锴威特(688693):华泰联合证券有限责任公司关于苏州锴威特半导体股份有限公司2024年半年度持续督导跟踪报告
一、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况 无。 二、重大风险事项 公司目前面临的风险因素主要如下： （一）业绩大幅下滑或亏损的风险 2024年上半年（以下简称“报告期内”），公司实现营业总收入5,763.07万元，较上年同期下降56.76%；实现归属于母公司所有者的净利润为-2,807.65万元，较上年同期下降195.77%。国产器件厂商面临市场需求萎靡、行业竞争加剧等不利局面，产品价格下滑，短期看价格未出现全面上涨信号。同时叠加成本增加、研发费用等经营性费用同比提升等因素推动，公司业绩大幅下滑。未来受市场需求变化、行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响，公司的销售收入将可能面临较大幅度波动的情况，同时公司业绩还将面临原材料成本、人力成本、持续的研发投入等各方面因素影响，从而使得公司面临经营业绩下滑的风险。 （二）财务风险 1、收入持续下滑的风险 报告期内，国产器件厂商面临市场需求萎靡、行业竞争加剧等不利局面，产品价格下滑，短期看价格未出现全面上涨信号。同时叠加成本增加等因素推动，公司产品销量和价格下降明显。若未来半导体行业市场供需关系未得到有效调整或者市场竞争持续加剧导致公司不能保持产品的核心竞争力和市场竞争优势，则会对公司产品售价、销量造成进一步负面影响，并可能导致客户订单执行延缓或出现违约、主要客户流失，从而使公司面临收入持续下滑的风险。 此外，公司功率IC产品主要面向高可靠领域，客户集中度较高，且该领域客户订单在一定程度上会受到年度预算和终端需求等因素的影响。若未来客户订单延迟或取消、公司未能准确把握行业技术发展趋势或下游市场需求发生重大不利变化等，可能导致公司功率IC业务出现新客户拓展不达预期、现有客户流失等情形，从而使公司面临收入持续下滑的风险。 2、毛利率及盈利能力下降的风险 受宏观经济环境、地缘政治变局、行业周期等不利因素的扰动，报告期内公司主要产品毛利率出现一定程度下滑。随着市场需求的变化和行业技术的发展，若公司未能正确判断市场需求变化、技术水平停滞不前、未能有效控制产品成本或市场竞争格局发生不利变化，将会导致公司产品售价和成本出现预期外的波动，公司产品毛利率及盈利能力未来存在下降的风险。 3、存货滞销及减值的风险 报告期内下游市场需求持续疲软，相关产业链整体呈现去库存压力。若未来下游领域需求端持续低迷或市场环境发生其他不利变化、客户临时改变需求、竞争加剧或技术升级，或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，导致产品滞销、周转天数延长、存货积压，公司可能面临存货滞销及减值的风险。 4、应收账款增加的风险 受行业不利因素及部分客户管理体系与预算支出调整的影响，部分市场产品出现订单验收缓慢、收入确认滞后、新增订单不及预期等不利情况。若未来下游需求端持续低迷或市场环境发生其他不利变化，公司不能有效加强应收账款的催收，导致应收账款增加，则公司可能面临发生坏账的风险，进而会对公司的盈利能力产生不利影响。 5、公司期间费用增加的风险 根据公司战略发展规划，未来在新产品开发、新市场拓展以及业务布局上需要充足资金支撑公司业务发展，并且随着业务规模的扩大，研发、销售、管理成本均有所提高，财务费用也将增加，将会对公司盈利能力造成一定影响。 （三）核心竞争力风险 1、新产品研发及产业化不及预期的风险 半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点，产品技术优化升级需要持续的资源投入。由于新品研发至实现规模销售需要一定的时间周期，公司功率器件、功率IC新产品的研发进度及研发成果实现产业化都存在不确定性。如果新产品研发及产业化进度未达预期或无法在市场竞争中占据优势，公司将面临新产品研发及产业化失败的风险，前期的研发投入也将无法收回，给公司未来业务拓展带来不利影响。 2、技术泄密的风险 集成电路设计行业为技术密集型行业，核心技术是行业内企业保持领先优势的重要保障，对企业发展具有重要作用。基于多年的技术积累和研发投入，公司在功率半导体领域已形成多项核心技术，并广泛应用于自有产品中，同时公司正致力于新技术和新产品的研发。如果公司核心技术人员流失或个别人员核心资料保管不善，则可能导致公司核心技术失密的风险。若公司核心技术泄密，并被竞争对手所获知和模仿，则可能会削弱公司的竞争优势，并对公司生产经营带来不利影响。 （四）经营风险 1、晶圆委外加工及产能供应稳定性的风险 目前，公司采用Fabless经营模式，专注于芯片的设计、研发和销售环节，而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。若晶圆代工、封装测试等委外加工价格大幅上涨，或因晶圆代工厂、封装测试厂产能紧缺或工艺波动等原因影响公司产品供给，将对公司供应稳定性、盈利能力造成不利影响。若未来公司与主要晶圆供应商的合作关系发生不利变化，或主要供应商由于产能受限等原因而降低对公司的产能供给，而公司在短期内无法及时寻找新的晶圆供应商并快速获取产能形成稳定供应，将影响公司晶圆供应的稳定性，从而对公司生产经营造成不利影响。 2、供应商集中度较高的风险 目前，公司采用Fabless经营模式，专注于芯片的设计、研发和销售环节，而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。由于资金、技术等壁垒，半导体行业内符合公司技术和工艺要求的晶圆代工厂数量较少。若未来公司主要供应商出现产能受限、自身生产经营或与公司合作情况发生不利变化等情况，公司在短时间内替换供应商存在较大困难，可能导致公司不能足量、及时出货，从而对公司生产经营造成不利影响。 3、关键技术人员流失的风险 目前国内半导体企业众多，对功率半导体关键技术人员需求缺口较大，运用高薪或者股权激励等方式吸引技术人员已逐渐成为行业内的常规手段，导致行业内人员流动愈发频繁。未来，如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势或人才发展及内部晋升受限，公司对关键技术人才的吸引力将减弱，甚至可能出现现有关键技术人员流失的情形，对公司生产经营产生不利影响。 （五）行业风险 1、技术迭代风险 公司主要经营的产品包括功率器件和功率IC，两者均属于功率半导体。功率半导体行业属于技术密集型行业，不追求先进制程，产品生命周期长，较数字芯片相比迭代速度慢。从技术发展层面来看，一方面，下游客户的个性化需求不断丰富，下游应用领域对产品技术参数的要求亦不断提升，如公司无法顺应行业技术发展趋势，在产品研发中紧跟下游客户应用需求的变动方向，则有可能导致公司产品被赶超或替代。 2、市场竞争风险 目前，我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段，行业内厂商积极进行市场拓展，市场竞争逐渐加剧。公司所处行业的竞争对手较多，既包括英飞凌、安森美等国际一流功率半导体厂商，也包括华润微、士兰微等国内的知名功率半导体厂商。公司需要持续投入大量资金用于核心技术及新产品的研发，以缩小与竞争对手的差距并保持自身竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，不能根据客户需求及时推出新产品、不断优化产品性能与提高服务质量，则可能导致公司竞争能力下降，公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。 （六）宏观环境风险 1、国际贸易摩擦的风险 在经济全球化日益深化的背景之下，国际贸易关系的变化对于半导体行业景气度可能产生深远影响。部分国家通过贸易保护的手段，试图制约中国相关产业的发展；尤其是随着中美贸易摩擦的加剧，美国政府已将多家中国企业和机构列入美国出口管制的“实体清单”。若美国将公司及公司主要客户、供应商列入“实体清单”名单或采取其他经济限制手段，可能导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束，公司的正常生产经营将受到不利影响。同时，半导体产业链上下游可能出现生产和采购受限的情形，从而对公司经营业绩造成不利影响。 2、产业政策变化风险 半导体产业是国家战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强了中国半导体产业的创新能力和国际竞争力，带动
2、归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润大幅变动的主要原因系营业收入下滑、费用增加以及库存减值计提所致。 3、基本每股收益、稀释每股收益以及扣除非经常性损益后的基本每股收益大幅变动的主要原因系本期归属于上市公司股东的净利润减少所致。 4、研发投入占营业收入的比例大幅变动的主要原因系研发投入增加及营业收入下滑所致。 5、经营活动产生的现金流量净额大幅变动的主要原因系营业收入下滑导致销售回款减少及经营性支出增加所致。 五、核心竞争力的变化情况 （一）公司核心竞争力的具体体现 1、公司的研发和技术优势 公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业、“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。截至2024年06月30日，公司已获授权专利109项(其中发明专利66项、实用新型专利43项)，集成电路布图设计专有权87项。 在功率器件方面，公司积累了包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”“一种利用Power MOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源的实现方法”等多项核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达国内领先水平，使公司产品关键技术指标达到了与国际领先厂商同类产品的水平；在功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成百余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证；公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，增强了产品可靠性。 凭借高性能的产品，公司荣获由中国电子信息发展研究院（赛迪研究院）评选的第十六届（2021年度）和第十五届（2020年度）“中国芯”优秀技术创新产品奖；由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构联合评选的第十四届（2019年度）和第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖。公司还获得了知名晶圆代工厂“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项，芯片设计和工艺调试能力得到业内认可。 2、丰富的产品矩阵 公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V-1700V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-3300V SiC MOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um 600V SOI BCD和0.18um 40V BCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。公司将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。 3、广泛的客户覆盖 公司凭借丰富的产品矩阵、高性能的产品和及时迅速的服务能力，已与超过400家客户进行合作，实现了广泛的客户覆盖。近年来基于公司前期较早地布局了高可靠应用领域，不断加大功率IC和功率器件产品在高可靠、工业控制和新能源应用领域的客户开拓力度。在高可靠领域，公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所，并获得众多高可靠领域客户的高度认可；在工业控制领域，公司深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求，超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiC MOSFET等细分产品的产品研发及市场开拓取得良好成效。 （二）公司核心竞争力变化分析 报告期内，半导体产业整体复苏周期长于预期，回暖速度呈现明显分化。受数字经济、AI及新质生产力发展的推动，与数字芯片相关的晶圆代工及封测已呈恢复态势，但功率及模拟类仍不达预期。当前，国产功率器件厂商面临市场需求萎靡、行业竞争加剧等不利局面，产品价格持续下滑，短期看价格未出现全面上涨信号。同时叠加行业竞争同步加剧，受成本增加等因素影响，公司业绩恢复不及预期。 公司部分面向消费电子领域的平面MOSFET产品销量和价格下降明显，进而导致存货减值损失增加；面向高可靠领域的功率IC产品，由于集成电路处于高可靠领域产业链配套末端，公司配套产品验收程序严格和复杂、订单验收缓慢、收入确认滞后，同时新增订单不及预期。工业控制领域部分细分行业领域需求虽有所复苏，但仍不及以往需求，客户订单不及预期。 报告期内，公司期间费用占营业收入的比例为77.35%。相较行业内主要竞争对手，公司的成立时间相对较短，目前处于发展期，业务规模相对较小，面临较为激烈的市场竞争，难以获取与业内龙头企业同等的优势。公司作为研发驱动型企业，为保证公司综合竞争力，亟待利用资金及人员支持达到技术领先、规模效应和品牌效应，进一步拓展市场，提升产品的市场份额。报告期内公司持续加大产品研发和销售投入，针对高可靠、新能源、储能、智能电网等重点应用领域进行产品研发，同时加大市场布局和产品推广。因此，期间费用较上年同期有大幅提升。 公司积极应对技术创新、市场需求、行业竞争等多重挑战，继续深耕功率半导体领域，始终坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，以高质量发展为指引，坚持创新驱动和应用牵引，加大产品开发及应用研发投入，以适应行业发展的新趋势，稳妥应对不利影响，推动公司各项工作迈上新台阶。 六、研发支出变化及研发进展 2024年上半年，公司研发费用为2,498.00万元，同比增长43.58%，研发费用占营业收入的比例为43.35%。公司始终重视研发创新能力建设，持续加大研发投入，根据市场发展趋势、下游客户需求，不断拓宽产品系列，强化自主研发产品竞争力，报告期内公司稳步推进产品研发及迭代升级。 PWM控制IC方面：公司持续丰富产品线，完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑产品系列化，推出了输入电压高达100V以上同步Buck控制器、同步Boost控制器等新品。为提高电源系统效率，推出了可支持反激、QR、LLC等拓扑的同步整流驱动IC，工作频率可高达1MHz，工作电压可达300V。 功率驱动IC方面：公司推出80V 3A集成MOSFET的单芯片H桥驱动芯片，同时可支持100%占空比工作中，进一步提升系统的安全及可靠性；公司推出180V GaN专用半桥驱动芯片，工作频率高达1MHz以上。 在功率MOSFET方面，报告期内公司开发完善了沟槽MOSFET及高压超结的工艺平台优化和产品布局，开发了100V SGT工艺平台及12寸20V-40V的沟槽工艺平台，完成了650V 100A大电流的超结产品开发。SiC MOSFET方面：公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V、2600V、3300V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段，新推出2600V和3300V SiC MOSFET产品，目前产品正在客户验证中。 为优化公司研发环境，提升研发实力，报告期内公司无锡研发中心顺利完成乔迁工作，全力以赴开创新局面。此外，作为一家以人才为核心的集成电路设计企业，公司广纳优秀研发技术人才，截至2024年6月30日，公司研发人员人数增至73人，占公司总人数的比例为41.71%，其中硕士及以上学历的占研发技术人员总数的26.03%，研发技术团队规模持续扩大，人员素质不断提升。 在知识产权方面，截至2024年06月30日，公司已获授权专利109项(其中发明
公司于2024年4月10日召开第二届董事会第十二次会议及第二届监事会第七次会议，审议通过了《关于使用部分超募资金永久补充流动资金的议案》，同意使用人民币4,000万元的超募资金永久补充流动资金，保荐机构华泰联合证券有限责任公司对本事项出具了明确的核查意见，该事项已经于2024年5月8日召开的公司2023年年度股东大会审议通过，具体详见公司于2024年4月12日刊登在上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）的《苏州锴威特半导体股份有限公司关于使用部分超募资金永久补充流动资金的公告》（公告编号：2024-008）。
受市场环境变化及公司经营情况等多重因素影响，公司募集资金整体使用进度缓慢。保荐机构持续关注公司募集资金投资进度和募投项目情况，督促公司严格按照《募集资金管理办法》等相关要求，密切跟踪市场环境变化，合理安排使用计划及使用节奏。
十、上海证券交易所或保荐机构认为应当发表意见的其他事项 无。 中财网
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