[年报]拓荆科技(688072):2024年年度报告
原标题:拓荆科技:2024年年度报告 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在本报告中详细阐述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人刘静、主管会计工作负责人杨小强及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案公司拟以实施权益分派股权登记日的总股本扣除回购专用证券账户中股份后的股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利2.70元（含税）。截至2025年3月31日，公司总股本为279,729,118股，扣除公司回购专用证券账户中的1,267,894股后的股份为278,461,224股，以此计算合计拟派发现金红利75,184,530.48元（含税），不进行资本公积转增股本，不送红股。本年度公司现金分红占本期归属于上市公司股东的净利润比例为10.93%，占本期实现的可供分配利润的比例为10.93%。 如在实施权益分派的股权登记日前，公司总股本发生变动，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例，并将另行公告具体调整情况。 公司第二届董事会第十五次会议和第二届监事会第十四次会议审议通过了《关于公司2024年度利润分配方案的议案》，并同意将上述议案提交至公司2024年年度股东大会审议，经批准后实施。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十三、 其他 □适用√不适用 目录 第一节 释义......................................................................................................................................4 第二节 公司简介和主要财务指标..................................................................................................8 第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................13 第四节 公司治理............................................................................................................................67 第五节 环境、社会责任和其他公司治理....................................................................................92 第六节 重要事项..........................................................................................................................103 第七节 股份变动及股东情况......................................................................................................136 第八节 优先股相关情况..............................................................................................................146 第九节 债券相关情况..................................................................................................................146 第十节 财务报告..........................................................................................................................147
一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
(一)公司股票简况 √适用□不适用 公司股票简况
□适用√不适用 五、其他相关资料
(一)主要会计数据 单位：元 币种：人民币
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用□不适用 1、公司营业收入持续高速增长，2018年至2024年复合增长率达到96.79%。公司持续拓展产品布局，一方面加快产品迭代，另一方面推出有市场竞争力的新产品，业务规模不断扩大，报告期公司营业收入达到410,345.39万元，同比增长51.70%。 在薄膜沉积设备方面，实现产品销售收入386,272.46万元，同比增长50.29%。其中，PECVD系列产品作为公司核心产品，持续保持竞争优势，扩大量产规模，销售收入创历史新高；ALD系列产品凭借国内工艺覆盖率领先的优势，ALDSiCO、SiN、AlN等工艺设备获得重复订单并已实现出货，持续扩大量产规模；HDPCVD系列产品自通过客户端验证后，逐步放量；SACVD系列产品持续拓展应用领域，量产规模不断扩大；FlowableCVD系列产品取得了突破性进展，本年实现首台的产业化应用且复购设备再次通过验证。 在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，实现产品销售收入9,566.85万元，同比增长48.78%，其中：晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备获得重复订单并扩大产业化应用，新推出的键合套准精度量测设备及键合强度检测设备通过客户验证。 随着公司产品及工艺覆盖度的持续提升，市场渗透持续加强，客户及市场认可度不断提升，客户群体进一步扩大，销售订单大幅度增长，截至报告期末，公司在手订单金额约94亿元，为后续业绩增长提供有力保障。 2、报告期公司实现归属于上市公司股东的净利润68,815.47万元，同比增长3.86%，主要原因为：1）公司继续加大研发力度，保持细分领域内产品技术领先，不断丰富薄膜沉积设备及应用于三维集成领域设备产品的品类，拓宽工艺应用覆盖面，在新产品、新型平台的研发、验证及产业化应用等方面均取得了突破性成果。PECVDBianca产品，以及基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备，实现了批量出货，陆续通过客户验证。2024年研发投入75,597.63万元，同比增加18,002.75万元，增长31.26%。2）报告期公司毛利率为41.69%，同比降低5.43个百分点，主要由于新产品及新工艺的收入占比大幅度增加，新产品及新工艺在客户验证过程成本相对较高，毛利率下降。 3、报告期公司经营活动产生的现金流量净额-28,252.53万元，较上年同期-165,734.27万元大幅度收窄。主要原因为报告期销售商品、提供劳务收到的现金达到541,581.11万元，较上年同期增加263,048.18万元，增长94.44%，其中预收货款对应的合同负债期末达到298,273.65万元，较2023年末的138,152.46万元增加160,121.19万元，增长115.90%。 4、报告期末总资产较期初增长53.61%，主要系在手订单增加，业务规模扩大，存货大幅增长。 公司报告期出货超过1,000个设备反应腔，期末发出商品余额416,405.86万元，较2023年末193,387.32万元增长115.32%，为后续收入增长奠定良好基础。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 八、2024年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
□适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
□适用√不适用 十、非企业会计准则财务指标情况 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
选取剔除股份支付费用后的利润指标,主要基于以下考虑： 1、股份支付费用虽然按照企业会计准则的要求需在授予期内进行分期确认，但该股份支付费用并不直接影响公司的现金流状况； 2、还原企业真实经营业绩，有利于各公司间财务数据对比。剔除股份支付费用可消除各公司股权激励政策存在的差异影响，更客观地反映公司的实际经营成果，使各公司的财务数据更具横向可比性。 选取的非企业会计准则财务指标或调整项目较上一年度发生变化的说明□适用√不适用 该非企业会计准则财务指标本期增减变化的原因 无 十一、采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
√适用□不适用 根据《上市规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号—规范运作》及《拓荆科技股份有限公司信息披露暂缓与豁免业务管理制度》等相关规定，公司部分信息因涉及敏感信息已申请豁免披露，并已履行公司内部相应审核程序。 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 集成电路产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。 伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。面对新兴市场需求的不断涌现，高端半导体设备需要持续迭代创新，不断提升产品性能，以满足市场对于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路需求，同时，也产生了巨大的半导体设备市场空间。根据SEMI统计，2024年全球半导体设备销售额达到1,171亿美元，相较2023年的1,063亿美元增长10%，并持续保持增长态势，预计2025年销售额将达到1,215亿美元，2026年预计达到1,394亿美元的新高。 数据来源：SEMI 中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备 带来了广阔的市场空间，尤其是在终端市场强劲需求和新兴产业快速发展的拉动下，对半导体设 备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI统计，2024年中国大陆半导体设备销售额达到496亿 美元，同比增长35%，连续第五年成为全球最大半导体设备市场。近年来，在复杂多变的国际形 势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术 迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，产业链逐步完善，并加快先进技术领域的布局，为 国内高端半导体设备厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。数据来源：SEMI 在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备， 决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯 片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不 同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2024年晶圆制造设备 销售额达到约1,042亿美元，约占总体半导体设备销售额的90%。而根据历史年度统计，薄膜沉 积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2024年全球薄膜沉积设备市场规模约 为230亿美元。 全球半导体设备及晶圆制造设备占比情况数据来源：SEMI、同行业公司定期报告 公司自设立以来，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。 在薄膜沉积设备方面，公司凭借十余年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了以PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及FlowableCVD（流动性化学气相沉积）薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，主要应用及薄膜材料如图示： 在逻辑芯片中的主要应用图示在3DNAND存储芯片中的主要应用图示在DRAM存储芯片中的主要应用图示随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工艺极限已 无法实现性能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术则是这一技 术创新和发展趋势的关键驱动力，而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域 的核心设备。 面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域， 研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用 的量检测设备。先进键合技术根据堆叠的方式不同分为晶圆对晶圆键合和芯片对晶圆键合，主要 应用如图示： 在三维集成领域的主要应用图示报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持以创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。 1、主要经营情况 报告期内，公司不断突破核心技术，加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用，并取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，公司新签销售订单及出货金额均同比大幅增加，营业收入维持高增长趋势。2024年度，公司实现营业收入410,345.39万元，同比增长51.70%；实现归属于上市公司股东的净利润68,815.47万元，同比增长3.86%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润35,613.79万元，同比增长14.10%。 截至2024年12月31日，公司总资产1,531,416.61万元，较期初增长53.61%；归属于上市公司股东的净资产528,015.44万元，较期初增长14.94%。公司资产质量良好，财务状况稳健。 2、公司产品研发及产业化进展情况 报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，研发投入金额达到75,597.63万元，同比增长31.26%，研发投入占营业收入比例达18.42%。公司通过高强度的研发投入，保持细分领域内产品技术领先，同时，不断丰富薄膜沉积设备及三维集成设备产品的品类，拓宽工艺应用覆盖面，在新产品、新型平台研发、验证及产业化应用等方面均取得了突破性成果。 在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面，并拓展了应用于芯片沟槽填充的新产品FlowableCVD设备；开发的PECVDBianca产品，以及基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备，实现了大批量出货，陆续通过客户验证；公司是集成电路领域国产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，推出的ALDSiCO、SiN、AlN等工艺设备已实现大量出货，持续扩大量产规模，此外，研发了ALD新型设备平台（VS-300T），该平台具有业界领先的坪效比和最低的拥有成本(COO)，满足客户高性能需求的同时，为客户节约成本。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。 在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，公司晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备获得重复订单并扩大产业化应用，同时，公司自主研发并推出了新产品晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测设备及键合强度检测设备，致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。 随着公司先进产品不断迭代升级，设备出货量实现了大幅攀升。2024年度，公司设备反应腔出货超过1,000个。截至报告期末，公司累计出货超过2,500个反应腔（包括超过220个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产线。 报告期内，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告披露日，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破2.96亿片 公司薄膜沉积设备累计流片量（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况 PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。 公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UVCure产品：
PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括SiO、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包2 括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si等）均已实现产业化应用，广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。 公司自主研发并推出了PECVDBianca工艺设备，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。报告期内，公司PECVDBianca工艺设备已通过客户验证，实现了产业化应用。截至报告期末,累计超过40个PECVDBianca工艺设备反应腔已出货至客户端。 公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM、LoK-Ⅱ等先进工艺设备实现了批量出货，并陆续通过客户验证，满足客户在先进技术更新迭代过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至报告期末，累计超过220个反应腔出货至客户端。 公司开发并推出了用于新型功率器件领域SiC器件制造中的SiO、SiN、TEOS、SiON等薄2 膜工艺PECVD设备，已实现产业化应用，报告期内，该产品持续获得客户重复订单并出货。 公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在三维集成领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货并扩大量产规模。 公司在NF-300H基础上，再次开发了更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔，每次可以同时处理24片晶圆。目前NF-300MSupra-H设备已完成样机研发，可以沉积多层氧化硅和氮化硅叠层介质材料薄膜，实现高均匀性和多种薄膜工艺集成，满足先进存储芯片制造领域最先进的生产需求。 ②UVCure产品 UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。 公司UVCure设备与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UVCure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大量产应用规模，截至报告期末，累计超过30个反应腔出货至客户端。 （2）ALD系列产品研发及产业化进展情况 ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。 公司ALD系列产品主要类型如下：
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。 报告期内，公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用，在新工艺拓展方面取得了突破性进展。公司自主研发的低介电常数SiCO薄膜工艺设备获得多台不同客户订单并出货，已通过客户验证，实现了产业化应用，该薄膜工艺设备主要用于先进逻辑芯片和存储芯片中的低介电隔离层；PE-ALDSiN工艺设备（PF-300TAstra）通过客户验证，实现了产业化应用。 此外，公司研发了新型设备平台（VS-300T），该平台具有业界领先的坪效比和最低的拥有成本(COO)，满足客户高性能需求的同时，为客户节约成本。报告期内，基于该平台研发的ALDSiO2薄膜工艺设备已出货，可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移，以及先进封装TSV隔离层等，具有优异的片内均匀性等关键指标。 截至报告期末，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设2 备均已实现产业化应用，并逐步扩大量产规模，凭借其优异的性能表现，目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。 ②Thermal-ALD产品 Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。 公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Thermal-ALDAlO、AlN等工2 3 艺设备持续出货至客户端，包括集成工艺设备Thermal-ALD（TS-300Altair），该设备不仅具有高产能的特点，并可以实现在同一台设备中沉积Thermal-ALDAlN及PECVDADC-II薄膜。此外，公司持续拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，扩大金属及金属化合物薄膜材料应用，整体进展顺利。 （3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况 SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。 在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。 公司SACVD系列产品主要类型如下：
（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况 HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。 HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。 公司HDPCVD系列产品主要类型如下：
（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况 FlowableCVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之一。FlowableCVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。 公司FlowableCVD系列产品主要类型如下：
（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况 三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。 报告期内，公司逐步完善应用于三维集成领域的半导体设备布局，包括先进键合产品及配套的量检测产品，主要产品如下：
晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。 报告期内，该产品持续获得客户重复订单，扩大量产应用规模。 ②晶圆对晶圆熔融键合产品 晶圆级熔融键合设备可高效实现非电气连接的晶圆间键合，将两个平整的晶圆自然连接键合，其特点是晶圆在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，晶圆在室温下接合。 公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300F，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备优异的产能表现。报告期内，该产品已获得客户订单。 ③芯片对晶圆键合前表面预处理产品 芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。 公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得客户重复订单，扩大量产应用规模。目前该产品是国内唯一应用在芯片对晶圆生产线上的同类型设备。 ④芯片对晶圆混合键合产品 芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技术是在晶圆对晶圆混合键合的基础上，还需实现芯片的高精度选取和放置技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。 公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。报告期内，该产品已获得客户订单并出货。 ⑤键合套准精度量测产品 键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原理实现量测功能。 公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。报告期内，该产品已通过客户验证。（未完）  |