[年报]新洁能(605111):2024年年度报告
原标题:新洁能:2024年年度报告 2024年年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司全体董事出席董事会会议。 三、天衡会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 四、公司负责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案由于公司2024年进行了股份回购以及中期分红，故本次公司拟以截至2025年3月31日的总股本（扣除回购后用于员工股权激励的股份数量）414,278,987股为基数，向全体股东每10股派发现金红利0.651元（含税），预计派发现金红利26,969,562.05元（含税），剩余未分配利润结转以后年度分配。如在本报告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配金额，并将另行公告具体调整情况。 六、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 七、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 八、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 九、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十、重大风险提示 公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅本报告中“公司关于公司未来发展的讨论与分析”中可能面对的风险部分的内容。 十一、 其他 □适用√不适用 目录 第一节 释义......................................................................................................................................5 第二节 公司简介和主要财务指标..................................................................................................8 第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................12 第四节 公司治理............................................................................................................................51 第五节 环境与社会责任................................................................................................................69 第六节 重要事项............................................................................................................................72 第七节 股份变动及股东情况........................................................................................................97 第八节 优先股相关情况..............................................................................................................105 第九节 债券相关情况..................................................................................................................106 第十节 财务报告..........................................................................................................................107
一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
一、公司信息
(一)主要会计数据 单位：元 币种：人民币
√适用□不适用 由于2024年度实施权益分派等事宜，公司的股份数量因转增发生变动，根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第9号——净资产收益率和每股收益的计算及披露》（2010年修订）规定，以调整后的股数重新计算并列示2023年、2022年同期的基本每股收益、稀释每股收益。 八、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 九、2024年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
□适用 √不适用 十、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
□适用√不适用 十一、 采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
□适用√不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 报告期内，公司共实现营业收入182,842.40万元，较去年同期增加23.83%；其中主营业务收入182,084.70万元，较去年同期增加23.80%；归属于上市公司股东的净利润43,457.60万元，较去年同期增加34.50%。 （一）市场营销 2024年以来，在经济复苏的大背景下，公司下游行业景气度温和回升，功率半导体的国产替代趋势进一步加强，客户国产化率诉求提升，各大晶圆代工厂产能接近满载，部分功率半导体公司产品价格得到修复，库存持续优化，逐步走出2023年周期的谷底。但同时，随着中美贸易摩擦持续升级，全球半导体市场的竞争加剧。国产品牌竞争激烈、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到降低利润预期，与中国半导体品牌开展价格竞争，基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术领先、产品丰富、产业链高度协同等优势，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品大量销售至新能源汽车和充电桩、AI服务器和数据中心、机器人、无人机、光伏储能等领域头部客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。此外，报告期内公司设立新加坡研发及销售中心，为公司全球化发展战略、产品升级、开拓海外渠道、应对国际贸易政策影响搭建了坚实的基础。 ? 产品结构方面： （1）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，也是公司综合竞争力最强、销售基数最大、客户群体最多的产品平台。其市场广阔，主力应用于汽车电子、储能市场、无人机、电动工具、AI算力服务器、智能机器人、泛消费等多行业领域。在汽车电子领域，在保证原有产品供应的同时，逐步导入更具性价比的第三代40VSGT-MOSFET系列产品，进一步提升产品竞争力。在无人机和光伏储能领域，第三代150VSGT-MOSFET系列产品已完成试产和小批量过程，达成大批量交付订单。在AI算力服务器领域，利用第三代SGT-MOSFET平台的高性能优势，加快产品推广，已经在代表客户中通过试产，后续会快速上量。受益于相关下游领域景气度影响，2024年产品销量取得了显著增长。2024年全年实现销售收入7.80亿元，同比2023年5.46亿元增长了43%，销售占比从37.11%增长到42.86%。 2025年一季度，订单持续增长，公司积极跟进客户需求，相关产品继续扩充产能增加供货，保证已有销售并进一步拓展其他新兴市场，预计2025年SGT产品的销售量仍会继续提升。 （2）IGBT产品：在维持现有光伏、储能客户中优势市场地位的前提下，大力推广第七代IGBT产品，同时加大在汽车电子、变频家电、工控等领域的推广力度。2024年全球光储市场呈现差异化增长格局，客户库存基本回到正常水位，市场需求逐渐恢复，主要客户都在进行机型迭代和新平；另一方面加大第七代IGBT产品的推广力度，以满足客户机型升级以及新机型的需要，以750V系列和650V/1200V大电流系列产品为代表的第七代产品，已经通过光储行业多家典型客户测试和试产，进入批量供货阶段。消费电子领域，在变频冰箱、空调等典型应用中，利用新开发的集成续流二极管相应的第七代IGBT产品（RC-IGBT）的成本优势，加快产品推广，目前已经在代表客户中通过试产，后续会快速上量。此外家电领域的IPM模块也已经开始逐步推广，配合IGBT分立产品，可以满足洗衣机、空调压缩机等多领域需求。在工业变频、逆变、伺服等领域，通过IGBT分立产品、IGBT模块的联动，为客户提供整体方案，提升产品竞争力。2024年IGBT产品销售数量同比2023年增加35%以上，但受价格竞争等因素影响，公司的IGBT产品实现了销售收入2.75亿元，比2023年2.66亿增长了3.17%，销售占比从18.09%降至15.08%。从2025年一季度的销售情况看，光伏IGBT产品已经加速回暖，预计2025年IGBT产品销售将实现有效增长。 同时，随着新产品系列的有效推广，IGBT产品利润率有望进一步提升。 （3）SJ-MOSFET产品市场比较广泛，目前主要应用用于汽车OBC、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源、消费类电子等领域。在OBC市场中，随着电动汽车市场规模的提升，进一步增加了交付数量，同时还在逐步增加导入的器件型号。在微型逆变和移动储能方面，公司利用第四代SJ-MOSFET产品的性价比优势，已经在多家行业典型客户中完成试产，即将陆续进入批量交付。在AI服务器电源、工业电源等领域，利用第四代SJ-MOSFET的型号齐全、及600V快恢复系列的成本优势，销售规模不断扩大。在传统的消费电子领域，如电视机、照明等领域，在保证原有产品供应的同时，逐步导入第四代SJ-MOSFET的650V和700V系列产品，市场份额也有进一步增加。2024年末第四代SJ-MOSFET产品该产品平台销售占比已经提升到16%以上，随着600~700V第四代SJ-MOSFET产品的推广，以及500V、800V、900V第四代SJ-MOSFET产品型号的增加，公司SJ-MOSFET产品的竞争力和销售额有望进一步提升。2024年SJ-MOSFET产品销售数量同比2023年增加45%以上，受价格因素影响，实现销售收入2.16亿元，相比2023年1.84亿元增长了17.35%，销售占比从12.52%降至11.86%。 （4）Trench-MOSFET产品作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，凭借产品的高质量、高可靠性以及持续迭代保持产品技术的领先，应用领域广，长期积累了广泛的客户群体，且对公司产品有长期信任的基础。2024年公司在保证原有智能家居、电动工具、消费电子、工业等领域的销售地位的同时抓住了市场机遇，加大了对于光伏储能市场、汽车电子以及特殊行业等领域的拓展，其销售规模获得了相应的增长，全年实现销售收入5.27亿元，比2023年同期4.54亿增长16.23%，销售占比从30.84%降至28.96%，随着公司应用于智能手机、穿戴设备的BMS的CSP产品大力推广，2025年销售收入会有效增加，销售占比实现进一步增长。 ? 市场结构和客户结构方面： 2024年，公司坚守现有客户，开拓更多市场应用。一方面积极响应原有市场客户需求，持续跟进订单，加强客户黏性以促进更多产品料号的导入；另一方面，公司继续挑战高端应用市场，开拓多家海内外客户，应用领域涉及AI人工智能、机器人、高端服务器、汽车电子、无人机等，深度绑定国内新能源光储领域头部客户，以可靠的产品，优质的服务，加强客户对公司品牌的认 可度，进而形成深度合作和战略互补，获取更大的市场份额，稳固公司在国内功率半导体市场的 领先地位。 从具体结构来看：汽车电子领域：公司已推出200余款车规级MOSFET，供应产品数量同比增长超6成，汽车电子产品的整体销售占比加速提升。公司产品覆盖汽车电子全域控，多款型号应用于OBC、DC转换、底盘控制、辅助驾驶等汽车重要模块。公司与比亚迪、联合电子、伯特利等头部汽车客户的合作规模持续扩大，公司为比亚迪配置了专门的团队，从产品生产组织、品质管控、销售发货、到客户使用的全过程进行跟踪、服务协调，实现了更多车规产品的导入。对于其他已经形成规模出货的车企，加速提供更多AEC-Q认证的产品系列，扩大销售产品规模，涉及新的车规产品、新的车企客户，从产品送样开始建立管理体制，确保送样产品从生产制程、车载应用、具体车型等可追溯。同时，积极配合车企对公司的审核，实现产品快速上量销售，持续加强新洁能品牌在汽车类客户的知名度和市场占有率。公司持续推动已有产品在800V高压平台和48V车机系统上的布局，积极开发新的车规产品。汽车市场作为公司未来几年的重点布局行业，预计今年将继续快速发展。 工业自动化领域：该领域涉及细分行业广泛，2024年公司的相关产品在无人机、电动工具、智能机器人等领域高速增长。2024年，中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台，无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品将具有更广阔的市场前景。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作，公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司将紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。 随着智能机器人市场的崛起，公司已有多款产品进入智能机器人应用中，并获得头部客户的认可及批量订单，公司将持续加强新品对应，紧跟客户新需求，推动该领域销售进一步提升，同时机器人应用场景不断丰富，公司长期看好下游发展并积极布局。 AI算力及通信领域：随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，助推AI服务器市场及出货量增长。公司及时跟进响应客户需求，一方面，公司产品持续在传统服务器领域发力，以获取更多的市场份额；另一方面，公司利用自身优势，围绕AI算力服务器的相关需求开发产品，并积极开发下游客户，目前公司的相关产品已应用于服务器电源领域海内外头部客户并实现稳定批量销售。 光伏储能领域：相比于去年同期，2024年光伏储能行业呈现差异化增长格局，特别是在20KW以内的混网和离网市场，相关产品在亚非拉等基础电力设施落后、使用受限的地区为刚性需求，该市场形成了增长点。欧洲市场以经济性为导向，在高电价的压力下，光储产品受到市场青睐，客户端库存得到有效去化。报告期内公司大力推广第七代IGBT产品，同时加快部分已有IGBT产品的去库存。对于1至5度电类储能电源，公司通过前期市场推广布局，大力推广SGT类产品，抓住行业头部客户，有效形成了订单增量，并积极协调产能应对紧急交付，实现销售额增长。工商业光伏市场是光伏的重点市场，公司在该市场同时布局模块产品和大电流单管产品，以应对客户不同形态的需求。从长远来看，光伏行业依旧是市场空间巨大、前景广阔的重要下游，公司将持续深耕。 （二）研发创新 2024年度，公司实现研发投入103,745,624.20元，占营业收入比例为5.67%。截至目前，公司共有专利240项，其中发明专利119项（不含已到期专利）。 ? SGTMOS平台： （1）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N沟道30V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低39%，系列产品数量已拓展至26款； （2）具有业界最小单位元胞尺寸的N沟道40V第三代SGTMOS平台实现量产，Rsp相较于上一代产品降低26%，系列产品数量已拓展至122款，其中车规产品达到50余款；（3）40V第三代SGTMOS平台还推出了sTOLL、双面散热DFN5x6等先进封装产品；（4）上述N30V~N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通讯电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用； （5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N沟道150V第三代SGTMOS平台实现量产，并且完成车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，平台产品数量拓展至10余款，该平台产品已在光伏储能、无人机、工控电源领域大批量使用，同时针对新能源汽车OBC、车载逆变器、通信电源、服务器电源、植物照明等领域正在大力推广中； （6）基于12寸平台，达到业界领先水平的FOM、高鲁棒性N沟道60V、85V、100V第三代SGTMOS均完成工艺固化，进入风险量产阶段； （7）以85V第三代SGTMOS为例，Rsp相较于上一代产品降低35%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在AI算力、锂电保护、电机驱动行业已经完成测试验证，进入小批量验证阶段；同时针对混动新能源车48V系统、工业/农业大功率无人机电调、园林工具、短途交通等行业已完成送样，客户端测试评估中； （8）基于华虹12寸新产线，已完成N沟道100V第二代SGT平台技术转移，同时N沟道80V和100V第三代SGT平台正在开发中。 ? TrenchMOS平台： （1）基于8寸平台具有创新结构的高可靠性P30V~200V产品平台，已Tapeout6颗产品，P60V~200V工艺已frozen系列产品开发中，P60V-200V，可靠性能满足车规要求；（2）N200V工程批已产出，基本功能达成，待后续工艺frozen后开发不同电压段系列平台。 （3）具有高元胞密度（0.75umCellPitch）的第五代P沟道20V~40V产品平台已tapeout10套mask并衍生出53颗系列产品； （4）超高元胞密度（0.55umCellPitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化，已tapeout3套mask，产品均已量产； （5）基于12寸平台具有超高元胞密度（0.65umCellPitch）第六代N沟道20V~60V工艺平台工艺条件已确定，工艺基本frozen待后续开系列产品。 （6）带ESD的工艺平台开发中，目前工艺flow条件基本确定，目前工艺单项开发进行中。 ? IGBT平台： （1）第七代微沟槽高功率密度IGBT平台的650V、750V、1200V产品已经完成10A~200A多个电流规格产品量产，在Fab1、2、3和Fab7量产产品良率已提升至98%以上，并通过代表性光伏、储能、逆变电源等行业客户测试，开始进入批量阶段； （2）第七代IGBT在12寸Fab9已经完成首批工程批流片，参数达到预期水平，开始进行可靠性考核； （3）第七代IGBT1000V平台已完成初步搭建，完成封装测试和可靠性考核，该平台主要用于光伏、储能应用的三电平IGBT模块中； （4）第七代400V高短路能力低频系列IGBT产品已经完成客户端测试，开始批量交付，主要用于马达驱动、工业变频等应用； （5）1400V高短路能力低频IGBT平台工程流片已完成，参数达到预期水平，开始送客户端评估，该系列主要目标市场为800V及以上电池系统的汽车空调、PTC等应用；（6）第七代快速恢复体二极管的650V逆导（RC-IGBT）IGBT已经开始小批量投产，该系列产品主要用于冰箱、空调等消费类马达驱动应用； （7）1200V10A逆导（RC-IGBT）IGBT完成工程样品； （8）目前第七代IGBT产品中并联的快恢复二极管（FRD）已经完成400V、650V、750V、1200V、1600V等产品平台搭建和批量试产，产品良率稳定在97%以上。 ? SJMOS平台： （1）第四代9umpitch超结MOS500V/600V/650V/700V在12寸和8寸产线已经全部实现量产，四代超结在三代超结的基础上，更好的优化了特征导通电阻（Rsp）及可靠性，实现更高的性价比； （2）500V/600V/650V在四代超结基础上继续优化特征导通电阻（Rsp），特征导通电阻（Rsp）可以降低10%左右，目前三个电压平台已经全部实现量产； （3）四代800V深沟槽SJMOS平台在8寸推出第一颗产品，该产品增加快速恢复体二极管设计，目前已经实现量产阶段，800V产品主要用于微型逆变器等市场；（4）第四代950V深沟槽SJMOS平台，该平台预计较第二代SJMOS900V平台特征导通电阻（Rsp）降低25%以上，样品已产出，参数均符合预期，正在进行可靠性及应用测试，后续将展开其他电流平台产品。 （5）在四代SJMOS平台上新衍生开发了使用重金属掺杂工艺控制载流子寿命的超快恢复体二极管产品，从动态参数来看，反向恢复速度可以提升40%，反向恢复损耗降低60%左右，静态参数IDSS漏电从uA级别降低至nA级别，其他参数符合预期，可靠性已经全部完成，该工艺后续将全部展开，该系列产品后续主要用于大功率OBC、充电桩等应用。 （6）第五代SJMOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计，在12寸晶圆厂进行工程流片，目标600V特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内，进一步提升器件功率密度。产品目标市场主要是对器件体积和效率由要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。 ? 第三代半导体功率器件平台： 公司已开发完成第二代SiCMOSFET产品平台搭建，以1200V为例，Rsp相较于上一代产品降低29%，产品各项参数性能指标达到国际先进水平，已完成650V23mohm~80mohm、750V25mohm~80mohm、900V50mohm~100mohm、1200V20mohm~160mohmSiCMOSFET系列产品开发，新增产品60余款，相关产品已通过车规级AEC-Q100可靠性考核，处于小规模销售阶段，目标市场包括新能源汽车OBC/充电桩、工业设备、服务器电源、通信基站电源、光伏储能等领域；已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品两款； 650V/100mohmE-ModeGaNHEMT产品开发完成，新增产品1款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。 ? 汽车电子平台： 公司在SGTMOS、TrenchMOS、SJMOS、IGBT四大技术平台上已完成200余款产品开发，并通过AEC-Q101车规级可靠性认证。报告期内新增100余款车规产品，覆盖P型20V-200V（7个电压等级）及N型30V-650V（13个电压等级），电流范围1A-400A，以100V电压产品为例，其导通电阻已经做到1.5mΩ以下，达到业界领先水平，全面适配车内动力、域控、热管理等场景需求。另有120余款产品处于认证阶段，持续补全高压化、大电流应用缺口。 采用公司第三代SGT晶圆技术的车规产品已实现性能迭代，全面替代上一代产品，以40V电压平台为例，27款产品进入量产阶段，特征导通电阻（Rsp）较上一代降低26%-39%，核心综合性能优值（FOM）领先竞品25%以上。 同时，针对新能源汽车48V系统，开发50余款80V/100V车规级产品，已进入工程验证与小批量试产，覆盖车载空调、DCDC、OBC等应用。 此外，报告期内完成PDFN5×6、TOLT、sToll三款车规级封装开发，以PDFN5×6双面散热为例，采用双Clip工艺，结壳热阻降低20%-40%，器件的功率密度得到大幅度提升，从而进一步满足汽车零部件小型化的需求，相关产品已进入小批量试产，目标应用于车载电子助力转向器（EPS）、域控制器等高功率密度场景，预计2025年实现规模化交付。 车规产品批量交付近130家Tier1及终端车企，包括头部新能源主机厂及全球零部件巨头。 报告期内新增导入30余家客户，重点突破智能驾驶域控、线控底盘等高端供应链。加快建设车规级CNAS实验室，加速客户验厂认证周期，持续优化IATF16949:2016与ISO9001:2015体系，通过APQP流程实现从设计到量产的闭环管控，确保产品良率与一致性。建立寿命预测模型，结合多应力测试（温度循环、功率循环等）验证器件可靠性，满足15年以上车规寿命要求。 报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强AI与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化、智能机器人和半导体功率模块产品的开发力度。 （三）生产运营 报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放，公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配，目前已与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。 报告期内，芯片代工供应稳定，芯片回货量稳步增长，FRD、SiCMOSFET等产品实现小批量生产；持续进行化镀工艺优化，同等成本下改善封装打线问题，进一步提高了成品器件的可靠性；已完成新品储备，如TOLT、LFPAK、STOLL、HSOP8/5*6双面散热等新品的工程批试封；生产周期报表开发，加强订单回货周期管控，推动封装运营管理系统的进一步电子化。 （四）子公司建设 1、电基集成 公司的全资子公司电基集成，致力为公司提供优质且稳定的先进封装和测试资源。报告期内，电基集成总营收同比增长19.85%，增速高于业界同行。 2024年，电基集成成功通过数十家汽车行业客户及供应链合作伙伴的体系审核，并高效完成264项新产品封装测试导入，这其中汽车类产品占比约为15%，标志着公司在汽车电子市场的战略布局取得显著成效，进一步巩固了在智能汽车产业链的核心供应商地位。 2024年，电基集成成功创建江苏省智能示范车间彰显工业4.0实施能力，跻身江苏省星级上云企业序列印证数字化转型成效，更凭借物联网融合应用方案荣膺无锡市新一代信息技术示范项目。作为区域内罕有同时斩获三大权威认证的高科技企业，电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力，形成差异化竞争优势。 电基集成正在积极开发多款具有更低热阻、更大电流能力和更高功率密度的汽车级和工业级产品，包括DSCPDFN、sTOLL等封装形式，其中sTOLL的Clip加Wire的工艺已进入小量阶段，sTOLL的FullClip的工艺已进入小试状态，配合先进封装的激光全切技术已调试完成。 2、金兰半导体 公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。 目前金兰半导体已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，且拥有系统的生产品质管理经验。金兰半导体已完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。按计划，金兰半导体开始根据车规要求升级产线，满足车规产品的生产要求，目标今年通过车规质量体系IATF16949审核。 产品开发方面： （1）开发完成：基于650V、1200V、1700V电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，完成了9个模块产品平台的开发，分别为L34、L62、LE1、LE2、LE3、LN2、LN3、LD3、LQ2。以应用领域而分，在工业变频和电机驱动领域，在1200V电压平台，完成开发了电流分别为10A、35A、50A、75A、100A、150A、200A、300A、450A、600A、800A的系列产品；在光伏逆变储能领域，在650V电压平台，完成开发三电平150A、200A、300A、400A、600A的系列产品，在1050V平台，完成开发电流分别为三电平400A、600A的系列产品，在1200V电压平台，完成开发电流分别为三电平225A、400A、600A、和半桥600A、800A的系列产品；在电能质量领域，在650V平台，完成开发三电平75A、100A、150A、200A系列产品；在感应加热领域，完成开发1200V电压平台上电流风别为40A、50A、75A、100A、150A系列产品。 （2）正在开发：储能领域，基于1000V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片和碳化硅芯片，根据市场及客户需求，开发行业通用及定制的SiC与Si混合模块、SiC模块等。与此同时，在工业控制及变频领域，在650V、1200V和1700V平台上逐步拓展和完善LE1、LE2、LN2、LN3系列产品。 截至目前，金兰半导体已经申请了专利33项（其中8项为发明专利），已授权24项实用新型；通过了2024年“无锡市智能制造成熟度二级”的审核，获得“省级科技型中小企业”入库；2025年计划通过“雏鹰企业”遴选。 3、国硅集成 公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅就特别注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。 目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款，适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品6款（2024年新增2款），适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片30款（2024年新增15款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片28款（2024年新增8款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。国硅于2024年新增智能功率模块（IPM）产品线，包括半桥IPM已经三相桥IPM，并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售。 国硅2024年通过了江苏省“专精特新”企业、“江苏省民营科技企业”、无锡市“雏鹰企业”、无锡市“瞪羚企业”等认定；获得2024年第十一届中国青创赛（科技创新专项）铜奖；顺利通过2024年度专利密集型产品认定、江苏省贯标备案、无锡市“尚贤人才计划”优秀创新人才的选拔及项目立项；2024年获得无锡市人社局“创响无锡”项目资金、产业前瞻及关键技术研发项目、双创博士第二批资助资金、高新技术企业认定奖励及无锡市集成电路产业扶持项目资金入账。 国硅集成2024年度新增授权知识产权14项，其中发明专利5项，实用新型专利5项，集成电路布图4项。截至目前国硅累计获得知识产权61项，其中专利16项（发明专利9项，实用新型7项），集成电路布图44件，软件著作权1件。 4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd 报告期内公司新设海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd，承担海外研发中心及全球销售中心两大任务。子公司充分利用新加坡丰富的人才资源，进行功率半导体技术的研究和突破，跟踪国际最新顶尖技术，建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升人才团队技术素养水平，提高公司核心竞争力，拓展国际市场。 海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，引领全球功率器件水平的发展，主要产品包括但不限于硅基功率器件（MOSFET&IGBT）、第三代宽禁带半导体功率器件（SiC/GaN）、第四代超宽禁带半导体功率器件（GaO/金刚石）等，目标市场包括汽车电子、工业电子、消费电子、航空航天等。尤其是高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合，结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。目前公司已组建了具有深厚的智能功率IC和功率器件研发经验的研发团队，已完成前期市场调研及产品定义，正着手首款产品的研发。 功率半导体海外市场占据全球市场60%的份额，公司高度重视海外渠道建设，同时为了更好地服务出海客户，目前公司汇聚数位精通多国语言、熟悉当地市场，且了解半导体功率器件专业知识的人才，为公司在新加坡进行销售团队建立了雄厚的人才基础。报告期内，公司海外销售团队已开拓海外经销商及终端客户，完成小批量订单交付。 （五）内部管理 2024年度，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。同时，合法合规前提下积极做大做强公司市值，并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。 （六）资本市场 2024年，公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极的横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。 报告期内，公司参与无锡盛景微电子股份有限公司首次公开发行股票战略配售，进一步加强了双方在技术研发、供应链及品牌方面的合作；参股投资了以高能单相电机为技术核心的智能无刷电动工具供应商，原材料自主可控的陶瓷基板材料供应商，拥有自主可控RISC-V处理器芯片核心技术和研发能力的MCU、MPU和CPU提供商等。相关投资有利于公司产品的进一步集成化进程，同时加强纵向资源整合，持续完善产业链布局。 （七）荣誉奖项 2024年，公司新增荣誉如下： 2024年全球半导体综合竞争力百强企业 2024年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业 2024年无锡市掩膜制版/流片补贴项目 2024年车规级功率器件资质认证项目 2024年国家级小巨人区级奖励资金项目 2024年无锡市高新区（新吴区）三类企业认定项目 2024年高企重新认定区级奖励项目 2024年高新区营经济转型升级项目 2024年度无锡高新区（新吴区）第二批知识产权项目 2024年高新区三类企业奖励资金项目 二、报告期内公司所处行业情况 1、行业特点及发展趋势 （1）所处行业 公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。 功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。随着国家对电能替代和节能改造的推进，迫切需要高质量、高效率的电能，目前世界上大多数电能是经过功率半导体处理后才能使用，这一比例还将进一步扩大。 功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。 据Yole数据，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的生命周期。 发展至今，功率半导体已拥有较好的国内产业链基础和相对成熟的技术，中低端国产功率半导体产品已形成规模化、国产化，从依赖进口转变为国内自给自足。在中高端领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT、化合物半导体等，由于起步晚、设计门槛高、工艺相对复杂以及缺乏验证机会等原因，国内厂家依然在追随海外厂家技术发展路线。新洁能从成立之初即基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，成为国内中高端器件的领军企业，专注于产品设计与推广，精准把握市场需求和供应节奏，与国际一流代工厂长年紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划、产能调配等方面达成了优秀水平。 （2）市场规模分析 根据世界半导体贸易统计（WSTS）组织预测，2024年全球半导体销售额将同比增长13.1%，到2025年，全球销售额预计将达到6972亿美元，同比增长11.2%，从地区来看，亚太地区预计成长10.4%。Gartner则预测全球半导体收入预计将在2025年增长14%，达到7170亿美元。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在8%—10%之间，结构占比保持稳定。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业，新兴应用领域如新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通讯的快速发展也拉动了功率器件市场的增长，因此行业周期性波动较弱，全球功率半导体市场规模稳步增长。根据Omida的数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元；根据中商产业研究院预测数据，2024年中国功率半导体的市场规模达到238亿美元，其中功率IC市场占54.3%，MOSFET占16.4%，功率二极管占比14.8%，IGBT占比12.4%。中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。 ①按产品品类 功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以MOSFET、IGBT、SiCMOSFET为代表的功率器件需求旺盛，市场规模如下：
随着新能源汽车和充电桩、AI算力服务器及数据中心、智能机器人、光伏及储能、无人机、5G、物联网、人工智能等新兴市场为功率半导体行业带来新的应用场景和需求，工业自动化、消费电子等支柱行业的稳步发展，作为终端产品核心元器件的高性能功率器件使用需求势必不断增加。 新能源汽车及充电桩 汽车产业是我国国民经济发展的重要支柱产业，加速新能源汽车创新和开发是汽车产业的重点发展方向，我国新能源汽车产业链逐步成熟，产品向多元化发展。 据中国汽车工业协会分析，2024年国内汽车产销量再创新高，超预期完成全年销量目标，汽车出口保持快速增长，对拉动市场整体增长贡献显著，随着一系列政策的出台落地，政策组合效应不断释放，多措并举共同激发了车市终端的消费活力，此举将进一步释放汽车市场的消费潜力。 中汽协数据显示，2024年，汽车产销分别完成3128.2万辆和3143.6万辆，同比分别增长3.7%和4.5%。其中，新能源汽车产销分别完成1288.8万辆和1286.6万辆，同比分别增长34.4%和35.5%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的40.9%，较2023年提高9.3个百分点。汽车出口方面，2024年汽车出口585.9万辆，同比增长19.3%。预计2025年，我国汽车市场将继续呈现稳中向好发展态势，汽车产销将继续保持增长，新能源汽车成为引领我国汽车产业转型的重要力量，汽车电子需求旺盛，MOSFET作为汽车功率器件中的重要组成部分，亦将迎来广阔的应用空间。 在新四化趋势下，汽车产业进入百年未有的大变革时代，新能源汽车迎来大发展，汽车对芯片的需求量在不断增加。从基本的电力系统控制到无人驾驶技术、高级驾驶辅助系统和汽车娱乐系统，都对电子芯片有着极大的依赖。电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，功率半导体作为实现电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车用量约为传统燃油车的2至3倍。根据YOLE报告显示，汽车上的半导体器件市场规模将从2023年的520亿美元增长到2029年的970亿美元，2023年每辆汽车的半导体器件价值约为600美元，到2029年将增长到约1,000美元。 中汽协提供的数据显示，传统燃油车所需汽车芯片数量为600至700颗，而电动车所需的汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量或将有望提升至3,000颗/辆。电机驱动、照明、热管理、电动汽车主驱逆变器、DC/DC、升压器和OBC（车载充电器）等产品将依据各自的工作功率大小，选择不同的功率半导体器件，高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET均有广泛使用。根据ICWISE的数据，车用MOSFET的增速将在未来中短期内总体高于行业整体的增速，成为支撑MOSFET行业的中坚力量，预计到2026年，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将提升至34%。 充电桩是推动汽车电动化的基础设施，新能源汽车的高速增长的态势，也带动充电桩产业步入快速发展期，全国各地充电桩建设正在提速。交通运输部印发《关于加快推进2024年公路服务区充电基础设施建设工作的通知》，通知中提到，2024年全国计划新增公路服务区充电桩3,000个、充电停车位5,000个，持续提升公路沿线充电服务保障能力。适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工作温度、可靠性提出更高要求。从直流充电桩相关零部件分解可以看出，充电机是充电桩的最核心部件，成本占充电桩的50%以上，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占充电机的一半以上。 AI算力服务器及数据中心 随着5G网络商用的持续推进，云计算、大数据、人工智能等新一代技术的快速演进，智慧城市、数字政府、工业互联网等应用的迅速发展，数据中心作为数据存储和计算的信息基础设施，其需求也将同步持续增长。IDC预计，全球对于数据中心的建设投资将保持加速增长状态，从建设数量来看，2022—2026年，全球新建数据中心数量将以8.6%的年复合增长率（CAGR）增长。 国务院总理李强在北京调研时明确指出：“人工智能是发展新质生产力的重要引擎。要加强前瞻布局，加快提升算力水平，推进算法突破和数据开发使用，大力开展‘人工智能+’行动，更好赋能千行百业”。 服务器是数据中心中的一部分，负责执行具体的计算和存储任务，数据中心则提供了一个更加全面和集中的环境，用于管理和运营这些服务器和其他IT设备。服务器根据场景需求变化，目前市场格局为传统服务器、云服务器、AI服务器和边缘服务器四足鼎立。受益于“互联网+”、大数据战略、数字经济等国家利好政策的驱动，超大规模数据中心、传统企业以及用户对AI、混合云等新兴应用的采购需求更趋旺盛，为服务器、集成电路等相关产业带来发展机遇。国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，并助推AI服务器市场及出货量高速增长。据IDC与浪潮信息的数据显示，2023年全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2026年达347亿美元，5年CAGR达到17.3%；预计2025年中国AI服务器市场规模达到103.4亿美元。 以SGTMOSFET、SJMOSFET、GateDriver、DrMOS为代表的功率半导体在服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等服务器重要部件中有广泛应用，服务器电源对硅的替代也取得了进展。目前国产服务器厂商在全球市场份额占比超35%，其市场规模及占有率的提升给中高端国产功率器件带来广阔空间。 工控自动化：细分领域迎来爆发式发展 根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比36%，是功率半导体最大的应用领域，该领域涉及细分行业广泛，2024年无人机、智能机器人、电动工具等细分领域迎来高速增长。 2024年，中央及地方关于低空经济的行业支持政策密集出台，《无人驾驶航空器飞行管理暂行条例》正式施行，进一步完善了政策法规，提升了保障措施，强化了市场开发力度；由工业和信息化部、科学技术部、财政部、中国民用航空局于2024年3月27日印发的《通用航空装备创新应用实施方案（2024-2030）》，为低空经济的发展提供了坚实的政策保障，并明确了发展目标和具体任务；2024年7月21日，党的二十届三中全会通过的《中共中央关于进一步全面深化改革、推进中国式现代化的决定》中再次提及发展通用航空和低空经济。无人机(消费级、工业级)、直升机、eVTOL(电动垂直起降飞行器)等低空经济相关产品将具有更广阔的市场前景。根据PrecedenceResearch预计，2032年全球eVTOL市场规模将达到357.9亿美元左右，2022-2032年10年复合增长率为12.4%。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空经济对功率半导体提出了高能量密度、轻量化、高安全、超级快充的需求，公司与布局低空经济产业的相关客户形成合作，公司的MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中均有应用，部分客户已经实现大批量销售。公司将紧抓行业机会，持续稳定提供高可靠性的产品，与头部客户进一步深化合作。 智能机器人广泛应用于工业、服务、家庭、医疗等多个领域，从工业生产线到家庭服务，从医疗手术到太空探索，智能机器人正以惊人的速度重塑人类生产与生活方式。我国智能机器人产业正在蓬勃发展，凭借政策支持、技术创新和庞大的市场需求，迅速跻身全球科技竞争的前沿阵地。2024年，我国智能机器人产业实现营收146.4亿元，同比增长42.3%，连续两年保持40%以上的增速。2025年，智能机器人产业将迎来技术突破与规模化落地的关键节点。具身智能作为人工智能与机器人学交叉领域的重要发展方向，强调实体设备与智能决策的深度结合，预计将在未来几年内实现重大跃升。智能机器人的长期趋势是智能决策与执行，可以让人类彻底解放双手，但目前来看，短时间内还是难以实现，在未来10年或者5年内，智能机器人在技术方面更多的还是以完善为主。艾瑞咨询预测，2021年-2025年国内智能机器人市场规模的年平均复合增长率将达到40%，2023年，除家用机器人外，工业机器人的市场规模大约在534亿元左右，2025年市场规模近千亿元。随着智能机器人市场的崛起，公司已有多款产品进入智能机器人应用中，并获得头部客户的认可及批量订单，公司将持续加强新品对应，紧跟客户新需求，推动该领域销售进一步提升，同时机器人应用场景不断丰富，公司长期看好下游发展并积极布局。 在工业生产中，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等应用中扮演着核心角色，可以精确控制电机的速度和扭矩，从而实现节能和提升效率。通过使用IGBT和MOSFET等功率半导体组件，这些应用不仅提高了能源使用效率，而且还优化了运行性能。 光伏储能：库存改善、市场回暖 随着全球制定“碳达峰、碳中和”目标，带来了更多绿色能源发电、储能需求，我国能源安全保障能力持续增强，能源绿色低碳转型步伐不断加快，尤其是以光伏为代表的新能源产业。2024年全球光伏预测新增装机为462GW，中国贡献了超过60%的份额，进一步巩固了其在全球光伏市场的主导地位。根据国家能源局数据，2024年全国光伏新增装机达277.17GW，同比增长约28%，其中集中式光伏159GW，分布式光伏118GW，超过了中国光伏行业协会的预期。2024年12月单月新增装机高达70.87GW，占全年新增装机的26%，成为推动全年数据增长的关键因素。国家能源局的政策支持以及光伏产业链价格的触底反弹，进一步刺激了企业的装机积极性。尽管2024年光伏新增装机增速有所放缓（从2023年的148%降至28%），但中国光伏市场仍处于稳步增长阶段。未来，随着技术进步和政策支持，光伏行业有望继续保持增长，但增速可能趋于平稳。 中国是全球最大的光伏市场，同时中国光伏企业在国际市场上竞争优势明显，出口量持续增长。作为光伏发电系统的核心设备，逆变器的作用是将光伏组件产生的直流电转换为满足电网要求的交流电，是光伏系统中重要的平衡系统部件之一。全球光伏逆变器出货量靠前的企业均为中国企业，占全球光伏逆变器总出货量的大部分，且呈现向头部集中的趋势。尽管逆变器海外市场受库存积压、政策及经济形势波动的影响，导致不确定性和贸易性较高，但我国逆变器企业正加快拓展海外市场。根据中国海关总署数据显示，2024年我国光伏逆变器累计出口82.6亿美元，同比下降17%。欧洲仍是主要需求地区，去库进入尾声，中东、非洲、拉美等新兴市场表现亮眼，成为了我国逆变器企业出海的重要目的地。2024年，我国出口亚洲市场的逆变器金额201亿元，同比增速31%；出口拉美市场的逆变器金额75亿元，同比增长27%。2025年初，光伏市场显著回暖，亚非市场增长强劲，欧洲需求回调，逆变器出口韧性显现。 IGBT器件及模块、中高压MOSFET、碳化硅等功率器件是光伏逆变器的核心零部件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，决定着光伏逆变器的性能高低，直接影响光伏系统的稳定性、发电效率以及使用寿命，是逆变器的心脏，其市场规模将随下游装机量增加同步增长。 IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同的光伏电站需要的IGBT产品略有不同，如集中式光伏主要采用IGBT模块，而分布式光伏主要采用IGBT单管或模块。 泛消费及其他市场稳步增长 功率半导体广泛应用于各种消费电子及智能家居产品中，比如电机驱动、电源适配器、电源供应器和LED照明系统。在家庭中，从微波炉到电磁炉，再到洗衣机等各种家用电器，都需要依赖功率半导体来控制电力的使用，控制和转换电力，以满足这些设备对电能的精确要求，而且能够提高能效和减少待机能耗。根据TrendForce统计，全球功率半导体下游应用中，消费电子占比19%，其巨大市场规模成为功率半导体稳定的基本盘。 2024年7月25日，国家发展改革委、财政部印发《关于加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新的若干措施》的通知，文件提出统筹安排3000亿元左右超长期特别国债资金，加力支持大规模设备更新和消费品以旧换新。加大设备更新支持力度方面，提出将支持范围扩大到能源电力、老旧电梯等领域设备更新以及重点行业节能降碳和安全改造，并结合实际动态调整；提高农业机械报废更新补贴标准；提高设备更新贷款财政贴息比例。加力支持消费品以旧换新方面，提出支持地方提升消费品以旧换新能力；提高汽车报废更新补贴标准；支持家电产品以旧换新；落实废弃电器电子产品回收处理资金支持政策。在国家政策的催化下，消费品领域的市场空间有望进一步释放。 三、报告期内公司从事的业务情况 1、主要业务 公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。 公司凭借多年技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号近4000款，电压覆盖12V~1700V全系列，重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。 2、经营模式 公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。 3、市场地位 公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据Omdia统计数据，2021年国内MOSFET市场销售额排名中，含英飞凌、安森美等国际厂商在内公司排名第5，其中在设计领域公司名列第一。2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强，公司是上榜的唯一一家中国功率半导体设计公司。 四、报告期内核心竞争力分析 √适用□不适用 1、研发实力优势 自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有240项专利（其中发明专利119项、美国专利2项），集成电路布局图44项，软件著作权1项，相关发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。 公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品、基于RISC-V内核的MCU及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。 2、产品系列优势 公司目前主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，形成了十二大产品平台，除上述四个成熟产品线外，还包括车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU，为客户提供多元化解决方案。公司已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能、汽车、工业等领域的单管产品外，IGBT模块产品目前已经实现小规模销售；在化合物半导体领域，公司的SiCMOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaNHEMT部分产品开发完成并通过可靠性测试。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。同时，公司引进高端人才，新增开发多款将数字、模拟、功率半导体三大领域的技术单芯片集成电机驱动IC芯片和电源管理IC芯片以不断丰富产品品类，加快搭载基于RISC-V内核的MCU芯片及数模混合产品。截至目前，公司已拥有近4000款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。 3、产品品质优势 公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力等国内外领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、日月光（ASX.US）、长电科技（600584）、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。 4、产业链协作优势 产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。 公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。 5、进口替代优势 国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与英飞凌等国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。 6、品牌和客户优势 公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过领先的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入新能源汽车和充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、高端工控等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。 2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强，公司作为上榜的唯一一家中国功率半导体设计公司，展现了强大的品牌影响力和客户认可度。 7、人才优势 公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。报告期内，公司设立海外全资子公司，引进和培养高端功率集成电路领域的专业人才，制定适宜当地情况的激励机制，快速组建精悍团队，同时建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升国内外人才团队技术素养水平。 公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。 五、报告期内主要经营情况 报告期内，公司共实现营业收入182,842.40万元，较去年同期增长23.83%；其中主营业务收入182,084.70万元，较去年同期增加23.80%；归属于上市公司股东的净利润43,457.60万元，较去年同期增长34.50%。业绩变化的主要原因系：在经济复苏的大背景下，公司下游行业景气度温和回升，功率半导体的国产替代趋势进一步加强，客户国产化率诉求提升，各大晶圆代工厂产能接近满载，部分功率半导体公司产品价格得到修复，库存持续优化，逐步走出2023年周期的谷底。 但同时，随着中美贸易摩擦持续升级，全球半导体市场的竞争加剧。国产品牌竞争激烈、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到降低利润预期，与中国半导体品牌开展价格竞争，基于此，公司积极应对市场变化和响应客户需求，积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会，利用技术和产品优势、产业链优势等，持续优化产品结构、市场结构和客户结构，将产品大量销售至新能源汽车和充电桩、AI服务器和数据中心、智能机器人、无人机、光伏储能等领域头部客户，进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。（未完）  |