[年报]美迪凯(688079):美迪凯2024年年度报告

时间:2025年04月30日 17:41:47 中财网

原标题:美迪凯:美迪凯2024年年度报告

公司代码:688079 公司简称:美迪凯
杭州美迪凯光电科技股份有限公司
2024年年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是√否
三、重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”。

四、公司全体董事出席董事会会议。

五、天健会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

六、公司负责人葛文志、主管会计工作负责人华朝花及会计机构负责人(会计主管人员)周星星声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经天健会计师事务所(特殊普通合伙)审计并出具“天健审〔2025〕7235号”审计报告,杭州美迪凯光电科技股份有限公司(以下简称“公司”)2024年度合并报表归属于母公司股东的净利润为-101,845,842.42元,母公司净利润为-4,947,767.23元;截至2024年12月31日,合并报表累计未分配利润为78,648,870.59元,母公司累计未分配利润为107,473,453.90元。

??2024年,公司以集中竞价方式回购股份金额为5,789,664.80元(不含印花税、交易佣金等交易费用)。

??基于公司2024年度亏损、以集中竞价交易方式回购股份的实际情况,综合考量公司目前经营发展资金需求,为保持公司稳健发展,更好地维护全体股东的长远利益,公司2024年度拟不进行现金分红,不送红股,也不进行资本公积金转增股本。

八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。

十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况

十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、 其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义...................................................................................................................................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标..................................................................................................6
第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................ 11
第四节 公司治理............................................................................................................................52
第五节 环境、社会责任和其他公司治理....................................................................................72
第六节 重要事项............................................................................................................................81
第七节 股份变动及股东情况......................................................................................................112
第八节 优先股相关情况..............................................................................................................122
第九节 债券相关情况..................................................................................................................123
第十节 财务报告.......................................................................................................................... 123

备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的 财务报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告文本
 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及 公告原稿
 经公司负责人签名的公司2024年年度报告文本原件
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、杭州美迪凯、美迪凯杭州美迪凯光电科技股份有限公司
实际控制人葛文志
浙江美迪凯浙江美迪凯现代光电有限公司,系公司一级全资子公 司
智能光电美迪凯(浙江)智能光电科技有限公司,系公司一级 控股子公司
美迪凯光学半导体浙江美迪凯光学半导体有限公司(曾用名:浙江嘉美 光电科技有限公司),系公司一级全资子公司
捷姆富捷姆富(浙江)光电有限公司,系公司二级控股子公 司
美迪凯(日本)美迪凯(日本)株式会社,系公司二级全资子公司
美迪凯(新加坡)美迪凯(新加坡)智能光电科技有限公司,系公司二 级控股子公司
美迪凯自有资金杭州美迪凯自有资金投资合伙企业(有限合伙)(曾 用名“丽水美迪凯投资合伙企业(有限合伙)”), 系公司控股股东
美迪凯集团美迪凯控股集团有限公司(曾用名“浙江美迪凯光学 技术有限公司”),系公司股东
丰盛佳美香港丰盛佳美(国际)投资有限公司,系公司股东
杭州倍增杭州倍增自有资金投资合伙企业(有限合伙)(曾用 名“景宁倍增投资合伙企业(有限合伙)”),系公 司股东
杭州增量杭州增量自有资金投资合伙企业(有限合伙)(曾用 名“丽水增量投资合伙企业(有限合伙)”),系公 司股东
杭州增盈杭州增盈自有资金投资合伙企业(有限合伙)(曾用 名“丽水共享投资合伙企业(有限合伙)”),系公 司股东
海宁美迪凯海宁美迪凯企业管理咨询合伙企业(有限合伙),系 公司股东
CCDCharge-CoupledDevice,即电荷耦合元件,是一种 用电荷量表示信号大小,用耦合方式传输信号的探测 元件
CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor,即互 补金属氧化物半导体,指制造大规模集成电路芯片用 的一种技术或用这种技术制造出来的芯片
CISCMOSImageSensor,即CMOS图像传感器
SIC碳化硅,一种第三代半导体材料
半导体封测将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得 到独立芯片的过程
SPISolderPasteInspection,即锡膏检测
AOIAutomatedOpticalInspection,即自动光学检测
ARAugmentedReality,即增强现实,通过相关设备, 在现实世界中的对象和信息之上叠加数字信息,进行 展示和互动
MRMixedReality,即混合现实,该技术通过相关设备, 在现实场景呈现虚拟场景信息,在现实世界、虚拟世 界和用户之间搭起一个交互反馈的信息回路,以增强 用户体验的真实感
PVDPhysicalVaporDeposition,即物理气相沉积。指 利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移 到基材表面上的过程。物理气相沉积的基本方法包括 真空蒸发、溅射、离子镀等
CVDChemicalVapourDeposition,即化学气相沉积。指 化学气体或蒸汽在基材表面反应合成涂层或纳米材 料的方法,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积 多种材料的技术
TTVTotalThicknessVariation,总厚度变化量,指整 个晶片的最高厚度和最低厚度之间的差值
晶圆制造半导体晶体管或集成电路的衬底,也叫基片,由 于是晶体材料,其形状为圆形,所以称为晶圆
ToFTimeofFlight,飞行时间测距法,即通过给目标连 续发送光脉冲,然后用传感器接收从物体返回的光, 通过探测光脉冲的往返时间来得到目标物距离
QFNquadflatno-leadpackage,方形扁平无引脚封装
DFNDualflatno-leadpackage,双边扁平无引脚封装
SOTSMALLOUTLING,即封装,一种表面贴装的封装形式
CFAColorFilterArray,即彩色滤光阵列
MLAMicroLensArray,即微透镜阵列
SAWSurfaceAcousticWaveFilter,即声表面波滤波器
BAWBulkAcousticWaveFilter,即体声波滤波器
CMPChemicalMechanicalPolishing,化学机械抛光, 是半导体晶片表面加工的关键技术之一
报告期2024年1月1日至2024年12月31日
元、万元、亿元若无特别说明,均以人民币为度量币种
第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称杭州美迪凯光电科技股份有限公司
公司的中文简称美迪凯
公司的外文名称HANGZHOUMDKOPTOELECTRONICSCO.,LTD.
公司的外文名称缩写MDK
公司的法定代表人葛文志
公司注册地址杭州经济技术开发区20号大街578号3幢
公司注册地址的历史变更情况2015年4月16日注册地从杭州经济技术开发区三号路裕 园公寓9幢(西)6层A12座变更为杭州经济技术开发区 白杨街道20号大街578号。2016年12月8日,注册地从杭 州经济技术开发区白杨街道20号大街578号变更为杭州 经济技术开发区白杨街道20号大街578号3幢。
公司办公地址浙江省嘉兴市海宁市长安镇(高新区)新潮路15号
公司办公地址的邮政编码310048
公司网址www.chinamdk.com
电子信箱[email protected]
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名王懿伟薛连科
联系地址浙江省嘉兴市海宁市长安镇(高新区 )新潮路15号浙江省嘉兴市海宁市长安镇(高 新区)新潮路15号
电话0571-567003550571-56700355
传真--
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址上海证券报(www.cnstock.com)
公司披露年度报告的证券交易所网址www.sse.com.cn
公司年度报告备置地点公司董事会办公室
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所 及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所 科创板美迪凯688079不适用
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所(境 内)名称天健会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址浙江省杭州市上城区钱江路1366号华润大厦 B座
 签字会计师姓名罗联玬、严增华
报告期内履行持续督导职责的 保荐机构名称中信证券股份有限公司
 办公地址上海市浦东新区世纪大道1568号中建大厦 22层
 签字的保荐代表 人姓名丁旭东、郑天宇
 持续督导的期间2021年3月2日至2024年12月31日
六、近三年主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据2024年2023年本期比上 年同期增 减(%)2022年
营业收入485,511,229.32320,724,587.7851.38413,733,465.00
扣除与主营业务 无关的业务收入 和不具备商业实 质的收入后的营 业收入466,566,242.61306,647,149.6352.15404,432,141.51
归属于上市公司 股东的净利润-101,845,842.42-84,450,948.43不适用22,089,138.61
归属于上市公司 股东的扣除非经 常性损益的净利 润-93,087,230.39-75,159,853.05不适用21,557,003.23
经营活动产生的 现金流量净额76,727,055.22128,188,003.34-40.14187,221,675.45
 2024年末2023年末本期末比 上年同期 末增减(% )2022年末
归属于上市公司 股东的净资产1,359,982,454.521,462,847,536.48-7.031,549,634,262.25
总资产3,038,469,699.242,277,225,231.9833.431,909,069,716.52
(二)主要财务指标

主要财务指标2024年2023年本期比上年同 期增减(%)2022年
基本每股收益(元/股)-0.26-0.21不适用0.06
稀释每股收益(元/股)-0.26-0.21不适用0.06
扣除非经常性损益后的基本每股 收益(元/股)-0.23-0.19不适用0.05
加权平均净资产收益率(%)-7.22-5.6减少1.62个百 分点1.42
扣除非经常性损益后的加权平均 净资产收益率(%)-6.60-4.99减少1.61个百 分点1.38
研发投入占营业收入的比例(%)22.1926.61减少4.42个百 分点17.53
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
1、报告期公司实现营业收入48,551.12万元,同比增加51.38%。主要是:12英寸超声指纹识别芯片整套声学层开发完成并逐步量产,12英寸图像传感器(CIS)整套光路层下半年开始实现量产,半导体声光学产品实现销售收入7,892.60万元,较上年增加5,088.38万元;射频滤波器芯片(NormalSAW、TC-SAW、TF-SAW)已实现量产,产能开始逐步爬坡,微纳电子产品实现销售收入5,807.95万元,较上年增加4,960.31万元;半导体封装逐步放量,包括射频芯片封装、超声指纹识别芯片封装、功率器件芯片封装产出均有较大提升,半导体封测产品实现销售收入6,705.85万元,较上年增加4,429.21万元。

2、报告期公司经营活动产生的现金流量净额7,672.71万元,同比减少40.14%,主要是本期产品结构发生变化,国内销售增加,应收账款周转率下降,导致销售商品、提供劳务收到的现金增加额少于购买商品、接受劳务支付的现金与支付给职工及为职工支付的现金增加额。

3、报告期末公司总资产303,846.97万元,较上年年末增加33.43%,主要是报告期采购设备及厂房建设使得在建工程、固定资产增加,以及销售收入增加使得期末应收账款增加。

七、境内外会计准则下会计数据差异
(一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(三)境内外会计准则差异的说明:
□适用√不适用
八、2024年分季度主要财务数据
单位:元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入115,874,580.9099,390,575.80126,405,090.62143,840,982.00
归属于上市公 司股东的净利 润-23,558,978.49-27,031,068.72-13,847,727.65-37,408,067.56
归属于上市公 司股东的扣除 非经常性损益 后的净利润-18,088,277.41-22,117,873.76-16,838,140.38-36,042,938.84
经营活动产生 的现金流量净 额24,929,911.3624,612,966.28-2,567,262.7929,751,440.37
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
九、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目2024年金额附注(如 适用)2023年金额2022年金额
非流动性资产处置损益,包括已 计提资产减值准备的冲销部分-2,312,764.29 313,666.08272,598.57
计入当期损益的政府补助,但与 公司正常经营业务密切相关、符 合国家政策规定、按照确定的标 准享有、对公司损益产生持续影 响的政府补助除外3,680,038.76 5,261,896.334,559,090.25
除同公司正常经营业务相关的 有效套期保值业务外,非金融企 业持有金融资产和金融负债产 生的公允价值变动损益以及处 置金融资产和金融负债产生的 损益-10,511,622.24 -14,947,531.91-2,934,869.51
计入当期损益的对非金融企业 收取的资金占用费    
委托他人投资或管理资产的损 益    
对外委托贷款取得的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾 害而产生的各项资产损失    
单独进行减值测试的应收款项 减值准备转回    
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资成本小于取得投 资时应享有被投资单位可辨认 净资产公允价值产生的收益    
同一控制下企业合并产生的子 公司期初至合并日的当期净损 益    
非货币性资产交换损益    
债务重组损益    
企业因相关经营活动不再持续 而发生的一次性费用,如安置职 工的支出等    
因税收、会计等法律、法规的调 整对当期损益产生的一次性影 响    
因取消、修改股权激励计划一次 性确认的股份支付费用    
对于现金结算的股份支付,在可 行权日之后,应付职工薪酬的公 允价值变动产生的损益    
采用公允价值模式进行后续计    
量的投资性房地产公允价值变 动产生的损益    
交易价格显失公允的交易产生 的收益    
与公司正常经营业务无关的或 有事项产生的损益    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外 收入和支出12,284.22 -93,341.29-559,591.31
其他符合非经常性损益定义的 损益项目  0.00377,965.20
减:所得税影响额-420,916.77 -409,050.75870,451.84
少数股东权益影响额(税 后)47,465.25 234,835.34312,605.98
合计-8,758,612.03 -9,291,095.38532,135.38
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用√不适用
十、非企业会计准则财务指标情况
□适用√不适用
十一、采用公允价值计量的项目
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响 金额
交易性金融资产0.000.000.000.00
交易性金融负债10,929,997.760.00-10,929,997.7610,929,997.76
合计10,929,997.760.00-10,929,997.7610,929,997.76
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
□适用√不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
2024年,公司以现有核心技术和优质客户资源为基础,把握行业发展机遇,致力于巩固在光学光电子及半导体声光学领域的业务优势;同时,公司积极拓展半导体晶圆制造及半导体封测领域,以科技创新为核心驱动力,重点发展半导体行业的进口替代业务,力争成为国内光学光电子、半导体行业细分领域的领先企业。

报告期内,公司重点开展了以下工作:
(一)经营业务
公司积极优化业务与收入结构,投资了半导体声光学、半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体封测、AR/MR部品、精密光学、微纳光学及智慧终端制造等业务领域。通过多元化布局,公司在优化客户结构的同时,进一步完善了半导体器件产业链上下游的布局,显著提升了公司的抗风险能力。

1、半导体声光学
部分产品已连续通过客户认证并实现批量生产,具体包括:(1)第一代超声波指纹芯片整套声学层及磨划工艺已通过客户端认证并实现批量生产。第二代超声波指纹芯片整套声学层及磨划工艺正在开发中。(2)图像传感器(CIS)光路层解决方案已实现量产。(3)环境光芯片光路层产品中,第一代(两通道)和第二代(多通道)均已进入小批量生产,预计未来将逐步放量。(4)多通道色谱芯片光路层产品(主要应用于手机逆光拍照、色温感知、医疗领域等)正采用不同工艺持续送样。(5)MicroLED项目全流程工艺开发成功,即将小批量投产。

2、半导体微纳电路(主要为MEMS)及封测
公司SAW滤波器晶圆已实现批量生产,并完成从晶圆制造到封装、测试的全流程交付。射频芯片BAW滤波器谐振器性能通过客户验证,目前已启动全流程工程样品制备。压力传感器、微流控芯片、激光雷达等MEMS器件也处于工艺选型开发阶段。目前,半导体微纳电路(主要为MEMS)及封测业务已成为公司主营业务的重要组成部分。

3、半导体功率器件封测
公司在原有TO系列封装的基础上,加大对超高功率封装系列(如TOLL、PDFN(CLIP)等)的投入并实现批量生产,覆盖IGBT、SiC、GaN、SGT等超高功率芯片封装,主要应用于汽车电子、储能、新能源、低空经济及工业控制等领域。

4、AR/MR光学零部件
公司与全球前三大光学玻璃材料厂商之一紧密合作,高折射率玻璃晶圆产品持续量产出货。

5、精密光学
(1)公司配合知名终端客户开发光刻棱镜工艺,该工艺已开发成功并获客户认可。(2)光刻用掩膜版衬底生产工艺开发完成并逐步送样。(3)车载用激光雷达贴片棱镜开发成功并实现量产。

6、微纳光学
公司开发了衍射光学元件(DOE)、匀光片、微透镜阵列(MLA)、晶圆光学模组及光学晶圆微封装等产品,部分已开始小批量生产,主要应用于通信和消费电子、智能汽车等领域。

公司将持续深度整合国内外相关资源,立足全球化布局,聚焦尖端半导体技术与智能终端全产业链能力构建,重点打造以半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体声光学、半导体封测工艺为核心的硬科技矩阵,同步推进智慧终端智造、AR/MR交互系统相关产品开发及超精密微纳光学解决方案创新,构筑面向未来的产业核心竞争力。

(二)技术研发
作为科技创新的坚定践行者,公司始终将自主研发能力建设置于战略核心地位,构建起“研发投入-技术突破-价值转化”的创新闭环体系。在核心技术领域,公司不断追求更新与迭代,取得了显著成果。

1、半导体声光学领域
开发了超薄屏下指纹芯片整套声学层加工工艺,通过声学叠层设计,结合半导体制程技术和丝印油墨印刷技术,在芯片上进行多层声学层加工。开发了多通道色谱芯片整套光路层加工工艺,通过采用干法蚀刻工艺,成功开发在微小间距不同感光区域上进行不同通道光学光路层加工,解决光线串扰问题。开发了MicroLED全流程工艺技术,通过半导体制程涂曝显,搭配镀膜、湿法刻蚀、ICP刻蚀,结合无机物Lens工艺,实现全套MicroLED的加工。开发了RGB大尺寸、大间距无机沉积光路层的整套加工工艺。开发了Metalens工艺,通过采用原子层沉积(PEALD)实现纳米级膜厚控制并降低膜层应力,并设计了不同折射率的介质叠层的膜系来满足相位的要求。

2、半导体微纳电路(主要为MEMS)领域
开发了射频芯片BAW滤波器整套生产工艺(包含:滤波器流片-掺Sc>30%、WLP盖板封装)。

开发了TSV深孔刻蚀工艺(深宽比>60:1),并结合ALD沉膜对孔内进行多层薄膜覆盖。开发了晶圆级双面金属通孔互联工艺(包含:深孔刻蚀、溅射、电镀填充、CMP、减薄、RDL等工艺)。

3、半导体封测领域
公司自主研发的真空塑封技术(已申请发明专利)跟同行业的覆厚树脂膜工艺相比,单颗芯片加工成本可以降低10%左右,成品耐高温能力可以达到350摄氏度以上,而行业普遍耐高温能力为300摄氏度,产品可靠性更高。开发了超高功率芯片封装工艺,如:TOLL、PDFN(CLIP)等。

4、精密光学领域
开发了高效超精密化学机械抛光(CMP)技术,该技术不仅实现了晶圆薄膜平坦化处理,并实现陶瓷、晶体、玻璃等光学材料平面及复杂曲面的高效低损伤抛光,最大基片直径30英寸,TTV<10μm;开发了TGV工艺(玻璃通孔工艺),通过激光诱导和湿法腐蚀工艺对玻璃基材实现微小孔径(≥5μm)的通孔、盲孔处理。开发了光学微棱镜工艺,通过结合超精密加工技术、半导体光刻技术、光学成膜技术及棱镜键合技术,实现光路多次折叠与高效传输,显著提升手机摄像头的变焦能力与成像质量。

5、微纳光学领域
采用灰度光刻、纳米压印及晶圆封装工艺成功开发了一种无基材晶圆级压印光学模组技术,突破性地解决了现有业内光学模组小型化、薄型化的难题,且开发的微型光学模组可集成ARS微纳结构实现抗反射光学性能。

另外,公司持续加大MicroLED纯彩方案、非制冷红外MEMS器件、医疗领域微电极MEMS器件、以GaN,SiC等为代表的第三代化合物半导体器件等方面的研究和开发。

报告期内,公司累计投入研发费用10,771.69万元,占公司销售收入比例为22.19%,专职研发人员150人,占公司总人数比例为13.49%。截至报告期末,公司累计申请境内外专利354项,授权专利245项,有效专利215项。

(三)项目建设
根据公司业务发展需求和整体战略规划,公司筹建的年产20亿颗(件、套)半导体器件项目正有序推进中,项目将共建设两栋主厂房(FAB厂房和半导体封装厂房)、一栋测试中心、一栋试验中心、一栋食堂及配套用房、一栋动力中心和一栋甲乙类仓库等。截至目前,本项目工程建设按计划正常进行中,各建筑单体已结顶,整个建筑工程预计2025年6月份完成竣工验收。公司将进一步加强项目管理、统筹力度,按计划推进项目进度。

(四)产品结构
公司立足于目前主营业务,坚持产品差异化策略,积极完善业务和产品结构,投资布局半导体声光学、半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体封测、AR/MR部品、精密光学、微纳光学及智慧终端制造等业务。目前产品类别已拓展为9个大类28个子类,其中半导体声光学、半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体封测产品的比重不断增加。

(五)人才发展
报告期内,公司基于现有人才发展现状,系统规划人才队伍建设路径,秉承"能者上、庸者下、劣者汰"的用人理念,全面开展人才绩效评估与效能诊断,制定差异化人才发展计划。通过建立常态化岗位价值评估机制,精准识别并重点培育高潜质自驱型人才,构建可持续发展的人才储备体系。同步推进薪酬体系改革,实施"绩效激励+股权激励"双轨激励体系,强化员工福利保障措施,有效提升团队稳定性,为业务可持续发展提供强有力的人才支撑。

非企业会计准则业绩变动情况分析及展望
□适用√不适用
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司主要从事半导体声光学、半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体封测、AR/MR部品、精密光学、微纳光学及智慧终端的研发、制造和销售。公司经过多年深耕,在该领域积累了丰富的经验,并拥有多项核心技术。

按照应用领域分类,公司主要有九大类产品和服务,包括半导体零部件及精密加工服务、生物识别零部件及精密加工服务、精密光学零部件、半导体声光学、半导体封测、微纳电路、微纳光学、AR/MR光学零部件精密加工服务、智慧终端。公司产品和解决方案广泛应用于通信和消费电子、智能汽车、元宇宙、低空经济、人工智能、物联网等多个领域。公司具备较强的实力,能够承接国际高端光学光电子、半导体产业链的业务。

1、半导体零部件及精密加工服务

产品/服务 类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
传感器陶瓷 基板精密加 工服务对用于CCD/CMOS传感器 的陶瓷基板进行超精密 切割加工,应用于光学成 像和生物识别领域的光 学传感器  
传感器光学 封装基板用于CCD/CMOS传感器的 光学镀膜封装基板,应用 于光学成像领域的光学 传感器  
芯片贴附承 载基板对光学玻璃基材进行晶 圆级的研磨抛光加工,以 达到高平坦度、低粗糙度 要求,最终作为生物识别 芯片切割过程中的承载 基板,应用于芯片加工制 程  
2、生物识别零部件及精密加工服务

产品/服务类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
半导体晶圆光 学解决方案结合半导体制程技术在 芯片上进行微纳米级光 学加工,目前主要应用于 新一代光学屏下指纹识 别解决方案  
光学屏下指纹 识别模组用滤 光片在近红外特定波段允许 光信号通过,避免光线信 号干扰,应用于光学屏下 指纹识别解决方案  
产品/服务类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
3D结构光模组 用光学联结件3D脸部识别用点阵投影 器中透镜和光学衍射元 件间的组装,应用于脸部 识别领域的光学传感器  
3、精密光学零部件

产品/服务 类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
智能手机摄 像头滤光片 组立件安装在镜座上的光学滤 光片组件,起到色差补 正、还原图像真实色彩的 作用,应用于摄像头模组  
安防摄像机 摄像头滤光 片组立件镜座上分别装有增透膜 滤光片及红外截止膜滤 光片,通过日夜时的切换 满足安防摄像机成像对 不同光线场景的需求,应 用于摄像头模组  
光学低通滤 波器利用人造水晶的双折射 特性及红外截止膜、增透 膜等消除成像时的摩尔 纹、色差补正、更好地还 原图像真实色彩,应用于 摄像头模组  
红外截止滤 光片通过红外截止膜系过滤 红外波段,还原图像真实 色彩,应用于摄像头模组  
光学波长板利用产品优异的透光率 和导热性,起到透光和散 热的作用,应用于各类投 影仪  
吸收式涂布 滤光片通过红外吸收式油墨过 滤红外波段,提高图像成 像质量,应用于智能汽车 等的摄像头模组  
窄带滤光片通过光学薄膜加工工艺 使特定波段具备带通滤 波且大角度入射偏移量 小的特性,从而实现信号 传递过程中减少信号损 失和杂讯干扰的效果。  
产品/服务 类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
光学微棱 镜通过结合超精密加工 技术、半导体光刻技 术、光学成膜技术及棱 镜键合技术,开发出一 种光学微棱镜加工工 艺,实现光路多次折叠 与高效传输,显著提升 手机摄像头的变焦能 力与成像质量。光学微 棱镜工艺的突破,标志 着手机影像技术从“堆 叠硬件”向“光学重构” 的转变。  
激光雷达 贴片棱镜通过结合超精密加工 技术及多层光学异质 成膜技术,实现激光雷 达贴片棱镜加工工艺, 应用于车载激光雷达。  
4、半导体声光学(原半导体光学)

产品/服务 类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
超薄屏下指 纹传感器整 套光路层解 决方案通过光路层设计,结合半 导体制程技术和光学成膜 技术,在芯片上进行微纳 米级光学加工,目前主要 应用于新一代屏下光学指 纹识别解决方案。  
超薄屏下指 纹传感器整 套声学层解 决方案通过声学层设计,结合半 导体制程技术,在芯片上 进行微纳米级整套声学层 加工,目前主要应用于新 一代超声波3D指纹识别解 决方案。  
图像传感器 (CIS)整套 光路层解决 方案结合半导体制程技术在芯 片上进行CFA、MLA等微纳 米级光学加工,目前主要 应用于图像传感器(CIS) 光学解决方案  
环境光传感 器光路层解 决方案通过光路层设计,结合半 导体制程技术和光学成膜 技术,在芯片上实现整套 光路层及光学矩阵的加 工,主要应用于环境光传 感器光学解决方案。  
5、半导体封测

产品/服务 类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
半导体封测 (射频类)晶圆经过植球、减薄、切 割、超声焊接、覆膜、塑 封等核心制程工艺,其产 品广泛应用于通讯系统设 备、移动终端设备等的半 导体芯片中。  
半导体封测 (功率类)晶圆经过减薄、背金、正 面图形化、晶圆测试、划 片、上芯、铜片贴合、塑 封、切筋、测试等工艺流 程,其产品广泛用于新能 源、储能、白色家电、快 消品等领域。  
6、微纳电路

产品/服务 类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
射频滤波 器(SAW Filter)通过膜层设计,结合半 导体制程技术和金属成 膜技术等,在衬底上进 行微电路加工,目前广 泛应用于通讯系统设 备、移动终端设备的半 导体芯片中。  
7、微纳光学

产品/服 务类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
超构表 面光学 器件faceID,智能门锁, 扫地机器人等结构光, 3D深度感知类应用。  
散光镜扩散压印产品,应用于 汽车HUD或ToF设备。  
MLA镜头应用于车载地毯透镜 照明。  
晶圆光 学模组应用于医学成像镜头, ToF设备,光学接近传 感器。  
8、AR/MR光学零部件精密加工服务

产品/服务类型产品 /服务用途产品示意图应用示意图
高折射玻璃晶 圆精密加工服 务对高折射率、高透过 率的玻璃晶圆进行 加工,实现高平坦度 及高表面光滑度,应 用于AR/MR设备  
9、智慧终端

产品/服 务类型产品/服务用途产品示意图应用示意图
心电记 录仪、心 率记录 仪等医 疗器械 的SMT及 组装通过高精度硬件设备与 独特算法相结合实时显 示监测对象心电、心率 血压、脉率等生理参数 数值  
(二)主要经营模式
1.研发模式
公司始终坚持以科技创新为核心的发展战略。一方面,我们开展结合市场和行业发展趋势的前瞻性研究;另一方面,针对终端产品需求,进行新工艺和新技术的应用型开发。在关键技术方面,公司依托美迪凯企业研究院下属各技术中心进行协同开发。同时,公司与产业链上下游的领先企业建立了合作研发机制,能够更好地贴近客户需求和市场需求。此外,公司还与国内多家高校和科研机构共建合作关系,汇聚各方优势,共同攻克行业技术难题。

在研发流程方面,由市场开发事业部提出需求,项目负责人主导工艺流程设计并跟进项目进度,各技术中心负责相应关键技术的技术攻关。为提升研发效率,公司采用多研发环节并行开发、各技术中心协同作业的方式。对于重大项目开发,由公司企业研究院牵头,整合相关资源,成立专项小组进行重点实施。新产品、新技术、新工艺的知识产权由科技管理中心负责组织申报和管理。基于行业特征及自身经营特点,公司已建立了较为完备的研发体系。

2.采购模式
公司建立了供应商管理、采购管理及采购流程管理制度等一套严格、完整的采购管理流程,在运营管理中心下设采购部,主要负责供应商开发、管理以及材料、设备的采购。公司根据相关产品的行业特点,确定供应链管理环境下的采购模式,通过有效地计划、组织与控制采购管理活动,按需求计划实施采购工作,具体内容为:供应商的开发与评估、采购计划的制定、实施采购。

3.生产模式
公司的产品具有定制化特点,公司采取“按订单”及“按客户需求计划”相结合确定生产计划的模式,实现高效率、低成本、高弹性的生产及交付。公司对小批量产品按照客户下达的订单组织生产;对需求量大且稳定的产品,结合客户提供的产品需求计划以及实际下达的订单,进行组织生产,公司会对一些常规的半成品进行预先库存,再根据正式订单进行后续生产、发货,提高生产效率,缩短交货时间。

4.销售模式
公司主要通过直销模式,为客户提供各类精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体封测、智慧终端等产品和服务。

公司主要的产品和服务存在定制化特点。公司成立以来坚持研发销售一体化,面向客户需求和下游市场趋势研发产品。公司客户在选择供应商时,需要对候选供应商进行较长周期的评估认证,并经过多轮的样品测试及现场稽核,全面考核候选供应商的产品质量、供货能力后,公司方能进入客户的《合格供应商名录》。

公司与长期合作的客户签订产品销售的框架协议,约定供货方式、结算方式、质量保证等条款;客户根据需求在实际采购时向公司发出订单,约定产品规格、数量、价格、交期等信息,供需双方根据框架协议及订单约定组织生产、发货、结算、回款。

(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司专注于光学光电子和半导体行业的细分领域,业务涵盖半导体声光学、半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体封测、AR/MR部品、精密光学、微纳光学及智慧终端的研发、制造和销售。

光学光电子行业正处于技术驱动型增长阶段,5G通信网络的大规模部署、智能终端功能升级、AR/VR设备普及以及车载激光雷达的量产需求,共同推动着产业链技术迭代速度显著加快。该领域已形成技术密集性高、应用多元化、客户认证壁垒高的显著特征,应用场景从传统消费电子逐步拓展至医疗影像、工业无损检测、低空经济等新兴领域,呈现出多点开花的市场格局。行业核心技术门槛集中体现在三个维度:在制造工艺层面,纳米级镀膜精度控制、微透镜阵列加工良率提升、多光谱成像系统集成等关键技术直接影响产品性能;在材料创新领域,高折射率特种玻璃研发、超透镜(Metalens)结构设计等突破为器件微型化提供支撑;在系统设计能力方面,需要实现光学仿真建模与实际测试验证的深度耦合,特别是针对AR/MR设备中的光波导模组、车载激光雷达中的光束整形系统等复杂光学架构,必须建立跨物理场耦合的设计能力。当前国际竞争已延伸至专利布局层面,头部企业通过构建专利组合形成市场护城河,这对后发企业的技术路径选择提出更高要求。

半导体行业正经历国产化替代的加速期,产业链各环节的协同创新成为突破瓶颈的关键。作为典型的资本与技术双密集型产业,其发展高度依赖设计、晶圆制造、封装测试的全链条技术突破。在制造工艺领域,高精度薄膜沉积控制、三维集成电路堆叠、TGV(ThroughGlassVia)玻璃通孔技术等创新正在重塑产业格局,特别是针对射频前端模块中的SAW/BAW滤波器,需要攻克光学与半导体技术的交叉融合正开辟出多个创新赛道。在AR/MR设备领域,基于半导体晶圆加工技术制造的衍射光学元件,与超透镜设计相结合,大幅降低了光学模组的体积和重量。车载激光雷达系统则呈现出多技术路线并进态势,从机械旋转式向MEMS微振镜、Flash面阵式演进,其中金属化封装工艺和车规级可靠性验证构成主要技术壁垒。智能终端传感器正在向多光谱感知升级,通过集成可见光、近红外、热成像等多波段探测单元,结合AI算法实现环境感知能力的质变。跨学科整合能力成为竞争分水岭,典型代表是MEMS光学器件研发,需要同时突破微机械结构设计、半导体批量制造、光学性能测试等多重技术关卡。在可靠性验证方面,车载光学组件需满足-40℃至125℃的宽温域工作需求,这对材料热膨胀系数匹配和封装应力释放提出了严苛要求。

生态协同效应日益凸显,从超透镜研发到晶圆级光学加工,再到终端应用场景落地,需要构建覆盖材料、设备、制造、应用的完整创新链。前沿技术探索呈现多点突破态势,MicroLED显示技术依托其高亮度、低延迟特性,正在拓展AR眼镜、车载HUD等新型应用场景。光子芯片技术通过光互连与电子计算单元的异构集成(如硅光芯片与CMOS工艺结合),可规避传统电互连的电阻损耗,显著降低数据中心等场景的功耗瓶颈。在制造工艺创新方面,晶圆级光学加工技术与半导体前道工艺深度融合,使得光学元件能够直接集成在传感器芯片表面,这种技术路径显著提升了模块集成度和生产效能。产业演进呈现出明显的双向赋能特征:半导体制造工艺的进步为光学器件微型化提供支撑,而光学技术的突破持续为半导体产品性能突破注入创新动能。这种协同创新模式正在重塑产业竞争格局,技术门槛的突破速度将直接决定企业在进口替代和全球化竞争中的市场地位。能够在材料体系创新、异质集成技术、量产工艺控制三个维度建立优势的企业,有望在智能汽车、元宇宙设备、低空经济等新兴市场中占据先发优势。

2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司致力于光学光电子、半导体行业细分领域,积累了深厚的设计技术、生产工艺技术和丰富的人才资源,是该行业细分领域领先企业。公司在精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体封测、微纳光学等多个领域都掌握了核心技术及自主知识产权,并得到国内外知名客户的广泛认可。

精密光学领域:公司在保证传统光学产品外,开发了高效超精密化学机械抛光(CMP)技术,该技术不仅实现了晶圆薄膜平坦化处理,并实现陶瓷、晶体、玻璃等光学材料平面及复杂曲面的高效低损伤抛光,最大基片直径30英寸,TTV<10μm。开发了光学微棱镜工艺,通过结合超精密加工技术、半导体光刻技术、光学成膜技术及棱镜键合技术,实现光路多次折叠与高效传输,显著提升手机摄像头的变焦能力与成像质量,工艺水平达到行业领先。

半导体声光学领域:公司通过超薄屏下指纹传感器整套光路层解决方案的开发和量产,掌握了半导体嫁接光学镀膜技术,开发了晶圆级双低膜镀膜工艺、颜色膜镀膜工艺,代替传统光刻胶工艺,且光学特性效果更优。通过该项目公司掌握了涂胶、光刻、显影、干法刻蚀、湿法刻蚀、Reflow等半导体工艺技术。在以上技术的基础上,公司开发了超声波指纹传感器整套声学层解决方案,图像传感器(CIS)整套光路层解决方案、环境光传感器整套光路层解决方案,均已实现量产。开发了多通道色谱芯片整套光路层加工工艺,通过采用干法蚀刻工艺,成功实现在微小间距不同感光区域上进行不同通道光学光路层加工,解决了传统技术中的光线串扰、精度不足和效率低等痛点。开发了MicroLED全流程工艺技术,通过半导体制程涂曝显,搭配镀膜、湿法刻蚀、ICP刻蚀,结合无机物Lens工艺,实现全套MicroLED的加工,优势在于无机透镜的热稳定性、光学性能以及化学稳定性均要优于有机Lens。开发了RGB大尺寸、大间距无机沉积光路层的整套加工工艺。

开发了Metalens工艺,通过采用原子层沉积(PEALD)实现纳米级膜厚控制并降低膜层应力,并设计了不同折射率的介质叠层的膜系来满足相位的要求。

半导体微纳电路(主要为MEMS)领域:公司在射频前端芯片晶圆制造领域已经掌握了成熟和完整的生产工艺,并且在客户响应速度、沟通效率、物流成本上具有明显的优势,能够满足射频前端芯片领域Fabless厂商快速增长的代工需求。公司射频前端芯片的代工水平与国际上可比公司相比具有一定的竞争优势:第一,公司加工的晶圆尺寸更大,但晶圆IDT金属层厚度散差更小,体现更高的加工技术水平。第二,晶圆IMD绝缘层是金属导线之间的介电材料层,公司采用PVD蒸发二氧化硅材料,产品效果与进口PI胶相同,但成本更低,减少对进口材料的依赖。第三,光刻精度更高,难度更大,行业内射频前端芯片晶圆制造光刻精度一般在200nm-1μm之间,公司的干法和Liftoff湿法两种蚀刻方法,而多数可比公司普遍采用湿法蚀刻工艺,干法蚀刻能够满足高频射频芯片的加工要求,均匀性表现更好。

半导体封测领域:公司自主研发的真空塑封技术跟同行业的覆厚树脂膜工艺相比,单颗芯片加工成本可以降低10%左右,打破塑封对基板尺寸的限制,新产品开发成本更低周期更短,并且成品耐高温能力可以达到350摄氏度以上,而行业普遍耐高温能力为300摄氏度,产品可靠性更高。开发了TGV工艺(玻璃通孔工艺),通过激光诱导和湿法腐蚀工艺对玻璃基材实现微小孔径(≥5μm)的通孔、盲孔处理,孔侧壁Ra值≤80nm,同时开发了PVD、电镀、CMP工艺满足孔内金属化,并开发了平面RDL布线工艺形成电性互联。射频芯片封装厚度可以做到0.375mm,处于行业领先水平。晶圆减薄最大尺寸可以做到12寸,厚度最薄可以加工到25μm,处于行业领先水平。开发了超高功率芯片封装工艺,如:TOLL、PDFN(CLIP)等。

微纳光学领域:采用灰度光刻技术完成晶圆级3D微透镜阵列母版制作,结合晶圆级纳米压印工艺技术在基板表面实现微结构加工,该产品结构具备高可靠性、高分辨率、高生产率,同时公司具有高矢高的微透镜阵列母板(透镜直径<500μm,矢高>100μm)和低矢高的微透镜灰度光刻母板的制造能力(微透镜矢高0.5μm~40μm),另灰度光刻可实现百纳米深度梯度的菲涅尔透镜母版加工;采用晶圆压印封装工艺,并结合丝印键合工艺,实现一种无基材晶圆级压印光学模组技术,其最小尺寸可达1mm*1mm,PV≤1μm,且开发的微型光学模组结合干法刻蚀工艺可集成ARS微纳结构实现抗反射光学性能,纳米绒深度可以做到亚微米水平。

3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势近年来,我国新技术、新产业、新业态、新模式的发展呈现多维度突破态势。光学光电子与半导体技术作为核心驱动力,持续推动产业链向高端化升级。在光学领域,纳米级镀膜精度控制、超透镜结构设计及多光谱成像系统集成等关键技术加速迭代,赋能AR/VR设备、车载激光雷达等新兴场景的规模化应用。半导体行业则通过三维集成电路堆叠、玻璃通孔技术等工艺创新,突破射频前端模块与先进封装的技术瓶颈。其中,MicroLED显示技术凭借高亮度、低延迟特性,逐步渗透至AR眼镜与车载HUD市场,成为显示领域的颠覆性力量;光子芯片技术通过光互连与电子单元的异构集成,显著降低数据中心能耗。

在政策支持与市场需求的双重推动下,集成电路产业已进入国产化替代的深化攻坚阶段。政府通过《“十四五”国家战略性新兴产业发展规划》及后续专项政策,进一步将射频芯片、高速光模块、第三代半导体器件等列为战略突破方向。以射频前端芯片为例,其应用场景从5G通信、智能终端延伸至卫星互联网、低空经济等新兴领域,市场规模持续扩大。当前,国内企业在关键领域自主化率显著提升,但高端射频芯片仍依赖进口,国际巨头在先进制程与专利生态上的技术壁垒尚未完全突破,核心技术受制于人的局面亟待改变。为此,国内企业加速向全产业链整合模式转型,通过设计、制造与封测环节的协同创新,逐步攻克高频段通信芯片的异质集成与热管理难题。

跨学科融合与生态协同成为产业竞争的新焦点。光学与半导体技术的双向赋能尤为显著:半导体工艺为光学器件微型化提供支撑,而光学创新反哺半导体产品性能突破。产业链上下游的深度协同推动“材料-设备-制造-应用”创新链闭环形成,头部企业通过专利布局与生态合作巩固市场优势。与此同时,低空经济、工业无损检测等新兴场景的拓展,为光学技术开辟了全新价值空间;智能传感器向多光谱感知升级,结合AI算法实现环境感知能力的质变,进一步拓宽应用边界。

国产替代进程的加速催生新模式与新业态。在半导体领域,全链条协同创新助力突破关键环节,晶圆级光学加工与半导体工艺的深度融合显著提升模块集成度与生产效能。然而,国产射频前端芯片在材料体系创新、异质集成技术等领域仍需补足短板,高频段芯片的工艺难题仍是攻坚重点。未来,突破技术门槛的速度将直接决定企业在全球化竞争中的地位,而具备快速迭代与生态整合能力的企业,有望在技术代际跃迁的关键窗口期占据先发优势。

展望2025年,技术交叉融合将持续深化,Metalens、TGV、MicroLED、多光谱芯片、光子芯片等前沿技术有望实现规模化应用;车载激光雷达与AR设备将推动消费与工业场景的智能化革命;低空经济、元宇宙等新兴领域将催生万亿级市场机遇。面对挑战,企业需强化跨学科研发能力、加速专利布局,并在生态协同中构建可持续竞争力。唯有以创新为锚、以协同为舵,方能在技术革命与产业变革的浪潮中行稳致远,助力我国在全球科技竞争中实现从追赶者到引领者的跨越。

(四)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了完整的技术创新体系,持续对各项核心技术进行更新迭代,旨在提升现有产品的技术水平和生产效率,同时不断开拓新领域的产品应用,与相关领域的领先企业共同成长。公司的核心技术具有平台特征,能够实现跨领域、多产品的广泛应用。为了支持技术研发和产品创新,公司设立了精密分析实验室,该实验室具备对物质成分、光学特性、表面形貌、内部结构以及电性等方面的全面分析能力,能够为各类新产品的研发提供精准的检测和分析服务。

经过多年的技术积累和创新,公司在精密光学、半导体声光学、半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体封测、表面贴装(SMT)、微纳光学等多个领域都掌握了核心技术和自主知识产权。目前,这些核心技术在各类产品中得到了具体应用,并展现出了其技术特点和先进性。以下是各项核心技术在产品中的具体应用情况及技术来源的简要概述:

序 号核心技 术名称核心技术的技术特点及先进性应用产品/服 务技术来源
1精密光 学1.公司自主研发多线切割技术,可对水晶、石英、蓝宝 石、陶瓷、铌酸锂等材料进行高精度加工。 2.公司自主研发对各类材质基板进行高精度外形加工, 其中玻璃晶圆的通孔技术可实现在515*510mm玻璃衬 底上进行通孔加工,孔径深宽比40:1,最小孔径5微 米,位置度≤3微米。 3.公司自主研发各类材质晶圆衬底的研磨、抛光(包含 CMP)技术,最大加工尺寸可到30英寸,厚度公差、面 型、粗糙度等指标具有较强的市场竞争力。 4.公司自主研发晶圆Notch端面抛光工艺,并开发出 全自动Notch端面抛光设备,可实现Notch角度公差 ±1.5°、Notch深度±0.03mm的技术指标,能稳定实 现Notch抛光的批量生产。 5.公司自主研发,掌握了包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜 的PVD工艺,以及PEALD的原子层沉积工艺,并完成各 种光学膜系设计及生产工艺开发,能够满足精密光学及 生物识别零部件等产品对精密薄膜的要求。同时公司自 主设计,结合使用新型光学材料,进行膜层加工,可使 光学器件实现降低杂光、消除鬼影、增透的效果或实现 光学光电子元器件薄型化、消除摩尔纹、高清晰成像效 果。各类影像光学 零部件、生物 识别零部件及 精密加工服 务、AR/MR光学 零部件精密加 工服务等自主研发
2半导体 声光学1.公司自主研发的半导体声光学相关工艺技术,通过 涂胶、光刻、显影、镀膜、Liftoff、湿法蚀刻、干法 蚀刻、丝印、极化等工艺制程,直接在各类尺寸的晶圆 上叠加光学成像传输及声学传输所需的各种介质薄膜、 金属膜、有机薄膜(ColorFilter等)、微透镜阵列 等整套光路层、声学层解决方案。 2.通过晶圆表面PVD、涂胶、曝光、显影、刻蚀等半导 体工艺,进行超透镜(MetaLens)加工。!超薄屏下指纹 传感器、图像 传感器、环境 光传感器等自主研发
3半导体 微纳电 路公司自主研发在各类晶圆衬底上,通过涂胶、光刻、显 影、PVD(EB、IB、Sputter、Bias)、PEALD、PECVD、 HDPCVD、湿法蚀刻、干法蚀刻、CMP、Trimming、TSV、射频芯片 (SAW、BAW 等)、功率器自主研发
序 号核心技 术名称核心技术的技术特点及先进性应用产品/服 务技术来源
  TGV、炉管(栅氧/干氧/退火/合金/P推阱/N推阱 /D-Poly/U-Poly/TEOS工艺)、快速退火等半导体制程, 进行微纳电路加工。件芯片、光感 芯片、气压传 感器芯片等 
4半导体 封测通过晶圆减薄、背金、激光开槽、刀轮切割、芯片贴合、 引线键合、植球、倒装、覆膜(加真空印刷或CMolding)、 深硅刻蚀、激光诱导和分选测试等工艺研究,成功开发 了正面晶圆级封装(LGA、WLCSP)、背面晶圆级封装(TSV、 TGV)、芯片级封装(DFN、QFN、SOT、IGBT、TO、PDFN、 TOLL系列)、CuClip封装等,不断提升半导体器件良 好的导电和散热性能、小型化、薄型化,能够做到真正 的无引线大电流、低功耗、高散热封装工艺。射频滤波器、 图像传感器、 功率器件、开 关电路电源管 理、MEMS器件、 射频模组等芯 片封装自主研发
5表面贴 装(SMT)通过锡膏印刷、SPI、元件贴装、真空回流焊、波峰焊、 AOI检测等工艺研究,成功开发了电路板表面贴装技术 (SMT)。工业相机、安 防相机、医疗 器械等自主研发
6微纳光 学1、通过晶圆减薄、单面研抛、光学成膜、镭射切割、 性能测试等工艺研究,成功开发超构表面光学器件加工 技术,实现超构表面光学器件薄型化、小型化、特定光 学特性及高外观要求等特性。 2、采用灰度光刻技术完成3D微透镜阵列母版制作, 结合晶圆级纳米压印工艺技术在基板表面实现微结构 加工,该产品结构具备高可靠性、高分辨率、高生产率 (PV≤0.3μm(MLA),Ra≤5nm),同时公司具有高 矢高的微透镜阵列母板(透镜直径<500μm,矢高>100 μm)和低矢高的微透镜灰度光刻母板的制造能力(微 透镜矢高0.5μm~40μm)。 3、采用晶圆压印封装工艺,并结合丝印键合工艺,实 现一种无基材晶圆级压印光学模组技术,其最小尺寸可 达1mm*1mm,PV≤1μm。生物识别零部 件、AR/VR零部 件、医疗检测、 智慧家居、3D 深度感知类应 用等自主研发
公司致力于光学光电子、半导体声光学、半导体微纳电路(主要为MEMS)、半导体封测行业等细分领域的研究和开发。始终将技术创新放在企业发展的首位,紧盯行业发展趋势,围绕客户和市场需求,战略性聚焦关键核心技术攻关,推动新知识、新技术的深度连接和耦合发力,不断丰富技术和产品路线,致力为客户提供更优质、多类型、定制化的产品及解决方案。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用√不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用□不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2022年光电子元器件
   
2、报告期内获得的研发成果
报告期内,公司获得授权专利31项(其中发明专利6项),申请受理专利56项(其中发明专利17项)。截至报告期末,公司累计申请境内外专利354项,已经授权245项,其中有效专利215项,公司的专利涉及精密光学、半导体声光学、半导体封装、微纳光学、晶圆传感器封装等主要核心技术,并取得境内外商标8项。通过不断的技术研发和创新,以及专利和商标的取得,公司的综合实力得到了不断提升。

报告期内获得的知识产权列表

 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利17611033
实用新型专利3925244212
外观设计专利  00
软件著作权  00
其他3398
合计5934363253
3、研发投入情况表(未完)
各版头条