[年报]富创精密(688409):2024年年度报告

时间:2025年04月30日 18:35:45 中财网

原标题:富创精密:2024年年度报告

公司代码:688409 公司简称:富创精密
沈阳富创精密设备股份有限公司
2024年年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是√否
三、重大风险提示
报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。

四、公司全体董事出席董事会会议。

五、立信会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

六、公司负责人郑广文、主管会计工作负责人崔静及会计机构负责人(会计主管人员)栾玉峰声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案公司拟以权益分派股权登记日登记的总股本扣除公司回购专用账户中的股份数量为基数分配利润,本次利润分配预案如下:
公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币1.50元(含税)。截至公告日,公司总股本为306,210,771股,扣减回购专用账户的股数1,666,183股,以此计算合计拟派发现金红利45,681,688.20元(含税)。

上述利润分配预案已经公司第二届董事会第十八次会议、第二届监事会第十五次会议审议通过,本次利润分配方案尚需经公司2024年年度股东大会审议通过后实施。

八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。

十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况

十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、 其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义......................................................................................................................................5
第二节 公司简介和主要财务指标..................................................................................................8
第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................14
第四节 公司治理............................................................................................................................46
第五节 环境、社会责任和其他公司治理....................................................................................70
第六节 重要事项............................................................................................................................83
第七节 股份变动及股东情况......................................................................................................125
第八节 优先股相关情况..............................................................................................................135
第九节 债券相关情况..................................................................................................................136
第十节 财务报告..........................................................................................................................137

备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人 员)签名并盖章的财务报表
 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、富 创精密、沈阳富创沈阳富创精密设备股份有限公司
富创有限沈阳富创精密设备有限公司,为公司前身
沈阳先进沈阳先进制造技术产业有限公司,曾用名“沈阳先进制造技 术产业发展有限责任公司”,为公司第一大股东
辽宁科发辽宁科发实业有限公司,曾用名“辽宁科发实业公司”,为 公司股东
泰州祥浦泰州祥浦创业投资基金合伙企业(有限合伙),报告期内曾 用名“宁波祥浦创业投资合伙企业(有限合伙)”,为公司 股东
上海国投国投(上海)科技成果转化创业投资基金企业(有限合伙), 为公司股东
宁波芯富宁波芯富投资管理合伙企业(有限合伙),为公司股东,公 司员工持股平台之一
宁波芯芯宁波芯芯投资管理合伙企业(有限合伙),为公司股东,公 司员工持股平台之一
宁波良芯宁波良芯投资管理合伙企业(有限合伙),为公司股东,公 司员工持股平台之一
辽宁中德辽宁中德产业股权投资基金合伙企业(有限合伙),为公司 股东
中证投资中信证券投资有限公司,为公司股东
长峡金石长峡金石(武汉)股权投资基金合伙企业(有限合伙),曾 用名“三峡金石(武汉)股权投资基金合伙企业(有限合伙)”, 为公司股东
交控金石安徽交控金石并购基金合伙企业(有限合伙),为公司股东
南通富创南通富创精密制造有限公司,为公司全资子公司
北京富创北京富创精密半导体有限公司,为公司全资子公司
沈阳融创沈阳融创精密制造有限公司,为公司全资子公司
沈阳强航沈阳强航时代精密科技有限公司,为公司控股子公司
瑞特热表沈阳瑞特热表动力科技有限公司,为公司控股子公司
新加坡富创SMARTTPRECISIONMFGPTE.LTD,为公司全资子公司
拓荆科技拓荆科技股份有限公司,曾用名“沈阳拓荆科技有限公司”, 上交所科创板上市公司,证券代码:688072.SH,国内半导体 领域薄膜沉积设备龙头企业之一,为公司客户,同时为公司 关联方
芯源微沈阳芯源微电子设备股份有限公司,曾用名“沈阳芯源微电 子设备有限公司”,上交所科创板上市公司,证券代码 688037.SH,国内半导体领域涂胶显影设备龙头企业之一,为 公司客户,同时为公司关联方
半导体常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体器件 根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)定义可分为集成电路 (IC)、分立器件、光电子和传感器,广泛应用于下游通信、
  计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空航天等产业
IC、集成电路IntegratedCircuit,指通过一系列特定的加工工艺,将晶 体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等
芯片集成电路载体,是集成电路经设计、制造、封装、测试后的 结果
前道集成电路芯片制造的前道工序,是把衬底材料(目前集成电 路主要是硅衬底)加工成包含成千上万个芯片的工艺过程, 指的是从制造器件结构到进行金属互联,一直到最后的表面 钝化的过程
晶圆在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛 光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片
光刻利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形 传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形 的工艺技术
刻蚀(ETCH)用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的 过程,是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺,是半 导体制造工艺的关键步骤
薄膜沉积半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜 可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧 化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的 前段工序FEOL(制作晶体管等部件)和后段布线工序BEOL (将在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路) 均有多处应
化学气相沉积 (CVD)ChemicalVaporDeposition,把一种或几种含有构成薄膜元 素的化合物放置在有基材的反应室,在气态条件下发生化学 反应,在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术
等离子体增强化学 气相沉积(PECVD)PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,是CVD的一 种,在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反 应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法
原子层沉积(ALD)Atomiclayerdeposition,原子层沉积,是一种可以将物质 以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法
涂胶将光刻胶均匀涂覆到晶圆表面的过程
显影将曝光完成的晶圆进行成像的过程,通过这个过程,成像在 光阻上的图形被显现出来
离子注入离子束射到固体材料以后,受到固体材料的抵抗而速度慢慢 降低下来,并最终停留在固体材料中
化学机械抛光 (CMP)ChemicalMechanicalPolishing,集成电路制造过程中实现 晶圆全局均匀平坦化的关键工艺
快速热处理(RTP)RapidThermalProcessing,半导体制造中用于晶圆快速加 热和冷却的关键设备,主要用于离子注入后的退火、氧化物 形成、硅化物沉积等工艺
外延Epitaxy,是一种在单晶衬底上生长一层单晶薄膜的技术
封装封装技术的定义为,在半导体开发的最后阶段,将一小块材 料(如芯片)包裹在支撑外壳中,以防止物理损坏和腐蚀, 并允许芯片连接到电路板的工艺技术
半导体设备用于制造半导体器件(主要为集成电路(IC)产品)的工艺 设备
泛半导体设备国内通常将集成电路、发光二极管(LED)、显示面板和光伏 统称为泛半导体行业,前述范围中显示面板、光伏在世界半 导体贸易统计组织(WSTS)定义的半导体器件范围外,本招
  股说明书中将制造显示面板和光伏产品中涉及半导体工艺的 高端设备定义为泛半导体设备
机械制造通过机械设备(一般为数控机床)精确地去除材料,以获得 一定形状和尺寸产品的制造方法
表面处理利用现代物理、化学、金属学和热处理等学科的边缘性新技 术来改变物体表面的状况和性质,使之与新材料做优化组合, 以达到预定性能要求的工艺方法
阳极氧化铝及其合金在硫酸电解液的工艺条件下,在外加电流的作用 下,在铝制品(阳极)上形成一层氧化膜的过程。硬质阳极 膜层为陶瓷膜层,不导电且具有较强耐腐蚀性
含氟涂层利用大气等离子喷涂方式,通过高温火焰的作用,使含氟陶 瓷粉末在基材表面形成一层致密的陶瓷膜层的工艺方法
纳米薄膜技术利用原子层沉积方式,在真空环境中,通过自限性吸附反应, 在基材表面形成致密陶瓷膜层的工艺方法
致密YO涂层致密YO涂层利用等离子热喷涂方式,制备孔隙率<1%的陶瓷 涂层的工艺方法
等离子喷涂等离子喷涂采用由直流电驱动的等离子电弧作为热源,将陶 瓷、合金、金属等材料加热到熔融或半熔融状态,并以高速 喷向经过预处理的工件表面而形成附着牢固的表面层的方 法。喷涂膜层具有耐磨、耐蚀、耐高温氧化等性能。目前已 经成熟应用的膜层为氧化钇膜层
电子束焊接通过在高真空环境把电子加速至光速的60%以上轰击零件表 面,产生热量以达到熔化母材进而实现焊接效果,其特点为 热影响区小,可实现在紧凑区域的高精密焊接,且焊接质量 高
激光焊接利用高能量密度的激光束作为热源的一种高效精密焊接方法
真空钎焊一种特殊的焊接方法,工件被放置在真空环境中进行加热, 利用液态钎料在母材表面润湿、铺展,并通过毛细流动填满 母材间隙,实现零件间的牢固连接,核心特点是在高真空环 境中进行,有助于避免工件氧化,从而提高焊接质量
超洁净管路焊接使用符合洁净间环境要求的钨极氩弧焊设备,在百级洁净间 对经过精密清洗和EP处理的标准件和管道进行全熔透自熔 焊
首件产品批量生产前,生产方按需方要求生产的供需方确认的样 件
manifold用于气体分配和控制的多流道集成结构装置,其主要功能是 将来自一路或多路气源的气体通过集中分气底座进行再分 配,从而实现对气体的精确控制与传输
Know-How非标工业自动化行业技术诀窍,是随着企业不断自主研发设 计、生产优化而总结积累的关于设计路线、设备集成、操作 要点、性能指标控制等方面的技术经验
02重大专项《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020)》确定 的16个国家科技重大专项中的第2项,即“极大规模集成电 路制造设备及成套工艺”
纳米-9 1纳米=10米
SEMISemiconductorEquipmentandMaterialsInternational, 国际半导体设备材料产业协会
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《科创板股票上市《上海证券交易所科创板股票上市规则》
规则》  
《公司章程》《沈阳富创精密设备股份有限公司章程》及其历次修订版本
《关联交易管理制 度》《沈阳富创精密设备股份有限公司关联交易管理制度》
《股东大会议事规 则》《沈阳富创精密设备股份有限公司股东大会议事规则》
《董事会议事规 则》《沈阳富创精密设备股份有限公司董事会议事规则》
《监事会议事规 则》《沈阳富创精密设备股份有限公司监事会议事规则》
《独立董事工作细 则》《沈阳富创精密设备股份有限公司独立董事工作细则》
《薪酬与考核委员 会工作细则》《沈阳富创精密设备股份有限公司薪酬与考核委员会工作细 则》
《投资者关系管理 办法》《沈阳富创精密设备股份有限公司投资者关系管理办法》
《舆情管理制度》《沈阳富创精密设备股份有限公司舆情管理制度》
《信息披露管理办 法》《沈阳富创精密设备股份有限公司信息披露管理办法》
中国证监会中国证券监督管理委员会
上交所上海证券交易所
董事会沈阳富创精密设备股份有限公司董事会
监事会沈阳富创精密设备股份有限公司监事会
股东大会沈阳富创精密设备股份有限公司股东大会
元、万元、亿元除特别注明的币种外,指人民币元、人民币万元、人民币亿 元
报告期、报告期内、 本年、本期2024年1月1日至2024年12月31日
本报告期末、报告 期末2024年12月31日
注:本报告中若出现总数与各分项数值之和尾数不符情况,除特别说明外,均为四舍五入原因造成。

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称沈阳富创精密设备股份有限公司
公司的中文简称富创精密
公司的外文名称ShenyangFortunePrecisionEquipmentCo.,Ltd.
公司的外文名称缩写FortunePrecision
公司的法定代表人郑广文
公司注册地址辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号
公司注册地址的历史变更情况
公司办公地址辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号
公司办公地址的邮政编码110168
公司网址http://www.fortune-semi.com
电子信箱[email protected]
二、联系人和联系方式

 董事会秘书证券事务代表
姓名梁倩倩王清岩
联系地址辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号
电话024-31692129024-31692129
传真024-31692129024-31692129
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点

公司披露年度报告的媒体名称及网址中国证券报(www.cs.com.cn)、上海证券报(www.cns tock.com)、证券日报(www.zqrb.cn)、证券时报 (www.stcn.com)
公司披露年度报告的证券交易所网址上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)
公司年度报告备置地点公司证券部
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
人民币普通股(A股)上海证券交易所科创板富创精密688409/
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他相关资料

公司聘请的会计师事务所 (境内)名称立信会计师事务所(特殊普通合伙)
 办公地址上海市黄浦区南京东路61号四楼
 签字会计师姓名谢嘉、黄亮
报告期内履行持续督导职责 的保荐机构名称中信证券股份有限公司
 办公地址广东省深圳市福田区中心三路8号卓越时代 广场(二期)北座
 签字的保荐代表人 姓名张欢、张明慧
 持续督导的期间2022/10/10-2025/12/31
六、近三年主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位:万元 币种:人民币

主要会计数据2024年2023年本期比上年 同期增减(%)2022年
营业收入303,956.79206,575.5947.14154,446.33
归属于上市公司股东的净利润20,264.9816,868.7920.1324,545.58
归属于上市公司股东的扣除非经 常性损益的净利润17,190.348,639.0298.9817,805.17
经营活动产生的现金流量净额-5,214.84-38,638.18不适用-2,232.42
 2024年末2023年末本期末比上 年同期末增 减(%)2022年末
归属于上市公司股东的净资产458,817.42456,485.550.51464,448.33
总资产835,655.97758,986.3910.10664,047.73
(二)主要财务指标

主要财务指标2024年2023年本期比上年同 期增减(%)2022年
基本每股收益(元/股)0.790.81-2.471.45
稀释每股收益(元/股)0.790.81-2.471.45
扣除非经常性损益后的基本每股 收益(元/股)0.670.4163.411.05
加权平均净资产收益率(%)4.463.61增加0.85个百 分点12.19
扣除非经常性损益后的加权平均 净资产收益率(%)3.781.85增加1.93个百 分点8.85
研发投入占营业收入的比例(%)7.289.97减少2.69个百 分点7.89
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
1、营业收入增长
2024年度公司实现营业收入303,956.79万元,同比增长47.14%,主要受益于全球半导体市场需求持续释放及半导体产业链国产化进程加速。

分区域看:来自中国大陆地区收入为206,672.38万元,同比增长43.95%,占主营业务收入的比重为69.75%。来自中国大陆以外地区收入为89,652.19万元,同比增长48.98%,占主营业务收入的比重为30.25%。

分产品类别:机械及机电零组件产品收入208,407.16万元,同比增长57.69%,成为核心增长引擎。气体传输系统产品收入87,917.41万元,同比增长22.82%,第二增长曲线保持稳步提升。

2、盈利能力提升
报告期内实现扣非归母净利润17,190.34万元,同比增长98.98%,扣除非经常性损益后的基本每股收益增长63.41%,主要系规模效益显现,高附加值产品放量,有效摊薄设备折旧等固定成本;国内生产基地产能效率提升。

3、现金流管理优化
经营活动现金流净额为-5,214.84万元,较上年同期收窄,主要系公司持续优化管理经营性现金流,客户回款情况较好,且存货管理提升,存货周转次数增长。但是由于账期较长的境内收入占比增长,且回款方式存在票据回款,经营性现金流呈现负值。

七、境内外会计准则下会计数据差异
(一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况
□适用√不适用
(三)境内外会计准则差异的说明:
□适用√不适用
八、2024年分季度主要财务数据
单位:万元 币种:人民币

 第一季度 (1-3月份)第二季度 (4-6月份)第三季度 (7-9月份)第四季度 (10-12月份)
营业收入70,147.6080,482.5580,859.3672,467.28
归属于上市公司股东的 净利润6,042.966,137.126,793.161,291.74
归属于上市公司股东的 扣除非经常性损益后的 净利润5,402.735,834.986,218.16-265.53
经营活动产生的现金流 量净额-8,046.50-1,981.87-11,607.9516,421.48
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
九、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:万元 币种:人民币

非经常性损益项目2024年金额附注(如适用)2023年金额2022年金额
非流动性资产处置损益,包括已计提 资产减值准备的冲销部分-757.62 -28.90-604.03
计入当期损益的政府补助,但与公司 正常经营业务密切相关、符合国家政 策规定、按照确定的标准享有、对公 司损益产生持续影响的政府补助除外3,984.28 2,243.927,103.67
除同公司正常经营业务相关的有效套 期保值业务外,非金融企业持有金融 资产和金融负债产生的公允价值变动 损益以及处置金融资产和金融负债产 生的损益941.22 7,764.66611.50
计入当期损益的对非金融企业收取的 资金占用费    
委托他人投资或管理资产的损益    
对外委托贷款取得的损益    
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而 产生的各项资产损失    
单独进行减值测试的应收款项减值准 备转回    
企业取得子公司、联营企业及合营企 业的投资成本小于取得投资时应享有 被投资单位可辨认净资产公允价值产 生的收益    
同一控制下企业合并产生的子公司期 初至合并日的当期净损益    
非货币性资产交换损益    
债务重组损益    
企业因相关经营活动不再持续而发生 的一次性费用,如安置职工的支出等    
因税收、会计等法律、法规的调整对 当期损益产生的一次性影响   589.78
因取消、修改股权激励计划一次性确 认的股份支付费用    
对于现金结算的股份支付,在可行权 日之后,应付职工薪酬的公允价值变 动产生的损益    
采用公允价值模式进行后续计量的投 资性房地产公允价值变动产生的损益    
交易价格显失公允的交易产生的收益    
与公司正常经营业务无关的或有事项 产生的损益    
受托经营取得的托管费收入    
除上述各项之外的其他营业外收入和 支出-536.30 -400.8947.62
其他符合非经常性损益定义的损益项 目    
减:所得税影响额536.18 1,344.881,004.43
少数股东权益影响额(税后)20.75 4.143.70
合计3,074.64 8,229.776,740.41
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因。

□适用√不适用
十、非企业会计准则财务指标情况
□适用√不适用
十一、采用公允价值计量的项目
√适用□不适用
单位:万元 币种:人民币

项目名称期初余额期末余额当期变动对当期利润的影响 金额
应收款项融资1,042.982,047.461,004.48 
其他权益工具投 资2,974.702,910.13-64.57 
交易性金融资产50,111.641,016.56-49,095.08467.77
其他非流动金融 资产13,579.3915,052.831,473.44473.44
合计67,708.7121,026.97-46,681.74941.21
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明
√适用□不适用
公司主要客户及供应商具体名称、销售及采购情况,重点研发项目、重点政府补助项目属于公司商业秘密。公司已按照《科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》有关规定及公司内控制度要求履行相应豁免披露程序。对于上述信息,公司将以代称等方式脱密处理后披露。

第三节 管理层讨论与分析
一、经营情况讨论与分析
半导体产业作为全球经济的重要组成部分,2024年逐步走出低谷并迎来回暖态势。根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)预测,2024年全球年度半导体销售额同比增长19%,达到6,269亿美元,到2025年全球销售额预计将达到6,972亿美元,同比增长11.2%,增长的动力来自于AI相关半导体需求的持续激增以及电子产品生产的复苏。

在此背景下,公司作为国内半导体设备精密零部件领域的领军企业,凭借在刻蚀、薄膜沉积、光刻及涂胶显影、化学机械抛光、离子注入等核心环节设备中的技术优势,进一步巩固了市场地位。

报告期内,公司在产品研发、产能建设、智能制造和人才建设等方面采取了积极举措,坚定把握半导体长期增长的大趋势,通过深化大客户战略和加速海外布局,进一步增强了国内外市场的竞争力。

展望未来,随着AI技术的快速发展和国产化进程的推进,半导体行业将保持增长势头。公司将继续聚焦技术创新和市场拓展,提升核心竞争力,为全球半导体供应链提供更高质量的产品和服务。

(一)报告期内主要经营情况
报告期内,公司依托大客户战略、技术升级与产品创新,市场竞争力持续增强,业务规模快速扩张。2024年实现营业收入30.4亿元,同比增长47.14%;扣非归母净利润1.72亿元,同比增长98.98%,经营业绩实现高质量增长。

(二)报告期内重点任务完成情况
1、市场拓展方面
公司2024年度实现营业总收入30.4亿元,同比增长47.14%,其中半导体板块收入增长突出,公司前五大客户收入同比增长超过50%。作为国内半导体设备零部件领域领军企业,公司通过深化大客户战略,提升重点客户市场份额;同时,公司持续加大海外市场投入,成功开拓国际头部客户,实现小批量订单突破,先进制程产品进一步获得量产订单,推动海外重点客户营业收入同比增长超40%。

公司通过聚焦大客户战略,加速全球化布局,加强产品与技术研发、构建从需求洞察到快速交付的全链条响应能力,为行业客户提供高效、精准的解决方案,进一步增强公司在国内外市场的竞争力,业务规模持续增长,巩固了公司在半导体设备零部件市场的领先地位,为业务的持续增长奠定坚实基础。

2、技术研发方面
公司依托精密机械制造、表面处理特种工艺及焊接三大核心技术体系,在半导体设备零部件领域取得突破性进展。公司在表面处理特种工艺领域构建了差异化技术优势,自主研发的创新涂层为半导体设备核心零部件的国产化提供了关键技术支撑。公司依托“致密YO涂层”、“N/O系列膜层”及“Al-F复合膜层”等核心工艺突破,实现半导体设备内衬、匀气盘、加热器及静电吸盘等核心零件表面处理技术的自主可控。

其中,2024年实现量产的“致密YO涂层”孔隙率达到国际先进水平,已在国内头部客户形成千万级规模订单,奠定该领域国产替代主导地位;“N系列膜层、O系列膜层”通常在耐等离子体腐蚀性能方面达到国际先进水平,成功适配匀气盘、加热器等关键部件,报告期内完成多家国内半导体设备龙头企业的产品认证;“Al-F膜层”则针对PECVD设备高温高腐蚀环境开发,目前已完成客户验证并进入小批量生产阶段。

在工艺革新维度,公司通过智能化改造重构传统表面处理模式,建成大型自动化化镍产线,将传统表面处理效率翻倍提升,产品一次制造合格率稳定在97%左右,推动行业从经验驱动向数据驱动的生产模式转型,为半导体设备精密零部件的规模化生产提供关键工艺保障,有效支撑国内半导体设备厂商在先进制程的供应链安全。

3、产品研发方面
根据SEMI数据,中国作为全球半导体产业链的重要市场,持续推动着本土半导体设备产业的创新发展。国内半导体设备企业近年来聚焦核心技术攻关与国产化替代,逐步提升关键零部件的自主化水平。公司作为半导体设备精密零部件领域的领先企业,始终致力于技术创新与市场拓展,主要进展体现在以下方面:
技术研发纵深突破:在匀气盘等先进产品领域,公司针对国际厂商长期主导的市场格局,于2024年完成新一代产品开发,成功实现加热匀气盘、螺纹斜孔匀气盘等复杂结构产品的量产能力;金属加热盘研发突破海外技术壁垒,实现多型号产品的小批量量产,相关技术已通过国内主流客户认证;
产品矩阵持续完善:依托机械及机电零组件、气体传输系统两大核心产品线协同布局,公司构建了覆盖半导体零部件全品类的定制化生产能力,通过柔性化产线、模块化设计及智能化生产体系,形成从基础金属零部件到复杂气路系统的全链条供应能力,可精准匹配刻蚀、薄膜沉积、离子注入等多样化工艺需求,既能满足客户对单一品类的高标准需求,又能通过跨品类协同降低供应链复杂度,助力客户缩短验证周期、提升采购效率;
供应链自主化推进:在真空阀等长期依赖进口的关键部件领域,公司完成工艺技术开发并启动客户认证流程,计划逐步实现本土化供应,助力行业降低对国际厂商的依赖。

公司通过柔性化制造体系,持续提升产品迭代效率,为半导体设备行业提供高适配性解决方案。

4、产能建设
截至目前,公司在沈阳、南通、北京及新加坡均积极推进相关产能布局,用贴近式服务践行对客户的承诺。其中,南通富创作为公司IPO募投项目,已于2024年结项并成功投产,报告期内逐步释放产能,为公司贡献业绩。北京富创已部分完成验收,进一步增强华北地区的供应能力。

截至目前新加坡富创已经完成海外龙头客户验证,直接对接海外市场,助力公司全球化战略布局。

基于2025年美国实施的相关关税政策,新加坡作为关税成本最低的国家之一,未来将成为公司境外主体的重要基地,承接海外龙头客户订单,具有更大的开拓空间与竞争优势。

5、智能制造
报告期内,公司通过构建半导体精密零部件共性技术平台,系统性提升制造能力与产品质量水平。共性技术平台采用"复杂首件模块化拆解-标准化工艺重组"方法论,将传统依赖人工经验的开发流程转化为标准化技术模块库,结合自主研发的数字化裁判系统实现工艺参数自动校验与异常预警。

在智能工艺领域,公司持续进行技术升级,报告期内气柜智能工艺、机加智能工艺等均迭代2.0版本,成功规避数十种潜在质量问题,每年节省成本上百万元。

面向未来,公司将深化智能制造战略,持续强化在7纳米及更先进制程零部件领域的技术领导地位,为全球半导体设备商提供兼具高可靠性及快速响应能力的制造解决方案。

6、人才建设
报告期内,公司全面推进人才管理体系升级:
(1)职业发展体系优化
公司重构职位职级体系,发布《沈阳富创精密设备股份有限公司职位管理制度》,建立“四职位族、8-10职级、二十职等”的立体发展通道,实施管理类(M类)与专业类(T/P/O类)双轨并行机制,为员工提供纵向晋升与横向发展的多元路径,明确各职级晋升标准,打造透明化、规范化的职业发展体系。

(2)薪酬绩效体系革新
开展行业薪酬调研,建立市场导向的薪酬标准体系;优化薪酬结构,形成“固定工资+津贴福利+绩效奖励+专项激励”的全面薪酬方案;修订《沈阳富创精密设备股份有限公司绩效管理制度》,完善"目标设定-过程辅导-考核评估-结果应用"的全周期管理流程,强化绩效导向,建立与战略目标挂钩的激励机制。

(3)人才梯队建设
开展领航者训练营,聚焦高层后备人才培养,打造“懂经营、精管理、能打仗”的核心管理团队;开展“新帆计划”通过系统化培训加速新员工融入,提升团队凝聚力与文化认同度。

7、产业链整合方面
为完善半导体零部件平台战略布局,公司于2024年7月披露《关于筹划收购北京亦盛精密半导体有限公司100%股权暨关联交易的公告》(公告编号:2024-046),拟以现金方式收购8名交易方持有的标的公司全部股权,预计交易金额不超过8亿元。本次收购旨在通过产品品类互补、客户资源共享及技术能力整合形成业务协同,进一步完善半导体零部件全生命周期服务体系。

截至目前,受产能爬坡及客户认证周期等因素影响,北京亦盛暂未实现稳定盈利。根据交易审慎性原则,公司将在北京亦盛盈利5,000万后启动审计评估,后续收购仍需履行相关决策及监管审批程序。

此外,公司于2025年4月发布《关于联合投资人共同对外投资暨收购浙江镨芯电子科技有限公司股权的公告》(公告编号:2025-012),通过特殊目的公司联合投资人收购浙江镨芯控股权。

鉴于浙江镨芯持有国际知名气体传输系统制造商Compart公司96.56%股权,交易完成后公司将间接持有Compart公司21.58%股权。此项战略投资旨在结合Compart公司35年行业积累的技术专利与全球供应链资源,通过产业链垂直整合与技术协同,提升双方先进零部件研发制造能力,推进全球化业务布局。截至本报告披露日,交易各方正依约推进股权交割程序。

8、内部治理方面
公司建立了较为完善的内控制度和治理结构,报告期内持续完善公司治理机制,强化风险管理和内部控制,严格贯彻执行相关制度,及时发现风险并予以解决,切实保障公司和股东的合法权益,为企业持续健康发展提供坚实基础。

9、信息披露及防范内幕交易方面
公司严格遵守《证券法》《科创板股票上市规则》等法律法规以及监管机构的各项规定,严格执行公司《信息披露管理办法》,确保信息披露的真实、准确、完整、及时、公平。通过上市公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证e互动平台、电话会议、电子邮件等多种渠道,全方位、多角度地保持公司的运营透明度,保障投资者和市场参与者了解公司经营状况和发展动态。

针对内幕交易防范工作,公司高度重视并扎实做好内幕信息知情人登记管理工作,严格按照相关规定,明确内幕信息范围,落实内幕信息知情人登记制度,强化内部信息流转管控。公司定期对董事、监事、高级管理人员及相关员工发送禁止内幕交易的警示,强调保密义务的重要性,并敦促相关人员严格遵守买卖公司股票的规定,严防内幕交易行为的发生。

非企业会计准则业绩变动情况分析及展望
□适用√不适用
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司是半导体零部件领域的领军企业,产品主要为半导体设备、泛半导体设备及其他领域的精密零部件,主要包括:机械及机电零组件(腔体、内衬、匀气盘等工艺零部件及腔体模组、阀体模组等模组产品)、气体传输系统(气柜、气体管路等产品),相关产品成功通过国内外龙头客户验证并实现量产。

机械及机电零组件是半导体设备中用于构建框架、支撑功能实现及参与核心工艺环节的关键 部件,涵盖工艺类、结构类、机电一体类及模组化组件。代表性产品包括:腔体(按使用功能分 为过渡腔、传输腔和反应腔)、内衬、匀气盘、加热盘、真空阀体、托盘轴、流量计底座以及离 子注入机模组、传输腔模组、过渡腔模组、刻蚀阀体模组等。机械及机电零组件部分核心产品的 图示如下:气体传输系统是半导体工艺设备的核心集成式气体供应模组系统,由气柜(GasBox)和气体管路(GasLine)两大核心模块构成,具备高安全气密性、耐强腐蚀性及精密流量控制等特性,需满足行业严苛要求,技术门槛与行业壁垒显著。

公司核心产品覆盖气体传输全链路,包括气柜模组及配套钣金组件、高洁净气体管路(EP级管路、VCR接头、标准法兰)、阀体类Block及标准IGSBlock产品。公司将通过纵向垂直整合与横向工艺协同,加速核心零部件的国产替代,保障半导体气体传输供应链的自主可控与安全稳定。气体传输系统部分核心产品的图示如下:
(二)主要经营模式
1、盈利模式
公司专注于技术研发、零部件设计与制造,为客户提供定制化产品和工艺解决方案。公司依托精密机械制造、特种表面处理、焊接及模组技术,通过销售半导体设备精密零部件及模组产品获取收入,扣除成本及费用后实现盈利。

2、研发模式
半导体设备发展依赖精密零部件的技术先行。报告期内,公司通过自研项目、客户协同研发及高校联合研发,持续加大研发投入,重点提升产品性能与工艺水平,以匹配半导体设备和零部件的迭代需求。

3、采购模式
公司建立严格的供应商准入机制,涵盖物料、设备、服务等领域,基于业务类型和绩效评级,对供应商实施差异化管理策略,确保供应链稳健性。报告期内,公司与主要供应商保持长期稳定合作。

4、生产模式
公司采用以销定产模式,根据客户差异化需求进行定制化生产,结合市场预测,编制年度计划,并依据实际订单调整月度生产计划。

5、销售及服务模式
公司以直销模式服务国内外龙头客户,产品定价基于材料成本、工艺复杂度及市场竞争等因素,结合客户设备类型和需求协商确定。

(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业发展阶段
根据SEMI报告显示,全球半导体制造设备出货金额2024年达到1,171亿美元,相较2023年的1,063亿美元增长10%,其中全球前端半导体设备市场实现了显著增长,其中晶圆加工设备的销售额增长了9%,其它前端细分领域的销售额增长了5%,主要得益于在先进逻辑、成熟逻辑、先进封装和高带宽存储器(HBM)产能扩张方面的投资增加,以及中国投资的大幅增长。

从区域来看,中国大陆、韩国和中国台湾仍然是半导体设备支出的前三大市场,合计占全球市场的74%。受益于积极的产能扩张,中国大陆巩固了其作为最大半导体设备市场的地位,投资同比增长35%,达到496亿美元。中国大陆半导体设备在成熟制程领域国产化已取得显著进展,但先进制程领域的设备仍需突破“卡脖子”环节,未来国产替代空间广阔。

根据SEMI报告显示,2024年全球半导体零部件市场规模达1,350亿美元,同比增长7.2%,来自日本、美国、韩国和欧洲的供应商在不同细分市场和技术领域保持领先地位,仍处于垄断先进市场阶段,中国零部件行业国产替代成效将在政策驱动下进一步提升。

(2)主要技术门槛
全球半导体设备精密零部件行业集中度较低,资本投入和技术门槛较高,多数企业仅掌握单一道或两道核心工艺,需多家协作方能满足设备厂商的完整需求。半导体设备精密零部件具有多品种、小批量、定制化的特点,且需满足纳米级精度、超高洁净度、耐强腐蚀等复合性能要求,制造过程需融合精密机械、材料科学、表面工程等多学科技术。尤其表面处理、焊接等核心工艺要求实现行业严苛标准,导致行业内企业普遍聚焦细分赛道,鲜少具备全链条能力。

公司凭借精密机械制造、表面处理特种工艺、焊接、组装及检测等全链条工艺能力,构建了全球行业少有的工艺完备性,且相应工艺已获得国际龙头半导体设备厂商认证,不同于同业大多仅提供单一品类,公司可同步量产机械及机电零组件、气体传输系统两大类产品,覆盖刻蚀、薄膜沉积、光刻等前道核心设备,降低客户供应链复杂度并提升其采购效率。

尤其在表面处理技术上,公司已实现国内领先水平,公司涂层技术在粒子控制、界面稳定性等指标上具备显著优势,随着先进制程继续演进,该技术可为国产设备突破粒子污染控制难题提供关键支撑。

2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
随着晶圆制造向7纳米以及更先进的制程工艺发展,半导体设备的工艺规格越来越高,零部件的制造精密度、洁净度要求将越来越高,对相应工艺技术要求也将随之提升。公司是国内少有的能够提供满足甚至超过国际主流客户标准的精密零部件产品的供应商。

目前公司已成为全球半导体设备龙头企业的核心供应商。同时,伴随着国内半导体晶圆厂的大幅扩产和半导体设备国产化的进程加快,国内半导体设备精密零部件的国产化率将不断提升。

基于2025年“关税政策”,公司通过聚焦大客户战略、与客户事前明确合作模式以及前瞻性海外产能布局,在政策波动的背景下,仍保持稳定生产。公司将积极关注国际、国内政策动态走向,持续加大自主研发力度,增强产品竞争力,未来将进一步受益于国产替代带来的发展增量,持续巩固公司在国际贸易变局中的结构性优势地位。

3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势随着全球半导体产业格局的演变,半导体设备企业在专注工艺技术与平台建设的同时,更加重视产业生态布局。零部件供应商的国际化水平、产能规模效应以及与设备企业的协同研发能力等要素,已成为半导体设备企业选择供应商的重要考量标准。从行业发展趋势看,由于半导体零部件领域存在较高的技术壁垒,"强者恒强"的竞争格局将持续深化。头部企业将通过全球化布局、产能扩张和技术创新来强化竞争优势,同时依托产业链协同效应构建更深的护城河。

(四)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司于2008年成立,陆续构建并完善精密制造全链条的核心技术体系,主要包括精密机械制造技术、表面处理特种工艺、焊接工艺及气体传输系统集成技术,通过持续研发投入形成差异化技术壁垒。基于半导体设备向更先进制程迭代的产业需求,公司相关核心技术已在工艺性能优化、量产良率提升及成本控制等方面产生一定效益,为半导体装备关键零部件的国产化替代进程赋能。

(1)精密机械制造技术
在精密机械制造领域,逐步构建起由四大支柱技术构成的先进工艺矩阵:“高精密微孔&深孔加工技术”、“超高光洁度制造技术”、“超高精密加工技术”、“大型腔体一站式加工技术”。

其中“深孔加工技术”,公司在报告期内突破长径比>30:1的复杂结构加工极限并保证产品光洁度;“高精密微孔制造技术”公司具备加工直径为0.3mm、长径比50倍径以上的微孔制造能力,超过行业平均水平;“大型腔体一站式加工技术”,公司可实现腔体上700多个尺寸工位连续加工完成,最大传输平台腔体长度可达3.23米,是国内为数不多大型腔体一站式加工解决方案供应商。

报告期内,上述技术群已系统性应用于半导体设备核心零部件制造,包括过渡腔、传输腔、反应腔、匀气盘以及工艺气体传送与流量控制等核心组件,并深度适配刻蚀设备、薄膜沉积设备等先进半导体装备的制造需求。其中,“深孔加工”与“高光孔加工”技术已成功应用于腔体冷却部件、流量计、manifold等对加工精度与表面质量要求较高的产品,凭借稳定的加工精度与优异的表面处理性能,上述产品已导入国内头部半导体设备厂商,并实现规模化量产。

随着半导体设备向更高集成度、更严苛工艺环境演进,公司技术组合在复杂结构件加工与表面完整性控制方面的优势将持续释放,为国产装备突破更先进逻辑芯片及半导体制造瓶颈提供关键工艺支撑。

(2)表面处理特种工艺
基于半导体设备零部件表面处理工艺的迭代需求,公司构建了以“耐腐蚀涂层技术”为核心、“高洁净度精密清洗技术”为支撑的表面处理工艺,聚焦半导体设备特种膜层领域的技术突破与产业化应用。

在耐腐蚀涂层技术体系下,形成三大技术分支:
a) 阳极氧化技术:涵盖硬质阳极、草酸阳极及氟化技术。2024年成功研发的“Al-F复合膜层”,针对PECVD设备腔室内壁高温、Cl?/HF混合气体强腐蚀环境开发,耐腐蚀性能已突破传统膜层水平,目前技术应用产品已通过国内头部半导体设备厂商验证并进入小批量生产阶段。

b) 喷涂技术:公司在报告期内实现两大突破,其一“致密YO涂层”孔隙率达到国际先进水平,适配先进制程刻蚀机台内部零件防护需求,已实现稳定量产;其二“含氟涂层”已完成国内龙头客户认证,进入小批量生产阶段,国际龙头客户处于认证阶段。

c) 纳米薄膜技术:2022年以来,公司开发的“N系列膜层、O系列膜层”已成功突破匀气盘洁净度控制难题,通过国内头部客户认证并实现规模化量产,产品洁净度与耐蚀性等关键指标达到国内领先水平。当前该领域工艺框架仍由国际头部厂商主导,公司将不断通过自主创新形成对标国际先进水平的技术体系。随着芯片制造向更先进制程演进,公司的镀膜技术在耐高温、耐腐蚀、洁净度(粒子控制、金属元素污染控制)等方面的优势将进一步放大,为先进半导体装备的国产化配套提供不可替代的工艺支撑。

与此同时,公司在半导体镀金工艺领域实现跨越式发展。经第三方检测与客户实测数据验证,公司镀金产品的附着力、孔隙率等性能指标已达到国内行业第一梯队水平,成功打入头部设备厂商供应链体系。目前产品已通过部分客户严苛的上机测试验证,进入小批量拼产阶段,后续有望凭借一致性优势逐步实现从“多供应商并存”到“单一战略供应商”的升级。这一突破不仅拓展了公司在晶圆制造前道设备的市场份额,更通过“表面处理+贵金属镀层”双技术引擎的协同,构建起覆盖半导体设备全工艺链的表面解决方案能力。

(3)焊接工艺
公司已经具备多种焊接技术能力,其中以“电子束焊接技术”、“激光焊接技术”、“真空钎焊”和“超洁净管路焊接技术”为代表。这些技术主要应用于匀气盘、加热盘、气体管路及内衬等半导体设备精密零部件的制造。具体而言:
a) 电子束焊接技术:该技术能够在真空环境下进行焊接,确保焊接质量及工艺的可控性。

其高能量密度和深熔透能力使其适用于复杂结构的精密焊接,同时减少热影响区,避免变形和裂纹,焊接质量达到国际主流客户标准。

b) 激光焊接技术:该技术具有稳定的焊接质量,能够有效克服铝合金材料激光吸收效率差、易高反的特点,并解决半导体级别铝合金激光自熔易裂的问题,焊接质量符合主流国际客户标准,同时适用于复杂结构的精密焊接。

c) 真空钎焊技术:该技术可实现复杂多层结构零部件的焊接,表明公司在紧凑零部件中焊接密集水道和气道的能力。钎着率高达95%,高于行业标准水平,体现了其在先进制程中的应用优势。

d) 超洁净管路焊接技术:使用该技术后的零件洁净度可达到主流国际客户标准,先进制程产品可实现无颗粒,并确保气体管路内焊缝无氧化。这一技术为半导体设备提供了高质量的气体传输解决方案。

公司能够根据客户零件结构及功能性需求,结合多种焊接模式,为客户提供有效的焊接结构及方案设计,满足客户需求。报告期内,公司南通厂区的“电子束焊接技术”已通过国内头部客户认证,而应用“真空钎焊技术”的匀气盘、加热盘和抛光盘等核心零部件已实现小批量生产,钎着率显著高于行业标准水平。

(4) 气体传输系统集成技术
气体传输系统作为前道晶圆制造的核心环节,其性能直接关系到集成电路制造的工艺水平与生产稳定性。该系统在传输设计、控制精度、耐腐蚀性等方面要求严苛,长期以来核心技术被国际巨头垄断。

报告期内,公司为国内龙头客户新开发70余种气柜设计方案,其中大部分已实现量产。凭借国内领先并达到国际水平的气柜组装技术,这些产品已成功应用于ETCH、ALD、CVD、外延及RTP等关键半导体设备。

公司在2025年3月宣布将联合投资方收购浙江镨芯电子科技部分股权(公告编号:2025-013),通过联合投资人投资浙江错芯股权从而间接持有行业领军企业Compart公司21.58%的股权。

Compart拥有35年气体传输系统研发制造经验,此次战略布局将显著提升公司在关键零部件领域的垂直整合能力,加速构建全球化业务平台,通过上下游产业链协同等方式加强实力壁垒,行业头部效应愈加明显。

国家科学技术奖项获奖情况
□适用√不适用
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
√适用□不适用

认定称号认定年度产品名称
国家级专精特新“小巨人”企业2021年度集成电路装备金属零部件
注:上述认定已于2024年6月到期。

2、报告期内获得的研发成果
1、2024年度技术突破
详见本节“(四) 核心技术与研发进展”之“1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况”。

2、重要奖项

荣誉名称颁奖单位
2024年人工智能赋能新型工业化典型应用案例一行业应 用方向一基于人工智能技术的离散型工艺数字化设计中华人民共和国工业和信息化部
2024年江苏省智能制造示范车间江苏省工业和信息化厅
2023年度辽宁省科技奖-科技技术进步二等奖辽宁省人民政府
注:重要奖项为2024年1月至本报告披露日获得情况,奖项仅包含公司及公司子公司获得的省级以上荣誉3、知识产权相关情况、核心学术期刊论文发表情况
截至报告期末,公司共获得专利授权和软件著作权323项,其中发明专利66项,实用新型专利253项,外观设计专利2项,软件著作权2项。

报告期内获得的知识产权列表

 本年新增 累计数量 
 申请数(个)获得数(个)申请数(个)获得数(个)
发明专利492146766
实用新型专利9070356253
外观设计专利0022
软件著作权0122
其他0000
合计13992827323
3、研发投入情况表
单位:万元

 本年度上年度变化幅度(%)
费用化研发投入22,139.8120,601.637.47
资本化研发投入---
研发投入合计22,139.8120,601.637.47
研发投入总额占营业收入比 例(%)7.289.97减少2.69个百分点
研发投入资本化的比重(%)---
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
□适用√不适用
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
□适用√不适用
4、在研项目情况
√适用□不适用
单位:万元

序号项目名称预计总投 资规模本期投入 金额累计投入 金额进展或阶段性 成果拟达到目标技术水平具体应用前景
1高性能涂层工艺 开发项目20,228.565,734.2912,468.67持续研发1、突破热喷涂与原子层沉积复 合工艺体系,实现腔体、内衬、 匀气盘等半导体设备核心部件 的精密涂层制备,完成半导体 设备关键部件用高致密、高耐 腐蚀、高洁净度氧化钇涂层制 备技术研究及主要攻关指标; 2、完成产品清洗标准制定;3、 开发出高反射镀金工艺,制作 镀金标准工艺制程规范;国内领先可应用于刻蚀、CVD、 ALD、PECVD等关键制 程设备中核心零件
2核心功能部件开 发项目37,851.3110,423.3423,680.30持续研发1、攻克精孔高粗糙度要求、台 阶异形孔精密加工技术、不锈 钢金属高耐腐蚀性技术要求; 标准化操作、刀具管控等工艺 标准开发;设计开发自动化产 线;2、建立设计及制造高精度 气路阀组件的能力,建立测试 能力及平台;3、实现集成电路 化学机械抛光设备中保持环零 部件产品的国产化开发;国内领先可应用于刻蚀、薄膜 沉积、化学机械抛光 等设备。
3精密机械制造工 艺优化项目8,813.312,948.233,321.51持续研发1、打造专线制造模式,提高制 造效率,降低制造成本2、建 立复杂多层结构气盘、热盘类国内领先生产制造领域
      焊接制造能力,实现关键核心 零部件的国产化替代;3、实现 刀具管理数字化建设,先进设 备性能与刀具性能的双高效输 出,降本增效。  
4气体传输系统工 艺技术开发项目4,546.963,033.954,268.55持续研发通过定制开发专属制造设备和 信息化系统实现切割、折弯、 清洗、气柜组装、气柜测试的 自动化生产,实现重点制造工 序的全自动监控,确保信息全 流程可追溯性。国内领先应用于ETCH、CVD、 ALD等关键制程设备 中VCR及IGS类型的 气体传输系统
合计/71,440.1322,139.8143,739.03////
情况说明
不涉及
5、研发人员情况
单位:万元 币种:人民币

基本情况  
 本期数上期数
公司研发人员的数量(人)548480
研发人员数量占公司总人数的比例(%)16.8118.89
研发人员薪酬合计12,971.0910,870.05
研发人员平均薪酬23.6722.65
(未完)
各版头条