[年报]成都华微(688709):成都华微电子科技股份有限公司2024年年度报告
原标题:成都华微:成都华微电子科技股份有限公司2024年年度报告 成都华微电子科技股份有限公司 2024年年度报告 重要提示 一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是 √否 三、 重大风险提示 公司已在本报告中详细说明公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析 四、风险因素”。 四、 公司全体董事出席董事会会议。 五、 大信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、 公司负责人王策、主管会计工作负责人刘永生及会计机构负责人（会计主管人员）刘永生声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经公司第二届董事会第五次会议审议，公司2024年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润。本次利润分配方案如下： 公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币0.20元（含税）。截至2025年3月31日公司总股本636,847,026股，以此计算合计拟派发现金红利人民币12,736,940.52元（含税）。本次公司现金红利金额占公司2024年度合并报表归属于母公司所有者净利润的10.43%，不送红股，不进行资本公积转增股本。如在本报告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。 该利润分配方案尚需经公司2024年年度股东会审议通过后实施。 八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用 √不适用 九、 前瞻性陈述的风险声明 √适用 □不适用 本报告所涉及未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、 其他 □适用 √不适用 目录 第一节 释义....................................................................................................................5 第二节 公司简介和主要财务指标 ...............................................................................6 第三节 管理层讨论与分析 .........................................................................................12 第四节 公司治理 .........................................................................................................42 第五节 环境、社会责任和其他公司治理 .................................................................66 第六节 重要事项 .........................................................................................................75 第七节 股份变动及股东情况 ...................................................................................104 第八节 优先股相关情况 ........................................................................................... 117 第九节 债券相关情况 ............................................................................................... 118 第十节 财务报告 ....................................................................................................... 119
第一节 释义 一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况
二、联系人和联系方式
三、信息披露及备置地点
四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 √适用 □不适用
(二)公司存托凭证简况 □适用 √不适用 五、其他相关资料
六、近三年主要会计数据和财务指标 (一) 主要会计数据 单位：元 币种：人民币
(二) 主要财务指标
报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用 □不适用 归属于上市公司股东的净资产变动的原因：系报告期内公司首次公开发行股票募集资金14.15亿元导致。 总资产变动的原因：系报告期内公司首次公开发行股票募集资金14.15亿元导致。 营业收入变动的原因：系报告期内受国内特种集成电路行业需求波动影响，订单规模同比有所缩减。 归属于上市公司股东的净利润变动的原因：系报告期内收入减少，导致净利润有所下滑。 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润变动的原因：系报告期内公司利润下降。 经营活动产生的现金流量净额变动的原因：系报告期内公司收入规模下降，销售回款减少所致。 基本每股收益变动的原因：系报告期内公司利润下降；同时公司于 2024年2月首次公开发行股票，普通股总数增加所致。 稀释每股收益变动的原因：系报告期内公司利润下降；同时公司于 2024年2月首次公开发行股票，普通股总数增加所致。 扣除非经常性损益后的基本每股收益变动的原因：系报告期内公司利润下降，同时首次公开发行股票普通股股数增加所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用 √不适用 (三) 境内外会计准则差异的说明： □适用 √不适用 八、2024年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
季度数据与已披露定期报告数据差异说明 □适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用 √不适用 十、非企业会计准则财务指标情况 □适用 √不适用 十一、采用公允价值计量的项目 √适用 □不适用 单位：元 币种：人民币
十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 √适用 □不适用 根据《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》及公司相关制度等规定，公司对部分信息豁免披露并已履行相关程序。 第三节 管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 报告期内，面对竞争激烈的市场环境和特种行业周期波动，下游需求不足、部分产品价格下降等因素，公司全体人员凝心聚力、鼓足干劲，推动公司持续稳健发展，实现营业收入60,388.99万元，归属于上市公司股东的净利润12,216.99万元，实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润8,761.70万元。 主要经营举措为以下几个方面： 1.加大研发投入，持续推进产品技术的研发与储备 公司深耕特种集成电路领域，建立了完善的研发体系，高度重视对产品及技术的研发投入，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术成果，拥有多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等，整体技术储备位于特种集成电路设计行业第一梯队，核心产品CPLD/FPGA、高速高精度ADC以及高精度ADC处于国内领先地位。目前公司已形成逻辑芯片、模拟芯片、存储芯片、微控制器等多系列集成电路产品，具备为客户提供集成电路综合解决方案的能力。 2.全面深耕行业，深入开拓市场与客户资源 公司大力加强营销网络的建设，建立了具备丰富专业背景的技术支持团队，可以协助客户进行产品的技术验证及应用支持，并与研发部门协同合作深入了解客户需求，进而推动公司的新产品及技术研发。经过多年的市场验证，公司的产品已得到国内特种集成电路行业下游主流厂商的认可。 3.积极引入人才，打造核心竞争力 公司深刻意识到研发人员是公司持续创新的第一生产力，不断优化人才福利待遇，结合自身所处阶段和行业特点，制定了具有竞争力的薪酬体系，辅以完善的内部人才选拔及晋升机制，充分调动员工的积极性和创造性。同时，公司不断加大对后备人才的培养和投入，与电子科技大学、西安电子科技大学等高等院校建立了良好的合作与交流，以进一步增强企业的后备技术力量。 4.强化公司治理，提高经营抗风险能力 公司以业务活动为抓手，对采购、销售、工程项目等事项进行全面梳理，按照相互制约、相互监督，同时兼顾运营效率的原则，全面优化业务流程和审批权限，建立健全规章制度，建立了较为完善的内控合规制度，提升了公司防范经营风险的能力，为公司持续健康发展提供坚实基础。 非企业会计准则业绩变动情况分析及展望 □适用 √不适用 二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明 (一) 主要业务、主要产品或服务情况 成都华微主要从事特种集成电路的研发、生产、检测、销售和服务，公司产品涵盖数字集成电路产品和模拟集成电路产品，其中数字集成电路包含了可编程逻辑器件（FPGA/CPLD/SoPC/RF-FPGA）、MCU/SoC/SIP系统级芯片、存储器等，模拟集成电路包含了模数/数模转换器（AD/DA）芯片、接口和驱动电路、电源管理等，同时为客户提供 ASIC/SoC系统芯片级解决方案。产品广泛应用于尖端技术领域，作为特种集成电路配套骨干企业，产品得到行业用户的高度认可。 1、数字集成电路产品 （1）逻辑芯片 公司的逻辑芯片类产品以可编程逻辑器件为代表，主要包括CPLD（复杂逻辑可编程器件）、FPGA（现场可编程门阵列），SOPC（全可编程片上系统芯片）以及RF-FPGA（集成高速ADC/DAC的射频直采FPGA），具有用户可编程的特性。公司已形成完善的可编程逻辑器件产品体系，并配套全流程自主开发工具，相关产品具有非易失、小型化、高安全性等特点。目前，公司的主要产品具体情况如下：
公司专注于NORFlash及EEPROM存储器的研制，在环境适应性等方面具有显著优势。公司NORFlash存储器既可用于FPGA配置存储器，提供完整的可编程解决方案，亦可独立用于数据存储场景，已形成大、中、小容量三个系列产品，覆盖 512Kbit-1Gbit等容量类型，所有产品已进入批量供货阶段。最新研制的2Gbit大容量产品已进入测试验证阶段。 目前，公司的主要产品具体情况如下：
公司专注于特种集成电路领域全系列MCU产品的研制，覆盖低功耗MCU、通用MCU和高性能MCU，主推产品HWD32F1系列、HWD32F4系列和HWD32F7系列均已实现批量供货。基于RISC-V内核的低功耗MCU产品目前已完成流片，正在进行产品推广和客户试用。公司自主研发的32位高速高可靠MCU HWD32H743，基于32为精简指令集内核，运行频率高达400MHz，提供强大双精度浮点数字信号处理能力，拥有高达2MB的Flash和512KB SRAM，在工业控制、电机控制、AIOT、机器人和智能设备等领域具有广泛应用潜力。 （4）智能异构系统（SoC）芯片 智能异构系统（SoC）芯片融合了CPU、GPU、NPU以及eFPGA等核心IP，实现异构多核协同处理，形成高效处理标量、矢量和张量等多种计算的灵活高能效比计算平台。最新研制的 HWD109XX系列和 HWD090XX产品，已集成高性能 CPU、AI加速单元NPU、eFPGA等组件相关产品已进入样品用户试用验证阶段。 2、模拟集成电路产品 （1）数据转换芯片 公司瞄准国际先进水平，坚持自主正向的发展路线，针对高速ADC/DAC高集成度、大带宽、高线性度、低误码率、低功耗的产品发展趋势，以及高精度ADC/DAC超高线性度、超高温度漂移偏差等要求，形成了覆盖分辨率8～12位、采样率8～128GSPS的高速ADC/DAC谱系化产品，采样精度16位及以上的高精度ADC，12～14位的高速高精度ADC， 12～14位高精度DAC产品，部分产品达到国际先进水平，填补国内空白。 为卫星通信、雷达探测、电子对抗、高端仪器仪表、工业测量、能源勘探、自动化、地震监测、数据采集系统等领域提供国内解决方案。具体情况如下：
公司专注于末级电源管理芯片的研制，主要产品包括线性电源 LDO和开关电源DC-DC等。其中LDO为低压差线性稳压器，用于实现低压差场景下的降压转换，具有低噪声、纹波小、高精度等特征；而DC-DC可以实现降压、升压、升降压转换等多种功能，电压及电流适用范围更广，能够实现高转换效率。目前，公司已推出多款大电流快速瞬态响应 LDO产品，输出电流能力全面覆盖 1A至 5A等多种规格，超低噪声LDO输出噪声指标达到1.5μVrms；DC-DC已形成最高输入电压6V-28V的系列化产品，输出负载电流最高可达16A。 目前，公司的主要产品具体情况如下：
公司产品覆盖了主流串行通讯协议以及并行通讯电平转换类接口，广泛应用于系统间信号传输等领域。目前，公司的主要产品具体情况如下：
3、集成电路检测服务 公司建立了特种集成电路检测中心，拥有综合性的公共可靠性型服务平台，专注于集成电路及分立元器件测试、可靠性试验及失效分析。检测中心拥有600余台（套）大规模集成电路测试系统、可靠性环境试验、失效分析仪器以及各类高精度仪器仪表设备，能涵盖GJB597、GJB7400、GJB2438、SJ/T20668、GJB548、GJB360、GJB128等标准的要求和试验方法，具有大规模集成电路测试开发、试验验证、失效分析和批量筛选的能力，通过CNAS和DiLAC资质认证。 检测中心已熟练掌握多种复杂集成电路和分立元器件的测试技术。其中包括超大规模可编程逻辑器件（FPGA/CPLD/SoPC）、高速高精度转换器（AD/DA）、MCU/SoC/SIP系统级芯片、存储器、接口电路、驱动电路、电源管理、运算放大器、射频器件等集成电路，以及电阻、电容、电感、二极管、三极管、MOSFET、IGBT等分立元器件。无论是复杂的集成电路，还是各类分立元器件，都能提供精准、高效的检测服务。 (二) 主要经营模式 1. 业务模式概述 公司采用Fabless模式，主要负责芯片的研发、设计与销售，晶圆加工与封装由专业的外协厂商完成。同时，由于公司产品应用于特种领域，下游客户对产品的可靠性要求较高，因此公司建立了特种集成电路检测中心，测试环节亦主要由公司自行完成。 2. 研发模式 作为一家专业的Fabless集成电路设计公司，产品的研发与设计是公司赖以生存的核心竞争力。公司高度重视产品的设计与研发环节，在设计与研发方面制定了《科研任务管理制度》《科研进度管理制度》《质量评审管理制度》等完备的研发制度；设立了科学技术委员会，负责牵头公司技术发展战略及重点科研技术研究工作，指导科研项目技术方案论证、关键技术攻关，参与解决技术疑难问题，开展技术合作等对外交流工作；同时设有可编程研发中心、SoC研发中心、转换器前沿技术研发中心、电源管理研发中心、总线接口研发中心等部门，具体负责公司相应产品的规划、研发推进、产品设计等工作，建立了完善的研发体系。 公司研发项目类型主要分为国拨研发项目及自筹研发项目两大类。国拨研发项目系公司承接国家相关主管部门研发项目，通过招投标等方式竞标取得相应项目的研发资格后，委托单位向公司提供研发资金并由公司开展研发工作，研发完成后需由相应委托单位验收成果。公司作为承研方享有技术成果专利的申请权、持有权和非专利成果的使用权，而委托方可取得该项专利和成果的普遍实施许可。自筹研发项目系公司根据市场、客户需求及自身发展规划等方面的研发需求，通过立项等内部程序后，通过自有资金开展的研发项目。 3. 采购与生产模式 公司将晶圆加工与封装交由专业的外协厂商完成，产品设计和测试环节主要由公司自行完成。因此，公司主要采购内容为晶圆及管壳等材料，封装及测试等外协加工服务，主要生产内容为集成电路的测试。根据质量管理体系的要求，公司制定了包括《供应商管理制度》《采购管理制度》《物资招标采购管理办法》等制度，有效管理采购过程中的各个环节。 4. 销售模式 公司主要采用直销模式，设置了市场总部，并下设若干销售片区，全面覆盖国内下游主流特种集成电路产品应用客户。 (三) 所处行业情况 1、 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 （1）行业发展阶段 近年来，随着国内新质生产力、数字经济的不断发展和全球人工智能浪潮下大模型和算力的迭代升级，集成电路的应用领域及市场规模均实现了高速扩张，逐渐成为全球经济的核心支柱产业之一。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）统计，集成电路的市场规模在2023年达到5,740亿美元，其中亚太地区占据60%～70%，是全球最大的市场板块。其中，中国作为全球最大的电子产品制造和消费体，推动了亚太地区在全球市场的主导地位。 基于不同应用领域对于产品环境适应性及质量可靠性等性能指标的需求，集成电路产品按质量等级划分，通常可分为消费级、工业级（含车规级）以及特种级，其中消费级指消费电子及家用电器等应用场景，工业级指工业控制及汽车电子等应用场景，特种级指特种领域装备的各类应用场景。随着特种电子行业国产化水平的不断提升以及各类先进技术的不断实现，特种集成电路作为电子行业重要组成部分以及功能实现的重要载体，同样有着广阔的市场前景。 （2）行业基本特点、主要技术门槛 由于整体行业的最终应用场景及环境特征相较于其他领域更为复杂，特种集成电路对产品的性能要求更高、可靠性要求更为严格，因此在设计理念及核心技术、生产加工环节、市场准入资质等方面相较于其他领域具有显著的区别。 产品性能及可靠性需求不同。由于特种集成电路的实际应用环境特殊且复杂，对于芯片的安全性、可靠性、低功耗以及部分特殊性能（如抗震、耐腐蚀、耐极端气温、防静电）的要求相对较高，同时还需要具备较长的寿命周期。 产品设计理念及核心技术不同。特种集成电路由于需要高可靠性及安全性，因此设计需要根据不同的产品及应用环境选择合理的工艺制程。先进的工艺制程通常具有更小的晶体管尺寸，进而带来芯片性能的提升以及面积的减小，但同时会降低电路的稳定性。由于特种集成电路应用领域多为大型装备，高可靠性相较于单纯的面积缩减更加重要，因此在芯片功能设计、性能优化的同时，更需要保障产品的可靠性。 产品生产环节不同。流片方面，特种集成电路产品由于对产品性能需求的不同，一般无法直接采用通用的标准单元库，在与工艺厂保持充分的沟通后由特种集成电路设计厂商自行设计并提供，以保障产品对稳定性和可靠性的需求。封装方面，特种集成电路应用场景可能会涉及高低温、强电磁干扰、强振动、冲击、水汽、高盐雾浓度、高气密性要求等各类复杂工况条件，因此一般采用陶瓷封装或者高等级的塑料封装，必要时需安装散热板以满足芯片对特定工况条件的高可靠性需求。测试方面，特种集成电路为了保证预定用途所要求的质量和高可靠性需求，所有芯片产品必须经过各种严格的环境试验、机械试验、电学实验等测试程序，包括各类功能和性能的电测试，以及针对不同鉴定检验标准的环境与可靠性试验，相较于普通工业及消费级芯片测试项目多且周期长。 市场准入资质不同。特种集成电路市场相对特殊，参与竞争存在一定的准入门槛，需要在保密体制、质量管理体系、研制许可等多方面取得相应的认证资质，并且需要进行定期的检查以及复审，对于公司的日常管理要求较高，市场准入具有一定的壁垒，竞争成本相对较高。 2、 公司所处的行业地位分析及其变化情况 公司作为国家“909”工程集成电路设计公司和国家首批认证的集成电路设计企业，连续承接国家“十一五”、“十二五”、“十三五”FPGA国家科技重大专项，“十三五”高速高精度ADC国家科技重大专项、高速高精度ADC国家重点研发计划，智能异构可编程SoC国家重点研发计划，是国内少数几家同时承接数字和模拟集成电路国家重大专项的企业。 公司产品覆盖可编程逻辑器件（CPLD/FPGA）、数据转换（ADC/DAC）、存储芯片、总线接口、电源管理、微控制器等多系列集成电路产品，具备为客户提供集成电路综合解决方案的能力。公司建立了特种集成电路检测线，拥有中国合格评定国家认可委员会 CNAS认证的国家级检测中心，具有较为完备的集成电路成品测试能力。经过多年的市场验证，公司的产品已得到国内特种集成电路行业下游主流厂商的认可，核心产品CPLD/FPGA、高速高精度ADC以及高精度ADC处于国内领先地位。 3、 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势 （1） 技术迭代推动高性能产品的不断发展 随着5G/6G通信、人工智能、边缘计算等新兴技术的应用，特别是特种领域愈发复杂的应用场景下对于信息准确采集及处理具有高可靠性的要求，大规模数据的快速准确获取、计算和存储能力成为集成电路产品设计的重要考虑因素之一。同时，考虑到信息处理的复杂程度、信息传输的时效性要求以及电路集成化的发展趋势，不同电子元器件间信号的高速传输、转换以及整体适配亦成为重点发展方向之一。 集成电路技术的迭代发展为高性能产品奠定了良好的技术基础。根据“摩尔定律”，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。因此，长期以来“摩尔定律”一直引领集成电路技术的发展与进步，集成电路的整体性能随着先进制程的迭代大幅提升。 在FPGA领域，随着先进制程迭代的推动，产品架构不断更新。本世纪初，Xilinx和Intel（Altera）等公司产品的计算规模仅为数十万逻辑单元。2011年Xilinx发布了基于28nm工艺的产品，逻辑单元达到了七千万门级，2018年Xilinx发布了基于7nmFinFET工艺的新一代产品，逻辑单元已达十亿门级水平。在制程工艺的不断迭代中，FPGA提高算力的同时降低了功耗，减小了芯片面积，推动了芯片整体性能的提升。 在高速高精度ADC领域，伴随先进工艺制程的更新迭代，产品在转换速率、信号带宽和功耗等方面得到快速的提升，应用领域也不断扩大。本世纪初，ADI和TI等知名公司大多数的高速ADC产品，转换速率尚为数十MSPS左右，仅能处理支持GSM的2G基站的信号。而2019年ADI最新发布的基于28nm工艺的高速ADC产品，性能指标已经达到12位10GSPS，转换速率和信号带宽处理能力都有较大提升，并且已经具备5G毫米波频段的信号处理能力。 （2） 系统级设计及封装成为技术发展的新趋势 在2015年以后，集成电路制程的发展进入了瓶颈，7nm以下制程的量产进度均落后于预期。 此外，随着器件尺寸不断减小，技术瓶颈开始显著制约工艺发展，对于整体成本和性能的提升效果亦不断削弱。集成电路行业进入了“后摩尔时代”，物理效应、功耗和经济效益成为了集成电路工艺发展瓶颈，单纯依靠制程的提升而实现性能提升已经难以实现，集成化成为了集成电路重要的技术发展趋势。 系统级芯片设计（SoC）是在一颗芯片内部集成功能不同的集成电路子模块，组合成适用于目标应用场景的一整套系统，是借助结构优化和工艺微缩等方式，采用新的器件结构和布局，进而实现不同功能的电子元件按设计组合集成。系统级芯片封装（SiP）是将不同功能的芯片和元件组装拼接在一起进行封装，封装技术的先进性将极大影响相关电路功能的实现，具有设计难度低、制造便捷和成本低等优势，使得芯片发展从一味追求高性能及低功耗转向更加务实的满足市场需求。 采用系统级芯片设计或封装，可以进一步高效地实现相关电路的高度集成化，有效地降低电子信息系统产品的开发成本，缩短开发周期，进一步实现性能、功耗、稳定性、工艺难度几方面影响因素的平衡，进一步提高产品竞争力，已经成为当前业界主要的产品开发理念和方向，在特种集成电路领域亦有广泛应用。 目前，国际主流 FPGA芯片公司逐渐形成了在 FPGA芯片中加入处理器的技术路线，并形成了可编程系统级芯片的新产品路线。国内同行业公司也在系统级芯片的设计方面进行了布局，如具备现场可编程功能的高性能系统集成产品（SoPC），以现场可编程技术与系统集成芯片相结合，内嵌处理器、可编程模块、高速接口及多种应用类IP等丰富资源；可编程器件（PSoC）产品，采用28nm工艺制程，内嵌大容量自有eFPGA模块，并配置有APU和多个AI加速引擎。 (四) 核心技术与研发进展 1、 核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司多年来深耕数字与模拟集成电路领域，形成了一系列核心技术成果，包括自主创新FPGA架构设计和工艺适配技术、高速低功耗FPGA设计技术、FPGA的高效验证技术、集成CPU和FPGA的全可编程片上系统芯片技术（SOPC）、集成高速ADC/DAC的射频直采FPGA技术（RF-FPGA）、非易失可编程逻辑器件架构设计及存储器共享技术、大容量NorFlash芯片架构设计技术、MCU性能提升设计技术、MCU低功耗设计技术、高精度ADC线性度提高技术、超高精度Sigma-Delta ADC设计技术、多通道时间交织 Pipeline型的低功耗、高速高精度ADC设计技术、百通道时间交织超高速ADC设计技术、高压高精度DAC设计技术等。 （1）逻辑芯片 公司基于自主架构进行可编程逻辑器件产品的设计与开发，并针对相关工艺完成适配设计，通过自主布局布线算法设计提升产品的等效逻辑单元规模以及路由速度，进一步实现快速输出响应；借助差异化阈值设置等方法，将高速工作中的 FPGA功耗保持在某一特定功耗阈值之下，进而实现低功耗特性，最大程度提升了相关产品的性能以及可靠性。在公司承接的国家科技重大项目中，相应核心技术得到了广泛的应用，工艺技术实现了由0.13um至28nm的制程突破，产品规模区间涵盖百万门级至千万门级，奇衍系列产品最高规模达7,000万门级水平，并配套全流程自主开发工具，相关产品设计实现了自主安全并达到国内领先水平。此外，公司自主开发了统一化验证平台UniformTestbench，可实现电子系统级设计、模块验证、集成验证、软硬件协同验证、数模混合验证、低功耗验证、FPGA验证、时序仿真等综合验证需求，亦可高效支撑100亿集成度的超大规模FPGA验证，进一步提升了公司的整体设计验证水平和效率，以上技术均可支撑基于FinFET工艺的2.5亿门级FPGA研制工作。针对非易失可编程逻辑器件架构设计，公司采用“内嵌 FlashIP+配置SRAM”架构，可实现器件上电后自动加载内部配置数据，无需片外加载。该技术使可编程逻辑器件的上电方便快捷，降低了数据读取过程中的整体功耗水平，避免板级数据读取过程中可能导致的窃取风险，保障了存储数据的安全可靠，降低了板级设计的复杂度和成本。 （2）存储芯片 基于先进的 NorFlash存储芯片设计技术，公司通过优化存储单元布局、提升电荷泵驱动能力、提高灵敏放大器精度等技术途径，解决了单颗存储容量增大带来的性能、可靠性及功耗问题；同时基于先进堆叠封装技术，采用垂直封装形式，将多片裸芯实现统一封装，借助布局优化设计控制裸芯间的走线长度，进一步提升了封装密度，节省了硬件单板组装空间，进一步提升传输信号的完整性，实现存储芯片容量的提升。 目前，公司研制的单颗容量达1Gbit的产品已进入批量供货阶段，在研2Gbit的大容量NORFlash存储器已进入测试验证阶段。 （3）微控制器芯片 公司通过优化内核及总线架构，提高系统的总线频率和性能，加之片内集成大容量存储单元，可实现芯片工作主频提升至最高480MHz，进一步提升具体指令的执行效率。此外，采用大小双核搭配的架构，大核可运行运算密集型程序，小核运行控制密集型和需要快速中断响应类程序，可实现最优能效比；借助咬尾中断技术可充分缩短中断请求连续出现的处理周期，并为数百个中断源提供专门入口并赋予单独优先级，进一步提升整体的运算效率。 此外，通过系统级功耗管理，通过动态电压频率调整、时钟及电源门控等方式，可以实现在非核心路径通过选取高阈值电路单元，自动实现电路结构重构，可进一步降低相关电路的工作模式及静默模式功耗水平。 （4）智能异构系统芯片 公司通过优化智能异构芯片（SoC）的总线架构，提升总线频率和性能。通过提升DDR，PCIE接口性能进而提升数据吞吐率。采用先进工艺制程，提升CPU，AI加速单元的工作频率，提升了智能异构相关产品的 AI算力。芯片内采用系统级功耗管理，通过动态电压频率调整、时钟及电源门控等方式，提高智能异构芯片能效。 公司积极开展相关基础研究和算法验证工作，已初步具备智能异构芯片设计、验证、测试、软件、算法等全流程和全系统的技术能力。在AI工具链、AI模型、AI视觉识别应用方面取得进展。 （5）数据转换芯片 ①高速数据转换芯片 公司持续以市场为导向，以纵向项目为牵引，以正向创新设计为手段，不断完善高速数据转换芯片产品谱系，满足用户从天线到数字基带全信号链收发两侧芯片的需求，实现高速转换器领域全谱系产品覆盖，同时进一步突破采样速率、带宽、线性度等核心指标，达到国际水平。 在产品谱系方面，正在瞄准高速转换器高集成度、多通道数、高采样速率、大带宽的发展趋势，进行产品谱系布局,开展分辨率8~14位、采样率65MSPS~160GSPS、通道数最高支持 8通道的高速 ADC/DAC全谱系产品研发。数字前后台校正算法技术方面，采用通道间数字算法校正和通道内模拟电路的非理想因素数字校正，显著提高ADC的整体性能和可靠性。随着技术的发展，超高速高精度ADC的应用有效提高了通信系统的数据传输速率和信号质量。多通道高精度ADC/DAC，提升通道间隔离度设计，在小尺寸封装下，有效提升通道数量。射频收发机关键技术方面，结合公司数字、模拟设计能力，针对通信感知、无人机、5G/6G通信基站、雷达系统等不同场景对收发一体机芯片的应用需求，研究支持2T2R/最大带宽56MHz、2T2R/最大带宽200MHz、4T4R/最大带宽200MHz、8T8R/最大带宽400MHz的系列transceiver芯片，解决芯片设计中宽带模拟、数字设计，TDD/FDD蜂窝系统设计等难题。开展芯片多功能集成化设计，在数字信号抗混叠、多采样率处理、接收通道自动增益控制、发射通道闭环增益控制、宽带QEC校正、直流失调校正等进行研究。 ②高精度数据转换芯片 公司通过转换过程中电容权重比例的动态分配，在测量精度方面可实现14-31位分辨率水平，并最大限度实现非线性噪声的线性化处理，为后续线性噪声的深度处理建立良好基础，进而提升数模转换器的动态测量精度，满足高精度参数要求；借助调制解调的手段，可进一步调整其频率等频谱特征并迁移至有效输入信号频谱之外，在测量精度方面可实现24-31位的超高分辨率，相关设计成果达到了国内领先水平。 在采样精度及功耗方面，无需余量放大的特性以及数字校准方法的引入，使得子ADC在相同单位量化周期下可实现更高的转换精度，可以满足高精度采样的需求；仿真技术的应用进一步提升了产品的抗静电释放能力，并在信号高频传输的过程中进行补偿，降低因高频传输导致的信号幅度衰减等问题；采用SAR作为第一级流水线子ADC的粗量化器，则有效降低了产品所需核心器件数量，在单体动态及静态功耗上相较于其他粗量化器均显著下降。 在高精度DAC方面，公司基于自适应电平控制技术以及相关增益校准技术，可实现输入及输出信号电特性动态调整，最终实现DAC宽耐受工作电压范围及实际采样精度的提升，产品的供电范围可达±15V，输出电压范围可达±10V。 （6）电源管理 在快速瞬态响应LDO方面，公司产品可实现更大输出电流和更好的负载瞬态响应，采用 AB类前馈输出驱动架构，实现低静态电流大负载快速瞬态响应，具有内部掉电复位，PG功能，实时对输出电压进行监控，具有过流保护、欠压保护、温度保护功能，快速瞬态响应性能在 FPGA、CPLD等器件工作电流突变过程中，输出电压变化较小，恢复较快，有助于保障整个电子系统运行的稳定性。 在超低噪声 LDO方面，公司产品可进一步控制基准电压的温度特性和精度水平，提高宽频带范围电源抑制比，电源抑制比达 90dB以上，采用独特的末级单位反馈架构，有效降低反馈电阻输出的噪声，输出电压噪声最低至1.6μVrms，可以进一步提高信号链产品供电的信号传输质量，在高速时钟和频率源供电领域具有广泛的应用。 在DC-DC转换器方面，公司产品可实现不同输入电压范围等场景下的直流电压变换，目前已形成最高输入电压3V-100V的系列化产品，输出负载电流最高可达36A，同时内部集成了过温、过流、过载、输出短路等各种保护，具有较强的抗扰性和可靠性。 在高压驱动器方面，公司产品可实现600V高压驱动，目前600V高压驱动产品已经完成系列化设计开发，同时内部集成了过温、过流、输出短路等各种保护，主要用于储能、光伏逆变等应用领域。 （7）总线接口 公司总线接口类产品在静电释放发生时具有较强的放电能力，进一步提升了运行的可靠性，目前已具备多电源域全芯片ESD保护设计、测试、失效分析能力以及设计规则编写能力，产品适应不同电特性要求，包括高维持电压、低触发电压等不同场景要求，最高可保护ESD水平达±15KV。 国家科学技术奖项获奖情况 □适用 √不适用 国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 □适用 √不适用 2、 报告期内获得的研发成果 报告期内，公司在推进集成电路自主研制的过程中抓重点、攻难点。公司在主营业务方向上新申请发明专利31件，集成电路布图设计28件，软件著作权11件；新获批授权发明专利9件，集成电路布图31件，软件著作权11件。 报告期内获得的知识产权列表
3、 研发投入情况表 单位：万元
研发投入总额较上年发生重大变化的原因 □适用 √不适用 研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 □适用 √不适用 4、 在研项目情况 √适用 □不适用 单位：万元
情况说明 报告期内，公司调整内部部分项目类别。 5、 研发人员情况 单位：万元 币种：人民币
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