[年报]安集科技(688019):2024年年度报告

时间:2025年04月16日 01:26:19 中财网

原标题:安集科技:2024年年度报告

公司代码:688019 公司简称:安集科技
安集微电子科技(上海)股份有限公司
2024年年度报告









重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。


二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否

三、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”。


四、 公司全体董事出席董事会会议。


五、 毕马威华振会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。


六、 公司负责人 Shumin Wang、主管会计工作负责人刘荣及会计机构负责人(会计主管人员)刘荣声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。


七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经公司董事会审议通过的利润分配预案及公积金转增股本预案为:
公司拟以实施2024年度利润分派股权登记日的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数,向全体股东每10股派发现金红利4.5元(含税)。截至2025年4月15日,公司总股本为129,213,274股,扣除公司回购账户后剩余股本为129,090,465股,以此计算合计拟派发现金红利总额为58,090,709.25元(含税),占母公司当年实现可分配利润比例约11.47%,占公司合并报表归属上市公司股东净利润的10.89%,剩余未分配利润结转以后年度分配;公司拟向全体股东以资本公积金转增股本每10股转增3股,不送红股。

本次利润分配方案尚需提交本公司2024年年度股东大会审议通过。


八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。


十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况


十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否

十三、 其他
□适用 √不适用



目录
第一节 释义 ..................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................. 9
第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 14
第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 53
第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................... 77
第六节 重要事项 ........................................................................................................................... 84
第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................... 107
第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 116
第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 116
第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 117



备查文件目录报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文 及公告的原稿
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件



第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
安集科技、公司安集微电子科技(上海)股份有限公司
Anji CaymanAnji Microelectronics Co. Ltd.,公司控股股东
安续投资宁波安续企业管理合伙企业(有限合伙)
上海安集安集微电子(上海)有限公司,公司全资子公司
宁波安集宁波安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
台湾安集台湾安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
宁波安集投资宁波安集股权投资有限公司,公司全资子公司
北京安集北京安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
安集电子材料上海安集电子材料有限公司,公司全资子公司
新加坡安集ANJI MICROELECTRONICS PTE. LTD.,宁波安集投资全资子公司
法国CTCORDOUAN TECHNOLOGIES,新加坡安集全资子公司
SEPPURESEPPURE PTE. LTD.
安特纳米山东安特纳米材料有限公司
钥熠电子上海钥熠电子科技有限公司
股东大会安集微电子科技(上海)股份有限公司股东大会
董事会安集微电子科技(上海)股份有限公司董事会
监事会安集微电子科技(上海)股份有限公司监事会
高级管理人员公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书
《公司章程》《安集微电子科技(上海)股份有限公司章程》
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
报告期2024年1月1日-2024年12月31日
化学机械抛光 (CMP)Chemical Mechanical Planarization,集成电路制造过程中实现晶圆 全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不 同,CMP技术由化学作用和机械作用两方面协同完成。
化学机械抛光 液、抛光液、研 磨液由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成,是化学机械抛光工艺过程中使 用的主要化学材料。
研磨颗粒、纳米 磨料为生产化学机械抛光液所需的关键原材料,主要包括硅溶胶、气相二氧 化硅和二氧化铈等品类。
清洗技术通过化学处理、气体或物理方法去除晶片表面杂质的过程。通常在工艺 之间进行,用于去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染 物、金属残留、有机物残留物,去除光阻掩膜或残留,也可根据需要进 行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀,为下一步工序准备 好良好的表面条件。晶圆清洗步骤数量约占所有芯片制造工序步骤30% 以上,而且随着节点的推进,清洗工序的数量和重要性会继续提升。根 据清洗介质的不同,目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清 洗两种工艺路线,晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主。
湿法清洗针对不同的工艺需求,采用特定的化学药液和去离子水,对晶圆表面进 行无损伤清洗,以去除晶圆制造过程中的颗粒、自然氧化层、有机物、
  金属污染、牺牲层、抛光残留物等物质,可同时采用超声波、加热、真 空等辅助技术手段。
湿电子化学品、 工艺化学品是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程中不可缺少的 关键性基础化工材料之一,一般要求超净和高纯,对生产、包装、运输 及使用环境的洁净度都有极高要求。按照组成成分和应用工艺不同,可 将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类。
光刻半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光 刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转 移到所在衬底上。
光刻胶光刻中采用的感光物质,其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形 转移至衬底上。
光刻胶去除刻蚀过程中光刻胶定义的图像被转移到晶圆表面并且刻蚀到定义的深 度,刻蚀之后作为刻蚀保护层或者阻挡层的剩余光刻胶需要从晶圆表 面去除。
光刻胶去除剂、 光阻去除剂又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”,是光刻胶去除工艺中使用 的化学材料,主要由刻蚀剂、溶剂及添加剂等组成,通过将半导体晶片 浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片,去除半导体晶片上的 光刻胶及其光刻胶刻蚀后残留物。
刻蚀后清洗液一种光刻胶去除剂,应用于干法刻蚀后晶圆表面残留物去除。
光刻胶剥离液一种光刻胶去除剂,应用于厚膜光刻胶去除,包括晶圆级封装以及部分 集成电路工艺。
半导体电镀、电 化学沉积在芯片制造过程中,将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面形成金属 互连。
电镀基础液提供电沉积金属离子,与电镀液添加剂相互作用,在电场作用下实现金 属电化学沉积。
电镀液添加剂电镀工艺核心材料,改善镀层性能及电镀质量。在电镀工艺中,电镀液 添加剂与基础液相互作用,在电场作用下实现金属电化学沉积。
刻蚀用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,主 要分为干法刻蚀和湿法刻蚀,其中湿法刻蚀指用液体化学试剂(如酸、 碱和溶剂等)以化学的方式去除硅片表面的材料,干法刻蚀是通过等离 子气与硅片发生物理或化学反应(或结合物理、化学两种反应)的方式 将表面材料去除。
芯片、集成电路 (IC)Integrated Circuit,是一种微型电子器件或部件。通过氧化、光刻、 扩散、外延、蒸镀、表面处理等制造工艺,把电路设计中所需的晶体管、 电阻、电容和电感等元件进行布线互连,在硅晶圆或化合物材料的基板 上,再进行封装工艺分割而成。
制程、节点、特 征线宽晶体管栅极宽度的尺寸,用来衡量半导体芯片制造的工艺水准。尺寸越 小,表明工艺水平越高,如130nm、90nm、28nm、14nm、7nm等等。
逻辑芯片一种通用芯片,它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。
存储芯片又称“存储器”,是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备,其存 储与读取过程体现为电子的存储或释放,广泛应用于内存、U盘、消费 电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。
模拟芯片主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理 模拟信号的芯片类型。
DRAM动态随机存取存储器,属于易失性存储器。
NAND闪存,属于非易失性存储器。
2D NAND存储单元为平面结构的一种NAND存储器。
3D NAND一种新兴的闪存类型,通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或者平面 NAND闪存带来的限制。
CISCMOS图像传感器。
晶圆(wafer)集成电路制作所用到的基材片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在晶 圆上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成 电路产品。
传统封装先将晶圆片切割成单个芯片再进行封装的工艺,主要包括单列直插封 装(SIP)、双列直插封装(DIP)、小外形封装(SOP)、小晶体管外 形封装(SOT)、晶体管外形封装(TO)等封装形式。
先进封装处于前沿的封装形式和技术。目前,带有倒装芯片(FC)结构的封装、 晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、2.5D 封装、3D 封装等均被 认为属于先进封装范畴。先进封装四大要素分别为RDL、TSV、Bump和 Wafer,RDL起到XY平面电气延伸的作用,TSV起到Z轴电气延伸的作 用,Bump起到界面互联和应力缓冲的作用,Wafer作为集成电路的载体 以及RDL和TSV的介质和载体。
晶 圆 级 封 装 (WLP)Wafer-Level Packaging,在晶圆上封装芯片,而不是先将晶圆切割成 单个芯片再进行封装。这种方案可实现更大的带宽、更高的速度与可靠 性以及更低的功耗,并为用于移动消费电子产品、高端超级计算、游戏、 人工智能和物联网设备的多晶片封装提供了更广泛的形状系数。
三维集成将多层集成电路芯片堆叠键合,通过穿透衬底的三维互连实现多层之 间的电信号连接的技术,TSV是三维集成技术的实现方法之一。
凸块(Bumping) 技术在芯片上制作凸块,通过在芯片表面制作金属凸块提供芯片电气互连 的“点”接口,广泛应用于FC(倒装)、WLP(晶圆级封装)、CSP(芯 片级封装)、3D(三维立体封装)、(SiP)系统级封装等先进封装。 凸块制造过程一般是基于定制的光掩模,通过真空溅镀、黄光、电镀、 蚀刻等环节而成,该技术是晶圆制造环节的延伸,也是实施倒装(FC) 封装工艺的基础及前提。材料一般为Cu、Au、Ni、Ag-Sn等,有单金属 的凸点,也有合金凸点,最常用的凸点材料是Cu和Au。相比以引线作 为键合方式传统的封装,凸块代替了原有的引线,实现了“以点代线” 的突破。该技术可允许芯片拥有更高的端口密度,缩短了信号传输路 径,减少了信号延迟,具备了更优良的热传导性及可靠性。此外,将晶 圆重布线技术(RDL)和凸块制造技术相结合,可对原来设计的集成电 路线路接点位置进行优化和调整,使集成电路能适用于不同的封装形 式,封装后芯片的电性能可以明显提高。
重布线层(RDL) 技术Redistribution Layer,起着XY平面电气延伸和互连的作用。RDL技 术的核心是在晶圆表面沉积金属层和介质层并形成相应的金属布线图 形,对芯片的I/O端口进行重新布局,根据后续封装工艺需求,将其布 局到新的且占位更为宽松的区域,并形成面阵列排布。随着工艺技术的 发展,通过RDL形成的金属布线的线宽和线间距也越来越小,从而提供 更高的互连密度。目前RDL技术多采用电化学沉积的方式来完成。
小芯片组、芯粒 (Chiplet)技 术在同一个封装或系统里集成多个裸片的一种新型芯片设计模式。
硅通孔(TSV)技 术Through Silicon Via,通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作 垂直导通,实现芯片之间互连的新的技术解决方案。TSV技术能够使芯 片在三维方向堆叠的密度最大,芯片之间的互连线最短,外形尺寸最 小,大大改善芯片速度和低功耗的性能。
铜阻挡层集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材料,目的是防止 铜和绝缘介质发生反应。
鳍式场效应晶 体管(FinFET)Fin Field-Effect Transistor,一种新的互补式金氧半导体晶体管, FinFET 命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非常相似。这种设计可以大幅 改善电路控制并减少漏电流,也可以大幅缩短晶体管的闸长。
摩尔定律当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月
  便会增加一倍,性能也将提升一倍。
超越摩尔当芯片中的临界尺寸越来越接近物理极限,摩尔定律不能沿用原来的 方法单纯缩小元器件尺寸来提高元器件密度。只能通过引入更加创新 的三维集成来提升芯片性能,包括革命性的新材料,芯片内的三维堆 积,芯片之间的三维互联。
后道工艺半导体芯片制造工艺流程中比较靠后的对晶体管进行导线连接的工艺 步骤,如铜互连、金属退火等。
前道工艺半导体芯片制造工艺流程中比较靠前的对晶体管性能进行控制的工艺 步骤,如栅极光刻技术、离子注入技术等。
平坦化在制造工艺中,通过热流程、有机层或化学机械抛光技术对晶圆表面的 平整化。
铜制程、铜互连 技术在半导体集成电路互连层的制作中采用铜金属材料取代传统铝金属互 连材料的半导体制造工艺技术。铜互连工艺具有更低的电阻率、抗电迁 移性,能够满足芯片尺寸更小、功能更强大、能耗更低的技术性要求。
大马士革工艺衍生自古代的 Damascus(大马士革)工匠之嵌刻技术,先在介电层上 刻蚀金属导线用的图膜,然后再填充金属,特点是不需要进行金属层的 刻蚀。
导体具有低电阻和高电导率的材料。
介电材料属绝缘体,是指在外电场作用下能发生极化、电导、损耗和击穿等现象 的材料。在化学机械抛光领域,介电材料通常指二氧化硅、氮化硅等绝 缘材料。
浅槽隔离(STI)即Shallow-Trench Isolation。通常用于0.25μm以下工艺,通过利 用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽,并在槽中填充淀积 氧化物,用于与硅隔离。
宽禁带半导体、 第三代半导体使用禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料(如碳化硅、氮化镓等)的 半导体器件。
SEMISemiconductor Equipment and Materials International,国际半导 体设备与材料产业协会。
WSTSWorld Semiconductor Trade Statistics,世界半导体贸易统计协会。
SIASemiconductor Industry Association,美国半导体产业协会。
TECHCET一家全球知名的电子材料咨询公司。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称安集微电子科技(上海)股份有限公司
公司的中文简称安集科技
公司的外文名称Anji Microelectronics Technology (Shanghai) Co., Ltd.
公司的外文名称缩写Anji Technology
公司的法定代表人Shumin Wang
公司注册地址上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9 幢底层
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址上海市浦东新区华东路5001号金桥综合保税区T6-5幢
公司办公地址的邮政编码201201
公司网址www.anjimicro.com
电子信箱[email protected]

二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名杨逊冯倩
联系地址上海市浦东新区华东路5001号金桥综 合保税区T6-5幢上海市浦东新区华东路5001号金桥综合保 税区T6-5幢
电话021-20693201021-20693201
传真021-50801110021-50801110
电子信箱[email protected][email protected]

三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址《上海证券报》
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司证券部

四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用 □不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板安集科技688019不适用

(二)公司存托凭证简况
□适用 √不适用

五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所(境 内)名称毕马威华振会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址北京市东长安街1号东方广场2座办公楼8
  
 签字会计师姓名徐海峰、厉安
报告期内履行持续督导职责 的保荐机构名称申万宏源证券承销保荐有限责任公司
 办公地址上海市徐汇区长乐路989号11楼
 签字的保荐代表 人姓名康杰、周毅
 持续督导的期间2023年4月8日至2025年12月31日止

六、近三年主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2024年2023年本期比上 年同期增 减(%)2022年
营业收入1,835,015,178.351,237,871,129.2248.241,076,787,316.10
归属于上市公司股 东的净利润533,643,641.69402,733,766.5032.51301,436,958.70
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益的净利润526,270,031.60322,000,921.0863.44300,453,800.14
经营活动产生的现 金流量净额493,210,493.99336,234,683.5346.69239,122,116.48
主要会计数据2024年末2023年末本期末比 上年同期 末增减( %)2022年末
归属于上市公司股 东的净资产2,700,956,681.012,124,045,086.3827.161,521,549,944.38
总资产3,451,756,060.582,603,401,095.7332.592,047,601,294.07

(二) 主要财务指标

主要财务指标2024年2023年本期比上年同期增减(%)2022年
基本每股收益(元/股)4.143.1531.433.53
稀释每股收益(元/股)4.143.1431.853.52
扣除非经常性损益后的基本每 股收益(元/股)4.082.5261.903.51
加权平均净资产收益率(%)22.1821.47增加0.71个百分点22.20
扣除非经常性损益后的加权平 均净资产收益率(%)21.8717.16增加4.71个百分点22.12
研发投入占营业收入的比例(%)18.1319.11减少0.98个百分点14.99

报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
报告期内,公司实现营业收入 183,501.52 万元,较去年同期增长 48.24%,其中化学机械抛光液同比增长43.73%,功能性湿电子化学品同比增长78.91%。公司从2019年到2024年的营业收入年复合增长率达45%。

公司营业收入增长主要系公司始终坚守核心业务,持续深耕“3+1”技术平台及其应用领域,产品研发创新能力得到持续加强。同时,公司高效实施各产品线市场拓展计划,积极推进新订单、新客户、新应用的获取,新产品、新客户、新应用的导入顺利,产品研发进展及市场拓展情况均实现预期。另外,公司始终坚持客户第一,持续深化客户合作,紧密围绕客户需求,积极配合客户上量节奏,部分产品顺利进入放量阶段,销售收入实现稳健增长。

归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为 52,627.00 万元,较去年同期增长63.44%,主要原因有:(1)公司不断加强与客户紧密合作,积极扩充产品品类,产品结构更多元化,同时由于部分产品线生产效率较上年同期有所提升,报告期内毛利率有所增长;(2)公司营业收入保持稳健增长;(3)公司在持续加强研发投入和管理有序的同时,持续提升内部管理和经营效率,期间费用合计增长幅度40.05%低于营业收入增长幅度48.24%;(4)由于汇兑收益和存款利息收入的影响,财务收益同比增加2,052.46万元。

归属于上市公司股东的净利润为53,364.36万元,较去年同期增长32.51%,除归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润的变动影响以外,本期非经常性损益项目金额较小。2023年,因部分较重大的政府项目完成验收并需部分确认为其他收益,致使非经常性损益项目可比基数较大。基于此,报告期内归属于母公司所有者的净利润同比增长率32.51%。

经营活动产生的现金流量净额为49,321.05万元,较去年同期增长46.69%,主要系公司营业收入稳健增长,销售回款增长等所致。

报告期内,归属于上市公司股东的净资产较上年末增长27.16%,总资产较上年末增长32.59%。

该等增长主要系公司经营成果的积累所致,报告期内公司取得的净利润为净资产和总资产的增长提供了有力支撑。此外,为满足业务发展需求,公司合理运用银行融资工具,报告期内银行借款有所增加,亦对总资产的增长产生了积极影响。

基本每股收益和稀释每股收益分别为 4.14 元/股和 4.14 元/股,较上期分别增加 31.43%和31.85%,主要系公司净利润增加所致。

扣除非经常性损益后的基本每股收益为4.08元/股,较上期增长61.90%,主要系公司扣除非经常性损益的净利润稳健增长。

报告期内,公司的加权平均净资产收益率和扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率分别为22.18%及21.87%,较上期分别上升0.71个百分点和4.71个百分点,主要源自于公司净利润和扣除非经常性损益的净利润的稳健增长。

研发投入占营业收入的比例为 18.13%,较去年略下降 0.98 个百分点,但研发投入额的绝对值同比增长40.64%,主要系报告期内公司与客户紧密合作及为抓住市场的技术趋势,积极开展各项研发活动,为公司可持续发展打好扎实的基础。


七、境内外会计准则下会计数据差异
1.同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

2.同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用 √不适用

3.境内外会计准则差异的说明:
□适用 √不适用

八、2024年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入378,450,569.05418,822,881.82514,957,812.48522,783,915.00
归属于上市公司股东 的净利润105,080,291.47128,915,549.24158,572,358.58141,075,442.40
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 后的净利润105,678,947.40129,162,971.98148,654,767.18142,773,345.04
经营活动产生的现金 流量净额107,658,319.2687,635,703.54132,910,849.32165,005,621.87

季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用

九、非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2024年金额附注 (如适 用)2023年金额2022年金额
非流动性资产处置损益,包 括已计提资产减值准备的冲 销部分  -690,889.54-55,333.00
计入当期损益的政府补助, 但与公司正常经营业务密切 相关、符合国家政策规定、 按照确定的标准享有、对公 司损益产生持续影响的政府 补助除外19,960,678.95 87,910,684.0811,907,903.26
除同公司正常经营业务相关 的有效套期保值业务外,非-11,654,121.26 17,520,761.20-9,272,657.46
金融企业持有金融资产和金 融负债产生的公允价值变动 损益以及处置金融资产和金 融负债产生的损益    
除上述各项之外的其他营业 外收入和支出-651,043.14 32,042.80-45,877.65
其他符合非经常性损益定义 的损益项目-   
减:所得税影响额-281,904.46 -24,039,753.12-1,550,876.59
少数股东权益影响额 (税后)-   
合计7,373,610.09 80,732,845.42983,158.56

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用 √不适用

十、采用公允价值计量的项目
√适用 □不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响 金额
交易性金融资产61,131,418.6244,682,670.86-16,448,747.764,238,935.00
衍生金融资产188,768.24--188,768.24-693,268.24
其他非流动金融 资产139,300,000.00143,900,000.004,600,000.00-15,199,788.02
其他权益工具投 资62,800,000.0060,500,000.00-2,300,000.00-
合计263,420,186.86249,082,670.86-14,337,516.00-11,654,121.26

十一、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用 √不适用

十二、非企业会计准则业绩指标情况
第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
集成电路是现代化产业体系的核心枢纽,半导体材料作为集成电路产业的基石,在集成电路制造技术不断升级和产业的持续创新发展中扮演着重要角色。安集科技作为一家以科技创新及知识产权为本的高端半导体材料企业,始终致力于高技术壁垒、高增长率和高功能材料的研发和产业化,坚持“立足中国,服务全球”的战略定位。公司持续深化化学机械抛光液一站式全方位服务,坚定全品类产品线布局;进一步拓宽功能性湿电子化学品平台,覆盖高端、技术导向的产品领域;强化及提升电镀液及添加剂高端产品系列的战略供应,夯实基础,快速拓展市场;不断加深加快关键原材料的自主可控进程,带动产品技术发展,保障供应链安全。在打破特定领域高端材料100%进口局面,填补国内技术空白的基础上,带动、引领半导体材料产业链的快速发展。

2024年,半导体行业从低谷逐渐复苏,市场分化趋势显现。安集科技得益于多年深耕高端半导体材料领域的丰富经验、清晰的战略定位和坚定的决心,精准卡位,充分把握市场动态和机遇,顺利完成2024年既定目标,实现阶段性战略目标,又一次延续了稳健增长势头,迈向高质量发展新台阶。

? 安全防控持续进阶,治理结构深度贯彻,筑牢发展的稳固根基
公司倡导“尊重、关怀、以人为本”的企业文化价值观,坚持以安全生产为第一要务,将职业健康与安全保障放在首要位置。2024年,公司持续提升安全标准要求,不断加强安全教育及日常安全管理,增强隐患防范意识,完善预防机制,严格执行内部6S巡查管理体系,强化属地管理,组建专业救援行动组,持续优化隐患排查和加强应急能力。

公司同样重视知识产权与企业信息安全建设,视其为发展基石。2024 年,在知识产权方面,公司成功通过国家知识产权管理体系再认证。公司进一步完善知识产权获取控制、维护控制、运用控制、信息利用控制、风险管理、维权与争议处理控制等一系列制度,积极培育创新氛围,同时加强公司全流程知识产权合规管理体系,从研发到应用各环节着手,确保知识产权与商业秘密不受侵害;信息安全领域,公司进一步强化IT安全管理制度标准。鉴于信息及自动化系统安全对生产、研发、办公等核心业务的重要性,采用先进技术方案,涵盖网络防护、数据加密、权限管理等,全方位防止敏感商业数据、知识产权及研发成果泄露,筑牢安全防线。

完善的公司治理结构是确保安全合规的基础。报告期内,公司深入贯彻执行独立董事改革制度,充分发挥独立董事监督作用。公司积极响应《关于上市公司独立董事制度改革的意见》的要求,不断优化独立董事的履职环境,确保其能够充分发挥专业优势,为公司的稳健发展提供有力支持。独立董事在独立董事专门会议、审计委员会、薪酬与考核委员会、战略委员会及提名委员会等多个关键治理环节中,充分发挥各自的专业能力和独立判断作用。为了确保独立董事能够充分履职,公司为独立董事提供了充足的时间和资源支持。独立董事人均现场办公天数达到 16.83天,他们通过实地调研、与管理层沟通、查阅公司资料等方式,深入了解公司的运营情况和发展战略,为科学决策提供了坚实依据。

公司将在既有成就的基础上,以更加坚定的步伐深化安全防范与治理体系建设。把安全生产、知识产权保护、信息安全及完善的治理结构作为驱动发展的强劲引擎,稳步迈向高质量发展新阶段。

? 创新研发深度延展,市场地位日益稳固,助力公司达成阶段性战略目标 公司始终秉承“创新驱动企业发展”的理念,持续投入研发,提升创新能力,公司坚定高端领域的战略定位,围绕液体与固体表面的微观处理技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建“3+1”技术平台及应用领域,全面提升公司核心竞争力。

报告期内,在化学机械抛光液板块,公司凭借创新引领产品升级,不断强化对现有客户的吸引力,稳固市场优势。与此同时,依托深厚的行业积累、可靠的技术支持与强大的供应实力,积极拓展新客户资源,探索新应用场景,大力开拓市场份额:铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液及新应用的化学机械抛光液等各类产品线的研发进程及市场拓展顺利,客户用量及客户数量均达到预期,多个产品平台中的多款产品在成熟制程和先进制程的客户完成测试论证并持续量产销售。

公司在功能性湿电子化学品领域,致力于攻克领先技术节点难关并提供相应的产品和解决方案,持续拓展产品线布局,目前已涵盖刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液及刻蚀液等多种产品系列,广泛应用于逻辑电路、3D NAND、DRAM、CIS等特色工艺及异质封装等领域。报告期内,在刻蚀后清洗液方面,先进制程刻蚀后清洗液研发及产业化顺利,持续上量并扩大海外市场;在抛光后清洗液方面,先进制程碱性抛光后清洗液进展顺利,快速上量。

公司在电镀液及添加剂领域,完成了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及添加剂产品系列平台的搭建,并且在自有技术持续开发的基础上,通过国际技术合作等形式,进一步拓展和强化了平台建设,包括技术平台及规模化生产能力平台,从而提升了公司在此领域的一站式交付能力。报告期内,电镀液本地化的生产供应进展顺利,持续上量;集成电路大马士革电镀、硅通孔电镀、先进封装锡银电镀开发及验证按计划进行。

与此同时,公司持续加快建立核心原材料自主可控供应的能力,一方面优化产品性能,提升现有产品竞争力;另一方面加强新产品、新技术的研究开发,保障公司产品长期供应的安全性和可靠性。报告期内,参股公司开发的多款硅溶胶应用在公司多款抛光液产品中并实现量产,销售持续上量;公司通过自研自建的方式持续加强了氧化铈颗粒制备的自主可控能力,自产氧化铈磨料应用在公司产品中的测试论证进展顺利,多款产品已通过客户端的验证并实现量产供应,部分产品在重要客户实现销售,并有产品实现新技术路径的突破,显著提高客户良率。

公司持续专注投入,已成功打破了国外厂商的垄断并已成为众多半导体行业领先客户的主流供应商。根据TECHCET公开的全球半导体抛光液市场规模测算,最近三年公司化学机械抛光液全球市场占有率分别约7%、8%、11%,逐年稳步提升。公司湿电子化学品中的清洗液已在全球市场崭露头角,根据TECHCET全球半导体专用清洗液市场规模测算,2024年公司清洗液全球市场占有率约为4%。

公司继续坚持“立足中国,服务全球”的战略定位,沿着既定的发展路线和市场拓展规划,保持与现有客户积极紧密的合作关系,并努力拓展新客户。凭借公司多年来积累的丰富经验,依托已建立的产品技术平台,坚持创新驱动和客户至上的理念,持续为客户提供定制化的产品及解决方案,解决客户痛点,满足客户需求,增强客户粘度,巩固市场地位。继续加大力度开拓中国大陆地区成熟制程和先进制程的市场的同时,公司投入更多资源积极拓展中国台湾地区及海外客户的市场份额。报告期内,公司营业收入稳健增长,实现营业收入183,501.52万元,比上年同期增长48.24%;归属于上市公司股东的净利润为53,364.36万元,较上年同期增长32.51%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为52,627.00万元,较上年同期增长63.44%。

截至报告期末,公司顺利完成上市后的第一个“五年计划”,实现原设置的战略目标。自2019年至2024年,公司销售收入增长154,960.50万元,年化增长率45.09%,远超所属板块的全球市场增长率,全球市占率稳步提高;成功搭建“3+1”技术平台及应用领域:实现化学机械抛光液板块全品类产品矩阵和一站式解决方案的搭建,功能性湿电子化学品板块领先技术节点多产品线布局,成功建立电镀液及添加剂产品平台实现电镀高端产品系列国产突破,并建立核心原材料自主可控供应的能力;同时在研发软硬件能力提升、产能布局、体系建设、安全质量管理、人才发展、国际市场拓展、品牌影响力等多方面取得显著发展。

? 重燃奋进精神,深植文化推动组织提效,支持安集长足发展
公司在不断加强产品布局和创新研发,铸造硬科技实力的同时,高度重视人才软实力的培育,双管齐下,稳步前行。2024 年是公司成立二十周年,值此之际,公司以企业文化为核心驱动力,全面深化人员效能提升,将安集创业精神重新诠释,汇聚成“创领奋进、挚诚共赢”的文化理念推广传播,并完成公司二十周年纪录片拍摄,同时组织多场内外部感恩回顾活动,对于巩固公司品牌形象、增强内部文化认同感和凝聚力作用显著。

报告期内,公司始终将企业文化建设视为重中之重。以“心·引力”为名的企业文化组织机制再升级,一方面,大力加强团队建设,精心完善福利体系,通过开展形式多样、精彩纷呈的团建活动,有效增强了员工对企业的认同感和凝聚力。另一方面,充分发挥创意与组织才能,积极策划各类文化活动,对“创领奋进、挚诚共赢”的文化理念进行深入阐释与传播。这一系列举措,不仅加深了员工对企业文化内涵的理解,更促使员工将这些理念切实转化为日常工作中的自觉行动,真正做到内化于心、外化于行。

在人才建设方面,公司持续发力。报告期内,公司进一步优化薪酬和激励体系,启动了2024年限制性股票激励计划,向70名激励对象授予253,162股限制性股票。公司将股权激励工具融入于薪酬管理体系,截至2024年12月底,公司累计参与股权激励271人,其中离职率仅为6.6%,为提升公司人员稳定性方面发挥了巨大作用,实现了可持续性的长效激励机制。截至 2024 年 12月31日,公司员工总数已达606人,相较于2023年末增长了29.49%。其中,研发和技术人员数量为307人,较2023年增长16.29%,占员工总人数的50.66%,团队规模和技术实力显著提升,为公司创新发展提供了强大的人才支撑。

“让未来更绿色、更美好、更挚诚”的ESG愿景已作为价值基础与企业文化紧密结合,深度融入企业文化与日常运营中。未来,公司将继续秉承“建立可持续发展的企业,为社会和地球做贡献”的理念,致力于在公司战略以及日常运营中融入绿色发展理念,使安集科技的长足发展支持世界的可持续发展!

非企业会计准则业绩变动情况分析及展望
□适用 √不适用

二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂系列产品,主要应用于集成电路制造和先进封装领域。公司始终围绕液体与固体表面处理和高端化学品配方核心技术并持续专注投入,成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液和部分功能性湿电子化学品的垄断,实现了进口替代,使中国在该领域拥有了自主供应能力,并持续拓展和强化电化学沉积领域的技术平台,产品覆盖多种电镀液及添加剂。同时,公司依靠自主创新,在特定领域实现技术突破,使中国具备了引领特定新技术的能力。

在化学机械抛光液板块,公司致力于实现全品类产品线的布局和覆盖,旨在为客户提供覆盖前道晶圆制造及后道先进封装应用领域的一站式完整解决方案。公司化学机械抛光液产品已涵盖铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液等多个产品平台。同时,公司还基于化学机械抛光液技术和产品平台,支持客户对于不同特色制程的需求,定制开发用于新材料、新工艺的化学机械抛光液。

在功能性湿电子化学品板块,公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道晶圆级封装用等高端功能性湿电子化学品产品领域,致力于攻克领先技术节点难关,并基于产业发展及下游客户的需求,在纵向不断提升技术与产品水平的同时横向拓宽产品品类,为客户提供更有竞争力的产品组合及解决方案。目前,公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、晶圆级封装用光刻胶剥离液、抛光后清洗液、刻蚀液等产品。

在电镀液及添加剂产品板块,公司完成了应用于集成电路制造及先进封装领域的电镀液及添加剂产品系列平台的搭建,并且在自有技术持续开发的基础上,通过国际技术合作等形式,进一步拓展和强化了平台建设,包括技术平台及规模化生产能力平台,从而提升了公司在此领域的一站式交付能力。目前,先进封装用电镀液及添加剂已有多款产品实现量产销售,产品包括铜、镍、镍铁、锡银等电镀液及添加剂,应用于凸点、重布线层(RDL)等技术;在集成电路制造领域,铜大马士革工艺及硅通孔(TSV)电镀液及添加剂也按预期进展,进入测试论证阶段,进一步丰富了电镀液及添加剂产品线的应用。

公司产品已成功应用于逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、功率器件、传感器、第三代半导体及其他特色工艺芯片,并已进入众多半导体行业领先客户的主流供应商行列。

同时,为了提升自身产品的稳定性和竞争力,并确保战略供应,公司建立并持续强化核心原材料自主可控供应的能力,以支持产品研发,并保障长期供应的可靠性。


(二) 主要经营模式
1、采购模式
公司制定了《采购管理程序》和采购管理内部控制流程,并制定了《采购流程》《供应商管理流程》《供应灾难恢复程序》等标准作业程序。

(1)一般采购流程
以原、辅材料和包装材料为例,公司的一般采购主要流程如下:
①研发中心提出材料开发需求,供应链部门负责开发供应商,并由供应商管理小组负责材料评估、供应商认证、审核、导入及批准为公司合格供应商,供应链部门负责建立并维护《合格供应商目录》。公司供应商管理小组由供应链部门、研发中心、质量部、生产运营部等部门人员组成。

②需求部门提出采购申请,并按照公司审批政策得到合适的批准后提交供应链部门,供应链部门负责管理订单执行,质量部负责采购来料检验管理,仓库负责采购入库管理。

③供应链部门按照采购合同/订单获取发票、整理入库及验收等付款凭证后提交财务部申请付款审批流程。

④财务部按照采购合同/订单约定负责采购应付款管理。

(2)外协采购流程
报告期内,公司功能性湿电子化学品中的部分光刻胶剥离液存在委托外协供应商生产的情形,即公司与外协供应商签订协议,外协供应商严格按照公司提供的工艺文件、技术标准来组织生产,进行质量管理控制。公司所有的产品配方、生产工艺、任何发明、设计、技术信息、技术、专有技术或者由公司依协议授权外协供应商使用的商标、商业秘密及其他知识产权属于公司单独所有。

公司的外协采购主要流程如下:
①生产运营部根据月度销售预测生成外协采购申请单;
②供应链部门根据外协采购申请单下订单;
③外协供应商按订单要求安排生产;
④财务部每月末进行外协采购成本核算。

2、研发模式
公司始终围绕自身的核心技术,以自主研发、自主创新为主,形成了科研、生产、市场一体化的自主创新机制。同时,公司与高校、客户等外部单位建立了良好的合作关系,积极开展多层次、多方式的合作研发。公司的研发目标一方面系跟随行业界的技术发展路线图,研发适应产业需求的产品平台;另一方面系基于下游客户的需求,针对性研发满足客户需求的产品。由于从开始研发到实现规模化销售需要较长的时间,公司与技术领先的客户合作开发,有助于了解客户需求并为其开发创新性的解决方案。

公司制定了《研发管理制度》,并建立了研发管理内部控制流程,涵盖研发计划、研发立项、研发过程跟进和费用核算管理、专利申请和取得等环节。公司产品研发及产业化的一般路径主要包括项目论证、研发Alpha送样、Beta送样试生产、商业化(规模化生产)、持续改进等五个阶段。

3、生产模式
公司在产品设计及研发前期,即投入大量资源与下游客户进行技术、品质、性能交流。当产品通过客户评价和测试后,销售部会根据客户的产品订单及对于客户使用需求的预测制定滚动出货预测,生产运营部根据年度/月度生产计划、滚动出货预测和库存情况制订具体的生产计划、安排库存。具体而言,生产运营部每年组织各相关部门,根据排产计划编制年度生产计划及月度生产计划。生产运营部会定期进行集体评审,根据每月存货存量、滚动出货预测制定具体的每周生产计划,以确保生产计划满足销售合同以及生产产能的要求;生产运营部组织各相关部门、各产品线负责人召开生产调度会,对生产计划的执行情况进行评审,以确保充分沟通可能影响生产计划变更的各种因素,及时调整生产计划(如及时关闭停工订单),以确保计划调整的及时性及有效性。

公司已经掌握了化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂、部分品类的研磨原料生产中的核心技术,通过合理调配机器设备和生产资源组织生产。

4、销售模式
公司产品主要应用于集成电路制造和先进封装领域,销售主要采用直接面对终端客户的直销模式。公司在开拓新客户或在原有客户推广新产品时,首先要根据客户的需求进行认证测试,包括产品性能、可靠性、稳定性等多方面测试,认证测试周期一般较长。公司在通过下游客户认证后,客户直接向公司下达采购订单,公司按要求直接向客户发货。


(三) 所处行业情况
1、 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化,目前产品包括不同系列的化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂系列产品,主要应用于集成电路制造和先进封装领域。根据国家统计局《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业——C3985 电子专用材料制造”。按照行业界的一般分类标准,公司所处行业为半导体材料行业。

半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节,是半导体产业的基石和推动集成电路技术创新的引擎,对半导体产业发展起着重要支撑作用,与下游半导体市场的发展紧密相关。受益于半 导体产业长期发展趋势,全球半导体材料市场规模保持增长态势,且制造更先进技术节点的逻辑 芯片、3D存储芯片架构和异构集成技术需要更多的工艺步骤,带来更高的晶圆制造材料和封装材 料消耗需求。根据TECHCET预测,2028年全球半导体材料市场规模将超过840亿美元,2023-2028 年复合增长率为5.6%。 2001-2025年全球半导体产业周期性成长趋势 数据来源:WSTS ①半导体材料行业概况 材料和设备是半导体产业的基石,是推动集成电路技术创新的引擎。半导体材料处于整个半 导体产业链的上游环节,对半导体产业发展起着重要支撑作用,具有产业规模大、细分行业多、 技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。 半导体材料是半导体产业的重要支撑 数据来源:SEMI,WSTS,SIA 第一,产业规模大。半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料。根据SEMI,2022年全球 半导体材料市场销售额增长8.9%,达到727亿美元,超过了2021年创下的668亿美元的前一市 场高点。2023年,受整个半导体行业环境影响,全球半导体材料市场销售额下降8.2%至667亿美 元。从材料大类来看,2023年全球晶圆制造材料和封装材料的销售额分别为415亿美元和252亿 美元,占全球半导体材料销售额的比重分别约62%和38%;从地区分布来看,中国台湾和中国大陆 是全球前两大半导体材料消费地区,2023年销售额分别为192亿美元和131亿美元,占全球半导 体材料销售额的比重分别约29%和20%,其中中国大陆是2023年全球唯一实现半导体材料销售额 同比增长的地区。 中国是全球最大的半导体材料市场(亿美元) 数据来源:SEMI
第二,细分行业多。半导体材料行业是半导体产业链中细分领域最多的产业链环节,其中晶圆制造材料包括硅片、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材料、工艺化学品、电子特气、抛光液和抛光垫、靶材及其他材料,封装材料包括引线框架、封装基板、陶瓷基板、键合丝、包封材料、芯片粘结材料及其他封装材料,每一种大类材料又包括几十种甚至上百种具体产品,细分子行业多达上百个。

第三,技术门槛高、研发投入大、研发周期长。由于半导体材料尤其是晶圆制造材料在集成电路芯片制造中扮演着重要的角色,甚至部分关键材料直接决定了芯片性能和工艺发展方向,因此下游客户对于产品的要求极为苛刻,在上线使用前需要长周期的测试论证工作,并且上线使用后也会通过较长周期逐步上量。加之产品在能够进入测试论证阶段之前需要经历长时间、高难度的研发阶段,研发过程中需要大量的研发投入。

②公司主要产品所属细分行业情况 在半导体特别是集成电路制造过程中,晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆优良率和器件质量 与可靠性的最重要因素之一,化学机械抛光(CMP)、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积(电镀)等表 面技术起到非常关键的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理技术和高端化学品配方核 心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建了“化学机械抛光液-全品 类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局”、“电镀液及其添加剂-强 化及提升电镀高端产品系列战略供应”三大具有核心竞争力的技术平台。目前,公司技术已涵盖 集成电路制造中的“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺,产品组合可广泛应用于芯片前道制造及 后道先进封装过程中的抛光、清洗、刻蚀、沉积等关键循环重复工艺及衔接各工艺步骤的清洗工 序。 公司主要产品在芯片制造及先进封装领域的关键循环重复工艺中多次应用 ? 化学机械抛光液市场情况
化学机械抛光(CMP)是半导体先进制程中的关键技术,其主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下,被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动,借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合,使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除,从而达到晶圆表面的高 度(纳米级)平坦化效应。CMP已成为0.35μm以下制程不可或缺的平坦化工艺。 CMP工艺原理图 随着制程节点的进步,多层布线的数量及密度增加,CMP 工艺步骤增加,CMP 技术越来越重要,其对后续工艺良率的影响越来越大。例如 14 纳米技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的CMP工艺步骤数将由 180纳米技术节点的 10次增加到 20次以上,而 7纳米及以下技术节点的逻辑芯片制造工艺所要求的 CMP工艺步骤数甚至超过 30次。此外,更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料,为抛光液带来了更多的增长机会。同样地,对于存储芯片,随着由 2D NAND向 3D NAND演进的技术变革,也会使 CMP工艺步骤数近乎翻倍,带动了钨抛光液及其他抛光液需求的持续快速增长。此外,先进封装技术的应用使 CMP 从集成电路前道制造环节走向后道封装环节,在如硅通孔(TSV)、混合键合(Hybrid Bonding)等工艺中得到广泛应用。

化学机械抛光液在 CMP 技术中至关重要,在抛光材料中价值占比超过 50%,其耗用量随着晶圆产量和 CMP 平坦化工艺步骤数增加而增加。根据应用的不同工艺环节,可以将抛光液分为硅衬底抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、介质材料抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液以及用于先进封装的硅通孔(TSV)抛光液等。抛光液特点为种类繁多,即使是同一技术节点、同一工艺段,根据不同抛光对象、不同客户的工艺技术要求也有不同配方。

根据 TECHCET,2024年全球半导体 CMP抛光材料(包括抛光液和抛光垫,其中抛光液占比近 60%)市场规模为 34.2亿美元,2025年预计增长 6%至 36.2亿美元。随着全球晶圆产能的持续增长以及先进技术节点、新材料、新工艺的应用需要更多的 CMP工艺步骤,TECHCET预计 2028年全球半导体 CMP抛光材料市场规模将达到 44亿美元,2024-2028年复合增长率为 5.6%。

? 湿电子化学品市场情况
湿电子化学品是在清洗、刻蚀等多个微电子/光电子湿法工艺环节中使用的各种高纯度电子化学材料的统称,其生产涉及的核心工艺包括分离纯化、分析检测、混配及包装运输技术等,具有较高的技术壁垒。湿电子化学品主要分为通用性湿化学品和功能性湿化学品,其中通用性湿化学品主要包括主体纯度大于 99.99%、杂质含量低于 ppm级别的酸类、碱类、有机溶剂类及其他类产 品;功能性湿化学品指为满足湿法工艺中特殊工艺需求,通过复配工艺制备的配方类或复配类化 学品,主要包括各类刻蚀液、清洗液及光刻胶配套试剂(剥离液、稀释剂、去边剂、显影液)等。 不同于混合使用的通用湿化学品可以由半导体制造企业自己混配使用,功能性湿化学品需要由电 子化学品生产企业进行研发和生产,以特定的产品形式供应给半导体制造企业使用。 公司专注于集成电路前道晶圆制造用及后道晶圆级封装用高端功能性湿电子化学品领域,产 品涉及清洗液、剥离液和刻蚀液。清洗液用于半导体制造的清洗工艺,去除微粒、金属或离子型 导电污染物及有腐蚀作用的无机、有机污染物等,根据其应用工艺不同,清洗液可分为化学机械 抛光(CMP)后清洗液、铝工艺刻蚀后清洗液、铜工艺刻蚀后清洗液、HKMG假栅去除后清洗液、 封装工艺用去溢料清洗液等。为最大限度地减少杂质对芯片良率的影响,当前的芯片制造流程在 光刻、刻蚀、离子注入、沉积、抛光等重复性工序后均设置了清洗工序,清洗步骤数量约占所有 芯片制造工序步骤的 30%以上,是所有芯片制造工艺步骤中占比最大的工序,而且随着技术节点 的推进,清洗工序的数量和重要性将继续提升,在实现相同芯片制造产能的情况下,对清洗液的 需求量也将相应增加。光刻胶剥离液是在曝光显影及后续工艺后去除硅片上光刻胶所用的试剂, 光刻胶在经过湿法刻蚀、干法刻蚀、离子注入等不同工艺后不易被去除,要求剥离液对光刻胶有 较强的溶解性能。半导体制造工艺应用的刻蚀技术主要包括湿法刻蚀和干法刻蚀两大类,刻蚀工 艺用到的湿化学品为刻蚀液。 清洗和刻蚀是半导体制造过程中重要的工艺环节 湿电子化学品的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响,随着集成电路技术的不断发展,工艺复杂性和技术挑战不断增加,对湿电子化学品的杂质含量、颗粒数量、清洗去除能力、刻蚀选择性、工艺均匀性、批次稳定性与一致性等的管控要求越来越高。此外,由于新结构、新器件和新材料的不断引入,主流芯片制造厂商间的差异性也越来越大,对于功能性湿电子化学品来说,满足客户的定制化需求也成为未来发展的重要趋势。根据TECHCET,2024年全球半导体湿电子化学品市场规模将增长 8%至 55亿美元。受益于芯片技术节点进步及全球芯片产能的持续增长,TECHCET预计 2028年全球半导体湿电子化学品市场规模将超过 66亿美元,2024-2028年复合增长率为 6.1%。

? 电镀液及添加剂市场情况
电化学沉积(电镀)技术作为集成电路制造的关键工艺技术之一,是实现金属互连的基石,主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺和后道先进封装凸块(Bumping)、重布线层(RDL)、硅通孔(TSV)等电镀工艺。随着晶体管尺寸不断缩小,进入 130nm制程以后,铝互连工艺已经不能满足集成电路集成度、速度和可靠性持续提高等需求,铜已逐渐取代铝成为金属互连的主要材料。由于铜很难进行干法刻蚀,因此传统的金属互连工艺已不再适用,拥有镶嵌工艺的镀铜技术成为铜互连的主要制备工艺,业界也称为大马士革铜互连工艺。大马士革铜互连工艺在 8 英寸以上晶圆、130nm 以下芯片制造中得到广泛应用。

在铜互连电镀工艺中,将带有扩散阻挡层和籽晶层的芯片浸没在含有添加剂的高纯电镀液中,用电镀工艺填充已经刻蚀好的互连穿孔(Via)和槽隙(Trench)。其中铜互连电镀添加剂包括加速剂、抑制剂及整平剂,在电镀工艺中起到关键作用,通过不同组分相互作用,实现从下到上填充效果以及镀层晶粒、外观及平整度。

除芯片制造铜互连工艺外,电镀液及添加剂还应用于 Bumping、RDL、TSV等先进封装工艺。

TSV技术的核心是在晶圆上打孔,并在硅通孔中进行镀铜填充,从而实现晶圆的互联和堆叠,在无需继续缩小芯片线宽的情况下,提高芯片的集成度和性能。和芯片制造铜互连工艺相比,TSV电镀的尺寸更大,通常需要更长的沉积时间、更高的电镀速率以及多个工艺步骤,铜互连电镀液及添加剂成本占 TSV工艺的总成本比重也更高。

目前半导体电镀已经不限于铜线的沉积,还有锡、锡银合金、镍、金等金属,但是金属铜的沉积依然占据主导地位。铜导线可以降低互联阻抗,降低器件的功耗和成本,提高芯片的速度、集成度、器件密度等。随着先进逻辑器件技术节点带来的互连层的增加,先进封装对重新布线层和铜柱结构应用的增加,以及广泛运用铜互连技术的半导体器件整体增长,带动了电镀液及其添加剂市场的增长。根据 TECHCET,2024 年全球半导体电镀化学品市场规模约为 9.72 亿美元,2025年全球半导体电镀化学品市场规模将增长至 10.6亿美元,较 2024年增长 9%。随着先进封装应用及下一代逻辑器件中金属互连层数的增加,TECHCET 预计 2024-2028 年先进封装和铜互连领域半导体电镀化学品年复合增长率分别为 8%和 4.5%。

2、 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司自成立之初就将自己定位为以科技创新及知识产权为本的高端半导体材料供应伙伴,目前产品包括不同系列的化学机械抛光液、功能性湿电子化学品和电镀液及添加剂系列产品,同时,为了提升自身产品的稳定性和竞争力,并确保战略供应,公司开始建立核心原材料自主可控供应的能力,以支持产品研发,保障长期供应的可靠性。公司成功搭建了“化学机械抛光液-全品类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局”、“电镀液及添加剂-强化及提升电镀高端产品系列战略供应”及“核心原材料建设-提升自主可控战略供应能力”具有核心竞争力的“3+1”技术平台及应用领域。公司成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液和部分功能性湿电子化学品的垄断,实现了进口替代,并且拓展和强化了电化学沉积领域的技术平台,产品覆盖多种电镀液及添加剂。通过对上游核心原材料的持续深入研发,从性能优化、寻找开发新产品的技术可行性等方面进一步提升产品竞争力,获得更多合作机会的可能。

公司经过多年以来的技术和经验积累、品牌建设,凭借扎实的研发实力及成本、管理和服务等方面的优势,在半导体材料行业取得了一定的市场份额和品牌知名度。公司持续专注投入,已成功打破了国外厂商的垄断并已成为中国大陆众多半导体行业领先客户的主流供应商。随着“立足中国,服务全球”战略的推进,公司研发创新能力得到海外更多用户的认可。报告期内公司海外市场拓展在按计划稳步开展。根据TECHCET公开的全球半导体抛光液市场规模测算,最近三年公司化学机械抛光液全球市场占有率分别约7%、8%、11%,逐年稳步提升。公司湿电子化学品中的清洗液已在全球市场崭露头角,根据TECHCET全球半导体专用清洗液市场规模测算,2024年公司清洗液全球市场占有率约为4%。


3、 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 国际贸易摩擦对半导体产业的影响仍在持续,外部环境的波动也给整个行业的发展带来了诸多不确定性。但是可以确定的是,众多的应用如人工智能、AR/VR、物联网、自动驾驶汽车、云计算、5G/6G、智能城市、医疗健康等都依赖于半导体技术进步来实现其创新。半导体行业的发展源动力深远而巨大,发展驱动力依旧强劲,多个国家和地区出台的提振本土半导体产业发展的相关政策和各界资金向半导体行业的集中反映出相关政府和市场对于行业的认可和正向预期。

根据 WSTS 预测,2024 年和 2025 年全球半导体市场规模将分别增长至 6,268.69 亿美元和6,971.84亿美元,同比增幅分别为19.0%和11.2%。根据SEMI等预测,随着人工智能、新能源车、数据中心、物联网等新兴技术应用推动,2030年全球半导体产业销售额有望突破1万亿美元。全球半导体产业长期发展趋势将带动上游关键材料需求的增长,为公司未来业务增长提供了有力支撑。


(四) 核心技术与研发进展
1、 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司拥有一系列具有自主知识产权的核心技术,核心技术权属清晰,技术水平国际先进或国内领先,成熟并广泛应用于公司产品的批量生产中。公司的核心技术涵盖了整个产品配方和工艺流程,包括金属表面氧化(催化)技术、金属表面腐蚀抑制技术、抛光速率调节技术、化学机械抛光晶圆表面形貌控制技术、光阻清洗中金属防腐蚀技术、化学机械抛光后表面清洗技术、光刻胶残留物去除技术、选择性刻蚀技术、电子级添加剂纯化技术、磨料制备技术、电镀液添加剂技术等。

公司核心技术的应用主要体现在产品配方和生产工艺流程两个方面。一方面,公司基于核心技术研发产品配方并通过申请专利等方式加以保护,产品配方是核心技术的具体体现。另一方面,生产工艺流程是公司产品生产过程的关键,也是核心技术转化为最终产品的实现手段,公司通过技术秘密等形式对生产工艺流程予以保护。


国家科学技术奖项获奖情况
□适用 √不适用

国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用 □不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2020年度-2024 年度化学机械抛光液及功能性湿电子化学 品等

2、 报告期内获得的研发成果
公司始终秉承“研发创新驱动企业发展”的理念,持续研发投入,不断提升研发创新能力,加大市场开拓力度。公司围绕液体与固体表面的微观处理技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建“3+1”技术平台及应用领域,全面提升公司核心竞争力:“化学机械抛光液-全品类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领先技术节点多产品线布局”、“电镀液及添加剂-强化及提升电镀液高端产品系列战略供应”及“核心原材料建设-提升自主可控战略供应能力”。(未完)
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