[年报]盛美上海(688082):2024年年度报告
原标题:盛美上海:2024年年度报告 盛美半导体设备（上海）股份有限公司 2024年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析：四、风险因素”部分内容。 一、 未出席董事情况
四、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 五、 公司负责人 HUI WANG、主管会计工作负责人 LISA YI LU FENG及会计机构负责人（会计主管人员）王岚声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经第二届董事会第十七次会议决议，公司2024年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数进行利润分配。本次利润分配方案如下：截至2024年12月31日，公司总股本为438,740,753股，以剔除已回购股份0股后的总股本为基准，拟每10股派发现金红利6.57元（含税），共计派发现金红利288,252,674.72元（含税），本次利润分配现金分红金额占2024年合并报表归属于母公司股东净利润的25%。本次利润分配不送红股，不进行资本公积转增股本。如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生增减变动的，公司维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。 七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 八、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。 九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 9 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 15 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 49 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 72 第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 82 第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................... 111 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 121 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 122 第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 123
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 √适用 □不适用
(二)公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 2024年公司营业收入为56.18亿元，同比增长44.48%，主要原因是全球半导体行业持续复苏，尤其是中国大陆市场需求强劲，公司凭借技术差异化优势，成功把握市场机遇，积累了充足订单储备；本期公司销售交货及调试验收工作高效推进，有效保障了经营业绩的稳步增长；公司深入推进产品平台化，产品技术水平和性能持续提升，产品系列日趋完善，满足了客户的多样化需求，市场认可度不断提高，为收入增长提供了有力支撑；公司稳步推进客户全球化，持续加大市场开拓力度，在深化与现有客户合作的同时，积极开拓全球市场，成功实现客户群的扩充，推动营业收入稳步提升。 2024年经营活动产生的现金流量净额为12.16亿元，同比上升主要是因销售回款较上期增加，以及因销售订单增长引起的本期预收货款增加所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2024年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、非企业会计准则财务指标情况 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
选取该非企业会计准则财务指标的原因 公司选取剔除股份支付费用后的归属于上市公司股东的净利润主要基于以下考虑：1）股份支付是公司为激励核心员工而实施的股权激励计划所产生的非现金支出费用，虽然按照企业会计准则要求需在授予期内进行分期确认，但该费用并不直接影响公司的现金流状况；2）剔除股份支付费用的影响能够更客观地反映公司的实际经营成果，有助于投资者更准确地评估公司的核心业务盈利能力和经营效率，以进行横向比较同行业公司业绩表现，及纵向分析公司不同期间的经营成果。 选取的非企业会计准则财务指标或调整项目较上一年度发生变化的说明 □适用 √不适用 该非企业会计准则财务指标本期增减变化的原因 2024 年度，剔除股份支付费用后的归属于上市公司股东的净利润为 1,443,839,546.23 元，同比增长 35.48%，主要原因如下：首先，受益于全球半导体行业复苏及中国大陆市场需求强劲，公司凭借技术差异化优势成功把握市场机遇，营业收入同比增长 44.48%至 56.18亿元；其次，公司深入推进产品平台化战略，持续提升产品技术水平和性能，产品系列不断完善，有效满足了客户多样化需求，带动经营业绩稳步增长；最后，公司通过高效推进销售交货及调试验收工作，深化与现有客户合作的同时积极开拓全球市场，成功实现客户群扩充。 受益于以上多重因素驱动，公司核心业务盈利能力显著增强，最终体现在剔除股份支付费用后的归属于上市公司股东的净利润的大幅增长，更清晰地反映了公司剔除股份支付费用影响后的真实经营成果和盈利水平。 十一、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 □适用 √不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 半导体产业作为全球经济的关键组成部分，在经历前两年的下滑后，2024年逐步走出低谷迎来回暖态势。半导体涉及汽车电子、人工智能、服务器、芯片、专用 IC、材料设备、物联网芯片、汽车 MCU、晶圆、封测等多个细分行业，随着生成式人工智能技术的爆发，智能手机、AI PC 等消费电子市场的复苏，以及汽车电子、物联网等下游市场需求的持续增长，对芯片产出的需求量与日俱增。目前，半导体产业链中材料、设备、制造等环节头部企业的垄断格局依然存在，但随着各国和地区对半导体产业的重视和投入增加，竞争也愈发激烈。中国集成电路产业抓住新机遇，不断发展壮大。 公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略。通过持续的自主研发，公司进一步完善了知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有有效的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。 公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。 公司具有“高新技术企业”资质，被评为国家级“专精特新”小巨人企业，连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”，获得“上海市企业技术中心”和“上海市专精特新企业”等荣誉。报告期内公司被认定为“上海市创新型企业总部”、“上海市制造业单项冠军企业”；荣获浦东新区人民政府“2023年度浦东新区经济突出贡献奖”、浦东新区川沙新镇人民政府“2023年度企业综合贡献奖”、世界集成电路协会颁发的“2024中国半导体企业影响力百强”、上海市集成电路行业协会颁发“2023年度上海市集成电路内资半导体设备业销售前五名”等荣誉。 此外，在2023至2024年度的上市公司信息披露评价中，公司荣获了优秀的“A”级评级，这是公司连续第二年获得该评级。这一成绩充分体现了公司在信息披露领域的高度透明度和严谨性，同时也反映了公司在规范治理、合规管理方面的卓越表现，彰显了公司稳健的治理结构和对投资者负责的态度。 （一）报告期内主要经营情况 报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，销售收入持续增长，报告期内保持持续盈利。2024年营业收入56.18亿元，2023年为38.88亿元，同比增长44.48%；2024年归属于上市公司股东的净利润11.53亿元，2023年为9.11亿元，同比增长26.65%；2024年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润11.09亿元，2023年为8.68亿元，同比增长27.79%；2024年末公司总资产121.28亿元，2023年末为97.54亿元，增长24.35%；2024年末归属于上市公司股东的净资产76.66亿元，2023年末为64.58亿元，增长18.69%；2024年基本每股收益为2.64元，2023年为2.09元，同比增长26.32%。 （二）报告期内重点任务完成情况 1、生产研发方面 得益于中国半导体设备市场需求增长、公司在清洗设备领域竞争优势的提升以及不断开拓新的半导体设备产品，报告期内公司销售收入为561,774.04万元，呈持续增长的趋势。公司产品的规模化销售是公司科技成果与产业深度融合的具体表征。公司产品研发方向符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。产品的研发成果取得了行业主流客户的认可，客户验证情况良好，增强了公司产品的竞争力。 2、供应保障方面 公司进一步优化销售预测、物料计划和安全库存管理动态协调机制，上线智能化物流系统，实现设备制造所需零部件的即时交付、高速流转，以期实现设备按时交付。 3、运营管理方面 公司在营运管理中深化关键指标管理体系，尤其聚焦生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现，精细设定一系列严苛关键考核指标，全面覆盖质量、效率、成本和安全等关键维度。公司定期深度剖析各项指标的执行情况，依据详实统计结果与客户反馈组织高频次内部研讨，拟定关键指标的优化升级方案。同时，公司大力投入数字化转型，完善升级信息系统。报告期内，公司营运效率显著改进，重复订单设备的生产制造缺陷率持续降低、设备交付按时率保持在良好水准、物料成本控制等指标达到预期水平。 4、知识产权方面 公司高度重视科技创新和知识产权保护工作，并与员工签订了《保密及知识产权保护协议》。2024年，公司及控股子公司共申请专利311项，比上年增长了89.63%，截至2024年末累计申请专利1,526项，比上年末增长了37.11%。2024年，公司及控股子公司共获得专利权38项，截至2024年末公司及控股子公司拥有已获授予专利权470项（其中发明专利共计468项），比上年末增长了8.05%，其中境内授权专利176项，境外授权专利294项。该等在中国境内已授权的专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。 5、人才建设方面 2024年，公司人数从1,578人增长到2,002人，净增长424人，人数增长率为26.87%。随着公司经营规模不断扩大，公司一方面加强生产管理的人才队伍建设，不断提高生产效率，优化生产流程，培养了一批具备现代化生产管理技能的人才。另一方面，秉承技术差异化、产品平台化、客户全球化的理念，公司不断加强高端技术研发人才的引进和培养，在产品开发的过程中，不断发掘和培养更多优秀人才，维持了研发团队的稳定健康发展。 6、内部治理方面 公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，及时发现风险并予以解决，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。 7、信息披露及防范内幕交易方面 公司严格遵守《中华人民共和国证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等法律法规以及监管机构的各项规定，严格执行公司信息披露管理制度，确保信息披露的真实、准确、完整、及时、公平。通过上市公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电话会议、电子邮件等多种渠道，全方位、多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态。 针对内幕交易防范工作，公司高度重视并扎实做好内幕信息知情人登记管理工作，严格按照相关规定，明确内幕信息范围，落实内幕信息知情人登记制度，强化内部信息流转管控。公司定期对董事、监事、高级管理人员及相关员工发送禁止内幕交易的警示，强调保密义务的重要性，并敦促相关人员严格遵守买卖公司股票的规定，严防内幕交易行为的发生。 非企业会计准则财务变动情况分析及展望 √适用 □不适用 2024年度，公司剔除股份支付费用后的归属于上市公司股东的净利润达14.44亿元，同比增长35.48%，主要源于全球半导体行业复苏带来的市场机遇，特别是中国大陆市场需求强劲增长，以及公司在产品技术创新和市场拓展方面取得的显著成果。 展望未来，在全球半导体产业链重构进程加速的背景下，公司将持续加大研发投入，深化技术创新，巩固差异化竞争优势。尽管实施股权激励计划产生的股份支付费用可能在一定程度上影响会计准则下的净利润表现，但这是吸引和留住核心人才的重要举措，有助于增强团队凝聚力和创新动力，对公司长期发展至关重要。公司将继续优化人才激励机制，在平衡短期费用影响和长期发展收益的同时，不断提升核心业务的盈利能力，持续为股东创造价值。 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司主要从事对集成电路制造行业至关重要的半导体清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影 Track设备、等离子体增强化学气相沉积 PECVD设备、无应力抛光设备、后道先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。 2、主要产品 公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影 Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。 （1）前道半导体工艺设备 ①清洗设备 A.SAPS兆声波单片清洗设备 晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。 而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。 公司自主研发的 SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。 B.TEBO兆声波单片清洗设备 公司自主研发的 TEBO清洗设备，可适用于 28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司 TEBO清洗设备，在器件结构从 2D转换为 3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有 3D结构的 FinFET、DRAM和新兴 3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。 公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的 SAPS和 TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置 18腔体，有效提升客户的生产效率。 C.高温单片 SPM设备 随着技术节点推进，工艺温度要求在 150摄氏度以上，甚至超过 200摄氏度的 SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对 SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温 SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术 SAPS和 TEBO兆声波技术。该设备可支持 300mm晶圆单片 SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和 3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。 D.单片槽式组合清洗设备 公司自主研发的具有全球知识产权保护的 Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温 SPM清洗设备相媲美。该设备通过减少高达 75%的硫酸消耗量，仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。该设备具备强大的清洗能力，在 26纳米颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，可满足高端制造的严格要求。 E.单片背面清洗设备 公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到 zero undercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。 F.边缘湿法刻蚀设备 该设备支持多种器件和工艺，包括 3D NAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。 G.前道刷洗设备 设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。 H.全自动槽式清洗设备 公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常压 IPA干燥技术及低压 IPA干燥技术，能够同时清洗 50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于 40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。 ②半导体电镀设备 A.前道铜互连电镀铜设备 公司自主开发针对 28nm及以下技术节点的 IC前道铜互连镀铜技术 Ultra ECP map。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足各种工艺的镀铜需求。 B.三维堆叠电镀设备 应用于填充 3d硅通孔 TSV和 2.5D转接板的三维电镀设备 Ultra ECP 3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于 10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。 C.新型化合物半导体电镀设备 Ultra ECP GIII新型化合物半导体电镀设备已实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司开发了去镀金技术并实现模块销售。 ③立式炉管系列设备 公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产。其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国 2家集成电路晶圆制造厂，正在做更新优化和为量产准备。 ④前道涂胶显影 Track设备 TM 公司的前道涂胶显影 Ultra Lith Track设备是一款应用于 300毫米前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影 Track设备支持主流光刻机接口，支持包括 i-line、KrF和 ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。 ⑤等离子体增强化学气相沉积 PECVD设备 TM 公司的等离子体增强化学气相沉积 Ultra Pmax PECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。 ⑥无应力铜互连平坦化设备 公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术 SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术 CMP相结合，集成创新了低 k/超低 k介电质铜互连平坦化 Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至 150nm厚度，再采用无应力抛光 SFP的智能抛光控制技术将抛光进行到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低 k/超低 k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环使用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低 50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。 ⑦新型化合物半导体刻蚀设备 公司推出了 6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。 （2）后道先进封装工艺设备 ①先进封装电镀设备 公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现 2μm超细 RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。 ②涂胶设备 公司的升级版 8/12寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和 Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。 涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。 ③显影设备 公司的 Ultra C dv显影设备可应用于晶圆级封装，是 WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，技术领先，使用便捷。 ④湿法刻蚀设备 公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。 ⑤湿法去胶设备 公司的 Ultra C pr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了 WLP产能。 该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的 SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。 ⑥金属剥离设备 公司的湿法金属剥离（Metal Lift off）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。 ⑦无应力抛光先进封装平坦化设备 公司拓展开发适用于先进封装 3D硅通孔及 2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化 CMP，没有研磨液、抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与 CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于 0.5μm - 0.2μm厚度，再退火处理，最后 CMP工艺的解决方案，能够有效解决 CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。 ⑧带铁环晶圆的湿法清洗设备 公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-frame wafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的 chuck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产需求，提升工艺制程的良率。 ⑨聚合物清洗设备 聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于 2.5D/3D等先进封装工艺。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要 Dosing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的 Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度控制等灵活进行 Dosing设定，保证清洗能力。 ⑩TSV清洗设备 TSV清洗设备主要应用于 2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制 Wafer表面清洗时温度在 170℃高温。清洗后还可搭配公司专有的 SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证 TSV孔内的清洗效果。 ?背面清洗/刻蚀设备 背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑 Wafer进行工艺，在完美保护 Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。 ?键合胶清洗设备 键合胶清洗设备主要用于 2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到 Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体 EBR喷嘴，可用于去除 Wafer边缘键合胶；正面只用 3根二流体喷嘴，可搭配组合使用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。 ?带框晶圆清洗设备 公司的带框晶圆清洗设备可在同一腔体中同时完成清洗和干燥工艺，实现高效清洗和干燥。 公司自研的处理技术使该设备能够处理厚度小于 150微米的薄晶圆。这款设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆，其创新溶剂回收系统具有显著的环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。 （3）硅材料衬底制造工艺设备 ①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备 公司的 CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在 CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配 2、4或 6个腔体，以满足不同产能需求。 ②Final Clean清洗设备 公司的 Final Clean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在 Pre Clean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于 6寸、8寸或 12寸晶圆清洗，并且可以选配 4腔体、8腔体或 12腔体，以满足不同产能需求。 （4）面板级先进封装设备 ①面板级先进封装负压清洗设备 面板级先进封装负压清洗设备主要用于更小 pitch以及更小的 SOH芯片的助焊剂清洗，在2.5D/3D封装应用效果优势明显。专为面板而设计，该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。 该设备可处理 510x515毫米和 600x600毫米的面板以及高达 7毫米的面板翘曲。 ②面板级先进封装边缘刻蚀设备 该设备专为面板衬底而设计，可与有机面板、玻璃面板和粘合面板兼容。该设备能有效管理面板的正面和背面，适用尺寸由 510mm x 515mm至 600mm x 600mm不等，厚度在 0.5mm至3mm之间。该设备可处理最大 10mm的翘曲，确保最佳工艺条件。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀和清洗而设计，能够同时处理面板的正面和背面的边缘刻蚀，显著提升了工艺效率和产品可靠性。 (二) 主要经营模式 1、盈利模式 公司作为一家面向国际科技前沿、坚持自主创新的半导体专用设备企业，遵循全球行业惯例，主要从事技术和工艺研发、产品设计和制造，为客户提供设备和工艺解决方案。公司根据对产品的设计，组织零部件外购及外协，建立了完善的供应链体系，与核心供应商建立了密切的合作关系，根据公司的销售预测，提前部署下一年度的产能需求，提前做好产能安排及快速交付计划，保障了对重要零部件的供应。作为设备厂商，公司提供验证平台，通过设备厂商带动零部件技术攻关，实现对零部件企业的商业赋能。公司通过长期研发积累形成的技术优势，保持较高的产品毛利，进而保持较高比例的研发投入及市场开拓，在报告期内实现了较高的利润率。 2、研发模式 公司主要采用自主研发的模式。公司研发部门以半导体专用设备国际技术动态、客户需求为导向，采用差异化竞争的策略，依靠具有丰富经验的国际化研发团队，研发新工艺、新技术，完成技术方案的验证，并在全球主要半导体生产国家及地区申请专利保护，把研发成果快速产业化，取得了一系列的技术创新和突破。此外，公司在韩国组建了专业的研发团队，结合中国上海以及韩国双方研发团队的各自优势，共同研发用于公司产品的差异化相关技术，提升公司产品性司将继续吸引优秀人才，扩大充实公司世界一流的研发团队，为全球客户不断地提供最好的工艺解决方案。 3、采购模式 为保障公司产品质量和性能，公司建立了完善的采购体系，在报告期内进一步优化了供应链资源、供应商准入体系和零部件供应策略。持续要求供应商填写《供方调查表》，建立供应商档案，了解供应商的人员情况、生产能力、设计能力、财务情况、关键零部件供应商情况、生产和检测设备情况等，对供应商的产品技术与质量、按时交货能力和售后服务等进行综合评估，最终确定合格供应商，纳入合格供应商名单。报告期内，公司保持与主要供应商稳定的长期合作关系。 4、生产模式 公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采取以销定产的生产模式，按客户订单组织生产。 公司根据市场预测或客户的非约束性预测，编制年度生产计划，并结合客户订单情况编制每月生产计划。公司研发设计工程师根据客户订单提供装配图纸，运用 MES、WMS系统分发到仓库和生产车间，进行仓库领料、配料和装配，预装配并预检合格后，交由总装配车间进行各模块整体组装生产线组装，然后由测试部门进行各模块的功能测试，测试合格后，下线发货。公司对外协加工的质量严格把关，与外协厂商建立了多年稳定的合作关系，确保符合客户的差异化需求。 5、销售模式 公司自设立以来，始终坚持全球化发展战略，客户主要位于中国大陆、中国台湾、韩国等国家和地区。公司的市场开拓策略为：首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉，持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。经过多年的努力，公司已与海力士、华虹集团、长江存储、中芯国际、合肥长鑫等中国半导体行业龙头企业形成了较为稳定的合作关系。 公司通过直销模式销售产品，不存在分销和经销模式。报告期内，公司通过委托代理商推广、与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。 (三) 所处行业情况 1、 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 （1）行业发展态势与面临的机遇 ①半导体应用和消费市场需求长期保持增长 近年来，受下游消费电子、物联网、工业互联、汽车电子等领域快速发展的影响，中国大陆再次掀起了晶圆产能建设的高潮，带动半导体设备投资大幅上升。Knometa Research的报告指出，到 2026年，中国大陆芯片产能将达 22.3%，超过韩国（21.3%），中国台湾（21%），一跃成为全球第一。这些新建的晶圆产能大多数是中国实体所为。晶圆产能的扩张促进了中国半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。 ②全球半导体行业区域竞争加剧 半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用广泛等特点，叠加下游新兴应用市场的不断涌现，半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越来越明确。目前，中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，中国半导体产业的规模不断扩大，中国大陆半导体专用设备需求将不断增长。 （2）半导体专用设备行业特点 ①半导体专用设备在半导体产业链中的地位至关重要 半导体专用设备作为产业链中发挥着重要的基础性支撑作用，是核心技术与工艺的载体，在产业发展中发挥着重要的基础性支撑作用。半导体专用设备的技术复杂，客户对设备的技术参数、运行的稳定性有苛刻的要求，以保障生产效率、质量和良率。集成电路制造工艺的技术进步，反过来也会推动半导体专用设备企业不断追求技术革新。同时，集成电路行业的技术更新迭代也带来对于设备投资的持续性需求，而半导体专用设备的技术提升，也推动了集成电路行业的持续快速发展。 ②半导体专用设备技术壁垒高，通过客户验证难度大 半导体专用设备行业为技术密集型行业，生产技术涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识的综合运用。半导体专用设备价值较高、技术复杂，对下游客户的产品质量和生产效率影响较大。半导体行业客户对半导体专用设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的要求，对新设备供应商的选择也较为慎重。一般选取行业内具有一定市场口碑和市占率的供应商，并对其设备开展周期较长的验证流程。因此，半导体专用设备企业在客户验证、开拓市场方面周期较长，难度较大。 （3）集成电路设备行业技术门槛 集成电路设备行业技术门槛高，公司的技术水平与国际巨头仍有差距，需加快技术研发与产业化进程。集成电路设备涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识综合运用及动态密封技术、超洁净室技术、微粒及污染分析技术等多种尖端制造技术。因此，集成电路设备具有技术含量高、制造难度大、设备价值高和行业门槛高等特点，被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。（未完）  |