[年报]中瓷电子(003031):2024年年度报告

时间:2025年04月25日 13:11:17 中财网

原标题:中瓷电子:2024年年度报告

河北中瓷电子科技股份有限公司 2024年年度报告 2025-029
2025年4月

2024年年度报告
第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人卜爱民、主管会计工作负责人董惠及会计机构负责人(会计主管人员)马美艳声明:保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

本年度报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述,不代表公司盈利预测,不构成公司对投资者的实质承诺,投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。请投资者注意投资风险。

公司请投资者认真阅读本年度报告全文,并特别注意政策风险、经营风险、市场风险、财务风险、舆情风险等风险因素,具体内容详见“第三节 管理层讨论与分析之 十一、公司未来发展的展望之(四)风险及应对措施。

本年度报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述,不代表公司盈利预测,不构成公司对投资者的实质承诺,投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。请投资者注意投资风险。

公司请投资者认真阅读本年度报告全文,并特别注意政策风险、经营风险、市场风险、财务风险、舆情风险等风险因素,具体内容详见“第三节 管理层讨论与分析之 十一、公司未来发展的展望之(四)风险及应对措施。

公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为:以 451,052,859 为基数,向全体股东每10股派发现金红利4.2元(含税),送红股0股(含税),不以公积金转增股本。


目录
第一节 重要提示、目录和释义 .................................................................................................................... 2
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................................................................................................ 7
第三节 管理层讨论与分析 .............................................................................................................................. 11
第四节 公司治理 ................................................................................................................................................ 31
第五节 环境和社会责任 .................................................................................................................................. 51
第六节 重要事项 ................................................................................................................................................ 52
第七节 股份变动及股东情况 ......................................................................................................................... 71
第八节 优先股相关情况 .................................................................................................................................. 80
第九节 债券相关情况 ....................................................................................................................................... 80
第十节 财务报告 ................................................................................................................................................ 81

备查文件目录
(一)载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人员)签名并盖章的财务报表。

(二)载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。

(三)报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

(四)在其他证券市场公布的年度报告。


释义

释义项释义内容
中瓷电子、股份公司或公司河北中瓷电子科技股份有限公司
中瓷有限河北中瓷电子科技有限公司
中国电科、实际控制人中国电子科技集团有限公司、中国电 子科技集团公司
中国电科十三所、控股股东中国电子科技集团公司第十三研究所
电科投资中电科投资控股有限公司
泉盛盈和石家庄泉盛盈和企业管理合伙企业 (有限合伙)
中电信息中电电子信息产业投资基金(天津) 合伙企业(有限合伙)
中电国元合肥中电科国元产业投资基金合伙企 业(有限合伙)
分公司河北中瓷电子科技股份有限公司石家 庄高新区分公司
子公司、博威公司河北博威集成电路有限公司
子公司、国联万众北京国联万众半导体科技有限公司
公司章程或章程《河北中瓷电子科技股份有限公司章 程》
三会董事会、股东大会、监事会
证监会、中国证监会中国证券监督管理委员会
保荐人、保荐机构、主承销商中航证券有限公司
独立财务顾问中信证券股份有限公司、中航证券有 限公司
大华会计师事务所、审计机构大华会计师事务所(特殊普通合伙)
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
报告期、本报告期2024年度
电子陶瓷是采用人工精制的无机粉末为原料, 通过结构设计、精确的化学计量、合 适的成型方法和烧成制度而达到特定 的性能,经过加工处理使之符合使用 要求尺寸精度的无机非金属材料
氮化铝陶瓷以氮化铝(AlN)为主体的陶瓷材料
5G第五代移动通信技术( 5th- Generation),是最新一代蜂窝移动 通信技术

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司信息

股票简称中瓷电子股票代码003031
变更前的股票简称(如有)  
股票上市证券交易所深圳证券交易所  
公司的中文名称河北中瓷电子科技股份有限公司  
公司的中文简称中瓷电子  
公司的外文名称(如有)HEBEI SINOPACK ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD.  
公司的外文名称缩写(如 有)SINOPACK  
公司的法定代表人卜爱民  
注册地址石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号  
注册地址的邮政编码050200  
公司注册地址历史变更情况无变化  
办公地址石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号  
办公地址的邮政编码050200  
公司网址www.sinopack.cc  
电子信箱[email protected]  
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名董惠王丹
联系地址石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21 号石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21 号
电话0311-839339810311-83933981
传真0311-839339560311-83933956
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的证券交易所网站深圳证券交易所(http://www.szse.cn)
公司披露年度报告的媒体名称及网址《证券时报》《上海证券报》及巨潮资讯网 (http://www.cninfo.com.cn)
公司年度报告备置地点石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号中瓷电子证券部
四、注册变更情况

统一社会信用代码91130185693456472R
公司上市以来主营业务的变化情况(如有)无变化
历次控股股东的变更情况(如有)无变化
五、其他有关资料
公司聘请的会计师事务所

会计师事务所名称大华会计师事务所(特殊普通合伙)
会计师事务所办公地址北京市海淀区西四环中路16号院7号楼1101
签字会计师姓名郝丽江 张梦兰
公司聘请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构
□适用 ?不适用
公司聘请的报告期内履行持续督导职责的财务顾问
?适用 □不适用

财务顾问名称财务顾问办公地址财务顾问主办人姓名持续督导期间
中信证券股份有限公司北京市朝阳区亮马桥路48 号中信证券大厦陈泽、肖尧、黄凯2023年11月16日--2024 年12月31日
中航证券有限公司北京市朝阳区望京东园四区 2号中航资本大厦35层陆安华、闫亚格、霍涛2023年11月16日--2024 年12月31日
六、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
□是 ?否

 2024年2023年本年比上年增减2022年
营业收入(元)2,648,495,638.642,675,566,462.48-1.01%2,511,858,170.12
归属于上市公司股东 的净利润(元)539,158,451.03489,982,488.8810.04%457,475,319.38
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润(元)464,840,683.18298,057,627.4455.96%119,252,986.01
经营活动产生的现金 流量净额(元)541,465,715.52543,659,180.51-0.40%589,360,509.65
基本每股收益(元/ 股)1.22.03-40.89%2.19
稀释每股收益(元/ 股)1.22.03-40.89%2.19
加权平均净资产收益 率9.23%15.23%-6.00%20.01%
 2024年末2023年末本年末比上年末增减2022年末
总资产(元)7,590,678,002.437,253,966,066.054.64%4,341,751,102.54
归属于上市公司股东 的净资产(元)6,033,936,561.295,618,751,136.897.39%2,505,782,259.31
公司最近三个会计年度扣除非经常性损益前后净利润孰低者均为负值,且最近一年审计报告显示公司持续经营能力存在
不确定性
□是 ?否
扣除非经常损益前后的净利润孰低者为负值
□是 ?否
七、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

八、分季度主要财务指标
单位:元

 第一季度第二季度第三季度第四季度
营业收入547,989,957.54674,356,324.50664,121,308.44762,028,048.16
归属于上市公司股东 的净利润82,573,664.41129,707,260.21156,908,956.96169,968,569.45
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润67,316,429.86103,010,318.81140,165,414.97154,348,519.54
经营活动产生的现金 流量净额253,328,495.0564,395,824.22413,362,531.12-189,621,134.87
上述财务指标或其加总数是否与公司已披露季度报告、半年度报告相关财务指标存在重大差异 □是 ?否
九、非经常性损益项目及金额
?适用 □不适用
单位:元

项目2024年金额2023年金额2022年金额说明
非流动性资产处置损 益(包括已计提资产 减值准备的冲销部 分)81,273.22-48,116.85  
计入当期损益的政府 补助(与公司正常经 营业务密切相关,符 合国家政策规定、按 照确定的标准享有、 对公司损益产生持续 影响的政府补助除 外)40,370,524.1712,200,391.9120,030,705.76 
除同公司正常经营业 务相关的有效套期保 值业务外,非金融企 业持有金融资产和金42,638,573.131,066,476.714,320,396.50 
融负债产生的公允价 值变动损益以及处置 金融资产和金融负债 产生的损益    
同一控制下企业合并 产生的子公司期初至 合并日的当期净损益 219,552,207.61388,548,694.14 
债务重组损益4,219,846.73   
除上述各项之外的其 他营业外收入和支出-999,356.61801,757.33-868,960.42 
其他符合非经常性损 益定义的损益项目3,829,889.471,994,912.86  
减:所得税影响额13,521,112.512,402,313.303,522,321.28 
少数股东权益影 响额(税后)2,301,869.7541,240,454.8370,286,181.33 
合计74,317,767.85191,924,861.44338,222,333.37--
其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况:
?适用 □不适用
根据《关于继续实施科技企业孵化器、大学科技园和众创空间有关税收政策的公告》(财政部 税务总局 科技部 教
育部公告 2023 年第 42 号),《关于延长部分税收优惠政策执行期限的公告》(财政部、税务总局公告 2022 年第 4
号),《财政部、税务总局、科技部、教育部关于科技企业孵化器、大学科技园和众创空间税收政策的通知》(财税
[2018]120 号)中规定的税收优惠政策,执行期限延长至2027年12月31日。按照文件规定,本公司子公司国联万众土
地使用税1-12 月减免42,134.40 元,房产税 1-12 月减免3,787,755.07元。上述减免影响当期损益的金额计入其他符
合非经常性损益定义的损益项目。

公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益
项目的情况说明
□适用 ?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为
经常性损益的项目的情形。


第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所处行业情况
(一)公司所属行业
根据中国证监会公布的《上市公司行业分类指引》(2012年修订),公司属于制造业中的计算机、通信和其他电子
设备制造业(行业代码:C39)。

(二)公司所属行业基本情况及公司行业地位
1、第三代半导体器件及模块:
第三代半导体氮化镓射频微波器件具有大宽带、高功率密度、高效率、高电压、高工作温度等优良特性,在移动通
信系统中作为主要的射频器件,得到越来越广泛的应用。博威公司主营业务为氮化镓通信基站射频芯片及器件、微波点
对点通信射频芯片与器件的设计、封装、测试和销售,产品主要用于 5G 通信基站及点对点通信设备的信号发射与接收
系统。目前,公司在氮化镓基站功放领域市场占有率国内第一,产品技术与质量均达到国内领先、国际先进水平,在我
国“新基建”——5G 基站建设中发挥了重要作用,取得了良好的经济效益与社会效益,带活业内产业链上下游发展与优化
升级。博威公司是首批国家集成电路企业、国家重点“小巨人”企业、国家专精特新“小巨人”企业、河北省科技领军企业、
河北省战略性新兴产业集群骨干企业;获得 2022 年度/2023 年度河北省科技进步二等奖、河北省制造业单项冠军产品企
业等荣誉;建有河北省半导体产业技术研究院、第三代半导体功率器件和微波射频功率器件河北省工程研究中心、河北
省企业技术中心等平台。

行家说 Research预估,2024年 SiC功率半导体市场将同比增长 14%左右,预计 2028年将增长到 102.77亿美元。结
合整体功率半导体数据推算,2023 年 SiC 在全球功率半导体市场的渗透率为 9.52%,2024 年 SiC 渗透率为 10.051%,
2028 年大约将达到 22.27%左右。可以预见的是,随着 SiC 产业技术不断完善,它将逐步瓦解硅基半导体在大功率应用
中的长期统治,市场潜力巨大。国联万众公司碳化硅功率产品基于自有先进芯片技术,碳化硅功率系列产品在技术参数、
制造成本等方面具有明显的竞争优势,中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域,
高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域,实现对硅基 IGBT 功率产品的覆盖与替代。
2、电子陶瓷材料及元件:
电子陶瓷业务:人工智能、工业互联网、智能网联汽车等新一代信息技术加速集成创新与突破,推动经济社会各领
域数字化、网络化、智能化转型不断深化,数字经济规模不断扩张、经济贡献不断增强。全球新一轮 AI 技术爆发带动
算力需求激增,根据中国信通院《中国算力发展指数白皮书》预计未来五年全球算力规模将以超过 50%的速度增长,到
2025年全球计算设备算力总规模将超过 3 ZFlops,至 2030年将超过 20 ZFlops。算力增长必将推动数字经济蓬勃发展,
带动半导体、通信、消费电子、新能源汽车等行业持续增长,以光模块为代表的电子元器件和半导体设备等行业市场规
模将持续稳步上升。公司电子陶瓷系列产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器
外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板、集成式加热器、精密陶瓷零部件等,广泛应用于光通
信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备等领域。公司开创了我国光通
信器件陶瓷外壳产品领域,持续创新材料和精益技术,已成为国内规模最大的高端电子陶瓷外壳制造商。中瓷电子已入
选国务院国资委创建世界一流专业领军示范企业、工信部第八批制造业单项冠军企业和专精特新“小巨人”企业、河北省
科技领军企业,建有国家企业技术中心。2023 年公司持续加大精密陶瓷零部件领域的研发和投入力度,已开发了氧化铝、
氮化铝精密陶瓷零部件产品,建立了精密陶瓷零部件制造工艺平台,开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同
类产品水平并通过用户验证,已批量应用于国产半导体设备中,精密陶瓷零部件销售收入同比有大幅增长。

氮化镓通信基站射频芯片业务覆盖芯片生产制造环节,主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通
信基站射频芯片。芯片的性能、可靠性决定了下游器件、模组等应用产品的品质,是产业链的核心。氮化镓通信基站射
频芯片业务主要产品为氮化镓射频芯片,频率覆盖通信 400MHz~6.0GHz的典型频段,功率覆盖 2-1000W的系列芯片。

二、报告期内公司从事的主要业务
中瓷电子是拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企
业。业务分为两大方面:第三代半导体器件及模块,电子陶瓷材料及元件。

1、第三代半导体器件及模块:
氮化镓通信基站射频芯片与器件:在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路,实现对通信射频信号的功率放大,
根据应用场景不同,氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片
及器件。微波点对点通信射频芯片与器件主要应用于点对点通信数据无线回传系统。

碳化硅功率模块及其应用:基于自有先进芯片技术,碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的
竞争优势,中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域,高压碳化硅功率产品瞄准
智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域,实现对硅基 IGBT 功率产品的覆盖与替代。

2、电子陶瓷材料及元件:
电子陶瓷业务:通信器件用电子陶瓷外壳、工业激光器用电子陶瓷外壳、消费电子陶瓷外壳及基板、汽车电子件、
精密陶瓷零部件,广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体
设备等领域。

氮化镓通信基站射频芯片:分为大、小功率氮化镓通信基站射频芯片两种,覆盖芯片生产制造环节,主要为博威公
司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯片。

三、核心竞争力分析
1、成熟的技术和工艺
(1)第三代半导体器件及模块:
研发平台建设方面,博威公司建立了5G 大功率基站氮化镓射频器件平台、5G MIMO基站氮化镓射频器件平台、微波
点对点通信射频器件平台、半导体器件可靠性技术研究平台;建立了完善的设计规范与标准,配备了相应的研发试验设
备,有效支撑了公司在相应领域的业务拓展、技术升级、质量提升等。

产业化平台建设方面,基于核心自主知识产权,先后突破了自动化先进微组装关键工艺技术,具备氮化镓通信基站
射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件批量生产能力并不断推进自动化产线建设,相关产品的产能和供货能
力较强。

国联万众是国内较早开展 SiC 功率半导体的研究生产单位之一,在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利,现
有SiC 功率模块包括650V、1200V 和1700V 等系列产品,主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域,未
来拟攻关高压SiC功率模块领域,进一步抢占行业技术高地,在智能电网、动力机车、 轨道交通等高压、超高压领域抢
占市场份额,实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪、珠海零边界等主要
客户的认可,在终端市场具有技术先进性和充分竞争力。

(2)电子陶瓷材料及元件:
电子陶瓷业务的技术优势主要体现在电子陶瓷新材料、半导体外壳仿真设计、生产工艺等方面。

在材料方面,公司掌握多种陶瓷体系的知识产权,包括系列化氧化铝陶瓷和系列化氮化铝陶瓷以及与其相匹配的金
属化体系。

在设计方面,公司拥有先进的设计手段和设计软件平台,可以对陶瓷外壳进行结构、布线、电、热、可靠性等进行
优化设计。公司已经可以设计开发 1.6Tbps 光通信器件外壳和基板,与国外同类产品技术水平相当;具备氧化铝、氮化
铝等陶瓷材料与新型金属封接的热力学可靠性仿真能力,满足新一代无线功率器件外壳散热和可靠性需求。

在工艺技术方面,公司具有全套的多层陶瓷外壳制造技术,包括原材料制备、流延、冲孔冲腔、金属化印刷、层压、
热切、烧结、镀镍、钎焊、镀金等技术。公司建立了完善的氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷加工工艺平台,建立了以流延成型
为主的氧化铝多层陶瓷工艺,以厚膜印刷为主的高温厚膜金属化工艺,以高温焊料为主的钎焊组装工艺,以电镀、化学
镀为主的镀镍、镀金工艺,建立了完善的精密陶瓷零部件制造工艺平台。

在批量生产能力方面,公司已经具备高端电子陶瓷外壳批量生产能力并不断推进自动化产线建设,相关产品的产能
和供货能力较强。

在车用加热器方面,公司已具备完整的汽车电子产品制造工艺,包括陶瓷测温环的生产制造、加热元器件制备、产
品一体化注塑、自动定位焊接、自动化组装流水线、真空灌胶密封以及自动化气密性和电性能检测等技术。

氮化镓通信基站射频芯片业务主要产品为 4/6 英寸氮化镓射频芯片,是国内少数实现批量供货主体之一。氮化镓通
信基站射频芯片业务覆盖芯片生产制造环节,主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯
片。芯片的性能、可靠性决定了下游器件、模组等应用产品的品质,是产业链的核心。氮化镓通信基站射频芯片业务主
要产品为氮化镓射频芯片,频率覆盖通信主要频段400MHz~6.0GHz的典型频段,功率覆盖2-1000W的系列芯片。

2、丰富、优质的客户资源,雄厚的市场基础
第三代半导体器件及模块:作为国内领先的氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件供应
商,与客户深入合作,细分领域产品市场占有率国内第一,产品性能达到国内领先、国际先进水平,质量可靠,行业知
名度较高,在业内树立了企业良好的市场形象,品牌知名度和信誉度得到用户的高度认可。碳化硅功率产品的相关研发、
设计、制造、封装测试、销售等方面均可独立运行的完整产业链。碳化硅功率模块主要应用于新能源汽车、工业电源、
新能源逆变器等领域,目前已与比亚迪、格力等重要客户签订供货协议并供货。

电子陶瓷材料及元件:电子陶瓷产品质量可靠,行业知名度较高。经过多年的积累,公司已成为大批国内外电子行
业领先企业的供应商,甚至是核心供应商,并与其建立了长期、稳定的合作关系。公司客户对供应商的资质要求普遍较
高,认证过程较为严格,认证周期长。公司与现有核心客户建立了长期战略合作关系,为未来发展奠定了良好的市场基
础。

3、自有品牌领先优势
依托国内领先的研发及产业化平台,博威公司产品技术指标及产品可靠性达到国内领先、国际先进水平,公司以客
户需求为指导,深度参与客户产品全生命周期开发,行业知名度较高,在业内树立了企业良好的品牌形象,品牌知名度
和信誉度得到用户的高度认可。作为国内领先的氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件供应
商,公司在细分领域市场占有率国内第一,产品技术与质量均达到国内领先、国际先进水平,与客户深入合作,行业知
名度较高,在业内树立了企业良好的品牌形象,品牌知名度和信誉度得到用户的高度认可。

公司专业从事第三代半导体氮化镓和碳化硅芯片、器件的设计、生产与销售,同时开展第三代半导体封装、模块、
科技服务等业务。氮化镓射频功放芯片技术水平达到国际领先,并已在世界主流通信公司得到规模应用;碳化硅 MOSFET
技术水平达到国际先进,并已在新能源汽车、充电桩等领域开始大批量应用。国联万众公司是国家第三代半导体创新技
术中心(北京)主要建设和运营主体单位,并同时拥有国家“双创”支撑平台、众创空间、中关村硬科技孵化平台、北
京市科技企业孵化器等资质。公司投资建设了第三代半导体材料及应用联合创新基地,先后引进了多家第三代半导体产
业链上下游骨干企业,形成第三代半导体产业集聚效应,助力北京市第三代半导体产业高质量发展。

作为国内电子陶瓷行业的领先企业,电子陶瓷市场份额居国内行业前列,并致力于发展成为世界一流的电子陶瓷产
品供应商。中瓷电子作为电子陶瓷行业的领跑者,公司积极参与品牌经营,重视品牌建设,树立了企业良好的市场形象。

公司成立以来,品牌知名度和信誉度逐渐得到用户的高度认可,陆续与多家世界知名光通信生产厂家建立了良好的合作
关系。在陶瓷外壳系列产品方面,公司是国内能与国际知名企业进行竞争的少数厂商之一,是我国电子陶瓷外壳的主要
代表企业,是国务院国资委创建世界一流专业领军示范企业、工信部第八批制造业单项冠军企业和专精特新“小巨人”

企业,在国内电子陶瓷行业具有重要影响力。

4、管理和人才优势
自成立以来,公司始终专注于主营业务的发展,坚定走专业化道路,制定了清晰的发展战略。2023 年公司重大资产
重组完成后,上市公司保持标的资产原有经营管理团队的相对独立和稳定,并在业务层面授予其较大程度的自主度和灵
活性,以保证交易完成后主营业务的稳定可持续发展。同时,上市公司选派适格人员进入子公司董事会、监事会、高级
管理层及财务部门,促进子公司规范运作。上市公司利用多元化的员工激励方式,推动核心团队的建设、健全人才培养
机制,加强对优秀人才的吸引力,从而保障上市公司及分、子公司现有经营团队的稳定和发展。

在研发人才方面,坚持“以人为本”的理念,不拘一格引进、聚集各类高素质的人才并使之发挥最大的潜能,以实
现研发中心的发展壮大。主要通过开放课题、公开招聘、国家重大项目、高层次人才引进等方式,吸引和招聘国内外高
端人才,不断扩大研发中心人才队伍,努力造就一批世界水平的研究人员、工程师和创新团队,培养一线技术人员和青
年科技人才。建立人才吸引、利用、培养、评价等全流程完善激励机制,不断壮大公司的研发队伍、调动研发人员的积
极性。

四、主营业务分析
1、概述
2024 年公司经营状况良好,实现营业收入 2,648,495,638.64 元,较上年同期下降 1.01%;归属于上市公司股东的
净利润 539,158,451.03 元,较上年同期增长 10.04%。2024 年始终着力于主营业务发展和核心技术创新,不断加强公司
的研发能力、提高产品的质量以及提升生产效率,随着业务规模的逐步扩大,公司也在不断积极开拓新市场,扩展新产
品,保持公司产品竞争优势,不断推动公司健康发展。

2、收入与成本
(1) 营业收入构成
单位:元

 2024年 2023年 同比增减
 金额占营业收入比重金额占营业收入比重 
营业收入合计2,648,495,638.64100%2,675,566,462.48100%-1.01%
分行业     
计算机、通信和 其他电子设备制 造业2,648,495,638.64100.00%2,675,566,462.48100.00%-1.01%
分产品     
电子陶瓷材料及 元件1,877,539,490.1259.62%1,854,703,182.5556.19%1.23%
第三代半导体器 件及模块1,271,731,747.2940.38%1,445,938,215.0943.81%-12.05%
内部抵消数-500,775,598.77 -625,074,935.16  
分地区     
华北、华东993,554,063.0131.55%1,145,408,963.4134.70%-13.26%
华南、西南1,448,589,208.4046.00%1,566,649,197.9547.47%-7.54%
其他707,127,966.0022.45%588,583,236.2817.83%20.14%
内部抵消数-500,775,598.77 -625,074,935.16  
分销售模式     
直销2,648,495,638.64100.00%2,675,566,462.48100.00%-1.01%
(2) 占公司营业收入或营业利润10%以上的行业、产品、地区、销售模式的情况 ?适用 □不适用
单位:元

 营业收入营业成本毛利率营业收入比上 年同期增减营业成本比上 年同期增减毛利率比上年 同期增减
分行业      
计算机、通信 和其他电子设2,648,495,638.641,684,223,476.0336.41%-1.01%-2.25%0.80%
备制造业      
分产品      
电子陶瓷材料 及元件1,877,539,490.121,364,034,711.4127.35%1.23%2.25%-0.72%
第三代半导体 器件及模块1,271,731,747.29810,519,864.0736.27%-12.05%-20.05%6.38%
内部抵消数-500,775,598.77-490,331,099.45    
合计2,648,495,638.641,684,223,476.0336.41%-1.01%-2.25%0.80%
分地区      
华北、华东993,554,063.01621,946,170.1437.40%-13.26%-21.33%6.42%
华南、西南1,448,589,208.40996,271,027.9631.22%-7.54%-12.13%3.60%
其他707,127,966.00556,337,377.3821.32%20.14%31.39%-6.73%
内部抵消数-500,775,598.77-490,331,099.45    
合计2,648,495,638.641,684,223,476.0336.41%-1.01%-2.25%0.80%
分销售模式      
直销2,648,495,638.641,684,223,476.0336.41%-1.01%-2.25%0.80%
公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下,公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据 □适用 ?不适用
(3) 公司实物销售收入是否大于劳务收入
?是 □否

行业分类项目单位2024年2023年同比增减
计算机、通信和 其他电子设备制 造业销售量个/片/套/只130,324,095.00107,546,679.0021.18%
 生产量个/片/套/只134,024,617.00106,148,565.0026.26%
 库存量个/片/套/只15,095,578.0011,747,322.0028.50%
      
相关数据同比发生变动30%以上的原因说明
□适用 ?不适用
(4) 公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况 □适用 ?不适用
(5) 营业成本构成
行业分类
单位:元

行业分类项目2024年 2023年 同比增减
  金额占营业成本 比重金额占营业成本 比重 
计算机、通信 和其他电子设 备制造业直接材料1,071,744,946.8763.64%1,076,584,718.7062.49%-0.45%
计算机、通信 和其他电子设 备制造业直接人工235,325,507.4713.97%243,132,342.2914.11%-3.21%
计算机、通信 和其他电子设制造费用377,153,021.6922.39%403,203,598.8423.40%-6.46%
备制造业      
说明
2024 年度,公司营业成本 1,684,223,476.03 元,其中直接材料 1,071,744,946.87 元,占比 63.64%;直接人工
235,325,507.47元,占比13.97%;制造费用377,153,021.69元,占比22.39%。

(6) 报告期内合并范围是否发生变动
□是 ?否
(7) 公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 □适用 ?不适用
(8) 主要销售客户和主要供应商情况
公司主要销售客户情况

前五名客户合计销售金额(元)1,538,630,599.47
前五名客户合计销售金额占年度销售总额比例58.09%
前五名客户销售额中关联方销售额占年度销售总额比例2.98%
公司前5大客户资料

序号客户名称销售额(元)占年度销售总额比例
1客户1832,744,437.3031.44%
2客户2313,843,818.4411.85%
3客户3164,222,030.546.20%
4客户4148,972,194.805.62%
5客户578,848,118.392.98%
合计--1,538,630,599.4758.09%
主要客户其他情况说明
?适用 □不适用
详见第十节财务报告 十四、关联方及关联交易。

公司主要供应商情况

前五名供应商合计采购金额(元)830,317,250.80
前五名供应商合计采购金额占年度采购总额比例38.33%
前五名供应商采购额中关联方采购额占年度采购总额比例27.87%
公司前5名供应商资料

序号供应商名称采购额(元)占年度采购总额比例
1供应商1603,819,184.0527.87%
2供应商290,289,225.914.17%
3供应商364,088,475.272.96%
4供应商436,606,298.661.69%
5供应商535,514,066.911.64%
合计--830,317,250.8038.33%
?适用 □不适用
详见第十节财务报告 十四、关联方及关联交易。

3、费用
单位:元

 2024年2023年同比增减重大变动说明
销售费用15,099,667.0815,373,710.20-1.78%无重大变化
管理费用102,838,167.2298,218,110.724.70%无重大变化
财务费用-17,773,685.41-24,860,997.5328.51%主要系汇兑损益变化 所致
研发费用289,917,905.59281,239,548.283.09%无重大变化
4、研发投入
?适用 □不适用

主要研发项目名称项目目的项目进展拟达到的目标预计对公司未来发展 的影响
射频前端微型表贴陶 瓷封装研发及产业化项目通过优化陶瓷材 料性能、建立50微米 工艺平台,紧跟市场 需求,配合客户开发 射频前端微型表贴陶 瓷封装产品,实现进 口替代,推动高端电 子元器件国产化和自 主可控已攻克关键技术问 题,形成中批量生产 规模项目微型表贴陶瓷封 装产品满足指标要 求,典型产品经用户 验证合格并批量供 货,实现微型表贴陶 瓷封装产品的大批量 生产能力本项目开发射频前端 微型表贴陶瓷封装产 品,解决材料关键核 心问题,推动高端电 子元器件国产化和自 主可控,助力公司全 面发展。同时,积极 推进产线的智能化、 数字化改造,加快实 现公司数字化进程
电子陶瓷基板及所需 钇氧化物产业化关键 技术项目针对新能源汽车 等战略新兴产业对于 高性能电子陶瓷基板 的迫切需求,开发高 性能高可靠性 RE- AlN/Si3N4 电子陶瓷 基板并实现批量生 产,实现在高端功率 模块中示范应用已突破关键技术,制 备出高性能 RE- AlN/Si3N4陶瓷基板完成适用于 RE- AlN/Si3N4 陶瓷基板 有机添加剂体系设 计,优化烧结工艺参 数,建立晶粒尺寸、 第二相含量及分布等 微观特征与陶瓷强度 和热导率性能之间的 联系,制备出高性能 陶瓷基板开发高性能高可靠性 RE-AlN/Si3N4 电子陶 瓷基板并实现量产, 丰富公司在电子陶瓷 基板领域的产品系 列,助力公司快速发 展
声表陶瓷基座研发项目以声表面波滤波 器领域需求为目标, 开发声表基板产品并 实现批量生产,解决 声表基板的直线度、 共面性、可焊性等问 题,满足声表面波滤 波器领域市场需要完成了小批量交付和 验证完成声表基板产品开 发,实现声表基板产 品批量交付,产品技 术指标(或性能)达 到国际先进水平,满 足声表面波滤波器领 域用户需求开发声表产品并实现 批量交付,对丰富公 司消费电子陶瓷外壳 及基板产品系列,助 力公司快速发展具有 重要意义
基于接入网Pon用 25G低成本玻璃外壳 研发项目以降低玻璃外壳 成本为目标,开发接 入网 Pon 用 25G 低成 本玻璃外壳,满足当 前 PON 用外壳需求量 激增的低成本要求, 实现低成本玻璃外壳完成零件低成本加工 方式的开发,并实现 量产应用完成接入网 Pon 用 25G 低成本玻璃外壳 的产品设计及确定工 艺路线,实现 20%以 上的降本幅度,并实 现稳定量产开发接入网 Pon 用 25G 低成本玻璃外壳 产品并实现量产交 付,丰富公司接入网 用玻璃外壳领域产品 系列,助力公司快速 发展
 的量产   
800G中距传输用光通 信封装外壳研发项目以开拓光通信高 频中距离传输领域产 品为目标,开发 800G 高频中距离传输外壳 并实现批量生产,满 足800G中距传输市场 需求已完成定型产品制作完成800G中距传输外 壳的开发,实现该类 外壳的批量交付,产 品达到国际先进水平开发800G中距传输产 品,并实现批量交 付,丰富公司通信器 件用电子陶瓷外壳产 品系列,助力公司快 速发展
1008石英晶体谐振器 陶瓷外壳研发开发1008尺寸晶振用 陶瓷外壳,完成技术 储备,满足晶振产品 小型化市场需求完成样品交付完成1008尺寸晶振用 陶瓷外壳技术积累与 工艺平台搭建,产品 技术指标(或性能) 达到国际先进水平技术储备,有利于后 续1008尺寸晶振用陶 瓷外壳需求增长后迅 速占领市场,成为国内 乃至国际主要供应商
车载MEMS加速度传感 器陶瓷外壳研发项目以MEMS加速度传 感器领域需求为目 标,开发适合车载领 域MEMS加速度计的陶 瓷外壳产品,解决金 属化线条印刷精度、 封口环钎焊强度等问 题,满足车载MEMS加 速度传感器领域市场 需求已攻克关键技术,完 成了产品批量交付完成车载MEMS加速度 传感器陶瓷外壳的开 发,实现该类外壳的 批量交付,产品技术 指标(或性能)达到 国际先进水平开发车载MEMS加速度 传感器陶瓷外壳并实 现批量交付,丰富了 公司传感器外壳领域 产品系列,助力公司 快速发展
基于工业互联网平台 的重点行业生产设备 智能运维系统项目是以提高设备利 用率,降低设备故障 时间为目标,开发生 产设备智能运维系 统,实现设备预防性 维修系统已开始上线试用系统满足公司设备管 理需求,建立公司设 备智能运维管理体 系,实现设备的提前 预判故障,提前处理推动公司设备管理的 信息化和智能化,同 时降低设备的故障时 间,提高生产产能和 质量,助力公司快速 发展
50GTO技术开发项目以满足接入网领 域大带宽和低时延的 需求为目标,开发 50GPon 用外壳并实现 批量生产,解决连 Pin 玻璃漏气和满足 传输速率要求等批量 生产的问题,满足接 入网领域高速率需求完成样品送样和验证 成功,产品开始小批 量生产完成产品开发,满足 性能要求,产品技术 指标(或性能)达到 国内领先水平,满足 接入网大带宽和低时 延的要求开发 50GTO 管壳并实 现量产交付,丰富公 司通信器件领域产品 系列,助力公司快速 发展
单通道128G陶瓷外壳 研发相干400G传输从城域 短距离向长途传输演 进,促使相干收发器 件波特率从 64GBd 迈 向 128GBd;项目以开 发 128GB 相干管壳为 目标,填充领域空 白,满足市场需求已完成产品可靠性分 析,射频仿真设计, 正在进行初样制作完成产品开发,满足 性能要求,产品技术 指标(或性能)达到 国际领先水平,满足 用户使用需求开发相干400G长距传 输领域管壳并实现量 产交付,丰富公司光 通信用电子陶瓷外壳 产品系列,助力公司 快速发展
1.6T多层薄膜基板研 发项目以开拓光通信多 层薄膜基板领域产品 为目标,开展1.6T多 层薄膜基板研发,满 足后续高速应用的市 场需求完成设计方案、工艺 路线的制订,正在样 品加工完成高速率1.6T薄膜 基板产品开发,设计 方案满足产品批量交 付,实现产品量产。 产品性能满足客户高 速率使用要求,并通 过客户验证。产品技 术指标(或性能)达 到国内外领先水平提升公司在光通信 ALN 多层基板在高速 率应用领域的核心竞 争力和市场占有率
国产碳化硅主驱芯片 及碳化硅模块研发及开展碳化硅芯片及模 块研发,并形成一定开展芯片研发及模块 研发,同时建设碳化满足主驱用国产碳化 硅功率模块的需求,延长公司产品链,实 现模块产品突破,成
产业化项目规模产能,在新能源 汽车中实现验证目标硅生产线并在新能源汽车主驱 中实现应用为公司新增长点
16毫欧低功耗碳化硅 芯片研发开展电力终端用低导 通电阻碳化硅 MOSFET 芯片研究,在电力终 端完成试点应用目 前 已 开 发 出 18mΩMOSFTE 芯片样 品,并封装模块给用 户试用完 成 电 力 终 端 用 1200V 16mΩ 的 MOSFET 芯片产品研 发,并在电力终端设 备中进行试用增加公司产品进入电 力终端设备的机会, 成为公司新增长点
快充用高效率GaN电 力电子器件研究开展快充用 GaN 电力 电子芯片研究,满足 快充所需的功率器件 要求完成产品研发,并形 成市场销售满足快充所需的 GaN 电力电子器件要求形成快充用氮化镓功 率芯片产品,增加产 品竞争力,增加公司 销售收入
8英寸SiC晶圆工艺 线建设关键技术开发开展 8 英寸碳化硅晶 圆工艺线建设,并基 于 8 英寸外延的 1200V 18mΩ MOSFET 芯片,完成大尺寸晶 圆工艺的研究目前已基于 6 英寸外 延开发出 18mΩ MOSFET 芯片,并开展 8 英寸设备调研及采 购完成 8 英寸工艺线建 设,并开发出基于 8 英寸外延的碳化硅 MOSFET芯片SiC 工艺线的更新迭 代,实现大尺寸晶圆 的生产,降低产品成 本
5G-A通感一体化基站 用新一代高效率氮化 镓射频芯片与器件开 发突破5G-A通感一体化 基站新一代高效率氮 化镓射频芯片与器件 技术,保持公司在基 站功放领域技术先进 性和产品核心竞争力已突破关键技术,形 成系列化产品完成5G-A通感一体化 基站对功放产品的性 能升级提升公司在5G-A基站 领域产品技术领先性 和市场占有率
公司研发人员情况

 2024年2023年变动比例
研发人员数量(人)2722604.62%
研发人员数量占比29.73%27.96%1.77%
研发人员学历结构   
本科73633.17%
硕士1991971.02%
研发人员年龄构成   
30岁以下7681-6.17%
30~40岁168147-6.57%
40岁以上283214.97%
公司研发投入情况 (未完)
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