[年报]东芯股份(688110):2024年年度报告
原标题:东芯股份:2024年年度报告 2024年年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提请投资者注意查阅。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人孙馨及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2024年度合并报表实现归属于上市公司股东的净利润-167,141,889.91元，母公司报表2024年度实现净利润-92,962,099.48元。截止2024年12月31日，母公司年末可供股东分配的利润为44,105,185.37元。鉴于公司2024年度实现的归属于母公司股东的净利润为负，属于可不进行利润分配的情形。同时，结合公司的经营情况和未来资金需求，公司2024年度拟不派发现金红利，不送红股，也不以资本公积金转增股本。 根据《上市公司股份回购规则》第十八条规定：“上市公司以现金为对价，采用要约方式、集中竞价方式回购股份的，视同上市公司现金分红，纳入现金分红的相关比例计算”，公司2024年度以集中竞价方式累计回购公司股份金额为135,435,162.05元（不含印花税、交易佣金等交易费用），现金分红和回购金额合计135,435,162.05元，占2024年度归属于母公司所有者的净利润的比例为81.03%（取绝对值）。 以上利润分配预案已经公司第二届董事会第二十二次会议及第二届监事会第十七次会议审议通过，尚需经公司2024年年度股东大会审议通过。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成本公司对投资者的承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十三、 其他 □适用√不适用 目录 第一节 释义......................................................................................................................................5 第二节 公司简介和主要财务指标..................................................................................................7 第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................14 第四节 公司治理............................................................................................................................42 第五节 环境、社会责任和其他公司治理....................................................................................64 第六节 重要事项............................................................................................................................71 第七节 股份变动及股东情况......................................................................................................109 第八节 优先股相关情况..............................................................................................................116 第九节 债券相关情况..................................................................................................................117 第十节 财务报告..........................................................................................................................118
一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
一、公司基本情况
(一)公司股票简况 √适用□不适用
□适用√不适用 五、其他相关资料
(一)主要会计数据 单位：元 币种：人民币
√适用□不适用 本报告期公司实现营业收入64,095.35万元，同比增加20.80%；扣除与主营业务无关的业务收入和不具备商业实质的收入后的营业收入63,934.20万元，同比增加20.84%；主要系受益于半导体设计行业景气度回升，网络通信、消费电子等下游市场需求有所回暖，公司积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，有效推动了产品销售。公司持续布局网络通信、监控安防、消费电子、工业控制等关键应用，并逐步向汽车电子领域不断拓展，立足头部客户并不断开拓新的客户。报告期内公司产品销售数量与上年同期实现较大增长，且各季度营业收入均实现环比增长。 本报告期公司归属于上市公司股东的净利润-16,714.19万元，同比增加13,910.78万元，亏损收窄45.42%，公司基本每股收益及稀释每股收益为-0.38元，增加0.31元，亏损收窄44.93%。这一积极转变主要得益于以下因素：（1）报告期内公司产品销售数量与上年同期实现较大增长；（2）毛利率上升：公司持续优化产品结构和市场策略，提升运营效率，降低产品成本，报告期内毛利率与上年同期相比有所提升；（3）计提的存货跌价准备减少：受市场周期及行业竞争激烈影响，公司产品的市场价格仍处于历史相对低位。根据企业会计准则规定，经谨慎性考虑后，公司对存在减值迹象的存货计提跌价准备，资产减值损失同比下降。 同时，报告期内公司仍面临一定的盈利压力，主要因素如下：（1）研发费用增长：2024年公司继续保持高水平研发投入，推动存储芯片制程升级及可靠性水平提升，并以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域布局。公司持续推进人才战略的实施，报告期内研发人员数量增加。（2）财务费用增长：受存款利率整体下行的影响，利息收入的减少所致。（3）管销费用增加：为支撑业务拓展和市场深耕，公司升级战略布局体系、拓展销售渠道，同时注重品牌建设和市场推广，管销费用随之上升。（4）2024年下半年对外投资砺算科技（上海）有限公司，报告期内确认的投资亏损。 本报告期公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-20,068.96万元，同比增加12,643.90万元，亏损收窄38.65%；公司扣除非经常性损益后的基本每股收益为-0.46元，增加0.28元，亏损收窄37.84%，主要系归属于上市公司股东的净利润同比增加，同时非经常性损益项下的政府补助以及理财投资收益增加，这在一定程度上冲抵了归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 八、2024年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
□适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
□适用√不适用 十、非企业会计准则财务指标情况 □适用√不适用 十一、采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
√适用□不适用 根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》及公司《信息披露暂缓与豁免业务管理制度》，为保护公司商业秘密，对部分客户、供应商的具体名称，以及未担任公司董事、监事、高级管理人员的核心技术人员从公司获得的报酬信息，不予披露。 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 东芯股份是一家专注于中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的企业。公司秉持“提供可靠高效的存储产品及设计方案”的使命，并以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性产品，为客户提供优质的存储产品及解决方案。公司以存储为核心，同时在“存、算、联”一体化领域进行技术创新，拓展行业应用范围，优化业务布局，旨在为客户提供多样化的芯片解决方案。 2024年，公司所处的半导体设计行业景气度回升，网络通信、消费电子等下游市场需求有所回暖，公司积极把握市场机遇，加大市场拓展力度，有效推动了产品销售。公司持续布局网络通信、监控安防、消费电子、工业控制等关键应用，并逐步向汽车电子领域不断拓展，立足头部客户并不断开拓新的客户。报告期内公司实现营业收入6.41亿元，同比增加20.80%；营业利润-1.69亿元，亏损收窄51.93%；归属于母公司所有者的净利润-1.67亿元，亏损收窄45.42%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润-2.01亿元，亏损收窄38.65%。报告期内公司产品销售数量与上年同期实现较大增长，且各季度营业收入均实现环比增长。同时公司持续优化产品结构和市场策略，提升运营效率，降低产品成本，毛利率与去年同期相比有所提升。 （一）深化存储技术布局，持续丰富产品矩阵 公司针对各类主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等应用领域提供多样化的存储产品解决方案。 报告期内，公司继续加强SLCNANDFlash技术优势，积极推进存储产品的升级迭代。报告期内“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已进入风险量产阶段。2xnm制程持续进行SLCNANDFlash产品系列的研发迭代，不断扩充产品料号。 公司基于48nm、55nm制程，持续进行64Mb-2Gb的中高容量NORFlash产品研发工作，根据不同容量的目标客户群进行精确定位，保证性能、功耗和性价比的合理匹配。随着公司 NORFlash产品持续迭代升级，产品品类不断丰富，将为可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子等领域的客户提供多样化、高可靠性的产品选择。 公司在已量产的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、PSRAM等产品基础上，持续进行新产品的研发。公司设计研发的LPDDR4x产品已进入量产阶段，产品通过小尺寸封装、低电压设计和宽温适应性，覆盖了从消费电子到工业/汽车电子的多元化场景，其技术优势在移动设备轻薄化、工业场景可靠性及AIoT数据处理需求中尤为突出。公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，拓宽DRAM产品线，助力公司产品多样性发展。 公司目前已可以向客户提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等组合的MCP产品，主要应用于5G通讯模块、车载模块等应用领域。公司正在研发更多容量组合的MCP产品，通过自研SLCNANDFlash及DRAM组合出具有成本优势及性能稳定的MCP产品，以便为客户提供更多样化的产品选择。 报告期内，公司继续推进车规级存储产品的研发及产业化进度，打造高附加值的车规产品，公司SLCNANDFlash、NORFlash以及MCP等产品陆续有更多料号通过AEC-Q100的验证，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。公司积极进行车规客户的导入和验证，报告期内新增完成国内多家整车厂的白名单导入，完成多家境内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质导入，并已向包括境外知名的一级汽车供应商（Tier1）等进行车规产品的销售。 公司高度重视知识产权的自主性与完整性，在不断开发新技术、新产品的同时，通过多种途径对相关的知识产权进行保护。报告期内，公司新增申请发明专利18项、新增授权发明专利30项、获得软件著作权1项、获得集成电路布图设计权5项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利113项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。公司专利涉及NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片的设计核心环节。 公司持续加大研发投入力度，报告期内，公司研发费用2.13亿元，占当期营业收入33.27%，较上年同比增长17.02%。 （二）构建“存、算、联”技术生态，培育第二增长曲线 报告期内，公司持续推进“存、算、联”一体化战略布局，通过技术创新、生态协同与产业链延伸，逐步构建起以存储芯片为核心，覆盖计算、通信领域的多元化技术生态体系，为公司培育了第二增长曲线，为未来增长注入新动能。 在联接芯片领域，公司于报告期内设立子公司亿芯通感，开展Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计。首款无线透传芯片聚焦高带宽、低时延场景，可满足智能终端等领域对高速连接的需求，通过差异化创新为消费类企业客户提供本土化的智能无线通信与感知的芯片及解决方案，目前项目进展顺利。 在计算芯片领域，公司于报告期内通过自有资金2亿元人民币战略投资上海砺算，布局高性能GPU赛道。上海砺算坚持自研架构，产品可实现端、云、边的主流图形渲染和AI加速，对标主流GPU架构，与外部生态无缝兼容，力争解决国产主流完整GPU架构自主可控的关键问题。 其自主研发的首代图形处理芯片G100基于自研架构，可支持主流3A游戏运行。G100芯片产品已于2025年初进行流片。 （三）深化产业协同，保障产能稳定 公司作为Fabless设计公司，公司高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。在报告期内，公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，携手应对市场需求波动带来的挑战。公司与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等各环节保持良好的沟通与协作，通过签署并执行产能保证协议等方式，深化上下游合作，为业务发展提供产能保障。同时，公司坚持“双轨并行”的发展策略，积极拓展境内外双代工模式，以满足不同客户的需求。公司还与宏茂微、盛合晶微、南茂科技、ATSemicon等国内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，确保供应链的持续稳定。 （四）重视人才队伍建设，建立长效激励机制 公司高度重视人才团队的建设，构建了完善的内部培训体系，积极为管理层及业务骨干开展管理、业务、技术方面的培训及学习，注重人才梯队化培养与建设。同时，公司不断完善激励、约束机制，优化薪酬体系、完善绩效考核制度，建立、健全公司长效激励机制，充分调动公司各管理层和核心业务（技术）骨干的积极性，增强公司凝聚力，促进公司健康长远可持续发展。为了进一步建立、健全公司长效激励约束机制，吸引和留住优秀人才，充分调动公司核心团队的积极性，有效地将股东利益、公司利益和核心团队个人利益结合在一起，使各方共同关注和推动公司的长远发展，公司已连续三年实行股权激励计划。报告期内，公司实施了2024年度股权激励方案，于2024年4月公布了2024年限制性股票激励计划，对公司管理层及核心员工授予限制性股票。 （五）提升合规治理水平，重视股东回报 报告期内，公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露管理制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。建立健全各项内部控制制度，提升内部审计监督职能，逐步推进信息披露、募集资金管理等各项工作的规范化，促进公司规范运作、科学决策，推动公司各项业务顺利有序地开展。 报告期内，公司通过定期报告、ESG报告、临时公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电子邮件等多种渠道，全面而多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态，增进市场对公司的了解与信任，有效提升公司信息披露的透明度，为树立良好的市场形象奠定了坚实基础。 公司践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，在注重生产经营的同时，重视广大投资者的回报，通过回购等方式维护广大投资者利益，增强投资者对公司的投资信心。公司于2024年上半年完成首次股份回购，总计回购股数3,218,219股，回购金额约1亿元；公司于2024年下半年完成第二次股份回购，总计回购股数5,506,814股，回购金额约1亿元。 非企业会计准则业绩变动情况分析及展望 □适用√不适用 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一)主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务 公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解 决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致 力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品 及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程， 实现了国内闪存芯片的技术突破。图：公司产品应用示例 2、主要产品及服务 存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP：（1）NANDFlash NANDFlash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NANDFlash主要为MLC、TLCNANDFlash或3DNANDFlash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NANDFlash主要是SLCNANDFlash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。 公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，合理分布冗余提升了产品可靠性，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性、可靠性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。 图：公司NANDFlash产品 （2）NORFlash NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通 过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代 码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满 足快速启动应用系统的需求。 公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPINORFlash，自主设计的SPINORFlash 存储容量覆盖64Mb至2Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移 动终端等领域。图：公司NORFlash产品 （3）DRAM DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制 比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对 系统中的指令和数据进行处理。 公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特 点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主 研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz， 适用于智能终端、可穿戴设备等产品。图：公司DRAM产品 （4）MCP MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。 公司的NANDMCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLCNANDFlash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用NANDMCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。 图：公司MCP产品 （5）技术服务 公司拥有自主完整的知识产权，拥有完整的设计团队、测试团队和应用环境分析团队，能根 据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发 时间和成本、加速产品分析速度，提高产品开发效率和成功率。 在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了“研 发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。 (二)主要经营模式 公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环 节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同 时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。公 司的整体业务流程如下图所示：(三)所处行业情况 1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据中国上市公司协会发布的《中国上市公司协会上市公司行业统计分类指引》，公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。 依据WSTS的2024年秋季预测数据，2024年全球半导体市场规模约为6,268.69亿美元，同比增长19.0%，其中存储芯片市场规模约为1,670.53亿美元，同比增长81%；预计未来市场将继续呈增长态势，预计2025年全球半导体市场规模约为6,971.84亿美元，同比增长11.2%，预计2025年存储芯片市场规模为1,894.07亿美元，同比增长13.4%。全球半导体行业在经历阶段性调整后，逐步回暖，开启新一轮上行周期。 从中长期看，数据经济基础设施需求与终端应用场景扩展构成核心增长动力，据国际数据公司（IDC）预测，从2018年到2025年，全球数据总量将由33ZB增长至175ZB，年复合增长率达26.9%。如此庞大的数据量，对数据存储技术提出了更高的要求。同时存储器产业链覆盖智能终端、物联网设备、汽车电子等20余个细分领域，其中新兴市场需求呈指数级增长，根据Yole的数据推测，存储芯片市场空间在2027年有望突破2,630亿美元。人工智能技术的大规模应用正重塑行业格局，算力需求激增催生高性能存储解决方案，推动HBM、3DNAND等先进存储技术迭代，也逐步提升对利基型存储芯片的需求。伴随着智能边缘存储、分布式存储、存算一体等新型架构的兴起，未来行业将呈现整体需求在周期性波动中保持一定的年均复合增长、技术维度向“三维立体化、智能自适应、绿色低功耗”逐步演进，应用维度向AI新应用、数据中心等多元领域拓展的新态势。 2、公司所处的行业地位分析及其变化情况 公司主营业务涵盖利基型存储芯片，包括SLCNANDFlash、NORFlash和DRAM等产品。 以丰富的产品线、可靠的性能和节能特性为支撑，公司多款代表性产品已经赢得国内外多家知名企业的认可。在产品布局、工艺制程、产品性能等方面，公司均已经建立了相应的竞争优势。公司目前可以同时提供包括NANDFlash、NORFlash、DRAM、MCP等主要存储芯片完整解决方案。 作为中国的存储芯片设计公司，公司将持续遵循既定的发展策略和目标，主动适应不断变化的国际和市场竞争格局。此外公司为了应对强周期性的存储市场，积极布局Wi-Fi7板块，依托现有的坚实基础和竞争优势，不断增加对技术和产品研发的投入，旨在提升市场份额。同时，公司将紧密关注新兴应用领域的增长潜力，以积极的姿态捕捉市场机遇，确保公司的长期稳定增长。 3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势（1）NANDFlash 当前SLCNANDFlash主流工艺仍以2xnm制程为核心，随着公司等国内厂商在2xnm工艺节点实现量产突破，国产替代进程加速推进。国际大厂如美光、铠侠虽仍主导市场，但国内企业通过工艺优化与成本控制，在消费电子、网通设备等领域的市占率逐步提升。 在存储芯片市场持续升级的背景下，SLCNANDFlash产品依托其高可靠性特性，逐步渗透至网络通讯设备、工业控制系统及车载电子等产业级应用场景。随着先进制程的微缩化突破，SLCNANDFlash正突破传统应用边界，在智能家居、可穿戴设备及医疗电子等新兴领域实现规模化应用。 市场需求端呈现两大显著趋势：一方面，网通设备升级、安防监控智能化及物联网生态扩展持续推升存储容量需求；另一方面，在智能穿戴设备等特定领域，SLCNANDFlash凭借擦写速度与存储密度优势，已形成对NORFlash在代码存储应用中的替代效应。这种技术迭代不仅重构了存储器市场格局，更为智能终端设备的性能提升开辟了新的技术路径。 此外三星表示从今年年底开始逐步减少在现货市场销售MLCNAND。中低容量的MLCNAND在基于量产规模逐渐萎缩，从2025年中进入产品寿命结束的EOL阶段，对于工控、医疗及车载市场将首当其冲，供应链需提早导入产品升级或考虑转换新供应商。 （2）NORFlash 目前主流工艺制程为55nm，主要用于存储代码及部分数据，是手机、PC、DVD、TV、USBKey、机顶盒、物联网设备等代码闪存应用领域的首选。NORFlash分为串行和并行，串行结构相对简单、成本更低，随着工艺的进步，串行闪存已经能满足一般系统对速度及数据读写的要求，逐步成为主要系统方案商的首选。随着市场集中度逐步变高，降低成本为行业逐步追求的方向，目前市场上主要以ETOX为较为通用架构，此外也有厂商通过SONOS、NORD等技术降低成本。 尽管传统市场因需求升级而保持稳定增长，国内企业通过提供高性价比产品并抓住市场机遇进入市场，不断升级产品容量和工艺制程，逐渐形成各自的竞争优势，在NORFlash市场上逐步取代了一些传统厂商。随着全球AI市场的快速发展，AI大模型等新兴场景的涌现，对NOR的需求的增长提供了新增动力。AI对SoC的CPU/NPU/GPU性能提出更高要求，驱动NORFlash向高带宽、低延迟方向迭代，以满足代码存储与快速启动需求。同时受益于AI终端开拓新的应用场景，NORFlash广泛应用于智能手机、可穿戴和物联网等领域。TWS耳机方面头部品牌（如苹果AirPodsPro）支持主动降噪、空间音频等功能，中低端机型搭载AI语音助手，NORFlash容量需求提升。 AIPC方面BIOS代码量增长驱动NORFlash容量升级，微软Copilot+等本地AI工具进一步刺激需求。AI眼镜等设备上轻量化AI交互依赖低功耗存储方案，单机NORFlash用量可达64-128Mb。 （3）利基型DRAM 利基型DRAM市场作为半导体存储领域的特殊细分市场，呈现出成熟技术与动态需求交织的独特生态。当前市场以DDR3、小容量DDR4及LPDDR1-LPDDR4x等主流工艺节点产品为核心架构，技术路线聚焦稳定性和兼容性而非绝对性能指标。从需求侧观察，该市场形成三大核心支撑：消费电子领域（智能电视、机顶盒）、工业控制系统（安防监控、工控设备）以及汽车电子基础模块（车载信息娱乐、ADAS辅助系统）。值得注意的是，现阶段汽车电子对存储性能需求尚未进入高速迭代周期，车规级产品更强调极端温度耐受性（-40℃~125℃）和长期运行稳定性。 市场供需格局正经历结构性调整。国际三大原厂（三星、SK海力士、美光）持续将产能向DDR5、LPDDR5x及HBM等高性能存储领域倾斜，形成显著的市场真空。这一趋势为大陆及中国台湾供应商创造了战略机遇。随着物联网终端设备量级突破百亿规模，叠加传统设备存储升级需求，利基型DRAM市场展现出区别于标准存储市场的强抗周期属性，预计未来五年将维持5%-7%的复合增长率。 此外针对利基型存储产品也开始出现定制化存储方案，通过3D堆叠技术将存储单元与主控芯片集成，通过缩短信息传递路径来提升数据传输效率，实现近存计算。该方案具有高带宽、高经济效益的优势。相比传统DRAM，该方案无需PCB走线，进一步节省面积、降低功耗，具有较高的性价比。目前该方案可根据不同端侧设备的特殊存储需求，定制存储接口形式、封装形式等内容，适配端侧算力SoC产品的差异性。适用于低功耗、高带宽以及中低容量内存需求的场景，例如可穿戴设备、边缘服务器设备、监控设备、ADAS及协作机器人等。 (四)核心技术与研发进展 1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NANDFLASH、NORFLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。报告期内，公司核心技术没有发生重大变化，主要产品核心技术情况如下：
□适用√不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 √适用□不适用
报告期内，申请发明专利18项（其中中国发明专利15项，美国发明专利1项， PCT国际阶段发明专利申请2项），获得发明专利授权30项（其中中国发明专利4项，美国发明专利4项，韩国发明专利22项）；申请集成电路布图设计权5项，获得集成电路布图设计权5项；申请注册商标4项；申请软件著作权1项，获得软件著作权1项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利113项、软件著作权15项、集成电路布图设计权86项、注册商标14项。 截至报告期末，公司累计申请境内外专利191项，获得专利授权113项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。 报告期内获得的知识产权列表
2、“其他”指集成电路布图设计权与注册商标。 3、研发投入情况表 单位：元
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