[年报]宏微科技(688711):江苏宏微科技股份有限公司2024年年度报告

时间:2025年04月15日 02:21:47 中财网

原标题:宏微科技:江苏宏微科技股份有限公司2024年年度报告

公司代码:688711 公司简称:宏微科技 转债代码:118040 债券简称:宏微转债 江苏宏微科技股份有限公司 2024年年度报告董事长致辞
尊敬的各位股东、合作伙伴及关心公司发展的各界朋友:
2024年,全球功率半导体行业面临复杂挑战。产业链区域性重构、终端市场需求阶段性疲软,叠加行业周期调整,为我们的经营带来压力。值此回望之际,我谨代表公司董事会,向全体股东及一直以来信任支持宏微科技的投资者同仁们致以诚挚的歉意,更向在逆境中坚守创新的全体宏微人致以由衷的感谢。

过去我们直面压力,挑战下的坚守与成长
回顾2024年,业绩下行曲线是我们必须正视的问题,这一结果虽映射了市场环境的复杂多变,但也暴露出我们在市场波动中对风险的预判与应对能力仍有提升空间。

尽管短期承压,公司发展的韧性与潜力显著。业绩边际改善信号明显,2024年下半年,营收环比增长9.13%,工控领域订单稳定增长,车规级产品产能利用率稳居高位。技术壁垒持续筑牢,全年研发费用10,976.13万元,研发投入占营业收入比例为8.24%,这些投入虽未即时转化为财务回报,却为公司构建了面向未来的“护城河”。性能领先的SiCMOS量产在即,对标EDT3芯片技术的HPD模块实现平台化,并获多家客户认证;1700VM6i性能达到行业领先水平,M7i1200V/650V平台完成电流型号系列化,并开启风光储市场新契机。市场拓展从本土深耕走向全球布局。国内市场方面,车规级芯片加速打入行业先进电动汽车平台,光储领域与重点客户紧密合作夯实市场地位,工业电源模块送样头部工业机器人企业。海外市场方面,以产品与服务突破HitachiEnergy、西门子、伊顿等工业巨头供应链。精准落子,谋篇全局,公司的“新能源汽车+新能源发电+智能工业”三极增长版图已初具模型。

未来我们笃定信心,以长期主义聚焦发展方向
2025年,我们制定了清晰的经营发展战略,力图围绕“打造产品竞争力,聚焦市场进攻力,提升质量品牌力,增强持续增长力”工作方针,推动公司高质量发展。深化技术创新,持续加码IGBT、SiC、GaN等核心技术研发,以技术突破作为蓄力跃升的关键。未来,驶入高质量发展新航道,宏微科技将以“硅基+碳化硅”为左翼支点,以“灌封+塑封”为右翼引擎,双翼同频共振,为下一次腾飞启航持续注入势能。

2024年的挑战,是宏微人成长路上的一次淬炼,但短期的风雨不会动摇我们“从芯出发,驱动未来”的愿景。中国功率半导体产业正大跨步走向世界前列,而我们将以更开放的生态合作、更果敢的技术投入、更务实的战略行动参与这一历史进程。2025年,宏微科技将与股东、客户、伙伴携手共进,化挑战为机遇、化决心为动能、化付出为回报,期待与您共同见证一个更具韧性、更富希望的功率半导体新时代!

董事长赵善麒
2025年4月
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是√否
三、重大风险提示
本公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,本年度业绩亏损的主要原因敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素(二)业绩大幅下滑或亏损的风险”。

四、公司全体董事出席董事会会议。

五、天衡会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

六、公司负责人赵善麒、主管会计工作负责人薛红霞及会计机构负责人(会计主管人员)薛红霞声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案鉴于公司2024年度归属于上市公司股东的净利润为负,未实现盈利,公司管理层综合考虑公司的持续稳定经营、长远发展和全体股东利益,2024年度拟不派发现金红利,不送红股,不以资本公积金转增股本。上述方案已经公司第五届董事会第八次会议、第五届监事会第四次会议审议通过,尚需提交公司2024年年度股东大会审议。

八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。

十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义...................................................................................................................................... 6
第二节 公司简介和主要财务指标..................................................................................................8
第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................13
第四节 公司治理............................................................................................................................43
第五节 环境、社会责任和其他公司治理....................................................................................64
第六节 重要事项............................................................................................................................73
第七节 股份变动及股东情况......................................................................................................113
第八节 优先股相关情况..............................................................................................................123
第九节 债券相关情况..................................................................................................................124
第十节 财务报告.......................................................................................................................... 127

备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的 财务报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及 公告的原稿
第一节 释义
一、 释义刻烛
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
发行人、公司、本公司、宏微 科技江苏宏微科技股份有限公司,系由原江苏宏微科技 有限公司于2012年8月18日整体变更设立
芯动能常州芯动能半导体有限公司
锦创科技常州锦创电子科技有限公司
宏电节能江苏宏电节能服务有限公司,公司全资子公司
英飞凌英飞凌科技公司(InfineonTechnologyAG)
富士电机富士电机株式会社(FujiElectric)
三菱电机/三菱三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric Corporation)
安森美安森美半导体公司(ONSemiconductor)
常春新优赣州常春新优投资合伙企业(有限合伙)
汇川技术深圳市汇川技术股份有限公司
台达集团台达电子工业股份有限公司
英威腾深圳市英威腾电气股份有限公司及其全资子公司苏 州英威腾电力电子有限公司
奥太集团山东奥太电气有限公司及其同一控制下企业
宏微爱赛上海宏微爱赛半导体有限公司,公司控股子公司
中证鹏元中证鹏元资信评估股份有限公司
芯片从晶圆上切割下来的内含基本功能元胞的晶粒
功率半导体器件用于电器设备中实现电能变换和控制的半导体器件 (通常指电流为数安至数千安,电压为数百伏至数 千伏的半导体器件)
分立器件半导体分立器件,与集成电路相对而言的,采用特 殊的半导体制备工艺,实现特定单一功能的半导体 器件。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、 晶闸管、MOSFET、IGBT等
第三代半导体第三代半导体材料,主要包括SiC(碳化硅)、GaN (氮化镓)等
光伏逆变器可将光伏(PV)太阳能板产生的可变直流电压转换 为市电频率交流电(AC)的逆变器
IGBTInsulatedGateBipolarTransistor的缩写,绝 缘栅双极型晶体管,是一种电压控制开关型功率半 导体器件,也是电能转换的核心器件
FRDFast-RecoveryDiode的缩写,快恢复二极管,是 一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导 体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、 变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流 二极管或阻尼二极管使用
MOSFETMetal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,金属氧化物场效应晶体管,是一种高 频的电压控制开关型功率半导体器件
SiC碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料的代表之 一,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速
  率高和击穿电场高等特性,是生产第三代功率半导 体器件的主要材料
DSCDual-sidedCooling的缩写,双面水冷技术。在双 面散热技术的基础上,器件上下面散热器采用水冷 散热方式,或上下散热板为水冷的冷却方式。
SSCSingle-sidedCooling单面散热的缩写,在芯片烧 结技术基础上,将器件下表面烧结或焊接到散热板 的一种冷却方式。
芯片代工芯片设计企业将设计方案完成后,由芯片代工企业 通过采购硅片材料、光刻、刻蚀、离子注入、扩散 等环节制造出芯片
封装将晶圆分割成单个的芯片后,将芯片安放、焊接引 线和连接到一个封装体上
测试封装后对半导体器件功能、电参数等进行测量,以 检测产品的质量
保荐机构(主承销商)、保荐 人中信证券股份有限公司
证监会、中国证监会中国证券监督管理委员会
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《江苏宏微科技股份有限公司章程》
报告期2024年1月1日至2024年12月31日
报告期末2024年12月31日
元、万元人民币元、万元
第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称江苏宏微科技股份有限公司
公司的中文简称宏微科技
公司的外文名称MacmicScience&TechnologyCo.,Ltd.
公司的外文名称缩写MACMIC
公司的法定代表人赵善麒
公司注册地址常州市新北区华山路18号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址常州市新北区华山路18号
公司办公地址的邮政编码213002
公司网址www.macmicst.com
电子信箱[email protected]
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名马君李甜甜
联系地址江苏省常州市新北区新竹路5号江苏省常州市新北区新竹路5号
电话0519-851637380519-85163738
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址上海证券报(www.cnstock.com)
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点董事会办公室
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
人民币普通股(A 股)上海证券交易所 科创板宏微科技688711不适用
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所(境 内)名称天衡会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址江苏省南京市建邺区江东中路106号1907室
 签字会计师姓名刘述忠、游世秋
报告期内履行持续督导职责的 保荐机构名称中信证券股份有限公司
 办公地址广东省深圳市福田区中心三路8号卓越时代 广场(二期)北座
 签字的保荐代表 人姓名李阳、李想
 持续督导的期间2022年12月6日至2025年12月31日
六、近三年主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2024年2023年本期比上 年同期增 减(%)2022年
营业收入1,331,360,321.001,504,739,437.22-11.52926,083,797.83
扣除与主营无关 的业务收入和不 具备商业实质的 收入后的营业收 入1,326,817,115.351,486,644,173.05-10.75920,832,531.64
归属于上市公司 股东的净利润-14,467,323.54116,194,855.57-112.4578,708,087.33
归属于上市公司 股东的扣除非经 常性损益的净利 润-33,990,244.33100,770,322.88-133.7360,376,686.35
经营活动产生的 现金流量净额122,020,429.87-147,651,161.78不适用-81,394,059.48
 2024年末2023年末本期末比 上年同期 末增减(% )2022年末
归属于上市公司 股东的净资产1,075,637,627.911,144,780,683.31-6.04965,686,490.88
总资产2,601,502,300.712,488,990,937.424.521,688,986,350.17
(二)主要财务指标

主要财务指标2024年2023年本期比上年同 期增减(%)2022年
基本每股收益(元/股)-0.06820.5467-112.470.3705
稀释每股收益(元/股)-0.06820.5447-112.520.3700
扣除非经常性损益后的基本每股 收益(元/股)-0.16020.4741-133.790.2842
加权平均净资产收益率(%)-1.3011.08减少12.38个 百分点8.59
扣除非经常性损益后的加权平均 净资产收益率(%)-3.059.61减少12.66个 百分点6.66
研发投入占营业收入的比例(%)8.247.18增加1.06个百 分点6.94
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
报告期内,公司实现营业收入1,331,360,321.00元,同比减少11.52%;实现归属于上市公司股东的净利润-14,467,323.54元,同比减少112.45%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-33,990,244.33元,同比减少133.73%;基本每股收益-0.0682元,同比减少112.47%;稀释每股收益-0.0682元,同比减少112.52%;扣除非经常性损益后的基本每股收益-0.1602元,同比减少133.79%,主要系部分客户采购计划调整,订单释放进度不及预期,车规产品单价承压,导致公司经营业绩出现阶段性亏损,同时结合公司实际经营情况,计提了资产减值损失所致。

经营活动产生的现金流量净额122,020,429.87元,主要系报告期内采购规模下降及公司使用承兑汇票支付材料款增加所致。

2024年6月,公司以资本公积向全体股东每10股转增4股,转增股本的数量为60,766,942股。根据每股收益的会计准则和信息披露编报规则,公司已在计算每股收益指标时对上年同期指标按分派后股数重新计算。

七、境内外会计准则下会计数据差异
(一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(三)境内外会计准则差异的说明:
□适用√不适用
八、2024年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入246,424,021.52390,196,203.52343,068,825.63351,671,270.33
归属于上市公司股东 的净利润-1,716,177.994,230,286.651,526,799.63-18,508,231.83
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 后的净利润-5,045,878.172,005,011.92-7,111,101.07-23,838,277.01
经营活动产生的现金 流量净额39,078,925.1718,268,443.5218,712,065.8845,960,995.30
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
九、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2024年金额附注(如 适用)2023年金额2022年金额
非流动性资产处置损益,包括已 计提资产减值准备的冲销部分-848,552.67 4,066,421.9353,774.75
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关、符 合国家政策规定、按照确定的标 准享有、对公司损益产生持续影 响的政府补助除外15,400,368.28 10,749,469.4712,055,793.25
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外,非金融企业 持有金融资产和金融负债产生的 公允价值变动损益以及处置金融 资产和金融负债产生的损益1,519,506.18 2,885,740.039,415,967.64
计入当期损益的对非金融企业收 取的资金占用费    
委托他人投资或管理资产的损益    
对外委托贷款取得的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而产生的各项资产损失    
单独进行减值测试的应收款项减 值准备转回  435,100.00250,654.50
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允价值产生的收益    
同一控制下企业合并产生的子公 司期初至合并日的当期净损益    
非货币性资产交换损益    
债务重组损益    
企业因相关经营活动不再持续而 发生的一次性费用,如安置职工 的支出等    
因税收、会计等法律、法规的调 整对当期损益产生的一次性影响    
因取消、修改股权激励计划一次 性确认的股份支付费用    
对于现金结算的股份支付,在可 行权日之后,应付职工薪酬的公 允价值变动产生的损益    
采用公允价值模式进行后续计量 的投资性房地产公允价值变动产 生的损益    
交易价格显失公允的交易产生的 收益    
与公司正常经营业务无关的或有    
事项产生的损益    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外收 入和支出-310,116.62 -47,150.76-197,263.39
其他符合非经常性损益定义的损 益项目7,574,569.27个人所得 税手续费 返还、投 资收益73,627.18 
减:所得税影响额3,620,027.05 2,737,555.013,247,525.77
少数股东权益影响额(税后)192,826.60 1,120.15 
合计19,522,920.79 15,424,532.6918,331,400.98
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用√不适用
十、非企业会计准则财务指标情况
□适用√不适用
十一、采用公允价值计量的项目
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影 响金额
交易性金融资产74,114,795.6240,038,827.92-34,075,967.701,519,506.18
应收款项融资81,743,843.5242,843,966.88-38,899,876.64-
合计155,858,639.1482,882,794.80-72,975,844.341,519,506.18
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
√适用□不适用
公司因涉及商业秘密等原因,对前五大客户和供应商名称进行豁免披露。

第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
(一)行业复苏低于预期,公司业绩阶段性亏损
2024年度,半导体行业呈现结构性复苏特征。受益于数字经济蓬勃发展、人工智能技术的迅猛进步以及新质生产力的强力驱动,与数字芯片相关的晶圆代工及封测环节已率先展现出复苏迹象,业务逐步恢复增长,与此同时,功率半导体领域因光伏产业阶段性产能调整、新能源汽车市场竞争优化及工业控制产业技术升级延后,行业整体增速有所放缓。

在此背景下,2024年度,公司实现营业收入133,136.03万元,同比下降11.52%;归属于上市公司股东净利润-1,446.73万元,同比减少112.45%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-3,399.02万元,同比减少133.73%。主要系部分客户采购计划调整,订单释放进度不及预期,车规产品单价承压,导致公司经营业绩出现阶段性亏损。

2025年度,公司管理团队将在董事会的领导下,围绕发展战略,为实现既定经营目标努力。

公司将持续加码前瞻性研发投入,丰富产品矩阵;聚焦市场定位,发力高价值业务拓展;深耕精细化管理,加强费用和成本管控。多措并举,夯实公司的核心竞争力,推动公司持续健康发展。

(二)研发技术不断突破,主要产品持续放量
1、芯片产品
(1)光伏应用的IGBT&FRD芯片:1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证,并形成量产。

与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计,通过了HV-H3TRB可靠性测试,贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景,重点开发了1700VIGBT&FRD芯片,已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线,以满足不同应用领域需求;(2)车规应用的IGBT&FRD芯片:针对车用的750VM7i+EDT3芯片完成开发,已通过HV-H3TRB可靠性测试,最高结温可达185℃,目前已进入头部新能源车企认证阶段。公司正在积极拓展新能源汽车领域更高的市场份额。

(3)SiCMOSFET芯片:公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功,已通过可靠性验证;车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品,可靠性正在评估中;(4)自研SiCSBD芯片:自主研发的SiCSBD(肖特基势垒二极管)芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证,并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试,部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展,为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广,公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。

面对第三代半导体器件产业化窗口期,公司将通过技术迭代与产线协同优化,持续提升产品竞争力。未来,随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发,公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入,构建以SiC、GaN为核心,兼顾第四代半导体的多元化技术体系,加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入,并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

2、模块产品
(1)光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付,储能用650V三电平产品批量交付;
(2)车规级280A-820A/750V灌封模块:针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景,公司相继成功开发了不同输流能力的灌封模块(280A-820A/750V),均已通过AQG324等相关车规级认证,并通过客户端整车认证,进入大批量生产阶段;
(3)车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产,顺应市场需求,产能实现翻倍升级,累计出货120万只,该塑封模块平台产品对公司2024年新能源汽车主驱逆变模块的销售增长提供新动力;
(4)车规级1200VSiC自研模块正在研制中,对应的银烧结工艺已通过可靠性验证,为下一步车规模块产品的开发提供了坚实的技术平台;
(5)1700V系列化产品:多款产品(75A-600A)完成开发,用于高压变频、风电变流器和SVG等多领域,且产品已通过客户端认证,可批量供应市场;
(6)不间断电源(UPS)系统定制的三电平SiC混合模块完成开发,已批量供货。

(三)研发投入不断加大,持续提升核心竞争力
2024年度,公司持续加大对核心技术的研发投入,并致力于技术产品创新和升级,技术储备深度与广度显著增强。截至报告期末,公司研发人员数量为193人,同比增长9.66%,其中硕士、博士合计37人,占研发人员总数的比例为19.17%。2024年度,研发投入10,976.13万元,占营业收入的比例为8.24%,同比增加1.54%。截至报告期末,公司共有专利133项,其中发明专利43项,实用新型专利83项,外观设计专利7项。

(四)质量管理有进展,追求成本增效益
2024年度是公司的质量改进之年,公司围绕“专注客户需求、狠抓质量管理、提升组织能力、扩大营销规模”的工作方针,开展了一系列质量提升举措,全面推行“三化一稳定、严进严出”质量管理措施;扩充实验室容量,提升实验能力;严格修订公司可靠性标准;提升IT化能力和数据统计分析能力,自主开发了一系列数据中台报表,并对生产全过程进行实时监控。2024年度,公司IGBT模块整体良率提升2%,公司以精益生产与零缺陷质量管理,性能获得国内头部客户认可。

(五)提升战略客户粘性,加速市场版图扩张
公司长期致力于IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,同时为客户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2024年度,公司凭借技术优势,在重点应用领域,包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有所收获和积累,持续丰富优质客户资源。在家用电器领域,公司与头部家电企业达成战略合作,为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块。

公司在稳步扩容现有客户订单份额的基础上,持续加大营销力度,积极开拓新客户及新市场,客户矩阵趋于丰富。

(六)公司治理规范高效,提升组织运营颗粒度
2024年度,公司董事会、监事会、管理团队严格按照《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《公司章程》等法律法规和规范性文件及公司内部制度要求,不断完善公司法人的治理结构,加强内部制度建设与内控体系完善,以精细化流程设计与系统化制度管理反哺生产经营业务稳健发展。报告期内,公司严格按照上市公司规范运作要求,顺利完成董监高换届选举,并合规履行信息披露义务,持续加强内控建设,以高效的法人治理水平和规范的运作水平助推生产经营提质增效。

(七)加强ESG建设,实现可持续发展
2024年度,公司高度重视ESG管理体系的建设工作,建立了自上而下的ESG管理架构,通过董事会战略委员会下设ESG领导小组、ESG执行小组的ESG治理机制,推动落实公司在环境保护、员工权益、公司治理等方面的ESG工作。公司积极践行“绿色、低碳、可持续”的发展理念,基于自身产业特点,进一步夯实整合业务基础,高效赋能行业可持续发展。

非企业会计准则业绩变动情况分析及展望
□适用√不适用
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明一 主要业务、主要产品或服务情况
( )
公司是国内功率半导体领域的领军企业,自成立以来,始终专注于以IGBT、FRD为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新,公司在超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒,自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车(电控系统、充电桩和OBC电源)、新能源发电(光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理)、储能、工业控制(变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等),和家电消费等领域,产品性能与工艺技术处于行业先进水平。

(二)主要经营模式
1、研发模式
公司建立了以客户需求为导向的研发体系,制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件,研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段,各个研发项目均由产品质量先期策划(APQP)小组承接项目,每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性,每个新产品开发都需要经过计算机仿真验证,通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析,提取关键特性参数,预先发现潜在问题并加以设计优化。

2、采购模式
(1)采购流程
公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶及外壳和端子等,其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工,极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂商直接采购;其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。

公司采用订单采购的模式,对于生产中常用的直接物料,由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求,由采购部根据供应商的交货周期进行下单;对于偶然所需的临时物料,由需求部门填写《请购单》提出请购需求,通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批,通过后由采购部负责统一采购。

(2)供应商管理
公司制定并完善采购管理、供应商管理等相关制度,规范公司的采购与付款行为,明确请购与审批、招标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估等环节的职责和审批权限,对岗位分离与授权控制均进行严格的规定,同时,建立采购价格监督机制,针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查与评估。公司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二次审核的两级采购管理机制等措施,有效节约采购成本,降低相关风险。

3、生产模式
公司具备完善的生产运营体系,主要采取“以销定产”的生产模式,由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划,公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式:
(1)自产模式
公司模块采用自产模式,通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试,最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品,公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格,设计生产出通用的不同系列的产品,并向客户销售;定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作,设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前,公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试,公司依据研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等向客户收取技术服务费;量产后,公司按照设计方案、技术指标要求,组织生产并批量向客户交付产品。

(2)委托加工模式
公司采取Fabless模式(无晶圆厂模式),对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计,将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业制造,公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求,实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多,公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备先进封装工艺的公司进行代工。

4、营销模式
公司销售采取以直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下,公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动;在经销模式下,公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作,利用经销商的渠道和经验拓展客户资源,扩大市场占有率。

(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)发展阶段
根据国家统计局发布的《国民经济行业分类(2017年修订)》(GB/T4754-2017),公司所处行业为半导体分立器件制造。

功率半导体作为能源转换与电路控制的核心器件,深度融入全球“碳中和”战略与智能化浪潮。其下游应用从传统工业控制、消费电子拓展至新能源汽车、储能、数据中心及人形机器人等新兴领域,技术革新与场景需求共同推动行业高速发展。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带材料逐步替代传统硅基器件,通过工艺创新(如8英寸晶圆制造、超微沟槽结构)显著提升效率与功率密度,驱动行业向高频化、低损耗方向升级。新能源汽车高压平台普及加速SiC应用,储能市场中功率器件助力构建新型电力系统,AI算力需求推动高效电源技术突破。国产化进程持续深化,在关键材料与核心工艺上实现突破,为新能源、高端装备等战略产业提供核心支撑。

未来,行业将围绕新材料普及、封装技术迭代及智能化应用持续演进,在“双碳”战略与技术创新驱动下,功率半导体分立器件市场空间广阔。

(2)基本特点
半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业,无论是技术研发还是产线建设都需要大量的高端人才和资金投入。公司目前正面临新能源汽车、新能源发电、5G通讯和数据中心等下游新兴产业带来的市场机遇,在未来发展和争取市场机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金,以推动产品研发、工艺升级、产能扩张和市场推广。

(3)主要技术门槛
自上世纪80年代IGBT工业化应用以来,全球市场长期由英飞凌、三菱电机、富士电机等国际巨头主导,其产品覆盖600V至6500V全电压区间,通过沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构等技术迭代持续提升性能。制造工艺方面,深沟槽刻蚀、精准掺杂、超薄片加工等技术形成高壁垒,成为制约产业自主化的关键。尽管国内企业近年在芯片设计、封装技术及600V-1200V产品系列化方面取得突破,但在高压领域(如3300V以上)仍依赖进口,整体技术水平与国际先进存在代差。

以SiC、GaN为代表的第三代半导体正重塑行业格局。SiC凭借高耐压、耐高温特性,在新能源汽车800V平台、储能变流器及数据中心电源中加速渗透,Wolfspeed、意法半导体等企业已实现1200V-3300VSiCMOSFET量产,国内厂商通过衬底制备、晶圆制造技术突破,逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及高频性能见长,在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势,英飞凌、EPC等企业通过300mm晶圆工艺优化,推动GaN成本趋近硅基器件。然而,第三代半导体仍面临技术挑战:SiC需解决栅氧可靠性与动态退化问题,GaN则需突破高温稳定性与大尺寸外延工艺。未来,行业将形成Si、SiC、GaN材料协同发展的多元化格局,国产厂商通过垂直整合与产业链协同,加速在车规级、工业级市场的国产替代进程。

2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
在全球功率半导体行业格局中,欧美日企业(如英飞凌、意法半导体、安森美等)凭借技术积累占据主导地位,而中国作为全球最大消费市场,正加速国产替代进程。公司作为国内功率半导体领域的领军企业,通过技术创新与产业链协同,已形成覆盖芯片设计、单管及模块的全产品线布局,在中高端市场实现突破。

公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”等荣誉称号。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线,能够满足不同终端客户对产品技术参数和性能的多样性需求,具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021年,公司荣获“江苏省小巨人企业”;2022年,公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”;2023年,公司荣获“国家绿色供应链企业”;2024年,公司获批设立“博士后科研工作站”,荣获“江苏省智能车间”称号。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务,与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系。同时,依托龙头客户产生的市场效应,公司不断向行业内其他企业拓展,凭借在技术创新、绿色发展以及高端科研平台建设等方面的卓越成就,进一步巩固了其在行业内的领先地位。

报告期内,公司与华虹宏力等产业链伙伴深化合作,率先实现12英寸晶圆量产工艺突破,通过沟槽栅场阻断结构、超微沟槽技术等工艺创新,推动IGBT、SiCMOSFET等产品性能对标国际先进水平。公司在车规级领域持续突破,其第七代IGBT模块产品已实现批量生产,与英飞凌EDT3技术处于同一水平,成功进入头部车企供应链。在第三代半导体领域,公司自主研发的1200VSiCMOSFET芯片及SBD芯片已通过客户端验证,车规级1200VSiC自研模块已通过可靠性验证。通过“双碳”战略驱动的新能源、储能等场景需求,公司凭借技术领先性与产能布局,进一步巩固其在国产替代浪潮中的核心地位,为全球能源转型与智能化进程提供关键支撑。

3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势在“双碳”目标指引下,新能源、新能源汽车、储能等战略新兴产业加速发展,功率半导体作为能源转换核心器件,迎来技术迭代与市场扩容的双重机遇。以IGBT为代表的硅基器件仍是当前主流,其高效节能特性显著提升电力电子装置能效,在光伏逆变器、新能源汽车电控系统中发挥关键作用。随着微细槽栅结构设计优化及工艺创新,IGBT芯片实现12寸量产突破,反向恢复二极管(FRD)通过软度协调技术提升极端工况可靠性,推动行业向更高功率密度与更低损耗演进。

以SiC、GaN为代表的宽禁带材料正重塑产业格局。SiC凭借高耐压、耐高温特性,在新能源汽车800V高压平台、轨道交通及数据中心电源中加速渗透,国内企业通过衬底制备、晶圆制造技术突破,逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及高频性能见长,在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势,300mm晶圆工艺优化推动成本趋近硅基器件。

功率半导体行业已形成硅基、SiC、GaN材料协同发展的多元化生态。硅基器件通过沟槽栅、超薄晶圆等技术持续优化性能,主导中低压市场;SiC聚焦高压场景,突破栅氧可靠性与动态退化难题;GaN则深耕高频领域,解决高温稳定性与大尺寸外延工艺瓶颈。

未来,随着“双碳”战略深化及智能化浪潮推进,功率半导体在储能、智能电网、人形机器人等新兴场景的渗透率将持续提升,为全球能源转型与工业升级注入核心动能。

(四)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了完整的研发体系和研发管理制度,加强对研发组织及过程的管理,不断强化芯片设计与工艺实现、模块封装工艺与测试等关键技术的积累,在前沿技术方面不断突破,打造了公司在功率半导体芯片设计和模块封装领域的核心竞争力,公司的主要核心技术如下:
核心技术技术描述及特点使用该项核心技术 的主要产品
沟槽结构+场阻断 技术该技术覆盖诸多电压和电流规格,通过优化沟槽深度、 角度以及整体形貌,结合高质量栅氧工艺,保证良好的 多晶填充,实现可靠的沟槽结构,同时借助不同沟槽栅 结构的设计,满足不同特性要求;另外在场阻断技术上, 通过优化芯片厚度,场阻断层深度和浓度以及氢注入的 能量等工艺参数,在保证良好的开关速度和软度的同时 实现器件的低通态压降。芯片、单管及模块
虚拟原胞技术通过改变沟槽内多晶的电位连接方式或者调整发射极 的注入区域,实现虚拟原胞可有效调整沟道电流密度及 沟道电流分布,优化电容特性,改善器件的输出特性、 提高短路能力。芯片、单管及模块
逆导IGBT技术该技术通过将传统的IGBT元胞与FRD元胞集成于同一 芯片,在反向时由自身的FRD实现IGBT的续流,提供 了一个紧凑的电流泄放回路;该技术能够大幅降低热芯片、单管及模块
 阻,降低器件内部的最高结温波动,从而提高器件的电 流密度及工作寿命。该结构还能显著减少单管和模块的 封装体积,降低器件成本。 
微沟槽IGBT技术微沟槽IGBT相对普通型沟槽IGBT将芯片关键尺寸大幅 缩小,结构设计上创新性的引入虚拟沟槽和虚拟栅极, 在增强注入效率和降低通态压降的同时有效调节IGBT 的各类电容比例,实现IGBT的良好可控性和更宽的安 全工作区,同时大幅提高了芯片的电流密度。芯片、单管及模块
续流用软恢复二极 管芯片技术该技术采用独特的正面和背面掺杂浓度分布来精准控 制注入效率,加上特殊的基区少子寿命控制技术,使 FRD芯片不仅实现了较低的正向压降,较快的反向恢 复,还具有较软的反向恢复特性,更加适合于IGBT续 流二极管的应用。芯片、单管及模块
高效率整流二极管 芯片技术该技术采用多层外延设计、高电压终端设计及工艺控 制、高雪崩耐量设计和局部少子寿命控制技术,使得产 品具有超短的反向恢复时间、较低的正向压降和高雪崩 耐量。芯片、单管及模块
高压MOS芯片技术基于IGBT的场阻断薄片技术平台,通过调节衬底电阻 率和芯片厚度来实现不同的耐压,同时通过调整源极的 注入结构来有效调整沟道电流密度及电流分布,实现较 低Rdson并确保较高的抗闩锁能力。芯片、单管
银烧结技术该技术是最适合第三代半导体模块封装的界面连接技 术之一,也是SiC模块封装中的关键技术,因烧结连接 层成分为银,具有优异的导电和导热性能。由于银的熔 点高达961℃,将不会在熔点小于300℃的软钎焊连接 层中出现典型疲劳效应,具有很高的可靠性。所用银烧 结材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度,且烧结料 不含铅,属于环境友好型材料。SiC、MOSFET模块
低分布参数的模块 布线技术当IGBT关断时,回路瞬间加载于IGBT的集电极(C) 和发射极(E)之间会产生尖峰电压。采用低分布参数 的模块布线,模块产品可以实现在相同的基板面积和线 路拓扑下,寄生电感减少30%-50%。由于内部寄生电感 降低了近一半,因此所产生的尖峰电压也随之降低了近 一半,从而大大降低了器件过压失效的概率。模块
端子超声键合技术采用铜端子与铜基板的直接键合,可以避开因材料膨胀 系数错配而造成的应力变化。在超声焊接过程会对焊接 面积进行超声波振动,有效去除氧化层及脏污。同时, 超声波焊接时焊接端子截面积大,有利于模块过流状 态,并提供更好的功率循环表现。各系列模块产品
基于平面传递模塑 封PTM的双面/单 面水冷技术该技术基于平面传递模塑封技术(PlanarTransfer Molding,PTM)实现高功率密度双面水冷/单面水冷散 热封装,使得DSC模块热阻比传统水冷板式散热模块降 低40%;同时,平面封装设计带来的低电感效应可以提 升模块的开关速度,降低模块损耗,进一步提升系统功 率密度;通过采用Spacer互连技术替代发射极绑定线, 使得DSC模块的PCsec寿命是传统WireBonding模块的 4倍以上;采用高Tg高导热EMC实现模块在185℃以上 工作结温,表现出更加优秀的抗高压高温高湿等老化性 能。双面DSC/单面SSC水 冷系列化模块
上述技术来源均为公司自主研发,并独立享有相关知识产权成果。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用√不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用□不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2022-
2、报告期内获得的研发成果
截至报告期末,公司凭借在科技创新工作中的卓越成效,累计获得发明专利授权43项,实用新型专利授权83项,外观设计专利授权7项。具体情况如下表所列:
报告期内获得的知识产权列表

 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利1029643
实用新型专利959283
外观设计专利31117
软件著作权0000
其他0000
合计228199133
注:报告期内,发明专利累计申请数中有2个已失效;实用新型专利累计申请数中有8个已失效、累计获得数中有7个已失效。

3、研发投入情况表
单位:元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入109,761,301.75108,098,480.531.54
资本化研发投入---
研发投入合计109,761,301.75108,098,480.531.54
研发投入总额占营业收入比 例(%)8.247.18增加1.06个百分 点
研发投入资本化的比重(%)-- 
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用√不适用
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用√不适用
4、在研项目情况
√适用□不适用
单位:万元

序号项目名称预计总投资规 模本期投入金额累计投入金额进展或阶段性成 果拟达到目标技术水 平具体应用 前景
1工控智能 功率模块8,000.002,440.657,958.662款产品实现小 批量供货、5款 产品实现大批量 供货计划开发覆盖 650V-1700V多个电 流规格的模块产品, 满足工控领域客户 技术要求,并实现批 量化生产国内先 进工业控制
2精细结构 IGBT芯片 的开发及 产业化6,000.001,075.395,554.194款产品实现大 批量供货计划针对下一代高 功率IGBT模块的 IGBT芯片需求,开 展技术攻关,重点研 发高功率、低损耗的 芯片产品,推进产业 化国内先 进工业控制、 新能源汽 车
3定制化光 伏逆变器 用IGBT模 块的研发 及产业化6,000.001,654.565,448.264款产品处于设 计开发阶段、3 款产品进入工艺 调试阶段、9款 产品实现大批量 供货计 划 完 成 650V-1700V多个电 流规格模块产品的 开发,满足光伏领域 客户技术要求,并实 现批量化生产国内先 进光伏
4新能源汽 车碳化硅 模块4,500.001,107.874,275.901款产品进入工 艺调试阶段,1 款产品实现大批 量供货计划完成车用 1200V、300A-600A SiCMOSFET模块及 相关制程工艺开发, 满足客户提出的性国内先 进新能源汽 车
      能参数要求,并实现 批量交付  
5电动汽车 电机控制 用 国 产 IGBT模块 研发项目5,000.001,012.803,635.651款产品实现小 批量供货,7款 产品进入大批量 供货阶段计划完成新一代 650V-750V 、 400A-820A 车 用 IGBT模块开发,产 品兼具高可靠性、高 功率密度、高散热效 率,满足客户技术要 求,并实现批量化生 产国内先 进新能源汽 车
6光 伏 用 FRD芯片 及分立器 件的研发 及产业化3,000.00797.261,624.741款产品进入工 艺验证阶段,1 款产品实现大批 量供货计划开发芯片级功 率密度更高的、具备 HV-H3TRB 能力的 FRD芯片并实现量产国内先 进光伏
7工控领域 用IGBT模 块研发及 产业化项 目4,500.001,050.371,279.596款产品处于设 计开发阶段、6 款产品进入工艺 调试阶段、1款 产品实现小批量 供货、1款产品 实现大批量供货计划开发多款不同 电 流 规 格 的 1200V/1700V IGBT 和FRD芯片,对 1200V/1700V大电流 模块迭代升级,以满 足高压变频器、高压 SVG市场需求,并实 现批量交付国内先 进工业控制
8碳化硅芯 片开发项 目5,000.00582.10582.101款产品处于设 计开发阶段,1 款产品进入产品 设计和工艺验证 阶段,1款产品 实现小批量交计划开发1200V20A SBD芯片、1200V40m Ω SiC MOSFET芯 片,并完成多种封装 类型的分立器件及 模块封装,实现批量国内先 进新能源汽 车、工业控 制、光伏
     付,1款产品实 现大批量交付交付  
9面向新能 源汽车大 小 电 控 SiC塑封 功率模块 研发及产 业化项目1,250.00526.24526.241款C3平台实现 样件定型;1款 F1平台完成A样 封装;1款S1平 台完成A样封 装;1款C2平台 产品开始批量交 付;1款OPE平 台产品实现客户 装机样品交付5款封装完成平台搭 建,共计实现10个 以上系列化型号转 产国内先 进新能源汽 车
10储能领域 用IGBT模 块研发及 产业化项 目5,000.00263.76263.763款产品处于设 计开发阶段,1 款产品进入工艺 调试阶段,1款 产品实现大批量 交付计 划 开 发 650V/1200VIGBT模 块,并实现批量交付国内先 进储能
11新一代车 用IGBT技 术研究及 产业化项 目5,000.00196.11196.113款产品处于设 计开发阶段、1 款产品进入工艺 调试阶段、2款 模块产品已通过 客户阶段性测 试、3款产品实 现小批量交付为满足纯电及插混 车型电控客户端需 求,计划开发多款 750V/1200VIGBT模 块产品,适配整车性 能及散热需要,并实 现批量交付国内先 进新能源汽 车
12面向光储 变流器大 面积塑封 三电平功 率模块关350.00173.68173.68针对光储防潮防 盐雾防有害气体 等环境耐久及效 率提升等要求, 完成大面积塑封完成T-NPC产品样 件定型,打造大面积 塑封模块衍生平台国内先 进光伏、储能
 键技术研 究及产业 化项目   关键技术研究。 1200V/600A T-NPC模块已完 成设计和样件定 型   
13工控领域 用SiC功 率器件研 发及产业 化项目5,000.0054.5554.551款产品处于设 计开发阶段计划开发 1200V 7mΩSiC模块,并 实现批量交付国内先 进工业控制
14面 向 光 伏、储能 领域新一 代IGBT芯 片及器件 研发及产 业化项目3,000.0040.7940.793款产品设计开 发中,1款产品小 批量交付。完成40A/100A/140A 1200V、150A 650V M7UIGBT单管开发, 满足当前及未来电 力电子领域对高性 能、高可靠性功率半 导体器件的迫切需 求,进一步完善产品 类型,扩展客户可选 择范围。国内先 进光伏、储能
合计-61,600.0010,976.1331,614.22----
注:1、以上在研项目按照累计投入金额比例依次排序。

2、报告期内,由于部分在研项目应用领域相同,根据项目高效管理的原则,结合在研项目的实际进展情况,公司将“CoolPackSSC产品开发”项
目和“ColdPackSDC-SiC产品开发与平台建设”项目合并到“面向新能源汽车大小电控SiC塑封功率模块研发及产业化项目”;将“光伏与储能应用的
三电平功率模块关键技术研究”项目和“光储逆变器用NPC模块”项目合并到“面向光储变流器大面积塑封三电平功率模块关键技术研究及产业化项目”。

情况说明

5、研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上期数
公司研发人员的数量(人)193176
研发人员数量占公司总人数的比例(%)17.6618.13
研发人员薪酬合计4,015.202,997.77
研发人员平均薪酬20.8017.03

研发人员学历结构 
学历结构类别学历结构人数
博士研究生3
硕士研究生34
本科及以下156
研发人员年龄结构 
年龄结构类别年龄结构人数
30岁以下(不含30岁)94
30-40岁(含30岁,不含40岁)77
40-50岁(含40岁,不含50岁)15
50-60岁(含50岁,不含60岁)3
60岁及以上4
研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响(未完)
各版头条