[年报]龙图光罩(688721):深圳市龙图光罩股份有限公司2024年年度报告

时间:2025年03月28日 00:51:56 中财网

原标题:龙图光罩:深圳市龙图光罩股份有限公司2024年年度报告

公司代码:688721 公司简称:龙图光罩







深圳市龙图光罩股份有限公司
2024年年度报告








重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述了存在的风险因素,敬请查阅“第三节管理层讨论与分析-四、风险因素”中关于风险因素的内容。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 中兴华会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人叶小龙、主管会计工作负责人范强及会计机构负责人(会计主管人员)范强声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 结合公司所处行业特点、发展阶段和资金需求,公司2024年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数,向全体股东每10股派发现金红利人民币4.00元(含税)。截至2025年2月28日,公司总股本133,500,000股,以此计算合计拟派发现金红利人民币53,400,000.00元(含税),占公司2024年度归属于母公司所有者的净利润的58.15%。公司2024年度不进行资本公积转增股本,不送红股。如在利润分配方案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间,公司总股本发生变动的,公司拟维持每股分配比例不变,相应调整分配总额。

该利润分配预案已经第一届董事会第二十三次会议审议决议通过,尚需经公司2024年年度股东大会审议通过后实施。

八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告涉及未来计划等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 7
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 12
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 44
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 59
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 67
第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................... 108
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 116
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 116
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 117



备查文件目录载有公司负责人、会计主管工作负责人、会计机构负责人(会计主管人员 签名并盖章的财务报告。
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
 报告期内在中国证券监督管理委员会指定网站上公开披露过的公司文件 正本及公告原件。


第一节 释义
一、释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
龙图光罩、深圳龙图、公司、 本公司、深圳工厂深圳市龙图光罩股份有限公司
实际控制人柯汉奇、叶小龙、张道谷
龙图光电深圳市龙图光电有限公司,本公司前身
珠海龙图、珠海公司、珠海 工厂珠海市龙图光罩科技有限公司,公司全资子公司
惠友豪嘉厦门市惠友豪嘉股权投资合伙企业(有限合伙),公司股东
南海成长深圳南海成长湾科私募股权投资基金合伙企业(有限合伙), 公司股东
华虹虹芯上海华虹虹芯私募基金合伙企业(有限合伙),公司股东
瑞扬合伙宁波瑞扬泓创业投资合伙企业(有限合伙),公司股东
士兰控股士兰控股(浙江)有限公司,公司股东
银杏谷壹号景宁银杏谷壹号创业投资合伙企业(有限合伙),公司股东
SEMISemiconductor Equipment and Materials International的简称, 即国际半导体产业协会,SEMI 定期收集和发布全球半导体 行业数据及预测,是全球半导体行业数据的权威机构
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
证监会、中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所、证券交易所上海证券交易所
报告期2024年度
元、万元人民币元、万元
海通证券、保荐人、保荐机 构、主承销商海通证券股份有限公司
会计师、审计机构、中兴华中兴华会计师事务所(特殊普通合伙)
掩模版掩模版又称光掩模、光罩、掩模版,英文为 Photomask、Mask 或 Reticle,是微电子加工光刻工艺所使用的图形母版,掩模 版作为图形信息的载体,通过曝光过程,将图形转移到基体 材料上从而实现图形的转移
集成电路/ICIntegrated Circuit,简称 IC,是采用特定的工艺流程,将一个 电路设计中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元器件通过 多层金属线相连,在一小块或几小块半导体晶片或介质基片 上制作出来,然后封装在一个管壳内,使其成为具有所设计 的电路功能的微型结构
晶圆、Wafer晶圆、Wafer 是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由 于其形状为圆形,所以称为晶圆
晶体管二极管、三极管、场效应晶体管等半导体器件的泛称
基板/掩模基板又称空白掩模版 Blank Mask,为掩模版生产的原材料,是在 石英或苏打玻璃基板上沉积遮光膜并涂布光刻胶的掩模基材
版图在集成电路设计中,将前端设计产生的电路图通过 EDA 工 具进行布局布线和物理验证,最终产生供掩模版制造用的包 含芯片设计信息的 GDSII或者 OASIS格式的图形数据
功率半导体功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要 用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等,功率半 导体可以分为功率 IC和功率器件两大类
第三代半导体以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为主的宽禁带半导体材料, 具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高迁移率、 可承受大功率等特点
特色工艺半导体以“超越摩尔定律(More than Moore)”为指导,不完全依赖 缩小晶体管特征尺寸,而是通过聚焦新材料、新结构、新器 件的研发创新与运用,强调定制化和技术品类多元性的半导 体晶圆制造工艺
封装将生产加工后的晶圆进行切割、焊线塑封,使电路与外部器 件实现连接,并为集成电路提供机械保护,使其免受物理、 化学等环境因素损伤的工艺
MEMS传感器指使用半导体工艺和材料,以半导体为制造技术基础的集成 了微传感器、微执行器、微机械结构、微电源、信号处理和 控制电路等高性能电子集成器件于一体的新型传感器
模拟 IC即模拟芯片,处理连续性模拟信号的集成电路芯片,电学上 的模拟信号是指用电参数,如电流和电压,来模拟其他自然 物理量而形成的连续性的电信号
电源管理芯片电源管理芯片(Power Management Integrated Circuits, PMIC),是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、 检测及其他电能管理的职责的芯片
CAMComputer Aided Manufacturing的简称,即计算机辅助制造, 指利用计算机辅助完成从生产准备到产品制造整个过程的活 动,CAM是公司版图数据处理的主要过程
光刻工艺半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和 显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀将图形 转移到所在基体材料上
曝光集成电路制造中光刻工艺的重要工序之一,是利用激光、电 子束、离子束等光源照射或辐射将掩模版上的图形经过光学 系统投影到光刻胶上,实现图形转移
显影通过显影介质的作用,将被曝光过的光刻胶溶解掉,留下曝 光图形的工序
刻蚀指在集成电路制造中,在暴露的硅衬底或晶圆表面未保护的 薄膜上去除材料的工艺
OPCOptical Proximity Correction的简称,即光学邻近效应修正技 术,是一种光刻分辨率增强技术,OPC通过修正光刻图形和 设计图形之间由于曝光产生的变形和偏差,使得投影到光刻 胶上的图形更符合设计要求
PSMPhase Shift Mask的简称,即相移掩模版,是利用相移(Phase Shift)原理实现光的相位反转,改善图形对比度,增强图形 曝光分辨率的一种技术
AOIAutomated Optical Inspection的简称,即自动光学检测,是基 于光学原理来对生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备
AMCAirborne Molecular Contaminants的简称,即气态分子污染物, 指对产品或设备及其工艺流程有不良影响的非粒子状的悬浮 化学污染物
第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称深圳市龙图光罩股份有限公司
公司的中文简称龙图光罩
公司的外文名称ShenZhen Longtu Photomask Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写STARMASK
公司的法定代表人叶小龙
公司注册地址深圳市宝安区新桥街道象山社区新玉路北侧圣佐治科 技工业园4#厂房101
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址深圳市宝安区新桥街道象山社区新玉路北侧圣佐治科 技工业园4#厂房101
公司办公地址的邮政编码518125
公司网址www.starmask.cn
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名范强李建东
联系地址深圳市宝安区新桥街道象山社区新 玉路北侧圣佐治科技工业园4#厂房 101深圳市宝安区新桥街道象山社区新 玉路北侧圣佐治科技工业园4#厂房 101
电话0755-232075800755-23207580
传真0755-294807390755-29480739
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址《上海证券报》(https://www.cnstock.com/) 《证券时报》(http://www.stcn.com/) 《中国证券报》(https://www.cs.com.cn/) 《证券日报》(http://www.zgrb.cn/) 《经济参考报》(http://www.jjckb.cn/)
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点证券法务部办公室,深圳市宝安区新桥街道象山社区新玉 路北侧圣佐治科技工业园4#厂房101

四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用 □不适用


公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板龙图光罩688721/

(二)公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、其他相关资料

公司聘请的会计师事 务所(境内)名称中兴华会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址北京市丰台区丽泽路 20号院 1号楼南楼 20层
 签字会计师姓名赵恒勤、涂雅丽
报告期内履行持续督 导职责的保荐机构名称海通证券股份有限公司
 办公地址深圳市福田区京基滨河时代广场 A座 61楼
 签字的保荐代表人姓名殷凯奇、严胜
 持续督导的期间2024.8.6-2027.12.31

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2024年2023年本期比上年 同期增减(%)2022年
营业收入246,503,467.92218,292,698.5412.92161,541,554.00
归属于上市公司股东 的净利润91,832,934.3683,608,662.129.8464,482,072.47
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润90,359,606.4781,786,730.1810.4861,055,740.06
经营活动产生的现金 流量净额109,234,813.58101,478,132.257.6471,156,585.13
 2024年末2023年末本期末比上年同 期末增减(%)2022年末
归属于上市公司股东 的净资产1,203,865,425.06553,243,259.26117.60464,659,083.41
总资产1,313,154,265.85631,586,182.24107.91513,820,965.72

(二) 主要财务指标

主要财务指标2024年2023年本期比上年同期 增减(%)2022年
基本每股收益(元/股)0.830.84-1.190.67
稀释每股收益(元/股)0.830.84-1.190.67
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)0.810.82-1.220.63
主要财务指标2024年2023年本期比上年同期 增减(%)2022年
加权平均净资产收益率(%)11.6816.35减少4.67个百分点28.55
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)11.4915.99减少4.5个百分点27.04
研发投入占营业收入的比例(%)9.359.24增加0.11个百分点9.49
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
归属于上市公司股东的净资产及总资产分别同比增长 117.60%和 107.91%,主要系报告期内公司完成首次公开发行并在科创板上市,实际募集资金净额为人民币 55,346.25万元,因而大幅增加公司的净资产和总资产。


七、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2024年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

项目第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入59,722,917.5064,173,253.3163,067,098.6559,540,198.46
归属于上市公司股东的 净利润24,762,752.9324,574,423.5322,231,682.5020,264,075.40
归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益后的 净利润24,741,766.4524,293,332.3021,997,273.8219,327,233.90
经营活动产生的现金流 量净额23,510,981.8623,000,889.0524,590,106.3138,132,836.36
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2024年金额附注(如适用)2023年金额2022年金额
非流动性资产处置损益,包括已计 提资产减值准备的冲销部分-2,794.74 -154,530.49-30,074.24
计入当期损益的政府补助,但与公 司正常经营业务密切相关、符合国 家政策规定、按照确定的标准享有、 对公司损益产生持续影响的政府补 助除外1,117,890.99 2,303,773.773,600,699.37
除同公司正常经营业务相关的有效 套期保值业务外,非金融企业持有 金融资产和金融负债产生的公允价 值变动损益以及处置金融资产和金 融负债产生的损益656,043.49  543,219.23
计入当期损益的对非金融企业收取 的资金占用费    
委托他人投资或管理资产的损益    
对外委托贷款取得的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾害 而产生的各项资产损失    
单独进行减值测试的应收款项减值 准备转回    
企业取得子公司、联营企业及合营 企业的投资成本小于取得投资时应 享有被投资单位可辨认净资产公允 价值产生的收益    
同一控制下企业合并产生的子公司 期初至合并日的当期净损益    
非货币性资产交换损益    
债务重组损益    
企业因相关经营活动不再持续而发 生的一次性费用,如安置职工的支 出等    
因税收、会计等法律、法规的调整 对当期损益产生的一次性影响    
因取消、修改股权激励计划一次性 确认的股份支付费用    
对于现金结算的股份支付,在可行 权日之后,应付职工薪酬的公允价 值变动产生的损益    
采用公允价值模式进行后续计量的 投资性房地产公允价值变动产生的 损益    
交易价格显失公允的交易产生的收 益    
非经常性损益项目2024年金额附注(如适用)2023年金额2022年金额
与公司正常经营业务无关的或有事 项产生的损益    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外收入 和支出13,444.92 -5,457.45-103,905.66
其他符合非经常性损益定义的损益 项目    
减:所得税影响额311,256.77 321,853.89583,606.29
少数股东权益影响额(税后)    
合计1,473,327.89 1,821,931.943,426,332.41
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

十、非企业会计准则财务指标情况
□适用 √不适用


十一、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响金额
交易性金融资产 330,359,191.58330,359,191.58656,043.49
应收款项融资5,942,690.927,135,977.741,193,286.82-
合计5,942,690.92337,495,169.32331,552,478.40656,043.49


十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用 √不适用


第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
公司主营业务为半导体掩模版的研发、生产和销售,是国内稀缺的独立第三方半导体掩模版厂商。公司紧跟国内特色工艺半导体发展路线,不断进行技术攻关和产品迭代,量产的半导体掩模版对应下游半导体产品的工艺节点覆盖 130nm,更高制程节点的第三代掩模版 PSM产品已研发试制成功并送往客户验证。公司掩模版产品广泛应用于功率半导体、MEMS 传感器、IC 封装、模拟 IC 等特色工艺半导体领域,终端应用涵盖新能源、光伏发电、汽车电子、工业控制、无线通信、物联网、消费电子等场景。

报告期内,公司持续优化深圳工厂的产品结构,快速推进珠海募投项目的建设,全年实现营业收入 24,650.35万元,较上年同期增长 12.92%;实现归属于上市公司股东的净利润 9,183.29万元,较上年同期增长 9.84%。报告期内,公司的主营业务和主要经营模式均未发生重大变化,相比以前年度营业收入增速有所放缓,主要原因系公司现有产能已接近瓶颈,珠海募投项目尚未投产释放产能。

1、深挖现有产能,坚持降本增效
报告期内,公司营业收入均来自于深圳工厂现有产能。公司持续优化产品结构,深挖现有产能,石英掩模版的收入持续增加,收入占比由 2023年的 78.79%提升至 2024年的 81.31%,苏打掩模版的收入规模保持稳定。报告期内,公司产品销量同比增长 6.31%,全年实现营业收入24,650.35万元,较上年同期增长 12.92%。

同时,公司不断提高运营效率,推进国产材料使用,严格控制各项成本费用支出。报告期内,公司通过优化采购流程,把控原材料采购量与采购时机,发挥集中采购优势,增加国产供应商占比等方式,有效控制了材料成本。2024 年,公司实现归属于上市公司股东的净利润 9,183.29万元,较上年同期增长 9.84%。

2、紧抓募投项目,实现制程升级
报告期内,公司紧抓“高端半导体芯片掩模版制造基地”项目建设,珠海工厂主要生产设备如电子束光刻机、高精度激光光刻机、干法刻蚀设备、KLA高端检测设备、涂胶/显影设备等关键设备自第一季度末开始陆续到货,并顺利完成安装调试。截止本报告披露日,公司珠海工厂已完成第三代掩模版 PSM产品的工艺调试和样品试制,并已送样至客户进行验证。

随着上述项目的推进,公司产品制程水平将拓展至 90nm、65nm,实现制程升级和产品迭代,下游应用领域也将向驱动芯片、MCU、信号链、CIS、Flash、eNVM等扩展,充分满足下游大型晶圆厂的配套需求,在扩大市场份额的同时,提升公司产品的竞争力,强化公司的领先优势。

3、增加研发投入,保持技术优势
报告期内,公司持续加大研发投入,不断加快工艺创新、完善关键技术和产品专利布局,全年研发费用金额为 2,305.07万元,同比增长 14.25%。公司对第三代半导体掩模版技术的全流程进行了充分的技术研发和工艺调试,包括版图数据处理、OPC 补偿、电子束光刻、相移掩模技术、干法刻蚀、缺陷检测及修补等。

报告期内,公司新获授权专利 18项,其中发明专利 9项,实用新型专利 9项,上述研发成果的实现有利于增加公司的技术储备,保持公司在半导体掩模版领域的技术优势。

4、坚持“筑巢引凤”,强化队伍建设
报告期内,公司始终秉持开放包容的人才理念,坚持“筑巢引凤”,积极引进行业内及上下游技术人才,进一步储备和充实公司的研发和技术队伍,提高公司的技术水平。同时,公司为充分激发人才潜力,持续完善激励制度,从物质和精神上调动员工的积极性和创造性,为公司创新体系建设筑牢根基。

培训方面,公司高度重视员工的职业发展,为人才发展赋能。报告期内,公司组织开展了涵盖专业技能、专有技术、管理知识、个人成长等多领域的培训,激发了员工的内在潜能与职业追求,继续完善管理与专业技术双轨晋升通道,以实现员工与企业的共同成长、互利共赢。

5、精进治理效能,保护投资者权益
公司进一步增强规范运作意识,提高上市公司透明度和信息披露质量,依法合规地做好信息披露工作;通过定期报告业绩说明会、e 互动平台、投资者现场调研及日常电话、邮件等方式,建立起与资本市场良好的沟通机制,全方位、多角度向投资者传递了公司实际的生产经营情况,有效维护了广大中小投资者的合法权益。

公司将始终践行“投资者为本”的发展理念,基于对公司未来发展前景的坚定信心和对公司价值的高度认可,在公司经营情况和分红政策允许的前提下,积极推动股份回购和现金分红,以实际行动不断提升股东回报。

非企业会计准则业绩变动情况分析及展望
□适用 √不适用

二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为半导体掩模版的研发、生产和销售,是国内稀缺的独立第三方半导体掩模版厂商。公司紧跟国内特色工艺半导体发展路线,不断进行技术攻关和产品迭代,形成涵盖 CAM、光刻、检测全流程的核心技术体系,产品广泛应用于功率半导体、MEMS传感器、IC封装、模拟IC等特色工艺半导体领域,终端应用涵盖新能源、光伏发电、汽车电子、工业控制、无线通信、物联网、消费电子等场景。

公司主要产品为掩模版,掩模版也称光罩,是集成电路制造过程中的图形转移工具或者母板,承载着图形信息和工艺技术信息,广泛应用于半导体、平板显示、电路板、触控屏等领域。掩模版的作用是将承载的电路图形通过曝光的方式转移到硅晶圆等基体材料上,从而实现集成电路的批量化生产。

公司生产的掩模版产品根据基板材质的不同主要可分为石英掩模版、苏打掩模版两类,具体图示和介绍如下:

产品 名称产品图例产品简介应用场景
石英 掩模 版 以高纯石英玻璃为 基材,具有高透过 率、高平坦度、低 膨胀系数等优点, 成本较高,通常应 用于高精度掩模版 产品。主要用于对精度 要求高的功率半 导体、模拟芯片、 逻辑芯片等领域。
苏打 掩模 版 使用苏打玻璃作为 基板材料,热膨胀 率相对高于石英玻 璃,平整度和耐磨 性相对弱于石英玻 璃,成本相对较低, 主要用于中低精度 掩模版。主要用于对精度 要求较低的中低 端半导体制造、半 导体封装、光学器 件、触控屏和电路 板制造等领域。

(二) 主要经营模式
1、盈利模式
公司主营业务为掩模版的研发、生产和销售,根据下游客户定制化的需要,设计和生产掩模版。公司产品主要应用于半导体领域,凭借良好的客户需求转换能力、制程能力、品质保证能力、技术服务能力等不断开拓行业内大客户、持续获取订单,实现产品销售并获得盈利。

2、研发模式
公司始终坚持自主研发和技术创新,建立了涵盖新产品开发、工艺研发、CAM软件开发、设备研发的研发体系。公司建立了《研发与知识产权内部控制制度》,规范了从项目立项、项目实施与验收的全流程。公司始终致力于探索、改进掩模版的工艺制造流程,提升产品良率,提高生产制造效率,同时对于掩模版生产所需的部分设备进行了研发、改进,从工艺到设备多角度提升掩模版产品性能。

3、采购模式
公司采购物料主要分为主料与辅料,其中主料包括制作掩模版所需要的石英基板、苏打基板以及光学膜,辅料主要为在显影刻蚀环节用到的显影刻蚀材料,以及 ABS包装盒等。公司主要采取“以销定采”的方式,同时对于通用性较强的原材料,如石英基板、苏打基板、光学膜等,根据销售预测、库存情况及原材料市场供应情况适当备货。

4、销售模式
公司的主要产品具有显著定制化特征,主要采用直销模式,同时存在少量代理商销售收入,其协助公司开拓及维护中国台湾地区客户。公司依据客户对产品的规格工艺要求,通过产品成本加合理毛利并结合市场竞争情况等确定销售价格。

5、生产模式
由于掩模版为定制化产品,产品需要根据客户的个性化需求进行定制化设计与生产,因此,公司采取“以销定产”的生产模式,即根据销售订单安排生产。公司拥有包含 CAM版图处理、光刻、显影、刻蚀、清洗与检测等掩模版全环节自主生产能力,凭借丰富的行业经验和领先的技术水平能够快捷高效为客户提供高质量产品与服务。

(三) 所处行业情况
1、 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
受世界经济格局的复杂性和地缘政治因素的交织影响,2024年的全球半导体行业呈现出复杂且多元的发展态势。半导体行业作为现代高科技产业与新兴战略产业的核心支柱,为现代信息技术、电子技术、通信技术以及信息化等产业构筑起不可或缺的坚实支撑体系。近年来,新能源、AI、自动驾驶、物联网、5G 通信、VR/AR、元宇宙等新兴领域呈现出强劲的增长态势,促使半导体企业加快技术创新和产品升级步伐,推动了掩模版市场规模的持续扩大。

从公司主要面向的国内市场来看,面对全球贸易保护主义抬头,为抓紧打造自主可控的产业链供应链,国内企业纷纷加大在芯片制造领域的投入,并在半导体材料和设备领域不断推进国产替代,致力于构建自主可控的半导体产业链。国内芯片制造产能不断扩充,在特色工艺、成熟制程以及先进封装等领域,也不断进行产品和技术创新,带动了行业上下游的快速发展。

面对上述市场机遇,公司继续坚持“深耕特色工艺,突破高端制程”的发展战略与思路,持 续人才引入、技术研发创新及市场拓展,在不断扩大现有制程范围的经营规模下,稳步推进 130nm 以下“高端半导体芯片掩模版制造基地”的建设投产,巩固和提升公司在半导体掩模版的行业地 位,为我国半导体掩模板领域的自主可控持续贡献技术力量。 (1)半导体行业景气度上升,掩模版需求稳步增长 从全球看,根据美国半导体行业协会(SIA)最新公布的数据显示,2024年全球半导体销售 额达到 6,276亿美元,比 2023年的 5,268亿美元增长了 19.1%。此外,根据 SEMI在 2024年第四 季度发布的《世界晶圆厂预测》报告显示,全球半导体行业从 2023年至 2025年计划开始运营 97 家新的大型晶圆厂,其中包括 2024年的 48个项目和 2025年将启动的 32个项目。全球半导体产 能将进一步扩充,预计 2025年年增长率将达到 6.6%,每月 8寸等效晶圆总量将达到 3,360万片; 同时,成熟的技术节点也仍在继续扩张,SEMI预计这一细分市场将增长 5%,每月 8寸等效晶圆 总量到 2025年将达到 1,400万片。 数据来源:SEMI
从国内看,全球贸易保护主义抬头,为保障供应链安全,国内企业加大在芯片制造领域的投入,致力于构建自主可控的半导体产业链。国内芯片制造端产能仍在继续扩张,根据 SEMI数据,中国芯片制造商预计将保持两位数的产能增长,每月 8寸等效晶圆总量在 2024年增长 15%至 885万片后,2025年将增长 14%至 1,010万。

而作为半导体产业上游的核心材料,半导体掩模版的战略地位也将随之稳步提升。掩模版是芯片制造的“母版”,其精度与质量直接决定了芯片的性能和制程水平。随着半导体产业的蓬勃发展,对掩模版的需求将不断攀升,其技术创新与产业升级也将成为推动半导体行业进步的重要(2)国产替代空间广阔,进口替代进程加速 长期以来国内半导体掩模版市场份额主要由国际巨头所占据,如美国Photronics、日本Toppan、 日本 DNP等。国内半导体掩模版行业起步较晚,早期面临着技术落后、设备依赖进口等诸多困境, 在半导体掩模版的技术水平及产业化能力方面与美国、日本等国际先进厂商相比存在较大差距。 中国大陆厂商已量产的半导体掩模版仍主要停留在 350nm-130nm,130nm及以下工艺节点目前参 与厂商较少。根据中国电子协会官网数据显示,目前中国半导体掩模版的国产化率 10%左右,90% 需要进口,高端掩模版的国产化率仅约 3%。 数据来源:SEMI
然而,近年来,随着国家对半导体产业的高度重视和大力扶持,以及国内企业在技术研发上的不懈努力,我国半导体产业亦进入全方位成长阶段,产业链上下游国产替代持续推进,关键材料和设备逐步实现自主可控。国内晶圆厂的产能持续扩张,如华虹集团、芯联集成、晶合集成、长鑫存储、芯恩半导体、士兰微立昂微燕东微、积塔半导体、粤芯半导体、鼎泰匠芯等企业的崛起,带动了对掩模版的旺盛需求,这为国产掩模版企业提供了广阔的发展空间,众多国内掩模版厂商抓住机遇,加大研发投入,不断提升产品质量和技术水平,逐步实现了对部分进口产品的替代。

(3)半导体掩模版逆周期特征明显,行业具有较高的需求稳定性
由于掩模版产品在半导体生产中起到光刻模具的功能,可多次曝光、重复使用,因此掩模版产品需求不仅依赖于半导体行业的整体规模情况,更依赖于下游半导体行业的产品创新。半导体创新产品越多,掩模版需求量越大。国内半导体掩模版需求推动因素如下: ①半导体产品不断迭代创新:随着我国半导体芯片行业的国产替代推进,技术水平、工艺能力不断进步,芯片设计公司将会不断推出新的产品,对于掩模版的产品需求不断增加; ②半导体掩模版具有部分逆产业周期特性:当半导体行业处于下行周期,晶圆制造厂商的产工服务,从而生产的半导体产品类型亦会增多,相应增加掩模版的需求量; ③半导体产品种类繁多,应用广泛:半导体行业的产品种类繁多、工艺多样、应用广泛,不同类型的产品应用于不同的终端场景,如消费电子、人工智能、汽车电子、新能源、工业制造、无线通信、物联网等,掩模版的需求此消彼长,不会因为单个终端领域产生较大的需求波动。

(4)半导体掩模版生产工艺复杂,技术壁垒较高
半导体掩模版在光刻工艺中需要绘制的图形特征尺寸小、精度高,配套的掩模版层数多,且随着半导体工艺的不断提升,掩模版的要求也越来越苛刻,因此半导体掩模版对最小线宽、位置精度、CD 精度、缺陷管控等均提出了很高的要求,工艺难度大,技术壁垒高。半导体掩模版在晶圆制造中的关键作用及制作难度决定了半导体掩模版供应商必须具备较强的制程工艺水平、精度控制能力以及完善的技术研发体系,才能满足不断升级的半导体制造的苛刻要求。

在 CAM 版图处理方面,光刻技术是在掩模版上制作图形的核心关键工艺,其核心目标是实现高分辨率、高精度的图形转移。以电子束光刻技术为例,它能够突破传统光刻技术的分辨率限制,达成更小的特征尺寸,满足先进制程对超精细图形的需求。然而,由于光刻过程中不可避免地会出现光学畸变等问题,这就需要运用图形补偿技术,通过复杂的算法和模拟,对设计图形进行精确的补偿,以确保最终在晶圆上形成的图形与设计要求精确匹配。

在光刻及工艺匹配技术方面,掩模版需要与光刻机的波长、分辨率、曝光方式等参数相匹配,才能实现最佳曝光效果。不同类型的下游光刻机具有不同的技术特点和参数范围,掩模版的设计和制造必须充分考虑这些因素,确保两者之间的兼容性和协同性。同时,要充分了解晶圆制造过程中的蚀刻、掺杂、光刻胶等工艺,因为掩模版上的图形最终要在晶圆上通过一系列工艺步骤转化为实际的芯片结构。只有确保掩模版上的图形能与后续工艺步骤精准匹配,才能确保产出制程与精度水平达标、符合下游客户工艺需求的半导体掩模版产品。

在检测与修复方面,掩模版在制造过程中产生的各种缺陷及各类精度偏差,与生产、传输、储存等环节中出现的污染物,会通过半导体曝光工艺传递到下游芯片上,严重影响芯片的性能与良率,且随着制程的不断提高,对缺陷尺寸的容忍度越来越低。为了确保掩模版的质量,需要借助先进的光学检测设备,对掩模版进行全方位、高精度的检测,精准检出掩模版上纳米级缺陷,包括但不限于诸如针孔、颗粒、图形畸变等微小缺陷,并在不产生二次污染的情况下通过激光或电子束去除缺陷和精准修补,技术难度较高。

2、 公司所处的行业地位分析及其变化情况
在第三方半导体掩模版市场,境内厂商与境外厂商的技术差距可以体现在特色工艺、成熟制程与先进制程几个层次:
①在特色工艺制程领域,对于 130nm 及以上制程节点的半导体掩模版,以公司为代表的境内厂商工艺技术水平已经达到国际一线竞争对手同等水平,产品关键参数无明显差异,性能水平基本相当,正逐步占据该制程节点下境外厂商的市场份额;
②对于 130nm-28nm制程节点的成熟制程半导体掩模版产品,该领域是包括公司在内的当前境内第三方厂商技术攻关和产品研发的主要方向,目前与国际一线厂商各个环节上尚存在一定差距,但是短期内技术追赶存在较大的可能;
③对于 28nm 及以下的先进制程节点的半导体掩模版,由于境外掩模版厂商具有资本投入的先发优势和产业链集群优势,同时中国大陆半导体行业受贸易制裁、出口管制等因素影响,目前我国境内第三方掩模版厂商暂时无法涉及 28nm及以下制程节点的先进制程掩模制造,仅有极少数头部晶圆厂具备相应制版技术。

公司已经实现了 130nm 工艺节点半导体掩模版的量产,更高制程节点的第三代掩模版 PSM产品已研发试制成功并送往客户验证。公司与国内重点的晶圆厂及设计公司均建立了深度的合作关系,技术实力及工艺能力在国内第三方半导体掩模版厂商处于第一梯队。

3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 (1)新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况
集成电路作为信息产业的基础和核心,是关系国民经济和社会发展全局的战略性、基础性、先导性产业,是新质生产力的发动机,其产业链主要包括集成电路设计、设备材料、芯片制造和封装测试。未来十年,中国半导体芯片行业有望迎来产业升级与自主可控的黄金时期,产业结构将逐步优化升级。在海外技术封锁和贸易摩擦等不确定性因素增加的背景下,我国半导体芯片产业加速进口替代,实现半导体芯片产业自主可控已上升到国家战略高度,中国半导体芯片行业发展迎来了历史性的机遇。

在科技发展日新月异的当下,AI 行业和机器人正呈现出快速发展的态势。以 ChatGPT 4 和Deepseek为代表的大语言模型、Sora等生成式 AI、人形机器人等已经掀起了人工智能技术的革新浪潮。这些新兴技术的发展和应用,将逐渐渗透到各个行业与领域,带动对计算芯片、光通信、传感器、驱动芯片、电力电子等半导体产品的巨大需求,给半导体掩模版行业带来大量需求。

以 SiC 和 GaN 为主的第三代半导体材料,将持续深化发展。第三代半导体材料可以制造高耐压、大功率的 MOSFET、IGBT 等电力电子器件,用于高铁、智能电网、新能源汽车、快充等行业。未来,随着第三代半导体芯片应用市场的增长,半导体芯片的成本因生产技术的不断提升而下降,其应用市场也将迎来爆发式增长,给半导体掩模版行业带来新的发展机遇。

半导体芯片在封装技术领域持续发展,各种先进封装技术和形式不断涌现。SiP系统级封装、硅通孔(TSV)、2.5D、3D、异构集成、扇出型、FOWLP、FOPLP、RDL、Chiplet 技术正在为人工智能、高性能计算(HPC)、数据中心、自动驾驶汽车、5G和消费电子等领域带来更大的性能提升。先进封装的成长性要高于传统封装,根据 Yole数据显示,2023年至 2029年全球先进封装市场规模预计从 378亿美元增至 695亿美元,年复合增长率达 10.7%。未来,随着半导体芯片先进封装市场的增长,半导体先进封装用掩模版将迎来重要发展机遇。

(2)半导体掩模版行业发展趋势
①随着半导体技术节点的进步,半导体掩模版最小线宽及精度要求不断提升 半导体产品随着工艺技术进步和性能提升,线宽越来越窄,对上游掩模版的工艺水平和精度控制能力提出了更高要求。为了解决掩模版制作过程中由于线宽逐步缩小带来的诸多难题,以OPC光学邻近效应修正技术、PSM相移掩模版技术、电子束光刻技术为代表的一系列图形分辨率增强技术兴起并快速发展。

②芯片光刻层数增加导致掩模版的张数增加,数据处理难度加大、套刻精度控制要求更高 随着终端产品的功能日趋复杂,半导体产品的集成度持续提高,晶圆制造的工艺不断进步。

随着芯片堆叠层数的增加,半导体器件与集成电路的电路图也越发复杂,晶圆表面需要光刻的图案由传统的二维电路图像发展成含有多层结构的三维电路图像,这也导致半导体掩模版的张数不断增加,CAM版图处理的难度进一步加大,掩模版的套刻精度控制也更加困难。

③特色工艺半导体快速发展,对掩模版定制化要求越来越高
近年来随着新能源汽车、光伏发电、自动驾驶、新一代移动通信、人工智能等新技术的不断成熟,特色工艺半导体行业发展迅速。特色工艺不完全依赖缩小晶体管特征尺寸,而是聚焦于新材料、新结构、新器件的研发创新与运用,强调定制化和技术品类多元性。由于下游特色工艺半导体高度定制化,平台繁多、种类庞杂、领域众多,且通常会集成多种功能,这对于第三方掩模版厂商的定制化服务能力提出了更高的要求,掩模版厂商需要有足够的技术储备才能满足快速发展的特色工艺半导体的定制化要求。

④凭借规模和技术专业化优势,独立第三方掩模版厂商市场份额增加 半导体掩模版行业具有显著的资本投入大、技术壁垒高、高度依赖专有技术的特点。晶圆制造厂商自行配套掩模工厂,主要是出于信息保密和制作能力的考量。随着制程工艺逐渐成熟及第三方掩模版厂商的制作水平的不断提升,自建掩模工厂的诸多不足逐渐体现,如设备、人工投入巨大,生产环节复杂,成本昂贵等。第三方半导体掩模版厂商能充分发挥技术专业化、规模化优势,具有显著的规模经济效应,在技术水平、产品性能指标符合要求前提下,独立第三方掩模版厂商对晶圆制造厂商的吸引力不断增加。

此外,由于掩模版承载着芯片设计方案和图形信息,涉及到芯片设计公司的重要知识产权,第三方半导体掩模版厂商作为芯片设计与芯片制造的中间桥梁,能够更好地发挥信息隔离功能,芯片设计公司更倾向于将芯片设计版图交给第三方掩模版厂商以保证自身的信息安全。总体来看,随着技术水平不断提高,第三方独立掩模版厂商竞争优势将不断体现,市场份额将持续增加。


(四) 核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况内容
公司主要依靠自主研发,在生产实践中不断完善和提高工艺技术水平。报告期内,公司新增了 4项核心工艺技术,现共拥有 14项核心工艺技术,核
心技术及其对应的知识产权情况如下:

序号核心技术 类别核心技术名称技术内容技术 来源相应无形资产情况
1CAM 版 图处理核 心技术非标数据识别 与转换技术公司自研了一整套数据处理程序,可以针对 非标准化图形数据,快速准确将客户的非标 芯片设计版图以程序的形式自动转换为可以 被掩模版光刻机识别的标准化设计图,并进 行逻辑运算,极大提升了数据处理的效率和 准确性。自主 研发软件著作权: 2012SR034393、2012SR078140、2012SR034884、 2012SR034162、2015SR092290、2018SR914405、 2018SR913365 2022SR1048442 2022SR1051978 、 、 、 2022SR1068988、2022SR1068985、2022SR1051931等
2     
  图形补偿 OPC ( )技术自研了一套 OPC程序,在计算机算法优化的 基础上,结合丰富的版图处理经验,针对不 同的设计图形、曝光方式、工艺流程等特点 加入了补偿修正。自主 研发软件著作权: 2022SR1126416 OPC (掩模版 图形自动生成软件); CN202210453660.X MOS OPC 正在申请 (超结 器件 掩 模版制作方法及装置)
3     
  精准对位标记 技术建立了涵盖国内晶圆厂绝大多数光刻机(制 130nm 程 及以上)的对位数据库,开发了一 套掩模版多层套刻对位标自动生成软件,实 现了多层掩模版精准套刻对位标的生成和确 认。自主 研发软件著作权: 2018SR913365(坐标数据转换生成掩模版图形软件); 2022SR1068988(掩模版多层套刻对准标自动生成软件)
4     
  相移掩模版 版图处理技术针对相移掩模版一张版“两层图形”的特性, 公司通过自研程序实现 PSM掩模数据自动 分层、相移层数据的 MRC自动检查、不同 层数据对应的光刻工艺匹配转换等,有效的 提升了 PSM掩模版超大数据量处理速度与 工艺匹配准确性。自主 研发软件著作权: 2022SR1120544(PSM 掩模数据自动分层软件) 2023SR0962485(基于 MAIN CHIP添加特定要求的字符处 V1.0 理软件 ) 2025SR0162389(基于 CATS软件 MRC规则自动生成的一 种软件)
序号核心技术 类别核心技术名称技术内容技术 来源相应无形资产情况
     2025SR0161556 (基于自动化平台自研项目图形密度复核 数据自动生成软件)等
5光刻相关 核心技术 (曝光、显 影、刻蚀、 清洗)电子束光刻及 套刻技术结合电子束邻近效应修正,通过研究不同光 刻胶条件下的光刻工艺,建立不同胶型、厚 - 度、烘烤条件下的曝光显影工艺库,实现相 比于激光光刻更高的分辨率;自研了一套利 用电子束与激光光刻相结合的套刻制程工 bias bias 艺,包含数据 与工艺 匹配、刻写扫 描方向统一、曝光 DOSE依图微控等控制细 节,能够高效、精准的满足二次光刻套刻精 度需求。自主 研发ZL202210340217.1(半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤 方法及存储介质); ZL202410816783.4(掩膜版的参数测量方法、装置、设备、 系统以及程序产品); ZL202410130232.2 (曝光范围扩展方法、装置、终端设备 以及存储介质) ZL202410841312.9(掩模版位置精度测量方法、装置、设 备、介质以及产品)。
6     
  光刻制程管控 技术公司自研了一套高精密制程管控系统,可以 对光刻环节的温度、湿度、气流扰动、微振 动等制程参数 进行实时监控与调节,提高了 产品的位置精度、套刻精度,降低了产品的 缺陷水平。自主 研发ZL202121906718.9(掩模版原材料恒温装置); ZL202021575925.6(新风控制系统); ZL202110930986.2 (掩模版曝光过程表面颗粒实 时清除装 置); ZL202210336511.5(半导体芯片 用掩模版传送装置及其传 送方法)
7     
  位置精度匹配 技术根据不同的位置精度的数据对光刻机工作平 台进行正交性补偿,根据不同的光刻机台定 制相应的标准校准版,实现掩模版产品与不 同光刻机台的位置 精度匹配,极大地提升了 掩模版的位置精度、套刻精度。自主 研发ZL202111044702.6 (曝光设备正交性检测方法); ZL202021577174.1(曝光定位装置); ZL202310379785.7(掩模版的对位校准方法、装 置、设 备及存储介质); ZL202310387417.7(掩模版预校准方法、系统、 电子设 备以及可读存储介质)
序号核心技术 类别核心技术名称技术内容技术 来源相应无形资产情况
8 曝光精细化控 制技术针对不同的基板材料、光刻机参数、后制程 工艺特点,通过对光刻光源输出功率、曝光 时间、聚焦深度、束斑形状等参数进行精细 化控制,从而增强曝光分辨率、优化曝光图 案质量、提高生产效率。自主 研发ZL201922098140.8 (一种掩模版用的曝光补偿装置); ZL201821365677.5 (一种激光器冷却循环系统); ZL202111046088.7(光刻机参数状态检测方法、装置、设 备及其存储介质); ZL202210340217.1(半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤 方法及存储介质); ZL201811108567.5 (一种掩模板及其制作方法)
9     
  精准工艺匹配 技术根据晶圆厂工艺基线(Baseline)CD 精度和 位置精度的要求,并结合客户对掩模版物理 结构或性能参数的特殊要求,定制开发光刻 及后制程工艺、特殊管控流程,实现与晶圆 厂工艺的精准匹配。自主 研发2022SR1138055 (工艺控制图形单元自动添加软 件); ZL201911242153.6(掩模版及其制造方法)
10     
  显影刻蚀控制 技术公司在显影刻蚀环节自研了一套精准控制技 术,能够实现蚀刻速率、刻蚀选择比、均匀 性等参数的精确控制,同时能够最大程度降 低温度、液流扰动、AMC等制程因素对显影 刻蚀环节的影响,建立了不同场景下的刻蚀 CDU CDU 调控工艺库,可实现 与刻蚀偏差 的大幅度优化,遮光层性能改善,较大地提 升了刻蚀工艺的精度水平。自主 研发软件著作权:2015SR092294(龙图光电洁净车间温湿度监 控系统); ZL201922121652.1(一种掩膜版清洗用水恒流缓 压供水装 置); ZL202121935646.0 (自动后处理机的恒温净化供 水装置); ZL202310379779.1(掩模版刻蚀设备、方法、系统及计算 机可读存储介质); ZL202311534950.8 (显影方法及显影装置); ZL202311542929.2(图形辅助的干法刻蚀装置及方法); ZL202410797921.9 (掩模版刻蚀方法、装置、设备以及存 储介质)
11     
  相移掩模无损 清洗和精准贴 膜技术利用自研的后处理离子残留控制装置,有效 的实现了清洗效果与效率的双提升、相移层 PSM 清洗损伤与离子残留的双下降,提升了 掩模使用可靠性;开发了一套光学膜贴附工 艺以及自研的一系列硬件设施,有效的提高自主 研发ZL202223486175.7( 一种掩模版后处理设备的离子残留控 制装置); ZL202421132725.1( ) ZL202210446397.1 掩膜版清洗装置; (掩模护膜、掩模护膜移除方法以及掩模护膜移除装置); ZL202311551979.7(掩模版贴膜方法、装置及存储介质);
序号核心技术 类别核心技术名称技术内容技术 来源相应无形资产情况
   了相移掩模版光学膜的贴附良品率与效率。 ZL202410147739.9 (贴膜方法、装置、终端设备以及存储 介质); ZL202410139101.0(掩膜版与薄膜贴合度检测方法、装置、 设备以及存储介质)
12检测核心 技术高精度 测量技术自研了一系列掩模版精度测量及缺陷检测技 AOI CD Overlay 术,包括 初检、高精度 测量、 测量、居中测量、贴膜后检查、终检等工序, 能够有效地测量出掩模产品的关键参数及瑕 疵(Defect)、微粒(Particle)、图形 CD 精度偏差过大、位置精度偏差过大等缺陷情 况。自主 研发ZL202021577171.8(掩模版光学自动检测的载入装置); ZL202021575894.4 (掩模版光学自动检测的载入装置); ZL202111052415.X(掩模版辅助静态图像测量装置及掩模 版静态图像测量系统); ZL201922119150.5 (掩模版尺寸测量装置); ZL202121891228.6(掩模版外形尺寸测量装置); ZL202210340199.7 (半导体芯片用掩模版贴膜精度检测方 法及检测装置)
13     
  缺陷修补与异 物去除技术针对检测出的各项缺陷,公司自研了一套缺 陷修补与异物去除技术,能够有效地对瑕疵 (Defect)、微粒(Particle)等缺陷进行修 补或去除,实现了准确率高、速度快的缺陷 修补与异物去除。自主 研发ZL201721329399.3 (一种掩模板边角残留铬的清除装置); ZL202110930984.3(掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设 备及其存储介质); ZL202210353462.6(半导体芯片用掩模版膜下异物清理方 法及设备); ZL202310387421.3 (掩模版缺陷处理装置、方法以及终端 设备)
14     
  PSM掩模版缺 陷修补技术开发了一套相移掩模版缺陷修补工艺,利用 自研修补设施针对相移掩模版的白缺陷进行 修补,满足缺陷点修复所需达到的光学性能 和清洗可靠性。自主 研发ZL202311542933.9(PSM掩模版白缺陷修补方法、设备及 存储介质); ZL202421124141.X (掩膜版修补机及其校正掩膜版位置的 夹具)
(未完)
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