[年报]神工股份(688233):锦州神工半导体股份有限公司2024年年度报告

时间:2025年03月26日 21:46:33 中财网

原标题:神工股份:锦州神工半导体股份有限公司2024年年度报告


重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 容诚会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人潘连胜、主管会计工作负责人刘邦涛及会计机构负责人(会计主管人员)陈琪声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份数为基数分配利润。本次利润分配方案如下:公司拟向全体股东每10股派发现金红利0.75元(含税)。公司总股本170,305,736股,扣除回购专用账户950,416股,可参与利润分配股数169,355,320股,合计拟派发现金红利12,701,649元(含税)。本年度公司现金分红占合并报表中归属于上市公司股东净利润的比例为30.87%,2024年度公司不送红股、不进行资本公积转增股本。如在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动或实施股份回购,公司拟维持分配总额不变,相应调整每股分配比例,并将另行公告具体调整情况。本事项已获公司第三届董事会第四次会议审议通过,尚需提交公司股东大会审议。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
公司年度报告中涉及公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质性承诺,敬请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 6
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 11
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 48
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 71
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 78
第七节 股份变动及股东情况 ....................................................................................................... 98
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 104
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 104
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 106



备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责(会计主 管人员)签名并盖章的财务报表。
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本 及公告的原稿。



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
神工股份、公司、本公 司锦州神工半导体股份有限公司
更多亮更多亮照明有限公司,系公司股东
矽康矽康半导体科技(上海)有限公司,系公司股东
北京创投基金北京航天科工军民融合科技成果转化创业投资基金(有限合 伙),系公司股东
晶励投资宁波梅山保税港区晶励投资管理合伙企业(有限合伙)已于 2023 年 7 月更名为“温州晶励企业管理合伙企业(有限合 伙)”,系公司股东
旭捷投资宁波梅山保税港区旭捷投资管理合伙企业(有限合伙),系 公司股东
中晶芯北京中晶芯科技有限公司,系公司全资子公司
日本神工日本神工半导体株式会社,系公司全资子公司
上海泓芯上海泓芯企业管理有限责任公司,系公司全资子公司
福建精工福建精工半导体有限公司,系北京中晶芯科技有限公司控股 子公司
锦州精合锦州精合半导体有限公司,系福建精工半导体有限公司全资 子公司
氩气退火工艺在氩气气氛下进行高温退火的工艺,能够有效地消除硅片近 表面区域缺陷,提高硅片质量。还可利用退火工艺在硅片内部 形成氧沉淀来提高硅片的内吸杂能力,进而提高硅片质量
SEMISemiconductor Equipment and Materials International, 国际半导体设备和材料协会
WSTSWorld Semiconductor Trade Statistics,世界半导体贸易 统计协会
BMDBulk Micro Defect,体微缺陷,硅片在经过热处理之后的氧 析出物,通常分布于硅片内部,能够吸收硅片表层热扩散而 来的金属杂质
STIRSite Total lndicator Reading,局部平整度,硅片的每个 局部区域面积表面与基准平面之间的最高点和最低点的差值
TTVTotal Thickness Variation,总厚度偏差,指硅片的最大与 最小厚度之差值
TSVThrough-Silicon Via,硅通孔工艺,在集成电路内部穿过硅 片进行垂直连接,以实现更高的集成度和更快的数据传输速 度。TSV工艺在三维集成电路和芯片层间连接中发挥关键作用
DRAMDynamic Random Access Memory,DRAM是一种内存产品,用 于存储计算机系统中的数据和程序。它是一种随机访问存储 器,数据可以随时被读取和写入,但需要定期刷新以维持存 储的数据
NANDNegative-AND ,NAND是一种非易失性存储器技术或产品,通 常用于闪存存储器中,如 SSD 和闪存卡。它具有高密度、低 成本和较快的读取速度,被广泛应用于各种电子设备中
HBMHigh Bandwidth Memory,高带宽内存,是一种基于堆叠技术
  的内存架构或产品,通过在一个封装中堆叠多个DRAM芯片来 提供高带宽和低能耗的内存解决方案
单晶硅(硅晶体)硅(Si)的单晶体,也称硅单晶,是以高纯度多晶硅为原 料,在单晶硅生长炉中熔化后生长而成的,原子按一定规律 排列的,具有基本完整点阵结构的半导体材料
多晶硅由具有一定尺寸的硅晶粒组成的多晶体,各个硅晶粒的晶体 取向不同,是生产单晶硅棒的直接原料
等离子刻蚀机晶圆制造过程中干式刻蚀工艺的主要设备,主要分成 ICP 与 CCP 两大类。其原理是利用 RF 射频电源,由腔体内的硅上电 极将混合后的刻蚀气体进行电离,形成高密度的等离子体, 从而对腔体内的晶圆进行刻蚀,形成集成电路所需要的沟槽
直拉法切克劳斯基(Czochralski)方法,由波兰人切克劳斯基在 1917 年建立的一种晶体生长方法。后经多次改进,现已成为 制备单晶硅的一种主要方法
热场用于提供热传导及绝热的所有部件的总称,由加热及保温材 料构成,对炉内原料进行加热及保温的载体,是晶体生长设 备的核心部件
单晶硅棒由多晶硅原料通过直拉法生长成的棒状硅单晶体,晶体形态 为单晶
晶圆、硅片硅基半导体集成电路制作所用的单晶硅片。由于其形状为圆 形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结 构,而成为有特定电性功能之集成电路产品
电极,刻蚀机电极,硅 上电极,硅片托环、硅 零部件集成电路制造主要工艺之一的“干式(等离子)刻蚀”所 用。等离子刻蚀设备腔体内的核心零部件。从控制腔体内洁 净度等方面考虑,材料多采用与硅片同质的大直径硅材料, 经精密加工后,成为刻蚀机腔体中硅上电极,或与晶圆直接 接触的硅片托环等硅零部件
芯片集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、封装、测 试后的产品
良率、良品率、成品率满足特定技术标准的产品数量占全部产品的数量比率
一致性不同批次产品核心质量参数的重复性和稳定性
元、万元、亿元人民币元、万元、亿元
报告期、本报告期2024年1月1日至2024年12月31日


第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称锦州神工半导体股份有限公司
公司的中文简称神工股份
公司的外文名称Thinkon Semiconductor Jinzhou Corp.
公司的外文名称缩写ThinkonSemi
公司的法定代表人潘连胜
公司注册地址辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
公司注册地址的历史变更情况报告期内无
公司办公地址辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
公司办公地址的邮政编码121000
公司网址www.thinkon-cn.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名常亮宋梦施
联系地址辽宁省锦州市太和区中信路46号甲辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
电话+86-416-711-9889+86-416-711-9889
传真+86-416-711-9889+86-416-711-9889
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址上海证券报、中国证券报、证券时报、证券日报
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司证券办公室

四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板神工股份688233不适用

(二)公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务 所(境内)名称容诚会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址北京市西城区阜成门外大街22号1幢10层 1001-1至1001-26
 签字会计师姓名吴宇、董博佳、杜青松
报告期内履行持续督导 职责的保荐机构名称国泰君安证券股份有限公司
 办公地址上海市静安区南京西路768号国泰君安大厦
 签字的保荐代表人姓名姚巍巍、陈海
 持续督导的期间2020年2月21日至2025年12月31日







六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2024年2023年本期比 上年同 期增减 (%)2022年
营业收入302,729,514.81135,033,152.23124.19539,236,503.68
归属于上市公司股东 的净利润41,150,745.84-69,109,826.01不适用158,141,626.89
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润38,343,442.86-71,555,263.79不适用155,541,778.43
经营活动产生的现金 流量净额172,929,764.6082,209,545.12110.35130,146,507.24
 2024年末2023年末本期末 比上年 同期末 增减( %)2022年末
归属于上市公司股东 的净资产1,792,961,454.971,761,794,579.031.771,573,266,430.97
总资产1,992,903,335.461,933,422,436.153.081,759,658,594.62


(二) 主要财务指标

主要财务指标2024年2023年本期比上年同期增 减(%)2022年
基本每股收益(元/股)0.24-0.43不适用0.99
稀释每股收益(元/股)0.24-0.43不适用0.99
扣除非经常性损益后的基本每股 收益(元/股)0.23-0.44不适用0.97
加权平均净资产收益率(%)2.32-4.31增加6.63个百分点10.84
扣除非经常性损益后的加权平均 净资产收益率(%)2.16-4.47增加6.63个百分点10.66
研发投入占营业收入的比例(%)8.2616.64减少8.38个百分点7.30

报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
1、营业收入同比增加,主要系半导体行业周期回暖,公司订单增加所致。

2、归属于上市公司股东的净利润同比增加,主要系营业收入增加所致。

3、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比增加,主要原因同上。

4、经营活动产生的现金流量净额同比增加,主要系营业收入增加导致回款增加等因素所致。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2024年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入58,320,271.6966,899,605.0788,889,623.8288,620,014.23
归属于上市公司股东的 净利润1,461,563.893,300,536.2122,723,860.5813,664,785.16
归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益后的 净利润995,818.122,898,090.9222,128,388.0212,321,145.80
经营活动产生的现金流 量净额34,222,489.3844,146,497.7136,786,297.3057,774,480.21

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2024年金额附注(如 适用)2023年金额2022年金额
非流动性资产处置损益,包括已 计提资产减值准备的冲销部分-488,184.80 5,153.86392,570.40
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关、符 合国家政策规定、按照确定的标 准享有、对公司损益产生持续影 响的政府补助除外2,797,816.13 2,591,247.651,143,354.39
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,非金融企业 持有金融资产和金融负债产生的 公允价值变动损益以及处置金融 资产和金融负债产生的损益1,056,927.66 529,375.361,447,432.95
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费    
委托他人投资或管理资产的损益    
对外委托贷款取得的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而产生的各项资产损失    
单独进行减值测试的应收款项减 值准备转回    
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益    
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益    
非货币性资产交换损益    
债务重组损益417,728.81   
企业因相关经营活动不再持续而 发生的一次性费用,如安置职工 的支出等    
因税收、会计等法律、法规的调 整对当期损益产生的一次性影响    
因取消、修改股权激励计划一次 性确认的股份支付费用    
对于现金结算的股份支付,在可 行权日之后,应付职工薪酬的公 允价值变动产生的损益    
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益    
交易价格显失公允的交易产生的 收益    
与公司正常经营业务无关的或有 事项产生的损益    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出106,394.44 20,153.97265,607.01
其他符合非经常性损益定义的损 益项目    
减:所得税影响额812,346.50 524,971.78596,210.15
少数股东权益影响额(税 后)271,032.76 175,521.2852,906.14
合计2,807,302.98 2,445,437.782,599,848.46

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

十、非企业会计准则财务指标情况
□适用 √不适用

十一、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的 影响金额
交易性金融资产40,636,991.13131,269,211.4990,632,220.361,400,634.52
应收款项融资120,822.264,620,750.004,499,927.74 
其他权益工具投资5,114,718.365,029,217.14-85,501.22 
合计45,872,531.75140,919,178.6395,046,646.881,400,634.52

十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用 √不适用


第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
2024 年,全球经济增长受到持续高利率、地缘政治冲突的不利影响:根据国际货币基金组织统计,全球经济增长率从2023年的3.3%下降至2024年的3.2%;全球通胀率从2023年的6.7%下降至2024年的5.7%,仍处于较高水平,终端消费者市场需求受到抑制。

根据世界半导体贸易统计协会(WSTS)2025 年 2 月发布的数据,2024 年全球半导体市场规模为 6,280 亿美元,同比增长 19.1%。公司认为,全球半导体市场重拾动能,主要得益于全球经济“数字化”、“低碳化”转型所推动的半导体市场长期需求,连续数年的高额研发和资本开支取得了初步成果,降低了下游应用创新的成本。半导体周期向上的趋势得到强化。

短期来看,随着 2024 年年初以来生成式人工智能应用的性能取得不断突破,特别是开源模型的重大进展,降低了算力门槛,有望扩大人工智能的应用范围并加深其终端渗透率。基于此,消费电子市场开始获得新的发展契机。长期来看,云计算和端侧算力的长期需求得以确立,半导体市场结构性复苏态势进一步巩固。

2024 年,智能手机和个人电脑出货量开始恢复,智能可穿戴设备及具身智能机器人的进展鼓舞人心,预示着消费电子市场下一代主机产品已初具雏形,为消费者市场所驱动的半导体上行周期奠定基础。公司扎根于分工严密的国际半导体供应链中,所处硅材料细分行业在整个半导体产业链上游,经营业绩与上述数据所呈现的半导体行业景气度仍高度相关。

报告期内,公司持续优化了产品结构、按计划扩大生产规模,进一步完善了产品技术指标和销售网络,经过不懈奋斗,实现营业收入 30,272.95 万元,较去年同期增长 124.19%;归属于上市公司股东的净利润4,115.07万元,实现扭亏为盈。

从产业链角度分析,公司的大直径硅材料产品,直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商,后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商,例如美国泛林集团(Lam Research)和日本东电电子(Tokyo Electron Limited, TEL),并最终销售给三星电子、SK Hynix、英特尔和台积电等国际知名集成电路制造厂商。根据上述国际主流刻蚀机设备厂商和集成电路制造厂商披露的财务数据,目前下游库存调整已基本完成,集成电路制造厂商产能利用率得到恢复,存量市场向好。此外,伴随中国集成电路制造产能国产化进程,公司大直径硅材料产品也向中国本土市场销售,该部分业务主要受到中国本土集成电路制造厂的终端需求所拉动。报告期内,公司大直径硅材料业务,实现营业收入 17,404.39 万元,同比增长 108.32%,毛利率为 63.85%,同比增加13.73个百分点。

报告期内,公司的硅零部件产品,实现营业收入 11,849.41 万元,同比增长 214.82%。该产品主要面向中国市场销售,已经在中国本土供应链安全建设中发挥独特作用。由于公司“从硅材料到硅零部件”的全产业链优势以及多年来的前瞻性研发布局,公司技术储备雄厚、产品种类丰富,目前销售结构已经聚焦于高技术、高毛利产品。伴随国产等离子刻蚀机设备厂商及集成电路制造厂商的崛起,公司将获得更大的成长空间和更强的成长动能。

从公司经营角度分析,2024 年公司半导体大尺寸硅片相关固定资产折旧金额较大,加之硅片产品评估认证周期较长,因此平均产能利用率有限,该业务仍处于亏损阶段。报告期内,公司半导体大尺寸硅片产品的营业收入为 702.14 万元。公司积极争取订单,兼顾评估认证需求和经济效益,优化排产计划,及时调整生产经营计划,降低了库存水平。公司研发费用为 2,500.79万元,及时满足了客户评估认证需求,相关研发项目结题后,将推动公司业务进入快速发展期。

面对外部市场环境风云变幻,公司管理层在报告期内坚定执行长期发展战略和既定年度经营计划。公司具体经营成果总结如下:
(一)国内外市场拓展成果
大直径硅材料业务,目前公司大直径多晶硅材料及其制成品已经通过部分客户认证并实现稳定出货。公司大直径硅材料业务中,16 英寸以上产品收入达到 8,982.82 万元,收入占比增加12.60个百分点,达到51.61%。

硅零部件业务,公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,适用于 12 英寸等离子刻蚀机,已通过认证并实现批量供货,同时能够满足等离子刻蚀机设备原厂不断提升的技术升级要求。公司产品的应用,已经从研发机型扩展至成熟量产机型。

半导体大尺寸硅片业务,公司正在多家国内主流客户端评估认证中,并在开拓细分利基市场。

(二)扩产完成情况
大直径硅材料业务,公司根据直接客户订单数量并结合行业的需求增速,按计划扩充产能,继续保持该细分市场产能规模全球竞争优势;硅零部件业务,公司在泉州、锦州两地扩大生产规模,实现了较快速度的产能爬升。

(三)研发成果
公司的研发投入,综合考虑新产品布局、已有产品质量改善和经济效益综合考量,基于下游客户端具体明确的评估认证要求来开展研发活动。

大直径硅材料业务,公司在大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面不断取得进展,取得了更多试验数据。硅零部件业务,持续强化定制开发能力,进一步满足下游客户的需求。半导体大尺寸硅片业务,公司致力于实现技术难度较大、毛利率较高的轻掺低缺陷硅片细分产品研发。

报告期内共取得核心技术2项,获得发明专利2个,实用新型专利11个。

(四)募投项目进展
公司募投项目“集成电路刻蚀设备用硅材料扩产项目”处于工程施工和设备安装阶段。目前公司产能全球领先,新建的单晶、多晶两条刻蚀用硅材料生产线,将满足下游日益增长的不同尺寸的市场需求。


非企业会计准则业绩变动情况分析及展望
□适用 √不适用

二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
报告期内,公司抓住下游市场需求回暖的契机,严控成本、加强管理,不仅扩大了大直径硅材料产品的收入规模,还提高了毛利水平。硅零部件业务,公司的研发投入符合市场需求,市场推广取得显著进展,营业收入大幅增加,在国产半导体供应链中占据了有利位置。在下游客户面临技术出口管制导致的供应链风险时,公司发挥了独特的支撑作用,并伴随下游客户的国产化突破,进一步打开了市场空间。主要情况分别说明如下:
1、大直径硅材料
这一业务板块的产品,按直径覆盖了从14英寸至22英寸所有规格,主要销售给中国、日本、韩国的下游客户,因此也可称之为“集成电路刻蚀用大直径硅材料”。该产品具有国际竞争力,在技术、品质、产能和市场占有率等方面处于世界领先水平,也是公司的主要营业收入来源。

报告期内,公司大直径硅材料产品生产情况稳定,产能逐步提升中;产品结构继续优化升级,利润率较高的16英寸以上产品收入占比进一步提升,从2023年度的39.01%提升至2024年度的51.61%,毛利率为69.19%,对该业务的整体毛利率水平修复和提高有较大贡献。

2、硅零部件
上述“大直径硅材料”,经过切片、磨片、腐蚀、打微孔、形状加工、抛光、清洗等一系列精密加工后,最终做成等离子刻蚀机用硅零部件。公司是具备“从晶体生长到硅零部件成品”完整制造能力的一体化厂商,拥有全球领先的大直径硅材料晶体制造技术,是等离子刻蚀机设备厂家所需硅零部件产品的上游材料供应商。硅零部件产品具有“品种多、批量小”的特点,具体产品消耗量依集成电路制造厂商的等离子刻蚀机种类、腔体结构、数量和具体制造工艺所决定,尺寸越大,设计要求越复杂的产品,对加工能力要求越高,毛利率相对越高。

根据公司自主调研数据,国内硅零部件市场已有25亿元人民币/年以上的市场规模,以向海外厂商进口为主。随着全球半导体制造产业链向中国转移的趋势,以及中国本土等离子刻蚀设备厂商技术水平赶超全球一流,中国市场未来成长性可期。

报告期内,硅零部件产品实现收入 11,849.41 万元,同比增长 214.82%。目前公司硅零部件产品整体销售数量不断攀升,其中加工难度较大、价值较高的产品销售占比逐步扩大。公司配合国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,适用于 12 英寸等离子刻蚀机,能够满足等离子刻蚀设备原厂不断提升的技术升级要求。公司产品的应用,已经从研发机型扩展至成熟量产机型。

为保证未来客户批量订单的及时交付,公司子公司已经在泉州、锦州两地扩大生产规模,实现了较快速度的产能爬升。

3、半导体大尺寸硅片
公司以生产技术门槛高,市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片为目标,致力于满足该产品的国内需求。轻掺低缺陷硅片主要用于低电压高性能电子产品,如手机等;而重掺硅片则较多用于高电压产品,如充电器、家用电器、交通设备、通信设备等。低压产品的设计线宽更小,对硅片内在缺陷的控制要求更高,且硅片表面一般不做或只做很薄的外延层。轻掺低缺陷抛光硅片可以应用于8英寸相对高端的产品制程,拥有较高的附加价值。从全球市场8英寸硅片总需求上看,轻掺硅片占全部需求的 70%-80%;在 12 英寸硅片总需求中,轻掺硅片占比几近 100%。公司 8英寸轻掺低缺陷硅片产品对标日本信越化学公司生产的同类硅片。该款硅片目前市场价格相对较高,因销售地区、付款条件、客户策略等差异略有不同。

报告期内,半导体大尺寸硅片实现收入 702.14 万元。公司持续提升生产管理水平,通过优化排产计划及厉行节俭措施,在满足国内主流集成电路制造厂商验证需求的条件下,兼顾了经济效益,为未来更大规模供货打下良好基础。

(二) 主要经营模式
公司主营业务为大直径硅材料、硅零部件、半导体大尺寸硅片及其应用产品的研发、生产和销售,其采购、生产、销售模式如下:
1、采购模式
公司产品生产用原材料、包装材料根据“以产定购”的原则进行采购工作安排。

公司建立了供应商管理体系和供应商认证制度,根据供应商的资质条件、产品质量、供货能力、服务水平等情况对供应商进行综合评价,将符合条件的供应商纳入合格供应商清单。供应商进入清单后,公司会基于各部门的反馈以及市场调研情况,定期从产品质量和供货情况等方面对供应商进行持续评估和认证,根据评估结果调整采购订单的分配,并确保主要原材料有两家以上合格供应商具备供应能力。

公司采取“客户订单+自主备货”的生产模式。公司根据客户发送的定制化产品订单情况组织采购和生产。此外,公司还会结合下游市场需求预测和与客户沟通情况统筹安排备货计划。

公司建立了《产品标识和可追溯管理规定》,每一件产成品均可以通过产品编号检索至单晶工艺跟踪单,从而获得产品的具体生产日期、质量检验员、生产班组等信息。产品质量的可追溯性为公司持续改进管理水平和生产工艺提供了重要保障。公司已经通过 ISO9001:2015 标准质量管理体系认证和IATF16949:2016汽车行业质量管理体系认证。

3、销售模式
公司主要采用大客户直销的模式进行销售,营销部负责公司现有客户的维护和潜在客户的开发。客户发送订单至公司,经公司确认订单条款,双方对产品类型、数量、价格以及交货期等要素达成一致后按照订单约定履行各自义务。公司根据订单约定交付产品后,将持续跟踪客户产品到货情况及销售回款情况。

公司下游客户对大直径硅材料及其应用产品有较高质量要求,对供应商选择有较为严格的筛选、考核体系。公司成功进入下游客户供应链体系一般需要经历现场考察、送样检验、技术研讨、需求回馈、技术改进、小批试做、批量生产、售后服务评价等环节,认证过程严格,认证周期较长,一般为 3-12 个月不等。为了保证高品质产品的稳定供应,一旦通过下游客户的认证,客户会与供应商建立长期稳定的合作关系。

公司在拓展潜在客户时,会对客户进行背景调查,在对客户的技术要求进行内部评估的同时,对客户报价进行成本效益核算,进而对是否进入该潜在客户供应链体系进行综合判断。


(三) 所处行业情况
1、 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业的发展阶段
经过半个多世纪的发展,“全球分工,自由贸易,效率优先”的国际半导体产业链已经发展成熟,分工严密且不断加深;但另一方面,近年国际政治经济局势的变化,也正在推动全世界主要经济体走向“芯片制造本土化”,各国竞相推出巨额补贴和政策支持,上马本土集成电路制造产能,全球集成电路制造产能的扩产规模和增速呈现加速态势。

SEMI于2025年1月宣布,2024年全球半导体产能增长6.6%。SEMI另外预测,从2025年至2027年,全球300mm晶圆厂设备支出预计将达到创纪录的4,000亿美元,其中2025年相对2024年的同比增长预计达到24%,首次突破1,000亿美元,达到1,232亿美元。集成电路制造厂作为产业链核心企业,短期内大规模增加的资本开支,将对上游设备和材料厂商提供发展机遇。

公司处于行业上游的半导体硅材料行业,深深植根于全球半导体产业链,同时伴随中国本土产业链发展而壮大。半导体硅片市场的出货量及单价,影响并带动其它硅材料产品,是硅材料市场整体景气度的晴雨表。SEMI于2025年2月公布数据,2024年全球半导体硅片出货量为122.66亿平方英寸,同比下滑2.7%;总销售额达115亿美元,同比下滑6.5%,下降的原因是部分细分领域的终端需求放缓,影响了芯片制造厂的利用率及特定应用的硅片出货量。SEMI认为,蓬勃发展的生成式人工智能和新的数据中心建设驱动了HBM等高端芯片产品出货,但大多数其他终端市场仍在从过剩库存中复苏。

目前,全行业仍处于产能扩张周期,海外领先硅片生产厂商的新增产能将陆续于 2025 年投入量产,中国本土产能正在稳健扩充并挤压海外厂商市场空间。全球市场份额排名第二位的日本胜高公司认为,目前全球半导体市场需求的结构性特征明显:人工智能相关需求强劲,但其余领域仍然疲软。

(2)基本特点
半导体级硅材料行业有“三高”的特点:
1)资金壁垒高
半导体级硅材料行业属于资金密集型行业,前期涉及厂房、设备等巨额资本投入,且生产所需高精度制造设备和质量检测设备的采购资金占比很高,固定资产投资规模庞大。同时规模化生产是行业参与者降低成本提升市场竞争力的必要手段,因此市场新进入者必须达到一定的经济规模,才能与现有企业在设备、技术、成本、人才等方面展开竞争。

2)技术壁垒高
半导体级硅材料质量优劣的评价标准主要包括晶体尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均匀性等一系列参数指标。实际生产过程中,除了热场设计、原材料高纯度化处理外,需要匹配各类参数并把握晶体成长窗口期以控制固液共存界面形状。在密闭高温腔体内进行原子有序排列并完成晶体生长是复杂的控制工程,工艺难度较高,且产品良品率和参数一致性受员工技能和生产设备性能的影响,人机协调也是工艺难点所在。

我国半导体级硅材料行业起步较晚,相比国外先进水平较为落后,具备相关理论知识和行业经验的高级技术人才以及熟练的技术工人都相对匮乏。市场新进入者难以在短时间内获得足够有丰富经验的专业性技术人才,而行业人才的培养、经验的积累以及高效的协作都需要较长时间。

3)市场壁垒高
半导体级硅材料行业下游客户为保证自身产品质量、生产规模和效率、供应链的安全性,十分注重供应商生产规模、质量控制与快速反应能力。因此,行业下游客户会对供应商执行严格的考察和全面认证程序,涉及技术评审、产品报价、样品检测、小批量试用、批量生产等多个阶段,行业下游客户确保供应商的研发能力、生产设备、工艺流程、管理水平、产品质量等都能达到认证要求后,才会考虑与其建立长期的合作关系。因此,认证周期较长,认证时间成本较高。一旦供应商进入客户供应链体系,基于保证产品质量的稳定性、控制供应商渠道开拓与维护成本等多方面的考虑,客户一般不会轻易改变已定型的产品供应结构。

(3)主要技术门槛
1)大直径硅材料晶体生长技术
公司大直径硅材料产品尺寸主要为14-22英寸,主要销售给半导体等离子刻蚀设备硅零部件制造商,经一系列精密的机械加工制作成为集成电路制造刻蚀环节所需的核心硅零部件。公司生产并销售的集成电路刻蚀用大直径硅材料纯度为10到11个9,产品质量核心指标达到国际先进水平,可满足7nm及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求。

公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项业内领先的工艺或技术,使公司能够实现不借助强磁场,仅在常规单晶生长设备上生长出大直径的单晶硅晶体,从而在维持较高良品率和参数一致性水平的基础上,有效降低了单位生产成本; 公司顺应晶体“大型化”的市场趋势,引入了新型长晶设备,改良了热系统,提升生产过程数字化水平,提高了管理精细度,优化了工艺方案,实现了效能提升;大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面,公司研发团队攻关多晶硅晶体制造工艺,不断提升晶体良品率,能够满足客户对更大尺寸晶体的需求。

2)硅零部件加工技术
大直径硅材料经过切片、研磨、钻孔、腐蚀、抛光、检验等多道精密加工步骤后,可制成等离子刻蚀机用的硅零部件,如:硅上电极,硅片托环等。等离子刻蚀机的气体通过气体分配盘,经由硅上电极的近千个细微小孔进入刻蚀机腔体中,在一定电压的作用下,形成高强度的等离子体。若细微小孔的孔径不一致,会影响到电路刻蚀的精度,从而造成芯片良率的下降;同时,上电极及硅片托环与芯片同处于刻蚀机腔体中,受等离子体的刻蚀后,逐渐变薄,当这些硅零部件厚度减少到一定程度后,需替换新的硅零部件,以满足等离子刻蚀机所需要的工艺条件。因此,硅零部件是晶圆制造刻蚀工艺的核心耗材。硅零部件的物理特性和化学特性对于晶圆表面的沟槽精度、均匀性等指标有着重大影响。

等离子刻蚀设备厂商或集成电路制造商通常对硅零部件的选择有着很高的要求,加工难度极高。以硅上电极为例,该产品有近千个微孔,每个微孔的尺寸精度、位置精度等都有极高要求,甚至每个微孔内壁表面的保持一定程度的光滑度,以达到孔内壁“不易产生异物污染”的要求;同时,刻蚀气体经过每个微孔后,孔径内壁腐蚀变化程度也需要保证一致性。在进行表面、外形加工过程时,刀具与硅材料的接触过程中,极易造成微观层面的崩裂等表面细微损伤,这种表面损伤可延伸至产品内部,造成产品在使用过程中的异常。所以,近千个微孔的加工必须一气呵成。

如果中间有异常,整个上电极就会成为不良品。

公司经过长时间的研发,掌握了硅零部件的加工技术,在高深径比钻孔技术、孔内腐蚀技术、清洗技术等方面建立了坚实的基础,产品已经交付客户使用,反馈良好。

3)半导体大尺寸硅片行业技术
公司以生产技术门槛高,市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片(正片)为目标,目前从全球市场8英寸硅片总需求上看,轻掺硅片占全部需求的70%-80%左右;在12英寸硅片总需求中,轻掺硅片占比几近100%。公司已掌握了包含8英寸半导体级硅片在内的晶体生长及硅片表面精密加工等多项核心技术。

公司分阶段实施的工艺优化,即通过工艺和热场结构的变化,加强对晶体内氧含量的控制,以适配不同规格硅片的相应技术要求,能够实现从晶体生长端到硅片加工端的协同效应。


2、 公司所处的行业地位分析及其变化情况
在大直径硅材料领域,凭借多年的技术积累及市场开拓,公司在产品成本、良品率、参数一致性和产能规模等方面均具备较为明显的竞争优势,细分市场占有率不断上升,市场地位和市场影响力不断增强。目前公司已扎根于分工严密的国际半导体供应链中,大直径硅材料直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商。后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商,例如美国泛林集团(Lam Research)和日本东电电子(Tokyo Electron Limited, TEL),并最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商。

随着集成电路制造产能向中国转移以及中国本土等离子刻蚀设备技术的突破,国内市场不断扩大,因此公司的大直径硅材料亦面向中国市场销售。公司产品质量稳定性高、交期及时,为国内集成电路制造产业国产化进程做出贡献。

报告期内,公司大直径硅材料产品生产情况稳定,产能得到稳健扩充;产品结构继续优化升级,利润率较高的16英寸以上产品收入占比上升至51.61%;成本方面,2023年以来,原始多晶硅原料价格下降并回复至历史价格中枢,随着公司原有库存原材料消耗,公司大直径硅材料产品的原始多晶硅原料成本逐渐降低。公司持续成本节俭行动,继续保持行业内领先的毛利率,报告期内达到63.85%,较去年同期增加13.73个百分点,体现了公司的细分市场优势。

在硅零部件领域,公司拥有一南一北两个厂区,配合国内等离子刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,已经从研发机型扩展至成熟量产机型。

随着中国本土集成电路制造产能的快速增加,以及国产等离子刻蚀设备原厂的技术进步和机台出货量增加,拉动了中国本土的大直径硅材料及硅零部件需求。报告期内,公司主营业收入中境内市场收入占比69.85%,公司硅零部件产品销售额同比增长214.82%,以上数据体现了公司在中国集成电路制造供应链国产化过程中的独特地位。

在半导体大尺寸硅片领域,公司核心技术团队在日本有多年的轻掺低缺陷硅片生产经验。公司是国内极少数专注于轻掺低缺陷技术路线的硅片厂商,具备替代海外供应商向国内集成电路制造厂商供应高质量硅片的潜在实力。


3、 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 (1)半导体市场结构性变化对产品定制研发和本土市场开发能力提出更高要求 报告期内,全球半导体市场呈现结构性变化,SEMI 认为,2024 年全球半导体市场的增长来自前沿的逻辑芯片和代工、生成式人工智能、高性能计算等应用的增长以及芯片在终端领域的需求。

一方面,生成式人工智能应用快速迭代发展,算力相关存储、逻辑芯片热销,但其对市场整体带动仍有限;另一方面,尽管 AI+PC、AI+手机的初代产品已经面世并引起广泛关注,但消费电子市场能够取代智能手机的下一代主机产品尚不明确。因此,下游市场的不确定性增加了上游企业对趋势的判断难度,同时也对企业的产品定制研发能力提出更高要求,唯有紧跟市场变化并推陈出新的企业才能快速反应、赢得先机。

台积电于 2025 年 1 月公布的营运绩效报告显示,“高性能计算”和“智能手机”两大技术平台占公司2024年总收入的比重为53%和35%,高性能计算占据年度收入来源的一半以上,且占比同比继续提升。从全年增长来看,高性能计算和智能手机平台同比增长为 19%和 17%,物联网和消费电子同比下滑15%和6%,这显示高端算力芯片产品需求仍然强劲、高端消费者市场需求有所回升。三星电子于2025年2月表示,2024年营业收入同比增长16%,营业利润同比增长395%,存储芯片业务成为公司主要增长引擎,未来将加大产品升级和产能调整力度。SK Hynix 于 2025年1月宣布,2024年总营收创下历史新高,营业利润也超过了上一轮存储市场繁荣期的业绩,该公司预测随着大型科技公司对 AI 服务器的投资扩大,人工智能推理技术的重要性也日益增加,由此高性能计算所必需的 HBM 和高容量服务器 DRAM 的需求将持续增长。

从中国本土市场来看,2024年我国集成电路出口1,595亿美元,一举超过手机的1,344亿美元,成为出口额最高的单一商品,同比增长17.4%,创历史新高。中芯国际于2025年2月表示,客户产品库存相对健康,认为 2025 年除了人工智能继续高速成长外,市场各应用领域需求将持平或温和增长。2024 年下半年,中国本土存储类集成电路制造厂商的技术进步较快,对韩国、日本的成熟存储产品如 DDR4 和消费者级 SSD 产品价格造成冲击,迫使后者降价减产。这显示中国本土集成电路制造能力和规模都在稳步提升,未来有望赶超国际先进水平,将对材料和零部件厂商的定制研发能力和本土市场开发能力提出更高要求。

(2)芯片制程日趋缩小对刻蚀工艺和大直径硅材料制造技术提出更高要求 国际先进集成电路制造厂商的先进制程工艺正在持续进步:三星电子积极提高3nm产线良率,计划于2025年实现2nm产线量产;台积电2nm制程芯片目标定于2025年量产,2026年下半年计划量产A16制程;英特尔计划于2025年下半年量产18A工艺,14A工艺提前至2026年投产,并提出2027年实现10A制程。半导体加工制程不断进步,12英寸集成电路产品的设计线宽越来越窄,因此沟槽也相应变窄,需要更高的刻蚀精度。更高的刻蚀精度,对硅片表面的温度、刻蚀气体浓度、材料性质提出更高的均匀性要求。采用更大的腔体和更大的上电极、下电极,更容易确保硅片面内各项工艺对均匀性的要求。因此,目前国际领先刻蚀机厂商的最新机型,都在向着大型化方向发展。随着以上技术工艺发展,更大尺寸的硅零部件及其所需的上游材料——更大直径的大直径硅材料(16英寸以上)的需求也将随之增加。

此外,以HBM为代表的人工智能所需算力芯片研发竞争日趋激烈,SK Hynix、三星、美光都计划在2025年推出各自的新一代HBM产品。三维堆叠结构的HBM产品对TSV工艺提出更高要求,刻蚀工艺的精准控制和优化对于确保TSV的准确形成和可靠性至关重要,对刻蚀技术和刻蚀应用数量提出更高要求。

目前,公司 16 英寸以上大直径硅材料产品的技术和产能在全球市场拥有竞争优势;公司将持续研发针对体积较大、设计难度较高的12英寸高端制程所需硅零部件产品。

(3)全球主要经济体芯片产业竞争所带来的风险与机遇并存
报告期内,美国对华技术出口管制措施继续升级。2024年12月2日,美国商务部工业与安全局(BIS)将 136 家中国实体和 4 家海外关联企业列入“实体清单”,涵盖众多中国半导体设备制造厂商、EDA 软件开发商、光刻胶开发商等;2025 年 1月 13日,美国商务部发布人工智能扩散出口管制框架临时最终规则,再次升级对华先进芯片出口管制,进一步扩大了管控范围。

此外,美国、欧盟、韩国、日本都已在实施数十亿至数百亿美元不等的半导体投资补贴政策。

宏大的发展目标及巨额的公共资金支持,正在改变全球半导体产业的资源流向和投资节奏。2024年,台积电位于美国亚利桑那州的第一家晶圆厂开始量产4nm半导体;2024年12月,台积电位于日本熊本的工厂正式量产12至28纳米制程半导体,熊本第二工厂开始建设;2025年3月,台积电宣布将对美国再投资至少1,000亿美元,用于兴建3座晶圆厂、2座先进封装厂等设施。芯片制造产能对本土供应链的要求极高,并非仅凭政策和补贴能够一蹴而就,公司所在的东亚,中国、日本、韩国三国的产业链优势难以撼动。

全球主要经济体面向芯片制造领域的产业政策竞争持续加剧,带来的风险与机遇并存:一方面,公司的中国本土客户向美国及其盟国进口先进设备的难度大大增加,产品研发和产能扩张受到延缓和阻碍;另一方面,随着对华技术出口管制政策收紧,下游本土客户对国产供应商的评估认证积极性有所增强,速度有所提升,也为公司的硅零部件和半导体大尺寸硅片产品提供了更大的成长空间和更强的成长动能。


(四) 核心技术与研发进展
1、 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
(1)大直径硅材料
大直径单晶硅材料生产技术方面。报告期内,公司优化多项长晶工艺,提高设备生产效率,持续提升单批次产量和成品率。为应对国际国内市场日益增长的需求,公司还及时地对主要生产设备进行针对性的升级改造:持续优化投料方法,改进了热场结构,对热场中的主要石墨部件进行精细化管理。这不仅提高了生产设备的使用寿命,还缩短了生产时间,降低了制造成本,良品率和产量不断提升。另外,为顺应晶体“大型化”的市场趋势,公司还引入了新型长晶设备,改良了热场系统,提升生产过程数字化水平,提高了管理精细度,优化了工艺方案,实现了效能提升;
大直径多晶硅材料及其制成品生产技术方面。公司研发团队持续攻关多晶硅晶体制造工艺,以满足客户对更大尺寸晶体的需求,公司将不断提升包括晶体尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均匀性在内的一系列参数指标,为客户提供稳定的优质大直径硅材料。

(2)硅零部件
产品研发方面。报告期内,公司配合国内等离子刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,适用于 12 英寸等离子刻蚀机,已实现批量生产,能够满足原厂不断提升的技术升级要求。等离子体刻蚀工艺不同,硅零部件表面状态和工艺处理要求各异,因此,公司将持续配合原厂积极开发硅零部件。

公司掌握的核心技术情况如下:

序号核心技术技术优势
1无磁场大直径单晶硅制造技 术随着晶体直径的增加,生产用坩埚直径将增大,生产过程 中热场的不均匀性及硅熔液的对流情况也越明显,导致部 分硅原子排列呈现不规则性,进而形成更多的晶体缺陷, 造成良品率下降。公司通过有限元热场模拟分析技术,根 据产品技术要求开发相应的热场及匹配工艺,无需借助强 磁场系统抑制对流,实现了无磁场环境下大直径单晶硅的 制造,有效降低了单位成本。
2固液共存界面控制技术固液共存界面指晶体生长时的固态晶体与液态硅液接触的 界面形状,是硅单晶体生长的核心区域。由于晶体生长本 质上属于原子层面的排列变化,因此固液共存界面的微小 变化均会对晶体生长质量产生重大影响。晶体生长的不同 阶段需要差异化的界面控制方法以保证形成合适的固液共 存界面状态,最终实现产品较高的良品率和参数一致性水 平。公司拥有的固液共存界面控制技术确保晶体生长不同 阶段均能保持合适的固液共存界面,大幅提高了晶体制造 效率和良品率。
3点缺陷密度控制技术轻掺晶体中容易产生晶体原生颗粒等点缺陷,导致单晶硅 不能用于微小设计线宽的集成电路制造,减少或消除晶体 点缺陷是开发先进制程硅片的前提,公司已实现在无磁场 环境下利用点缺陷密度控制技术控制并有效降低点缺陷密 度。
4热系统封闭技术热系统是为晶体生长提供保障的关键部件,针对热场内部 的石墨部件损耗,开发出该方案。降低石墨部件随着气流 所损耗的程度。保证晶体结晶生长环境的稳定性。
5多段晶体电阻率区间控制技 术由于掺杂剂的物理偏析特性,晶体的电阻率从头部到尾部 是连续变化的。控制不同区段的掺杂剂浓度,使得同一批 次晶体,呈现多种电阻率分布。
6硅片表面微观线性损伤控制 技术硅片抛光过程难免出现一些小划痕,从而降低良品率。在 抛光工序中,通过系统性的工艺改良,大大减少划痕的出 现概率,提高良品率。
7线切割过程中硅片翘曲度的 稳定性控制技术通过对线切割过程中张力、砂浆配比、砂浆温度等参数进 行优化调整,有针对性地调整局部参数,系统性保障线切 割过程的稳定性,有效控制硅片的翘曲度。
序号核心技术技术优势
8硅电极微深孔内壁加工技术硅电极产品制作过程中需要打通近千个微小深孔,为了减 少刻蚀过程中的微小颗粒物数量,必须对其内表面进行抛 光工艺处理,达到无毛刺、表面洁净的效果。
9热处理衍生缺陷控制技术在8英寸晶体的生长过程中,通过控制晶体中的氧浓度, 以及适当增加异种元素浓度等工艺来控制氧化合物析出, 以在合适水平控制热处理衍生缺陷的技术。
10单晶硅及多晶硅材料细微深 孔加工技术针对单晶硅、多晶硅材料的细微深孔加工:通过一系列精 密工艺,保证了细微深孔圆度;研发出特制工具和装置, 并通过改变转速、单次啄钻深度、进给速度等参数,提高 了细微深孔深度加工能力及精度;同时采用更细密的磨削 砂轮,降低表面粗糙度,精确控制表面各点磨削去除量, 发明了改善端面铣削进退刀痕迹的加工方法,达到了外观 修整的目的。
11硅片表面超平坦抛光技术通过温度控制技术,管理抛光液及抛光垫温度,控制抛光 片表面形貌变化。针对抛光液用量和循环时间的管控,控 制抛光定盘形状,通过抛光过程中载荷和转数的匹配,使 抛光过程中各个阶段的平坦度和去除量达到平衡,从而达 到有效控制平坦度的效果。
12高温氩气退火技术通过流体控制技术,调整升温时间以及升温速率等多项参 数,在足够高的温度区间,使硅片表层区域内的COP等原 生点缺陷表面的自然氧化膜向外扩散,并使得硅原子发生 迁移从而补平该点缺陷,有效去除近表层区域的晶体原生 缺陷。同时,通过对氩气流量的控制,使硅片在经过高温 氩气退火工序后,表面雾化现象不易产生,在硅片体内的 中间部分增加BMD等析出物,增加了硅片的强度,使硅片 不易发生翘曲,从而提升硅片品质。
13酸腐蚀平坦度控制技术通过在特殊配比的酸腐蚀混合溶液中添加两性离子表面活 性剂,改变硅片表面溶液的张力。腐蚀过程中通过特定的 多种机械复合运动使硅片在腐蚀溶液中均匀反应,有效改 善STIR(Site Total lndicator Reading)和TTV(Total Thickness Variation)指标。
14硅部件精密刻蚀洗净技术通过增加硅部件在不同清洗槽内的多段位移运动,形成硅 部件产品清洗的新工艺。同时辅以联合开发的预清洗机 台、特殊比例药剂等工艺方法共同配合,完成对硅部件内 微小气孔及表面的彻底洗净,进一步减少颗粒度并隔离金 属离子,满足高端客户需求。
15多晶硅晶体致密性优化技术针对多晶抛光后易出现的表面异常白点或空洞,通过计算 控制原料中不纯物的混入量,辅助特殊的装料方法,减少 空洞发生的概率。通过更换离型剂的主要成分,改善硅晶 体和引晶材料之间的界面能,有利于诱导晶核的产生,提 高晶体的致密性。
16高温气体可控分布技术为保证大尺寸、复杂形状构件表面陶瓷涂层的完整均匀覆 盖,避免出现颗粒夹杂、生长取向偏差及晶型转变等沉积 缺陷,公司通过对沉积过程的热/流场模拟仿真并结合大 量工艺实验,研发出一套适用于陶瓷涂层高温沉积的可控 气体分布技术。该技术将合理化的流道设计和独特的喷嘴 结构相结合,实现了对待沉积工件表面不同位置的工艺气
序号核心技术技术优势
  体均匀可控输送,从而很好地消除了大尺寸异型构件涂层 过程中常见的“阴影效应”和“位置效应”,能有效地提 高该类产品的涂层质量和良品率。
17快速CVD-SiC技术在公司已有的SiC涂层CVD工艺积累基础上,研发出一套 高通量工艺气体进气系统,该系统可以在设备垂直方向和 水平方向上同时保证工艺气体进气均匀性的基础上,长时 间维持大流量甲基三氯硅烷的进气稳定性,从而保证SiC 在基体表面的持续快速生长。
18CVD-SiC晶粒控制技术针对涂层产品在实际应用过程中出现的涂层寿命异常等问 题,通过调整沉积工艺参数,控制CVD-SiC涂层的组织形 貌、生长取向以及沉积速率,进而制备出高抗氧化性能、 高抗热疲劳性能的涂层制品,满足高端客户需求。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2024年度半导体单晶硅、大尺寸硅片及零部件

2、 报告期内获得的研发成果
公司持续加强在“大直径硅材料”、“硅零部件”和“半导体大尺寸硅片”产品的研发投入,还在新兴领域加大研发力度。报告期内,公司研发的“快速CVD-SiC技术”,公司的高通量工艺气体进气系统可以保证 SiC 在基体表面的持续快速生长;“CVD-SiC 晶粒控制技术”,能够制备出高抗氧化性能、高抗热疲劳性能的涂层制品,满足高端客户需求。公司获得发明专利2个,实用新型专利11个。

报告期内获得的知识产权列表


 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利222412
实用新型专利5119486
外观设计专利0000
软件著作权0000
其他0000
合计71311898

3、 研发投入情况表
单位:元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入25,007,898.3222,465,641.8111.32
资本化研发投入   
研发投入合计25,007,898.3222,465,641.8111.32
研发投入总额占营业收入比例 (%)8.2616.64减少8.38个百分点
研发投入资本化的比重(%)   

研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用 √不适用

研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用 √不适用
4、 在研项目情况
√适用 □不适用
单位:万元

序号项目名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性成果拟达到目标技术 水平具体应用前景
18英寸硅片研磨过 程中的TTV控制 工艺研究300.00259.00532.63通过工艺开发和优化,采用新型号 研磨机台和研磨液添加剂,硅片 TTV指标加工能力达到国内领先水 平,取得预期效果,相关成果已实 现小批量产品应用在现有平坦度基础上 优化,达到业内先进 水平国内 先进8英寸芯片先进 制程的基础材料
2基于碱腐蚀的硅 片平坦度研究500.00369.30692.70已成功完成批量生产,并顺利通过 了工艺稳定性验证。在关键性能指 标方面,产品平坦度和金属检测指 标均达到了国内领先水平,实现了 预期目标在现有平坦度基础上 优化,达到业内先进 水平国内 先进8英寸芯片先进 制程的基础材料
3氩气退火工艺开 发2,000.00414.671,167.49工艺流程已全面完善,并实现批量 生产。在质量把控方面,各类关键 检测指标均符合技术预期要求,产 品性能与品质表现稳定,已达成既 定目标能够生产正片级别的 氩气退火片国内 先进8英寸芯片先进 制程的基础材料
4硬脆材料特征加 工工艺研发200.00114.33197.40通过开发硅部件的特殊形状加工工 艺和方法,结合配套的工装器具, 改善硅部件形状加工的效率,提高 了硅部件形状加工可靠性和良品 率,加工工艺已基本固化,工艺取 得预期效果。相关成果已应用到批 量产品的生产中提高硅部件形状加工 多样性,降低异形硅 部件加工难度,改善 硅部件形状特征加工 后表面状态,提高形 状加工的生产效率, 提高终端客户实验测 试多样性国内 先进集成电路制造环 节中干法刻蚀机 中的硅部件
5柔性切削减少表 面损伤层的工艺 方法50.0022.0861.64开发了柔性切削工艺,并结合先进 的自主设计刀具,显著降低了硅部 件加工过程中产生的表面损伤层厚 度,从而较大幅度提高了硅部件表 面加工质量。不仅降低了后续化学 腐蚀工艺的难度,还确保了腐蚀后 产品表面的一致性,同时增强了产 品对等离子体的耐受能力。采用柔 性切削工艺生产的产品已应用于交 付产品的生产环节,实现了预期目 标提高硅部件表面质 量,降低表面损伤层 厚度,降低化学腐蚀 难度,使腐蚀后的产 品表面一致性好,等 离子体耐受程度提 高,降低客户使用成 本国内 先进集成电路制造环 节中干法刻蚀机 中的硅部件
6介质蚀刻用新型 硅电极表面改良 技术150.00121.28223.00针对客户对硅部件加工精度的升级 需求,成功研发出新型负离子复合 蚀刻溶液。创新性地引入两性离子 表面活性剂体系,同步优化了生产 工艺流程,在有效消除硅基材机械 加工损伤层的同时,在硅部件表面 构建出区别于传统酸性蚀刻的独特 微观形貌,展现出优异的表面完整 性控制能力,相关样品已通过终端 客户认证,并逐步实现批量生产与 供货改善硅部件微观状 态,满足终端客户新 型刻蚀设备的使用需 求,同时能提高硅部 件的使用寿命,丰富 公司蚀刻生产工艺, 彰显定制化研发能 力,满足多样化需求国内 先进集成电路制造环 节中干法刻蚀机 中的硅部件
7超大尺寸硅材料 表面清洗工艺研 发500.00500.86500.86通过优化化学药剂配比与物理清洗 协同工艺,表面金属元素去除效果 得到有效提升,经过检测相关指标 已满足客户标准,可进行逐步推广提升产品表面洁净 度,满足客户需求国内 先进集成电路刻蚀用 高精密硅部件、 石英部件等
8SiC涂层微结构控 制200.00237.66237.66本阶段,结合扫描电镜、XRD等分 析检测方法,系统标定了沉积工艺 参数对涂层组织形貌与性能的影 响。根据试验结果固化多种工艺方通过控制涂层微结 构,匹配不同产品的 使用环境,提高产品 使用寿命国内 先进硅片外延成长用 的托盘,以及集 成电路制造设备 用的炉管晶舟等
     案,以匹配不同产品的使用环境, 满足使用寿命需求   
9SiC-bulk产品制 备技术300.00158.44158.44本阶段,通过对设备进行改造优 化,提高对沉积区域的温度场控制 精度及压力控制精度,进一步提高 SiC生长速率,缩短生长周期,提 高生产效率。同时设备引入自动化 控制系统,提高设备的稳定性、可 靠性及工艺的一致性、重复性,为 后期产品制备提供坚实的基础利用自研的快速CVD- SiC设备制备满足等离 子刻蚀设备应用要求 的SiC-bulk材料,并 配套相应的机加工和 后处理工艺方案。国内 先进国内先进
10硅电极微孔加工 优化80.0045.8945.89结合先进的加工技术与定制化工装 器具,显著提升了微孔加工的精度 与效率。通过创新的加工方法,有 效降低了微孔内壁的损伤,提高了 孔径一致性和表面质量,同时减少 了加工过程中的热影响,确保硅电 极在后续应用中的性能稳定性。目 前,该优化工艺已完成实验室验 证,并成功应用于小批量生产通过硅电极微孔加工 优化,开发高效、稳 定的加工工艺,结合 定制工装,提升微孔 加工精度与表面质 量,降低热损伤,提 高产品一致性和良品 率。国内 先进集成电路制造环 节中干法刻蚀机 中的硅部件
合计/4,280.002,243.513,817.71////
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