[中报]美迪凯(688079):杭州美迪凯光电科技股份有限公司2024年半年度报告

时间：2024年08月30日 19:41:14 中财网

原标题:美迪凯:杭州美迪凯光电科技股份有限公司2024年半年度报告

公司代码：688079 公司简称：美迪凯
杭州美迪凯光电科技股份有限公司
2024年半年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”。



三、 公司全体董事出席董事会会议。



四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人葛文志、主管会计工作负责人华朝花及会计机构负责人（会计主管人员）周星星声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用


八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。



九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他

目录
第一节 释义 ......................................................................................................................................... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ..................................................................................................... 6
第三节 管理层讨论与分析 ................................................................................................................. 9
第四节 公司治理 ............................................................................................................................... 38
第五节 环境与社会责任 ................................................................................................................... 39
第六节 重要事项 ............................................................................................................................... 42
第七节 股份变动及股东情况 ........................................................................................................... 65
第八节 优先股相关情况 ................................................................................................................... 70
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................... 71
第十节 财务报告 ............................................................................................................................... 72

备查文件目录	载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章 的财务报表
	报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本 及公告原稿
	经公司负责人签名的公司2024年半年度报告文本原件

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、杭州美迪凯、美迪 凯	指	杭州美迪凯光电科技股份有限公司
实际控制人	指	葛文志
浙江美迪凯	指	浙江美迪凯现代光电有限公司，系公司一 级全资子公司
智能光电	指	美迪凯（浙江）智能光电科技有限公司， 系公司一级控股子公司
美迪凯光学半导体	指	浙江美迪凯光学半导体有限公司（曾用名： 浙江嘉美光电科技有限公司），系公司一 级全资子公司
捷姆富	指	捷姆富（浙江）光电有限公司，系公司二 级控股子公司
美迪凯（日本）	指	美迪凯（日本）株式会社，系公司二级全 资子公司
美迪凯（新加坡）	指	美迪凯（新加坡）智能光电科技有限公司， 系公司二级控股子公司
丽水美迪凯	指	丽水美迪凯投资合伙企业（有限合伙）， 系公司控股股东
美迪凯集团	指	美迪凯控股集团有限公司（曾用名“浙江 美迪凯光学技术有限公司”），系公司股 东
丰盛佳美	指	香港丰盛佳美（国际）投资有限公司，系 公司股东
景宁倍增	指	景宁倍增投资合伙企业（有限合伙），系 公司股东
丽水增量	指	丽水增量投资合伙企业（有限合伙），系 公司股东
丽水共享	指	丽水共享投资合伙企业（有限合伙），系 公司股东
海宁美迪凯	指	海宁美迪凯企业管理咨询合伙企业（有限 合伙），系公司股东
CCD	指	Charge-Coupled Device，即电荷耦合元 件，是一种用电荷量表示信号大小，用耦 合方式传输信号的探测元件
CMOS	指	Complementary Metal Oxide Semiconductor， 即互补金属氧化物半导体，指制造大规模 集成电路芯片用的一种技术或用这种技术 制造出来的芯片
CIS/SiC	指	CMOS Image Sensor，即CMOS图像传感器
半导体封测	指	将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需 求加工得到独立芯片的过程
SPI	指	Solder Paste Inspection，即锡膏检测
AOI	指	Automated Optical Inspection，即自 动光学检测
AR	指	Augmented Reality，即增强现实，通过相 关设备，在现实世界中的对象和信息之上 叠加数字信息，进行展示和互动
MR	指	Mixed Reality，即混合现实，该技术通过 相关设备，在现实场景呈现虚拟场景信息， 在现实世界、虚拟世界和用户之间搭起一 个交互反馈的信息回路，以增强用户体验 的真实感
PVD	指	Physical Vapor Deposition，即物理气相 沉积。指利用物理过程实现物质转移，将 原子或分子由源转移到基材表面上的过 程。物理气相沉积的基本方法包括真空蒸 发、溅射、离子镀等
CVD	指	Chemical Vapour Deposition，即化学气 相沉积。指化学气体或蒸汽在基材表面反 应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体 工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料 的技术
TTV	指	Total Thickness Variation，总厚度变化 量，指整个晶片的最高厚度和最低厚度之 间的差值
晶圆	指	制造半导体晶体管或集成电路的衬底，也 叫基片，由于是晶体材料，其形状为圆形， 所以称为晶圆
ToF	指	Time of Flight，飞行时间测距法，即通 过给目标连续发送光脉冲，然后用传感器 接收从物体返回的光，通过探测光脉冲的 往返时间来得到目标物距离
QFN	指	quad flat no-lead package，方形扁平无 引脚封装
DFN	指	Dual flat no-lead package，双边扁平无 引脚封装
SOT	指	SMALL OUTLING，即封装，一种表面贴装的 封装形式
CFA	指	Color Filter Array, 即彩色滤光阵列
MLA	指	Micro Lens Array, 即微透镜阵列
SAW Filter	指	即声表面波滤波器
CMP	指	Chemical Mechanical Polishing，化学机 械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技 术之一
报告期	指	2024年1月1日至2024年6月30日
元、万元、亿元	指	若无特别说明，均以人民币为度量币种

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	杭州美迪凯光电科技股份有限公司
公司的中文简称	美迪凯
公司的外文名称	HANGZHOU MDK OPTO ELECTRONICS CO.,LTD.
公司的外文名称缩写	MDK
公司的法定代表人	葛文志
公司注册地址	杭州经济技术开发区20号大街578号3幢
公司注册地址的历史变更情况	2015年4月16日注册地从杭州经济技术开发区三号路裕 园公寓9幢（西）6层A12座变更为杭州经济技术开发区 白杨街道20号大街578号。2016年12月8日，注册地从 杭州经济技术开发区白杨街道20号大街578号变更为杭 州经济技术开发区白杨街道20号大街578号3幢。
公司办公地址	浙江省嘉兴市海宁市长安镇（高新区）新潮路15号
公司办公地址的邮政编码	310048
公司网址	www.chinamdk.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代 表）	证券事务代表
姓名	华朝花	张紫霞
联系地址	浙江省嘉兴市海宁市长安镇（ 高新区）新潮路15号	浙江省嘉兴市海宁市长安镇（ 高新区）新潮路15号
电话	0571-56700355	0571-56700355
传真	-	-
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	上海证券报（www.cnstock.com）
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所 及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上海证券交易所 科创板	美迪凯	688079	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
五、 其他有关资料
□适用 √不适用


六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入	215,265,156.70	170,503,581.98	26.25
归属于上市公司股东的净利润	-50,590,047.21	-31,046,091.74	不适用
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	-40,206,151.16	-23,800,319.40	不适用
经营活动产生的现金流量净额	49,542,877.64	82,872,731.67	-40.22
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	1,411,564,151.06	1,462,847,536.48	-3.51
总资产	2,542,741,468.83	2,277,225,231.98	11.66

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年 同期增减(%)
基本每股收益（元／股）	-0.13	-0.08	不适用
稀释每股收益（元／股）	-0.13	-0.08	不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	-0.10	-0.06	不适用
加权平均净资产收益率（%）	-3.52	-2.02	减少1.5个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	-2.80	-1.55	减少1.25个百分 点
研发投入占营业收入的比例（%）	23.50	20.59	增加2.91个百分 点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、报告期营业收入较上年同期增加 26.25%，主要是微纳电子、半导体封测逐步量产，带来营业收入增长。

2、报告期归属于上市公司股东的净利润较上年同期减少 1,954.4 万元，主要是报告期持续加大研发投入，以及固定资产折旧费用增加 2,047.53 万元、相关项目陆续量产，职工薪酬支出增加 2,033.84万元。

3、经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少40.22%，主要是公司销售规模增加以及产品结构发生变化，材料采购增加，购买商品、接受劳务支付的现金增加较多。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用


八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减 值准备的冲销部分	-257,129.13
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府补助除外	394,243.14
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益	-11,198,949.42
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费
委托他人投资或管理资产的损益
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用，如安置职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	64,989.27
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	-619,572.44
少数股东权益影响额（税后）	6,622.35
合计	-10,383,896.05

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）行业情况
公司主要从事精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测、智慧终端的研发、制造和销售。

光学光电子是结合光学、电子、计算机等的科学技术，近十年来技术突破发展迅速。当今，光电科技已成为信息系统和网络系统中最引人注目的核心技术，光学光电子产业也因此获得了前所未有的广泛关注和大力发展。光学光电子技术是光学及电子信息技术的一个分支，是包含光学技术、微电子技术、材料技术、通信、计算机等多学科交叉产生的新技术。随着产品不断的推陈出新，其应用层面扩展至通讯、信息、生化、医疗、能源、民生等多个工业领域，光学光电子产业已成为备受瞩目的明星产业。未来，随着光电技术在通讯、网络、多媒体等领域扮演更加核心技术角色，光学光电子产业的发展水平将成为一个国家科技实力乃至综合实力的重要体现。

半导体行业是国家工业强盛的基石。它位于电子行业的中游， 通过集成电路板将半导体、被动元件以及模组器件连接起来，构成了智能手机等消费类电子产品的核心部件，承担信息的载体和传输功能。作为信息技术产业的核心，半导体行业是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导体行业具有下游应用广泛、技术要求高、生产工序多、投资回报周期长、风险高等特点，全球半导体行业呈现出一定的周期性，其景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。为加快推进我国半导体产业发展，国家从财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法律法规和产业政策，为半导体产业的发展创造了良好的生态环境与重大机遇。

光学光电子和半导体行业发展面临机遇的同时，也面临挑战。随着 5G、 AI、物联网、自动驾驶、 AR/ VR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国光学光电子和半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球光学光电子和半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。


（二）主要业务、主要产品或服务情况
公司主要从事精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测、智慧终端的研发、制造和销售。公司经过多年深耕，在该领域积累了丰富的经验，并拥有多项核心技术。

按照应用领域分类，公司主要有九大类产品和服务，包括半导体零部件及精密加工服务、生物识别零部件及精密加工服务、精密光学零部件、半导体声光学、半导体封测、微纳电路、微纳光学、AR/MR、智慧终端。公司产品和解决方案广泛应用于智能手机、安防监控、机器视觉、数码相机、投影仪、智能汽车、大健康、元宇宙等多个领域。 公司具备较强的实力，能够承接国际高端光学光电子产业链的业务。


1、半导体零部件及精密加工服务

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
传感器陶瓷 基板精密加 工服务	对用于CCD/CMOS传感器 的陶瓷基板进行超精密 切割加工，应用于光学 成像和生物识别领域的 光学传感器
传感器光学 封装基板	用于CCD/CMOS传感器的 光学镀膜封装基板，应 用于光学成像领域的光 学传感器
芯片贴附承 载基板	对光学玻璃基材进行晶 圆级的研磨抛光加工， 以达到高平坦度、低粗 糙度要求，最终作为生 物识别芯片切割过程中 的承载基板，应用于芯 片加工制程

2、生物识别零部件及精密加工服务

产品/服务类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
半导体晶圆光 学解决方案	结合半导体制程技术在 芯片上进行微纳米级光 学加工，目前主要应用 于新一代光学屏下指纹 识别解决方案
光学屏下指纹 识别模组用滤 光片	在近红外特定波段允许 光信号通过，避免光线 信号干扰，应用于光学 屏下指纹识别解决方案
3D结构光模组 用光学联结件	3D脸部识别用点阵投影 器中透镜和光学衍射元 件间的组装，应用于脸 部识别领域的光学传感 器

3、精密光学零部件

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
智能手机摄 像头滤光片 组立件	安装在镜座上的光学滤 光片组件，起到色差补 正、还原图像真实色彩 的作用，应用于摄像头 模组
产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
安防摄像机 摄像头滤光 片组立件	镜座上分别装有增透膜 滤光片及红外截止膜滤 光片，通过日夜时的切 换满足安防摄像机成像 对不同光线场景的需 求，应用于摄像头模组
光学低通滤 波器	利用人造水晶的双折射 特性及红外截止膜、增 透膜等消除成像时的摩 尔纹、色差补正、更好 地还原图像真实色彩， 应用于摄像头模组
红外截止滤 光片	通过红外截止膜系过滤 红外波段，还原图像真 实色彩，应用于摄像头 模组
光学波长板	利用产品的优异的透光 率和导热性，起到透光 和散热的作用，应用于 各类投影仪
吸收式涂布 滤光片	通过红外吸收式油墨过 滤红外波段，提高图像 成像质量，应用于智能 汽车等的摄像头模组
窄带滤光片	通过光学薄膜加工工艺 对特定波段起到带通且 大角度偏移量小的特 性，实现在信号传递过 程中减少信号的损失和 杂讯的干扰。

4、半导体声光学（原半导体光学）

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
超薄屏下指 纹传感器整 套光路层解 决方案	通过光路层设计，结合半 导体制程技术和光学成膜 技术，在芯片上进行微纳 米级光学加工，目前主要 应用于新一代屏下光学指 纹识别解决方案。
超薄屏下指 纹传感器整 套声学层层 解决方案	通过声学层设计，结合半 导体制程技术，在芯片上 进行微纳米级整套声学层 加工，目前主要应用于新 一代超声波3D指纹识别 解决方案。
图像传感器 （CIS）整 套光路层解 决方案	结合半导体制程技术在芯 片上进行CFA、MLA等微 纳米级光学加工，目前主 要应用于图像传感器 （CIS）光学解决方案
环境光传感 器光路层解 决方案	通过光路层设计，结合半 导体制程技术和光学成膜 技术，在芯片上实现整套 光路层及光学矩阵的加 工，主要应用于环境光传 感器光学解决方案。

5、半导体封测

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
半导体封测 （射频类）	晶圆经过值球、减薄、切 割、超声焊接、覆膜、塑 封工艺等核心制程，产品 广泛应用于通讯系统设 备、移动终端设备的半导 体芯片中。
半导体封测 （功率类）	晶圆经过减薄、背金、正 面图形化、晶圆测试、划 片、上芯、铜片贴合、塑 封、切筋、测试等工艺流 程，产品广泛用于新能 源、储能、白色家电、快 消品等领域。

6、微纳电路

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
射频滤波 器（SAW Filter）	通过膜层设计，结合半 导体制程技术和金属成 膜技术等，在衬底上进 行微电路加工，目前广 泛应用于通讯系统设 备、移动终端设备的半 导体芯片中。

7、微纳光学

产品/服务 类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
超构表 面光学 器件	face ID, 智能门锁， 扫地机器人等结构光， 3D深度感知类应用。
散光镜	扩散压印产品，应用于 汽车HUD或ToF 设 备。
MLA镜头	应用于车载地毯透镜照 明。
晶圆光 学模组	应用于医学成像镜 头,ToF 设备,光学接近 传感器。

8、AR/MR光学零部件精密加工服务

产品/服务类 型	产品 /服务用途	产品示意图	应用示意图
高折射玻璃晶 圆精密加工服 务	对高折射率、高透 过的玻璃晶圆进行 加工，实现高平坦 度及高表面光滑 度，应用于AR/MR 设备

9、智慧终端

产品/服 务类型	产品/服务用途	产品示意图	应用示意图
心电记 录仪、 心率记 录仪等 医疗器 的SMT 及组装	通过高精度硬件设备 与独特算法相结合实 时显示监测对象心 电、心率、血压、脉 率等生理参数数值

（三）主要经营模式
1.研发模式
公司始终坚持以科技（技术）创新为核心的发展战略，既有结合市场、行业发展趋势的前瞻性研究，也有针对终端产品需求的新工艺、新技术应用型开发。针对产品涉及的关键技术，依托美迪凯企业研究院下各技术中心协同开发。同时，公司与产业链上下游领先企业形成了合作研发机制，使公司能够更好地贴近客户、市场需求。另外，公司与国内多家高校院所共建合作关系，汲取多方优势共同突破行业技术难点问题。

公司依据研发流程，由市场开发中心提出需求，设计技术中心主导进行工艺流程策划，由各个技术中心进行相应关键技术的技术攻关。为提升研发效率，采用多研发环节并行开发，各技术中心协同作业的研发方式。涉及半导体技术的开发，统一由公司半导体事业建设委员会整合相关资源实施。取得的新产品、新技术、新工艺的知识产权由科技管理中心组织申报和管理。公司基于行业特征及自身经营特点，建立了较为完备的研发体系。


2.采购模式
公司建立了供应商管理、采购管理及采购流程管理制度等一套严格、完整的采购管理流程，在运营管理中心下设采购部，主要负责供应商开发、管理以及材料、设备的采购。公司根据相关产品的行业特点，确定供应链管理环境下的采购模式，通过有效地计划、组织与控制采购管理活动，按需求计划实施采购工作，具体内容为：供应商的开发与评估、采购计划的制定、实施采购。

3.生产模式
公司的产品具有定制化特点，公司采取“按订单”及“按客户需求计划”相结合确定生产计划的模式，实现高效率、低成本、高弹性的生产及交付。公司对小批量产品按照客户下达的订单组织生产；对需求量大且稳定的产品，结合客户提供的产品需求计划以及实际下达的订单，进行组织生产，公司会对一些常规的半成品进行预先库存，再根据正式订单进行后续生产、发货，提高生产效率，缩短交货时间。

4.销售模式
公司主要通过直销模式，为客户提供各类精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测、智慧终端等产品和服务。

公司主要的产品和服务存在定制化特点。公司成立以来坚持研发销售一体化，面向客户需求和下游市场趋势研发产品。公司客户在选择供应商时，需要对候选供应商进行较长周期的评估认证，并经过多轮的样品测试及现场稽核，全面考核候选供应商的产品质量、供货能力后，公司方能进入客户的《合格供应商名录》。

公司与长期合作的客户签订产品销售的框架协议，约定供货方式、结算方式、质量保证等条款；客户根据需求在实际采购时向公司发出订单，约定产品规格、数量、价格、交期等信息，供需双方根据框架协议及订单约定组织生产、发货、结算、回款。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了完整的技术创新体系，持续对各项核心技术进行更新迭代，旨在提升现有产品的技术水平和生产效率，同时不断开拓新领域的产品应用，与相关领域的领先企业共同成长。公司的核心技术具有平台特征，能够实现跨领域、多产品的广泛应用。为了支持技术研发和产品创新，公司设立了精密分析实验室，该实验室具备对物质成分、光学特性、表面形貌、内部结构以及电性等方面的全面分析能力，能够为各类新产品的研发提供精准的检测和分析服务。

经过多年的技术积累和创新，公司在精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测、表面贴装（SMT）、微纳光学等多个领域都掌握了核心技术和自主知识产权。目前，这些核心技术在各类产品中得到了具体应用，并展现出了其技术特点和先进性。以下是各项核心技术在产品中的具体应用情况及技术来源的简要概述：

序 号	核心技 术名称	核心技术的技术特点及先进性	应用产品/服 务	技术来 源
1	精密光 学	1.公司自主研发多线切割技术，可对水晶、石英、 蓝宝石、陶瓷、铌酸锂等材料进行高精度加工。 2.公司自主研发对各类材质基板进行高精度外形加 工，其中玻璃晶圆的通孔技术可实现在515*510mm 玻璃衬底上进行通孔加工，孔径深宽比40：1，最小 孔径5微米，位置度≤3微米。 3.公司自主研发各类材质晶圆衬底的研磨、抛光 （包含CMP）技术，最大加工尺寸可到30英寸，厚 度公差、面型、粗糙度等指标具有较强的市场竞争 力。 4.公司自主研发，掌握了包括真空蒸发镀膜、溅射 镀膜的PVD工艺，以及PEALD的原子层沉积、工 艺，并完成各种光学膜系设计及生产工艺开发，能 够满足精密光学及生物识别零部件等产品对精密薄 膜的要求。同时公司自主设计，结合使用新型光学 材料，进行膜层加工，可使光学器件实现降低杂 光、消除鬼影、增透的效果或实现光学光电子元器 件薄型化、消除摩尔纹、高清晰成像效果。	各类影像光学 零部件、生物 识别零部件及 精密加工服 务、AR/MR光 学零部件精密 加工服务等	自主研发
2	半导体 声光学	公司自主研发的半导体声光学相关工艺技术，通过 涂胶、光刻、显影、镀膜、Lift off、湿法蚀刻、 干法蚀刻、丝印、极化等工艺制程，直接在各类尺 寸的晶圆上叠加光学成像传输及声学传输所需的各 种介质薄膜、金属膜、有机薄膜（Color Filter 等）、微透镜阵列等整套光路层、声学层解决方 案。	超薄屏下指纹 传感器、图像 传感器、环境 光传感器等	自主研发
3	半导体 微纳电 路	公司自主研发在各类晶圆衬底上，通过涂胶、光 刻、显影、PVD（EB、IB、Sputter、Bias）、 PEALD、PECVD、HDPCVD、湿法蚀刻、干法蚀刻、 CMP、Trimming、TSV、TGV、炉管（栅氧/干氧/退火 /合金/P推阱/N推阱/D-Poly/U-Poly/TEOS工艺）、 快速退火等半导体制程，进行微纳电路加工。	射频芯片 （SAW、BAW 等）、功率器 件芯片、光感 芯片、气压传 感器芯片等	自主研发
序 号	核心技 术名称	核心技术的技术特点及先进性	应用产品/服 务	技术来 源
4	半导体 封测	通过晶圆减薄、背金、激光开槽、刀轮切割、芯片 贴合、引线键合、植球、倒装、覆膜（加真空印刷 或C Molding）、深硅刻蚀、激光诱导和分选测试等 工艺研究，成功开发了正面晶圆级封装（LGA、 WLCSP）、背面晶圆级封装（TSV、TGV）、芯片级封 装（DFN、QFN、SOT、IGBT、TO、PDFN、TOLL系 列）、Cu Clip封装等，不断提升半导体器件良好的 导电和散热性能、小型化、薄型化，能够做到真正 的无引线大电流、低功耗、高散热封装工艺。	射频滤波器、 图像传感器、 功率器件、开 关电路电源管 理、等芯片封 装	自主研发
5	表面贴 装 （SMT）	通过锡膏印刷、SPI、元件贴装、真空回流焊、波峰 焊、AOI检测等工艺研究，成功开发了电路板表面贴 装技术（SMT）。	工业相机、安 防相机、医疗 器械等	自主研发
6	微纳光 学	1、通过晶圆减薄、单面研抛、光学成膜、镭射切 割、性能测试等工艺研究，成功开发超构表面光学 器件加工技术，实现超构表面光学器件薄型化、小 型化、特定光学特性及高外观要求等特性；通过晶 圆表面PVD、涂胶、曝光、显影、刻蚀等半导体工 艺，进行超透镜（Meta Lens）加工； 2、采用灰度光刻技术完成3D 微透镜阵列母版制 作，结合晶圆级纳米压印工艺技术在基板表面实现 微结构加工，该产品结构具备高可靠性、高分辨 率、高生产率（PV≤0.3um（MLA），Ra ≤5nm）， 同时公司具有高矢高的微透镜阵列母板（透镜直径 <500um，矢高>100um）和低矢高的微透镜灰度光刻 母板的制造能力（微透镜矢高0.5um~40um）； 3、采用晶圆压纹封装工艺，并结合丝印键合工艺, 实现一种无基材晶圆级压印光学模组技术，其最小 尺寸可达1mm*1mm，PV≤1um。	生物识别零部 件、AR/VR零 部件、医疗检 测、 智慧家 居、3D深度 感知类应用等	自主研发

公司致力于光学光电子、半导体声光学、半导体微纳电路、半导体封测行业细分领域的研究和开发。始终将技术创新放在企业发展的首位，紧盯行业发展趋势，围绕客户和市场需求，战略性聚焦关键核心技术攻关，推动新知识、新技术的深度连接和耦合发力，不断丰富技术和产品路线，致力为客户提供更优质、多类型、定制化的产品及解决方案。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
杭州美迪凯光电科技股份有 限公司	国家级专精特新“小巨人”企业	2022年	光电子元器件

2. 报告期内获得的研发成果
报告期内，公司获得授权专利13项（其中发明专利2项），申请受理专利19项（其中发明专利9项）。截至报告期末，公司累计申请境内外专利317项，已经授权227项，其中有效专利207项，公司的专利涉及精密光学、半导体声光学、半导体封装、微纳光学、晶圆传感器封装等主要核心技术，并取得境内外商标6项。通过不断的技术研发和创新，以及专利和商标的取得，公司的综合实力得到了不断提升。

报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	9	2	102	29
实用新型专利	10	11	215	198
外观设计专利	0	0	0	0
软件著作权	0	0	0	0
其他	2	1	8	6
合计	21	14	325	233

3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	50,596,466.87	35,105,477.23	44.13
资本化研发投入
研发投入合计	50,596,466.87	35,105,477.23	44.13
研发投入总额占营业收入 比例（%）	23.50	20.59	2.91
研发投入资本化的比重（%）

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用 □不适用
报告期公司持续加大研发投入力度，研发折旧费用、职工薪酬、材料费用均有所增加。


研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名 称	预计总投资 规模	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或阶 段性成果	拟达到目标	具体应 用前景
1	超大尺 寸及超 薄光学 玻璃晶 元精密 抛光技 术及产 品研发	595	86.92	522.02	已量产	通过高精密研 磨、抛光技 术，结合单面 抛光工艺，实 现25寸超大尺 寸玻璃晶圆厚 度加工至0.2mm 的超薄化要 求。	智能穿 戴等领 域
2	各向异 性导电 膜镀膜 工艺研 发	362	103.61	379.82	已量产	采用PVD成膜 技术，结合黄 光、lift-off 等工艺，实现 膜层具有更稳 定的阻值，在 膜厚方向具有 良好的导电	智能手 机、消 费电 子、太 阳能电 子等领 域
						性，使得芯片 叠层连接位置 导通性良好， 有效的解决了 压合工艺中芯 片连接位置阻 值变大的问 题。
3	功率器 件芯片 微电路 层金属 膜层沉 积工艺 研发	583	218.79	619.29	已开发完 成	对于功率器件 各叠层结构及 膜层材料的设 计，通过金属 膜层沉积工艺 的调整，达到 高精度膜厚及 均匀性需求， 实现功率器件 高品质、低能 耗的目标。	消费电 子、车 载、医 疗等领 域
4	Mosfet 器件小 型化、 低功耗 封装工 艺研发	365	142.25	330.98	已量产	自主开发 Mosfet器件封 装技术，通过 引线键合、塑 封等工艺，实 现产品小型 化、薄型化、 低功耗等特 性，在保证产 品稳定性和可 靠性的同时降 低材料成本， 提升产品性 能。	电源管 理
5	关于阵 列式波 导片镀 膜工艺 的研发	235	106.6	272.77	小批量生 产	采用真空镀膜 技术，通过膜 系设计及成膜 工艺，在光学 基板表面成 膜，使产品在 可见光波段范 围内，满足光 线一定入射角 度时特定反射 值的要求，为 智能穿戴产品 提供大视场 角、高分辨率 等硬件能力	智能穿 戴等领 域
6	大尺寸 超薄玻 璃镭射 打孔工 艺的研 发	226	63.36	174.49	已量产	通过镭射切 割、腐蚀等工 艺，结合超大 尺寸玻璃加工 平台的应用， 实现在大尺寸 超薄玻璃基板 上通孔加工， 通孔散差及位 置度精度达到 微米级的要 求。	智能手 机等领 域
7	车载HUD 均光片 纳米压 印工艺 技术研 发	175	36.14	83.45	小批量生 产	研发灰度光刻 结合纳米压印 工艺，制作车 载HUD上的光 学匀光片，起 到匀光、整型 等特殊光学投 影效果。	车载等 领域
8	AR镀膜 结合丝 印技术 以及异 形切割 工艺研 发	158	96.3	206.87	小批量生 产	研发特殊光学 滤光片制作工 艺，以满足 AR/VR或医疗设 备等领域的特 殊滤光需求。	AR/VR 等领域
9	温度补 偿型声 表面波 滤波器 （TC- SAW）微 电路工 艺研发	1653	95.3	1696.68	已量产	产品采用高平 坦、低翘曲、 超薄铌酸锂晶 圆，通过单面 化学研抛工 艺、金属溅射 镀膜结合半导 体工艺及修频 工艺，实现晶 圆表面微电路 加工。	智能手 机、车 载、物 联网等 领域
10	无机物 沉积方 式实现 RGB阵列 工艺研 发	973	349.53	1182.57	客户验证	通过PVD成膜 技术，结合黄 光、Lift-off 工艺，自主开 发无机颜色膜 工艺代替传统 半导体彩胶工 艺，实现各通 道光透过率更 高、损耗小， 光选择性更	智能手 机、消 费电 子、物 联网等 领域
						好、设计灵活 等特性。
11	射频芯 片基板 研发	322	105.16	171.71	开发完成	通过线切割、 研磨、精雕、 抛光等工艺， 对LT\LN等材 质进行晶圆加 工，实现产品 的高外观、 TTV、翘曲等要 求。	射频芯 片
12	射频芯 片晶圆 SIO2层 化学抛 光工艺 研发	272	98.42	227.4	已量产	自主开发化学 抛光工艺，使 晶圆表面SIO2 膜层平坦化， 提高产品频率 一致性，提升 产品良率和性 能。	智能手 机，消 费类电 子
13	多通道 高膜厚 光路层 黄光工 艺研发	679	292.85	437.55	客户送样	通过黄光技术 开发改善胶 型，并优化各 通道膜系设计 和成膜技术， 使各通道膜层 单边拖尾＜ 1.5um，结合 Lift-off工 艺，突破涂胶 后高温镀膜和 长时间非球心 的多薄膜叠层 去胶的行业两 大难点，实现 晶圆表面无残 留。	智能手 机、车 载、医 疗等领 域
14	自然光 3D悬浮 光投影 技术研 发	215	77.66	140.14	客户送样	研发在玻璃基 板或PC 基板表 面进行彩胶图 形化加工搭配 压印MLA 实现 自然光下 3D悬 浮效果。	智能手 机等领 域
15	用晶级 压印工 艺制作 模组封 装技术 研发	87	88.58	109.4	工程验证	研发采用点胶 工艺结合压印 冲胶进行单片 镜头晶圆制作 结合丝印工艺, 键合工艺将两 片光学透镜晶	智能手 机/可穿 戴设备 等领域
						圆进行叠合； 最后通过 Recon, 压印冲 胶工艺,将单颗 TSV sensor 进 行侧壁挡墙做 黑壁加工,完成 整个模组封 装。
16	应用于 可穿戴 设备领 域微透 镜阵列 均光片 工艺技 术研发	148	94.62	109.88	工程验证	采用灰度光刻 完成MLA透镜 阵列母版加工 而后进行工作 模具加工并进 行压印,用刀轮 切割工艺搭配 AOI完成从大片 切割为小片及 外观检验，最 终采用MLA光 检机台完成最 终产品光学性 能测试，达到H 方向大广角,光 场均匀效果。	智能手 机/可穿 戴设备 等领域
17	高性能 声表面 波滤波 器(IHP SAW)微 电路工 艺研发	879	706.2	997.31	小批量生 产	采用新型散热 材料和晶圆衬 底，通过半导 体工艺、膜层 沉积工艺的设 计和优化，提 高射频滤波器Q 值，降低频率 温度系数，提 升产品散热性 能，实现射频 滤波器更好的 温度特性和更 高的能量传输 效率。	智能手 机、车 载、物 联网等 领域
18	超薄高 频石英 晶振凹 槽加工 工艺研 发	532	218.01	241.83	客户送样	采用涂胶、曝 光、显影等黄 光工艺完成透 明石英双面图 形化硬掩膜 层，之后进行 湿法酸腐蚀工 艺形成凹穴； 在硬掩膜层方 面，自主开发	通信网 络、移 动终 端、物 联网、 汽车电 子、智 能家 居、家
						PVD成膜工艺， 使用Cr膜替代 贵金属膜，降 低成本。	用电器 等领域
19	玻璃基 板激光 微孔工 艺研发	373	120.5	124.62	小批量试 生产	采用激光诱导 和蚀刻技术， 在玻璃基板上 进行高纵横比 微孔加工，使 微孔侧壁光 滑、无裂纹、 无碎屑、无应 力，可实现可 靠的金属化	2.5D/3D 晶圆级 封装、 芯片堆 叠、 MEMS传 感器和 半导体 器件的 3D集 成、射 频元件 和模 块、 CMOS 图 像传感 器 (CIS)、 汽车射 频和摄 像头模 块领域
20	心电监 测仪表 面贴片 工艺研 发	142	61.07	139.64	小批量生 产	研发心电检测 仪线路板印 刷、元件贴 装、回流固 化、波峰焊接 等工艺，实现 心电监测仪线 路板贴装后高 可靠性要求。	医疗电 子领域
21	一种 SOT23- 32排引 线框架 设计及 工艺技 术研发	45	33.53	46.57	已量产	自主设计国内 第一款 100*300mm SOT23-32排引 线框架，通过 宽排框架粘 片、焊线、塑 封、切筋等工 艺，保证产品 可靠性MSL3及 高良率要求， 并能最大限度 提升产品性能 及降低生产成 本。	车载&智 能家居 等
22	车载菲 林片彩 色图案 PVD工艺 研发	315	97.51	97.51	工程验证	通过薄膜设计 及自主研发PVD 成膜技术，实 现薄膜无针 孔、图案清 晰、品质良率 高等特点。	车载等 领域
23	BAW 滤波器 硅空腔 刻蚀工 艺研发	852	283.92	283.92	工程验证	通过自主开发 硅空腔刻蚀工 艺及其掩膜层 工艺，达到产 品设计的硅空 腔刻蚀深度及 刻蚀角度的目 标，实现BAW 滤波器信号高 质量传输性 能。	消费电 子、基 站、物 联网等 领域
24	光感器 件小尺 寸开窗 内多通 道光学 成膜工 艺研发	398	119.78	119.78	工程验证	自主研发黄光 及镀膜工艺， 对硅晶圆和玻 璃晶圆进行多 通道成膜，实 现10um左右小 尺寸开窗填孔 成膜，提升产 品对高分辨率 的需求。	传感器 等领域
25	射频滤 波器晶 圆级倒 装（晶 圆对晶 圆）工 艺的研 发	709	202.6	202.6	工程验证	自主开发射频 芯片晶圆级倒 装封装技术， 通过植金球、 超声焊接、真 空印刷等工 艺，将芯片直 接与外部电路 连接，实现产 品小型化，低 功耗，高性能 等特点。	消费类 电子， 智能手 机等领 域
26	Micro LED微显 示芯片 整套光 路层设 计开发 项目	733	265.98	265.98	工程验证	通过半导体制 程涂胶、曝 光、显影、镀 膜、湿法刻 蚀、ICP刻蚀、 IBE金属刻蚀、 无机物Lens等 工艺配合，实 现全套Micro LED的加工。	智能手 表、智 能穿戴 等领域
合 计	/	12,026.00	4,165.19	9,184.78	/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	140	135
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	14.4	18.83
研发人员薪酬合计	1312.77	1,220.91
研发人员平均薪酬	9.38	9.04

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
博士研究生	1	0.71
硕士研究生	5	3.57
本科	53	37.86
专科	48	34.29
高中及以下	33	23.57
合计	140	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
30岁以下（不含30岁）	53	37.86
30-40岁（含30岁，不含40岁）	68	48.57
40-50岁（含40岁，不含50岁）	14	10.00
50-60岁（含50岁，不含60岁）	4	2.86
60岁及以上	1	0.71
合计	140	100

（未完）