[年报]三安光电(600703):三安光电股份有限公司2024年年度报告

时间:2025年04月26日 12:06:24 中财网

原标题:三安光电:三安光电股份有限公司2024年年度报告

公司代码:600703 公司简称:三安光电
三安光电股份有限公司
2024年年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、公司全体董事出席董事会会议。

三、中审众环会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

四、公司负责人林志强、主管会计工作负责人林科闯及会计机构负责人(会计主管人员)黄智俊声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

五、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案鉴于公司正在推进回购股份事项,尚未实施完毕,参与本次现金分红的股份数量和金额将在权益分派实施公告中明确。经公司董事会研究,公司2024年年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本(扣减公司股份回购专户内股票数量)为基数分配利润。本次利润分配预案如下:公司拟向全体股东每10股派发现金红利0.20元(含税)。截至2024年12月31日,公司总股本4,989,018,727股,以扣减回购股份170,997,817股(暂以截至2025年4月14日的回购股份数量计算,最终将以回购股份实施完成后的数据为准)后的股份4,818,020,910股为基数,按此计算共计派发现金红利总额为96,360,418.20元(含税),占公司2024年度归属于上市公司股东的净利润的比例为38.11%。剩余未分配利润结转下一年度。公司2024年度不送红股、不进行资本公积金转增股本。

本预案需经股东大会批准后实施。

六、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告涉及未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。

七、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况

九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十、 重大风险提示
公司已在本报告中阐述可能存在的风险,敬请查阅管理层讨论与分析中可能面对的风险及公司应对可能出现的风险的对策。

十一、其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义......................................................................................................................................4
第二节 公司简介和主要财务指标..................................................................................................7
第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................12
第四节 公司治理............................................................................................................................44
第五节 环境与社会责任................................................................................................................62
第六节 重要事项............................................................................................................................70
第七节 股份变动及股东情况........................................................................................................85
第八节 优先股相关情况................................................................................................................91
第九节 债券相关情况....................................................................................................................91
第十节 财务报告............................................................................................................................91

备查文件目录载有董事长、总经理、财务总监盖章的会计报表;
 审议通过本次报告的董事会决议;
 公司报告期内在指定的报刊上公开披露过的所有公司文件的正文及公告的原稿。
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
中国证监会中国证券监督管理委员会
公司本部、本公司、公司三安光电股份有限公司或者包含各子公司
安徽三安安徽三安光电有限公司,系公司全资子公司
厦门科技厦门市三安光电科技有限公司,系公司全资子公司
天津三安天津三安光电有限公司,系公司全资子公司
厦门三安厦门三安光电有限公司,系公司全资子公司
福建晶安福建晶安光电有限公司,系公司全资子公司
泉州三安泉州三安半导体科技有限公司,系公司全资子公司
三安集成厦门市三安集成电路有限公司,系公司全资子公司
湖北三安湖北三安光电有限公司,系公司全资子公司
湖南三安湖南三安半导体有限责任公司,系公司全资子公司
厦门半导体厦门市三安半导体科技有限公司,系公司全资子公司
朗明纳斯Luminus,Inc.,系公司全资子公司
WIPACWIPACTECHNOLOGYLIMITED,系公司全资子公司
泉州集成泉州市三安集成电路有限公司,系公司全资子公司
泉州光通泉州市三安光通讯科技有限公司,系公司全资子公司
福建北电福建北电新材料科技有限公司,系公司全资子公司
香港三安香港三安光电有限公司,系公司全资子公司
重庆三安重庆三安半导体有限责任公司,系公司全资子公司
安瑞光电芜湖安瑞光电有限公司,系公司持有85.05%股权的控股子公 司(14.95%由股权激励对象持有)
芯颖显示厦门市芯颖显示科技有限公司
超光集成厦门市超光集成电路有限公司
苏州璋驰苏州璋驰光电科技有限公司
厦门骐俊厦门骐俊物联科技股份有限公司
杭州昂芯杭州昂芯激光科技有限公司
荆州弘晟荆州市弘晟光电科技有限公司
安意法安意法半导体有限公司
三安集团福建三安集团有限公司
三安电子厦门三安电子有限公司,系公司控股股东
中科生物福建省中科生物股份有限公司
安芯投资福建省安芯投资管理有限责任公司
安徽三首安徽三首光电有限公司
三安国际三安国际控股有限公司
大基金国家集成电路产业投资基金股份有限公司
格力电器珠海格力电器股份有限公司
先导高芯长沙先导高芯投资合伙企业(有限合伙)
意法半导体意法半导体(中国)投资有限公司、STMicroelectronics InternationalN.V.
LEDLightingEmittingDiode,即发光二极管,是一种半导体固 体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料,在半导 体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射,直 接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。
外延片在一块加热至适当温度的衬底基片上,气态物质(In、Ga、Al、 P)有控制的输送到衬底表面,生长出的特定单晶薄膜。
芯片LED中实现电-光转化功能的核心单元,由LED外延片经特定 工艺加工而成。
集成电路英文“IntegratedCircuit”,一种微型电子器件或部件,是 指采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容 和电感等元件及布线互连在一起,制作在半导体晶片或介质基 片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型 结构。
射频英文“RadioFrequency”,主要指射频通信,包含传输频率、 接收频率、中频、基带频率以及上述所对应的元器件。
射频前端、微波射频英文“RFFrontendModule”,包括发射通路和接收通路,一 般由射频功率放大器、射频滤波器、双工器、射频开关、射频 低噪声放大器等芯片组成。
功率放大器、PA英文“PowerAmplifier”,是指在给定失真率条件下,能产 生最大功率输出以驱动某一负载的放大器。
MicroLED微发光二极管,MicroLED的尺寸通常在50微米以内,透过 LED精密制程制做成微米等级尺寸,通过高精度的巨量转移技 术将这些MicroLED排列成所需的矩阵或显示模组。
MiniLED介于传统LED与MicroLED之间的次毫米发光二极管,意指晶 粒尺寸约在100微米的LED。
封装指将来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的 晶片(Die),然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板 (引线框架)架的小岛上,再利用超细的金属(金锡铜铝)导 线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(BondPad)连接到基板 的相应引脚(Lead),并构成所要求的电路;然后再对独立的 晶片用塑料外壳加以封装保护。
功率器件又称“电力电子器件”,主要用于电力设备的电能变换和控制 电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电 压为数百伏以上),主要有IGBT、肖特基势垒二极管(SBD)、 PowerMOSFET等。
电力电子主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子 器件,一般具有导通和阻断电流两大工作特性,主要分为IGBT、 肖特基势垒二极管(SBD)、PowerMOSFET等。
滤波器主要用于高频工作的电子设备中,用于较大的衰减高频电子设 备所产生的高频干扰信号。SAW滤波器的基本结构是在具有压 电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器-叉指换能 器(InterdigitalTransducer,IDT),分别用作发射换能器 和接收换能器。
Sapphire/Al2O3蓝宝石,具有硬度高、透光性好、热稳定性好等特点,由于其 独特的晶体和机械特性,加工后能够获得超精密纳米尺寸精度 的晶片,被广泛应用于LED照明衬底领域。
LT/LN钽酸锂(LiTaO3,简称LT)与铌酸锂(LiNbO3,简称LN), 是集压电、铁电、热释电、声光及电光等性能于一体的多功能 晶体材料,在声表面波滤波器、光通信、激光及光电子等领域 中有着广泛的应用。
SiC碳化硅,一种第三代半导体材料,主要应用为半导体照明和显 示、电力电子器件、射频领域。
GaN氮化镓,一种第三代半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原 子键、高的热导率、化学稳定性好等性质,主要应用于光电子、
  高温大功率器件和高频微波器件领域。
GaAs砷化镓,一种化合物半导体材料,被广泛应用于光电子、光通信 芯片、集成电路衬底、微波射频器件和高速数字电路等领域。
InP磷化铟,一种化合物半导体材料,具有电子迁移率高、禁带宽 度大等特点,被广泛应用于微波及光通信领域。
第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司信息

公司的中文名称三安光电股份有限公司
公司的中文简称三安光电
公司的外文名称SANANOPTOELECTRONICSCO.,LTD
公司的外文名称缩写SANAN
公司的法定代表人林志强
二、联系人和联系方式

 董事会秘书
姓名李雪炭
联系地址福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
电话0592-5937117
传真0592-5937117
电子信箱[email protected]
三、基本情况简介

公司注册地址湖北省荆州市荆州开发区东方大道131号
公司办公地址福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
公司办公地址的邮政编码361009
公司网址www.sanan-e.com
电子信箱[email protected]
四、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址《上海证券报》《中国证券报》《证券时报》
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司证券中心
五、公司股票简况

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所三安光电600703ST三安
六、其他相关资料

公司聘请的 会计师事务 所(境内)名称中审众环会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址湖北省武汉市武昌区水果湖街道中北路166号长江产业大厦 17-18楼
 签字会计师姓名肖峰、吴玉妹
报告期内履 行持续督导 职责的保荐 机构名称中信证券股份有限公司
 办公地址广东省深圳市福田区中心三路8号卓越时代广场(二期)北座
 签字的保荐代表人姓名赵耀、艾华
 持续督导的期间2022年12月12日至2023年12月31日 2023年12月31日后,就未使用完毕的募集资金使用情况继 续持续督导
七、近三年主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2024年2023年本期比上年同期 增减(%)2022年
营业收入16,105,827,496.6714,052,751,956.7414.6113,222,316,118.09
扣除与主营业务无关的业务收 入和不具备商业实质的收入后 的营业收入11,497,969,844.3310,202,739,061.5412.699,816,835,214.01
归属于上市公司股东的净利润252,846,286.50366,559,956.36-31.02685,111,367.50
归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益的净利润-511,016,467.08-1,088,361,702.1653.05-309,992,854.11
经营活动产生的现金流量净额2,616,784,618.193,977,380,864.98-34.21799,976,259.04
 2024年末2023年末本期末比上年同 期末增减(%)2022年末
归属于上市公司股东的净资产36,868,570,744.3438,303,349,738.35-3.7537,946,383,304.72
总资产59,052,883,378.5357,675,135,347.942.3958,389,605,253.18
(二)主要财务指标

主要财务指标2024年2023年本期比上年同期增减(%)2022年
基本每股收益(元/股)0.050.07-28.570.15
稀释每股收益(元/股)0.050.07-28.570.15
扣除非经常性损益后的基本每股收益(元/股)-0.10-0.2254.55-0.07
加权平均净资产收益率(%)0.680.97减少0.29个百分点2.22
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率(%-1.38-2.87增加1.49个百分点-1.00
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
□适用√不适用
八、境内外会计准则下会计数据差异
(一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(三) 境内外会计准则差异的说明:
□适用√不适用
九、2024年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入3,557,053,177.254,122,406,680.284,175,436,091.974,250,931,547.17
归属于上市公司股东的净利润118,744,740.7365,553,539.8762,870,228.415,677,777.49
归属于上市公司股东的扣除非 经常性损益后的净利润-32,272,680.03-256,103,507.59-62,806,225.97-159,834,053.49
经营活动产生的现金流量净额540,987,740.39994,793,685.58660,892,374.99420,110,817.23
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
十、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2024年金额2023年金额2022年金额
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减值准 备的冲销部分30,535,329.7371,948,716.0410,020,557.89
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业 务密切相关、符合国家政策规定、按照确定的标 准享有、对公司损益产生持续影响的政府补助除 外816,581,666.501,540,475,052.051,034,283,269.07
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业 务外,非金融企业持有金融资产和金融负债产生 的公允价值变动损益以及处置金融资产和金融 负债产生的损益  20,712,752.12
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回3,086,371.6745,898.0019,954,073.71
债务重组损益  13,332,461.83
除上述各项之外的其他营业外收入和支出-26,188,439.73-11,572,784.2523,396,005.13
其他符合非经常性损益定义的损益项目   
减:所得税影响额59,980,457.47145,975,223.32126,594,898.14
少数股东权益影响额(税后)171,717.12  
合计763,862,753.581,454,921,658.52995,104,221.61
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用√不适用
十一、 采用公允价值计量的项目
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响金额
交易性金融资产72,610,151.3345,704,246.86-26,905,904.47-20,815,812.60
交易性金融负债 97,386,225.9797,386,225.97 
应收款项融资409,732,675.52158,429,964.91-251,302,710.61 
其他权益工具投资17,663,362.6517,988,171.49324,808.84 
合计500,006,189.50319,508,609.23-180,497,580.27-20,815,812.60
十二、 其他
□适用√不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
2024年,面对复杂严峻的国际形势,我国政府加力实施存量政策,适时优化宏观调控,带动经济运行总体平稳、稳中有进,全年GDP增速达到5.0%的预期目标。展望2025年,面对更加复杂的全球环境,我国政府提出实施更加积极的财政政策、适度宽松的货币政策,对提振消费、促进科技创新以及提振经济大盘的态度更加明确,我国经济航船必将乘风破浪、行稳致远。

报告期内,公司实现营业收入161.06亿元,同比增长14.61%,实现归属于上市公司股东的净利润2.53亿元,同比下降31.02%。公司继续围绕化合物半导体核心主业开展业务,持续推进LED业务及射频前端、电力电子、光技术等集成电路业务的发展,依托厦门、天津、芜湖、泉州、鄂州、长沙、重庆多个地区的生产制造基地,及英国、日本、美国、德国和新加坡多国的研发中心与销售网点,持续加强与国内外优质企业的深入合作,并加速推进AI/AR眼镜、数据中心与服务器、汽车智能驾驶、卫星通讯等诸多新兴应用领域的业务拓展及应用。公司进一步加强产、销、研深度链接和联动,出台《流程管理办法》全面优化流程管理体系,废止冗余流程,推动跨厂区流程整合,制定《授权清单》,实现标准化管理。公司已启动数字化变革项目,将持续推进数字化落地,借助信息技术手段,实现智能化、系统化治理的升级,提升公司经营管理效率。

(一)LED业务
报告期内,公司LED外延芯片主营业务收入实现同比增长6.56%,其中传统LED外延芯片产品同比增长4.05%,高端LED外延芯片产品同比增长13.91%,公司LED业务的产品结构调整持续推进,叠加提升良率及工效等降本措施,本期毛利率同比增加8.79个百分点。

2024年,公司高端LED各细分领域技术突破、市场拓展双效并举,MiniLED已应用于电视、显示器、笔记本电脑、车载显示、VR等领域,得益于技术成熟、成本优化以及市场需求快速发展,在MM006、YH004、YR003等多家知名国际大客户处的份额占比稳步提升;MicroLED芯片在微缩化、均匀性、光效提升等核心技术上持续突破,与国内外知名消费类和科技类头部企业深度合作,产品应用于穿戴、AR眼镜、车载显示、高端电视、商用显示等领域,在中大型显示领域已持续稳定出货,MiP产品已获国内外客户认可,加速进行商业化落地中;车用LED技术能力追齐国际一线水平,新增多家知名车企及Tier1客户,持续提升高端车灯市场市占率;植物照明产品技术持续突破,公司以优异的产品性能快速填补该中高端市场需求;红外、紫外系列产品性能领先,持续提升穿戴腕表、手机遥控、工业固化、健康医疗、工业水处理等领域产品市占率;LED激光器产品性能及可靠性持续取得突破,已在水平仪市场量产出货,应用于激光投影、激光切割等市场的产品正在开发中;大功率倒装及超垂直产品主要应用于专业照明领域,依托技术领先优势,持续优化产品性能,不断拓展国内外客户,产能持续扩大。随着公司高端LED产品占比不断提高,报告期内,安瑞光电车灯业务营收规模实现稳步增长,并通过提升制造良率、强化成本管控等措施,实现盈利能力的稳步改善。2024年,安瑞光电累计完成20个新项目的定点,实现了奇瑞、路特斯、大众途观、智界等品牌车型的批量供货,开拓了通用与日产合资品牌客户,扩大了长安汽车市场份额以及获得理想汽车等关键项目的定点,并且在产品结构上,得益于在智能驾驶和车内外环境改善等方面的技术储备,公司出货的前照灯、氛围灯比重呈直线上升趋势。同时,公司协同英国子公司WIPAC及安瑞德国公司获得了宾利、CEER和劳斯莱斯等客户的新项目,并与多个豪华车厂保持业务合作。安瑞光电将持续提升国内市场占有率,同时以欧洲为中心,布局海外市场,与智驾时代相结合,为智能出行和车内环境改善提供系统解决方案。

(二)集成电路业务
报告期内,公司集成电路业务主营业务收入同比增长23.86%,射频前端业务可提供从衬底、外延、芯片制造到封测一站式代工服务,受益终端市场需求回暖及客户切换供应链,砷化镓射频代工及滤波器业务营业收入较上年同期大幅增长;碳化硅围绕车规级应用,加快碳化硅MOSFET技术迭代,并稳步推进与意法半导体合资的重庆8英寸碳化硅项目落地;光技术板块聚焦数据通讯、光学感测、激光雷达等核心增长引擎,持续迭代产品并推向市场,营业收入亦实现稳健增长。

1、射频前端
公司建立了稳定量产的专业射频代工平台和产品封装平台,根据产品的不同,提供射频功放/低噪放、滤波器、SIP封装等差异化解决方案,产品主要应用于手机、WiFi、物联网、路由器、通信基站等市场。在射频前端模组化程度持续提升的趋势下,公司以砷化镓、氮化镓射频代工为核心驱动力,滤波器作为支持终端客户高端需求的有力补充,以先进封装完善射频前端解决方案的服务能力,已成为射频前端国产供应链的重要参与者。

公司提供高性能氮化镓射频功放代工平台,主要面向通信基站市场。报告期内,推出薄Buffer工艺以迭代成熟工艺性能,积极投入硅基氮化镓材料的消费级射频应用工艺开发和6G应用工艺预研,客户结构实现突破,与国际客户合作产品通过初步验证,取得阶段性进展。

公司的砷化镓射频代工业务依靠自有外延、先进的研发和制造能力,能够为客户提供高品质的HBT、pHEMT等先进工艺代工服务,终端客户涵盖国内外主流手机品牌客户以及国内ODM客户。

目前,公司已拥有砷化镓射频代工产能1.8万片/月。受益终端市场需求回暖及高集成度射频前端方案渗透,叠加下游客户积极切换供应链,公司在主要大客户处份额逐步提升,并成功新导入国产头部设计公司和国际设计公司供应链。公司长期投入先进工艺研发,在报告期内推出适用于5G通信需求的HP36/HP56工艺,通过定制化外延提升成熟工艺的射频放大效率、线性度、强健度性能,开发并量产了适用于先进封装的铜柱附加工艺。随着产能的逐步提高,以及向国内外客户供货规模的持续提升,砷化镓射频代工业务营收规模、盈利能力有望实现进一步提升。

公司主要发展表面声波滤波器(SAW)的技术路线,产品覆盖国内外所需频段,包含单工器、双工器、多工器,主要用于移动终端、卫星通信等通信设备。目前,公司滤波器现有产能为150KK/月。2024年度,公司新品导入规模量产,在客户端份额提升,本年度出货量相较去年同期实现大幅增长。公司持续优化产品结构,全面向小型化和5G新应用产品升级,推出的1612尺寸产品已量产出货,1411尺寸产品目前正在开发迭代中。公司将持续扩大向国内外头部客户的出货量,提高产品市场占有率,提升营收规模。

2、电力电子
湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台,产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试,产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前,湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月,8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月,8吋碳化硅芯片产线正在建设中,拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。

湖南三安6吋衬底、外延的工艺及良率持续优化,成本改善效果良好,向国际客户出货规模稳健增长,8吋衬底及外延已实现小规模量产并在客户端验证。公司持续推进碳化硅衬底在AI/AR眼镜、热沉散热(应用于半导体封装基板、5G基站等)等方向的应用,与AI/AR眼镜领域的国内外终端厂商、光学元件厂商紧密合作,已向多家客户送样验证,并持续优化光吸收率、TTV等关键参数。随着该项业务的顺利突破,公司将开辟新的增长点。

湖南三安已完成650V/1200V/1400V/1700V/2000V、1A-100A的全电压电流的碳化硅二极管产品梯度建设,其中第五代高浪涌版本碳化硅二极管主要应用于光伏领域,产品技术性能业界领先,已实现量产出货,主要客户包括阳光电源、上能、德业等;第六代低正向导通电压产品主要应用于电源领域,成本进一步优化,具有更高的工作频率及效率。公司已完成从650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiCMOSFET的产品布局,应用于光伏、充电桩、工业电源、数据中心及AI服务器电源等工业级市场的1200V20mΩ/32mΩ/75mΩ,650V27mΩ/35mΩ/50mΩ/65mΩ及1700V1ΩSiCMOSFET已实现量产,并已向重点客户批量供货,包括锦浪、华昱欣、盛能杰等光伏客户,通合、科士达、致瞻等充电桩客户,联明、正浩、中恒等工业电源客户,及台达、光宝、长城、维谛技术等数据中心及AI服务器电源客户;应用于车规级市场,车载充电机、空调压缩机用650V35mΩ/50mΩ、750V11mΩ、1200V32mΩ/75mΩSiCMOSFET已在十余家Tier1或整车厂客户处送样验证或实现小批量出货,主驱逆变器用SiCMOSFET从1200V16mΩ迭代到1200V13mΩ,在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证已完成。

湖南三安与意法半导体在重庆设立的合资公司安意法生产碳化硅外延、芯片独家销售给意法半导体,已于2025年2月实现通线,首次建设产能2,000片/月,规划达产后8吋外延、芯片产能为48万片/年;为保证未来合资公司对碳化硅衬底材料的需求,湖南三安的全资子公司重庆三安将匹配生产碳化硅衬底供应给安意法,首次建设产能2,000片/月,已开始逐步释放产能,规划达产后8吋衬底产能为48万片/年。报告期内,湖南三安与理想汽车成立的合资公司苏州斯科半导体一期产线已实现通线,全桥功率模块已在2025年一季度实现批量下线。

报告期内,公司持续进行硅基氮化镓技术平台的升级及拓展,面向消费电子市场,迭代650V芯片技术平台,以适配客户端对高性价比的诉求,并成功导入到智能功率IC等新型产品中。在工业应用领域,拓展了60A及以上大电流器件方案,导入客户端千瓦量级高功率密度服务器电源及工业电机的应用验证。在车用领域,公司积极与头部车企及组件厂商共同探索GaN器件在汽车电子的应用潜力,完成低压(60-200V)器件技术平台的定型,下一步开发针对车载激光雷达、动力电池系统等特定应用场景的典型产品。同时,为应对人形机器人等智能终端对功率器件的需求,公司将匹配开发低压GaN器件及技术方案并导入应用验证。

3、光技术
公司光技术产品可应用于接入网、数据通信、电信传输、智能AI、车载激光雷达和消费工业类领域,产能2,750片/月。报告期内,公司在接入网领域的GPON、XGPON产品出货持续增加,XGSPON开始批量出货,FTTR产品开始推广,实现行业覆盖,并积极布局下一代50GPON应用。在数据通信领域始终保持行业领导地位,与主要客户紧密合作,并针对人工智能、车载等热点领域积极布局,400G产品处于推广阶段,800G产品处于研发阶段;硅光70mW、100mWHP芯片产品处于推广阶段,200mWHP芯片产品处于研发阶段。在消费工业领域,785HPVCSEL率先批量应用于医美领域,940PVCSEL批量应用于Top手机品牌厂商,1653DFB批量应用于甲烷探测,905EEL等产品批量应用于测距。激光雷达领域依托大功率、单模(含窄线宽)、可见光等各类不同类型的激光器产品,持续稳步进入车厂供应链,公司应用于智驾光学识别领域的激光雷达产品已向下游模组厂商及终端车企送样验证或小批量供货。公司光技术产品的市场份额不断提升,未来公司将继续向市场尖端技术应用领域渗透,推进光技术产品的市场应用,提高产品市场占有率,为公司发展带来持续动能。

二、报告期内公司所处行业情况
1、LED行业
根据TrendForce数据,受主要市场需求低迷影响,2024年全球LED照明市场产值同比下滑4.2%至560.58亿美元,但在市场整体疲软背景下,仍存在智能照明、植物照明市场逆势增长的结构性机遇。展望2025年,由存量市场二次替换LED的需求,以及对高光效、智能照明产品的需求将拉动产值恢复增长。TrendForce预计,2025年全球LED照明市场规模将恢复正向增长至566.26亿美元,预估2029年市场规模将达到639.03亿美元,2024-2029年年复合增长率为2.7%。在终端照明市场需求疲软的背景下,LED行业仍存在结构性机遇,Mini/MicroLED、车载照明、植物照明等高端细分市场存在广阔成长空间。

2024年MiniLED在背光产品应用保持持续增长,直显领域市场也在起量。MiniLED背光解决方案在电视、笔电、平板、显示器、车载显示等市场快速渗透,其中电视为主要增量市场,各大电视终端品牌厂商着力推广MiniLED背光电视,带动MiniLED背光市场规模开启高速成长模式。根据Omdia数据,2024年,在中国品牌积极的市场策略以及中国“能效补贴”政策影响下,MiniLED背光电视出货量翻倍增长,达到620万台,预计2025年出货量将达930万台,首次超过OLED电视的750万台,显示出其在高端显示领域的强劲竞争力。MiniLED直显应用场景不断拓宽,包括XR虚拟影棚专用屏、影院屏和LED一体机(用于智慧教育、会议、医疗、指挥中心、展览展示、演播室等场所)等,渗透率随之走高。据洛图科技预计,2028年MiniLED直显全球市场规模将达33亿美元,2024-2028年的年复合增长率约为40%,市场未来发展空间广阔。

2024年MicroLED直显应用在一体机市场和家庭巨幕市场持续升温,并在AR眼镜、车载数字大灯领域持续有标志性产品落地,MicroLED拥有巨大的应用前景。据LEDinside统计,2024年已有11款新型AR眼镜采用了MicroLED技术。根据TrendForce预测,未来几年随着晶片垂直堆叠与色彩转换技术的成熟,MicroLED微显示方案的渗透率或将持续提升,2030年在AR市场渗透率有望达到44%。根据Omdia预测,2024年全球MicroLED出货不足1亿美元,但将在未来实现大幅度增长,至2030年全球MicroLED市场规模有望达到44.4亿美元。

2024年汽车制造商面临市场竞争与成本下降的压力,积极利用自适应性头灯、MiniLED尾灯、贯穿式尾灯、格栅灯/全宽带前灯条、氛围灯、MiniLED背光显示等高附加价值产品进行市场营销,带动车用LED市场需求稳定成长。根据TrendForce数据,2024年车灯/车用LED市场分别达到373.95亿美元与34.45亿美元,皆高于车市出货表现。根据CSAResearch数据,目前全球车用LED器件市场的70%以上仍被amsOSRAM、日亚、Lumileds三大龙头企业占据,国产LED车灯产业链上中下游企业已逐步完善器件规格,加强模块化供应及灵活响应能力,国产替代将持续加速。

此外,植物照明市场需求在粮食安全、城镇化和资源短缺、绿能产业链环保议题等背景下快速增长,在城市农业、园艺、花卉种植等领域得到广泛应用。TrendForce最新数据显示,2024年全球LED植物照明市场规模达13.15亿美元,同比增长6.6%。

面对照明市场需求疲软等严峻挑战,我国加大政策调节力度,推出了一系列助力LED产业转型升级的政策。新版《产业结构调整指导目录(2024年本)》于2024年2月1日起正式施行,明确提出了鼓励、限制和淘汰三类产品,其中普通照明白炽灯为限制类产品,部分含汞的荧光灯和高压汞灯为淘汰类产品,鼓励使用和发展半导体照明产业链相关产品及其生产制造设备的应用,通过产业结构调整目录加大LED绿色照明产品的推广力度,并为LED照明企业参与跨界产品的研发、制造提供依据。2024年3月,国务院印发《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》,国家发展改革委、住建部、文旅部等6部门联合印发《推动文化和旅游领域设备更新实施方案》,其中涉及文旅照明设备、绿色节能产品更新等相关内容,明确要推动舞台显示设备更新、影院LED屏放映系统更新以及4K超高清设备建设,上述政策为LED微显示技术进步和产业化应用提供了机遇。

2、集成电路行业
人工智能、消费电子拉动下游需求回暖,全球半导体市场正持续复苏。根据WSTS数据,2024年全球半导体销售额达6,276亿美元,同比增长19.1%。但在下游市场需求复苏的背景下,中国仍为集成电路进口大国。根据海关总署统计,2024年中国集成电路进口金额达3,856亿美元,而中国集成电路出口金额仅为1,595亿美元,贸易逆差显著,集成电路国产化率亟待提升。

2024年以来,多部门陆续印发了规范、引导、鼓励、规划集成电路行业的发展政策,内容涉及集成电路技术规范、集成电路集群发展支持、集成电路人才培养支持等内容。其中,2024年1月,工业和信息化部等七部门印发《关于推动未来产业创新发展的实施意见》,提出把握全球科技创新和产业发展趋势,重点推进人形机器人、高级别智能网联汽车、元宇宙入口等高潜能未来产业,深入实施产业基础再造工程,补齐基础元器件、基础零部件、基础材料、基础工艺和基础软件等短板,夯实未来产业发展根基。在国家政策的大力支持下,国产集成电路厂商发展机遇凸显。

(1) 电力电子
电力电子器件又称为功率器件,主要应用于变频、变压等领域。第三代半导体功率器件主要以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,随着国家半导体产业战略的实施,以碳化硅为代表的宽禁带半导体行业已成为面向经济主战场的战略性行业。

1 碳化硅
碳化硅功率器件凭借禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、导热率高、击穿电场强度高等优势,被广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏储能、数据中心服务器等应用领域。根据Yole数据,2023年全球碳化硅功率器件市场规模为27.46亿美元,预计2029年有望达到98.73亿美元,2023-2029年的年复合增长率约24%。

新能源汽车市场:碳化硅器件被广泛应用于新能源汽车的电机控制器、车载充电机(OBC)、车载DC-DC变换器、电池管理系统等领域。根据行家说Research统计数据,2023年全球碳化硅车型(指主驱搭载碳化硅功率模块的车型)销量约为280万辆,预计2024年、2025年将分别增长至338万辆、450万辆。伴随产业链降本及车企对高性能配置的追求,2024年主驱碳化硅模块已下沉至10-15万元价格段车型,在新能源汽车市场的下沉渗透将持续拉动全球碳化硅市场规模的增长。

光伏储能市场:碳化硅在光伏逆变器及储能变流器中能够提升系统效率、简化拓扑结构,2024年逆变器厂商均在积极将碳化硅器件导入应用,且从早期的微逆逐步开始应用于组串式光伏系统,甚至兆瓦级的集中式光伏系统中。根据国家能源局数据,2024年我国太阳能发电装机容量达到88,666万千瓦,同比增长45.2%,我国已建成投运的新型储能项目累计装机规模达7376万千瓦/1.68亿千瓦时,同比增长超过130%。未来,光伏储能产业的稳健增长及碳化硅器件应用的持续渗透将继续为碳化硅市场增长提供坚实助力。

充电桩市场:公共直流充电桩向更大功率、更高功率密度、更智能化等方向快速演进,要求电源模块的功率等级和功率密度不断提升,从20kW/30kW逐步提高至40kW/50kW及以上,这使得充电桩领域对SiC功率器件的需求也在快速提升。根据国家能源局数据,截至2024年12月底,我国电动汽车充电设施总数达到1281.8万台,同比增长49.1%,未来充电设施的加速建设将快速拉动碳化硅器件需求。

PFC电源市场:碳化硅、氮化镓在PFC电源上的应用能够显著提升其电源效率,并减小体积, 因此已开始逐步在PFC电源领域替代原有的硅基功率器件。特别是在服务器电源的PFC中,碳化 硅器件可以提升服务器电源的功率密度和效率,缩小数据中心的体积,降低数据中心的建设成本。 目前已有台达、光宝、欧陆通等众多电源模块厂商推出应用碳化硅器件的服务器电源产品,预计 未来AI技术的不断演进和数据算力需求的持续提升,有望拉动服务器电源用碳化硅市场持续增长。同时,碳化硅材料也在AR眼镜、热沉散热等新兴应用领域呈现出高成长性。在AR眼镜领域,碳化硅材料可以通过高折射率和高热导率两大核心特性,系统性解决AR眼镜的视场角窄、彩虹伪影及散热难题。根据维深信息wellsennXR数据,2024年全球AR眼镜销量为50万台,销量同比基本持平,未来,伴随AI技术的快速发展以及智能眼镜硬件的不断升级,AI+AR智能眼镜将进入高速发展期,2030年全球AI眼镜出货量有望增长至8000万副。根据行家说Research数据,按照一片8吋片可供4副AR眼镜折算,AR眼镜市场有望为半绝缘碳化硅衬底提供广阔增量空间。

在热沉散热领域,碳化硅晶片的热膨胀系数、热导率参数优于氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、碳化硅陶瓷等传统热沉材料,因此能更有效的将热量散出,同时避免热应力损坏芯片,在封装基板、5G基站、激光电视、激光切割等应用场景具备广阔市场。

2 氮化镓
氮化镓器件作为电力电子领域的核心技术之一,可以实现更高的系统效率、更少的功率损耗和更小的模块体积,广泛应用于低功率消费电子市场,并逐步向新能源汽车、高功率数据中心、通信电源等应用场景渗透。根据Yole数据,全球氮化镓功率器件市场规模将从2023年的2.6亿美元增长到2029年的20.1亿美元,年复合增长率预计将达41%。

(2) 射频前端
射频前端由功率放大器、低噪声放大器、滤波器、射频开关、天线调谐器等器件组成,其作用主要为无线电磁波信号的发射和接收,将数字信号转换成射频信号,是无线通信系统的核心组件。目前无线通信市场已全面迈入5G时代,未来6G、低轨卫星等移动通信技术的蓬勃发展将继续拓宽射频前端的应用场景与空间。根据Yole预测,全球射频前端市场规模将由2023年的209亿美元增长至2029年的231亿美元,至2029年,手机等移动终端、通信基站、汽车三大应用领域将分别贡献约180亿美元、41亿美元、9亿美元的市场。

手机等移动终端市场:根据Canalys的数据,全球智能手机2024年第四季度出货量同比增长3%,达到3.3亿部,已连续五个季度实现同比增长,2024年全球智能手机出货量总计12.2亿部,同比增长7%,全球智能手机行业已逐步回暖,拉动射频前端需求有所反弹,同时物联网、智能家居等领域对射频前端模组的需求也在持续增长。5G通信技术渗透率持续提升,推动射频前端模组市场价量齐升,叠加供应链国产化替代浪潮加速,国内射频前端厂商发展空间广阔。

通信基站市场:根据工信部数据,截至2024年10月底,我国5G基站建设总数达414.1万个,相较上年末净增加76.4万个,我国已经提前完成了“十四五”期间关于5G基础设施建设的发展目标,并有序推进5G向5G-A升级演进。未来,大规模MIMO和RHH技术的引入、6GHz以及更高频段的开发、小型基站和专网的应用铺设等将刺激下一代通信设备的迭代,主导通信基站用射频前端器件增长。

汽车市场:5GTCU技术和先进的射频前端模组可以为车辆提供更高的带宽、更低的时延并支持更广泛的频段,以响应智能化车辆对于数据和无线通信的需求,在电动车智能化的趋势推动下,车规级无线通信网络将贡献新的增长空间。

(3) 光技术
光芯片是实现光电信号转换的基础元件,按功能可以分为激光器芯片(VCSEL、FP、DFB和EML等)和探测器芯片(PD和APD等),在光通信领域得到重要应用。光芯片作为光模块的核心部件,性能直接决定光通信系统的传输效率,光芯片价值占比随光模块速率的提升而上升。

光纤宽带、5G、数据中心、云计算设施、智能计算中心等设施建设持续推进,全球数据流量急剧增加,大规模的数据处理需求,刺激光模块及其配套芯片持续迭代发展。在AI、元宇宙等浪潮的推动下,网络传输速度将大幅提升,400G以上高速率光模块需求加速释放,驱动光芯片市场增长。根据LightCounting数据,全球光芯片市场规模有望从2024年的35亿美元增长至2030年的超110亿美元,年复合增长率约17%。

激光雷达通过发射激光束探测目标物体的三维空间信息,已成为智能感知领域的核心传感器,根据Yole预测,全球汽车激光雷达市场将从2023年的5.38亿美元增长至2029年的36.32亿美元,年复合增长率预计将高达38%。除汽车智能驾驶之外,激光雷达的应用也逐渐拓展至机器人、工业自动化等领域,并正经历从高端市场向大众市场渗透的关键转折期,未来激光雷达有望持续高速发展。

三、报告期内公司从事的业务情况
(一)公司主要业务
公司主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产和销售,以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业,主要产品、材料、产品系列及相关应用领域如下表:

产品范围材料主要产品产品系列主要用途
LED外延芯片GaAs、GaNLED外延片红色、黄色、橙色、黄绿色LED产业链的上游产品,用于生产LED 芯片。
   紫色、蓝色、绿色 
  LED芯片红色、黄色、橙色、黄绿色提供给LED封装厂商用于生产LED终端 产品,可广泛应用于照明、显示、背 光、农业、医疗、AI/AR眼镜等众多领 域。
   紫色、蓝色、绿色 
LED应用产品GaAs、GaNLED车灯前灯、后尾灯、室内灯、标志 灯、氛围灯LED产业下游产品,提供给汽车主机厂 进行整车组装。
集成电路芯片GaAs、GaN、 LT/LN射频芯片HBT、pHEMT、HEMT终端、基站、无线局域网络、智能穿 戴、无人驾驶、机器人、卫星通信等 领域。
  滤波器芯片SAW、TC-SAW4G、5G无线通信、自动驾驶、物联网 卫星通信等领域。
 SiC、GaN电力电子芯片碳化硅MOSFET、碳化硅二极 管、碳化硅衬底/外延、硅基 氮化镓新能源汽车、充电桩、光伏储能、通 信基站、数据中心、不间断电源、工 业自动化、家用电器、AI/AR眼镜等领 域。
 GaAs、InP光通讯芯片、 非光通讯芯片PD、VCSEL、DFB光通讯类:主要适用于5G网络、接入 网、数据中心以及AI应用场景;非光 通讯类:主要用于3D识别、汽车无人 驾驶、激光美容器、工业加热等领域
(二)公司产业布局图报告期内,本公司主营业务范围未发生重大变化。

(三)主要经营模式
公司自设立以来,一直坚持“技术﹢人才”的科技成果产业化模式,以技术创新为手段,以科技成果产业化为目标,不断开拓新业务,壮大实力。

采购模式主要采用“直接采购+寄售采购”的方式,大部分原材料由公司采购中心根据需求制定采购计划,向供应商直接下达订单,并签订采购合同;另有少量原材料由供应商存放在公司仓库,公司每月根据实际使用量,与供应商对账后结算。

生产模式是以“订单+市场预测”为基础,结合库存按计划组织生产。公司销售部门根据客户订单和市场预测信息传递给战略运营中心,战略运营中心结合公司库存情况制定生产计划,并传递给生产管理部门,生产管理部门按照生产计划组织生产。

销售模式主要采取直销方式,下游客户主要为LED封装企业、应用厂商及化合物半导体集成电路设计企业等。

四、报告期内核心竞争力分析
√适用□不适用
1、研发技术优势
公司作为国内化合物半导体领域的龙头企业,经过多年的发展和沉淀,现已形成深厚的技术积累,所掌握的核心技术与研发能力已达到国际先进水平。在研发和技术创新方面的持续投入,对公司产品性能、生产良率等多方面的提升显著。

公司产品应用领域广阔,可为下游客户提供多元化、高性价比的产品,客户覆盖范围非常广泛。公司始终坚持以技术研发、品质保障驱动业务发展的理念,强大的研发和技术实力使得公司产品在性能、可靠性、稳定性方面获得客户的广泛认可。

公司高度重视知识产权管理体系建设,系国家知识产权局认定的国家知识产权示范企业。截至2024年12月31日,公司拥有专利(含在申请)超过4,200件,其中授权专利2,564件,海外专利(含PCT)超1,000件,自有专利占比超过98%。公司持续技术创新,注重研发成果转化,通过长期的专利布局形成技术壁垒,为公司销售渠道提供保障。

公司系化合物半导体领域重点骨干企业,是工业和信息化部认定的“国家技术创新示范企业”,拥有国家级博士后科研工作站、国家级企业技术中心及院士工作站。公司先后承担了科技部重点研发计划、发改委重大专项及产业升级专项等国家级各部委数十项课题及项目、工信部制造业高质量发展专项和01重大专项项目,助力我国移动通信产业链自主能力提升。公司在半导体照明、显示及集成电路等多领域的国内前沿技术展开技术攻关,促进国家半导体产业良性发展。公司获得两次国家科学技术进步一等奖、一次国家科学技术进步二等奖,多次获得福建省科技进步一等奖、厦门市科技进步一等奖、中国专利优秀奖等荣誉,研发技术实力获得广泛认可。公司聚焦于行业尖端的技术研究与应用,持续研发投入、加速产品研发、客户认证和推向市场,完善专利布局,为进一步开拓市场奠定基础。

2、人才储备优势
公司长期高度重视人才培养和队伍建设,人才储备符合公司发展战略目标和市场发展需求。

公司作为国家认定的博士后工作站及国家级企业技术中心,在全球多国相继成立研发中心,拥有由全球化合物半导体领域顶尖人才组成的技术研发团队,博士后科研工作站聚集了一批国内外顶尖的化合物半导体领域专家,研发能力居国内前列。此外,公司持续扩容升级管理团队,积累了丰富的产业运营经验,打造了一支高素质的管理团队,建立了有效的研发及产供销管理体系。

3、规模效应及全产业链布局优势
公司是国家认定的“半导体照明工程龙头企业”,系国内化合物半导体领域产销规模首位、具备垂直产业链布局的企业。公司在产业链上游积极布局原材料衬底,形成部分自给能力,并配套辅料气体自制;在产业链下游布局特殊应用领域,推进应用进程。公司在国内化合物半导体领域产销规模居于首位,一方面规模采购提高了公司对供应商的市场议价能力,另一方面提高知名度获得广泛客户基础。

4、品牌、营销与客户积累优势
公司是国内化合物半导体领域技术实力雄厚、高知名度的企业,经过长期的发展和积淀,公司品牌“三安”已在行业内树立起高技术、高品质、优质服务的市场形象,得到客户的充分信任,并被认定为中国驰名商标、厦门市优质品牌。公司建立了完善的销售和售后服务体系,营销网络遍布全球主要区域,已与国内外主要封装企业和下游应用厂商建立了长期、稳固的合作关系。

五、报告期内主要经营情况
报告期内,公司实现销售收入161.06亿元,同比增长14.61%;归属于母公司股东的净利润2.53亿元,同比下降31.02%。截至报告期末,公司资产总额590.53亿元,同比增长2.39%;归属于上市公司股东的净资产368.69亿元,同比下降3.75%。

(一)主营业务分析
1、利润表及现金流量表相关科目变动分析表
单位:元币种:人民币

科目本期数上年同期数变动比例(%)
营业收入16,105,827,496.6714,052,751,956.7414.61
营业成本14,188,570,872.5712,625,790,586.8712.38
销售费用180,969,481.42156,391,685.2915.72
管理费用878,127,422.54893,619,939.64-1.73
财务费用180,036,312.31275,380,692.77-34.62
研发费用705,581,105.86793,913,925.38-11.13
经营活动产生的现金流量净额2,616,784,618.193,977,380,864.98-34.21
投资活动产生的现金流量净额-3,265,418,842.51-2,683,986,780.74-21.66
筹资活动产生的现金流量净额-306,577,128.25-1,822,621,627.8283.18
营业收入变动原因说明:营业收入本期数较上年同期数增长14.61%,主要系本期芯片、集成电路产品、材料废料等销售收入增加所致;
营业成本变动原因说明:营业成本本期数较上年同期数增长12.38%,主要系本期芯片、材料废料销售量同比增加及材料废料单价上升致成本上升所致;
销售费用变动原因说明:销售费用本期数较上年同期数增长15.72%,主要系公司销售业务规模扩大,销售人员增加致职工薪酬增加;
管理费用变动原因说明:管理费用本期数较上年同期数下降1.73%,主要系本期职工薪酬及业务费用减少所致;
财务费用变动原因说明:财务费用本期数较上年同期数下降34.62%,主要系本期定期存款利息收入同比增加所致;
研发费用变动原因说明:研发费用本期数较上年同期数下降11.13%,主要系公司结合市场及公司实际情况,提高研发投入的产出比,本期研发投入金额少于上年同期金额所致;经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:经营活动产生的现金流量净额本期数较上年同期数下降34.21%,主要系公司本期销售收入增加,销售商品、提供劳务收到的现金亦同比增加,但增值税留抵税额返还及收到的政府补助款较上年减少,致经营活动产生的现金流量净额下降;投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:投资活动产生的现金流量净额本期数较上年同期数下降21.66%,主要系公司本期建设项目支出金额较上年同期增加及全资子公司湖南三安支付合资公司安意法投资款所致;
筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:筹资活动产生的现金流量净额本期数较上年同期数增长83.18%,主要系本期取得银行借款增加及支付股份回购款所致。

本期公司业务类型、利润构成或利润来源发生重大变动的详细说明
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

科目本期数上年同期数增减变动比 例(%)
财务费用180,036,312.31275,380,692.77-34.62
其他收益993,290,288.531,664,744,932.79-40.33
投资收益(损失以“-”号填列)-59,162,542.49-43,233,027.09-36.85
公允价值变动收益(损失以“-”号填列)-10,812,840.2017,404,909.20-162.13
资产处置收益(损失以“-”号填列)12,519,630.8780,533,873.34-84.45
1、财务费用本期数较上年同期数下降34.62%,主要系本期定期存款利息收入同比增加所致;2、其他收益本期数较上年同期数下降40.33%,主要系本期收到与收益相关的政府补助减少所致;
3、投资收益本期数较上年同期数下降36.85%,主要系权益法核算的长期股权投资收益减少所致;
4、公允价值变动收益本期数较上年同期数减少28,217,749.40元,主要系报告期末交易性金融资产产生的公允价值变动收益影响所致;
5、资产处置收益本期数较上年同期数下降84.45%,主要系本期处置非流动资产利得减少所致。

2、收入和成本分析
√适用□不适用
报告期内,公司营业收入本期数较上年同期数增加20.53亿元,同比增长14.61%;营业成本本期数较上年同期数增加15.63亿元,同比增长12.38%。

(1). 主营业务分行业、分产品、分地区、分销售模式情况
单位:元 币种:人民币
主营业务分行业情况
分行业营业收入营业成本毛利率 (%)营业收入比上 年增减(%)营业成本比上 年增减(%)毛利率比上年增减 (%)
化合物半导体11,497,969,844.3310,009,002,789.3112.9512.699.78增加2.31个百分点
其他行业4,607,857,652.344,179,568,083.269.2919.6819.13增加0.42个百分点
主营业务分产品情况      
分产品营业收入营业成本毛利率 (%)营业收入比上 年增减(%)营业成本比上 年增减(%)毛利率比上年增减 (%)
LED外延芯片6,037,205,298.124,795,893,291.6720.566.56-4.05增加8.79个百分点
集成电路产品2,856,989,371.112,872,351,747.43-0.5423.8640.67减少12.02个百分点
LED应用产品2,603,775,175.102,340,757,750.2110.1016.7112.69增加3.21个百分点
材料、废料销售4,476,313,051.994,091,259,343.688.6021.5419.34增加1.68个百分点
租金、物业、服 务收入131,544,600.3588,308,739.5832.87-21.2610.10减少19.12个百分点
主营业务分地区情况      
分地区营业收入营业成本毛利率 (%)营业收入比上 年增减(%)营业成本比上 年增减(%)毛利率比上年增减 (%)
中国大陆地区13,868,482,347.3012,465,372,487.5510.1217.2512.65增加3.67个百分点
中国大陆地区以 外2,237,345,149.371,723,198,385.0222.980.5910.42减少6.86个百分点
主营业务分销售模式情况      
销售模式营业收入营业成本毛利率 (%)营业收入比上 年增减(%)营业成本比上 年增减(%)毛利率比上年增减 (%)
直销16,105,827,496.6714,188,570,872.5711.9014.6112.38增加1.75个百分点
(2). 产销量情况分析表
√适用□不适用

主要产品单位生产量销售量库存量生产量比上年 增减(%)销售量比上年 增减(%)库存量比上年 增减(%)
LED外延片芯片KKK2,304.762,125.361,674.2926.779.2712.00
集成电路产品426,127.65414,762.76178,767.0611.2149.696.79
 KK1,449.371,464.84319.14183.36197.14-4.62
LED应用产品KK209,188.51190,866.6729,540.578.020.86163.31
 769,016.00737,907.0031,383.00100.00100.00100.00
 8.0011.002.0060.00100.00-60.00
 13,094,466.0013,061,600.002,189,168.0040.5339.531.52
(3). 重大采购合同、重大销售合同的履行情况(未完)
各版头条