[年报]中微公司(688012):2024年年度报告
原标题:中微公司:2024年年度报告 中微半导体设备（上海）股份有限公司 2024年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。 四、 公司全体董事出席董事会会议。 五、 普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、 公司负责人尹志尧、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负责人（会计主管人员）陈伟文声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.00元（含税）。截止2024年12月31日，公司总股本622,363,735股，扣除公司回购专户的股份余额2,096,273股，即620,267,462股，以此计算合计拟派发现金红利186,080,238.60元（含税）。上述事项已经董事会审议通过，尚需提交股东大会审议。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬请投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义 ................................................................................................................................... 22 第二节 公司简介和主要财务指标 ............................................................................................... 24 第三节 管理层讨论与分析 ........................................................................................................... 29 第四节 公司治理 ........................................................................................................................... 80 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 ................................................................................. 103 第六节 重要事项 ......................................................................................................................... 113 第七节 股份变动及股东情况 ..................................................................................................... 133 第八节 优先股相关情况 ............................................................................................................. 141 第九节 债券相关情况 ................................................................................................................. 141 第十节 财务报告 ......................................................................................................................... 142
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 √适用 □不适用
(二)公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
√适用 □不适用 公司 2024年营业收入约 90.65亿元，较 2023年增加约 28.02亿元，同比增长约 44.73%。其中，2024年刻蚀设备销售约 72.77亿元，同比增长约 54.72%；MOCVD设备销售约 3.79亿元，同比下降约 18.03%，LPCVD设备 2024年实现首台销售，全年设备销售约 1.56亿元。 2024年归属于母公司所有者的净利润约 16.16亿元，较上年同期减少 9.53%，本期减少的主要原因：（1）2024年营业收入增长 44.73%下，毛利较去年增长约 9.78亿元。（2）由于市场对中微开发多种新设备的需求急剧增长，2024年公司显著加大研发力度，以尽快补齐国产高端半导体设备短板，实现赶超，为持续增长打好基础。2024年公司研发投入约 24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约 94.31%，2024年研发投入占公司营业收入比例约为 27.05%，远高于科创板均值。2024年研发费用 14.18亿元，较去年增长约 6.01亿元，同比增长约 73.59%。（3）2023年公司出售了持有的部分拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约 4.06亿元，而 2024年公司并无该项股权处置收益。 2024年归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约 13.88亿元，较上年同期增加16.51%，本期增长的主要原因：由于 2024年营业收入增长 44.73%，毛利较去年增长约 9.78亿元，以及 2024年研发费用较去年增长约 6.01亿元。 于报告期末，公司总资产约 262.18亿元，较报告期初增加 21.80%；归属于母公司的所有者权益约 197.37亿元，较报告期初增加 10.72%。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2024年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 一、非企业会计准则财务指标情况 √适用 □不适用 单位：万元 币种：人民币
选取该非企业会计准则财务指标的原因 无 选取的非企业会计准则财务指标或调整项目较上一年度发生变化的说明 □适用 √不适用 该非企业会计准则财务指标本期增减变化的原因 无 十、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然 在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距， 但发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。 中微公司的主营产品等离子体刻蚀设备和薄膜设备作为光刻机之外的核心微观加工设备，其制程步骤复杂度与工艺开发难度均在业内处于突出地位。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制成的革命性变化。存储器件内部架构从 2D到 3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为关键的核心步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，先进的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，这给主要提供等离子体刻蚀设备和薄膜设备的中微公司带来了高速成长机会。此外，量检测设备市场增长速度很快，已成为占半导体前道设备总市场约 13%的第四大设备门类。 量检测设备市场主要分为光学量检测设备和电子束量检测设备，其中公司于 2024年新发起设立了超微公司，重点开发电子束量检测设备等，公司将通过各种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与和覆盖。 公司的等离子体刻蚀设备及薄膜沉积设备持续获得众多客户的认可，针对芯片制造中关键工艺的高端产品新增付运量及销售额显著提升。公司站在先进制程工艺发展最前沿，始终强调技术创新、产品差异化和知识产权保护的基本原则，并保持高强度的研发投入。目前在研项目涵盖六类设备，总共有超过二十款新设备在开发中。新产品开发已经取得了显著成效，近两年新开发的LPCVD薄膜设备和 ALD薄膜设备，已有多款新型设备顺利进入市场并获得重要客户的重复性订单。其中，LPCVD薄膜设备累计出货量已突破 150个反应台，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目的研发进程均比较顺利，有望尽快进入客户验证阶段。公司 EPI设备已进入客户端量产验证阶段。公司在 Micro-LED和高端显示领域的 MOCVD设备开发及客户验证上取得了良好进展，并正在开发用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的相关设备。 公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维立体发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。 公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局其他新业 绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的诸多公司在各自细分领域取得 了卓有成效的进展。 此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目进展顺利。 公司位于南昌的约 14万平方米的生产和研发基地、在上海临港的约 18万平方米的生产和研发基 地已相继投入使用；上海临港滴水湖畔约 10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；为确 保今后十年有足够的厂房，并保障众多新产品研发和产能高速增长的需求，公司将在广州增城区 及成都高新区建造新的生产和研发基地。 报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。 报告期内重点任务完成情况 报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极 成果： 1、产品研发及客户拓展方面 公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高 的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良 好。2024年公司研发投入约 24.52亿元，较去年增长 11.90亿元，同比增长约 94.31%，研发投入 占公司营业收入比例约为 27.05%，远高于科创板上市公司的平均研发投入水平。 报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，不断强化公司技术和品牌优势，持续深 化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持 续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程 的工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得 更多的制程量产机会。 公司主要产品的进展情况如下： （1）CCP刻蚀设备 e 公司 CCP刻蚀设备中双反应台 Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIE，单反应台 Primo HD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，2024年付运量较 2023年增长逾 100%。 具有动态可调电极间距功能的双反应台 Primo SD-RIE 进入先进逻辑生产线验证关键工艺。用于 e 高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品 Primo HD-RIE，和用于超高深宽比刻蚀工艺的 Primo UD-RIE实现规模付运。2024年全年 CCP刻蚀设备生产付运超过 1200反应台，创历史新高。累 计装机量超过 4000反应台，连续十年保持大于 30%的年平均复合增长率。 公司已有的刻蚀产品已经对 28纳米以上的绝大部分 CCP刻蚀应用和 28纳米及以下的大部 分 CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对 28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化 大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的 CCP刻蚀机 Primo SD-RIE已进入国内领先的 逻辑芯片制造客户端，初步电性验证已经通过，正在进行更多的器件功能测试。Primo SD-RIE也 已经进入 28纳米以下的研发线，就多项关键刻蚀工艺开展现场研发工作。该设备采用双反应台平 台设计，在满足客户工艺指标的同时可以有效帮助客户降低其相关的生产成本。Primo SD-RIE具 有实时可调电极间距功能，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，能灵活调节等 离子体和活性自由基的浓度分布，公司多项的技术革新能有效应对一体化大马士革刻蚀工艺中的 独特要求，在同一刻蚀工艺中有效应对在实现最优沟槽和通孔刻蚀均匀性过程中可能发生的问题， 极大拓宽了一体化刻蚀工艺的工艺窗口和工艺能力。 在存储器件制造工艺中，公司的成熟产品可以覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。同时，公司针对超高深宽比刻蚀自主开发的具有大功率 400kHz偏压射频的 Primo UD-RIE已经在先进的存储器件生产线至关重要的超高深宽比刻蚀工艺中取得大规模应用。该设备适用于 DRAM和 3D NAND器件制造中需求量大且极为核心的高深宽比刻蚀工艺。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，以满足超高深宽比刻蚀技术迭代的需求。 （2）ICP刻蚀设备 报告期内，公司的 ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的 50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多 ICP刻蚀工艺。2024年，ICP刻蚀设备在客户端的累计安装数达到 1025个反应台，近四年年均增长大于 100%。 报告期内，公司推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的 Nanova LUX-WT 和 Nanova LUX-Cryo两种 ICP设备。Nanova LUX-WT在客户端投入量产，Nanova LUX-Cryo在客户端认证中。这些配备新功能的 Nanova系列的产品，提升了 ICP刻蚀设备的刻蚀能力，有效地扩大了中微 ICP设备在芯片制造中的量产刻蚀工艺覆盖率，获得重要客户的批量重复订单，实现高成长率。与此同时，下一代 ICP刻蚀设备 Primo Nanova 2G在实验室已经搭建完成 Alpha反应腔，正展开工艺开发。 Primo Twin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管 Micro-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜（Metalens）等特色器件的产线上实现量产，并取得重复订单。 报告期内，公司 ICP技术设备类中的 8英寸和 12英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV 200E、Primo TSV 300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在 12英寸的 3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户 12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司 Primo TSV 300E刻蚀设备拓展了新的市场。 在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了 Primo Metal Al刻蚀设备，并在实验室搭建了 Alpha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺和实验室现场验证演示。 此外，报告期内，公司根据客户和市场技术发展需求，有序推进更多先进 ICP刻蚀技术研发，为推出下一代 ICP刻蚀设备做技术储备，以满足新一代的逻辑、DRAM和 3D NAND存储等芯片制造对 ICP刻蚀的需求。 （3）MOCVD设备 报告期内，公司用于蓝光照明的 PRISMO A7、用于深紫外 LED的 PRISMO HiT3、用于 Mini-LED显示的 PRISMO UniMax等产品持续服务客户。截止 2024年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中 PRISMO UniMax产品自 2021年 6月正式发布以来，凭借其高 产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在 Mini-LED显示外延片生产设 备领域处于国际领先。 （图：PRISMO UniMax MOCVD设备） 公司于 2023年底付运 Micro-LED应用的设备样机 Preciomo Udx至国内领先客户开展生产验 证。报告期内样机验证顺利，已基本满足客户生产要求。 （图： Preciomo Udx MOCVD设备） 随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展，市场对氮化镓和碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。公司已经建立了氮化镓 LED外延装备的优势，在此基础上，进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。于 2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的 MOCVD设备 PRISMO PD5，目前已交付客户进行生产验证，并取得了重复订单。除此之外，公司正在开发新一代氮化镓功率器件应用的 MOCVD设备，将进一步提升设备性能，降低客户生产成本，持续提升公司在氮化镓基 MOCVD设备领域的竞争力，预计 2025年将付运至客户进行验证。 同时，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，报告期内公司取得较大的技术进展，实现了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈，报告期内已付运样机至国内领先客户开展生产验证。 此外，公司也紧跟市场发展趋势，积极拓展 MOCVD设备的应用范围；报告期内，公司启动了应用于红黄光 LED的 MOCVD设备开发，目前开发较为顺利，实验室初步结果已实现了优良的波长均匀性能。 （4）薄膜沉积设备研发 公司已开发出六款薄膜沉积产品推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和 ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用（包含高深宽比金属互联应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。 同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑客户钨接触孔应用性能需求，已付运机台到多个逻辑客户进行验证，为进一步积累市场优势打下基础。 同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。其中，ALD氮化钛薄膜也是先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层的主要选择，公司开发的 ALD氮化钛设备可满足先进存储器件高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需求及各项性能指标，并已通过多个关键存储客户的样品验证，有利于进一步扩大市场规模。 中微公司在现有的金属 CVD和 ALD设备研发基础上，同步推进多款 CVD和 ALD设备开发，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。 公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的 同时，大大提高了生产效率，降低了材料成本。此外，中微独立自主的 IP设计，确保了更优化的 产品性能，也保障了产品未来的可持续发展。 公司 EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创新的平台，预处理和外延反应腔,目前公司 EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的量产需求。 （5）气体净化设备 子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理，开发制造了平板显示领域气体净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。此外，中微惠创与德国 DAS环境专家有限公司继续开展战略合作，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经批量生产制造净化设备，并顺利地应用在各个客户端，共 同推动环保科技行业的发展。 （图：气体净化设备） （6）分布式生态工业互联网平台 子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀总结的业务管理最佳实践，以及半导体等高、精、尖制造领域多家企业的数字化规划与建设经验，并结合创新数字化技术与理念（包括区块链、Web 3、数字孪生、人工智能等），自主研发并推出了适配新型工业化发展趋势的完善数字化产品体系，致力于服务高科技制造产业与企业。汇链以制造行业细分领域专业管理视角，协助解决企业实际经营中的核心痛点：不仅全面提升研发、制造、质量、交付、售后管理能力，还助力企业融入产业生态，全面参与产业协作体系，推动本土制造产业培育更多“专精特新”中小企业和单项冠军企业。此外还为本土制造产业打造企业间协同互信、资源共享的产业生态型平台。目前，汇链产品覆盖工业场景应用数量已超 80个，可订阅微服务超 900个。 中微汇链为国家信通院“星火·链网”半导体骨干节点技术建设单位、上海市工业互联网协会以及中国物流与采购联合会区块链分会的首批理事单位、上海市浦东新区中小企业数字化转型城市试点服务商、中国产业区块链企业 50强，并代表中微公司成为上海市与上海浦东新区集成电路产业数字化转型“链主”培育企业并行使具体职责；获得上海市质量管理数字化转型案例十佳案例、2024年生产性互联网服务平台两业融合优秀案例、工赋新质-上海市工业互联网创新发展实践案例等奖项；并参与制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识（DID）技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规范》等多项数字化领域团体标准。 报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。 2、生产基地建设 为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海 临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产 业化基地。公司位于南昌的约 14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于 2023年 7月正式 投入使用；公司在上海临港的约 18万平方米的生产和研发基地主体建设已基本完成，并于 2024 年 8月正式投入使用；上海临港滴水湖畔约 10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设，为 今后的发展夯实基础。 （图：上海临港生产和研发基地项目整体航拍图） 3、供应保障方面 公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，也非常重视零部件的国产化工作。 公司建立了高效的库存管控体系，设置合理的库存警戒线，以加快存货周转。随着智能工厂项目和精益管理的持续推进，人员效率和人均产能将稳步提升，制造成本更富竞争力。同时，公司深入强化质量管理体系建设，增强员工质量意识，产品质量缺陷数量呈逐年下降态势。 4、营运管理方面 公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。2024年，公司获得了多项殊荣，行业认可度不断提升，包括金桥开发区“科研投入成就奖”、东方芯港杰出贡献奖、招商大使奖、福布斯中国创新力企业 50强等。报告期内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准，物料成本控制等指标达到预期水平。 公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请 359项，包括发 明专利 263项，实用新型专利 84项，外观设计专利 12项。截至 2024年 12月，公司已申请 2,910 项专利，其中发明专利 2,424项，占比 83.30%；已获授权专利 1,781项，其中发明专利 1,514项。 公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，并着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的 员工。 2025年 1月 9日，公司和南昌中微共同拥有的发明专利“一种化学气相沉积装置及其清洁方 法”（专利号：ZL201510218357.1）荣获第二十五届中国专利奖银奖。中国专利奖是我国专利领域 的最高荣誉，由国家知识产权局和世界知识产权组织联合主办，旨在鼓励和表彰专利权人和发明 人对技术创新及经济社会发展所作出的突出贡献。至此，中微公司已荣获中国专利奖 2项金奖、 1项银奖和 3项优秀奖，这标志着中微公司在技术创新和知识产权保护方面所取得的卓越成就。 6、人才建设方面 公司视“员工”为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理 线发展双通道，并设计了针对不同发展阶段、形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论普 通员工，还是管理团队均能获得充分的成长、发展机会。同时，公司践行“五个十大”的公司文化， 打造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想， 与企业共同成长发展。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富 的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优秀的毕业生，公司 2024年新入职员工 869人。 公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培训、学习交流，涵盖工程技术、战略 商务、运营管理、财证金融、人工智能和人才发展六大学习版块，有力促进培养组织需要的技能， 提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发展 提供人才保障。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步的向高 绩效员工倾斜。 （图：中微学习发展中心） 7、外延式发展方面 公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好的进展，得到了市场和用户的高度评价。2024年度，公司新发起设立了超微公司，着力开发电子束检测设备。同时，积极探索在相关领域的投资机会，公司诸多参股投资的公司营运表现良好，形成了良好的产业链协同效应。其中，公司参股投资的珂玛科技、先锋精科在 2024年完成 A股挂牌上市。 8、内部治理方面 公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。 9、信息披露及防范内幕交易方面 公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证 e互动、电话、邮件等诸多渠道，与投资者保持密切沟通，保持公司营运透明。报告期内，公司荣获“2024中国上市公司英华奖 A股价值奖”、“2023年度上市公司治理和内部控制’优秀实践’案例”、“科创板上市公司价值 30强”、“杰出 ESG价值传播奖”、“第二届易董 ESG+8价值 100”等多个奖项。 公司高度重视内幕交易防范，对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示教育，要求董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。 非企业会计准则业绩变动情况分析及展望 □适用 √不适用 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况 报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。 公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从 65至 5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司 MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED设备制造商。公司近两年新开发的 LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性订单。 公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀 设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下： 报告期内，公司主营业务未发生变化。 (二) 主要经营模式 1、盈利模式 公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜设备和 MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。 2、研发模式 公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。 公司按照刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。 3、采购模式 为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。 公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。 5、营销及销售模式 公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的销售和支持部门。 (三) 所处行业情况 1、 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受经济形势、半导体市场、终端消费市场需求等影响，其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户会调整其资本性支出规模和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生影响。 全球集成电路和以 LED为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的 90%以上，是半导体产品最重要的组成部分。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业、薄膜设备行业和 LED设备行业中的 MOCVD设备行业。 1、刻蚀和薄膜设备 集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集成电路设备整体市场规模的约 80%。 晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中制程步骤数量庞大，工艺开发颇具挑战性的三类核心设备。根据 Gartner历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和 23%。 随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构 3D化，晶圆制造向 5纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成为关键核心的设备。 2、MOCVD设备 MOCVD设备广泛应用于包括光学器件、功率器件等多种薄膜材料的制备，是目前化合物半导体材料外延的核心装备。MOCVD设备既能实现高难及复杂的化合物半导体材料生长，又能满足产业化对高效产出的需求，在化合物半导体芯片产业链中有着举足轻重的作用。 随着LED应用领域的不断拓展，MOCVD设备除用于制造通用照明和背光显示的蓝光LED，还可 制造应用于高端显示的Mini-LED和Micro-LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外LED、应用于电 力电子的功率器件等。随着这些新兴领域的不断出现，预计MOCVD设备的市场有望进一步扩大。 过去几年，LED外延芯片公司扩产的主要方向为蓝绿光外延片，下游应用也主要集中在照明 市场。在Mini-LED背光及直接显示技术逐渐成熟，生产成本逐渐降低的推动下，近两年高端显示 类的 LED外延片需求量明显增加，并逐渐从商业显示逐步向个人消费领域渗透。Micro-LED显示 技术也越来越受到业内关注，基于Micro-LED的高端显示产品也开始实现小规模试生产，预计在 未来几年将会有更多的新兴市场出现。外延片产品需求从单一的蓝光扩展到红绿蓝三色，外延材 料增加了对砷化镓基红光外延片的需求。 此外，随着电动汽车、智能驾驶、消费电子、数据中心、风力与光伏储能等应用爆发式增长， 带动功率半导体市场迎来高景气周期，尤其是氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体是近期的行 业热点。据 Yole公司报告，氮化镓功率器件主要应用在高频中小电压范围，预计市场规模将从 2023年的2.6亿美金快速增长到2029年超过20.1亿美金，复合年均增长率达41%。因此，面向 氮化镓功率器件的外延设备的需求具有很大的增长空间。 碳化硅功率器件主要应用在中高压领域，如新能源汽车、风能光伏储能、轨道交通等领域；尤其是在车用领域，预计未来几年在车载主逆变器、充电模块等应用将持续高速增长。据Yole公司报告，碳化硅功率器件在2029年市场规模将达到104亿美金，2023年至2029年复合年均增长率超过25%；因此，面向碳化硅外延生产设备的需求也有很大的增长空间。 2、 公司所处的行业地位分析及其变化情况 目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整体水平不断提高。 在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，海外少数几家公司占据主要市场份额；公司刻蚀设备已应用于全球先进的 5纳米及以下集成电路加工制造生产线。在海外先进的 5纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的 CCP刻蚀设备均实现了批量销售，已有超过 300? 台反应台在生产线合格运转。公司的 ICP双台机 Primo Twin-Star，反应台之间刻蚀速度控制的最好精度已达到每分钟 0.2A（0.02纳米，即 20皮米）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径 2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径的 350万到 500万分之一。200片晶圆的重复性测试，在三种不同材料的晶圆上，两个反应台刻蚀速度的差别，每分钟小于 1.5埃。受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2024年公司 CCP和 ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升。 在 MOCVD领域，用于氮化镓基 LED外延生产的设备已在行业领先客户生产线上大规模投入量产，自 2017年起已经成为氮化镓基 LED市场份额最大的 MOCVD设备供应商，牢牢占据行业内的领先地位。公司在 Micro-LED和高端显示领域的 MOCVD设备开发上取得了良好进展，并积极布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的市场。 公司近两年新开发的 LPCVD薄膜设备和 ALD薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性订单。其中，LPCVD薄膜设备累计出货量已突破 150个反应台，2024年得到约4.76亿元批量订单，其他二十多种导体薄膜沉积设备也将陆续进入市场，能够覆盖全部类别的先进金属应用；公司 EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生 长工艺的量产需求。 随着微观器件越做越小，量检测设备也成为了更关键的设备，根据 VLSI Research，全球半导 体量检测设备市场规模从 2016年的 47.6亿美元增长至 2023年的 128.3亿美元，CAGR为 15.2%， 成为占总设备市场约 13%的第四大设备门类。公司通过投资和成立子公司，布局了量检测设备板 块，子公司“超微公司”引入多名国际顶尖的电子束检测设备领域专家和领军人才，均拥有 10年以 上电子束设备研发与产品商业化经验，已规划覆盖多种量检测设备产品。 3、 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 随着芯片制程的不断提升，在每一代芯片新技术上，晶体管体积都在不断缩小，同时芯片性 能不断提升，先进的芯片中已有超过 100亿个晶体管。随着工艺的提升，先进芯片从平面结构过 渡到复杂的三维架构。随着晶体管结构的复杂度不断提升，各种半导体设备技术的创新和突破起 到决定性作用，对于刻蚀和薄膜沉积技术提出了更高的要求。 1、等离子刻蚀技术水平发展状况及未来发展趋势 （未完）  |