[中报]银河微电(688689):2024年半年度报告（更正后）

时间：2024年10月28日 17:55:55 中财网

原标题:银河微电:2024年半年度报告（更正后）

公司代码：688689 公司简称：银河微电 转债代码：118011 转债简称：银微转债 常州银河世纪微电子股份有限公司 2024年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。


二、 重大风险提示
详情敬请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”相关内容。


三、 公司全体董事出席董事会会议。


四、 本半年度报告未经审计。


五、 公司负责人杨森茂、主管会计工作负责人李福承及会计机构负责人（会计主管人员）周浩刚声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告内容涉及的未来计划等前瞻性陈述因存在不确定性，不构成公司对投资者的实质性承诺，请投资者注意投资风险。


九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十二、 其他
□适用 √不适用
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义
公司、本公司、 上市公司、银河 微电	指	常州银河世纪微电子股份有限公司
银河星源	指	常州银河星源投资有限公司，本公司控股股东
恒星国际	指	恒星国际有限公司（Action Star International Limited），本公司股 东
银江投资	指	常州银江投资管理中心（有限合伙），本公司股东
银冠投资	指	常州银冠投资管理中心（有限合伙），本公司股东
银河电器	指	常州银河电器有限公司，本公司子公司
银河半导体	指	常州银河世纪半导体科技有限公司，本公司子公司
银河进出口	指	常州银河世纪微电子进出口有限公司，本公司子公司
银河光电	指	常州银河光电科技有限公司，本公司控股子公司
联元微科技	指	常州联元微科技有限公司，本公司控股子公司
银河寰宇	指	泰州银河寰宇半导体有限公司，本公司孙公司
优曜半导体	指	上海优曜半导体科技有限公司，本公司参股公司
澜芯半导体	指	上海澜芯半导体有限公司，本公司参股公司
数明半导体	指	上海数明半导体有限公司，本公司参股公司
英飞凌	指	Infineon Technologies.Ltd.，德国半导体设计制造商
安森美	指	Semiconductor Components Industries, LLC.，美国半导体设计制造商
罗姆	指	ROHM Co.,Ltd.，日本半导体设计制造商
德州仪器	指	Texas Instruments Incorporated，美国半导体设计制造商
意法半导体	指	STMicroelectronics NV，总部位于瑞士的半导体设计制造商
中国证监会	指	中国证券监督管理委员会
上交所、交易所	指	上海证券交易所
倒装	指	一种芯片与基板的连接技术。倒装芯片工艺是指在芯片的I/O焊盘上直 接沉积，或通过RDL布线后沉积凸块（Bump），然后将芯片翻转进行加 热，使熔融的焊料与基板或框架相结合，芯片电气面朝下。
外延	指	一种在半导体加工过程中用来制造新型半导体材料的方法，通常是在晶 体材料表面外侧沉积出具有所需性质的晶体层，形成外延层。
氮化镓（GaN）	指	氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，是一种重要的宽禁带半导 体材料。
RFID	指	RFID是Radio Frequency Identification (RFID)的简称,是一种能够 储存、发射和接 收信号的微型射频识别设备,用来识别特定的物体及其 他工作场合的自动识别技术。
分层	指	由于材料内应力的问题，容易造成不同材料的粘结面产生剥离，称为分 层。
深度学习	指	深度学习（DL，Deep Learning）是机器学习（ML，Machine Learning） 领域中一个新的研究方向，深度学习是学习样本数据的内在规律和表示 层次，这些学习过程中获得的信息对诸如文字、图像和声音等数据的解 释有很大的帮助。它的最终目标是让机器能够像人一样具有分析学习能 力，能够识别文字、图像和声音等数据。深度学习是一个复杂的机器学 习算法，在语音和图像识别方面取得的效果，远远超过先前相关技术。

第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况

公司的中文名称	常州银河世纪微电子股份有限公司
公司的中文简称	银河微电
公司的外文名称	Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写	GALAXY MICROELECTRONICS
公司的法定代表人	杨森茂
公司注册地址	常州市新北区长江北路19号
公司注册地址的历史变更情况	无
公司办公地址	常州市新北区长江北路19号
公司办公地址的邮政编码	213022
公司网址	www.gmesemi.com
电子信箱	[email protected]
报告期内变更情况查询索引	无

二、 联系人和联系方式

	董事会秘书（信息披露境内代表）	证券事务代表
姓名	李福承	岳欣莹
联系地址	常州市新北区长江北路19号	常州市新北区长江北路19号
电话	0519-68859335	0519-68859335
传真	0591-85120202	0519-85120202
电子信箱	[email protected]	[email protected]

三、 信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称	《上海证券报》《中国证券报》
登载半年度报告的网站地址	www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点	公司证券事务部
报告期内变更情况查询索引	不适用

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况
股票种类	股票上市交易所及板块	股票简称	股票代码	变更前股票简称
A股	上交所科创板	银河微电	688689	不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、 其他有关资料
□适用 √不适用
六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上 年同期增减 (%)
营业收入	416,094,772.18	329,986,288.74	26.09
归属于上市公司股东的净利润	34,841,931.47	30,523,573.88	14.15
归属于上市公司股东的扣除非经常 性损益的净利润	22,081,784.83	17,786,538.06	24.15
经营活动产生的现金流量净额	28,258,382.90	48,854,475.41	-42.16
	本报告期末	上年度末	本报告期末比 上年度末增减 (%)
归属于上市公司股东的净资产	1,297,731,339.12	1,317,708,884.61	-1.52
总资产	2,023,725,911.76	1,990,282,900.28	1.68

(二) 主要财务指标

主要财务指标	本报告期 （1－6月）	上年同期	本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益（元／股）	0.27	0.24	12.50
稀释每股收益（元／股）	0.27	0.24	12.50
扣除非经常性损益后的基本每股收 益（元／股）	0.17	0.14	21.43
加权平均净资产收益率（%）	2.64	2.37	增加0.27个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率（%）	1.66	1.38	增加0.28个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）	5.93	6.48	减少0.55个百分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少42.16%，主要系销售给客户和从供应商处采购的账期存在时间差，本期销售商品、提供劳务收到的现金略有降低，但购买商品、接受劳务支付的现金略有上升，因此经营活动产生的现金流量净流出额增加。


七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目	金额	附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产减 值准备的冲销部分	54,828.18
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务密切相关、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响	1,067,873.94
的政府补助除外
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融资产和金融负 债产生的公允价值变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益	13,660,178.06
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占 用费
委托他人投资或管理资产的损益
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生的 各项资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允价值产生的收益
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合 并日的当期净损益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次 性费用，如安置职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损 益产生的一次性影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股 份支付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的损 益
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房 地产公允价值变动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的 损益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支出	229,363.78
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额	2,252,097.32
少数股东权益影响额（税后）
合计	12,760,146.64

九、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业。公司以成为半导体分立器件领域的专业供应商和电子器件封测行业的领先制造商为目标，以客户需求为导向，依托封装测试专业技术，积极发展芯片设计、制造及应用技术。目前，公司已构建起IDM生产模式，具备一体化经营能力，能够提供一系列高适用性、高可靠性的产品及技术解决方案。公司不仅可以一站式满足客户的采购需求，更致力于为高端设计企业量身打造定制化的封装测试代工服务，助力其产品竞争力跃升。

2、主要产品或服务
公司的产品线涵盖广泛的半导体元器件，包括但不限于：小信号器件（小信号二极管、三极管、MOSFET）、功率器件（功率二极管、三极管、MOSFET、IGBT、桥式整流器、IPM）、光电器件（车用LED灯珠、光电耦合器）、电源管理IC（LDO、电压基准）、第三代半导体器件（SiC、GaN）。

这些产品广泛应用于汽车电子、工业控制、计算机及周边设备、网络通信、家用电器、适配器及电源等领域。公司不仅提供标准产品，还根据客户需求，提供定制加工服务，确保产品满足特定应用需求。

（二）主要经营模式
公司坚持以客户需求为导向，依托技术研发和品质管控能力，积极实施包括多门类系列化器件设计、芯片设计、以自主生产和委外流片代工相结合方式组织晶圆制造、多工艺平台封测生产以及销售服务的一体化整合（IDM），采用规模生产与柔性定制相结合的生产组织方式，以自主品牌产品直销为主，提供满足客户需求的产品及服务，从而实现盈利并与客户共同成长。

1、采购模式
公司采用“集中管理、分散采购”的模式，将供应链管理的规范性和适应产销需求的采购快捷灵活性有效地结合起来，并通过计划订单拉动和安全库存管控相结合的方式，达到兼顾快速交付订单和有效管控存货风险的要求。

2、生产模式
公司采用“以销定产，柔性组织”的生产模式。公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产，以实现产能的规模效应和专业化管理。同时，公司以市场为导向，努力构造并不断优化适应客户需求的多品种、多批次、定制化、快捷交付的柔性化生产组织模式。

3、营销模式
公司依托自主品牌和长期积累的客户资源，采用直销为主、经销为辅的营销模式，并利用丰富的产品种类和专业化的支持，为客户提供一站式采购服务。公司建有较强的营销团队和集客户要求识别、产品设计、应用服务、失效分析等为一体的技术服务团队，依托丰富的产品种类和专业化的技术支持，为客户提供一站式采购服务。

4、研发模式
公司坚持“自主研发、持续改善”的研发模式，致力于通过创新驱动业务发展。公司的研发活动由技术研发中心统一管理，涵盖从需求识别到产品应用服务的全过程。具体包括： （1）需求识别：深入市场，精准把握客户需求；
（2）产品设计：基于客户需求，设计创新产品；
（3）新材料导入：不断探索和应用新材料，提升产品性能；
（4）芯片设计制造：自主研发芯片，确保技术领先；
（5）器件封测：研发先进的封测技术，保证产品质量；
（6）模拟试验和验证：通过严格的测试验证，确保产品满足应用要求； （7）应用服务：提供全面的技术支持，满足客户的多样化需求。

公司的研发模式不仅注重技术创新，并且重视与高校和研究机构的合作，推动产学研深度融合。这种模式帮助公司构建了一个相互支撑、持续改进的系统性创新体系。

报告期内，公司的主要经营模式保持稳定，未来我们将继续坚持这一模式。我们相信，以技术创新为核心，积极整合资源，将有助于公司更好地满足下游产业和客户的需求。公司将持续推动业务的健康发展，确保公司在激烈的市场竞争中保持领先地位。

（三）所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业的发展阶段
公司致力于半导体分立器件的研发、生产和销售，属于新一代信息技术领域的半导体行业。

半导体行业作为信息技术产业的核心，具有显著的战略性、基础性和先导性。半导体产品主要分为分立器件和集成电路，其中分立器件在全球半导体市场规模中占据约18%-20%的比例。相较于海外成熟的半导体产业，中国的半导体行业正处于快速发展阶段，企业通过技术创新不断推动产品升级，并积极向中高端市场渗透。随着国内企业产品技术的不断提升，国产化采购趋势明显，为国内半导体分立器件企业带来了更多发展机遇。

（2）行业的基本特点
半导体分立器件是控制电流、电压和功率的关键组件，广泛应用于消费电子、工业自动化等领域。随着电子设备更新换代，对高性能、小尺寸、低功耗的需求不断增加，推动了分立器件技术的持续创新。中国作为全球制造业和电子产品消费市场的领导者，半导体产业的增长显著。根据中国半导体行业协会数据，2022年我国半导体分立器件行业整体销售规模为4,035.9亿元，同比增长15.00%，初步核算，2023年半导体分立器件市场规模约为4,100亿元。

行业未来技术发展趋势主要分三个方面：首先是新材料的应用，如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化镓（GaO）等宽禁带半导体材料，将提升功率密度和降低能量损耗；其次是智能化和物联网领域的应用，将推动电子设备向更智能、更互联的方向发展，注重功耗优化和集成度提升；再者是环保要求的影响，随着环保意识的增强，半导体分立器件行业将更加注重能源效率和生产过程的环境友好性。

（3）行业的主要技术门槛
半导体分立器件行业是技术密集型行业，涉及多个学科的综合应用。随着下游应用场景的不断更新，对产品性能、可靠性和稳定性的要求持续提升。新进入者面临较高的技术壁垒，尤其是在快速满足新需求的配套设计能力和技术服务支持方面。

2、公司所处的行业地位分析及其变化
在全球市场中，半导体分立器件市场集中度较高，国外企业凭借技术优势占据主导地位。国内市场呈现金字塔格局，第一梯队为国际大型半导体公司，第二梯队为国内少数具备IDM经营能力的领先企业，第三梯队为特定环节生产制造的企业。

公司在行业中的竞争优势主要体现在三个方面：
（1）技术积累：掌握多门类系列化器件设计、芯片设计、封装设计等核心技术； （2）市场先发优势：在车规级器件及汽车市场具有先发优势；
（3）客户认证优势：在多个领域得到知名龙头客户的长期认可。

3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 在当前的科技快速发展时代，新技术、新产业、新业态和新模式正以前所未有的速度涌现，深刻影响着全球经济的格局和企业的发展方向。报告期内，公司所处的半导体分立器件行业经历了显著的变革，这些变革不仅体现在芯片材料、工艺的进步上，也反映在封装测试技术的革新上。

首先，硅材料作为半导体行业的基石，其地位依然稳固。然而，随着科技的不断进步，新型半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）开始崭露头角。这些材料因其出色的电子迁移率、耐高温性能和能带结构，被广泛应用于高效率、高频率的电子器件中，特别是在电动汽车和可再生能源领域，展现出巨大的应用潜力。

在封测技术方面，行业正朝着更小尺寸、更高功率密度的方向发展。随着电子设备对体积和能效的严格要求，封装技术必须不断优化以适应这一需求。车规级产品因其对可靠性和稳定性的高要求，成为封测技术发展的重要方向。公司在这一领域投入了大量研发资源，通过技术创新，不断优化产品的性能和可靠性，以满足市场的需求。

此外，随着国产化趋势的加强，国内半导体行业迎来了新的发展机遇。公司积极响应国家政策，通过自主研发和技术创新，提升国产半导体产品的竞争力。特别是在工业级和车规级产品领域，公司凭借先进的技术和优质的产品，有望在国内外市场占据一席之地。

展望未来，公司将继续关注行业发展趋势，加大研发投入，推动技术创新。通过与国内外科研机构和高校的合作，公司将不断探索新的材料和工艺，以期在半导体分立器件领域取得更多的突破。同时，公司也将密切关注市场需求变化，灵活调整产品策略，以满足不同应用场景的需求。

随着5G、物联网、人工智能等新技术的快速发展，半导体分立器件行业将迎来更广阔的市场空间。公司将抓住这一历史机遇，通过不断的技术创新和产品升级，为客户提供更加优质、可靠的产品和服务，为推动行业的发展做出积极贡献。


二、 核心技术与研发进展
1. 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
报告期内，公司专注核心技术积累与新产品开发，坚持保障研发投入，2024年上半年累计投入2,469.03万元，占营业收入比例为5.93%，新增申请专利13项，其中发明专利5项。

公司扎实推进多个研发项目的实施，涵盖了芯片设计、芯片工艺、封装工艺平台基础技术研发、新封装开发、产学研关键技术开发等研发项目，具体包括用于功率模块的FRD芯片开发，6英寸平面芯片技术及产品开发，超低阻抗高散热功率贴片封装及器件开发，新能源汽车用SiC MOSFET功率器件和模块关键技术研发等。通过不断的技术创新和研发投入，公司不断提升自身的技术创新能力，强化了其在科技领域的核心竞争力。

总结而言，公司在半导体分立器件制造领域通过技术创新、工艺优化和研发项目，保持了从芯片设计到封装测试的持续技术升级，为公司的长远发展奠定了坚实的基础。

项目 所需 技术	现有核心技术		技术描述及特点	使用该项核心技 术的主要产品
封装 测试 技术	组装 技术	无压烧结 银装片技 术	开发无压真空烧结技术替代传统高温钎焊料。具 有无铅环保，热阻低，耐温特性好等优点。	功率MOSFET，SiC 器件，IGBT单管 和模块
		封装体研 磨减薄技 术	开发精密研磨抛光技术减薄封装体的上表面，产 品研磨厚度一致性好，不同材质界面层接合紧 密，是实现双面散热封装的重要技术。	功率MOSFET，IPM 模块等
		高精度高 稳定点胶 固晶跳线 技术	研发高精度高稳定度焊料点胶技术，同步导入 100%AOI实时检测胶量大小。解决了芯片贴装过 程中不稳定的问题，减少累计误差，提高固晶精 度。	功率二极管、功 率TVS等
		高密度阵 列式框架 设计技术	框架采用多排高密度化设计使每条框架产品数 增加，同时提高单位面积内的产品数，提高生产 效率及降低材料消耗。	小信号二极管、 光电耦合器、功 率二极管、桥式 整流器
		芯片预焊 技术	将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序， 在提升焊接工序效率、减少芯片沾污方面有明显 效果，焊接气孔由5%减少到3%以下，提高产品 质量及可靠性。	桥式整流器
		点胶量 CPK 自动 测量控制 技术	通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程 控制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶 量都在受控范围。	功率二极管、桥 式整流器
		功率芯片 画锡焊接 技术	通过特殊设计的高温针头在装片基岛范围内均 匀行走，达到焊锡量分布均匀平整，位置可控， 从而可达到装片后芯片四周溢锡均匀、BLT厚度 稳定可控、焊接空洞减少的目的，提升功率器件 的性能和可靠性。	功率二、三极管
		甲酸真空 焊接技术	焊接过程中通入甲酸可以将框架表面的氧化铜 还原，使框架表面无氧化层，提升塑封料与框架 之间的结合强度，降低产品分层异常。	功率二极管、桥 式整流器
		高温反向 漏电控制 技术	SKY芯片采用多层钝化和多次金属化表面，在封 装过程中增加焊接后化学清洗，极大程度降低器 件的高温漏电，提高产品的高温可靠性。	功率肖特基二极 管
		多层叠焊 技术	通过精准的锡量控制，使芯片与芯片之间焊锡层 厚度和覆盖面积控制达到最优，并实现多层芯片 的串联，从而可以实现超高耐压或特殊功能要求 的器件，实现单芯片不能实现的功能。	高压二极管、功 率二极管
		LED 倒装 封装技术	通过将LED芯片PN结输出进行特殊设计，组装 过程中将芯片直接与基板上的正负极共晶焊接， 无线焊接缩短了热源到基板的热流路径，具有较 低的热阻。同时倒装结购使产品具有更好的抗大 电流冲击稳定性和光输出性能，尺寸可以做到更 小，光学更容易匹配。	LED灯珠
		超薄超小 DFN 封装 技术	采用特殊的框架设计和制造工艺，框架的密度是 普通蚀刻工艺的2倍以上，封装采用我司先进的 超薄超小芯片的封装工艺，最终封装产品塑封体 厚度可以做到0.22mm以下，塑封体外形可以做 到市面上最小的0201外形。	小信号开关二极 管、肖特基二极 管、PIN二极管、 ESD二极管
		双面散热 封装技术	在现有的底部散热封装外形的结构基础上，通过 设计厚尺寸 clip 并用于芯片与框架之间的连 接，产品塑封后对上模面采用独特的打磨工艺获 得平整裸露Clip散热面，从而实现产品底部和 顶部均带散热功能，极大程度提高产品的散热能 力，从而提高功率产品的电流能力。	功率二极管、功 率MOS
		基于塑封 前喷涂涂 层的防分 层技术	在塑封前于芯片表面喷涂一种特殊的隔离溶胶， 该溶胶与芯片、框架及塑封料均具有有极强的粘 接力和强密着性，并可以在芯片与塑封料之间、 框架和塑封料之间起到很好的缓冲作用，因此可 有效解决芯片、框架与塑封料之间受热力容易产 生的的分层异常，提升功率器件的PCT能力和可 靠性。	功率二极管、功 率三极管、功率 MOS、SiC肖特基、 SiC MOS
		Clip 焊接 技术	在框架焊接工艺中采用clip完成芯片上表面的 电极与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降 低产品潜在失效风险。	功率二极管、桥 式整流器、功率 MOS
		大功率超 薄芯片封 装技术	尺寸越大、厚度越薄的芯片在封装过程中越容易 引起芯片破裂，我司通过采用特殊的芯片研磨切 割工艺、采用UV膜及多顶针机构进行装片、通 过 BLT 和芯片平整度管控等方法有效解决封装 过程的机械及封装应力问题。	功率MOS、IGBT
	成型 技术	Auto 模自 动封装技 术	采用对塑封模具、框架结构等设计，选用 Automolding系统实现自动塑封，生产过程中可 实现分段开合模、分段注塑等特殊应用功能，满 足有特殊注塑工艺要求产品的生产，整个过程几 乎不受作业人员操作不当影响，生产效率高，制 程受控。	小信号二极管、 小信号三极管、 功率MOS
		光耦器件 管脚一体 成型技术	通过将不同工位的刀具系统集成在同一副系统 或模具上，实现在切筋成型过程中所有工序一体 完成，极大节约设备占据场地空间以及提升工序 生产效率，同时保证产品成型稳定性。	光电耦合器、隔 离驱动
	测试 筛选 技术	基于产品 特性数据 分析的测 试技术	针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制 定测试方案，并用PAT方法筛选出产品性能离散 及有潜在失效模式的产品。	小信号二极管、 小信号三极管、 功率二极管、功 率三极管、桥式 整流器、光电耦 合器
		基于光学 影像的全 自动产品 测量技术	通过光学影像监测功能对产品的外观进行监测， 配合产线的生产设备，可以实现产品 100%外观 监测，将不符合标准产品有效剔除，检测效率极 高。	所有封装产品
		基于开尔 文接触方 式的多颗 串联高压 测试技术	通过对高压测试座的结构进行特殊优化设计并 采用带回路检测功能的高压测试仪器，从而避免 高压测试过程中因产品引脚与测试座接触不良 而发生漏测，提高测试的生产效率和剔除有效 性。	所有光电耦合器
		基于 FMEA 的测试技 术	针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的 影响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生 产过程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产 品。	所有产品
		SiC MOSFET 器 件动态反 偏筛选技 术	SiC MOSFET晶圆在现有的生产工艺过程中，栅 氧界面质量不可避免存在一定缺陷，该缺陷通过 常用的恒定栅氧反偏测试难以剔除。由于 SiC MOSFET 在实际应用中主要当作高频开关器件使 用，栅极在高电平与低电平之间会频繁切换，栅 氧会长期承受高速动态栅应力的作用，故容易引 起使Vth 退化失效。我司通过研究分析量化， 掌握了一套模拟SiC MOSFET实际应用对栅氧施 加动态早期失效产品，保证器件的出厂可靠性品 质。	SiC MOS
芯片 设计	第三 代半 导体	高性能沟 槽型 SiC MOSFET 芯 片设计	沟槽结构SiC MOS是在SiC外延层上刻蚀沟槽， 在沟槽表面通过氧化形成栅氧化层，沟槽结构可 以增加单元密度，没有 JFET 效 应，寄生电容 更小，开关速度快、损耗低。我司通过选取合适 沟道晶面并通过元胞结构优化，实现了较佳的沟 道迁移率，显著降低芯片导通电阻。	SiC MOS
	SGT- MOS 晶圆 设计	SGT 结构 中低压 MOS 芯片 设计	该工艺在传统沟槽 MOSFET 器件 PN 结垂直耗尽 的基础上引入了水平耗尽，通过改变MOSFET内 部电场的形态，将传统的三角形电场变为类似压 缩的梯形电场，从而进一步减小EPI层的厚度， 降低导通电阻Rds(on)。	中低压大功率 MOS
芯片 制造 技术	平面 芯片 制造 技术	芯片表面 多层厚金 属层制备 技术	该方法在高真空环境下，采用高压电子束轰击金 属表面，使金属熔融，形成蒸气，金属蒸气运动 附着到晶圆表面，冷凝形成薄膜，通过监控电子 膜厚仪，达到我们需要的厚度。可降低芯片金属 层的电流集聚，降低芯片的接触电阻，提升产品 可靠性。	功率二极管、功 率TVS、功率模块 等
		平面结构 芯片无环 高耐压终 端技术	特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台 面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以 采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、 CVD等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提 升产品稳定性、可靠性等目的。	功率二极管
		平面结构 芯片表面 多层钝化 技术	采用多层CVD钝化膜技术，形成芯片表面所需的 综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化， 平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备 5um~20um 的钝化介质层。多层 CVD 钝化膜起到 固定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽渗透，绝缘 电介质等功能，从而形成芯片表面所需的综合钝 化保护膜，相应产品性能稳定性优异。聚酰亚胺 钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中 遇到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定 性、可靠性。	功率二极管
		平面结构 功率稳压 二极管、 TVS 芯片 设计及制 备技术	特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免 了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问 题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达 到提升产品一致性、稳定性、可靠性的目的。	功率二极管
		大功率 TVS 产品 提升功率 技术	采用平面和台面结构相结合的方式，有效增加芯 片的接触面积，提升产品的功率能力	功率二极管
		TVS 芯片 VC 恒定制 造工艺控 制技术	采用特殊的芯片结构及深结工艺，改变单双向 TVS芯片IPP/VC曲线，在IPP范围内芯片的VC 保持在一个较小范围，提升产品功率和电压抑制 保护能力。	功率TVS二极管
		稳压管 ZZK 改善 技术	扩散时采用特殊的气体的方式，对芯片表面缺 陷、杂质浓度分布等进行有效的改善，大大降低 产品的动态电阻。	稳压二极管
	台面 芯片 制造 技术	电晕造型 技术	通过电场作用，使芯片腐蚀面圆润及平滑，降低 尖端效应，提升性能一致性。	功率二极管
		沟槽湿法 腐蚀形状 控制计划	台面沟槽造型特别是“鸟嘴”造型对器件的 VB 电压及可靠性有很大影响，我司通过工艺调整改 善芯片表面扩散浓度来调整沟槽腐蚀的速率和 方向，有效消除了原先的“鸟嘴”形状，解决原 先“鸟嘴”处的应力问题，提升了钝化效果。	功率二极管
		PEG 特殊 钝化工艺 保护应用 技术	采用一种特殊的组合工艺，结合了刀刮法、光阻 法和电泳法的优势，钝化层根据需要排序进行生 长，一方面钝化过程中不会带入其他杂质，玻璃 内部不产气泡和黑渣点，另一方面形成的玻璃钝 化层非常致密，芯片的击穿硬特性和耐高温特性 大大提高，可应用于高可靠性要求的应用场合。	高可靠性要求功 率二极管

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定主体	认定称号	认定年度	产品名称
银河微电	国家级专精特新“小巨人”企业	2023	/

2. 报告期内获得的研发成果
在半导体分立器件制造领域，公司通过不断优化和创新，实现了显著的技术进步和产品升级。以下是对公司在报告期内获得的研发成果：
（1）封装测试技术：拓展了烧结银技术和铝带焊接技术到PDFN3×3等封装应用，提升了这类小功率贴片产品的功率密度；拓展了铝带焊接技术到PDFN3×3等封装应用，提升了这类小功率贴片产品的生产效率；研发了高精度高稳定点胶固晶跳线技术，解决了芯片贴装过程中不稳定的问题，减少累计误差，提高固晶精度；封装体研磨减薄技术，产品研磨厚度一致性好，不同材质界面层接合紧密，是实现双面散热封装的重要技术。

（2）芯片设计与制造：电晕造型技术，通过电场作用，使芯片腐蚀面圆润及平滑，降低尖端效应，提升性能一致性；芯片表面多层厚金属层制备技术，降低芯片金属层的电流集聚，降低芯片的接触电阻，提升产品可靠性。


报告期内获得的知识产权列表

	本期新增		累计数量
	申请数（个）	获得数（个）	申请数（个）	获得数（个）
发明专利	5	8	73	39
实用新型专利	7	19	340	214
外观设计专利	1	0	1	0
软件著作权	0	0	0	0
其他	0	0	0	0
合计	13	27	414	253

注：
（1）“本期新增”中的“获得数”为报告期末新获得的专利数；
（2）“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。


3. 研发投入情况表
单位：元

	本期数	上年同期数	变化幅度（%）
费用化研发投入	24,690,301.85	21,398,632.49	15.38
资本化研发投入		-
研发投入合计	24,690,301.85	21,398,632.49	15.38
研发投入总额占营业收入比例（%）	5.93	6.48	减少0.55个百分点
研发投入资本化的比重（%）		-

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用

4. 在研项目情况
√适用 □不适用
单位：万元

序 号	项目名称	预计总投 资规模	本期投入 金额	累计投入 金额	进展或阶 段性成果	拟达到目标	技术 水平	具体应用前景
1	基于深度学习的 半导体封装缺陷 检测技术	30.00	0	30.39	项目完成	基于深度学习原理，设计出可以自动检测产品 塑封体外观划痕、破损、压脚、气孔不良，应 用到封装产线，提高产线制程检验能力和效 率。	国内 领先	产线外观质量的在 线监测
2	6英寸平面芯片 技术及产品开发	600.00	137.92	561.86	研发阶段	扩展6英寸平面芯片工艺平台，完成全系列稳 压二极管和高可靠度高频开关二极管芯片开 发。	国内 先进	家电、电源、智能 电表、照明、通 信、汽车电子等
3	面向平面芯片的 精密封装技术及 产品开发	1,000.00	476.10	476.10	小批量	通过高位置精度和胶量稳定性控制方法实现平 面芯片高可靠度组装，有效控制芯片的焊接外 观质量和可靠性，降低焊接空洞率，实现封装 良率和可靠性能的提升。	国内 先进	广泛应用于家电、 电源、智能电表、 照明、通信、汽车 电子等行业
4	超低阻抗高散热 功率贴片封装及 器件开发	1,600.00	896.38	896.38	小批量	开发出车规级SiC MOS器件TO-247-4L封装， 制程中采用画锡、真空回流烧结等特殊工艺提 高器件的可靠性；通过对MOS晶圆背面金属的 材质选取及厚度分布的研究，平衡芯片材料硅 与框架铜之间的热应力，实现较大尺寸芯片能 够实现共晶焊接不产生分层；通过设计特殊的 焊接工装，失效薄框架小尺寸贴片封装的铝带 焊接，降低器件的封装阻抗，提高器件的电流 功率密度。	国内 先进	汽车电子、工业自 动化
5	用于功率模块的 FRD芯片开发	330.00	130.73	130.73	研发阶段	基于公司现有的6寸晶圆产线，开发175℃结 温的LOW VF和HIGH SPEED的两个系类FRD芯 片产品，能够满足车规应用要求。	国内 先进	汽车电子、通信设 备、家用电器等行 业
6	可控硅光耦产品 开发	85.00	80.59	80.59	小批量	研究并掌握车规级光耦的产品生产技术，开发 完成BL303X系列可控硅光耦产品，相关产品能 够满足UL/VDE及车规级认证要求。	国内 先进	工业自动化、电力 系统、家庭智能 化、新能源等
7	基于芯片封装的 指纹的轻量级区 块链关键技术研 发	650.00	34.62	34.62	研发阶段	面向物联网系统的高安全性低成本的安全认证 协议及相应密码硬件加速器设计，研制一款轻 量级、高安全性的基于混沌原理的真随机数发 生器电路和无密钥存储的区块链数字签名产品	国内 先进	物联网
8	新能源汽车用 SiC MOSFET功 率器件和模块关 键技术研发	300.00	53.07	53.07	研发阶段	基于SiC MOSFET功率器件和模块设计和关键工 艺技术的攻关，形成完整的SiC MOSFET功率器 件和模块制造工艺流程，研制出1200V系列化 车规级SiC MOSFET功率器件和模块。	国内 先进	新能源、汽车电子
9	高电流密度高性 能功率整流芯片 及产品开发	900.00	521.88	521.88	小批量	完成高电压、大电流系列功率整流芯片的开 发，芯片Vbr电压≥1600V,浪涌电流能力≥ 36A/mm2,配合整流桥封装产线做出单相/三相整 流桥系列产品。	国内 先进	电源、家用电器
10	RFID超高频芯 片前端开发及其 产业化	1,000.00	103.69	103.69	研发阶段	1、开发产品为具有自主知识产权的“芯片指 纹”（物理不可克隆PUF）电路，以及基于 “芯片指纹”物理不可克隆技术（PUF）的防伪 NFC标签以及超高频的RFID标签；2、打造更 加安全、低成本的基于RFID的产业解决方案， 其中包括：开发基于PUF的RFID智能仓储系统 解决方案；开发基于PUF的RFID新零售、无人 零售系统解决方案；建立基于PUF的RFID服务 平台等。	国内 先进	仓储物流、新零 售、工业自动化
11	BLDC电机驱动 芯片	160.00	2.58	2.58	研发阶段	从无感控制方式出发，针对同一系列的BLDC电 机开发软硬件协同的电机驱动控制器。利用 UART、CAN等接口电路与外部系统通信与调 试，驱动算法部分通过优化控制算法和PWM技 术，控制器可以驱动同一系列或者参数相关的 BLDC，同时降低电机运行时的噪音，提升用户 体验。	国内 先进	家电、信息、汽车 电子以及其它特种 设备等
12	DIP4光耦产品 线扩产项目	220.00	19.11	19.11	研发阶段	通过选取高生产效率和低材料消耗的技术方案 失效DIP4光耦产品的扩产，降低该系列光耦产 品的生产成本，提高产品竞争力。	国内 先进	工业自动化、电力 系统、家庭智能 化、新能源
13	SOP4光耦新封 装产品线项目	200.00	12.36	12.36	研发阶段	利用先进的技术工艺封测体积更小、厚度更薄 的新封装产品，减少产品应用线路板的空间。	国内 先进	工业自动化、电力 系统、家庭智能 化、新能源
合 计	/	7,075.00	2,469.03	2,923.36	/	/	/	/

5. 研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况
	本期数	上年同期数
公司研发人员的数量（人）	169	164
研发人员数量占公司总人数的比例（%）	16.31	16.11
研发人员薪酬合计	1,443.93	1,189.70
研发人员平均薪酬	8.54	7.25

教育程度
学历构成	数量（人）	比例(%)
硕士研究生	7	4.14
本科	76	44.97
专科	61	36.09
高中及以下	25	14.79
合计	169	100.00
年龄结构
年龄区间	数量（人）	比例(%)
60岁及以上	2	1.18
50-60岁（含50岁，不含60岁）	7	4.14
40-50岁（含40岁，不含50岁）	42	24.85
30-40岁（含30岁，不含40岁）	87	51.48
30岁以下（不含30岁）	31	18.34
合计	169	100.00

6. 其他说明
□适用 √不适用

三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
一、技术优势
公司及子公司银河电器均被认定为高新技术企业，拥有江苏省认定的“企业技术中心”，并建立了“江苏省半导体分立器件芯片与封装工程技术研究中心”和“江苏省片式半导体分立器件工程技术研究中心”。我们多次承担省市级科研课题，并于2023年荣获“国家级专精特新小巨人”称号，这标志着我们在技术创新和行业领导力方面的重要地位。

我们的技术优势不仅体现在获得的荣誉上，更在于我们对半导体器件专业技术的深入掌握和不断的研发投入。公司已经成为国际汽车电子协会技术委员会的成员，与全球领先的半导体公司并肩，共同推动汽车电子技术的发展。

在核心器件芯片研发方面，我们进行了前瞻性的布局，投资了优曜半导体、澜芯半导体等芯片设计公司，并设立了联元微科技，加强了我们在芯片设计和制造领域的能力。此外，我们与南京大学、复旦大学等国内著名高校建立了产学研项目合作，进一步增强我们的技术领先优势。

多年的技术积累和持续的创新努力，使我们形成了众多专业工艺核心技术和授权保护的专利技术。截至2024年6月30日，公司拥有有效专利253项，其中发明专利39项，多项产品被认定为高新技术产品，这些成果的转化进一步巩固了我们在半导体分立器件行业的技术领先地位。

二、产品优势
我们的产品线涵盖了小信号器件、功率器件、光电器件及其他电子器件，掌握了20多个门类、近110种封装外形产品的设计技术和制造工艺。我们已量产上万个规格型号的分立器件，成为行业内品种最为齐全的公司之一，能够满足客户的一站式采购需求。

我们的产品不仅在功能和封装形式上具有多样性，更在质量的可靠性上得到了客户的广泛认可。我们以客户满意为核心目标，以零缺陷为品质追求，建立了良好的行业口碑和品牌形象。

随着我们在芯片设计制造能力的持续提升，我们不仅能够有效增强与客户进行产品同步开发的能力和缩短产品开发周期，而且也可以依托芯片研发制造平台，为客户研发更具个性化的定制产品，进一步增强为客户提供一揽子配套服务的能力。

近年来，我们产品研发不断向系列化、前沿化发展，开发了功率MOSFET、IGBT单管和模块、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别。我们的车规级产品严格遵循IATF16949质量管理体系标准，性能和可靠性符合AEC-Q101车规标准，广泛应用于车身控制、智能驾舱、车载照明、BMS等领域，并与多家国内外汽车零部件头部企业建立了合作关系，成功替代了多家国际知名企业的产品，近年来车规级产品的订单需求快速增长。

通过这些努力，我们不仅巩固了现有的市场地位，也为未来的可持续发展奠定了坚实的基础。我们将继续以技术创新为核心，以客户需求为导向，不断推动公司向前发展。

(二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

四、 经营情况的讨论与分析
（一）经营整体情况
公司继续坚持以市场和客户需求为导向，推动一体化经营模式构建，持续推进新品研发、产品结构优化和升级，积极优化业务结构，聚焦核心品牌客户和优质客户，不断深度挖掘需求潜能。

2024年上半年，营收净利润同比双双增长。

报告期内，公司实现营业收入 416,094,772.18 元，同比增加 26.09%；实现归属于母公司所有者的净利润34,841,931.47元，同比增加14.15%。报告期末，公司总体财务状况良好，期末总资产2,023,725,911.76元，较2023年年末增加1.68%。

（二）项目建设情况
公司规范化运作募集资金项目，严格按照相关法律法规履行信息披露义务。同时，在确保不影响募集资金投资项目的建设和有效控制风险的前提下，公司按照相关程序合理利用部分暂时闲置募集资金进行现金管理，提高了募集资金的使用效率。

报告期内，公司基于中长期发展战略，秉承谨慎投入原则，适当控制了募投项目“车规级半导体器件产业化项目”的建设进度，并经公司董事会审议对该项目达到预定可使用状态日期进行调整。目前，该项目仍在有序推进中，车规级产品获得了国内外客户的认可，公司客户群体持续增加，项目目标市场长远评估仍具备良好发展前景。

（三）技术研发情况
公司继续深化研发项目管理，提升产品开发速度和成功率。按项目特点和需求合理配置研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，通过加强研发团队建设、加强对外合作，充分利用公司研发资源，提升公司的自主创新能力和研发水平，加强研发项目质量管控，巩固和保持公司产品和技术的领先地位，聚焦公司主营业务方向。公司在重点应用领域(如电动汽车、工业控制、AI技术等)、重点客户、重点产品等维度积极布局新产品开发，强化研发成果的产业转化，分别以车规级低阻抗中低压 MOS、第三代半导体器件、IGBT 功率器件和模块、IPM 功率智能模块、新型光电器件等为产品重点，打造多职能项目团队，加快产品的市场化进程。

报告期内，公司研发投入24,690,301.85元，占营业收入比例为5.93%，取得研发成果6项，新增申请专利13项，其中发明专利5项。报告期末，公司累计拥有专利253项，其中发明专利39项。

（四）基础管理情况
报告期内，公司持续优化基础管理，深化组织架构调整与人才队伍建设，完善绩效考核与轮岗制度，增强团队凝聚力与战斗力。同时，我们注重安全生产与绿色制造，强化内部管理，推动可持续发展，通过这些举措为公司稳健运营提供了坚实保障，奠定了持续发展的良好基础。

公司以全面贯彻“GB/T19580卓越绩效管理体系”、“VDA6.3”、“ANSI/ESD S20.20”等标准体系为抓手，通过深入推进“利润中心模型”、“研发项目产业化”、“市场管理项目制”、“人效提升”“智能数字座舱”等管理方案，进一步优化了公司经营管理体系和业务流程，报告期内获得了多家客户颁发的“最佳合作奖”“杰出贡献奖”，获得了政府机构及相关部门颁发的“常州市创建和谐劳动关系先进企业”“中国半导体封测最佳品牌奖”等荣誉。

为促进规范运作，公司根据相关法律、法规和规范性文件的规定，结合公司实际情况公司通过相关审议程序，修订、制定了《独立董事专门会议议事规则》《会计师事务所选聘制度》《控股股东和实际控制人行为规范》等多项公司制度，进一步规范了公司治理结构。


五、 风险因素
√适用 □不适用
（一）核心竞争力风险
1、新产品开发风险
半导体产业的下游是各类电子电器产品，随着终端产品在例如轻薄化、高功率密度等方面要求的不断提高，以及汽车电子、工业控制等新的应用场景不断涌现，客户对公司不断优化现有产品性能并根据其提出的要求进行新产品开发的能力要求较高。在产品优化及开发过程中，公司需要根据客户要求进行器件整体设计，包括芯片的性能指标、结构，所采用的封装规格，芯片与封装的结合工艺以及成品检测方法等，对公司技术能力要求较高，同时还需保证产品具有较好的成本效益。如公司无法持续满足客户对新产品开发的要求，将造成公司业绩增长放缓，对盈利能力造成负面影响。

2、技术研发不及预期风险
公司依靠核心技术开展生产经营，只有不断推进新的芯片结构和生产工艺、封装规格、测试技术等方面的储备技术的研发，才能为公司在进行产品设计时提供更大的技术空间和多工艺平台的可能性，以便更好的满足客户需求。公司主要依靠自主研发形成核心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复合产品，技术复杂程度高，新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结果不确定性高等特点。另外，由于基础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、先导性，研发成果存在着一定的市场化效果不及预期，或被国外已有技术替代的风险。因此，如果公司的研发活动未取得预期结果，或者研发结果产业化进程不及预期，将使公司大额研发投入无法实现成果转化，影响公司经营业绩。

3、核心技术人员流失及技术泄密风险
半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产品开发均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失或发生核心技术泄密的情况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司在行业内的竞争地位。

（二）经营风险
1、原材料价格波动风险
报告期内，公司材料成本占成本的比例较高，对公司毛利率的影响较大。公司所需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供求关系、国家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动，将直接导致公司产品成本出现波动，进而影响公司的盈利能力。

2、环保风险
公司生产过程中会产生废水、废气、废渣等污染性排放物，如果处理不当会污染环境，产生不良后果。公司已严格按照有关环保法规及相应标准对上述污染性排放物进行了有效治理，使“三废”的排放达到了环保规定的标准，各项目也通过了有关部门的环评审批，但随着国家和社会对环境保护的日益重视，相关部门可能颁布和采用更高的环保标准，将进一步加大公司在环保方面的投入，增加公司的经营成本，从而影响公司的经营业绩。（未完）