[年报]艾森股份(688720):2024年年度报告

时间:2025年04月26日 01:50:30 中财网

原标题:艾森股份:2024年年度报告

公司代码:688720 公司简称:艾森股份
江苏艾森半导体材料股份有限公司
2024年年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是√否
三、重大风险提示
报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅“第三节管理层讨论与分析:四、风险因素”部分内容。

四、公司全体董事出席董事会会议。

五、上会会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

六、公司负责人张兵、主管会计工作负责人吕敏及会计机构负责人(会计主管人员)梅瑜声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案鉴于公司(1)2024年半年度已派发现金红利3,952,901.75元(含税);(2)2024年度以现金为对价,采用集中竞价交易方式累计回购公司股份1,438,592股,回购支付的资金总额为60,014,144.30元(不含印花税、交易佣金等交易费用),根据《上市公司股份回购规则》有关规定,上市公司以现金为对价,采用要约方式、集中竞价方式回购股份的,视同上市公司现金分红,纳入现金分红的相关比例计算;综上,公司2024年度已实现现金分红总额为63,967,046.05元,占本年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的191.07%,占母公司截至2024年12月31日可供分配利润的52.68%。

根据《关于进一步落实上市公司现金分红有关事项的通知》《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》《公司章程》等相关规定,综合考虑公司发展战略、经营现状、资产规模、盈余情况、未来投资计划及资金需求等因素,为促进公司持续健康发展,增强抵御风险的能力,维护全体股东的长远利益,提议2024年度利润分配方案为:不派发现金红利,不送红股,不进行公积金转增股本。

上述利润分配预案已经公司于2025年4月25日召开的第三届董事会第十五次会议和第三届监事会第十一次会议审议通过,尚需提交2024年年度股东大会审议。

八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意相关风险。

十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况

十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义...................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标..................................................................................................7
第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................12
第四节 公司治理............................................................................................................................54
第五节 环境、社会责任和其他公司治理....................................................................................69
第六节 重要事项............................................................................................................................79
第七节 股份变动及股东情况......................................................................................................107
第八节 优先股相关情况.............................................................................................................. 116
第九节 债券相关情况.................................................................................................................. 116
第十节 财务报告.......................................................................................................................... 117

备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人 员)签名并盖章的财务报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
艾森股份/本公 司/公司江苏艾森半导体材料股份有限公司
艾森世华昆山艾森世华光电材料有限公司,公司全资子公司
南通艾森艾森半导体材料(南通)有限公司,公司全资子公司,公司募投项目 “年产12,000吨半导体专用材料项目”实施主体
新加坡艾森INOFINEPTE.LTD.,公司全资子公司
INOFINEINOFINECHEMICALSSDNBHD,公司控股子公司
艾森投资昆山艾森投资管理企业(有限合伙)
世华管理昆山世华管理咨询合伙企业(有限合伙)
芯动能北京芯动能投资基金(有限合伙)
上海成丰上海成丰股权投资有限公司
鹏鼎控股鹏鼎控股(深圳)股份有限公司
屹唐华创北京屹唐华创股权投资中心(有限合伙)
云栖创投杭州云栖创投股权投资合伙企业(有限合伙)
士兰创投杭州士兰创业投资有限公司
保腾顺络深圳保腾顺络创业投资企业(有限合伙)
和谐海河天津和谐海河股权投资合伙企业(有限合伙)
苏民投资苏民无锡智能制造产业投资发展合伙企业(有限合伙)
海宁艾克斯海宁艾克斯光谷创新创业投资合伙企业(有限合伙)
芯沛投资共青城芯沛投资合伙企业(有限合伙)
小橡呈财上海小橡呈财创业投资合伙企业(有限合伙)
赛橡投资苏州赛橡股权投资合伙企业(有限合伙)
秋晟资产上海秋晟资产管理有限公司
朗玛投资朗玛三十九号(深圳)创业投资中心(有限合伙)
国发创投苏州国发科技创新投资企业(有限合伙)
南通中金启江南通中金启江股权投资合伙企业(有限合伙)
家园1号资管计 划华泰证券资管-宁波银行-华泰艾森股份家园1号科创板员工持股集 合资产管理计划
华泰创新华泰创新投资有限公司
京东方创投天津京东方创新投资有限公司
陶氏化学DowChemicalPacificLtd.及其下属子公司
美国杜邦DuPontdeNemours,Inc.及其下属子公司,系陶氏化学和杜邦公司合 并后重新拆分
日本JSR日本合成橡胶公司及其下属子公司
德国默克、德国 MerckMerckKGaA及其下属子公司
华虹宏力上海华虹宏力半导体制造有限公司
京东方京东方科技集团股份有限公司及其下属子公司
长电科技江苏长电科技股份有限公司及其下属子公司
通富微电通富微电子股份有限公司及其下属子公司
华天科技天水华天科技股份有限公司及其下属子公司
芯片、集成电路IntegratedCircuit,缩写作IC;或称微电路(microcircuit)、微芯
(IC) 片(microchip)、晶片/芯片(chip),在电子学中是一种将电路小 型化的方式。IC是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一 个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起, 制作在半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有 所需电路功能的微型结构
晶圆(wafer)硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶 圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功 能的集成电路产品
半导体广义的半导体产业包括集成电路、平板显示、太阳能光伏、半导体照 明等行业,上述行业均应用了半导体制造工艺
被动元件无源器件,主要包括电阻,电容,电感等
新型电子元件传感器、片式元器件、光电子器件等
传统封装先将晶圆片切割成单个芯片再进行封装的工艺,主要包括单列直插封 装(SIP)、双列直插封装(DIP)、小外形封装(SOP)、小晶体管外 形封装(SOT)、晶体管外形封装(TO)、双平面无引脚封装(DFN)、 方形扁平无引脚封装(QFN)、方型扁平式封装技术(QFP)等封装形 式
Turnkey一站式或交钥匙解决方案,指将特定电子化学品与配套试剂或材料搭 配形成复配产品,并与具体应用工艺方案和工艺控制、现场服务相结 合成整体解决方案,买家购买后可以立即上线使用
湿化学品微电子、光电子湿法工艺制程中使用的各种电子化工材料
电镀液可以扩大金属的阴极电流密度范围、改善镀层的外观、增加溶液抗氧 化的稳定性等特点的液体;通常由主盐、导电盐、添加剂及溶剂等构 成
高温回流焊贴片安装工艺,通过重新熔化预先分配到PCB焊盘上的焊料实现器件 与PCB的机械和电气连接,气体在焊机内循环流动产生高温从而达到 焊接目的,温度一般达到260℃
光刻通过涂胶、曝光、显影等工艺,利用化学反应进行微细加工图形转移 的技术工艺
显影使已曝光的感光材料显出可见影像的过程
蚀刻将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。通过曝光制版、 显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到 溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果
先进封装处于前沿的封装形式和技术。目前,带有倒装芯片(FC)结构的封装、 晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、2.5D封装、3D封装等均被 认为属于先进封装范畴
Bumping一种先进封装工艺,在晶圆表面制作凸点以实现芯片电气连接, Bumping工艺提高封装密度,具有高性能、高可靠性的特点
RDLRe-distributed layer,重布线层,一种先进封装工艺。在晶圆表面 沉积金属层和相应的介质层,并形成金属布线,对I/O端口进行重新 布局,将其布局到新的、占位更为宽松的区域
TSVThroughSiliconVia,硅通孔技术
光刻胶经光照后,在曝光区能很快地发生光交联或者光分解反应,使树脂的 溶解度发生变化的耐蚀刻涂层材料。光刻胶是利用化学反应进行微细 加工图形转移的媒体,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶 剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体
正性光刻胶正胶经过曝光后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被溶解, 只留下未受光照部分形成图形
负性光刻胶负胶经过曝光后,受到光照的部分变得不易溶解,经过显影后,留下 光照部分形成图形
摩尔定律集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过24个月便会增加一倍
OLEDOrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管
阵列制造半导体显示前段制程,将薄膜电晶体制作于玻璃上,主要包含成膜、 微影、蚀刻和检查等步骤
两膜层、全膜层应用于OLED像素阵列全部使用光刻胶制作的层次。OLED像素阵列的制 作以干法制程为主,由包括门极、栅极、绝缘层、阳极等多层结构组 成,根据工艺的不同一般为4~7层,涉及使用光刻胶的具体层次包括 GE1(栅极1)、GE2(栅极2)、ILD(栅绝缘层)、PV(钝化层)、 SD1(源极漏极1)、SD2(源极漏极2)、AND(阳极),两膜层指应 用于其中两个膜层的应用
PCBPrintedCircuitBoard,印刷电路板,是电子元器件的支撑体,并为 电子元器件提供电气连结
HDIHighDensityInterconnect,即“高密度互连”,一种采用细线路、 微小孔、薄介电层的高密度印制电路板技术
SLPSubstrate-likePCB,指类载板,接近用于半导体封装的IC载板
TFT-LCDThinfilmtransistorliquidcrystaldisplay,薄膜晶体管液晶显 示器
报告期2024年1月1日至2024年12月31日
元、万元、亿元人民币元、万元、亿元
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》《江苏艾森半导体材料股份有限公司章程》
《上市规则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》
股东大会江苏艾森半导体材料股份有限公司股东大会
董事会江苏艾森半导体材料股份有限公司董事会
监事会江苏艾森半导体材料股份有限公司监事会
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所/交易所上海证券交易所
第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称江苏艾森半导体材料股份有限公司
公司的中文简称艾森股份
公司的外文名称JiangsuAisenSemiconductorMaterialCo.,Ltd.
公司的外文名称缩写ASEM
公司的法定代表人张兵
公司注册地址江苏省昆山市千灯镇黄浦江路1647号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址江苏省昆山市千灯镇中庄路299号
公司办公地址的邮政编码215341
公司网址http://www.asem.cn
电子信箱[email protected]
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名陈小华徐雯
联系地址江苏省昆山市千灯镇中庄路299号江苏省昆山市千灯镇中庄路299号
电话0512-501032880512-50103288
传真0512-501031110512-50103111
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名 称及网址中国证券报(www.cs.com.cn)、上海证券报(www.cnstock.com) 、证券时报(www.stcn.com)、证券日报(www.zqrb.cn)
公司披露年度报告的证券交 易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司证券事务部
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板艾森股份688720/
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会计师 事务所(境内)名称上会会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址上海市静安区威海路755号文新报业大厦25楼
 签字会计师姓名耿磊、张扬
报告期内履行持续 督导职责的保荐机 构名称华泰联合证券有限责任公司
 办公地址上海市浦东新区东方路18号保利广场E座
 签字的保荐代表人姓名刘伟、张帅(2024年1月保荐代表人由刘伟、田 来变更为刘伟、张帅)
 持续督导的期间2023年12月6日-2026年12月31日
六、近三年主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2024年2023年本期比上年同 期增减(%)2022年
营业收入432,188,410.38360,039,281.4520.04323,766,288.78
归属于上市公司股 东的净利润33,477,519.5232,657,327.712.5123,284,746.48
归属于上市公司股 东的扣除非经常性 损益的净利润24,391,354.2627,164,699.66-10.2114,403,274.36
经营活动产生的现 金流量净额-24,718,612.25-84,531,832.72不适用-48,497,230.55
 2024年末2023年末本期末比上年 同期末增减(% )2022年末
归属于上市公司股 东的净资产973,971,489.901,016,246,943.63-4.16441,186,438.38
总资产1,244,105,718.421,279,889,093.54-2.80562,255,979.00
(二)主要财务指标

主要财务指标2024年2023年本期比上年同期增 减(%)2022年
基本每股收益(元/股)0.380.49-22.450.35
稀释每股收益(元/股)0.380.49-22.450.35
扣除非经常性损益后的基本每股 收益(元/股)0.280.41-31.710.22
加权平均净资产收益率(%)3.297.17减少3.88个百分点5.37
扣除非经常性损益后的加权平均 净资产收益率(%)2.395.96减少3.57个百分点3.32
研发投入占营业收入的比例(%)10.629.08增加1.54个百分点7.32
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
1、报告期内,受益于国内半导体市场的整体复苏,公司把握市场机遇,聚焦半导体业务,营业收入实现稳步增长。报告期内,公司实现营业收入4.32亿元,同比增长20.04%,主要原因系公司在先进封装领域表现出良好的增长趋势,营业收入增长42.24%,带动总体收入实现增长。其中电镀液及配套试剂同比增长9.67%,光刻胶及配套试剂同比增长37.68%。

2、报告期内,归属于上市公司股东的净利润同比增长2.51%,增长幅度小于收入增长幅度主要原因系:公司深耕半导体行业,坚持自主创新,保持已有配方设计、工艺制备及应用技术等核心技术优势的同时,持续加大在先进封装及晶圆制造领域,尤其光刻胶等高端及“卡脖子”产品的研发投入。报告期内,研发投入同比增长1,321.39万元,增长40.42%,占营业收入的比例为10.62%,较2023年增加1.54个百分点。

归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润同比下降10.21%,主要原因系:(1)报告期内,公司持续加大在先进封装及晶圆制造领域,尤其光刻胶等高端及“卡脖子”产品的研发投入,研发费用同比增长1,321.39万元,增长40.42%。

(2)报告期内,公司加大晶圆领域的市场开拓,销售费用同比增长539.82万元,增长26.83%。

3、报告期内,公司经营活动产生的现金流量净额为负,主要原因系公司票据收款贴现的现金流入计入“筹资活动产生的现金流量-取得借款收到的现金”所致。报告期内,公司经营活动现金净流出较上年同期减少明显,主要原因系公司票据收款贴现业务减少,本期销售商品、提供劳务收到的现金增长幅度大于本期购买商品、接受劳务支付的现金增长幅度。

七、境内外会计准则下会计数据差异
(一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(三)境内外会计准则差异的说明:
□适用√不适用
八、2024年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入81,859,701.74103,937,606.26126,488,393.48119,902,708.90
归属于上市公司股东 的净利润7,510,130.006,229,356.1710,090,728.079,647,305.28
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 后的净利润3,599,134.294,597,138.378,774,003.207,421,078.41
经营活动产生的现金 流量净额-18,259,362.31-15,808,814.88-3,141,068.4512,490,633.39
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
九、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2024年金额附注 (如适 用)2023年金额2022年金额
非流动性资产处置损益,包括已计提 资产减值准备的冲销部分69,597.75二十、1-14,072.22-3,118.47
计入当期损益的政府补助,但与公司 正常经营业务密切相关、符合国家政 策规定、按照确定的标准享有、对公 司损益产生持续影响的政府补助除外6,718,678.00二十、16,036,361.003,163,103.00
除同公司正常经营业务相关的有效套 期保值业务外,非金融企业持有金融 资产和金融负债产生的公允价值变动 损益以及处置金融资产和金融负债产 生的损益4,065,051.92二十、1628,637.971,471,516.67
计入当期损益的对非金融企业收取的 资金占用费- --
委托他人投资或管理资产的损益- --
对外委托贷款取得的损益- --
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而 产生的各项资产损失- --
单独进行减值测试的应收款项减值准 备转回158,626.45二十、1--
企业取得子公司、联营企业及合营企 业的投资成本小于取得投资时应享有 被投资单位可辨认净资产公允价值产 生的收益- --
同一控制下企业合并产生的子公司期 初至合并日的当期净损益- --
非货币性资产交换损益- --
债务重组损益- --
企业因相关经营活动不再持续而发生 的一次性费用,如安置职工的支出等- --
因税收、会计等法律、法规的调整对 当期损益产生的一次性影响- -4,445,218.59
因取消、修改股权激励计划一次性确 认的股份支付费用- --
对于现金结算的股份支付,在可行权 日之后,应付职工薪酬的公允价值变 动产生的损益- --
采用公允价值模式进行后续计量的投 资性房地产公允价值变动产生的损益- --
交易价格显失公允的交易产生的收益- --
与公司正常经营业务无关的或有事项 产生的损益- --
受托经营取得的托管费收入- --
除上述各项之外的其他营业外收入和 支出-20,301.99二十、1-146,001.17-157,610.06
其他符合非经常性损益定义的损益项 目- --
减:所得税影响额1,905,486.87二十、11,012,297.5337,637.61
少数股东权益影响额(税后)- --
合计9,086,165.26二十、15,492,628.058,881,472.12
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用√不适用
十、非企业会计准则财务指标情况
□适用√不适用
十一、采用公允价值计量的项目
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响 金额
交易性金融资产205,224,029.30102,066,701.18-103,157,328.124,065,051.92
合计205,224,029.30102,066,701.18-103,157,328.124,065,051.92
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用√不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
在当前半导体行业蓬勃发展且竞争格局日益复杂的大背景下,公司紧密围绕“一主两翼”发展战略稳步前行,以半导体为核心主业,半导体显示和新能源作为重要支撑。公司围绕电子电镀、光刻这两个半导体制造及封装流程中的关键工艺环节,持续深入开展技术攻坚与产业布局,在半导体先进封装、晶圆制造等关键领域均取得了显著进展。

1、经营业绩情况
2024年,半导体行业在历经阶段性调整后,正逐步迈向新的增长周期,但市场竞争依旧极为激烈。在此环境下,公司始终坚定聚焦主营业务,积极优化运营管理模式,深入调整产品结构,大力推进先进封装、晶圆制造等应用领域的技术升级、产品开发以及市场拓展工作。

2024年,公司实现营业收入43,218.84万元,较上年同期增长20.04%,实现归属于上市公司股东的净利润3,347.75万元,同比增长2.51%。公司营业收入稳定增长,一方面得益于行业整体需求的复苏,尤其是先进封装相关产品的需求增加,有力拉动了公司产品的销量,公司在先进封装领域表现出良好的增长趋势。另一方面,公司凭借在电镀液及光刻胶等核心产品上的技术优势,持续扩大在客户端的市场份额。

2024年,公司电镀液及配套试剂销售收入19,608.44万元,同比增长9.67%。电镀液作为芯片制造过程中的关键材料,其技术迭代迅速且市场需求随行业发展不断攀升。公司通过持续研发投入,使电镀液产品性能持续优化,契合了行业对更高精度、更稳定制程的要求,从而实现销售收入稳步增长。

2024年,公司光刻胶及配套试剂销售收入9,468.74万元,同比增长37.68%。光刻胶作为半导体制造的核心材料,技术门槛极高,近年来随着国内半导体产业自主可控进程的加速,市场对国产光刻胶需求激增。公司在光刻胶研发上取得的一系列突破,有效推动了该板块销售收入的大幅增长。

2、研发情况
半导体行业属于典型的技术密集型产业,技术创新与产品升级换代速度极快。公司始终紧跟前沿科技发展趋势,全力推进国产化产业链建设,围绕自身核心技术,基于产业发展动态及下游客户的多样化需求,在不断提升技术与产品能力的同时积极拓宽产品品类,致力于为客户提供更具竞争力的产品组合及整体解决方案。报告期内,公司技术成果转化能力和产品开发效率显著提高,新产品开发能力和技术竞争实力持续增强。

公司坚定加大在高端及“卡脖子”产品方面的研发投入,2024年研发投入4,590.17万元,较2023年增长1,321.39万元,增长比例40.42%;研发投入占营业收入的比例为10.62%,同比增加1.54个百分点。公司研发人员增至78人,研发人员占员工总人数的比例为37.68%,研发团队规模的持续扩大为公司技术创新提供了坚实的人才保障。2024年,公司新增8项在研项目,核心聚焦于先进封装及晶圆制造领域的电镀液及光刻胶产品。为保障这些研发项目的顺利推进,公司通过多元渠道持续引进半导体行业的精英人才,组建多支专业研发团队,并配备先进的设施设备。

(1)电镀液及配套试剂
在电镀液及配套试剂领域,经过十几年的技术沉淀与经验积累,公司凭借关键核心技术,产品性能整体已与国际竞争对手相当,部分指标甚至超越国外竞品。目前,公司电镀液产品已构建起丰富且极具竞争力的产品矩阵,在传统封装和先进封装领域均实现了全品类覆盖,并成功实现高端应用领域的市场突破。

在先进封装领域,公司先进封装用电镀液及添加剂已实现多款产品量产供应,广泛应用于Bumping和RDL等工艺。例如,电镀铜基液(高纯硫酸铜)已在华天科技、通富微电实现稳定供应,电镀锡银添加剂已通过长电科技的严格认证并取得小批量订单;先进封装用电镀铜添加剂正处于批次稳定性验证阶段。在晶圆制造领域,公司28nm大马士革铜互连工艺镀铜添加剂产品目前处于产品认证后期阶段;5-14nm先进制程的超高纯硫酸钴基液和添加剂在客户端测试进展顺利,晶圆制造铜制程用清洗液已进入量产放大阶段。公司在电镀液产品的技术先进性和市场应用拓展方面处于行业第一方阵。

(2)光刻胶及配套试剂
?先进封装负性光刻胶:产品已覆盖多家主流封装厂,市场渗透率持续提升。后续公司将进一步丰富产品型号,以实现全品类覆盖,不断巩固和扩大在该领域的市场份额。

?晶圆领域PSPI光刻胶:公司自主研发的正性PSPI光刻胶成功获得主流晶圆厂首个国产化订单,打破了美日企业在该领域的长期技术垄断,成为国内首家实现该材料进口替代的企业。自2024年第三季度开始逐步量产,预计2025年将逐步实现规模化出货。同时,公司在PSPI光刻胶方面同步布局了负性PSPI和高感度化学放大型PSPI2025年计划继续推进PSPI产品在先进封装和晶圆厂商的产品认证工作。

?晶圆ICA化学放大光刻胶:在客户端验证测试顺利,部分指标优于国际厂商对标产品,具备良好的市场应用前景。

?OLED高感光刻胶:用于OLED背板阵列黄光工艺制程,在客户端测试中。在OLED领域,公司与京东方就未来合作方向及战略规划达成共识并签署合作协议。双方将进一步深化技术合作研发,共同致力于打造创新产品,推动关键材料国产化进程,实现半导体显示材料自主可控,提升产业整体价值。

?高厚膜KrF光刻胶:公司已组建国内外专家团队布局KrF光刻胶产品,公司高厚膜KrF光刻胶目前处于实验室研发阶段,力求填补国内空白,为提升我国半导体光刻胶技术水平贡献力量。

3、市场应用情况
公司是国内少数能同时覆盖半导体封装、晶圆制造和半导体显示的全链条电子材料公司。随着半导体行业景气度逐步回升,市场需求呈现稳步恢复态势,公司依托在传统封装领域深厚的技术积累与完善的产品布局,相关产品出货量随着行业周期回暖实现持续增长。另外先进封装、晶圆制造领域的市场景气度回升,行业需求逐步企稳并呈现上扬态势,在此趋势下,公司产品不断在先进封装、晶圆制造领域实现技术突破和市场应用,在这两大领域收入呈逐年递增的良好态势,为公司整体业绩增长注入强劲动力。此外在当今科技浪潮中,AI技术呈现出迅猛发展的强劲势头,AI芯片正朝着高算力、高集成的方向演进,制程工艺愈发先进,极大地推动下游需求增长,进而持续拉升HDI板、IC载板等高端PCB需求。公司精准把握这一市场机遇,将优势产品逐步推向高端的PCB(HDI)、IC应用领域,有效提高国产化率。例如公司填孔电镀铜添加剂产品已成功切入IC载板及类载板SLP领域,并已在国内主流载板厂开展验证测试工作。

4、完成海外并购,加快推进全球化战略
在半导体行业全球化竞争日益激烈的形势下,公司积极实施全球化战略布局。报告期内,公司以自有资金收购马来西亚INOFINE公司80%股权,并于2024年12月顺利完成股权交割及工商变更事项,INOFINE成为公司控股子公司。INOFINE公司成立于2009年,作为马来西亚本土较早涉足半导体湿电子化学品业务的企业,在当地市场具有一定的影响力。INOFINE2024年营业收入3,842.34万元,净利润370.47万元,2025年起INOFINE将纳入公司合并报表范围,东南亚及其他海外业务将成为公司未来新的业务增长点。

公司已制定详细的业务整合计划,明确将INOFINE的各项职能融入公司各部门的管理架构,全力推动双方在业务、市场等方面的深度融合,以提升整体组织效能。通过此次并购,公司成功引进具备海外资源与经营管理经验的本土团队,为公司进一步拓展海外市场奠定了坚实基础。未来,公司将充分发挥自身的技术优势、品牌优势、产业链协同优势以及系统化服务优势,持续提升在国际半导体市场的影响力与竞争力,与同行业国际企业展开更有力的竞争。

非企业会计准则业绩变动情况分析及展望
□适用√不适用
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明 (一)主要业务、主要产品或服务情况 1、主要业务基本情况 公司主要从事电子化学品的研发、生产和销售业务,围绕电子电镀、光刻两个半导体制造及 封装过程中的关键工艺环节,形成了电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂两大产品板块布局, 专业致力于为电子行业提供定制化、一站式高端电子化学品及解决方案,聚焦半导体核心材料的 国产化。 2、主要产品基本情况 公司自成立以来,紧抓产业历史机遇,通过持续自主研究开发,不断在关键半导体材料上实 现突破。公司以半导体传统封装的电镀产品起步,逐步掌握了引脚表面处理的全套电子化学品, 具体包括电镀液和电镀前后处理化学品。经过多年努力,公司逐步取代国外材料公司成为传统封 装电镀化学品领域的国内主力供应商,并逐步向先进封装、晶圆制造及显示面板等领域延伸,形 成了电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂两大业务板块。公司是国内少数能同时覆盖半导体封 装、晶圆制造和半导体显示的全链条电子材料公司。(1)电镀液及配套试剂
①电镀液
电镀液是半导体制造过程中的核心材料之一,由主盐、导电剂、络合剂及各类电镀添加剂组成,其中电镀添加剂是影响电镀功能的核心组分。传统封装领域,公司的电镀液产品主要应用于芯片引脚表面镀锡,主要为基于甲基磺酸的电镀体系,系通过电化学方法在集成电路或电子元件引脚表面沉积一层均匀、致密的纯锡镀层,利用锡导电性好、易钎焊的特性实现集成电路、电子元件与印刷电路板之间良好的焊接和导电性能。

在传统封装产品的基础上,报告期内公司电镀液产品逐步向外资厂商垄断的先进封装及晶圆制造领域延伸。随着集成电路中互连层数、先进封装中对RDL和铜柱结构使用的增加,铜互连材料需求将持续增长。公司的先进封装电镀产品主要用于先进封装Bumping工艺凸块的制作,可以实现芯片与晶圆、载板之间的电气连接。公司在晶圆制造领域布局的电镀产品包括28nm制程大马士革铜互连工艺镀铜添加剂、5-14nm先进制程的超高纯硫酸钴基液和添加剂。

②电镀前处理化学品
集成电路或电子元件在进入电镀液以前的加工处理和清理工序总称为电镀前处理(或预处理)。

针对电镀前处理各工艺步骤,公司提供的电镀前处理化学品包括祛毛刺液、除油剂、去氧化剂、活化剂、化抛液等。

③电镀后处理化学品
集成电路或电子元件在电镀后的加工处理和清理工序总称为电镀后处理。电镀后处理化学品主要有两类用途:一类用于提高镀层表面质量及抗腐蚀性,有效提高集成电路或电子元件长期存储、高温回流焊的可靠性;另一类用于对电镀治具上残留的镀层进行退镀,以提高电镀效率。针对电镀后处理各工艺步骤,公司提供的电镀后处理化学品包括中和剂、退镀剂等。

(2)光刻胶及配套试剂
①光刻胶
根据应用领域,光刻胶可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶和集成电路光刻胶(可进一步细分为先进封装和晶圆制造),其技术壁垒依次提升。国产光刻胶发展起步较晚,与国外先进光刻胶技术相比,国内产品仍有较大差距,目前主要集中在PCB光刻胶、TFT-LCD光刻胶等产品,国内集成电路光刻胶及OLED显示面板光刻胶仍由国外企业占据主导地位。

公司以先进封装负性光刻胶、晶圆用PSPI以及OLED阵列制造用光刻胶等特色工艺光刻胶为突破口,覆盖晶圆制造、先进封装及显示面板等应用领域,成功打破国外垄断,并逐步向先进制程延伸,如ICA化学放大光刻胶、KrF光刻胶。

②光刻胶配套试剂
公司光刻胶配套试剂主要应用于先进封装领域。先进封装要求在晶圆划片前融入封装工艺步骤,具体包括晶圆研磨薄化、线路重排(RDL)、凸块制作(Bumping)及三维硅通孔(TSV)等工艺技术,涉及与晶圆制造相似的涂胶、显影、去胶、蚀刻等工序步骤。报告期内,公司应用于先进封装领域光刻胶配套试剂已经实现批量供应,主要产品包括附着力促进剂、显影液、蚀刻液、去除剂等。

(3)电镀配套材料
除电子化学品外,公司还可以提供电镀工艺配套的锡球、镍饼等阳极金属材料及阳极袋、退镀用胶条等辅材,以满足客户的整体需求。公司销售的锡球主要采用外协加工模式。

(二)主要经营模式
1、销售模式
公司产品销售为直销模式。公司建立了较为完善的市场营销体系,与国内多家知名半导体封测厂商、晶圆制造厂建立了长期、稳定的合作关系。公司的产品销售流程包括了解客户需求、取得测试机会、通过客户认证、通过终端客户测试(如有)、小规模量产(如有)及批量供货。

公司有能力为客户提供Turnkey整体解决方案,即除了提供实现特定功能相匹配的电子化学品及配套材料外,还能够提供与产品相适应的应用工艺方案和技术支持等,使得相关产品能够适配不同客户的产线标准和生产工艺,满足下游产品的功能、质量要求。

按照公司向客户交货及结算模式,可以分为非寄售模式和寄售模式两类。非寄售模式下,根据销售合同或订单约定,公司将商品发运至客户指定地点并经客户确认收货时实现销售;寄售模式下,公司根据销售合同或订单的约定将商品发运至客户指定地点,在客户实际领用时实现销售。

2、采购模式
采购环节是公司品质控制和成本控制的关键环节。公司制定了《采购控制程序》《供应商管理办法》等制度对采购活动进行严格控制。

采购管理部负责开发供应商,组织对供应商的评审,建立合格供应商名录和档案,定期对供应商进行评定,及时调整合格供应商名单,实施动态管理。采购部门根据产品生产计划、库存情况、物料需求等向供应商下发采购订单。公司基于市场行情、向供应商询价以及商业谈判的方式最终确定采购价格。

3、生产模式
公司主要按照以销定产的总体原则安排生产计划,分为按计划生产和按需生产两种生产模式。

在按计划生产的模式下,公司根据客户销售需求,综合考虑安全库存量和生产能力,制定生产计划。计划人员会根据近三个月的销售情况与销售部门确认后制定生产计划,一般情况下公司制定的生产计划能够满足客户的定期下单需求。按需生产的模式,是指在客户临时加单的情况下,公司根据临时加单的需求,针对性安排额外的生产计划。

4、研发模式
公司研发流程主要包括以下过程:
(1)研发立项阶段
研发部门设立年度/月计划,以对研发项目实施总体规划。研发项目因市场调研情况及产品规划开立课题,由各产品事业部或研发部负责人收集信息、分析需求,并出具相关的需求报告,经研发总监或总经理审核通过后提交管理层会议审议,审议通过后进行相应的项目立项。项目通过可行性评估后,签发研发任务给到研发部。研发部负责人确定项目负责人,研发任务转化为研发计划。

(2)研发需求确认阶段
项目负责人根据研发计划的规划,确定研发的需求,主要包括以下内容:①产品的主要性能指标,主要来源于应用需求;②法律法规及国家相关强制性标准;③历史类似研发项目积累的适用信息;④新产品安全性和适用性至关重要的特性要求,如安全、包装、运输、贮存、环境、卫生等。

(3)产品设计及实验室小试阶段
项目负责人根据研发需求,在实验室内组织开展配方设计及测试评估工作,并根据测试结果优化调整配方。

(4)样品试制及研发验证阶段
研发部组织有关部门评审研发项目的阶段性结果。研发部负责人负责审核样品试制技术要求,并核准试制样品。试制完成的样品由研发部安排进行产品性能验证,样品检验合格的进入下一研发阶段。如不合格,研发部门分析技术原因,并重新试制或变更配方设计。

为确保产品能够满足客户的使用及预期用途要求,公司送样至客户现场,使用客户的产线资源对样品进行验证。

(5)中试及产品认证阶段
研发部门完成工艺标准和控制标准的制定,并根据研发验证结果持续优化和调整产品,直至研发成果通过客户实际产线测试,完成最终产品认证。

(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)公司所处行业
公司自成立以来一直专注于电子化学品的研发、生产、销售及技术服务,经过多年发展已成为国内电子化学品材料领域的知名企业之一,积累了丰富的研发能力、量产经验以及优秀的客户关系。公司产品广泛应用于集成电路、半导体显示及新型电子元器件等行业。按照行业的一般分类标准,公司所处行业为半导体材料行业。公司为国内领先的半导体材料提供商。

公司所处半导体材料行业属于技术密集及研发驱动行业,处于整个半导体产业链的上游环节,对半导体产业发展起着重要支撑作用,行业研发技术门槛较高,具有研发投入大、研发周期长、下游客户认证时间长、行业涵盖范围宽,下游应用领域广泛等特点。中国半导体产业供需缺口大,进口替代化是中长期半导体产业发展的重要趋势。

(2)行业的发展阶段及细分领域市场情况
半导体行业作为现代信息技术产业的根基,深度融入现代日常生活的方方面面,并为未来科技的持续进步提供不可或缺的支撑。其应用领域极为广泛,横跨消费、通信、工控、医疗、军工和航天等多个关键领域。当下,伴随AI、物联网、智能化、新能源、信息安全以及5G等前沿技术趋势的蓬勃兴起,半导体行业迎来了全新的需求增长点与发展机遇期,为半导体材料企业开辟出广阔的市场空间。

2024年,既是《国家集成电路产业发展推进纲要》发布的十周年节点,也是谋划第十五个五 年规划的开局之年。对于中国半导体行业而言,构建自主可控、摆脱外部技术掣肘的供应链体系, 已成为矢志不渝的长期战略目标。为全力推动半导体材料产业的蓬勃发展,国家积极出台一系列 扶持政策,从顶层设计层面为半导体行业营造出优越的发展环境。鉴于供应链安全的战略考量, 国内半导体制造厂商对关键原材料国产化的需求愈发迫切,这无疑为国内半导体材料企业带来了 前所未有的市场契机。 ①集成电路湿电子化学品 国内湿化学品行业近年来取得了长足进步,但高速发展的同时,也存在着部分瓶颈。湿化学 品行业投资大,产品获认证过程繁琐,周期长,生产商需长期投入、持续研发,还需配备高素质 从业人员。国产湿化学品与国外龙头企业美国杜邦、德国BASF等相比,在高端产品性能及规模上 尚有较大差距,缺乏在多个品种均拥有较高市占率的龙头企业,特别是在集成电路先进制程用产 品上差距明显。 公司的电镀液及配套试剂、光刻胶配套试剂主要面向集成电路封装湿电子化学品市场。根据 中国电子材料行业协会的数据,2023年中国集成电路后道封装(即后道工艺,含传统封装与先进 封装)用湿化学品市场规模14.0亿元,同比下降5.4%。随着晶圆制造工艺的不断提升,对与之 配套的封测技术同步要求提高,传统封装技术的发展将趋于平稳,先进封装技术的应用将进一步 加强,对湿化学品的需求量也将随之增加,预计2025年中国集成电路封装用湿化学品市场规模将 达到16.3亿元。2021~2025年中国集成电路后道封装用湿化学品市场规模(来源:CEMIA)根据中国电子材料行业协会的数据,2023年中国集成电路晶圆制造(即前道工艺)用湿化学品市场规模58.8亿元,同比下降2.2%。随着国内诸多晶圆厂的投产,湿化学品的需求量也将随之增加,预计到2025年中国集成电路前道晶圆制造用湿化学品市场规模将增长至69.8亿元。

2021~2025年中国集成电路前道晶圆制造用湿化学品市场规模(来源:CEMIA)综合前道晶圆制造与后道封装领域来看,2023年中国集成电路用湿化学品总体市场规模达到72.8亿元,同比下降2.8%。预计2025年将增长至86.1亿元。

总体上,集成电路用通用类湿化学品,特别是用量较大的无机类品种无论成熟工艺还是先进工艺(28~14nm),国内都已取得了较好发展,有机类产品有待进一步加强。复配类产品进展相对较慢,特别是集成电路12英寸晶圆28nm以下先进技术节点所用的复配类湿化学品,基本依赖于进口,核心技术难题亟需尽快突破。

②光刻胶市场概况
光刻胶作为电子化学品领域技术壁垒极高的关键材料,其研发与生产难度极大。长期以来,我国光刻胶产业,特别是集成电路用光刻胶的发展进程相对迟缓。自2008年起,在国家重大科技专项的大力扶持以及国内集成电路产业快速崛起的双重推动下,这一局面逐步得到改善。越来越多的企业开始涉足集成电路用光刻胶及其相关产品的产业化技术研发,部分产品也成功进入市场应用环节。但不可忽视的是,目前国内光刻胶产品仍主要集中于PCB光刻胶、TFT-LCD光刻胶等中低端领域。在OLED显示面板和集成电路用光刻胶等中高端产品市场,国内企业的供应能力严重不足,仍需大量依赖进口,国产光刻胶正处于艰难的从中低端向中高端转型升级阶段。

按照曝光光源波长进行细分,光刻胶主要可分为g线光刻胶(436nm)、i线光刻胶(365nm)、KrF光刻胶(248nm)、ArF光刻胶(193nm)和EUV光刻胶(13.5nm)。参考中国电子材料行业协会的统计数据,当前我国g/i线光刻胶的国产化率仅在20%-25%,仍处于较低水平;KrF光刻胶整体国产化率约为3%;ArF光刻胶整体国产化率更是不足1%。这表明,在光刻胶高端细分领域,国内企业与国际先进水平之间仍存在巨大差距,同时也意味着国产替代空间广阔。

依据中国电子材料行业协会(CEMIA)的统计数据,2023年中国集成电路光刻胶市场规模达到72.63亿元,预计到2025年,市场规模将进一步增长至85.58亿元。

其中,2023年中国集成电路晶圆制造用光刻胶市场规模达到49.39亿元,同比2022年的46.93亿元增长5.24%。随着行业的持续发展,预计到2025年,这一市场规模将进一步增长至58.61亿元。从产品结构来看,2023年中国集成电路晶圆制造用g/i线光刻胶市场规模为5.88亿元,KrF 光刻胶市场规模为22.53亿元,ArF光刻胶市场规模为3.89亿元,ArFi光刻胶市场规模为9.11 亿元,PSPI光刻胶市场规模为7.97亿元。2021~2025年中国集成电路晶圆制造用光刻胶细分产品市场规模(来源:CEMIA) 在集成电路封装用光刻胶市场,2023年市场规模达到11.31亿元,较2022年的10.68亿元 增长了5.9%。预计到2025年,该市场规模将增长至13.69亿元。其中,2023年中国集成电路封 装用g/i线光刻胶市场规模为5.47亿元,PSPI光刻胶市场规模为3.96亿元,其他光刻胶市场规 模为2.49亿元。2021~2025年中国集成电路封装用光刻胶细分产品市场规模(来源:CEMIA)在PSPI(光敏聚酰亚胺)领域,PSPI同样采用g/i线曝光光源,其不仅具备光刻功能,还可作为介电材料,用于制作集成电路中的阻挡层,承担特定的绝缘和保护作用,且在形态完成后无需从晶圆上去除,对产品可靠性要求极高,技术难度甚至超越普通光刻胶。目前,国内PSPI产品高度依赖从美国HDM公司、日本东丽公司等国外厂商进口。根据中国电子材料行业协会的数据,2023年中国集成电路用PSPI光刻胶市场规模总计11.93亿元,预计到2025年将增长至13.28亿元。这一市场现状既凸显了国内企业在该领域面临的严峻挑战,也为具备研发实力的企业提供了 巨大的市场机遇。2021~2025年中国集成电路用PSPI光刻胶市场规模(来源:CEMIA)
(3)行业基本特点及主要技术门槛
①行业基本特点
A.国家政策与产业资本支持力度大
公司所处的半导体材料行业,始终是国家重点支持与鼓励发展的战略性行业。当前,国务院、国家发改委、工信部、商务部以及科技部等众多国家机构和部门,通过发布各类纲领性文件、政策性文件、发展规划以及指导性文件等多种方式,从多层次、多维度、全方位对半导体材料全产业链给予大力扶持。这一系列政策举措为半导体材料行业注入了强大的发展动力,营造了良好的营商环境。在产业政策的有力引导下,公司所在行业将迎来更为广阔的发展空间,为企业创新发展和产业升级提供坚实保障。

B.行业壁垒高
集成电路领域湿化学品的研发,融合了化学、电化学、电子材料、半导体电子工程等多个学科的专业知识,专业性极强,属于典型的技术密集型行业。从产品特性来看,应用于集成电路领域的湿化学品,尤其是功能性配方类化学品,其研发及产业化应用过程中需要攻克一系列难题,包括原料提纯、金属杂质颗粒及有机物含量控制、痕量分析检验方法、添加剂功能组分作用机理及其合成、生产工艺控制以及包装物流等。这对企业的研发生产能力提出了极高要求。从研发到产业化,再到最终成功导入市场,往往需要耗费数年时间。同时,严格的客户评估、认证制度以及持续的技术支持与服务,使得湿化学品企业与下游客户之间形成了紧密的合作关系。一旦企业成功进入客户的供应体系,便具有较高的客户粘性,很难被轻易替代。此外,已掌握核心技术的企业为维持竞争优势,会采取多种手段保护知识产权,这对新进入企业构成了短期内难以逾越的技术壁垒。

C.半导体材料国产化趋势明显
根据中国电子材料行业协会的数据,2023年我国集成电路湿化学品整体国产化率为44%。然而,在先进技术节点所需的功能湿化学品领域,基本仍依赖进口。在先进封装用电镀添加剂市场,国外企业占据主导地位,核心技术难题亟待突破。

光刻胶作为电子化学品中技术壁垒最高的材料,长期以来,我国光刻胶产业整体发展较为缓慢,特别是在集成电路用光刻胶方面。国产光刻胶目前主要集中在PCB、TFT-LCD领域,集成电路用光刻胶则主要依赖进口。随着国内半导体产业自主可控需求的日益迫切,半导体材料国产化已成为不可逆转的发展趋势。国内企业正加大研发投入,逐步缩小与国际先进水平的差距,在部分领域已取得一定突破,但在高端产品领域仍有很长的路要走。

D.客户认证周期较长
公司客户所处的集成电路、电子元件及显示面板行业,对电子化学品等材料供应商的产品质量和供货能力高度重视。产品通常需要经过客户极为严格的认证流程。电子化学品行业的认证周期普遍较长,新产品从研发阶段到正式实现产业化,需要经历漫长的过程,必须通过客户长期且严格的认证。这是因为电子化学品的质量直接关系到下游产品的性能、良率和可靠性,客户为确保自身产品质量和生产稳定性,对供应商的筛选极为谨慎。一旦供应商通过认证并进入供应体系,双方往往会建立长期稳定的合作关系。

②主要技术门槛
电镀液及配套试剂作为应用于集成电路制造的关键功能湿电子化学品,其主要技术壁垒集中在复配配方、生产工艺以及产品质量把控等方面。研发企业需要在电镀领域积累丰富的实践经验,深入理解电镀过程中的化学反应机理和工艺参数要求,才能开发出性能优异的产品。

同时,电镀液产品在实现量产之前,必须通过下游客户的严格测试认证。然而,研发企业获得测试认证的机会面临着较高的技术门槛。在集成电路封装领域,电镀工艺沉积的金属直接构成集成电路的组成部分,对产品的良率和性能有着至关重要的影响。封测厂商及芯片的终端客户对于这类直接影响产品质量的关键材料的引进和更换持极为谨慎的态度。因此,客户通常更倾向于与具有丰富行业经验、雄厚技术实力的供应商合作,一般的电子化学品企业很难获得参与测试认证的机会。

公司的光刻胶配套试剂与电镀液及配套试剂同属应用于集成电路封装的功能湿电子化学品,具有相似的技术壁垒。主要体现在复配配方的研发、生产工艺的优化以及产品质量的精准把控上。

研发企业需要具备先进封装光刻工序的丰富实践经验,深入了解光刻过程中的光学、化学和物理原理,能够根据不同的光刻需求开发出相应的配套试剂。并且,企业还需要成功获得下游客户的测试认证机会,并实现产品的商业化应用,这一系列环节均具有较高的技术难度,对企业的综合实力提出了严峻挑战。

2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
在功能性湿化学品及光刻胶领域,国外企业凭借长期积累的技术优势、品牌优势和市场份额优势,占据着明显的主导地位。在先进封装用电镀化学品及光刻胶产品市场,国外企业更是牢牢把控着市场主导权,全球主要供应商均为国际知名公司,如美国杜邦、日本JSR、日本TOK、德国Merck等。在集成电路领域用湿化学品市场,国外公司同样占据绝对主导地位,国内企业的全球市场占有率仅约为9%。尽管我国湿化学品市场规模近年来逐年扩大,在全球市场份额中的占比也稳步提升,但国内湿化学品企业的发展速度仍难以满足市场需求的快速增长,特别是在集成电路先进技术节点用功能湿化学品领域,与欧美企业相比,在规模和技术水平上仍存在较大差距。欧美企业凭借其先发优势和持续的技术创新能力,在全球以及国内市场占据主导地位。

功能性湿化学品及光刻胶行业技术门槛极高,国内化学品企业在市场份额方面与国际领先企业相比存在较大差距。目前,国内能够实现量产并形成稳定供应的产品主要集中在电镀液、硅蚀刻液、28nm以上技术节点用各类光刻胶去除剂等有限领域。根据中国电子材料行业协会的数据,2023年,我国集成电路用湿化学品整体国产化率达到44%,g/i线光刻胶的国产化率在20%-25%之间,仍处于较低水平;KrF光刻胶整体国产化率约为3%;ArF光刻胶整体国产化率不足1%。这表明国内企业在光刻胶高端产品领域的突破仍任重道远。

公司始终高度重视产品研发和技术积累,以半导体传统封装电镀系列化学品为起点,经过多年坚持不懈的技术攻坚,成功构建了完备的自主知识产权体系和丰富的产品系列。公司不断发力,逐步取代国外材料公司在该领域的市场份额,已成为该领域引领研发与应用的龙头企业之一。根据中国电子材料行业协会的数据,在2020年至2022年期间,公司在集成电路封装(涵盖集成电路先进封装及传统封装)用电镀液及配套试剂市场的占有率(按销售量计算)均超过20%,在国内市场排名前二。2024年,公司在国内集成电路封装市场份额仍稳居前二。

在先进封装、晶圆制造及OLED阵列制造领域,公司在电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂等关键产品方面已实现技术突破。尽管上述领域的相关产品目前仍主要由国外企业供应,但公司已成功跻身国内第一梯队供应商行列。公司相关产品的技术突破和规模供应,有力地推动了我国在半导体关键材料领域竞争力的提升,为实现半导体材料国产化替代目标作出了积极贡献。

公司作为第一批被工信部建议支持的国家级专精特新“小巨人”企业,同时拥有江苏省省级企业技术中心、博士后创新实践基地等荣誉资质。在报告期内,公司荣获了昆山千灯镇人民政府颁发的“2023年度千灯镇科创突出贡献奖”,以及“2023年苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”“昆山市优秀创新企业”“苏州民营企业创新100强”“江苏省三星级上云企业”等多项荣誉。

这些荣誉不仅是对公司过往发展成绩的高度认可,也为公司未来在行业内持续深耕、提升竞争力提供了有力支撑。

3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势(1)湿化学品
在半导体行业,尤其是集成电路制造工艺日益复杂的背景下,对湿法工艺的技术要求持续攀升。湿化学品的质量对产品良率、电性能及可靠性的影响愈发显著。

对于功能性湿化学品而言,随着新结构、新器件和新材料的不断涌现,主流芯片制造企业之间的技术路线和工艺需求差异日益增大。满足市场多样化的功能需求将成为未来发展的核心趋势。

例如,在实现特定刻蚀、电镀和清洗工艺要求的同时,最大限度减少对衬底材料的损伤,改善晶片表面微观特征,降低产品缺陷率,提升产品良率和可靠性等。

公司通过持续不断的产品验证和测试,在集成电路封装电镀领域已占据超过20%的国内市场份额,成为国内传统封装电镀化学品的主要供应商。未来,公司将继续紧跟行业技术发展趋势,加大研发投入,不断优化产品性能,拓展在先进封装等新兴领域的市场份额,为客户提供更优质、更具针对性的湿化学品解决方案。

(2)光刻胶
在芯片前道制程遵循摩尔定律向更小尺寸不断演进的同时,芯片封装领域也不断涌现出新的封装形式创新。其中,Bumping工艺作为近20年来推动先进封装形式快速发展的核心基础工艺,在各类芯片的封装中得到越来越广泛的应用,使得先进封装成为当前集成电路领域的重要发展方向。

在先进封装领域,线路重排(RDL)、硅通孔(TSV)、凸块(Bumping)等技术在高性能芯片封装产品中的应用日益普及,这对光刻胶的设计和制造提出了更为复杂和严苛的要求。例如,需要光刻胶具备更高的分辨率、更好的粘附性、更低的线宽粗糙度以及更优异的耐蚀刻性能等。

我国光刻胶行业起步相对较晚,市场需求量远远超过国内产量。目前,国内光刻胶产量主要集中于PCB领域、TFT-LCD领域,晶圆制造、先进封装及OLED显示面板用光刻胶仍严重依赖进口。

(四)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂均为配方型化学品,需要适配下游客户的生产工艺、生产设备、终端应用需求。终端电子产品不断更新迭代、下游集成电路、电子元件及显示面板等行业的工艺技术持续演进,对电子化学品企业的配方研发、生产工艺控制、产品应用等综合能力提出了较高的要求,需要电子化学品企业具备持续研发和创新的能力。

经过多年探索和积累,公司通过反复科学实验、长期实践应用掌握了电子化学品领域的复配配方技术、生产工艺技术及产品应用技术。


序号核心技术 名称主要代 表产品核心技术简介技术先进性及具体表征技术 所处 阶段技术 来源
序号核心技术 名称主要代 表产品核心技术简介技术先进性及具体表征技术 所处 阶段技术 来源
1复配配方 技术公司各 类电子 化学品通过电化学实验 等方法试验评估 及优化配方设计, 根据各类组分的 功能特性,选取合 适的组分,并平衡 各组分的含量及 配比1、每种组分对配方产品的性能指标和技术 功能都具有重要意义。组分、比例的调整 以及组分之间相互交叉作用,都会对试剂 最终的整体功能产生不可忽视的影响,甚 至改变试剂性能。 2、公司综合考虑不同组分的特性,基于大 量实验数据、电子化学品应用经验调整配 方的组分、含量和配比,以满足下游特定 用途、功能和工艺要求,提高电子化学品 的稳定性及可靠性。批量 生产自主 研发
2化学及电 解去溢料 化学品制 备及应用 技术电镀液 配套试 剂-祛毛 刺液用于电镀前去除 基材表面因集成 电路塑封残留的 毛刺或溢料,且不 损伤塑封体1、采用独特的原料配比,将有机溶剂和无 机溶剂配合使用,具有导电性好、处理高 效、电流效率高等特点,更节能环保; 2、袪毛刺和除油清洗一步完成,去除溢料 (毛刺)的同时将前道工序残留的异物清 洗干净,提高产品使用效果及效率,保证 镀层的结合力; 3、安全节能,工艺温度更低,公司袪毛刺 液使用温度为50-80℃,与传统110-140℃ 高温袪毛刺技术相比更加节能环保; 4、适用于各种环氧树脂塑封料(包括绿色 环保塑封材料)、各种引线框架基材; 5、对塑封料本体无损伤,不会导致塑封料 分层,保证封装产品质量可靠。批量 生产自主 研发
3环保清洗 化学品制 备及应用 技术电镀液 配套试 剂-退镀 液、除油 剂、去氧 化剂、活 化剂等用于电镀前后处 理中去除有机沾 污、氧化层、酸液 残留、添加剂薄膜 等,以及电镀治具 残留镀层的退除1、用环保的有机溶剂替代有毒有害溶剂, 以水基体系替代非水溶体系; 2、采用独特的组分和配比,将有机溶剂和 无机溶剂配合使用,提升清洗效果; 3、采用环保的清洗机理,达到清洗去除效 果的同时,减少废气废液排放和对环境的 危害; 4、可持续循环使用,延长化学品的使用寿 命,节约成本,利于环保。批量 生产自主 研发
4防高温回 流焊变色 化学品制 备及应用 技术电镀液 配套试 剂-中和 剂电镀后处理时使 用该产品浸泡后, 镀锡层在高温回 流焊、不良存放条 件下具有较好的 防变色、防腐蚀效 果1、采用独特原料配比,结合国际主流的有 机螯合技术,减少锡镀层在高温焊接时锡 镀层变色而焊接不良的问题; 2、在电镀后处理时使用含少量防变色剂产 品的溶液常温浸泡10-90秒,洗净烤干后 的镀锡层在做高温回流焊时不变色,焊接 性能好,焊点圆滑饱满; 3、抗贮存变色12个月以上;260℃回流焊 3个循环不变色。批量 生产自主 研发
5电镀液抗 氧化添加 剂制备及 应用技术电镀液- 抗氧化 剂防止镀锡用甲基 磺酸锡溶液氧化1、在甲基磺酸锡溶液中加入抗氧化剂能够 延迟电镀液发生浑浊的时间,明显提高抗 氧化效果。电镀液可以维持3年以上的清 澈状态,有效提升客户的生产效率,降低 客户产线维护成本; 2、产品品质稳定,产品中所含杂质含量低 (如硫酸盐、氯化物、总氯等),满足电 子电镀市场的需求。批量 生产自主 研发
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6电镀效果 增益添加 剂制备及 应用技术电镀液- 镀锡添 加剂公司生产的多种 产品可以实现电 镀增益效果:例 如,电镀添加剂可 在较低温度下取 得相似电镀效果; 经锡球浸泡液处 理后的锡球,在电 解过程中不容易 产生锡泥,电镀液 可以长期保持澄 清,提高了锡球利 用率,保证电镀质 量1、镀层性能稳定:镀层均匀(CPK>1.67) 纯锡镀层外观光泽白皙且镀层中碳硫杂质 含量低,可焊性好; 2、镀层结晶平整,鹅卵石型的晶格,晶粒 之间无缝隙;3、采用独特的组分配比,使 电镀液具有泡沫小、成分稳定、绿色环保 等优点; 4、电流效率较高(98%以上)、电流密度 范围宽(5-30ASD),且可以有效维持镀液 中的锡离子浓度,在生产期间降低额外补 充甲基磺酸锡的需要,降低客户生产成本 (千安培小时添加250-350ml); 5、镀层锡须考核结果较好,满足JESD201 行业标准要求,有效保证产品的性能可靠 性。批量 生产自主 研发
7非金属底 材上的表 面金属化 产品制备 及应用技 术电镀液- 化学铜可实现在超细线 路密集区、大面积 区、坡度区、盲孔 区等各种图案电 路区域的完整镀 铜1、镀层均匀、无溢镀和漏镀现象。镀层性 能可靠,结合力强。铜晶粒细致,镀层外 观红亮; 2、采用新型络合剂和不含游离氰化物的稳 定剂,有利于水处理和环保; 3、上铜速率快,药水稳定性高批量 生产自主 研发
8凸块铜/ 锡银电镀 液制备及 应用技术电镀液- 电镀锡 银/电镀 铜添加 剂用于先进封装的 铜凸块制作达到国际竞品相同性能水平,满足客户工 艺需求: 1、Bump推力>2g/mil2,凸块结合力强; 2、Bumping高度均匀性好,差异小于10% 3、凸块锡银电流密度高于5ASD,生产效率 高。批量 生产自主 研发
9HDI高速 填孔添加 剂制备及 应用技术电镀液 -HDI镀 铜添加 剂用于高电流密度 HDI填孔镀铜制程1、电流效率高,应用电流密度达到 5-10ASD,高于传统的1-3ASD,提升客户生 产效率; 2、填孔凹陷小,电镀完成后盲孔凹陷控制 在5-10μm,一般填孔镀铜盲孔凹陷在 5-15μm,更小的盲孔凹陷有利于客户产品 表面贴装; 3、优秀的深镀能力。满足盲孔填平的情况 下。通孔深镀能力能达到80%,一般填孔镀 铜在通孔的深镀能力通常只有60-70%,更 好的深镀能力在满足通孔的铜厚需求的前 提下减少表面镀铜厚度,从而节约成本。批量 生产自主 研发
10Bumping 厚膜负性 光刻胶制 备及应用 技术先进封 装用g/i 线负性 光刻胶用于先进封装的 凸块图形制作1、满足8吋、12吋晶圆Bumping工艺主流 应用要求,多项指标达到国际竞品水平, 已完成客户认证并批量供应; 2、采用高固含量的树脂及有效聚合剂、有 机表面活性剂,有效提高光刻胶的流平性 能,尤其擅长消除旋转涂布产生的膜厚偏 差,保证曝光质量,使后续工艺中的电镀 铜厚度符合要求; 3、使用改性树脂,降低感光特性,在大剂 量曝光和长时间显影后,图形的顶部线宽 和底部线宽没有明显的变化,使得图形的批量 生产自主 研发
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    角度控制在85-90°之间; 4、采用特殊的增黏剂,有效的增加光刻胶 和基材的粘附性,同时可以加强光刻胶自 身的结合力,抵抗电镀液的侵蚀; 5、涂布50μm膜厚时,Uniformity(涂布 均一性)能够控制在5%以下;涂布110μm 膜厚时,Uniformity(涂布均一性)控制 在10%以下。  
11晶圆制造 用i线光 刻胶制备 及应用技 术晶圆制 造用i线 正性光 刻胶用于晶圆制造的 光刻工艺1、晶圆制造用i线光刻胶已在华虹宏力完 成产品认证并小批量供应,可用于8吋晶 圆厂,多项指标达到国际竞品水平; 2、通过采用低碱溶速率、高耐蚀刻的树脂 配合高酯化比的i线光敏剂,提升光刻胶 在光刻机上应用宽容度,既能满足i线工 艺的曝光宽容度,又可以满足蚀刻工艺的 耐蚀刻特性; 3、采用低金属含量的纯化溶剂和其他组 分,控制金属离子浓度低于10ppb,满足晶 圆厂生产需求; 4、采用的特殊流平剂,提升涂布的均一性 光刻胶涂布后的厚度高低差小于20nm。小批 量生 产自主 研发
12OLED光刻 胶制备及 应用技术OLED阵 列制造 的正性 光刻胶用于OLED阵列制 造的光刻工序1、OLED阵列制造的正性光刻胶(两膜层 已经过京东方六代OLED产线上线测试,多 项指标与竞品基本一致。目前已完成两膜 层认证并小批量供应; 2、采用特殊添加剂改善光刻胶的表面张力 和流平特性,使得光刻胶在大尺寸面板上 涂布、抽真空、烘烤不产生mura, Uniformity(涂布均一性)达到3%之内; 3、通过使用改良的酚醛树脂,提高了光刻 胶应用的分辨率(2μm)的同时,也提高了 光刻胶的耐干刻能力; 4、使用高酯化比的光敏剂,能有效降低光 刻胶的曝光量,提高感度。小批 量生 产在受 让技 术的 基础 上自 主研 发
13附着力促 进剂制备 及应用技 术光刻胶 配套试 剂-附着 力促进 剂用于提高光刻胶 涂布后与晶圆之 间的附着力1、采用具有独特官能团的硅烷组合及配 比,提高了光刻胶、钝化膜或PI膜等涂层 与各种底材之间的结合力。涂布后无颗粒 无气泡,显影后无残留、无剥离,蚀刻后 外观合格,结合力强,剪切力高,可靠性 好; 2、产品稳定性好,解决了附着力促进剂容 易产生沉淀、稳定性差及储存寿命短的问 题。批量 生产自主 研发
14防腐蚀显 影液制备 及应用技 术光刻胶 配套试 剂-显影 液用于光刻胶的显 影,对含铝基材具 有缓蚀的作用1、采用独特的铝缓蚀剂组合及配比,极大 地降低了显影液对含铝基材的腐蚀,有效 保护铝材,提高了不同制程条件下成品的 良率; 2、实用性好,具有较好的显影选择比及均 匀性,显影时间窗口宽,显影干净,未曝 光区域损失较小,不会形成泡沫,使用寿批量 生产自主 研发
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    命长。  
15防腐蚀及 高效率剥 离液制备 及应用技 术光刻胶 配套试 剂-去除 剂用于光刻胶的去 除,满足先进封装 工艺的需求1、采用独特的金属缓蚀剂组合及配比,极 大地降低了光刻胶去除剂对金属基材的腐 蚀,有效保护各种金属基材,提高了不同 制程条件下成品的良率; 2、剥离光刻胶能力强,对光刻胶具有强大 的溶解清除能力,去胶速度快,去胶后无 胶残留,去除剂易被水清洗干净,去胶后 铜面无氧化; 3、安全节能,工艺温度更低,通常使用温 度为30-60℃,与传统60-80℃高温光刻胶 剥离技术相比更加节能环保。批量 生产自主 研发
16Bumping 蚀刻液制 备及应用 技术光刻胶 配套试 剂-蚀刻 液用于先进封装RDL 层及UBM刻蚀工序1、公司的蚀刻液在客户的Bumping产线已 经稳定量产应用; 2、蚀刻速率在整个使用寿命周期内保持稳 定,初始和寿命末期的蚀刻速率相差小于 10%; 3、蚀刻时对铝、镍、锡银等其他金属层的 腐蚀速率极低,确保产品可靠性; 4、RDL层蚀刻后的铜形貌细腻均匀,适用 于AOI自动检测。批量 生产自主 研发
17晶圆制造 用PSPI制 备及应用 技术正性 PSPI光 刻胶用于功率半导体 器件应力缓冲层 及平坦绝缘层1、满足6吋、8吋晶圆制造工艺主流应用 要求,多项指标达到国际竞品水平,已完 成客户认证并小批量供应;2、自主设计开 发PSPI树脂结构,开发聚合过程控制技术 有效对PSPI树脂的批次稳定性进行控制, 核心指标波动<0.1%。3、采用PSPI树脂 架桥剂、光敏剂等,获得了优异机械性能 高热稳定性、高韧性、高可靠性的膜,满 足功率半导体器件制造的要求。4、引入嵌 段共聚方法,和架桥剂形成协同作用,相 较于竞品,进一步降低了PSPI在后固化过 程中产生的残余热应力。5、采用特殊的增 黏剂,有效的增加PSPI和基材的粘附性。小批 量生 产自主 研发
18化学放大 型高感度 PSPI制备 及应用技 术高感度 正性 PSPI光 刻胶用于12寸晶圆制 造的应力缓冲层 及平坦化绝缘层1、满足12吋晶圆制造工艺主流应用要求 多项指标达到国际竞品水平,满足客户需 求;2、自主设计开发改性PSPI树脂结构 其ADR<100A/s。开发聚合过程控制技术 有效对PSPI树脂的批次稳定性进行控制, 核心指标波动<0.1%。3、采用PSPI树脂 产酸剂、架桥剂、等,获得了极高感度(< 150mJ/cm2@10μmF.T.),优异机械性能、 高热稳定性、高韧性、高可靠性的膜,满 足功率半导体器件制造的要求。4、采用特 殊的增黏剂,有效的增加PSPI和基材的粘 附性。客户 认证自主 研发
19先进封装 用PSPI制 备及应用 技术负性 PSPI光 刻胶用于先进封装应 力缓冲层、平坦绝 缘层、RDL层间绝 缘层等1、满足8吋、12吋晶圆Bumping、RDL工 艺主流应用要求,多项指标达到国际竞品 水平;2、自主设计开发PSPI树脂结构, 其金属离子含量<100ppb,氯含量<1ppm客户 认证自主 研发
序号核心技术 名称主要代 表产品核心技术简介技术先进性及具体表征技术 所处 阶段技术 来源
    开发聚合过程控制技术,有效对PSPI树脂 的批次稳定性进行控制,核心指标波动< 0.1%。3、采用PSPI树脂、交联剂、光引 发剂等,获得了优异机械性能、高热稳定 性、高韧性、高可靠性的膜,满足先进封 装制造的要求。4、采用特殊的增黏剂,有 效的增加PSPI和各种基材的粘附性。  
20高AR比厚 膜KrF光 刻胶制备 及应用技 术晶圆制 造用厚 膜KrF正 性光刻 胶用于晶圆制造的 光刻工艺1、采用特殊PHS类型树脂及光致产酸剂 (PAG)实现厚膜条件下的高透过性,以形 成陡直的侧壁,使光刻图形的纵横比达到 较高的数值;2、采用新型表面活性剂,提 升高厚膜的涂布均一性,光刻胶涂布后的 膜厚差异<1.5%;3、调整使用新型PAG, 控制阴离子大小即H+扩散能力,提高KrF 光刻胶的DOF和EL;4、采用低金属含量的 纯化溶剂和其他组分,控制金属离子浓度 低于10ppb,满足晶圆厂生产需求。研发 中自主 研发
国家科学技术奖项获奖情况(未完)
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