[年报]银河微电(688689):2024年年度报告
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时间：2025年04月27日 17:11:34 中财网 |
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原标题:银河微电:2024年年度报告
公司代码：688689 公司简称：银河微电
转债代码：118011 转债简称：银微转债
常州银河世纪微电子股份有限公司
2024年年度报告重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是√否
三、重大风险提示
详情敬请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”相关内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、公司负责人杨森茂、主管会计工作负责人李福承及会计机构负责人（会计主管人员）周浩刚声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣减回购专用证券账户中股份总数为基数，每10股派发现金红利2.30元（含税）。截至2024年12月31日，公司总股本为128,903,136股，扣减回购专用证券账户中股份总数1,732,884股，以此为基数计算，合计拟派发现金红利29,249,157.96元（含税），占2024年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的40.69%。2024年度公司不送红股，不进行公积金转增股本。
如在实施权益分派股权登记日前，因可转债转股/回购股份/股权激励授予/股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。
上述利润分配预案已经公司第三届董事会第二十三次会议及第三届监事会第十八次会议审议通过，尚需提交股东大会审议。
八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告内容涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述因存在不确定性，不构成公司对投资者的实质承诺，提请投资者注意投资风险。
十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义...................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标..................................................................................................6
第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................ 11
第四节 公司治理............................................................................................................................40
第五节 环境、社会责任和其他公司治理....................................................................................58
第六节 重要事项............................................................................................................................69
第七节 股份变动及股东情况........................................................................................................99
第八节 优先股相关情况..............................................................................................................107
第九节 债券相关情况..................................................................................................................108
第十节 财务报告.......................................................................................................................... 109
| 备查文件目录 | 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
人员）签名并盖章的财务报表 |
| | 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件 |
| | 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 |
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
| 常用词语释义 | | |
| 公司、本公
司、上市公
司、银河微
电 | 指 | 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 银河星源 | 指 | 常州银河星源投资有限公司，本公司控股股东 |
| 恒星国际 | 指 | 恒星国际有限公司（ActionStarInternationalLimited），本公司股东 |
| 银江投资 | 指 | 常州银江投资管理中心（有限合伙），本公司股东 |
| 银冠投资 | 指 | 常州银冠投资管理中心（有限合伙），本公司股东 |
| 银河电器 | 指 | 常州银河电器有限公司，本公司全资子公司 |
| 银河半导体 | 指 | 常州银河世纪半导体科技有限公司，本公司全资子公司 |
| 银河进出口 | 指 | 常州银河世纪微电子进出口有限公司，本公司全资子公司 |
| 联元微科技 | 指 | 常州联元微科技有限公司，本公司控股子公司 |
| 银河光电 | 指 | 常州银河光电科技有限公司，本公司控股子公司 |
| 银芯微 | 指 | 常州银芯微功率半导体有限公司，本公司控股子公司 |
| 银河寰宇 | 指 | 泰州银河寰宇半导体有限公司，银河电器全资子公司，本公司孙公司 |
| 优曜半导体 | 指 | 上海优曜半导体科技有限公司，本公司参股公司 |
| 澜芯半导体 | 指 | 上海澜芯半导体有限公司，本公司参股公司 |
| 数明半导体 | 指 | 上海数明半导体有限公司，本公司参股公司 |
| 中国证监会 | 指 | 中国证券监督管理委员会 |
| 上交所 | 指 | 上海证券交易所 |
| 外延 | 指 | 一种在半导体加工过程中用来制造新型半导体材料的方法，通常是在晶体
材料表面外侧沉积出具有所需性质的晶体层，形成外延层。 |
| 氮 化 镓
（GaN） | 指 | 氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，是一种重要的宽禁带半导体
材料。 |
| RFID | 指 | RFID是RadioFrequencyIdentification的简称,是一种能够储存、发射
和接收信号的微型射频识别设备,用来识别特定的物体及其他工作场合的
自动识别技术。 |
| 分层 | 指 | 由于材料内应力的问题，容易造成不同材料的粘结面产生剥离，称为分层。 |
| 深度学习 | 指 | 深度学习（DL，DeepLearning）是机器学习（ML，MachineLearning）领
域中一个新的研究方向，深度学习是学习样本数据的内在规律和表示层次，
这些学习过程中获得的信息对诸如文字、图像和声音等数据的解释有很大
的帮助。它的最终目标是让机器能够像人一样具有分析学习能力，能够识
别文字、图像和声音等数据。深度学习是一个复杂的机器学习算法，在语
音和图像识别方面取得的效果，远远超过先前相关技术。 |
第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况
| 公司的中文名称 | 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 公司的中文简称 | 银河微电 |
| 公司的外文名称 | ChangzhouGalaxyCenturyMicroelectronicsCo.,Ltd. |
| 公司的外文名称缩写 | GALAXYMICROELECTRONICS |
| 公司的法定代表人 | 杨森茂 |
| 公司注册地址 | 常州市新北区长江北路19号 |
| 公司注册地址的历史变更情况 | 无 |
| 公司办公地址 | 常州市新北区长江北路19号 |
| 公司办公地址的邮政编码 | 213022 |
| 公司网址 | www.gmesemi.com |
| 电子信箱 | [email protected] |
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
| 公司披露年度报告的媒体名称及网址 | 《上海证券报》（www.cnstock.com）、《中国证
券报》（www.cs.com.cn） |
| 公司披露年度报告的证券交易所网址 | www.sse.com.cn |
| 公司年度报告备置地点 | 公司证券事务部 |
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用
| 公司股票简况 | | | | |
| 股票种类 | 股票上市交易所
及板块 | 股票简称 | 股票代码 | 变更前股票简称 |
| A股 | 上交所科创板 | 银河微电 | 688689 | 不适用 |
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他相关资料
| 公司聘请的会计师事务所
（境内） | 名称 | 立信会计师事务所（特殊普通合伙） |
| | 办公地址 | 上海市黄浦区南京东路61号四楼 |
| | 签字会计师姓名 | 凌燕、顾肖达、梅军锋 |
| 报告期内履行持续督导职
责的保荐机构 | 名称 | 中信建投证券股份有限公司 |
| | 办公地址 | 北京市朝阳区安立路66号4号楼 |
| | 签字的保荐代表人姓名 | 梁宝升、王家海 |
| | 持续督导的期间 | 2021年1月27日至2024年12月31日 |
| 报告期内履行持续督导职
责的保荐机构 | 名称 | 中信建投证券股份有限公司 |
| | 办公地址 | 北京市朝阳区安立路66号4号楼 |
| | 签字的保荐代表人姓名 | 王家海、宣言 |
| | 持续督导的期间 | 2022年8月2日至2024年12月31日 |
六、近三年主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位：元 币种：人民币
| 主要会计数据 | 2024年 | 2023年 | 本期比上
年同期增
减(%) | 2022年 |
| 营业收入 | 909,049,584.47 | 695,265,111.22 | 30.75 | 675,957,754.86 |
| 归属于上市公司股
东的净利润 | 71,874,234.87 | 64,052,300.09 | 12.21 | 86,380,356.62 |
| 归属于上市公司股
东的扣除非经常性
损益的净利润 | 48,049,884.64 | 32,202,494.99 | 49.21 | 63,439,594.38 |
| 经营活动产生的现
金流量净额 | 67,025,363.87 | 101,657,078.77 | -34.07 | 106,243,370.60 |
| | 2024年末 | 2023年末 | 本期末比
上年同期
末增减（%
） | 2022年末 |
| 归属于上市公司股
东的净资产 | 1,326,873,054.83 | 1,317,708,884.61 | 0.70 | 1,283,571,849.27 |
| 总资产 | 2,205,810,186.87 | 1,990,282,900.28 | 10.83 | 1,903,586,112.42 |
(二)主要财务指标
| 主要财务指标 | 2024年 | 2023年 | 本期比上年同
期增减(%) | 2022年 |
| 基本每股收益（元／股） | 0.56 | 0.50 | 12.00 | 0.67 |
| 稀释每股收益（元／股） | 0.56 | 0.50 | 12.00 | 0.67 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收
益（元／股） | 0.38 | 0.25 | 52.00 | 0.49 |
| 加权平均净资产收益率（%） | 5.47 | 4.94 | 增加0.53个百
分点 | 7.49 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净
资产收益率（%） | 3.66 | 2.48 | 增加1.18个百
分点 | 5.50 |
| 研发投入占营业收入的比例（%） | 6.17 | 6.06 | 增加0.11个百
分点 | 6.98 |
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
报告期内，公司实现营业收入909,049,584.47元，同比增加30.75%；实现归属于上市公司股东的净利润71,874,234.87元，同比增加12.21%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润48,049,884.64元，同比增加49.21%。主要系报告期内公司坚定聚焦主业，积极应对市场变化，适时优化内部产品结构，产销量稳步增长从而致使营收增长所致。报告期末，公司财务状况良好，总资产2,205,810,186.87元，较报告期初增加10.83%。基本每股收益、稀释每股收益同比增加12.00%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增加52.00%，主要系报告期内公司坚定聚焦主业，积极应对市场变化，适时优化内部产品结构，产销量稳步增长从而致使营收增长所致。
七、境内外会计准则下会计数据差异
(一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(三)境内外会计准则差异的说明：
□适用√不适用
八、2024年分季度主要财务数据
单位：元 币种：人民币
| | 第一季度
（1-3月份） | 第二季度
（4-6月份） | 第三季度
（7-9月份） | 第四季度
（10-12月份） |
| 营业收入 | 194,812,529.92 | 221,282,242.26 | 221,999,078.02 | 270,955,734.27 |
| 归属于上市公司股
东的净利润 | 17,316,318.22 | 17,525,613.25 | 10,093,474.54 | 26,938,828.86 |
| 归属于上市公司股
东的扣除非经常性
损益后的净利润 | 11,227,187.41 | 10,854,597.42 | 5,125,259.65 | 20,842,840.16 |
| 经营活动产生的现
金流量净额 | -2,617,400.78 | 30,875,783.68 | 16,785,112.43 | 21,981,868.54 |
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
九、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位：元 币种：人民币
| 非经常性损益项目 | 2024年金额 | 附注（如
适用） | 2023年金额 | 2022年金额 |
| 非流动性资产处置损益，包括已 | -1,387,394.26 | | 81,918.41 | 74,435.45 |
| 计提资产减值准备的冲销部分 | | | | |
| 计入当期损益的政府补助，但与
公司正常经营业务密切相关、符
合国家政策规定、按照确定的标
准享有、对公司损益产生持续影
响的政府补助除外 | 4,366,956.94 | | 10,438,790.63 | 8,759,331.85 |
| 除同公司正常经营业务相关的有
效套期保值业务外，非金融企业
持有金融资产和金融负债产生的
公允价值变动损益以及处置金融
资产和金融负债产生的损益 | 25,160,543.80 | | 27,083,704.83 | 18,312,122.77 |
| 计入当期损益的对非金融企业收
取的资金占用费 | | | | |
| 委托他人投资或管理资产的损益 | 554,687.50 | | 415,364.58 | 155,380.23 |
| 对外委托贷款取得的损益 | | | | |
| 因不可抗力因素，如遭受自然灾
害而产生的各项资产损失 | | | | |
| 单独进行减值测试的应收款项减
值准备转回 | | | 809.82 | |
| 企业取得子公司、联营企业及合
营企业的投资成本小于取得投资
时应享有被投资单位可辨认净资
产公允价值产生的收益 | | | | |
| 同一控制下企业合并产生的子公
司期初至合并日的当期净损益 | | | | |
| 非货币性资产交换损益 | | | | |
| 债务重组损益 | | | | |
| 企业因相关经营活动不再持续而
发生的一次性费用，如安置职工
的支出等 | | | | |
| 因税收、会计等法律、法规的调
整对当期损益产生的一次性影响 | | | | |
| 因取消、修改股权激励计划一次
性确认的股份支付费用 | | | | |
| 对于现金结算的股份支付，在可
行权日之后，应付职工薪酬的公
允价值变动产生的损益 | | | | |
| 采用公允价值模式进行后续计量
的投资性房地产公允价值变动产
生的损益 | | | | |
| 交易价格显失公允的交易产生的
收益 | | | | |
| 与公司正常经营业务无关的或有
事项产生的损益 | | | | |
| 受托经营取得的托管费收入 | | | | |
| 除上述各项之外的其他营业外收
入和支出 | 41,627.13 | | -549,724.91 | -506,965.95 |
| 其他符合非经常性损益定义的损
益项目 | | | | 174,345.00 |
| 减：所得税影响额 | 4,484,456.51 | | 5,621,058.26 | 4,027,887.11 |
| 少数股东权益影响额（税后） | 427,614.37 | | | |
| 合计 | 23,824,350.23 | | 31,849,805.10 | 22,940,762.24 |
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
□适用√不适用
十、非企业会计准则财务指标情况
□适用√不适用
十一、采用公允价值计量的项目
√适用□不适用
单位：元 币种：人民币
| 项目名称 | 期初余额 | 期末余额 | 当期变动 | 对当期利润的影
响金额 |
| 交易性金融资产 | 754,405,745.83 | 792,056,927.78 | 37,651,181.95 | 25,160,581.93 |
| 应收款项融资 | 21,409,037.15 | 49,519,523.83 | 28,110,486.68 | |
| 其他权益工具投资 | 25,390,700.00 | 25,390,700.00 | - | |
| 合计 | 801,205,482.98 | 866,967,151.61 | 65,761,668.63 | 25,160,581.93 |
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用√不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
公司继续坚持以市场和客户需求为导向，推动一体化经营模式构建，深化研发项目管理，强化研发成果的产业转化，并加强大客户营销服务，优化系统管控，提高商机转化率和赢单能力。
2024年度公司营业利润、净利润等核心经营指标同比均实现稳健增长，整体经营业绩呈现良好发展态势。
报告期内，公司实现营业收入909,049,584.47元，同比增加30.75%；归属于上市公司股东的净利润71,874,234.87元，同比增加12.21%。归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润48,049,884.64元，同比增加49.21%。
报告期内，公司研发投入合计56,049,945.56元，较上年同期增加33.08%，研发投入总额占营业收入比例为6.17%，较上年同期增加0.11个百分点。全年新增申请知识产权52个，新增授权39个。
公司秉承低碳经营的可持续发展理念，致力于实现人与自然的和谐共存。积极推行ISO50001、ISO14064、ISO14067、ISO45001等国际化标准管理体系，倡导绿色经营。通过导入太阳能光伏电站、无纸化智能办公系统、苏文电力控制系统、废水回收利用系统、余热回收利用系统、高密度矩阵式框架生产技术等管理改进和技术革新方案，努力减少有毒有害物质排放，降低工业废弃物产生，提高清洁能源使用占比，提升资源利用效率，以实现可持续发展的战略目标。报告期内，公司荣获“国家级绿色工厂”“常州市智能工厂”“常州市创建和谐劳动关系先进企业”“常州市明星企业”等荣誉称号。
公司所处细分行业为半导体分立器件行业，硅材料平台目前仍然是主流的半导体分立器件工艺平台，并将在未来相当一段时间内占据主要市场，但新的半导体材料，如SiC、GaN工艺平台正在逐步走向成熟，凭借第三代半导体材料高频、高功率密度特性，在新能源汽车、光伏逆变器等场景的应用占比显著提升。公司在第三代半导体材料研发上步伐加快，其在SiC与GaN技术方面取得突破，已初步具备SiCMOSFET及GaNHEMT芯片设计能力，并且实现了小批量应用。在硅材料平台上，对于芯片制造工艺也持续优化，基于SGT和深沟槽技术，对电荷平衡与栅极结构进行优化，降低导通电阻和动态损耗，采用多层外延技术提升可靠性。并且在功率MOSFET领域，Clip封装技术创新，逐步替代传统WireBonding，提升散热效率和电流承载能力，满足车规级产品的高可靠性要求。
在新产业布局方面，公司“车规级半导体器件产业化”项目进入产能爬坡阶段，产品涵盖IGBT、SiCMOSFET等，获得多家车企供应链认证，聚焦新能源汽车的电机控制、车载充电系统及ADAS领域，满足AEC-Q101等国际车规标准，逐步替代英飞凌、安森美等海外厂商的中高端市场份额。同时，光电耦合器及LED产品已应用于工业自动化、医疗设备等领域，并与多家客户合作，开发高精度传感器及电源管理模块。
新业态与模式创新上，公司深化IDM模式，整合芯片设计、制造与封测环节，形成“设计-制造-封测”一体化能力，提升产品性能与成本控制效率，自主设计的大功率IGBT芯片封测技术，实现低热阻封装，性能对标国际竞品。并且采用“以销定产+安全库存”模式，构建柔性生产体系，灵活应对消费电子与工业控制领域的多批次、定制化需求。2024年获评国家级“绿色工厂”，通过优化生产工艺（如无铅封装）降低能耗与污染，符合全球ESG趋势，增强对头部客户的吸引力，同时构建多元化供应链，与本土晶圆代工厂合作，减少对海外设备的依赖，提升供应链稳定性。
非企业会计准则业绩变动情况分析及展望
□适用√不适用
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业，致力于成为半导体分立器件细分领域的专业供应商及电子器件封测行业的优质制造商。公司以客户应用需求为导向，以封装测试专业技术为基础，积极拓展芯片设计技术、芯片制造技术、半导体器件的应用技术，已经具备相当的IDM模式下的一体化经营能力，可以为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案，提供满足客户一站式产品采购需求，同时也可向部分高端设计公司客户提供定制化的封测代工业务。
2、主要产品或服务情况
公司主营各类半导体元器件：小信号器件（小信号二极管、小信号三极管、小信号MOSFET）、功率器件（功率二极管、功率三极管、功率MOSFET、IGBT、桥式整流器），同时还生产车用LED灯珠、光电耦合器等光电器件、电源管理IC及第三代半导体（SiC、GaN）器件。公司产品广泛应用于汽车电子、工业控制、计算机及周边设备、网络通信家用电器、适配器及电源等领域，并可以为客户进行定制加工。
(二)主要经营模式
公司坚持以客户需求为导向，依托技术研发和品质管控能力，积极实施包括多门类系列化器件设计、芯片设计、以自主生产和委外流片代工相结合方式组织晶圆制造、多工艺平台封测生产以及销售服务的一体化整合（IDM），采用规模生产与柔性定制相结合的生产组织方式，以自主品牌产品直销为主，提供满足客户需求的产品及服务，从而实现盈利并与客户共同成长。
1、采购模式
公司采用“集中管理、分散采购”的模式，将供应链管理的规范性和适应产销需求的采购快捷灵活性有效地结合起来，并通过计划订单拉动和安全库存管控相结合的方式，达到兼顾快速交付订单和有效管控存货风险的要求。
2、生产模式
公司采用“以销定产，柔性组织”的生产模式。公司依据专业工艺构建产品事业部组织生产，以实现产能的规模效应和专业化管理。同时，公司以市场为导向，努力构造并不断优化适应客户需求的多品种、多批次、定制化、快捷交付的柔性化生产组织模式。
3、营销模式
公司依托自主品牌和长期积累的客户资源，采用直销为主、经销为辅的营销模式，并利用丰富的产品种类和专业化的支持，为客户提供一站式采购服务。公司建有较强的营销团队和集客户要求识别、产品设计、应用服务、失效分析等为一体的技术服务团队，依托丰富的产品种类和专业化的技术支持，为客户提供一站式采购服务。
4、研发模式
公司采用“自主研发、持续改善”的研发模式，并持续推动产学研合作不断深入。公司技术研发中心统一组织管理新产品研发以及技术储备研发活动，涵盖需求识别、产品设计、新材料导入、芯片设计制造、器件封测、模拟试验和验证、应用服务等各个技术环节，构建相互支撑、持续改善的系统性创新体系。
公司的主要经营模式在报告期内未发生重大变化，未来还将继续保持。公司将以技术创新为基础，积极整合各类资源，充分满足下游产业和客户对产品的需求，促进公司业务的持续健康发展。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业的发展阶段
中国半导体分立器件行业仍处于加速追赶国际先进水平的关键阶段，并逐步从低端市场向中高端领域渗透。尽管全球半导体市场因经济周期和细分领域需求分化呈现波动（如根据WSTS的数据，2024年全球分立器件市场规模下滑至315.46亿美元），但中国市场的韧性显著，2024年市场规模突破3200亿元，2030年预计超4300亿元，核心驱动力包括新能源汽车、5G通信、工业自动化等新兴领域的需求增长及国产化替代加速。
国产化进程：国内企业如华润微、士兰微、扬杰科技、银河微电等通过技术突破和产能扩张，逐步在功率器件（如MOSFET、IGBT）领域缩小与国际巨头（英飞凌、安森美等）的差距，但高端市场仍依赖进口。
市场集中度：行业CR3仅9%、CR5不足12%，竞争激烈且分散，头部企业通过研发投入和海外布局提升竞争力。
技术迭代：SGT等新结构MOSFET、第三代半导体材料（SiC、GaN）的商用化加速，推动高频、高功率器件在新能源车、光伏逆变器等场景的应用，成为行业升级的核心方向。
（2）行业的基本特点
①应用驱动：
新能源汽车：功率器件（IGBT、SiCMOSFET）需求爆发，2025年中国功率器件市场规模预计近1800亿元，占分立器件市场的半壁江山。
5G与AI：射频器件、高带宽存储（HBM）需求增长，但消费电子领域因智能手机、PC市场饱和增速放缓。
工业自动化：智能电网、机器人等领域推动高可靠性分立器件的需求。
②技术趋势：
小型化与集成化：采用SOT、QFN等微型封装技术，并向SiP（系统级封装）发展，提升器件集成度。
材料创新：SiC和GaN器件在新能源汽车、数据中心等领域渗透率提升，2025年全球SiC功率器件市场规模预计达2700亿美元。
绿色制造：环保政策趋严，企业需优化生产工艺以减少污染并降低能耗。
③市场格局：
区域集中：中国产能集中于长三角、珠三角，江苏省产业链布局最完善。
国际竞争：海外厂商在高端市场仍占主导，但国内企业通过性价比和本土化服务抢占中低端份额，并向高端延伸。
（3）行业的主要技术门槛
设计与制造工艺：高端分立器件（如高压IGBT、高频GaN器件）需突破芯片设计、晶圆制造、先进封装等核心技术，且依赖高精度设备。
材料研发壁垒高：SiC衬底制备良率低，GaN外延层质量控制难度大，需长期技术积累。
供应链与成本控制：全球供应链波动（如地缘政治、原材料短缺）影响产能稳定性，企业需建立多元化供应链。
研发投入高：头部企业年研发费用占比超10%，中小企业面临资金压力。
应用适配能力：下游客户（如车企、通信设备商）对器件的定制化需求增加，要求供应商具备快速响应和联合开发能力。
环保合规：生产过程中需符合重金属排放、废弃物处理等法规，增加环保成本。
（4）行业展望与挑战
机遇：政策支持（如“十四五”半导体专项）、新能源与AI需求爆发、国产替代深化。
风险：全球经济下行导致需求收缩、国际贸易摩擦、技术迭代过快导致的产能过剩。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
（1）行业地位现状
公司作为国内半导体分立器件领域的重要参与者，专注于半导体分立器件的研发与生产，产品广泛应用于汽车电子、消费电子、工业控制等领域。公司通过长期的行业深耕，在多门类系列化器件设计、芯片设计、部分品种芯片制造、封装设计、多工艺封装测试等环节均掌握了一系列核心技术，具备较强的根据客户需求进行产品定制，并采用多工艺制造平台提供生产来满足客户需求的能力，在国内属于具备较强技术优势的半导体分立器件生产厂商。公司是国家级专精特新小巨人企业，在细分市场积累占据一席之地。2024年获评国家级“绿色工厂”，符合全球绿色供应链趋势，提升品牌形象。在中低端功率器件（如MOSFET、IGBT）市场逐步替代进口，并逐步往高端领域渗透。小信号器件一直是公司的核心优势产品，布局较早、封装和产品门类齐全，具备绝对先发优势，是该领域的知名品牌。
在中美科技博弈背景下，国内客户对本土供应链依赖度提升，公司在汽车电子、消费电子、工业控制等领域已建立一定客户基础。公司在计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域得到了诸多知名龙头客户的长期认可，并随着公司技术水平的不断提升，产品逐步进入工业控制、安防设备、汽车电子、医疗器械等应用领域，具备较强的客户认证优势。公司是国内半导体分立器件领域首家加入国际汽车电子技术委员会的企业，在汽车及相关领域，资质是供应链准入关键，公司在车规级器件及汽车市场具有一定的先发优势。近年来随着公司在车规级功率器件方面的大力投入和发展，取得了较好的成长，目前已经在车载领域具有一定的市场影响力，尤其在中大功率MOSFET方面已属于国内半导体分立器件行业中规模较大的领先企业，车载领域的销售占比增幅明显。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势在当今科技飞速发展的时代，半导体行业作为信息技术的基石，扮演着举足轻重的角色。它不仅关乎计算机、通信、消费电子等领域的发展，还深刻影响着工业自动化、汽车电子等新兴领域的变革。根据中研普华产业研究院发布《2025-2030年半导体产业深度调研及未来发展现状趋势预测报告》显示分析：近年来，全球半导体市场规模持续扩大，展现出强劲的增长势头。据世界半导体贸易统计组织(WSTS)数据显示，2024年全球半导体市场规模已达到6430亿美元，同比增长7.3%。预计2025年，这一数字将进一步增长至6971亿美元，同比增长率约为11%。这一增长趋势主要得益于汽车电子、工业自动化、消费电子以及人工智能等领域的强劲需求。
当前半导体行业的发展趋势：
技术不断升级与创新。半导体行业正朝着更先进制程技术和新型半导体材料的方向发展。随着摩尔定律的推动，主流制程技术已经进入到5nm、3nm甚至更先进的阶段。台积电、三星、英特尔等厂商纷纷推出先进制程工艺，以提高芯片的性能和降低功耗。同时，新型半导体材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等也开始崭露头角，这些材料具有更高的电子迁移率、更低的导通电阻和更高的热稳定性，适用于高压、高频、高温等恶劣环境下的应用，越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列。
产业链协同发展。半导体产业链涵盖设计、制造、封装测试等多个环节。为了提升整体竞争力，半导体行业正不断加强产业链上下游企业的合作与协同。通过原材料供应、制造代工、封装测试以及销售渠道等方面的整合与优化，降低生产成本和提高市场竞争力。此外各国政府也加大了对半导体产业的支持力度，通过产业政策、税收优惠等手段推动产业链协同发展。
国产化替代加速。半导体市场需求持续增长，特别是在汽车电子、工业自动化和消费电子等领域。随着疫情的缓解和全球经济的复苏，半导体行业库存高企的问题逐步解决，下游企业开始重新备货，消费类和工业类电子产品需求上升。同时，面对国际供应链的不确定性，半导体设备国产替代的重要性日益凸显。在国家政策与市场需求的双重驱动下，国产替代进程加速进行，国内企业将通过技术创新和产业升级，逐步替代进口产品，提高市场占有率。
下游应用领域得到深化。半导体在传统应用领域如计算机、通信、消费电子等方面继续发挥着重要作用。随着数字化转型的加速和智能化趋势的推动，这些领域对高性能、低功耗芯片的需求不断增加。半导体企业纷纷推出新产品以满足市场需求，推动行业持续健康发展。半导体在新兴应用领域如物联网、人工智能、自动驾驶等方面展现出巨大的发展潜力。随着物联网技术的普及和智能家居、智慧城市等领域的快速发展，低功耗、高集成度和低成本的物联网芯片需求不断增长。同时，自动驾驶技术的快速发展也推动了自动驾驶芯片需求的增加。这些新兴应用领域为半导体行业提供了新的增长点。
2025年半导体行业将迎来更加广阔的发展前景和巨大的市场潜力。随着技术进步、市场需求增长、政策支持以及国际贸易环境的变化，半导体行业将继续保持快速增长的态势。未来，半导体行业将更加注重技术创新、产业链整合、市场需求与国产替代以及绿色环保与可持续发展等方面的发展。通过不断努力和创新，半导体行业将为实现全球科技产业的繁荣和发展做出重要贡献。
(四)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
报告期内，公司专注核心技术积累与新产品开发，坚持保障研发投入，全年累计投入5,604.99万元，占营业收入比例为6.17%，新增申请专利52项，其中发明专利15项，集成电路布图设计5项。
公司扎实推进多个研发项目，取得从芯片设计及迭代（6英寸平面芯片、HVIC芯片、FRMOS、SGTMOS等）到新封装开发（铝带工艺PDFN3×3、TO-247-4L、sTOLL、DFN8×8等）、从质量持续改善（过程能力提高、异常问题改善）到集成器件开发（达林顿阵列、半桥驱动IC）等的成果实现。并强化了研发成果的产业化立项和推动，不断提升公司技术创新能力，强化科创属性，并推进研发成果的经济效益转化。
| 项目
所需
技术 | 现有核心技术 | | 技术描述及特点 | 使用该项核
心技术的主
要产品 |
| 封 装
测 试
技术 | 组装技
术 | 高密度
阵列式
框架设
计技术 | 框架采用多排高密度化设计使每条框架产品数增
加，同时提高单位面积内的产品数，提高生产效
率及降低材料消耗。 | 小信号二极
管、光电耦合
器、功率二极
管、桥式整流
器 |
| | | 点胶量
CPK自动
测量控
制技术 | 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控
制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量
都在受控范围。 | 功率二极管、
桥式整流器 |
| | | 低应力
封装技
术 | 通过优化框架和跳线结构，结合合理的焊接温度，
保证焊接后芯片上下两边焊料厚度均匀并在足够
的范围内，提高了产品耐焊接热能力，极大降低
产品在后续焊接过程中的应力损伤。 | 功率二极管、
桥式整流器 |
| | | 功率芯
片画锡
焊接技
术 | 通过特殊设计的高温针头在装片基岛范围内均匀
行走，达到焊锡量分布均匀平整，位置可控，从
而可达到装片后芯片四周溢锡均匀、BLT厚度稳
定可控、焊接空洞减少的目的，提升功率器件的
性能和可靠性。 | 功率二、三极
管 |
| | | 甲酸真
空焊接
技术 | 焊接过程中通入甲酸可以将框架表面的氧化铜还
原，使框架表面无氧化层，提升塑封料与框架之
间的结合强度，降低产品分层异常。 | 功率二极管、
桥式整流器 |
| | | 高温反
向漏电
控制技
术 | SKY芯片采用多层钝化和多次金属化表面，在封
装过程中增加焊接后化学清洗，极大程度降低器
件的高温漏电，提高产品的高温可靠性。 | 功率肖特基
二极管 |
| | | 多层叠
焊技术 | 通过精准的锡量控制，使芯片与与芯片之间焊锡
层厚度和覆盖面积控制达到最优，并实现多层芯
片的串联，从而可以实现超高耐压或特殊功能要
求的器件，实现单芯片不能实现的功能。 | 高压二极管、
功率二极管 |
| | | LED倒装
封装技
术 | 通过将LED芯片PN结输出进行特殊设计，组装过
程中将芯片直接与基板上的正负极共晶焊接，无
线焊接缩短了热源到基板的热流路径，具有较低
的热阻。同时倒装结购使产品具有更好的抗大电
流冲击稳定性和光输出性能，尺寸可以做到更小，
光学更容易匹配。 | LED灯珠 |
| | | 超薄超
小 DFN
封装技
术 | 采用特殊的框架设计和制造工艺，框架的密度是
普通蚀刻工艺的2倍以上，封装采用我司先进的
超薄超小芯片的封装工艺，最终封装产品塑封体
厚度可以做到0.22mm以下，塑封体外形可以做到
市面上最小的0201外形。 | 小信号开关
二极管、肖特
基二极管、
PIN二极管、
ESD二极管 |
| | | 双面散
热封装
技术 | 在现有的底部散热封装外形的结构基础上，通过
设计厚尺寸clip并用于芯片与框架之间的连接，
产品塑封后对上模面采用独特的打磨工艺获得平
整裸露Clip散热面，从而实现产品底部和顶部均
带散热功能，极大程度提高产品的散热能力，从
而提高功率产品的电流能力。 | 功率二极管、
功率MOS |
| | | 基于塑
封前喷
涂涂层
的防分
层技术 | 在塑封前于芯片表面喷涂一种特殊的隔离溶胶，
该溶胶与芯片、框架及塑封料均具有有极强的粘
接力和强密着性，并可以在芯片与塑封料之间、
框架和塑封料之间起到很好的缓冲作用，因此可
有效解决芯片、框架与塑封料之间受热力容易产
生的的分层异常，提升功率器件的PCT能力和可
靠性。 | 功率二极管、
功率三极管、
功率MOS、SiC
肖特基、SiC
MOS |
| | | Clip 焊
接技术 | 在框架焊接工艺中采用clip完成芯片上表面的
电极与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降
低产品潜在失效风险。 | 功率二极管、
桥式整流器、
功率MOS |
| | | 大功率
超薄芯
片封装
技术 | 尺寸越大、厚度越薄的芯片在封装过程中越容易
引起芯片破裂，我司通过采用特殊的芯片研磨切
割工艺、采用UV膜及多顶针机构进行装片、通过
BLT和芯片平整度管控等方法有效解决封装过程
的机械及封装应力问题。 | 功率MOS、
IGBT |
| | | 多芯片
封装技
术 | 多芯片封装（MCP）：将HVIC（包括LVIC）、功
率器件（IGBT/MOSFET）集成于同一模块，采用复
合装片与键合线技术，实现高压系统的小型化，
提升散热效率与可靠性。 | IPM |
| | | 多层芯
片堆叠
技术 | 通过对封装结构的特殊设计，采用高精准的焊接
工艺实现多芯片堆叠封装，从而实现特殊器件的
封装制造 | 超高电压硅
堆和复合管 |
| | | 大功率
超薄芯
片封装
技术 | 尺寸越大、厚度越薄的芯片在封装过程中越容易
引起芯片破裂，我司通过采用特殊的芯片研磨切
割工艺、采用UV膜及多顶针机构进行装片、通过
BLT和芯片平整度管控等方法有效解决封装过程
的机械及封装应力问题。 | 功率MOS、
IGBT |
| | 成型技
术 | Auto 模
自动封
装技术 | 采用对塑封模具、框架结构等设计，选用
Automolding系统实现自动塑封，生产过程中可
实现分段开合模、分段注塑等特殊应用功能，满
足有特殊注塑工艺要求产品的生产，整个过程几
乎不受作业人员操作不当影响，生产效率高，制
程受控。 | 小信号二极
管、小信号三
极管、功率
MOS |
| | | 光耦器
件管脚
一体成
型技术 | 通过将不同工位的刀具系统集成在同一副系统或
模具上，实现在切筋成型过程中所有工序一体完
成，极大节约设备占据场地空间以及提升工序生
产效率，同时保证产品成型稳定性。 | 光电耦合器、
隔离驱动 |
| | 测试筛
选技术 | 基于产
品特性
数据分
析的测
试技术 | 针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制
定测试方案，并用PAT方法筛选出产品性能离散
及有潜在失效模式的产品。 | 小信号二极
管、小信号三
极管、功率二
极管、功率三
极管、桥式整
流器、光电耦
合器 |
| | | 基于开
尔文接
触方式
的多颗
串联高
压测试
技术 | 通过对高压测试座的结构进行特殊优化设计并采
用带回路检测功能的高压测试仪器，从而避免高
压测试过程中因产品引脚与测试座接触不良而发
生漏测，提高测试的生产效率和剔除有效性。 | 所有光电耦
合器 |
| | | 基 于
FMEA 的
测试技
术 | 针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影
响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生产
过程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产品。 | 所有产品 |
| | | SiC
MOSFET
器件动
态反偏
筛选技
术 | SiCMOSFET晶圆在现有的生产工艺过程中，栅氧
界面质量不可避免存在一定缺陷，该缺陷通过常
用的恒定栅氧反偏测试难以剔除。由于SiC
MOSFET在实际应用中主要当作高频开关器件使
用，栅极在高电平与低电平之间会频繁切换，栅
氧会长期承受高速动态栅应力的作用，故容易引
起使Vth退化失效。我司通过研究分析量化，掌
握了一套模拟SiCMOSFET实际应用对栅氧施加动
态早期失效产品，保证器件的出厂可靠性品质。 | SiCMOS |
| 芯 片
设计 | 第三代
半导体 | 高性能
沟槽型
SiC
MOSFET
芯片设
计 | 沟槽结构SiCMoS是在SiC外延层上刻蚀沟槽，
在沟槽表面通过氧化形成栅氧化层，沟槽结构可
以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更
小，开关速度快、损耗低。我司通过选取合适沟
道晶面并通过元胞结构优化，实现了较佳的沟道
迁移率，显著降低芯片导通电阻。 | SiCMOS |
| | Normal
trench
MOS 晶
圆设计 | 低压高
密度元
胞
normal
trench
TBO 工
艺设计
技术 | 采用最新的0.9umpitch元胞结构，结合沟槽底
部氧化物（TBO）技术,实现在低RDSon下提
供高耐用性，并降低Cgd,提高应用频率，并采用
clip封装工艺降低Rth、RDSon和封装电感，提
高最大电流能力。 | 低压大功率
MOS |
| | SGT-MO
S晶圆
设计 | SGT结构
中低压
MOS芯片
设计 | 该工艺在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的
基础上引入了水平耗尽，通过改变MOSFET内部电
场的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩的
梯形电场，从而进一步减小EPI层的厚度，降低
导通电阻Rds(on)。 | 中低压大功
率MOS |
| | HVIC驱
动芯片
设计技
术 | 位准移
动
（Level
Shiftin
g）技术 | HVIC通过低侧接地CMOS电路和高侧浮动CMOS电
路的集成，利用LDMOS区域隔离高压栅，支持在
快速瞬变（如50V/ns的dV/dt噪声）下稳定传输
信号。位准移动技术可消除共模电压干扰，提升
信号精度。从而实现高低压电路间的信号隔离与
传输，确保高压环境下控制信号的准确传递。 | IPM |
| | | 集成保
护与监
控功能
技术 | 过流保护：通过检测IGBT的VCE或者MOSFET的
VDS，结合快速比较器实现软关断（SoftShut
Down,SSD），防止电压浪涌损坏器件。
过温保护：集成温度传感器（VOT引脚）和模拟
电压输出，实时监测结温并触发保护逻辑，典型
保护阈值设定为100°C。
欠压锁定（UVLO）：防止驱动电压不足导致的IGBT
或MOSFET异常导通
可以实现故障信号的动态反馈与处理，减少外置
元件的依赖。保障IPM在过流、过温、短路等异
常工况下的安全运行。 | IPM |
| | | 集成自
举电路
和单电
源驱动
技术 | 集成自举二极管设计：通过集成自举二极管，在
高端IGBT/MOSFET导通时对自举电容充电，为高
侧驱动提供独立电源。支持单电源供电，减少PCB
布线复杂度。 | IPM |
| | | 抗噪声
与 EMI
控制技
术 | RC滤波电路设计：根据应用场景确定合适的时间
常数，抑制旁路电阻噪声，防止短路保护误动作。
优化开关特性：在保持功率密度的同时，通过优
化驱动器和功率器件的适配性，改善EMI可控性，
降低高频噪声辐射，抑制开关噪声对信号完整性
的干扰。 | IPM |
| 芯 片
制 造
技术 | 平面芯
片制造
技术 | 平面结
构芯片
无环高
耐压终
端技术 | 特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台
面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以
采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、
CVD等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提
升产品稳定性、可靠性等目的。 | 功率二极管 |
| | | 平面结
构芯片
表面多
层钝化
技术 | 采用多层CVD钝化膜技术，形成芯片表面所需的
综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化，
平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备
5um~20um的钝化介质层。多层CVD钝化膜起到固
定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽渗透，绝缘电
介质等功能，从而形成芯片表面所需的综合钝化
保护膜，相应产品性能稳定性优异。聚酰亚胺钝
化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇
到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、
可靠性。 | 功率二极管 |
| | | 平面结
构功率
稳压二
极管、
TVS芯片
设计及
制备技 | 特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免
了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问
题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达
到提升产品一致性、稳定性、可靠性的目的。 | 功率二极管 |
| | | 术 | | |
| | | 大功率
TVS产品
提升功
率技术 | 采用平面和台面结构相结合的方式，有效增加芯
片的接触面积，提升产品的功率能力 | 功率二极管 |
| | | TVS芯片
VC恒定
制造工
艺控制
技术 | 采用特殊的芯片结构及深结工艺，改变单双向TVS
芯片IPP/VC曲线，在IPP范围内芯片的VC保持
在一个较小范围，提升产品功率和电压抑制保护
能力。 | 功率TVS二极
管 |
| | | 稳压管
ZZK改善
技术 | 扩散时采用特殊的气体的方式，对芯片表面缺陷、
杂质浓度分布等进行有效的改善，大大降低产品
的动态电阻。 | 稳压二极管 |
| | 台面芯
片制造
技术 | 沟槽湿
法腐蚀
形状控
制计划 | 台面沟槽造型特别是“鸟嘴”造型对器件的VB电
压及可靠性有很大影响，我司通过工艺调整改善
芯片表面扩散浓度来调整沟槽腐蚀的速率和方
向，有效消除了原先的“鸟嘴”形状，解决原先
“鸟嘴”处的应力问题，提升了钝化效果。 | 功率二极管 |
| | | 高频、低
温升快
恢复二
极管芯
片制造
技术 | 采用深结扩散技术，通过精确控制基区（N-区)
宽度来降低产品在高频开关过程中的VFR，温升
同比国内其它客户同类产品降低8℃以上，并且
完全可以替代进口 | 快恢复功率
二极管 |
| | | PEG特殊
钝化工
艺保护
应用技
术 | 采用一种特殊的组合工艺，结合了刀刮法、光阻
法和电泳法的优势，钝化层根据需要排序进行生
长，一方面钝化过程中不会带入其他杂质，玻璃
内部不产气泡和黑渣点，另一方面形成的玻璃钝
化层非常致密，芯片的击穿硬特性和耐高温特性
大大提高，可应用于高可靠性要求的应用场合。 | 高可靠性要
求功率二极
管 |
国家科学技术奖项获奖情况
□适用√不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用□不适用
| 认定称号 | 认定年度 | 产品名称 |
| 国家级专精特新“小巨人”企业 | 2023 | / |
2、报告期内获得的研发成果
报告期内，公司继续深化研发项目管理，聚焦主营业务方向，在重点应用领域（如电动汽车、工业控制、家用电器等）、重点客户、重点产品等维度积极布局新产品开发不断提升技术开发的转化率和产品开发的成功率。
公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作，根据项目要求配置研发资源，通过加强研发团队建设、加强对外合作，加强项目质量管控，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地位。
报告期内，公司主要取得的研发成果如下：
（1）公司完成了高可靠性高频开关二极管芯片研发，完成了全系列稳压管芯片各电压档位的开发，并不断推进SGTMOSFET、FRMOS等芯片的系列化，完善了产品布局，进一步增强了公司在功率半导体产品方面的竞争力。
（2）公司完成了铝带工艺PDFN3×3、TO-247-4L、sTOLL、DFN8×8等功率器件封装开发，不断优化在功率器件领域的产品结构。
（3）顺利完成了新能源汽车用SiCMOSFET功率器件和模块关键技术研发的第一阶段的研发目标，达成了SiCMOSFET功率单管器件研发目标，并对功率模块进行了仿真和优化。
（4）完成了高功率密度二极管和整流桥器件开发，保持了公司在功率二极管领域的领先地位。
报告期内获得的知识产权列表
| | 本年新增 | | 累计数量 | |
| | 申请数（个） | 获得数（个） | 申请数（个） | 获得数（个） |
| 发明专利 | 15 | 10 | 83 | 41 |
| 实用新型专利 | 31 | 25 | 364 | 200 |
| 外观设计专利 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 软件著作权 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 其他 | 5 | 3 | 5 | 3 |
| 合计 | 52 | 39 | 453 | 245 |
注：
（1）“本年新增”中的“获得数”为报告期末新获得的专利数；
（2）“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。
（3）“其他”主要为集成电路布图设计（I类知识产权）。
3、研发投入情况表
单位：元
| | 本年度 | 上年度 | 变化幅度（%） |
| 费用化研发投入 | 56,049,945.56 | 42,117,351.36 | 33.08 |
| 资本化研发投入 | - | - | - |
| 研发投入合计 | 56,049,945.56 | 42,117,351.36 | 33.08 |
| 研发投入总额占营业收入比
例（%） | 6.17 | 6.06 | 增加0.11个百分
点 |
| 研发投入资本化的比重（%） | - | - | |
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
√适用□不适用
主要系公司科技创新投入增加，研发项目进度加快所致。
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用√不适用
4、在研项目情况
√适用□不适用
单位：万元
| 序
号 | 项目名称 | 预计总投
资规模 | 本期投入
金额 | 累计投入
金额 | 进展或阶段性
成果 | 拟达到目标 | 技术
水平 | 具体应用前
景 |
| 1 | 基于深度学习
的半导体封装
缺陷检测技术 | 50.00 | - | 30.39 | 项目已完成 | 基于深度学习原理，设计出可以自动检测产品塑封
体外观划痕、破损、压脚、气孔不良，应用到封装
产线，提高产线制程检验能力和效率。 | 国内
领先 | 产线外观质
量的在线监
测 |
| 2 | 6英寸平面芯
片技术及产品
开发 | 610.00 | 190.44 | 614.38 | 项目已完成 | 扩展6英寸平面芯片工艺平台，完成全系列稳压二
极管和高可靠度高频开关二极管芯片开发。 | 国内
先进 | 家电、电源、
智能、电表、
照明、通信、
汽车电子等 |
| 3 | 面向平面芯片
的精密封装技
术及产品开发 | 1,000.00 | 1,055.92 | 1,055.92 | 项目已完成 | 通过高位置精度和胶量稳定性控制方法实现平面芯
片高可靠度组装，有效控制芯片的焊接外观质量和
可靠性，降低焊接空洞率，实现封装良率和可靠性
能的提升。 | 国内
先进 | 广泛应用于
家电、电源、
智能电表、照
明、通信、汽
车电子等行
业 |
| 4 | 超低阻抗高散
热功率贴片封
装及器件开发 | 2,000.00 | 2,107.09 | 2,107.09 | 项目已完成 | 开发出车规级SiCMOS器件TO-247-4L封装，制
程中采用画锡、真空回流烧结等特殊工艺提高器件
的可靠性；通过对MOS晶圆背面金属的材质选取及
厚度分布的研究，平衡芯片材料硅与框架铜之间的
热应力，实现较大尺寸芯片能够实现共晶焊接不产
生分层；通过设计特殊的焊接工装，失效薄框架小
尺寸贴片封装的铝带焊接，降低器件的封装阻抗，
提高器件的电流功率密度。 | 国内
先进 | 汽车电子、工
业自动化 |
| 5 | 用于功率模块
的FRD芯片开
发 | 330.00 | 415.57 | 415.57 | 项目已完成 | 基于公司现有的6寸晶圆产线，开发175℃结温的
LOWVF和HIGHSPEED的两个系类FRD芯片产品，
能够满足车规应用要求。 | 国内
先进 | 汽车电子、通
信设备、家用
电器等行业 |
| 6 | 可控硅光耦产 | 70.00 | 66.58 | 66.58 | 项目已完成 | 研究并掌握车规级光耦的产品生产技术，开发完成 | 国内 | 工业自动化、 |
| | 品开发 | | | | | BL303X系列可控硅光耦产品，相关产品能够满足
UL/VDE及车规级认证要求。 | 先进 | 电力系统、家
庭智能化、新
能源等 |
| 7 | 基于芯片封装
的指纹的轻量
级区块链关键
技术研发 | 650.00 | 255.07 | 255.07 | 研发阶段 | 面向物联网系统的高安全性低成本的安全认证协议
及相应密码硬件加速器设计，研制一款轻量级、高
安全性的基于混沌原理的真随机数发生器电路和无
密钥存储的区块链数字签名产品 | 国内
先进 | 物联网 |
| 8 | 新能源汽车用
SiCMOSFET功
率器件和模块
关键技术研发 | 300.00 | 96.61 | 96.61 | 研发阶段 | 基于SiCMOSFET功率器件和模块设计和关键工艺
技术的攻关，形成完整的SiCMOSFET功率器件和
模块制造工艺流程，研制出1200V系列化车规级
SiCMOSFET功率器件和模块。 | 国内
先进 | 新能源、汽车
电子 |
| 9 | 高电流密度高
性能功率整流
芯片及产品开
发 | 1,000.00 | 1,061.02 | 1,061.02 | 项目已完成 | 完成高电压、大电流系列功率整流芯片的开发，芯
片Vbr电压≥1600V,浪涌电流能力≥36A/mm2,配
合整流桥封装产线做出单相/三相整流桥系列产品。 | 国内
先进 | 电源、家用电
器 |
| 10 | RFID超高频芯
片前端开发及
其产业化 | 1,000.00 | 160.36 | 160.36 | 研发阶段 | 1、开发产品为具有自主知识产权的“芯片指纹”
（物理不可克隆PUF）电路，以及基于“芯片指纹”
物理不可克隆技术（PUF）的防伪NFC标签以及超
高频的RFID标签；2、打造更加安全、低成本的基
于RFID的产业解决方案，其中包括：开发基于PUF
的RFID智能仓储系统解决方案；开发基于PUF的
RFID新零售、无人零售系统解决方案；建立基于
PUF的RFID服务平台等。 | 国内
先进 | 仓储物流、新
零售、工业自
动化 |
| 11 | BLDC电机驱动
芯片 | 160.00 | 29.40 | 29.40 | 研发阶段 | 从无感控制方式出发，针对同一系列的BLDC电机
开发软硬件协同的电机驱动控制器。利用UART、CAN
等接口电路与外部系统通信与调试，驱动算法部分
通过优化控制算法和PWM技术，控制器可以驱动同
一系列或者参数相关的BLDC，同时降低电机运行时
的噪音，提升用户体验。 | 国内
先进 | 家电、信息、
汽车电子以
及其它特种
设备等 |
| 12 | DIP4光耦产品
线扩产项目 | 220.00 | 105.70 | 105.70 | 研发阶段 | 通过选取高生产效率和低材料消耗的技术方案失效
DIP4光耦产品的扩产，降低该系列光耦产品的生产 | 国内
先进 | 工业自动化、
电力系统、家 |
| | | | | | | 成本，提高产品竞争力。 | | 庭智能化、新
能源 |
| 13 | SOP4光耦新封
装产品线项目 | 200.00 | 61.25 | 61.25 | 研发阶段 | 利用先进的技术工艺封测体积更小、厚度更薄的新
封装产品，减少产品应用线路板的空间。 | 国内
先进 | 工业自动化、
电力系统、家
庭智能化、新
能源 |
| 合
计 | / | 7,590.00 | 5,605.01 | 6,059.34 | / | / | / | / |
情况说明（未完）
