[年报]北方华创(002371):2024年年度报告

时间:2025年04月26日 14:06:45 中财网

原标题:北方华创:2024年年度报告

北方华创科技集团股份有限公司
2024年年度报告
2025年4月
致股东
时序更替,华章日新
值此万物竞发的季春时节,谨以最诚挚的感恩之心,向始终信任并陪伴北方华创成长的客户、股东及合作伙伴致以衷心感谢!2024年,全球半导体产业在技术迭代与生态重构中激流勇进,北方华创以战略定力锚定航向,以创新引擎驱动发展,在复杂环境中交出了一份稳健向上的答卷:全年实现营业收入298.38亿元,同比增长35.14%;归属于上市公司股东的净利润56.21亿元,同比增长44.17%。这份成绩的背后,是全体华创人坚守初心的执着,是产业链伙伴并肩前行的力量,更是中国半导体产业自主创新的时代注脚。

以创新为刃,拓宽技术突围之路
我们深知,唯有持续突破核心技术,才能在全球竞争中掌握主动权。2024年,北方华创以53.72亿元研发投入(同比增长21.82%)、超1,300件新申请专利(发明专利占比超80%)的创新力度,在集成电路装备领域深拓边界:刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法等工艺制程设备累计出货量突破13,000腔,多项产品技术参数达到国际一流水平,市场占有率与行业话语权显著提升。

在真空、新能源与精密电子领域,我们同样书写突破:自主研发的轧分一体设备集成高精度轧制与分切技术,使锂电池生产效率提升30%,已进入国内头部电池企业供应链;应用于氢能燃料电池的系列镀膜设备,在性能提升30%的同时,成本降低80%、寿命延长30%,年产能超百万片,助力“双碳”目标加速实现;面向AI与数据中心的高功率密度负载点电源,精准适配新一代CPU/GPU/FPGA等算力芯片需求,打开多元增长空间。

以开放为帆,穿越产业周期浪潮
半导体产业的竞争,既是技术的比拼,更是体系能力的较量。北方华创始终相信:“不拒众流,方为江海”。过去一年,我们以前所未有的开放姿态,向全球标杆企业汲取管理智慧:战略管理方面,引入DSTE流程与BLM/BEM模型,构建全集团战略解码体系,让战略规划更贴近产业趋势,资源配置更精准高效;流程再造方面,对标电子信息行业顶尖企业,打通CRM、SRM、ERP等系统壁垒,消除冗余环节,实现从研发到交付的全流程数字化贯通;智能制造方面,在台马基地建成行业领先的12英寸半导体设备智能制造车间,通过AGV无人搬运与立库系统,实现高效制造,人均产值提升40%;人才激励方面,连续四期实施股权激励计划,超2,000名核心骨干深度绑定企业发展,让“奋斗者共享成果”成为驱动创新的核心密码。

我们更将开放精神融入产业链生态:与供应商共建联合实验室,在材料、零部件等“卡脖子”领域协同攻关;以绿色供应链为导向,建立三级供应商管理体系,实现从“交易关系”到“战略伙伴”的深度蜕变。

以攀登者姿态,迈向行业新高度 当前,国产半导体设备正处于破茧成蝶的关键节点,这既是历史性跨越,更是新征程的起点。我们 清醒认识到,半导体产业是一场需要十年如一日坚守的马拉松——前方有技术巅峰待攀登,有全球市场 待开拓,有产业生态待完善。 未来,北方华创将继续以“打造半导体基础产品领域值得信赖的引领者”为愿景,锚定三大战略方 向:技术攻坚,聚焦前沿领域,持续加大基础研究与颠覆性技术布局;生态共荣,深化与客户、供应商、 科研机构的协同创新,支撑“半导体朋友圈”穿越行业周期;全球拓展,以本地化服务网络深耕全球市 场,在开放合作中构建“中国芯”的全球竞争力。 风劲帆满海天阔,奋楫潮头逐浪高。站在新的历史起点,北方华创愿与产业伙伴一道,书写属于中 国半导体的壮丽篇章!2024年年度报告
第一节重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

公司负责人赵晋荣、主管会计工作负责人李延辉及会计机构负责人(会计主管人员)唐浩声明:保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

本报告涉及未来计划等前瞻性陈述,不构成本公司对投资者的实质承诺,投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。

公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为:以534,175,304股为基数,向全体股东每10股派发现金红利10.60元(含税),送红股0股(含税),以资本公积金向全体股东每10股转增3.5股。

目录
第一节重要提示、目录和释义........................................................................................................4
第二节公司简介和主要财务指标....................................................................................................9
第三节管理层讨论与分析..............................................................................................................13
第四节公司治理..............................................................................................................................44
第五节环境和社会责任..................................................................................................................67
第六节重要事项..............................................................................................................................69
第七节股份变动及股东情况..........................................................................................................77
第八节优先股相关情况..................................................................................................................86
第九节债券相关情况......................................................................................................................86
第十节财务报告..............................................................................................................................87
备查文件目录
(一)载有公司法定代表人签名的2024年年度报告原件。

(二)载有公司法定代表人、总裁、主管会计工作负责人及会计机构负责人签名并盖章的财务报表。

(三)载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。

(四)报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

(五)其他相关资料
释义

释义项释义内容
公司、本公司、北方华创北方华创科技集团股份有限公司
北京电控北京电子控股有限责任公司
七星集团北京七星华电科技集团有限责任公司
硅元科电北京硅元科电微电子技术有限责任公司
中国证监会中国证券监督管理委员会
公司章程北方华创科技集团股份有限公司章程
AIArtificialIntelligence,人工智能
GPUGraphicsProcessingUnit,图形处理器
HPCHigh-PerformanceComputing,高性能计算
HBMHigh-BandwidthMemory,高带宽内存
SiPSysteminPackage,系统级封装
FOPLPFan-OutPanel-LevelPackaging,扇出型面板级封装
AR/VRAugmentedReality,增强现实;VirtualReality,虚拟现实
YoleGroup一家国际知名的市场研究与技术分析公司
TechInsights全球知名的半导体行业观察机构
RDLRedistributionLayer,重分布层
PVDPhysicalVaporDeposition,物理气相沉积
CVDChemicalVaporDeposition,化学气相沉积
ALDAtomicLayerDeposition,原子层沉积
EPIEpitaxy,外延
LEDLight-EmittingDiode,发光二极管
SiCSilicon-carbide,碳化硅,一种化合物半导体
GaNGalliumNitride,氮化镓,一种化合物半导体
N型自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体,“N”表示负 电的意思,取自英文Negative的第一个字母
TOPConTunnelOxidePassivatedContactSolarCell,隧穿氧化层钝化 接触太阳能电池
XBCInter-digitatedBackContact,背接触技术
HJTHetero-junctionTechnology,晶体硅异质结太阳电池
PERCPassivatedEmitterandRearCell,发射极及背面钝化电池技术
AGVAutomatedGuidedVehicle,自动导引车
MESManufacturingExecutionSystem,制造执行系统
RTPRapidThermalProcessing,快速热处理
CRMCustomerRelationshipManagement,客户管理体系
SRMSupplierRelationshipManagement,供应商关系管理
ERPEnterpriseResourcePlanning,企业资源计划,一种集成化的 管理信息系统
ICPInductivelyCoupledPlasma,电感性耦合的等离子体源
TSVThroughSiliconVia硅通孔技术,可以穿过硅基板实现硅片内 部垂直电互联
CCPCapacitivelyCoupledPlasma,电容性耦合的等离子体源
MEMSMicro-Electro-MechanicalSystem,微机电系统
High-KHighDielectricConstant,高介电常数
Low-KLowDielectricConstant,低介电常数
MetalGate金属栅极,是现代半导体器件中用于替代传统多晶硅栅极的 材料,有助于提高晶体管的性能和效率
POLYMER聚合物,高分子化合物
PSSPatternedSapphireSubstrate,图形化蓝宝石衬底
Mini-LED芯片尺寸约在100微米的LED器件
Micro-LED芯片尺寸小于50微米的LED器件
MetalHardMask金属硬掩膜
Silicide金属硅化物
UBMUnderBumpMetallization,一种在集成电路封装中使用的技 术,主要用于在芯片的凸块下方形成一层金属层
PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,等离子增强型 化学气相沉积
LPCVDLowPressureChemicalVaporDeposition,低压化学气相沉积
HDPCVDHighDensityPlasmaChemicalVaporDeposition,高密度等离 子体化学气相沉积
PEALDPlasma-EnhancedAtomicLayerDeposition,等离子体增强原 子层沉积
ThermalALDThermalALD,热原子层沉积
ECPElectro-chemicalPolishing,电镀
DRAMDynamicRandomAccessMemory,动态随机存取存储器
3DNAND3-DimensionalNANDFlashMemory,三维闪存存储器
CZContinuousCzochralski,连续拉晶系统
FZFloatingZone,浮区法,是一种用于制备高质量单晶体的技 术
Wafer半导体晶圆
PET、PI高分子材料,聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺
DDRDoubleDataRate,即双倍数据速率,一种用于随机存取存储 器(RAM)的技术
ADC/DACAnalog-to-DigitalConverter/Digital-to-AnalogConverter,模拟 数字转换器
FPGAField-ProgrammableGateArray,一种集成电路,具有可编程 性、灵活性和并行处理能力
第二节公司简介和主要财务指标
一、公司信息

股票简称北方华创股票代码002371
变更前的股票简称(如有)七星电子  
股票上市证券交易所深圳证券交易所  
公司的中文名称北方华创科技集团股份有限公司  
公司的中文简称北方华创  
公司的外文名称(如有)NAURATechnologyGroupCo.,Ltd.  
公司的外文名称缩写(如有)NAURA  
公司的法定代表人赵晋荣  
注册地址北京市朝阳区酒仙桥东路1号  
注册地址的邮政编码100015  
公司注册地址历史变更情况  
办公地址北京市北京经济技术开发区文昌大道8号  
办公地址的邮政编码100176  
公司网址http://www.naura.com  
电子信箱[email protected]  
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名王晓宁孙铮
联系地址北京市北京经济技术开发区文昌大道 8号北京市北京经济技术开发区文昌大道 8号
电话010-57840288010-57840288
传真010-57840288010-57840288
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的证券交易所网站http://www.szse.com
公司披露年度报告的媒体名称及网址《中国证券报》《证券时报》《上海证券报》巨潮资讯网 http://www.cninfo.com.cn ( )
公司年度报告备置地点北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
四、注册变更情况

统一社会信用代码91110000726377528Y
公司上市以来主营业务的变化情况(如有)无变更
历次控股股东的变更情况(如有)无变更
五、其他有关资料
公司聘请的会计师事务所

会计师事务所名称大信会计师事务所(特殊普通合伙)
会计师事务所办公地址北京市海淀区知春路1号22层2206
签字会计师姓名韩雪艳、赵曼
公司聘请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构
□适用?不适用
公司聘请的报告期内履行持续督导职责的财务顾问
□适用?不适用
六、主要会计数据和财务指标
公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据
□是?否

 2024年2023年本年比上年增减2022年
营业收入(元)29,838,069,162.2622,079,458,092.3735.14%14,688,111,969.67
归属于上市公司股东的 净利润(元)5,621,189,109.033,899,069,987.9144.17%2,352,726,657.86
归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益的净 利润(元)5,570,060,947.813,581,368,813.5855.53%2,106,066,422.59
经营活动产生的现金流 量净额(元)1,573,165,054.272,365,007,734.54-33.48%-727,939,010.42
基本每股收益(元/股)10.57257.362343.60%4.4612
稀释每股收益(元/股)10.56457.336244.01%4.4485
加权平均净资产收益率24.83%17.88%6.95%12.96%
 2024年末2023年末本年末比上年末增减2022年末
总资产(元)65,708,880,828.2253,624,552,279.1322.54%42,551,398,848.42
归属于上市公司股东的 净资产(元)31,081,533,682.5824,366,942,915.2327.56%19,746,063,184.31
(1)公司营业收入持续稳定增长,主要原因为:公司集成电路装备领域多款新产品取得突破,工艺覆盖度及市场占有率
显著增长,产品销量同比大幅度增加。

(2)2024年归属于上市公司股东的净利润56.21亿元,同比增长44.17%,主要原因为:公司业务规模持续扩大,在收
入增长的同时,持续推动降本增效工作,平台优势逐渐显现,经营效率显著提高,成本费用率有效降低。

(3)2024年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润55.70亿元,同比增长55.53%,主要原因为:公司归属
于上市公司股东的净利润同比增加17.22亿元,使得归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润增加。

(4)2024年经营活动产生的现金流量净额15.73亿元,同比减少33.48%,主要原因为:公司为了满足订单需求,采购
商品支付的货款增加,使得经营活动产生的现金流量净额出现下降。

公司最近三个会计年度扣除非经常性损益前后净利润孰低者均为负值,且最近一年审计报告显示公司持续经营能力存在
不确定性
□是?否
扣除非经常损益前后的净利润孰低者为负值
□是?否
七、境内外会计准则下会计数据差异
1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况□适用?不适用
公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况□适用?不适用
公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

八、分季度主要财务指标
单位:元

 第一季度第二季度第三季度第四季度
营业收入5,859,163,380.596,475,743,823.698,017,863,754.899,485,298,203.09
归属于上市公司股东 的净利润1,126,550,627.361,654,053,673.891,681,917,060.311,158,667,747.47
归属于上市公司股东 的扣除非经常性损益 的净利润1,072,494,911.141,567,407,288.031,626,040,068.281,304,118,680.36
经营活动产生的现金 流量净额260,016,536.69-552,488,752.58747,250,085.491,118,387,184.67
上述财务指标或其加总数是否与公司已披露季度报告、半年度报告相关财务指标存在重大差异□是?否
九、非经常性损益项目及金额
?适用□不适用
单位:元

项目2024年金额2023年金额2022年金额说明
非流动性资产处置损益(包括 已计提资产减值准备的冲销部 分)4,860,382.72-2,794,379.07-34,010,374.26 
计入当期损益的政府补助(与 公司正常经营业务密切相关, 符合国家政策规定、按照确定 的标准享有、对公司损益产生 持续影响的政府补助除外)69,918,328.46364,570,593.87318,351,035.22 
除同公司正常经营业务相关的 有效套期保值业务外,非金融 企业持有金融资产和金融负债 产生的公允价值变动损益以及 处置金融资产和金融负债产生 的损益6,260,374.55-5,739,486.15-2,574,016.64 
除上述各项之外的其他营业外 收入和支出-16,322,979.8226,819,801.9911,055,838.94 
减:所得税影响额9,877,212.2757,751,722.4540,065,020.01 
少数股东权益影响额(税 后)3,710,732.427,403,633.866,097,227.98 
合计51,128,161.22317,701,174.33246,660,235.27--
其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况:
□适用?不适用
公司不存在其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况。

将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益
项目的情况说明
□适用?不适用
公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为
经常性损益的项目的情形。

2022年度归属于母公司所有者的非经常性损益净额是246,660,235.27元,按照《公开发行证券的公司信息披露解释性公
告第1号——非经常性损益(2023年修订)》规定计算的归属于母公司所有者的非经常性损益净额是69,884,175.49元。

2023年度归属于母公司所有者的非经常性损益净额是317,701,174.33元,按照《公开发行证券的公司信息披露解释性公
告第1号——非经常性损益(2023年修订)》规定计算的归属于母公司所有者的非经常性损益净额是111,902,539.39元。

第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所处行业情况 北方华创始终秉承“推动产业进步,创造无限可能”的企业使命,立足半导体基础产品领域,深耕半导体装备、真 空及新能源装备、精密电子元器件等业务板块,致力于成为半导体基础产品领域值得信赖的引领者。 (一)半导体装备业务板块 1、集成电路装备领域 2024年,全球集成电路产业在技术创新、市场需求及供应链重塑的多重驱动下,步入新一轮增长周期。尽管全球经 济增速放缓与地缘政治风险持续存在,但受益于人工智能(AI)、高性能计算(HPC)的高速发展,汽车电子及消费电 子回暖等因素的驱动,全球集成电路市场规模达到6,260亿美元,创历史新高。 随着生成式AI应用在全球范围内迅速普及,国内外厂商纷纷加快AI产业布局,市场需求快速爆发,同时带动AI GPU HBM 芯片需求快速增长,也给半导体市场的发展注入新的增长动力。尤其是高算力 芯片和高性能 芯片,成为生成 式AI未来发展的关键环节,带动集成电路市场走向历史新高。集成电路行业的另一个增长点是汽车电子。汽车电子芯 片按照功能可以分为主控芯片、功率芯片、存储芯片、传感器芯片、模拟芯片和通信芯片等。随着汽车电动化、智能化、 网联化的快速发展,每辆汽车上使用的芯片种类和数量持续增长。根据中国汽车工业协会提供的数据,传统燃油车所需 汽车芯片数量为600~700颗/辆,电动车所需汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆,而更高级的智能汽车对芯片的需求量将 3,000 / 2024 有望提升至 颗辆。另外, 年消费电子市场也逐渐回暖,手机、平板、个人电脑等消费电子出货量普遍迎来 2%~5%的增长,带动了芯片产能的回暖。数据来源:Gartner
市场对芯片的强劲需求,驱动了芯片工艺持续迭代,并逐步向精密化、集成化方向演进。这一变化对集成电路装备
SEMI 2024 1,161
不断提出挑战,高端集成电路装备的重要地位日益凸显。根据 统计, 年全球集成电路装备的销售额达亿美元,创历史新高。中国大陆作为全球最大的芯片消费市场,对集成电路装备的需求保持增长,2024年中国大陆集成
491 电路装备销售额为 亿美元,继续位居全球首位。数据来源:SEMI
2、先进封装装备领域
在半导体行业步入“后摩尔时代”的背景下,芯片制程微缩面临物理极限与成本激增的双重挑战。2024年,全球半
导体产业将目光聚焦于先进封装技术,其通过异构集成(如Chiplet)、三维堆叠等创新工艺,为延续芯片性能提升提供
了新的路径。据YoleGroup预测,全球先进封装市场规模将从2023年的378亿美元增至2029年的695亿美元。这一增长主要得益于AI、高性能计算及5G/6G技术对算力密度的极致需求,以及数据中心、自动驾驶等领域对低功耗、高可
靠性封装的迫切需要。同时,先进封装技术也沿着多元化方向发展。2.5D/3D封装成为AI芯片的核心封装方案;系统级
封装(SiP)通过微型化集成技术,在可穿戴设备、AR/VR领域占据优势;扇出型封装(FOPLP)加速布局,以更低成
本和更大灵活性满足5G与消费电子需求;混合键合技术作为下一代高密度集成的关键,各个头部厂家等正推动其量产
进程。

先进封装技术的迭代对先进封装装备提出更高要求,推动行业进入增量发展新阶段。据TechInsights数据,2024年
全球先进封装装备市场规模达31亿美元,创历史新高。与此同时,先进封装装备技术快速升级,前道工艺后移,推动
刻蚀、薄膜沉积、电镀等设备需求快速增加。国内设备厂商依托本土产业链优势,在细分领域实现突破。

3
、化合物半导体装备领域
2024年,新能源汽车、AI、可再生能源等领域需求的爆发式增长,推动以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为核心的化合物半导体加速从“实验室创新”迈向“规模化商用”的关键阶段。相较于传统硅基半导体,化合物半导体具备宽
禁带、高击穿电场、高电子迁移率等优异特性,能够在高温、高功率、高频等极端条件下稳定运行。在新能源汽车的车
载充电、功率转换系统中,化合物半导体器件可显著提升能源利用效率,减小设备体积;在AI算力中心的电源管理环
节,化合物半导体器件能降低能耗,保障算力设备稳定运行;在可再生能源的电能转换与传输场景里,化合物半导体器
件有助于提升电力传输稳定性,降低传输损耗,成为各领域不可或缺的关键部件。

化合物半导体行业市场规模不断扩大。在新能源汽车领域,2024年全球新能源汽车销量持续高速增长,我国新能源
汽车产销分别完成1,288.8万辆和1,286.6万辆,同比分别增长34.4%和35.5%,新能源汽车销量达到汽车总销量的40.9%。

新能源汽车对车载充电器、逆变器等器件性能要求不断提升,带动了碳化硅、氮化镓等化合物半导体器件的广泛应用。

AI算力方面,2024年中国智能算力规模达725.3百亿亿次浮点运算/秒(EFLOPS),同比增长74.1%,为满足数据中心
对高效、稳定电源管理需求,氮化镓等化合物半导体功率器件在电源模块中的应用日益广泛。可再生能源领域,我国
2024年可再生能源发电装机达到18.89亿千瓦,同比增长24.6%,在风电、光伏逆变器中,化合物半导体器件可有效提
升电能转换效率,降低系统成本,市场需求持续攀升。

在下游旺盛需求的拉动下,化合物半导体装备市场订单量迎来快速增长,众多设备厂商纷纷加大研发投入,推出适
配化合物半导体生产的新型设备,以抢占市场先机,整个化合物半导体装备产业正处于蓬勃发展的上升通道。

(二)真空及新能源装备业务板块
1、真空装备领域
2024年,国内热处理装备行业在高端化、智能化与绿色化方向持续突破,市场规模突破200亿元,较2020年增长超30%。真空热处理装备通过优化真空系统设计与温度均匀性控制,实现了复杂零部件的精密处理,在航空航天、新能
源汽车等领域的应用占比提升至35%。气氛保护热处理装备通过可控气氛动态调节技术,显著提升了齿轮、轴承等关键
部件的表面性能。连续式热处理装备呈现高速发展态势,国产连续式装备在汽车零部件热处理领域的市占率大幅提升,
逐步打破国外厂商在高端市场的垄断。同时,在双碳政策的有力推动下,2024年新能源汽车行业延续了迅猛增长的态势,
为磁性材料设备行业开拓了广阔空间,国内进一步加大了对基础材料、基础设备的研发投入,真空表面热处理装备所处
的基础工业领域迎来了发展机遇。

2、新能源装备领域
在新能源光伏装备领域,2024年,我国光伏产业链主要环节产量持续增长,全国光伏新增装机277.57GW,累计并网容量突破880GW,继续领跑全球。多晶硅、硅片、电池片及组件产量分别达182万吨、753GW、654GW和588GW,同比增速均超10%。组件出口量增长12.8%,覆盖38个超“1GW”市场,亚洲新兴市场成为重要增长点。然而,行业面临价格下行与盈利压力,组件价格同比下降30%以上,部分环节出现阶段性亏损,倒逼企业加速技术创新与低效产能
出清。从技术路线看,依据行业数据,2024年N型TOPCon电池片以超过70%的市占率成为主流技术路线,其规模化生
产转换效率达到25.4%,相较于2023年显著提升0.8个百分点,高效电池产能的大量释放有力推动了产业升级。异质结
与XBC技术虽当前市占率仅分别为4%和5%,但其转换效率已突破25.6%和26.0%,展现出巨大的技术潜力与发展空间。

随着TOPCon产能持续释放、异质结与XBC技术产业化推进,以及钙钛矿等新一代技术不断突破,装备需求正从单一环节向全流程智能化升级转变。同时,全球装机需求重心向新兴市场转移,叠加国内“双碳”目标支撑,光伏装备领域
有望在技术创新与市场扩张中实现结构性突破。

在新能源锂电装备领域,随着技术的不断成熟与市场的逐步拓展,新型锂电材料及设备的市场空间将持续扩大。高
质量的动力锂电池资源依旧处于稀缺状态。在下一代高能量密度锂电池中,新型的复合集流体应用市场目前在逐渐形成,
有望成为推动锂电技术升级的关键力量。预计2025年锂电装机量将攀升至1,390GWh,迈向TWh级别,根据预测,2030年复合集流体制造装备需求将达到188亿元人民币,渗透率将达到22%。

在氢燃料电池装备领域,随着氢燃料电池的持续迭代,技术渐趋成熟,加之上游电源结构朝着清洁化加速转型,氢
燃料电池有望在未来步入快速发展阶段。在交通领域,氢能汽车将成为重要的应用场景。国际能源署数据显示,全球氢
能车销量已从2021年的不足万辆增至2024年的1.65万辆,预计到2030年将突破185万辆。根据国际氢能委员会预测,
到2050年氢能在全球终端能源消费中的占比将从当前的0.1%跃升至18%,形成2.5万亿美元规模的产业链。氢燃料电
池市场的未来预期,也推动氢燃料电池装备产业进入规模化发展新阶段。

(三)精密电子元器件业务板块
随着新兴应用蓬勃发展,以低空经济、商业航天、人工智能、新能源汽车、智能机器人等为代表的新兴领域不断拓
展,精密电子元器件行业迎来新的机遇。新兴领域对设备体积与性能要求更加严苛,推动精密电子元器件不断向“小型
化、集成化、高精密、高可靠”方向发展。与此同时,在产业链、供应链需求的推动下,精密电子元器件行业的国产化
替代进程加速,进一步扩展了国内电子元器件业务的市场空间。

二、报告期内公司从事的主要业务
北方华创专注于半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务,主要产品为电子工艺装备和电子元器件,电子工
艺装备包括半导体装备、真空及新能源装备。电子元器件包括电阻、电容、晶体器件、模块电源、微波组件等。北方华
创始终坚持科技创新,不断推动产品迭代升级,积极拓展产品应用领域,以满足快速发展的市场需求。

在半导体装备业务板块,北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法、离子注入等核心工艺装备,广
泛应用于集成电路、功率半导体、三维集成和先进封装、化合物半导体、新型显示等制造领域。北方华创借助产品技术
领先、种类多样、工艺覆盖广泛等优势,以产品迭代升级和成套解决方案为客户创造更大价值。

在真空及新能源装备业务板块,北方华创深耕高压、高温、高真空技术,主要产品包括晶体生长设备、真空热处理
设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备、等离子增强化学气相沉积设备、扩散氧化退火设备、磁控溅射镀膜设
备、低压化学气相沉积设备、多弧离子镀膜设备、金属双极板镀膜设备等,广泛应用于材料热处理、真空电子、半导体
材料、磁性材料、新能源等领域,为新材料、新工艺、新能源等绿色制造提供技术支持。

在精密电子元器件业务板块,北方华创推动元器件向小型化、集成化、高精密、高可靠方向发展,主要产品包括精
密电阻器、新型电容器、石英晶体器件、石英微机电传感器、模拟芯片、模块电源、微波组件等,广泛应用于电力电子、
轨道交通、智能电网、精密仪器、自动控制等领域,为客户打造高端精密电子元器件技术、产品、服务一体化的专业解
决方案。

三、核心竞争力分析
在半导体产业蓬勃发展且竞争日益激烈的2024年,北方华创作为行业的重要参与者,通过一系列战略布局与创新举
措,全方位提升自身核心竞争力,在技术创新、生产制造、人才培养、合规管理等多个方面取得了显著成果,向着世界
一流的半导体设备服务提供商的目标坚实迈进。

1
、科技创新与知识产权战略:构建技术优势,引领产业标准?
科技创新是企业发展的源动力。2024年,公司持续加大研发投入,全年研发投入53.72亿元,同比增长21.82%,围绕半导体装备、真空及新能源装备、精密电子元器件等领域有序推进新产品开发及产业化应用。截至2024年底,公司累
计申请专利9,200余件,累计获得授权专利5,300余件,继续稳居国内集成电路装备企业首位。2024年,公司精准把握
客户需求,成功推出应用于集成电路多个技术代的刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法等数十种新产品,打破了国外厂商在
高端工艺制程的技术垄断;在真空及新能源领域,北方华创自主研发的卷绕镀膜设备在客户端成功上线,树立行业品牌
标杆;在精密电子元器件领域,北方华创新定型多款模拟集成电路产品和阻容元件,助力产业化规模提升。

公司高度重视知识产权的创造、运用、保护和管理。2024年,公司加大海外专利布局,专利领域覆盖美国、日本、
欧盟等12个国家和地区,构建了集成电路装备、真空镀膜等5大核心专利池,并与国际知名企业开展专利交叉许可谈判。

公司主导制定的《半导体设备真空传输系统技术要求》被SEMI采纳为国际标准草案。公司在知识产权领域运用新兴技
术,通过高价值专利产业化应用,创造经济效益。

2、客户中心战略:深化服务网络,铸就卓越品牌?
北方华创坚守“以客户为中心”的核心价值观,持续优化服务组合与模式。公司建立了完善的客户服务体系,在全
球建立4大区域服务中心,负责客户现场日常服务。整体统筹规划、动态调整调拨中心及备件库,满足客户需求,实现
资源合理配置。目前已建立6个备件调拨中心及8个备件库房,存储超20,000类备件。各调拨中心与备件库房采用先进
库存管理系统,实现智能化仓库管理,货品库存从入库、出库、质检、库存补足、库存控制及预警等方面进行全生命周
期追溯,提高客户服务运行效率。

公司深化客户关系管理,通过定期回访客户、开展满意度调查,不断改进服务质量,提升客户满意度,凭借优质服
务提升品牌形象和市场竞争力。公司通过双向改善系统收集分析客户反馈,并建立快速响应机制,研发和生产部门可根
据反馈,快速优化产品功能和工艺,满足个性化需求。公司优化技术支持团队服务流程,提高技术人员专业素养,为客
户提供及时有效的技术解决方案。同时,公司严格遵守ISO27001标准,保障客户信息安全,赢得客户信任。

3、卓越人才管理体系:激发人才潜能,提升组织活力?
北方华创始终秉持“以价值创造者为本”的核心价值观,建立卓越人才管理模式,为企业发展注入源源不断的活力。

公司持续优化薪酬福利体系,打造具有市场竞争力的薪酬与福利方案,并构建多层次员工福利保障制度,涵盖健康保险、
节日福利、员工关怀活动等,极大提升了员工的工作满意度和忠诚度。公司持续探索和筹划更加有效的中长期股权激励
方案,多期股权激励计划稳步推进,核心业务骨干深度绑定企业发展。

在员工成长与发展方面,公司践行公平公正的培养、发展与考核激励机制,依据员工表现和潜力,提供个性化培训
课程,开展分层次、定制化的人才培养项目。公司提供了广阔的项目平台,让新员工能从基础项目积累经验,让资深员
工有机会主导重大研发项目。同时,公司设置了专业技术、项目管理、智能制造等7大晋升通道,通过360度能力评估,
关键岗位人才储备率持续提升,构建公司后备人才培养新模式。这些举措的实施巩固了公司的人才竞争优势,为持续发
展提供坚实支撑。

4、智能制造与生产基地建设:打造数字标杆,赋能制造升级
公司通过强化平台运营和推进智能制造,巩固和提升在半导体设备行业的标杆地位。2024年,台马半导体设备基地
正式实现量产。基地配置了业内领先的自动化、智能化生产流程,通过智能化立库和AGV,实现所有部件全流程自动化
搬运,人力成本大幅降低;采用数字孪生技术构建虚拟产线,新产品导入周期明显缩短;部署高精度视觉检测系统,产
品首次通过率显著提升;基地建成行业领先的12英寸集成电路设备自动化车间,引入AI自适应控制系统,工艺稳定性
提升;基地打通CRM、SRM、ERP等多个信息化平台,赋能智能制造升级。

公司积极响应国家绿色制造政策,坚持绿色可持续发展价值观,创新探索系统化、精细化、科学化的方法,持续加
大投入,采取高效、智能、精确的节能技术手段,将安全、环保、低碳的理念贯穿研发、设计、生产、运输、服务、供
应链等环节,实现企业绿色低碳运营、促进产业绿色发展。2024年通过节能项目改造减少二氧化碳排放超7,582.56吨,
2020 54.11%
二氧化碳排放强度较 年下降 。公司下属北京北方华创微电子装备有限公司已取得“国家绿色工厂示范企业”和“国家绿色供应链示范企业”称号。

5?、韧性供应链体系:保障稳定交付,强化产业协同
公司高度重视供应链稳定,持续加强供应链保障工作。公司建立完善的风险预警和应对机制,实时监控和分析供应
链全部环节,及时发现并应对潜在风险,并与供应商加强沟通协作,共同制定应急预案,提高供应链的韧性和抗风险能
力。

公司持续加强供应链产业协同,建立三级供应商管理体系,整合供应商资源,优化采购流程,实现原材料供应的稳
定和及时。同时,公司已与33家供应商建立联合实验室,共同开发新技术。公司持续推进供应链数字化转型,运用大数
据、云计算等技术提升供应链透明度和响应速度。

6、管理提升与合规建设:践行卓越绩效,推动优质发展?
公司在管理创新领域持续突破,通过整合战略管理流程(DSTE)和方法论(BLM、BEM模型),搭建完善的集团战略管理体系和绩效评价体系,使战略规划更科学,评估决策更精准,业务流程更规范,运营管理更高效。

公司深度践行卓越绩效模式,年内推进百余项改进项目,全面覆盖战略规划、产品研发、生产制造、市场营销等关
键环节,全方位推动企业高质量发展。在质量建设方面,公司坚持“全链条协同、全流程改善”理念,构建QMS4.0数
字化质量平台,通过多项国际标准认证,建立完善的质量管理体系,打造卓越质量生态。

合规建设是企业稳健发展的基石。公司构建高效合规且风险可控的经营管理体系,从制度建设、流程规范、监督检
查等方面入手,确保运营符合国际国内相关标准。公司高度重视合规文化建设,举办合规培训、编制合规手册、开展合
规宣传,提高员工合规意识和风险防控能力。

四、主营业务分析
(一)概述
1、半导体装备
(1)刻蚀设备
在集成电路制造工艺中,刻蚀设备主要用于去除特定区域的材料来形成微小的结构和图案。根据权威机构数据,2023年刻蚀设备在集成电路设备资本支出中的占比为15.7%。

刻蚀设备主要通过两种方式实现对材料的精细构建。一是物理刻蚀方式,借助高速发射的离子束,通过物理轰击精
准去除晶圆表面不需要的材料;二是化学刻蚀方式,利用特定化学气体与晶圆表面材料发生化学反应,使多余材料转化
为气态并挥发,从而实现对电路结构的精确塑造。

随着芯片制造技术不断向更精细化迈进,对刻蚀速率、深宽比以及刻蚀均匀性等关键参数的精确控制提出了更高的
要求。同时,随着器件结构从二维到三维的演变,以及新材料(High-k介质/金属栅等)和新工艺(铜线低k介质镶嵌式
刻蚀工艺、多次图形工艺等)不断涌现,对刻蚀设备的工艺能力提出了更高的要求。比如,电感耦合等离子体刻蚀机
(ICP)要求更高的刻蚀选择比,并将器件的损伤降至最低,因此在更先进的设备中,将配置脉冲等离子体,通过控制
更窄的离子能量分布范围来实现需求;电容耦合等离子体刻蚀机(CCP)要求更高的刻蚀速率和刻蚀深宽比,设备将配
置更高功率的电源以及更低的温度来精确控制刻蚀的深度、角度,实现工艺需求。

北方华创在刻蚀设备领域,已形成了ICP、CCP、Bevel刻蚀设备、高选择性刻蚀设备和干法去胶设备的全系列产品布局。2024年公司刻蚀设备收入超80亿元。

北方华创主要批量销售的刻蚀设备包括:

产品类别图示应用介绍
12英寸导体 刻蚀设备 (ICP) 主要用于12英寸逻辑、存储等领域浅沟槽隔离刻蚀、栅极刻蚀、侧墙刻蚀、 金属硬掩膜刻蚀、高k值介质刻蚀、钨/钛/钽等金属及其化合物刻蚀等工艺。 该设备具备高密度电感耦合脉冲等离子体源、多温区静电卡盘、双层结构防护 涂层和反应腔原位涂层等核心技术,实现了各技术节点的突破。
12英寸深硅 刻蚀设备 (ICP) 主要用于2.5D、3D先进封装硅通孔及集成电路领域深槽刻蚀。该设备具备快 速气体和射频切换控制系统,优异的实时控制性能,在高深宽比深硅刻蚀中可 精确控制侧壁形貌,大幅提升刻蚀速率,实现侧壁无损伤和线宽无损失刻蚀效 果。
12英寸介质 刻蚀设备 (CCP) 主要用于逻辑芯片大马士革介质刻蚀、存储芯片台阶介质刻蚀、图形介质刻蚀 等工艺。该设备具备顶部直流反向电压系统,腔体自清洁工艺,腔体内部绝缘 材料控制等关键技术,满足多种技术代制程工艺的需求。
12英寸高深 宽比刻蚀设 备(CCP) 主要用于高深宽比介质深孔刻蚀。该设备配置超高功率射频电源,可激发高能 量等离子体,并开发了低温刻蚀和多重脉冲技术,满足更高深宽比刻蚀工艺要 求。
12英寸晶边 刻蚀设备 (Bevel) 主要用于晶圆边缘SiO、SiN、Carbon、Metal等多类型膜层去除工艺。通过 2 2 3 对等离子刻蚀区域精准控制,可视化调节位置,有效提升边缘良率。该设备已 完成各技术代的产品线应用,成为业界首选机型。
12英寸高选 择性化学刻 蚀设备 主要用于12英寸逻辑、存储芯片等领域气体化学反应刻蚀。通过气体匀流、 腔室温度的控制、超洁净腔室处理、单腔双晶圆同时刻蚀等核心技术,实现高 制程、大产能。
12英寸高选 择性等离子 刻蚀设备 主要用于12英寸逻辑、存储等领域高选择比、低损伤刻蚀。该设备具备高密 度等离子发生装置及优良的离子过滤能力,配置多温区静电卡盘等功能,实现 了超高选择比、无离子损伤刻蚀工艺。
12英寸干法 去胶设备 主要用于12英寸逻辑、存储等领域干法去胶工艺。该设备配置高密度低损伤 等离子源,实现高去胶速率的同时控制对晶圆表面的损伤,在高剂量离子注入 后的去胶、新型材料去胶、3D立体结构及高深宽比Polymer(聚合物)去除等 方面技术领先,并具备更长的使用周期及更低的拥有成本、维护成本。
8英寸导体 刻蚀设备 (ICP) 主要用于多晶硅栅极、接触孔、浅槽隔离、深槽、金属硅化物栅极、悬浮栅、 回刻蚀工艺,以及金属铝和钨的刻蚀工艺等。
8英寸介质 刻蚀设备 (CCP) SiO SiN 主要用于 2、 2 3等介质材料的刻蚀,工艺类型覆盖前道和后道所有介质 刻蚀。
8英寸化合 物刻蚀设备 (ICP) 主要用于GaN、SiC、AlO等化合物材料的刻蚀。 2 3
LED刻蚀设 备(ICP) 主要用于LED芯片PSS、GaN等材料的刻蚀,适用于Mini-LED、Micro-LED 等各个技术制程。
(2)薄膜沉积设备
薄膜沉积设备作为半导体制造的核心装备,通过物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、外延生长(EPI)、电化学沉积(ECP)及原子层沉积(ALD)等技术,在基底表面精准构筑纳米级功能膜层,这些膜层在芯片中
扮演重要的角色。其中,PVD主要采用磁控溅射技术制备高纯度金属互连层;CVD技术通过气相反应生成介质和金属
薄膜;外延设备(EPI)通过气相外延或分子束外延实现多种材料的薄膜生长;电镀设备(ECP)通过高深宽比孔内金属
填充技术提升芯片互连密度;随着芯片制程向更精细化迈进,薄膜沉积设备需要具备更高的沉积效率和更精确的厚度控
制能力,尤其在三维结构中实现均匀覆盖成为关键挑战,原子层沉积(ALD)等先进技术通过精确控制单原子层生长,
有效解决了高深宽比结构的全覆盖难题。而新型材料的应用,也促使薄膜沉积设备不断开发新的工艺和技术,以适应不
同材料的特性和沉积需求。这对薄膜沉积设备的气体输送系统、反应腔设计以及温度、压力控制精度提出了更高的要求。

根据权威机构数据,2023年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为22.1%。

PVD CVD ALD
北方华创在薄膜沉积设备领域,已形成了物理气相沉积( )、化学气相沉积( )、原子层沉积( )、外延(EPI)和电镀(ECP)设备的全系列布局。2024年公司薄膜沉积设备收入超100亿元。

北方华创主要批量销售的薄膜沉积设备包括:

产品类别图示应用介绍
12英寸集成电 路金属沉积设 备(PVD) 主要用于12英寸逻辑、存储芯片Cu(铜)互连、AlPad(铝垫层)、 MetalHardMask(金属硬掩膜)、MetalGate(金属栅)、Silicide(硅化 物)等金属化制程工艺。该设备先后突破了磁控溅射源设计、等离子体产 生及控制、腔室设计与颗粒控制、软件控制等多项关键技术,实现了对逻 辑和存储芯片的全覆盖。
12英寸先进封 装金属沉积设 备(PVD) 主要用于先进封装工艺中Ti、Cu等材料的沉积。该产品具备低温、低损 伤、高覆盖率等核心优势技术,应用于先进封装UBM、RDL、TSV工艺 的量产,为先进封装行业提供了稳定、高效的生产保障。
12英寸介质原 子层沉积设备 (D-ALD) 该产品包括热式原子层沉积设备(ThermalALD)和等离子增强型原子层 沉积设备(PEALD),主要用于12英寸存储芯片金属氧化物薄膜、金属 前介质层、硬掩膜层、钝化层、金属连线介质隔离等薄膜沉积,以及先进 封装Liner层沉积。该设备具备良好的薄膜均匀性、优异的台阶覆盖率及 快速且精准的前驱体控制系统,为客户提供高质量的介质薄膜沉积解决方 案。
12英寸金属栅 极原子层沉积 系统 (M-ALD) 该设备主要用于先进工艺金属栅极及刻蚀阻挡层薄膜的原子层沉积。设备 独特采用将多种前驱体循环通入腔室的方式,实现薄膜的逐层生长以及高 精度的厚度和均匀性控制。
12英寸管式原 子层沉积设备 TubeALD ( ) 主要用于12英寸逻辑、存储芯片氮化硅、氧化硅、Low-k介质、High-k介 质及氮化钛薄膜沉积工艺,具备精准控温、控压及批量式晶圆处理能力等 优势,可实现高质量、高均匀性、高台阶覆盖率薄膜沉积。
12英寸等离子 体增强化学气 相沉积设备 (PECVD) 主要用于12英寸逻辑、存储芯片氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化 硅、碳氮化硅等多种高品质介质薄膜沉积,可满足对钝化层、隔离层、抗 反射层、刻蚀停止层等多样化的应用需求。该设备可实现高均匀性、高产 能的薄膜沉积,工艺一致性更好、可靠性更高。
12英寸高密度 等离子体化学 气相沉积设备 (HDPCVD) 主要用于12英寸逻辑、存储芯片介质填充工艺。该设备通过同时进行沉 积和刻蚀的工艺方式,有效完成高深宽比沟槽的介质填充,具备高沉积速 率、优异的填孔能力和高致密的薄膜质量等优势。
12英寸低压化 学气相沉积设 备(LPCVD) 主要用于12英寸逻辑、存储芯片接触孔和通孔填充。该设备通过精确的 温度、气体脉冲时间和压力控制,实现高深宽比结构填充需求。
12英寸管式化 学气相沉积设 备 (TubeCVD) 主要用于12英寸逻辑、存储芯片氮化硅、氧化硅、多晶硅及非晶硅沉积 工艺。该设备凭借先进的控温技术及腔室气流特性优化设计,实现在平面 和复杂立体结构的精确薄膜沉积,并具备优异的均匀性和台阶覆盖能力。
12英寸外延设 备 (EPI) 该设备包括常压外延设备和减压外延设备。常压外延设备主要用于12英 寸硅外延片和功率器件外延生长,减压外延设备主要用于集成电路制造中 的减压选择性外延工艺。该设备工艺性能达到了国际主流水平,实现了外 延领域设备和工艺的全面覆盖,是国内扩产的首选机台。
12英寸电镀设 备(ECP) 2025年3月正式发布。该设备通过电解原理在晶圆表面沉积金属互连层, 是集成电路和先进封装(如TSV、Fan-Out)的核心装备。该设备通过实 时优化电场、流场、药液浓度及电镀参数,减少缺陷,提高芯片良率和可 靠性,实现高深宽比TSV填充。
8英寸物理气 相沉积设备 (PVD) 主要用于8英寸晶圆多种金属薄膜沉积工艺。广泛应用于集成电路、化合 物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。
8英寸等离子 增强化学气相 沉积设备 (PECVD) 主要用于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积 工艺。广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、 硅基微型显示、科研等领域。
8英寸金属有 机化学气相沉 积设备 (MOCVD) 主要用于功率、射频、光电子、Micro-LED、高效光伏等器件中的外延生 长。
8英寸硅外延 设备(EPI) 主要用于体硅外延、埋层外延、选择性外延等多种特色工艺。该设备具备 精准的压力、气流场与温场控制,保证了外延片良好的工艺性能,保证成 膜质量。
8英寸碳化硅 外延设备 (EPI) 主要用于SiC外延工艺。该设备采用水平热壁式技术路线,应用先进的控 温、控压算法和专业的进气、混流结构,保证热场和气流场均匀稳定。厚 度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺陷密度等工艺指标达到了行业领先水平。
(3)热处理设备
热处理设备是半导体制造中用于调控材料性质的核心装备,通过精确控制温度、时间及气体环境,实现氧化、扩散、
退火等工艺。其技术路径主要包括:氧化工艺,在高温下(800~1200℃)通过氧气或水蒸气在硅片表面生成SiO?薄膜,
PN 500~1200℃
结或调整电学特性;退火工艺,通过高温( )修复离子注入或扩散造成的晶格损伤,激活掺杂原子,优化器件性能。根据权威机构数据,2023年热处理设备在集成电路设备资本支出中的占比为3.0%。

北方华创在热处理设备领域,已形成了立式炉和快速热处理设备(RTP)的全系列布局。2024年公司热处理设备收入超20亿元。

北方华创主要批量销售的热处理设备包括:

产品类别图示应用介绍
12英寸立式 中高温氧化 退火炉 主要用于集成电路制造中氧化硅的生长、中高温退火及水汽退火工艺。该设备 具备优异的氧化层厚度、均匀性控制能力和退火质量,能有效提升器件电学稳 定性,避免漏电或性能漂移。
12英寸立式 低温合金退 火炉 主要用于集成电路及先进封装中金属合金处理、低温H退火及PI胶固化工艺。 2 该设备具备先进的控温技术及合金化处理工艺,能有效降低欧姆接触电阻,降 低芯片功耗,提高信号传输速度。
12英寸快速 热处理设备 (RTP) 主要用于集成电路制造中快速热处理工艺,包括修复因离子注入、扩散等工艺 步骤造成的晶格损伤,以及降低晶体缺陷等,从而提高半导体器件的性能和可 靠性。该设备具有加热速度快、热预算小、工艺时间短、杂质扩散少等优点。
12英寸单片 减压原位湿 法氧化系统 主要用于集成电路制造中湿法氧化、减压Spike、原位水汽氧化等工艺,可实现 低界面态缺陷密度氧化物生长,有效防止漏电与隔离,提高晶体管的开关速度 和信号传输速率。
12英寸等离 子氮化系统 主要用于集成电路制造中的栅极氮化工艺。该设备具备优异的氮渗透控制能 力,可有效增大绝缘栅介电常数并降低有效绝缘栅厚度,提升晶体管性能,满 足多种工艺制程芯片需求。
8英寸SiC 高温氧化炉 主要用于SiC器件中的高温氧化工艺。该工艺对提高SiC的沟道迁移率和栅极的 可靠性至关重要。
8英寸SiC 高温退火炉 主要用于SiC器件中的高温退火工艺。该工艺可激活掺杂原子,同时修复破损 晶格,实现掺杂改性目的。
(4)湿法设备
湿法工艺贯穿半导体制造的整个环节,通过化学溶液,结合物理或化学机理,对晶圆表面的颗粒物、有机残留物、
金属离子、氧化层及副产物等加以去除,进而减少污染,避免缺陷,在提升制造良率,保障器件性能与可靠性方面发挥
着无可替代的作用。

随着芯片特征尺寸向纳米级不断缩小,对晶圆表面污染物的控制要求越来越高,湿法工艺步骤的数量随之大幅提高。

同时,随着芯片技术朝三维集成方向持续发展,高深宽比结构的有效塑型与清洗为湿法工艺带来了更大挑战,高精度、
高效率、低损伤湿法技术设备解决方案成为关键。

根据权威机构数据,2023年湿法设备在集成电路制造设备资本支出的占比为5.5%。北方华创在湿法设备领域,已形成了单片设备和槽式设备的全面布局。2024年公司湿法设备收入超10亿元。

北方华创已批量销售的湿法设备主要包括:

产品类别图示应用介绍
12英寸前 段单片湿 法设备 主要用于12英寸前段清洗工艺,采用了堆叠式架构及多片式传输系统,占地 小、产能高;采用热异丙醇(IPA)干燥技术,达到良好的干燥效果;颗粒去 除表现卓越,性能跻身国内领先水平。
12英寸后 段单片湿 法设备 主要用于12英寸后段清洗工艺,采用多片式传输系统保障高效工艺产出;精 密的腔室及卡盘设计支持超高的化学品回收效率。
12英寸槽 式湿法设 备 主要用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示等领域12英寸清洗 工艺。采用模块化、标准化设计,满足客户多种工艺应用需求;集成多功能药 液槽,刻蚀速率控制精准;应用先进的低压干燥技术,达到良好的干燥效果, 实现槽式湿法工艺全覆盖,成为行业客户首选设备。
8英寸槽 式湿法设 备 主要用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示等领域8英寸清洗工 艺。
管舟清洗 设备 主要用于石英管/舟、石英板、基座等零部件浸泡式清洗。
(5)离子注入设备
离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性,是集成电路工艺中形成PN结和调控器件性能的核心装备。其工作原理是先通过离子源产生所需离子,在电场作用下加速至预定能量,再精确注入半导体材料,实现原子的替
换或添加,进而调控材料性能。2023年离子注入设备在集成电路设备资本支出中的占比为3.4%。

2025年3月,北方华创正式宣布进军离子注入设备市场,已发布的离子注入设备包括:
产品类别图示应用介绍
12英寸浸 没式离子 注入设备 主要用于硅晶圆器件的高剂量、低能量的离子注入掺杂工艺,面向存储和逻辑 领域的互补金属氧化物半导体器件的掺杂(CMOSDeviceDoping)、加氢钝化 (H-Passivation)、超浅结掺杂(UltraShallowJunctionDoping)、SOI (Silicon-on-Insulator)等工艺应用需求,成为行业客户首选设备。
12英寸离 子注入设 备 主要用于12英寸逻辑、存储芯片B、P、As等元素的注入。该设备可精准控制 注入角度,注入剂量,从而独立控制掺杂浓度和节深,调控晶体管电性能。
2、真空及新能源装备
(1)晶体生长设备
晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备,通过直拉法(CZ)、区熔法(FZ)或化学气相沉积(CVD)等工艺,在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体,广泛应用于集成电路、新能源
光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度,确保晶体结构完整和低缺
陷密度,从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级,晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制
及低能耗方向持续迭代,支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。

北方华创主要批量销售的晶体生长设备包括:

产品类别图示应用介绍
电阻式SiC长晶炉 主要用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长。该设备具备多加热 器设计,可进行灵活的工艺和热场设置,下装载结构可实现便捷的开装 炉及维护操作,同时具备高精度控温、控压能力,工艺性能稳定优异。
感应式SiC长晶炉 主要用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长。该设备具备创新的 结构设计,可提供高纯材料生长能力,拥有高精度的控温、控压能力, 工艺性能优异,设备一致性好。
液相法碳化硅长晶 炉 液相法碳化硅长晶炉通过将碳溶解在硅与助溶剂组成的高温溶液中形成 碳化硅溶质,并通过加热功率控制、运动控制等方式形成温度梯度,实 现碳化硅溶质在籽晶表面的析出、成晶,最终实现碳化硅晶体生长。设 备工艺稳定性强,为客户带来优异的产品良率,同时具有晶体生长速率 快、能耗低、维护便利等特性,助力客户降低运营成本,提高生产效 率。
单晶硅生长炉 主要用于光伏产业单晶硅制备工艺,该设备具有大投料量、高拉速、低 能耗、自动化、智能化优势,可全自动并行工艺处理。
(2)真空热工设备
真空热工设备是在真空或低气压环境下进行材料热处理、加工或制备的特种工业装备,其通过抽真空技术消除气体
干扰(如氧化、污染),精准调控材料性能,广泛应用于航空航天、电真空器件、新能源及精密制造等领域。典型设备
包括真空热处理炉(用于金属退火、淬火等工艺,提升力学性能)、真空钎焊炉(无氧高精度焊接航空发动机叶片等精
密部件)、真空镀膜设备(通过PVD/CVD技术制备光学或耐磨涂层)以及真空烧结炉(实现陶瓷、硬质合金的高致密
化烧结)等。该设备具备无氧化污染、工艺可控性强、节能环保等优势,可保障材料高纯度加工并减少能耗。随着新材
料需求增长,真空热工设备正向智能化、多功能集成化方向演进,成为高端制造业的核心装备。

北方华创主要批量销售的真空热工设备包括:

产品类别图示应用介绍
高温氢气烧结炉 主要用于半导体设备核心部件陶瓷材料在高温氢气下的烧结。设备最高 工艺温度1650℃,可在高温氢气气氛下长期保温并具有良好的均匀性。
连续高温石墨化炉 主要用于碳碳、碳陶及石墨等碳材料的石墨化工艺。设备最高温度可达 2400℃,多个真空腔室串联可实现连续化生产,运动系统全伺服控制, 设备运行稳定可靠、能耗低、操作简单、自动化程度高、产品一致性优 异。
真空钎焊炉 主要用于铝及铝合金材料的真空钎焊工艺,广泛应用于半导体核心零部 件加工。通过将钎料加热熔化,依靠毛细力作用对零件间隙进行填充, 实现冶金结合。设备采用分区功率控制与温度补偿实现高工艺温度均匀 性(≤±3℃),增强了焊接质量,助力客户提高产品质量。
(3)新能源光伏设备
北方华创深耕新能源光伏电池片设备,引领行业技术不断升级。公司成功研发大产能5管/6管/10管/12管设备,尺寸覆盖182~230等多种工艺方形或矩形片。在大尺寸Wafer工艺上为光伏行业提供专业、高效、先进、低成本的解决方
案,并通过等离子场、电场、气场、温度场等理论分析,完成了单舟到多舟的技术迭代,单管产能不断升级,完成了在
TOPCon工艺路线大产能设备的行业布局。公司低压扩散设备、低压硼扩设备市占率领先,各类扩散、氧化、退火类设
备技术性能领先。LPCVD产品实现了大尺寸硅片M10~M12兼容和载片量2,880片的突破,可完成隧穿氧化层、本征多晶硅层、磷原位掺杂多晶硅层等膜层制备。PECVD设备在电池行业的应用覆盖PERC、TOPCon、HJT、BC、钙钛矿电池技术,产品涵盖氮化硅设备、氧化铝和氮化硅2in1设备、隧穿层&Poly层&原位掺杂层3in1设备,新型板式PECVD也实现突破。经过几十年的技术沉淀、创新突破及产研结合,公司累计发布了近百款量产型光伏设备,实现头部
客户全覆盖,并出口越南、泰国、新加坡、马来西亚等国家和地区,成为国内及国际光伏设备主流的解决方案提供商。

北方华创主要批量销售的新能源光伏装备包括:

产品类别图示应用介绍
管式低压化学气相 沉积设备 (LPCVD) 主要用于156mm及以上的TOPCon光伏高效电池的超薄隧穿氧化层和 Poly薄膜工艺,满足大尺寸硅片及高产能需求,有效提高客户产线生产 效率。
光伏扩散、氧化、 扩散、氧化、退火 设备 该设备为多管卧式炉管设备,主要用于晶硅电池制作过程中的硼/磷掺 杂、氧化、退火等工艺。
等离子增强化学气 相沉积设备 (PECVD) 主要用于230mm光伏电池减反钝化层、钝化层、多晶硅层(POLY 层)及掺杂元素工艺的制备,适用于发射极背面钝化(PERC)电池、 隧穿氧化层钝化接触太阳能(TOPCon)电池、异质结(HJT)及背接 触(BC)电池生产制造,具有高转换效率、高产能的优异性能。
(4)新能源锂电复合集流体设备
新能源锂电复合集流体设备通过在高分子基材(如PET、PI)表面沉积纳米级金属层(铜、铝等),形成“三明治”

15%
可提升电池能量密度 以上,同时抑制锂枝晶生长,增强锂电池安全性与循环寿命。其高精度卷对卷连续镀膜技术适
配大规模量产需求,广泛应用于动力电池、储能系统等领域,助力新能源产业向高效、安全方向升级。

北方华创主要批量销售的新能源锂电复合集流体设备包括:

产品类别图示应用介绍
磁控溅射卷绕镀膜 设备 该设备主要用于电极集流体、薄膜固态电解质、固固界面缓冲层制备。 基于柔性基材的真空镀膜技术,可实现电池安全性提升、能量密度提高 和阻抗降低。设备能耗低、稳定性好,可有效降低客户运营成本。
卷绕式蒸发镀膜设 备 该设备是一种专为柔性基材(如高分子薄膜、金属箔)表面连续镀膜设 计的先进设备,适用于新能源电池集流体、柔性电子电路、光学薄膜及 包装材料等领域,兼具高产能、低能耗优势,推动柔性电子与绿色制造 的规模化发展。
(5)氢能金属双极板镀膜设备
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氢能金属双极板镀膜设备是专为氢燃料电池核心组件 金属双极板表面处理而设计的高端制造装备,旨在通过精密镀膜技术提升双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性,满足燃料电池苛刻工况下的性能需求。(未完)
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