清溢光电(688138):深圳清溢光电股份有限公司2023年度向特定对象发行A股股票申请文件的审核问询函的回复(修订稿)

时间:2024年10月30日 00:16:50 中财网

原标题:清溢光电:关于深圳清溢光电股份有限公司2023年度向特定对象发行A股股票申请文件的审核问询函的回复(修订稿)

关于深圳清溢光电股份有限公司 2023年度向特定对象发行 A股股票 申请文件的审核问询函的回复报告 (修订稿) 保荐人(主承销商) 广东省深圳市福田区中心三路 8号卓越时代广场(二期)北座
二〇二四年十月

上海证券交易所:
贵所于 2024年 8月 22日出具的《关于深圳清溢光电股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函》(上证科审(再融资)[2024]95号)(以下简称“审核问询函”)已收悉,深圳清溢光电股份有限公司(以下简称“清溢光电”、“发行人”或“公司”)与中信证券股份有限公司(以下简称“中信证券”、“保荐人”或“保荐机构”)、天健会计师事务所(特殊普通合伙)(以下简称“申报会计师”)、上海市锦天城律师事务所(以下简称“发行人律师”)等相关方已就审核问询函中提到的问题进行了逐项落实并回复。

如无特别说明,本回复报告中的简称或名词的释义与《深圳清溢光电股份有限公司 2023年度向特定对象发行 A股股票募集说明书》中的含义相同。本回复报告部分表格中单项数据加总与合计数据可能存在微小差异,均系计算过程中的四舍五入所致。

本回复报告的字体代表以下含义:

? 黑体(不加粗):审核问询函所列问题
? 宋体(不加粗):对审核问询函所列问题的回复
? 楷体(不加粗):引用募集说明书内容
? 楷体(加粗):审核问询函补充、修订披露内容


目录

问题 1 关于本次募投项目........................................................................................... 3
问题 2 关于融资规模与效益测算............................................................................. 57
问题 3 关于经营业绩................................................................................................. 89
问题 4 关于应收账款与存货................................................................................... 117
问题 5 关于其他....................................................................................................... 136


问题1 关于本次募投项目
根据申报材料,公司本次拟向特定对象发行A股股票总金额不超过
120,000.00万元(含本数),用于高精度掩膜版生产基地建设项目一期和高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期。

请发行人说明:(1)本次募投项目的主要考虑及募投项目之间的区别和联系;本次募投项目与主营业务、前次募投项目的区别与联系,是否存在重复性投资;(2)高精度掩膜版生产基地建设项目和高端半导体掩膜版生产基地建设项目二期、三期项目总体规划考虑、主要投资内容及资金筹集安排,是否与本次募投项目存在共用土地、房屋、产线、设备等情况,能否与本募明确区分;(3)结合前次募投项目不适用相关效益核算的原因及合理性、公司产能利用率情况、本次募投项目实施后新增折旧摊销对经营业绩的影响等,说明实施本次募投项目的必要性,前次募投项目效益核算是否与前期相关信息披露一致;(4)本次募投项目相关技术、设备是否与现有技术、设备存在重大差异,并结合本募相关技术和人员储备、本次募投产品研发进展及计划、市场需求和销售渠道、客户认证情况以及主要原材料、生产设备供应的稳定性,说明实施本次募投项目是否存在重大不确定性;(5)请结合公司现有产能及产能规划、本次募投产品的市场空间、下游行业发展现状、竞争格局、行业产能扩张及在手订单、意向订单、客户开发情况等,说明产能消化措施、新增产能消化的合理性。

请保荐机构发表明确核查意见。

回复:
发行人说明:
一、本次募投项目的主要考虑及募投项目之间的区别和联系;本次募投项目与主营业务、前次募投项目的区别与联系,是否存在重复性投资
(一)本次募投项目的主要考虑及募投项目之间的区别和联系
1、本次募投项目的主要考虑
公司主要从事掩膜版的研发、设计、生产和销售业务,产品主要应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等行业。随着下游平板显示行业及半导体行业不断升级迭代,掩膜版市场规模亦随之增加,下游客户对产品精度、制程以及交付周期及产能稳定性提出更高的要求,本次募投项目实施有助于提高公司产能,满足下游市场日益扩大的需求,确保产品交付的及时性,同时推进产品结构升级,加快掩膜版的国产化进程。

(1)产品市场规模持续增加,公司亟需扩充产能以满足下游市场需求 掩膜版是微电子制造过程中的图形转移母版,是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体,随着下游平板显示行业及半导体行业不断升级迭代,掩膜版市场规模亦随之增加。在平板显示领域,根据Omdia预测,全球平板显示需求稳步上升,预计2027年全球平板显示需求将超过3亿平米,同时中国大陆面板厂商持续增加对高世代产线或AMOLED/LTPS产线的投资,显示面板产能进一步向中国大陆转移,下游市场规模扩大使得平板显示掩膜版的需求持续上升。在半导体芯片领域,随着智能汽车、人工智能、存储器市场、物联网、5G通信等下游应用领域的快速发展,半导体芯片产业迎来新一轮的发展高潮,制程工艺节点稳步推进,半导体芯片行业需求及制程工艺节点的提升将提高对半导体芯片掩膜版的需求。

掩膜版市场需求存在一定的逆周期性,有助于掩膜版市场规模保持平稳增长。

在下游行业处于下行周期或景气度不高时,面板制造商、芯片设计公司等下游领域客户需要开发更多新产品来创造新的需求及收入,同时下游领域中竞争对手之间的竞争程度有所加剧,也提高了各个公司的研发需求,进而促进下游客户设计开发更多新产品,提高了对新的掩膜版的需求数量,从而使得掩膜版市场规模稳步提升。

为了顺应掩膜版市场规模增长的趋势,公司计划实施本次募投项目,扩充公司产品产能。报告期内,公司整体生产线产能利用率水平较高,基本处于85%以上,公司进一步提高产能有助于满足公司下游客户日益增长的订单需求,提升市场占有率。近年来,行业内公司持续扩产,报告期内国内同行业公司路维光电(688401.SH)、龙图光罩(688721.SH)均有扩产计划,筹集资金新增半导体掩膜版及高精度平板显示掩膜版生产线,公司通过本次募投项目扩充产品产能,将增强公司的竞争实力,进一步巩固公司的竞争优势及行业地位。

(2)响应行业技术发展趋势,推动公司实现产品升级、技术领先
掩膜版行业的发展主要受下游平板显示和半导体芯片等行业的发展影响,由于下游行业技术发展和对产品质量要求的提升,掩膜版产品亟需进行产品升级以响应下游行业发展趋势。在平板显示行业中,随着消费者对显示产品的要求逐步提高,手机、平板电脑等移动终端向着更高清、色彩度更饱和、更轻薄化发展。

这一趋势对平板显示掩膜版的半导体层、光刻分辨率、最小过孔、CD均匀性、精度、缺陷大小、洁净度均提出了更高的技术要求。在半导体芯片行业中,半导体芯片的制造工艺持续向精细化工艺发展,这对与之配套的半导体芯片及封装用掩膜版提出了更高要求,对线缝精度的要求越来越高,掩膜版厂商采取例如光学邻近校正(OPC)和相移掩膜(PSM)等技术来应对。

自创立以来,公司通过不断进行研发投入和产品创新,奋力追赶国际先进技术水平,主要工艺技术已处于国内同行业领先水平,本次募投项目的实施有助于公司实现产品升级、技术领先。公司本次募投项目“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”侧重于a-Si、LTPS、AMOLED、LTPO、MicroLED等应用领域平板显示高精度掩膜版的产能扩产和技术提升,有助于提高公司高精度掩膜版产能,提高公司产品的竞争力。本次募投项目“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”主要产品为覆盖250nm-65nm制程的高端半导体掩膜版,较公司现有产品制程有较大提升。通过实施本次募投项目,公司产品矩阵更加丰富,产品精度和制程较现有产品进一步提升,符合下游行业客户对掩膜版产品的需求,推动公司实现产品升级、技术领先。

(3)打破境外厂商垄断格局,加快掩膜版行业国产化进程
相比于中国掩膜版市场的巨大需求,中国大陆厂商在中高端掩膜版市场的占有率仍然较低。平板显示掩膜版方面,根据Omdia统计,在AMOLED/LTPS等应用领域,掩膜版国产化率仍较低,2022年AMOLED/LTPS等高精度掩膜版的国产化率仍只有9%,国产替代的空间巨大。根据Omdia统计数据,2023年全球平板显示掩膜版销售金额前五名分别为福尼克斯、SKE、HOYA、LG-IT和发行人,公司销售额与国际先进厂商相比仍存在一定差距。

半导体芯片掩膜版方面,其作为晶圆制造的核心材料,由于技术壁垒高,工艺难度大,国内生产厂商的技术水平及产业化能力与美国、日本等国际先进厂商相比存在较大差距,中高端半导体掩膜版产品主要仍依赖于进口。根据SEMI统计的数据,2023年日本、美国企业占据了大部分独立第三方半导体掩膜版的市场份额,其中TOPPAN、Photronics及DNP在独立第三方半导体掩膜版市场市占率分别约为38%、32%及14%,合计达84%。

公司本次募投项目产品为精度较高、制程较为先进的掩膜版,募投项目的实施有助于公司提高高精度掩膜版产能,实现更高制程节点的高端半导体掩膜版的开发及产业化,提升国内高精度掩膜版的配套能力,进一步打破境外厂商垄断格局。

2、募投项目之间的区别和联系
“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”主要产品为 8.6代及以下高精度掩膜版,应用于 a-Si、LTPS、AMOLED、LTPO、MicroLED等平板显示产品,“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”主要产品为覆盖 250nm-65nm制程的高端半导体掩膜版,本次两个募投项目之间的区别和联系主要在于:

项目高精度掩膜版生产基地建设项目 一期高端半导体掩膜版生产基地建设 项目一期 
具体内容主要产品为平板显示掩膜版,项 目建成投产后,将提高公司平板 显示掩膜版产能,提升高精度平 板显示掩膜版国产化程度及配套 水平主要产品为覆盖 250nm-65nm制 程的高端半导体掩膜版,项目建 成投产后,可提高公司半导体掩 膜版产品的技术能力和产能,优 化公司半导体掩膜版的产品结 构,提升技术和工艺水平,提升 公司在半导体掩膜版市场占有率 
联系 均属于公司在主营业务平板显示掩膜版及半导体掩膜版领域的投资 布局,与公司现有业务紧密相关,且均有利于提高公司技术水平, 实施地点均位于佛山市 
区别实施主体佛山清溢光电佛山清溢微
 项目投资 总额80,001.42万元60,464.56万元
 主要产品平板显示掩膜版半导体掩膜版
 下游领域平板显示领域半导体领域
 原材料大尺寸石英基板小尺寸石英基板
项目 高精度掩膜版生产基地建设项目 一期高端半导体掩膜版生产基地建设 项目一期
 技术难点缺陷控制能力、修补能力、大尺 寸掩膜版的加工工艺通过提升处理复杂图形的能力及 控制精度的能力从而提升制程水 平
 版图设计精细度逐渐提高,进一步增强 OPC等技术手段的运用1、套刻层数增加,图形复杂程度 越高,对图形处理等要求更高。 2、在图形设计时,加入光学邻 近效应补正技术(OPC),通过 图形补偿来抵消图形偏差,使得 曝光后的图形满足设计要求
 加工工艺CD精度、套合精度、条纹 MURA控制技术,Half Tone半 透技术等CD精度和套刻/位置精度控制技 术、OPC技术和 PSM技术
 套刻水平随着 LTPS/LTPO技术在 OLED 上的运用,套刻层数逐渐增加, 一套平板显示用掩膜版张数可达 二十多张制程工艺水平越高,套刻层精度 控制水平要求越高,套刻层数会 增加。依据客户产品要求,一套 半导体用掩膜版张数通常为十多 张到数十张不等
 技术路线按照面板行业的世代线,越高的 世代线显示面积越大二元掩膜版、二元掩膜版+OPC 技术、PSM掩膜版+OPC技术
 核心指标CD精度、TP精度、缺陷尺寸CD精度、CD均值偏差、CD均 匀性、位置精度、套刻精度、相 位差
(二)本次募投项目与主营业务、前次募投项目的区别与联系,是否存在重复性投资
1、“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”与主营业务、前次募投项目的区别和联系
(1)与主营业务的区别和联系
“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”主要为现有产品扩产,公司现有业务基础有助于项目顺利实施。公司目前的平板显示掩膜版产能集中在清溢光电母公司及合肥清溢,产品应用于 STN-LCD、a-Si、LTPS、AMOLED、LTPO、MicroLED等领域。本次募投项目产品基于公司现有的核心技术、生产经验及客户资源的积累,生产产品集中于 a-Si、LTPS、AMOLED、LTPO、MicroLED等领域的中高端平板显示掩膜版,并且在最大尺寸及设备自动化方面有所提升,有利于公司夯实核心竞争力,并在产品交付和客户覆盖等维度提升竞争力,进一步提高市场占有率。

(2)与前次募投项目的区别和联系
公司前次募投项目“合肥清溢光电有限公司 8.5代及以下高精度掩膜版项目”为生产项目,主要产品为平板显示掩膜版,应用于 a-Si、LTPS、AMOLED等平板显示产品;“合肥清溢光电有限公司掩膜版技术研发中心项目”为研发项目,对平板显示掩膜版以及半导体芯片掩膜版进行产品和技术研发。公司本次募投项目“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”主要生产 8.6代及以下高精度掩膜版,应用于 a-Si、LTPS、AMOLED、LTPO、Micro LED等平板显示产品,本次募投产品将基于前次募投项目的生产工艺、核心技术等资源,并在复用客户资源的基础上进行一定拓展,产品性能不存在重大差异。

公司本次募投项目与前次募投项目的区别与联系具体情况如下:

项目前次募投项目本次募投项目
产品类 型平板显示掩膜版 
技术指 标CD精度、TP精度、缺陷尺寸 
主要参 数CD精度=±100nm; TP精度=±500nm; 缺陷尺寸≤350nmCD精度=±100nm; TP精度=±500nm; 缺陷尺寸≤350nm
生产技 术CAM图形处理技术、光刻技术、显影蚀刻技术、CD测量技术、TP测量技术、 AOI检查分析技术、LCVD修补技术、大面积掩膜版贴膜技术、无尘净化技 术、防微震技术 
主要设 备主要设备均为光刻机、后处理设备、测量机、修补机、机械手 RGV及智能仓 储等,与前次募投设备相比,主要区别在于: (1)由于本次募投项目生产产品与公司前次募投项目产品相比最大尺寸有所 提升,因此生产设备的相关软件及系统需要进行相应的适配; (2)本次募投项目生产设备中机械手 RGV自动化程度有所提升,且新增了 智能仓储相关设备 
应用领 域a-Si、LTPS、AMOLED、LTPO、MicroLED等 
应用场 景主要应用场景为京东方、华星光电、惠科股份、深天马、信利、龙腾光电等客 户的 4.5代至 8.6代的 a-Si生产线,京东方及深天马等客户的 5.5代 LTPS生 产线,京东方、华星光电、维信诺、信利、和辉光电等 5.5代至 6代 AMOLED 生产线等; 本次募投项目拟新增 8.6代 a-Si生产线 1220*1650mm规格掩膜版应用场景 
实施地 点安徽省合肥市广东省佛山市
由上表可知,本次募投项目“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”系基于现有高精度掩膜版业务的技术经验及客户资源而设置的扩产项目,部分设备有所升级。此外,本次募投项目的实施有利于公司在华南地区布局中高端平板显示掩膜版产能,为华南地区客户提供更加贴身周到的服务,提高交期及响应速度。

2、“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”与主营业务、前次募投项目的区别和联系
(1)与主营业务的区别和联系
1)产品类别方面,本次募投项目“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”是基于现有半导体掩膜版产品的迭代升级,持续推进更高制程的半导体芯片掩膜版的开发,产品制程较现有产品有较大提升,相应地在技术指标、套刻水平、应用领域等方面亦有所迭代升级。本次募投项目产品在公司现有产品基础上的主要提升如下:

项目公司现有产品本次募投项目
制程主要为 500nm-150nm,其中 180nm及 以上产品已量产,150nm产品已实现 客户测试认证与小规模量产250nm-65nm
应用领域IC封装掩膜版、IC器件掩膜版等产 品; 产品应用于功率半导体(含第三代半 导体)、MEMS传感器、电源管理芯 片、滤波器件、射频器件、模拟 IC等 领域IC器件掩膜版产品; 产品应用领域较现有产品新增逻辑 IC、DSP芯片、Flash芯片、MCU芯 片等领域
主要产品二元掩膜版(Binary Mask)二元掩膜版(Binary Mask)、PSM掩 膜版(Phase Shift Mask)
技术指标CD精度、CD均值偏差、CD均匀性、 位置精度、套刻精度CD精度、CD均值偏差、CD均匀性、 位置精度、套刻精度、相位差
套刻水平一套半导体用掩膜版张数通常为十 多张左右高端的制程将带来更多的掩膜版数 量需求,预计一套半导体用掩膜版张 数将达到十多张到数十张不等
主要参数CD精度:±25nm(对应 150nm制程 产品)CD精度:±8nm(对应 65nm制程产 品)
如上表所示,本次募投项目相较于公司现有产品而言,制程水平有较大提升,具体而言,目前公司已实现 180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产,以及150nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证与小规模量产,而本次募投项目的产品制程水平为 250nm-65nm。

当半导体的最小线宽小于 130nm后,由于光的干涉现象的存在,传统的二元掩膜版(Binary Mask)无法对晶圆进行有效曝光,因而需要采用移相掩膜(PSM)技术,在光刻中利用相位差产生的干涉来提高图像分辨率,因此本次募投项目主要产品中新增 PSM掩膜版,且套刻水平、主要参数及应用领域均存在升级迭代。

此外,公司募投项目涉及产品制程的提升不会影响公司现有业务产品的市场需求,具体而言,目前公司业务涵盖IC封装掩膜版、IC器件掩膜版等产品,产品主要应用于功率半导体(含第三代半导体)、MEMS传感器、滤波器件、射频器件、模拟IC等半导体领域,上述半导体芯片领域并不主要依赖提高制程来提高器件性能,而是更多地通过技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的更新迭代来演化出不同功能的产品,适应各类终端应用的需求。此类半导体芯片领域中不存在明显的先进制程直接取代成熟制程的规律,而是不同制程、类型的产品针对不同的下游需求、专注于不同类型的功能,在市场上同时存在,为市场上的必需产品。

2)生产技术及生产设备方面
相较于公司现有产品,“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”对生产工序进行了升级,主要体现在 CAM图形设计、光刻、后处理及量测等四个环节,所使用的主要生产技术及生产设备均存在升级迭代,具体情况请参见“问题 1、四、(一)、2、高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”。

(2)与前次募投项目的区别和联系
“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”主要产品为半导体芯片掩膜版,建设地点位于佛山市,而前次募投项目中“合肥清溢光电有限公司 8.5代及以下高精度掩膜版项目”的生产产品为平板显示掩膜版,建设地点位于合肥市,项目生产产品、实施地点均不存在重叠。

3、是否存在重复性投资
综上所述,随着下游市场需求持续扩张,对掩膜版的需求逐步提高,本次募投项目有助于公司提高高精度掩膜版产能,实现更高制程节点的高端半导体掩膜版的开发及产业化,系公司结合市场发展趋势、技术迭代情况及自身情况进行规划,具有合理性和必要性,不存在重复性投资的情况。其中,“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”产品主要为现有产品扩产,有助于公司在产品交付和客户覆盖等维度提升竞争力,进一步提高市场占有率。“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”则是基于公司现有半导体掩膜版产品进行的迭代升级,产品制程水平、技术指标、套刻水平、应用领域等方面均有较大提升和更新迭代,有助于公司提升在半导体芯片掩膜版市场的产品竞争力和技术领先性,具有必要性。

二、高精度掩膜版生产基地建设项目和高端半导体掩膜版生产基地建设项目二期、三期项目总体规划考虑、主要投资内容及资金筹集安排,是否与本次募投项目存在共用土地、房屋、产线、设备等情况,能否与本募明确区分 (一)高精度掩膜版生产基地建设项目和高端半导体掩膜版生产基地建设项目二期、三期项目总体规划考虑、主要投资内容及资金筹集安排
2023年 12月,公司与广东省佛山市南海区人民政府签订合作协议,公司拟在佛山市南海区投资建设“高精度掩膜版生产基地建设项目”及“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”,两个项目均分为三期进行建设,公司本次募投项目“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”系“高精度掩膜版生产基地建设项目”中的第一期,募投项目“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”系“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”中的第一期。


项目高精度掩膜版生产基地建设项目高端半导体掩膜版生产基地建设项目
实施主 体佛山清溢光电佛山清溢微
总体规 划考虑项目分三期建设,合计拟投资人民币 20亿 元,其中一期拟投资 8亿元,二期拟投资 3亿元,三期拟投资 9亿元。项目分三期建设,合计拟投资人民币 15亿元,其中一期拟投资 6.05亿元, 二期拟投资 2.95亿元,三期拟投资 6 亿元。
项目高精度掩膜版生产基地建设项目高端半导体掩膜版生产基地建设项目
主要投 资内容一期项目:主要生产 8.6代及以下高精度 掩膜版,应用于 a-Si、LTPS、AMOLED、 LTPO、MicroLED等平板显示产品。投资 内容主要包括土地购置、厂房建设、设备 购置等; 二期项目:初步规划拟新增净化房面积, 购置生产设备以扩充产能; 三期项目:尚未有初步规划,后续公司将 根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定 推进。一期项目:主要生产产品为覆盖 250nm-65nm制程的高端半导体掩膜 版。投资内容主要包括土地购置、厂房 建设、设备购置等; 二期项目:初步规划拟新增净化房面 积,购置生产设备以扩充产能; 三期项目:尚未有初步规划,后续公司 将根据宏观环境、市场趋势等情况综合 确定推进。
资金筹 集安排一期项目:拟通过向特定对象发行股票募集资金、自有资金、自筹资金 二期项目:自有资金、自筹资金 三期项目:自有资金、自筹资金 
注:项目投资规模等均为计划数或预计数,并不代表公司对未来业绩的预测,亦不构成对股东的业绩承诺。

(二)是否与本次募投项目存在共用土地、房屋、产线、设备等情况,能否与本募明确区分
1、是否与本次募投项目存在共用土地、房屋、产线、设备等情况
(1)高精度掩膜版生产基地建设项目二期
高精度掩膜版生产基地建设项目二期与本次募投项目高精度掩膜版生产基地建设项目一期的土地、房屋、产线、设备情况如下:

项目是否共用
土地、房屋两个项目将共用土地、房屋
产线、设备两个项目的关键工序如光刻工序不存在设备共用情 形,后端工序存在部分设备共用情形。 后端工序共用设备情形在掩膜版生产企业较为常见。
(2)高端半导体掩膜版生产基地建设项目二期
高端半导体掩膜版生产基地建设项目二期与本次募投项目高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期的土地、房屋、产线、设备情况如下:

项目是否共用
土地、房屋两个项目将共用土地、房屋
产线、设备两个项目的关键工序如光刻工序不存在设备共用情 形,后端工序存在部分设备共用情形 后端工序共用设备情形在掩膜版生产企业较为常见。
(3)高精度掩膜版生产基地建设项目三期和高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期
截至目前,高精度掩膜版生产基地建设项目三期、高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期具体实施内容仍有待宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

2、本次募投项目与二期、三期项目可明确区分,本次募投项目可单独核算效益
本次募投项目与二期、三期项目可明确区分,本次募投项目的效益可单独核算,详细分析情况如下:
二期项目与本次募投项目在关键设备投资、募集资金的存放及使用等方面的具体区分情况如下:
(1)关键设备投资可明确区分
二期项目初步规划拟新增净化房面积,购置生产设备以扩充产能,与本次募投项目在关键工序如光刻工序不存在设备共用,后端工序存在部分设备共用情形。

因公司不同工序节点的设备差异,关键设备如光刻设备和后端设备并非一一匹配,公司初步规划在后端设备如测量机、涂胶机、修补机等存在共用情形,以提高该部分共用设备的产能利用率,使各工序节点上的各设备配比给更加科学,提高生产效率,最大程度提高资金利用效率。

后端工序共用设备情形在掩膜版生产企业较为常见,根据路维光电首次公开发行披露,其募投项目高精度半导体掩膜版与大尺寸平板显示掩膜版扩产项目中,新建的G8.5平板显示大尺寸掩膜版产线将与成都路维原有产线共用部分后端制程设备。

公司具备成熟的设备管理系统和完善的设备管理机制,确保募投项目设备与二期、三期设备可明确区分。

(2)募集资金的存放及使用可明确区分

在募集资金存放与使用方面,公司已根据相关法律法规制定了《募集资金管理制度》,执行了健全有效的募集资金运用相关内控制度,公司将根据募集资金管理制度将本次募集资金存放于独立的募集资金专户,实施“专款专用”的原则,在制度上确保本次募集资金存放、投入及使用可明确区分。

本次募集资金到位后,公司将严格根据法律法规及内部制度的规定,募集资金进行专户存储,签订《三方监管协议》并接受保荐机构的监督,及时履行董事会和股东大会审批程序和信息披露义务。

上市公司内部审计部门对募投项目资金使用情况进行定期的内部审计工作,监督其独立核算情况。

(3)本次募投项目可独立进行财务核算及效益核算
公司在做本次募投项目效益测算时,采用独立测算的方式,本次募投项目经济效益可与二期、三期项目明确区分。同时公司后续将对募投项目及二期、三期项目独立实施财务核算,确保募投项目相关的收入、成本、费用等可与二期、三期项目明确区分。公司是定制化、单件式的销售及生产模式,公司内部的销售订单和生产订单通常都是单件式,一一对应。在财务核算方面,收入与成本均可按照公司内部订单进行归集,因此能在不同项目之间有效区分,从而确保募投项目经济效益可明确区分。详细分析如下:
1)收入方面,本次募投项目产线可直接独立生产,依据其生产的销售订单计算收入,与二期、三期项目产线相关收入可明确区分。

2)成本方面,公司以生产订单为成本核算对象,按照生产订单归集直接材料、直接人工和制造费用。

具体而言,由于公司的销售订单和生产订单通常都是单件式,直接材料可按生产订单的领料直接归集;直接人工和制造费用按照成本中心进行归集,每台主要生产设备(如光刻机、测量机、后处理设备、修补机等)均为一个直接成本中心,公司可按照生产工单情况、设备运行的系统数据记录在每台主要生产设备上进行成本分摊;其他相关辅助生产部门(如供水部、供电部等)均为一个间接成本中心,最终可按照成本中心完成每张生产订单的成本分摊。

3)期间费用方面,销售费用、管理费用按照募投项目收入占整体收入的比例进行分摊;研发费用按研发项目归集,与募投项目相关的研发项目投入直接归集于募投项目,公共研发项目投入比照销售费用、管理费用按照募投项目产线收入权重比例进行分摊。

综上所述,本次募投项目均可独立核算,与二期、三期项目明确区分,确保募投项目经济效益可明确区分。上市公司拥有相对成熟的内控体系,未来亦将据此对募投项目与二期、三期项目进行严格区分及内控完善,对于募投项目与二期、三期项目独立实施财务核算。同时,上市公司将严格履行法律法规及公司《募集资金管理制度》相关规定,自觉接受监督、履行信息披露义务。

三、结合前次募投项目不适用相关效益核算的原因及合理性、公司产能利用率情况、本次募投项目实施后新增折旧摊销对经营业绩的影响等,说明实施本次募投项目的必要性,前次募投项目效益核算是否与前期相关信息披露一致 (一)前次募投项目不适用相关效益核算的原因及合理性、前次募投项目效益核算是否与前期相关信息披露一致
1、前次募投项目不适用相关效益核算的原因及和合理性
(1)合肥清溢光电有限公司8.5代及以下高精度掩膜版项目
公司首次公开发行股票时针对募投项目“合肥清溢光电有限公司8.5代及以下高精度掩膜版项目”进行了效益测算,但未在首次公开发行阶段招股说明书中披露具体的详细测算,仅披露了募集资金用途、项目的可行性、项目投资构成、项目实施计划及进度、项目备案环评及用地情况等相关内容。

根据公司内部关于前次募投项目测算,“合肥清溢光电有限公司8.5代及以下高精度掩膜版项目”的总体效益指标为总投资收益率为12.1%,税后投资回收期为8.4年,税后内部收益率11.3%,平均指标为平均实现净利润约为4,950.00万元。

由于该项目前提假设基础为项目建设期2年,运营期10年。该项目于2021年4月达到预定可使用状态,2021年5月投产后,尚处于运营期,故暂无法按照项目完整生命周期对上述内部预计总体效益指标进行测算。

截至2024年6月30日,该项目产能持续提升、效益持续优化,逐步达到并超过项目预计平均指标,项目运行情况良好。截至2024年6月30日,公司前次募投项目的净利润具体情况如下:
单位:万元

实际投资项目 承诺效 益最近三年实际效益(净利润)截止日累 计实现效 益是否达 到预计 效益   
序号 项目名称        
   2021年2022年2023年2024年 1-6月  
1合肥清溢光电有限公 司 8.5代及以下高精 度掩膜版项目不适用-2,994.122,526.086,150.583,158.668,841.20不适用
2合肥清溢光电有限公 司掩膜版技术研发中 心项目不适用不适用不适用不适用不适用不适用不适用
“合肥清溢光电有限公司8.5代及以下高精度掩膜版项目”预计平均每年可实现净利润约为4,950.00万元。前次募投项目“合肥清溢光电有限公司8.5代及以下高精度掩膜版项目”于2021年5月建成投产后,2022年处于产能提升、客户拓展、产品结构优化阶段,因此2021年、2022年实现净利润低于4,950.00万元。2023年以来,项目运行良好,产线产能利用率较高,客户拓展进度符合预期且产品结构得到进一步优化,2023年实现的净利润6,150.58万元达到并超过项目预计的平均净利润4,950.00万元,2024年1-6月净利润情况良好,为3,158.66万元。

(2)合肥清溢光电有限公司掩膜版技术研发中心项目
公司前次募投项目“合肥清溢光电有限公司掩膜版技术研发中心项目”使用募集资金购置部分研发设备及部分检测设备,对平板显示掩膜版以及半导体芯片掩膜版进行产品和技术研发,该项目不直接产生效益,未承诺效益,不适用效益测算。

综上所述,公司首次公开发行股票时,根据业务实际情况、市场发展情况、新产品投产预期等因素进行了“合肥清溢光电有限公司8.5代及以下高精度掩膜版项目”的效益预计,但未在首次公开发行招股说明书中披露详细的具体测算,且项目尚处于运营期,暂无法按照项目完整生命周期对预计效益指标进行测算,2023年该项目已实现的实际净利润高于预计的平均净利润,且2024年1-6月实现净利润情况良好。“合肥清溢光电有限公司掩膜版技术研发中心项目”为研发项目,不直接产生效益,不适用效益测算,具有合理性。

2、前次募投项目效益核算是否与前期相关信息披露一致
在前期首次公开发行股票时,公司未在首次公开发行阶段招股说明书中披露具体的详细测算,仅披露了募集资金用途、项目的可行性、项目投资构成、项目实施计划及进度、项目备案环评及用地情况等相关内容。

在本次向特定对象发行A股股票的过程中,公司为更好展示前募“合肥清溢光电有限公司8.5代及以下高精度掩膜版项目”的运作情况和实现效益,对实现的净利润进行了说明分析。

(二)下游市场需求旺盛,公司产能利用率处于较高水平
报告期内,公司产能利用率情况如下所示:

公司2024年 1-6月2023年度2022年度2021年度
发行人(平板显示及半导 体芯片掩膜版)86.72%86.97%86.80%87.46%
其中:平板显示掩膜版84.79%86.77%87.48%86.30%
半导体芯片掩膜版92.49%87.61%83.41%96.11%
报告期内,公司下游行业发展迅速,对掩膜版的需求旺盛,公司平板显示及半导体芯片掩膜版整体产能利用率较高,分别为87.46%、86.80%、86.97%及86.72%,均为85%以上,与行业可比公司相比处于较高水平,由于掩膜版产品为定制化产品,根据订单需求,需要较为频繁地转换生产工艺,并对生产线进行调试,考虑到调机测试以及生产轮班需要消耗一定时间,公司整体生产线产能利用率水平较高。随着下游客户需求的持续增长及掩膜版市场空间的逐步扩大,公司产能的进一步提高有助于公司提高市场地位及市场占有率,因此本次募投项目具有必要性。

(三)本次募投项目实施后新增折旧摊销对经营业绩的影响
假设募投项目实施进度按照预定规划安排推进,本次募投项目实施后,公司折旧摊销金额将有所增长,但预计将保持在一定范围内,对公司未来经营业绩的影响可控,具体情况如下:
单位:万元

项目2025年2026年2027年2028年2029年 
本次募投项目新增折旧摊 销额(a)429.003,728.8410,306.2810,306.2810,306.28 
对营业收入的影响 (注:现有营业收入根据发行人 2024年 1-6月披露金额年化得到,并假设未来保持不变)      
现有营业收入(b)112,178.98112,178.98112,178.98112,178.98112,178.98 
募投项目预计新增营业收 入(c)5,859.5441,013.3657,573.9462,371.0367,170.86 
预计营业收入(d=b+c)118,038.52153,192.34169,752.92174,550.01179,349.85 
新增折旧摊销占预计营业 收入比重(a/d)0.36%2.43%6.07%5.90%5.75% 
对净利润的影响 (注:现有净利润根据现有营业收入乘以净利率得出,净利率根据对未来产品市场竞争情 况、需求趋势等因素的不同预期进行了不同的情景假设)      
中性假 设:净 利率维 持当前 水平 (即 2024年 1-6月净 利率)净利率(e)15.85%15.85%15.85%15.85%15.85%
 现有净利润 (f=b*e))17,781.5517,781.5517,781.5517,781.5517,781.55
 募投项目预计 新增净利润 (g)-869.085,277.719,045.439,754.0514,762.95
 预计净利润 (h=f+g)16,912.4723,059.2626,826.9827,535.6032,544.50
 预计净利润同 比增长率-4.89%36.34%16.34%2.64%18.19%
 新增折旧摊销 占预计净利润 比重(a/h)2.54%16.17%38.42%37.43%31.67%
保守假 设:净 利率在 当前水 平上持 续下降净利率(e)14.00%13.00%12.00%11.00%10.00%
 现有净利润 (f=b*e))15,705.0614,583.2713,461.4812,339.6911,217.90
 募投项目预计 新增净利润 (g)-869.085,277.719,045.439,754.0514,762.95
 预计净利润 (h=f+g)14,835.9819,860.9822,506.9122,093.7425,980.85
 预计净利润同 比增长率-16.57%33.87%13.32%-1.84%17.59%
 新增折旧摊销 占预计净利润 比重(a/h)2.89%18.77%45.79%46.65%39.67%
旧摊销金额增加,但随着募投项目建成投产带来的营业收入和净利润,公司总体经营规模将会持续上升,将有效提升公司的产业化、研发和测试能力,提高公司的市场竞争地位,预计将在一定程度上覆盖募投项目折旧及摊销的影响。根据假设测算,2025年由于募投项目仍处于建设期,公司净利润可能有所下滑,随后基本处于增长的趋势,即使在保守假设情况下,公司每年净利润仍能保持在一定水平。

上述假设性测算不代表发行人对公司经营情况及财务状况的任何判断,亦不构成任何盈利预测。

综上所述,在公司主营业务、经营模式、外部环境、募投项目实施进度等未发生重大不利变化情况下,募投项目新增折旧及摊销预计将保持在一定范围内,对公司未来经营业绩的影响可控。

但如果行业或市场环境发生重大不利变化,募投项目无法实现预期效益,募投项目相关短期的折旧、摊销、费用支出的增加则可能导致公司短期内利润出现下降的情况,发行人已在募集说明书“重大事项提示、二、(四)新增资产折旧摊销导致净利润下降的风险”及“第六节、三、(四)新增资产折旧摊销导致净利润下降的风险”披露相关风险如下:
“公司募投项目投资规模较大,且主要为资本性支出。本次募集资金投资项目建成后,公司固定资产、无形资产等资产规模将大幅度增加,每年公司将新增折旧摊销费用,经测算,假设公司 2025年至 2029年净利率在当前水平上持续下降,分别为14.00%、13.00%、12.00%、11.00%和10.00%,则对应期间公司新增折旧摊销占预计净利润比重分别为2.89%、18.77%、45.79%、46.65%和39.67%,投产初期净利润可能有所下滑,随后基本处于增长的趋势,即使在保守假设情况下,公司每年净利润仍能保持在一定水平。但公司募投项目建成并达产尚需一定周期,募集资金投资项目亦可能不能如期达产或者募集资金投资项目达产后不能达到预期,都将综合导致盈利水平不足以抵减因资产增加而新增的折旧摊销费用,特别是在投产初期,募集资金投资项目尚未达产,而同期新增的折旧摊销等成本增加时,公司将面临因折旧摊销费用增加而导致净利润下降的风险。

上述假设性测算不代表发行人对公司经营情况及财务状况的任何判断,亦不构成任何盈利预测。”
(四)本次募投项目的必要性
综上所述,公司首次公开发行股票募投项目“合肥清溢光电有限公司8.5代及以下高精度掩膜版项目”实现净利润情况良好,体现了公司产品的市场认可度,本次募投的实施有利于公司继续深耕市场及客户资源。随着下游平板显示和半导体芯片领域的迅速发展,对掩膜版的需求持续增加,报告期内公司产品产能利用率保持在较高水平,公司亟需扩张产能以满足下游客户对掩膜版的需求。因此,本次募投项目有助于公司抓住下游行业对掩膜版需求持续增长的机会,扩大公司产品产能并提高产品技术水平,提高产品竞争力和市场地位,具有必要性。最后,公司本次募投项目新增折旧及摊销预计将保持在一定范围内,对公司未来经营业绩的影响可控。

四、本次募投项目相关技术、设备是否与现有技术、设备存在重大差异,并结合本募相关技术和人员储备、本次募投产品研发进展及计划、市场需求和销售渠道、客户认证情况以及主要原材料、生产设备供应的稳定性,说明实施本次募投项目是否存在重大不确定性
(一)相关技术、设备是否与现有技术、设备存在重大差异
1、高精度掩膜版生产基地建设项目一期
在技术方面,“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”与公司现有平板显示掩膜版技术不存在重大差异,公司已基本具备本次募投项目相关技术,未来公司将持续根据行业发展趋势、客户需求变更情况进行技术研发及创新,确保募投项目顺利实施。在设备方面,“高精度掩膜版生产基地建设项目一期”主要生产设备与公司现有设备不存在重大差异,其差异主要在于生产自动化程度的提高,具体而言,本次募投项目购置的机械手RGV设备传输效率更高,并新增自动化设备用于光刻及检修等生产工序,且可依据公司自身生产节奏进行优化,改进自动化系统,提高生产线运行稳定性、降低污染,从而减少缺陷,并提高生产效率;此外,本次募投项目还投入了自动化程度更高的仓储设备。

2、高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期
相较于现有产品,“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”产品的制程水平有所提升,主要产品为覆盖250nm-65nm制程的高端半导体掩膜版,本募投项目所使用的技术及设备均存在升级迭代。技术方面,公司技术储备充足且正逐步推进储备技术的全环节批量应用,在募投项目的关键技术环节已深入布局并取得突破,公司具备成熟的市场开发基础与实践经验,在本次募投项目相关制程开发方面不存在重大不确定性;设备方面,公司与主要设备供应商保持长期稳定的合作关系,已启动本次募投项目相关设备采购工作,已基本完成设备采购合同条款的谈判或合同的签署,募投项目设备采购不存在重大不确定性。

(1)技术方面
1)本次募投项目在技术方面的升级
在技术方面,本次募投项目所使用的生产技术在现有生产技术的基础上进行了升级,主要体现在CAM图形设计、光刻、后处理及量测等四个环节,具体的差异如下所示:

序号工序生产技术本次募投项目技术与现有技术的差异
1图形设 计CAM技术在原有 CAM图形处理技术基础上增加 OPC技术, 主要原因系掩膜版上CD精度及最小线宽需要随着制 程水平的提高而缩小,对应到晶圆上会出现曝光图形 边缘的分辨率降低的情况,因此需要通过掩膜版设计 图形进行再次加工,利用 OPC技术进行图形补正来 抵消图形偏差,从而控制精度,满足客户在晶圆上的 最终要求
2光刻光刻技术1、在原有激光光刻技术基础上,增加电子束光刻技 术,以满足 130nm及以下工艺节点掩膜版的制作要 求;2、增加二次曝光技术,以满足 PSM掩膜版的制 作要求,主要原因系 PSM掩膜版相较于原有二元掩 膜版增加二次光刻、二次显影、二次蚀刻、二次清洗 等工序
  涂胶技术增加了涂胶技术,主要原因系 PSM掩膜版相较于原 有二元掩膜版增加涂胶工序
3显影蚀 刻显影蚀刻技术在原有湿法蚀刻技术基础上增加干法蚀刻,从而提高 CD精度和最小线宽
  清洗技术本次募投项目清洗技术可满足更高制程工艺节点产 品的清洗要求
4量测缺陷修补技术在原有缺陷修补(激光)技术基础上增加了缺陷修补 (电子束)技术
序号工序生产技术本次募投项目技术与现有技术的差异
  修补仿真技术增加了修补仿真技术
  测量技术在原有 CD测量技术、位置精度测量技术基础上增加 相位测量技术
  缺陷检测技术本次募投项目缺陷检测技术可满足更高工艺制程节 点的技术要求
2)募投项目相关技术情况、研发难点及公司拟采取措施
公司针对本募投项目已开展了相关技术研发工作,已储备经验丰富的研发骨干人员,研发团队具备丰富的技术攻坚经验及可靠的研发能力,研发流程有序推进中,针对研发中的技术难点,公司已制定详细且明确的解决措施并具备相关技术储备,通过利用大学院校、科研院所的设备进行关键技术及工艺的验证,公司已基本具备本次募投项目相关技术及工艺,待募投项目相关生产设备到场后,公司将进行设备与技术的同步调试、验证及量产,确保相关储备技术的顺利应用,该募投项目的实施不存在重大不确定性。本募投项目涉及的相关技术、研发难点及应对措施情况如下:

序 号生产技 术现阶段公司情况研发难点是否已攻克研发难点/拟采 取措施
1CAM技 术目前公司能够处理 130nm及以上的图形 及简单的基于规则表 的光学邻近效应校正随着IC制程节点的 提升,图形数据量成 几何级数的提升,且 图形已经在硅片光 刻机的光学分辨率 附进,产生严重的衍 射效应,需要进行反 向补偿正在逐步提升相关技术,目 前公司已经完成CD Map(关 键尺寸误差补偿图)、 Corner enhancement(角部 增强)、 linewidth linearity correction(线 宽线性补偿)、 pattern density correction(图形 密度校正)等 Mask processing correction的 研究开发,后续拟增加图形 处理工作站及相关处理软 件并进行应用软件开发
序 号生产技 术现阶段公司情况研发难点是否已攻克研发难点/拟采 取措施
2光刻技 术激光光刻技术方面, 目前公司技术可满足 130nm及以上工艺节 点掩膜版的做作要 求;电子束技术方面, 公司与相关院校合 作,进行电子束曝光 实验验证,同时进行 与PSM相关的二次曝 光技术的研发目前的光刻机使用 的是激光光源,光点 太大,需要纳米级别 的电子束作为绘画 笔,相关的电子束散 射及邻近效应问题 会降低绘画精度正在逐步提升相关技术,公 司已与相关院校进行电子 束曝光实验验证,二次曝光 技术实验已经完成,后续公 司将引入电子束光刻机,建 立光刻及相配合的显影蚀 刻工艺和相关流程
3涂胶技 术现阶段公司已掌握平 板显示掩膜版涂胶相 关技术,正在进行半 导体掩膜版涂胶技术 开发控制光刻胶的均匀 性和缺陷公司已掌握平板显示掩膜 版涂胶相关技术并进一步 利用在合肥的大型 FPD mask涂胶机进行相应的工 艺制造技术开发,未来引入 IC涂胶机,细化建立相关涂 胶工艺和流程
4显影蚀 刻技术现阶段公司已具备湿 法蚀刻技术,相关干 法蚀刻技术正在开发 过程中控制蚀刻线缝偏差、 蚀刻沟道角度及蚀 刻深度控制公司已掌握湿法蚀刻技术 并与相关院校进行了干法 蚀刻技术的实验验证,后续 引入干法蚀刻机器,建立 铬、钼化硅的蚀刻工艺和相 关流程
5清洗技 术现阶段公司已具备 150nm及以上工艺节 点掩膜版的清洗能力提升清洗能力同时, 避免造成膜层损伤 或尺寸及透过率相 位等发生变化公司已经掌握 SPM(浓硫酸 +双氧水)、SC1(氨水+双氧 水)等清洗工艺,正在逐步 进行深紫外、臭氧、氢水等 清洗工艺的前置研发,后续 拟引入相关功能的清洗设 备,建立新的清洗工艺和相 关流程
6缺陷修 补技术现阶段公司已具备激 光和 FIB(聚焦离子 束)修补能力激光及 FIB修补能 量太大,对于几十纳 米的缺陷和 PSM修 补,不易精确控制, 需要更小的离子束; 而且针对相位缺陷, 需要开发相位补偿 修补技术,同时要控 制透过率在0.5%内公司已经具备激光和FIB的 修补经验和技术,正在进行 电子束修补技术相关研发 和储备,后续拟引入纳米级 别的电子束修补机,建立精 细修补的配方相关流程
序 号生产技 术现阶段公司情况研发难点是否已攻克研发难点/拟采 取措施
7修补仿 真技术现阶段公司通过 CD 精度和透过率,对于 修补后的缺陷进行控 制,公司正在进行修 补仿真技术的开发目前公司通过CD精 度和透过率,对于修 补后的缺陷进行较 为粗糙的控制。光罩 放到硅片厂内不同 的光刻机上,因光刻 机不同的照明条件、 分辨率等会出现不 同的程度的曝光图 形变形,需要研究模 拟出光罩在客户拟 使用的光刻机上的 曝光结果,对于复杂 的OPC图形,要模拟 仿真出曝光结果逐步与客户沟通,分析客户 光刻机的数据,公司拟研究 并引入Aims(Aerial Image Measurement System)仿真 技术,仿真分析不同照明光 源、NA等光刻参数对于曝光 图形的影响,从而建立缺陷 误差出货标准
8测量技 术公司现阶段已具备 130nm及以上节点的 CD测量及位置精度 测量技术,正在进行 相位测量技术的研发相位的偏差会直接 影响到 PSM光罩的 使用效果,若控制不 当,会导致分辨率和 景深下降,要测量的 Mosi图形的尺寸很 小,要精确定位并测 量其相位,需要引入 (Mach-Zehnder)马 赫-曾德激光干涉等 技术已与相关原材料厂商进行 相位测量验证,已累计相关 实验数据,后续引进测量设 备,建立测量标准及与客户 进行匹配
9缺陷检 测技术公司现阶段已具备 150nm及以上节点的 缺陷检测技术,正在 进行高制程节点缺陷 检测技术研发在保证检查速度的 同时,控制假缺陷数 量已经具备150nm及以上节点 的缺陷检测能力,并有相关 AOI设备的使用经验,后续 拟引进更高分辨率的缺陷 检查设备,建立检查流程和 缺陷标准
3)公司在募投项目技术方面无重大不确定性的论证
现阶段公司已具备150nm工艺节点半导体芯片掩膜版的小规模量产能力,本次募投项目产品制程涵盖250nm-65nm, 公司在130nm-65nm制程开发方面不存在障碍:
公司过往技术开发均顺利进行且成功率较高,为本次募投项目技术及市场的开发提供了成熟的实践经验和开发基础;技术储备及突破方面,公司对本次募投项目相关技术的全流程进行了充分的技术研发与储备,通过利用大学院校、科研院所的设备进行关键技术及工艺的验证,公司已基本具备本次募投项目130nm-65nm制程节点涉及的关键技术及工艺如电子束光刻技术、PSM相移掩膜版制造技术,待本次募投项目相关生产设备到场后,公司将进行设备与技术的同步调试、验证及量产;设备采购方面,公司已基本完成本次募投项目主要设备采购合同条款的谈判或合同的签署,其中光刻机、干法蚀刻机、缺陷修补机、电子束修补机等设备采购合同已基本签署完成,设备采购不存在障碍;客户技术交流及合作方面,公司与众多国内大型晶圆厂商建立了良好的合作关系,与其保持深度技术交流与业务合作,通过产业链上下游的磨合与试验不断提升工艺技术水平,推动募投项目相关技术及量产实现落地。本次募投项目不存在重大不确定性。

①公司具备成熟的市场开发基础与实践经验,具备本次募投项目技术及市场开发的可行性
在半导体掩膜版领域,发展先进工艺节点需要循序渐进展开,且出于满足客户多样化需求的考虑,掩膜版厂商需要完整布局每一个主流技术节点,实现技术开发及客户合作的连续性,以满足客户市场应用不断更新迭代的需求。公司历经多年经营发展,从首次公开发行阶段500nm节点半导体芯片掩膜版量产,逐步发展至现阶段已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产、150nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证与小规模量产、正在推进130nm-65nm的PSM和OPC工艺的掩膜版开发和28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。

公司在不同制程领域的市场开发过程中,均进行了充分的分析论证,公司过往技术开发均顺利进行且成功率较高,不存在技术障碍,获得了良好的行业认知度,积累了广泛的境内外客户资源,为本次募投项目技术及市场的开发提供了成熟的实践经验和开发基础,公司具备130nm-65nm制程开发的可行性。

②公司技术储备充足且正逐步推进储备技术在本次募投项目的全环节批量应用,募投项目设备采购亦不存在障碍
公司本次募投项目是在公司现有掩膜版技术的基础上,进行全套生产设备的更新迭代与全套工艺技术的创新形成的,是发行人现有技术的继承与创新,储备技术的全环节批量应用是实现公司本次募投项目130nm-65nm节点技术落地及产品批量生产的关键。公司已在现有设备及软件的基础上,对本次募投项目相关技术的全流程进行了较为充分的技术研发与储备,如IC掩膜版CD Map(关键尺寸误差补偿图)、Corner enhancement(角部增强)、pattern density correction(图形密度校正)等掩膜校正技术、与PSM相关的二次对位技术及干法蚀刻bias(蚀刻CD偏差)控制技术、基于反射光缺陷检测技术、半导体芯片用掩膜版清洗工艺、基于多腔体的清洗技术、高精度IC掩膜版缺陷检测技术、CD精度测量技术、TP自校正技术等,公司针对上述技术已在现有产品中实现批量应用验证。

募投项目设备采购方面,公司深耕掩膜版行业多年,与主要设备供应商合作关系稳定,募投项目设备采购不存在障碍,公司已基本完成本次募投项目主要设备采购合同条款的谈判或合同的签署,其中光刻机、干法蚀刻机、缺陷修补机、电子束修补机等设备采购合同已基本签署完成,后续将在募投项目生产设备到场后进行设备与技术的同步调试和验证,确保相关储备技术的顺利应用。

③公司在本次募投项目的关键技术环节已深入布局并取得突破,募投项目130nm-65nm制程节点开发不存在障碍
半导体行业先进制程节点通常指28nm/14nm及以下制程,全球市场中,130nm制程节点半导体掩膜版及65nm制程节点半导体掩膜版分别早在2001年、2006年已具备成熟的设备、工艺技术和量产能力;国内市场中,根据公开信息,中芯国际分别于2011年、2015年和2019年具备40nm、28nm和14nm制程晶圆制造量产能力,而中芯国际光罩厂作为中芯国际配套的掩膜版制造厂,约于2001年引入掩膜版制造设备,为中芯国际提供半导体掩膜版,现已具备350nm-14nm半导体掩膜版量产能力。公司本次募投项目半导体掩膜版中的130nm-65nm制程节点与公司现有半导体掩模版制程节点的关键技术差异、公司相关技术布局及突破情况如下:
序 号关键技术差异 公司相关技术布局及突破情况
1电子束 光刻技 术了突破激光光刻机的分辨率 限制,实现制程的进一步突 破,掩膜版必须使用电子束 直写光刻技术,与现有半导 体掩膜版仅采用激光直写光 刻机不同公司已就电子束光刻技术中的光刻胶选择 及后烘烤、曝光控制、显影刻蚀控制、高 分辨率AOI检查、修补及光刻环境控制等 方面进行了研究,并具备了相关技术
2PSM 相 移掩膜随着特征尺寸的不断缩小, 下游晶圆在使用掩膜版光刻PSM掩膜版制版工艺类似于公司在 FPD行 业具有的half tone掩膜(半色调掩膜)
 版制造 技术时,由于干涉效应将导致光 刻胶感光效果的对比度不 足,从而造成转移图像信息 丢失,必须使用 PSM相移掩 膜版来增强晶圆感光的对比 度,PSM掩膜版技术与公司现 有掩膜版的部分工艺环节存 在差异工艺,主要是新增了激光二次对位曝光工 艺、电子束光刻工序、铬层及相移层干法 刻蚀工序、相移层缺陷检出工艺及修补工 艺,通过工艺研发和多次试验,可预期实 现PSM相移掩模技术的突破,公司经过多 年的技术积累,形成了多项自有的过程控 制专有技术,其中大部分可移植到PSM相 移掩模版的制作工艺中
130nm-65nm制程节点涉及的关键技术及工艺与公司现有技术工艺不存在制作原理和流程上质的差异,也不存在技术鸿沟和障碍,系公司现有技术的继承与创新。公司储备经验丰富的研发骨干人员,研发团队具备丰富的技术攻坚经验及可靠的研发能力,公司针对本次募投项目已开展了相关关键技术研发工作并取得突破,通过利用大学院校、科研院所的设备进行关键技术及工艺的验证,公司已基本具备本次募投项目130nm-65nm制程节点涉及的关键技术及工艺,待本次募投项目相关生产设备到场后,公司将对设备及产线进行安装和调试,设备及产线正常运转后公司基于本次募投项目相关的技术及工艺积累,进行工艺参数的调整及优化,同时根据客户产品需求进行设备定制化功能设置和参数调整即可投产,预计该募投项目的实施不存在重大不确定性。

④公司通过产业链上下游的磨合与试验不断提升工艺技术水平,推动募投项目相关技术实现落地
半导体掩模版行业高度依赖专有技术,具有鲜明的“Know-How”特点,工艺技术水平的提升不仅来源于专门的研发活动,亦来源于大量产品合作过程中对工艺技术的完善和提升。公司通过与产业链上下游的磨合与试验,对大量国内头部特色工艺晶圆制造客户不同产品订单制作过程中关键参数、前沿工艺等的调试和优化,提炼成可以广泛应用于公司产品的工艺技术,不断形成和完善各环节的专有技术,从而有力支撑了公司工艺节点和精度控制水平的提升。公司与众多国内大型晶圆厂商建立了良好的合作关系,与其保持深度技术交流与业务合作,同时利用大学院校、科研院所的设备和技术资源提前储备新技术和工艺,推动本次半导体掩膜版的技术实现落地。

(2)设备方面
在设备方面,“高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期”涉及的主要设备为光刻机、后处理设备、修补机、测量机、检查设备、涂胶设备、机械手及其他搬运机器人等。本次募投项目掩膜版产品制程工艺节点水平将突破至65nm,公司自成立以来专注于掩膜版行业,已积累了丰富的生产经验,并在技术和人员方面进行了充足的储备,为顺利实现制程工艺节点水平的突破,公司需要购置部分新增设备以满足更高节点掩膜版的生产需求,具体情况如下:

序 号涉及的 主要设 备应用的 工序设备性能及参数与现有设备的区别及联系
1光刻机 设备电子束 光刻基板尺寸:152.4*152.4mm 线宽均匀性:≤3.5nm (3σ) 套合精度:≤7nm (3σ)现有设备主要为激光光刻 机,本次新购置电子束光刻 机,用于更高制程工艺节点 产品的制作,此外,本次购 置激光光刻机较现有设备自 动化程度增加
  激光光 刻最大基板尺寸:228*228mm 线宽均匀性:≤11nm (3σ) 套合精度:≤12nm (3σ) 
2后处理 设备显影蚀 刻含烘烤及显影功能 CD平均值偏差:≤ ±2.5 nm; CD均匀性 (13*13 array): ≤ 5 nm(3σ)本次募投项目设备可满足更 高制程工艺节点显影蚀刻要 求
  干法蚀 刻3个腔体 Cr蚀刻均匀性:≤5nm (3σ) MoSi蚀刻均匀性:≤4nm (3σ)现有设备主要用于湿法蚀 刻,本次新购置设备可用于 干法蚀刻
  清洗2个清洗腔; 含172 nm UV和高温烘烤功能 非透光区颗粒数量:≤15; 透光区颗粒数量 (≤2um):≤2本次募投项目设备可满足更 高制程工艺节点清洗要求
3修补设 备缺陷修 补(电 子束)最小修补尺寸:45nm; 绝对CD偏差:≤9nm (MoSi)现有设备主要用于缺陷修补 (激光),本次新购置用于 缺陷修补(电子束)的设备, 此外,本次购置用于缺陷修 补(激光)的设备自动化程 度增加
  缺陷修 补(激 光)ZAP波长:257nm; CVD波长:349nm 最小修补尺寸:ZAP为0.4um, CVD为0.6um; 修补精度:25nm(3σ) 
  修补仿 真标准NA范围:0.4-0.9 x & y方向平台精度:≤2um本次募投项目设备新增修补 仿真设备
4测量机 设备CD测量150倍物镜NA 0.90 可配置可见光、UV光测量 测量重复性:≤2nm(UV) 测量重复性:≤3nm(可见光)本次募投项目设备测量精度 更高
  位置精 度测量高NA物镜 (NA = 0.9) 重复性(短期):≤1.3nm 重复性(长期):≤1.9nm本次募投项目设备可满足更 高制程工艺节点位置精度测 量要求
序 号涉及的 主要设 备应用的 工序设备性能及参数与现有设备的区别及联系
  相位测 量20X物镜测量光点:0.35um 重复性(短期):3? < 0.5° 重复性(长期):3? < 1.0°本次募投项目设备新增相位 测量机
5检查设 备缺陷检 测(高 节点)含DD/DB/SL三种模式 光源波长:257nm P150, P125, P90, P72 Pixels 线宽灵敏度: 45nm现有设备主要用于中低制程 工艺节点缺陷检测,本次募 投项目新购置设备可用于高 制程工艺节点缺陷检测
  缺陷检 测(中 低节 点)平台定位精度:±300nm; 平台重复精度:±50nm; 光源波长:375nm; 最小检测线宽:0.7um; 6025检测时间不超过45分钟 
6涂胶设 备涂胶针对6025规格,可满足3种不同 胶型; 膜厚均匀性 (IP3500): ≤ 30?(3?); 缺陷:≥0.5um 小于等于3个; 0.2-0.5um 小于等于10个本次募投项目设备新增涂胶 设备,用于PSM掩膜版制作 中的涂胶工序
7机械手 及其他 搬运机 器人等产品转 运导航方式:激光SLAM 额定负载:10kg 导航定位精度:±10mm本次募投项目购置设备自动 化程度提高
(二)本募相关技术和人员储备 (未完)
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