实现了显著的技术进步和产品升级。以下是对公司在报告期内获得的研发成果：
（1）封装测试技术：拓展了烧结银技术和铝带焊接技术到PDFN3×3等封装应用，提升了这类小功率贴片产品的功率密度；拓展了铝带焊接技术到PDFN3×3等封装应用，提升了这类小功率贴片产品的生产效率；研发了高精度高稳定点胶固晶跳线技术，解决了芯片贴装过程中不稳定的问题，减少累计误差，提高固晶精度；封装体研磨减薄技术，产品研磨厚度一致性好，不同材质界面层接合紧密，是实现双面散热封装的重要技术。

（2）芯片设计与制造：电晕造型技术，通过电场作用，使芯片腐蚀面圆润及平滑，降低尖端效应，提升性能一致性；芯片表面多层厚金属层制备技术，降低芯片金属层的电流集聚，降低芯片的接触电阻，提升产品可靠性。

报告期内获得的知识产权列表如下：

本期新增　　
申请数（个）获得数（个）申请数（个）
5873
719340
101
000
000
1327414
注：
（1）“本期新增”中的“获得数”为报告期内新获得的专利数；
（2）“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。

八、新增业务进展是否与前期信息披露一致
不适用。

九、募集资金的使用情况及是否合规
1、2021年首次公开发行股票募集资金存放情况
截至2024年6月30日止，公司使用募集资金具体情况如下：

注：结余募集资金补流金额含相关账户销户时收到的利息收入。

2、2022年向不特定对象发行可转换公司债券募集资金存放情况
截至2024年6月30日止，公司使用募集资金具体情况如下：

银河微电本持续督导期间募集资金的存放与使用符合《上市公司监管指引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求（2022年修订）》、《上海证券交易所科创板股票上市规则（2024年4月修订）》及《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作（2023年12月修订）》等法律法规的相关规定，对募集资金进行了专户存储和专项使用，不存在变相改变募集资金投向和损害股东利益的情况，不存在违规使用募集资金的情形。

十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况
本持续督导期间，公司控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员持有的股份未发生质押、冻结及减持情况。

截至2024年6月30日，公司控股股东、实际控制人、现任董事、监事、高级管理人员直接和间接持有公司股份的情况如下：

职务直接持股数量 （万股）间接持股数量 （万股）
董事长-7,817.58
董事-629.52
董事-30.00
董事、总经理、核心技 术人员0.9030.00
董事、副总经理0.90-
独立董事--
独立董事--
独立董事--
监事会主席-8.00
核心技术人员-25.00
监事-17.00
职工监事--
技术总监-10.00
副总经理0.9012.00
董事会秘书、财务总监0.6012.00
核心技术人员0.606.00
核心技术人员-4.00
十一、上海证券交易所或保荐机构认为应当发表意见的其他事项
无。

（以下无正文）

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