[中报]拓荆科技(688072):2025年半年度报告

 时间：2025年08月26日 14:21:25 中财网

原标题:拓荆科技:2025年半年度报告

公司代码：688072 公司简称：拓荆科技 拓荆科技股份有限公司 2025年半年度报告重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。

三、公司全体董事出席董事会会议。

四、本半年度报告未经审计。

五、公司负责人刘静、主管会计工作负责人杨小强及会计机构负责人（会计主管人员）杨小强声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。

九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否
十二、其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义..........................................................................................................................................3
第二节 公司简介和主要财务指标......................................................................................................7
第三节 管理层讨论与分析................................................................................................................11
第四节 公司治理、环境和社会........................................................................................................53
第五节 重要事项................................................................................................................................55
第六节 股份变动及股东情况............................................................................................................86
第七节 债券相关情况........................................................................................................................93
第八节 财务报告................................................................................................................................94

备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人 员）签名并盖章的财务报表。
　报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：

常用词语释义　　
报告期、报告期内指2025年1月1日至2025年6月30日
本报告期末、报告期末指2025年6月30日
公司、本公司、拓荆科技指拓荆科技股份有限公司（含合并报表范围内的下属公司）
股东大会指拓荆科技股份有限公司股东大会
董事会指拓荆科技股份有限公司董事会
监事会指拓荆科技股份有限公司监事会
中国证监会指中国证券监督管理委员会
上交所指上海证券交易所
元、万元、亿元指人民币元、人民币万元、人民币亿元
《公司法》指《中华人民共和国公司法》
《证券法》指《中华人民共和国证券法》
《上市规则》指《上海证券交易所科创板股票上市规则》
《公司章程》指《拓荆科技股份有限公司章程》
拓荆创益指拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，系公司全资子公司
拓荆上海指拓荆科技（上海）有限公司，系公司全资子公司
拓荆北京指拓荆科技（北京）有限公司，系公司全资子公司
岩泉科技指上海岩泉科技有限公司，系公司全资子公司
拓荆键科指拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司，系公司控股子公司
拓荆青岛指拓荆科技（青岛）有限公司，系公司控股子公司
A公司指系公司控股子公司
拓荆美国指Piotech(USA)Inc.，系公司全资子公司
拓荆日本指PiotechTokyo株式会社，系公司全资子公司
拓荆国际指PiotechInternationalCorporation，系公司全资子公司
拓荆全球指PIOTECHGLOBALPTE.LTD.，系公司全资孙公司
上海岩池指上海岩池半导体技术合伙企业（有限合伙），系岩泉科技作 为执行事务合伙人发起设立的合伙企业
道禾拓荆芯链指上海道禾拓荆芯链私募基金合伙企业（有限合伙），系上海 道禾长期投资管理有限公司作为执行事务合伙人、上海岩池
　　作为普通合伙人、岩泉科技及上海道禾产芯私募投资基金合 伙企业（有限合伙）作为有限合伙人发起设立的合伙企业
国家集成电路基金指国家集成电路产业投资基金股份有限公司
国投上海指国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）
中微公司指中微半导体设备（上海）股份有限公司
润扬嘉禾指青岛润扬嘉禾投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫和指共青城芯鑫和投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫全指共青城芯鑫全投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫龙指共青城芯鑫龙投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫成指共青城芯鑫成投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫旺指共青城芯鑫旺投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫盛指共青城芯鑫盛投资合伙企业（有限合伙）
芯鑫阳指共青城芯鑫阳投资合伙企业（有限合伙）
沈阳盛腾指沈阳盛腾投资管理中心（有限合伙）
沈阳盛旺指沈阳盛旺投资管理中心（有限合伙）
沈阳盛全指沈阳盛全投资管理中心（有限合伙）
沈阳盛龙指沈阳盛龙投资管理中心（有限合伙）
姜谦及其一致行动人指姜谦、吕光泉、刘忆军、凌复华、吴飚、周仁、张先智、张 孝勇等8名直接持有公司股份的自然人，以及芯鑫和、芯鑫 全、芯鑫龙、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫阳、沈阳盛腾、 沈阳盛旺、沈阳盛全、沈阳盛龙11个公司员工持股平台。姜 谦与其一致行动人已于2025年5月30日解除一致行动关系， 其中11个公司员工持股平台仍构成一致行动关系
富创精密指沈阳富创精密设备股份有限公司
奕斯伟指西安奕斯伟材料科技股份有限公司
SEMI指SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational，国际半 导体设备与材料协会
薄膜沉积指半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜 可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧 化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的 前段工序FEOL（制作晶体管等部件）和后段布线工序BEOL （将在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电 路）均有多处应用
晶圆指在氧化/扩散、光刻、薄膜生长、刻蚀、离子注入、清洗与抛 光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片
晶圆制造、芯片制造指通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片 的过程，一般分为前道晶圆制造和后道封装测试
晶圆厂指通过一系列特定的加工工艺，在硅片上加工制造半导体器件
　　的生产厂商
机台指半导体行业对生产设备的统称
Demo机台指公司销售活动中，部分客户要求预先验证公司生产的机台， 待工艺验证通过后转为正式销售。Demo机台通常是新工艺、 新机型的首台设备
Demo订单指针对Demo机台签订的验证订单
封装指在半导体制造的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在 支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电 路板的工艺
先进封装指处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结 构封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、硅通孔 技术（TSV）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封 装范畴
CVD指ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积，是指化学气体或 蒸汽在基底表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体 工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范 围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料
PECVD指PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强 化学气相沉积
UVCure指紫外固化，是辐射固化的一种,利用紫外线UV产生辐射聚合、 辐射交联等作用，可以有效改善薄膜的物理性能和化学性能
ALD指AtomicLayerDeposition，原子层沉积
PE-ALD指PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，等离子体增强原 子层沉积
Thermal-ALD指ThermalAtomicLayerDeposition，热处理原子层沉积
SACVD指Sub-atmosphericPressureChemicalVaporDeposition，次常压 化学气相沉积
HDPCVD指HighDensityPlasmaChemicalVaporDeposition，高密度等离 子体化学气相沉积
FlowableCVD指FlowableChemicalVaporDeposition，流动性化学气相沉积
键合指主要指将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材 料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范 德华力、分子力甚至原子力使两片半导体材料成为一体的技 术
熔融键合指是两个平衬底自然连接的键合技术。其特点是抛光片在清洗 后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，等离子体预 处理使得衬底能够在室温下接合
混合键合指指金属键合（业界主流为铜-铜键合）与熔融键合混合进行的 键合方法。混合键合是一种扩展的熔融键合，主要应用于先 进逻辑芯片、存储芯片和图像处理器芯片的三维堆叠
晶圆对晶圆键合指一种通过物理或化学方法将两片完整晶圆永久结合，实现多 层堆叠集成的工艺技术，主要应用于三维存储芯片和背照式 图像传感器制造等领域
芯片对晶圆键合指一种以直接键合与金属互连协同作用为核心，通过百纳米级 对准精度将单颗芯片与目标晶圆实现异质集成的工艺技术， 主要应用于高带宽存储芯片（HBM）与Chiplet异构架构的
　　芯片级三维集成
EFEM指EquipmentFront-EndModule，一种晶圆传输系统，可用于制 造设备与晶圆产线的晶圆传输模块
介质指电介质，亦称绝缘体，是一种不导电的物质
通用介质薄膜指在集成电路制造过程中使用的SiO、SiN、SiON等介质薄膜 2
SiO 2指硅与氧的化合物二氧化硅，可以作为一种电介质
SiN指氮化硅，可以用作芯片制造中的阻挡层、钝化层
TEOS指TetraethylOrthosilicate，正硅酸乙酯，可作为SiO2薄膜的反 应源
SiON指SiliconOxynitride，即氮氧化硅，主要用于光刻过程中的消光 作用，提高曝光效果
SiOC指N-FREE DARC（ Nitrogen-free Dielectric Anti-reflective Coating），即无氮元素的介电抗反射涂层，主要用于光刻过 程中的消光作用，提高曝光效果，避免光刻胶中毒
FSG指FluorinatedSilicateGlass，即掺杂氟的氧化硅，做为层间介质 层，可以降低介质层的介电常数，减少寄生电容
PSG指Phospho-silicateGlass，即掺杂磷的二氧化硅，可用于金属布 线层间的绝缘层、回流介质层和表面钝化保护层
BPSG指Boro-phospho-silicateGlass，即掺杂了硼和磷的二氧化硅
SATEOS指采用SACVD沉积的TEOS薄膜材料
SAF指高深宽比氧化硅薄膜工艺
先进介质薄膜指在集成电路制造过程中沉积的LoK-I、LoK-II、ADC-I、 ACHM、α-Si等介质薄膜材料
LoK-I指掺碳氧化硅薄膜，是低介电常数薄膜，主要应用于集成电路 芯片后段互连层间介导层，通过低介电常数，降低电路的漏 电电流，降低导线之间的电容效应，提高芯片性能
LoK-II指超低介电常数薄膜，为LoK-I的下一代新型介质薄膜，通过 相对于LoK-I更低的超低介电常数，降低电路的漏电电流， 降低导线之间的电容效应，提高芯片性能
ACHM指AmorphousCabonHardMask，非晶碳硬掩模，该薄膜能够提 供良好的刻蚀选择性
ADC-I指NitrogenDopedCarbide，先进掺氮碳化硅薄膜，主要应用于 扩散阻挡层及刻蚀阻挡层，由于较低的介电常数，可以降低 导线间的电容效率，提升芯片整体的传输性能
ADC-II指OxideDopedCarbide，先进掺氧碳化硅薄膜，主要应用于扩 散阻挡层及刻蚀阻挡层，相较ADC-I可以实现更低的介电常 数，降低导线间的电容效率，提升芯片整体的传输性能
HTN指HighTensileNitride，即高应力氮化硅，主要用于先进技术中 的前道应力记忆层，通过应力记忆减小短沟道效应，增强载 流子迁移率，提高器件速度
α-Si指AmorphousSilicon，非晶硅，主要应用于硬掩模，以实现小 尺寸高深宽比的图形传递
ThickTEOS指微米级TEOS薄膜
Stack指氧化物-氮化物-氧化物-氮化物交替沉积的薄膜工艺
OPN指氧化硅掺杂多晶硅、氮化硅薄膜，主要应用于3DNAND中 作为顶部选择栅极（Topselectorgate）和底部选择栅极（Lower selectorgate），形成存储单元的基本导电通路，能够实现对 特定垂直存储串的精确选择和控制
SiB指BoronDopedAmorphousSilicon，即硼掺杂非晶硅薄膜，具有 高刻蚀选择比的特性，主要应用于存储器中，作为高深宽比 结构的硬掩模
高温SiN指在高温条件下沉积的SiN薄膜，拥有较高的薄膜密度以及宽 泛的应力调整区间，具有更高的刻蚀选择性，主要应用于动 态存储器的硬掩模
AlO 2 3指氧化铝，主要用于芯片制造过程中的阻挡层和硬掩模
AlN指氮化铝，主要应用于芯片制造过程中的隔离层和刻蚀阻挡层
SiCO指SiliconCarbideOxide，含碳氧化物薄膜，主要应用于低介电 隔离层
PF-300T、PF-300TPlus指四边形传片平台，最多搭载3个反应腔，每个反应腔内最多 有2个沉积站，每次可以同时最多处理6片晶圆
PF-300M指由两个四边形传片平台相连接，最多搭载5个反应腔，每个 反应腔内最多有2个沉积站，每次可以同时最多处理10片晶 圆
NF-300H指四边形传片平台，最多搭载3个反应腔，每个反应腔内有6 个沉积站，每次可以同时最多处理18片晶圆
NF-300M指由两个四边形传片平台相连接，可搭载4个反应腔，每个反 应腔内有6个沉积站，每次可以同时最多处理24片晶圆
TS-300指六边形传片平台，最多搭载5个反应腔，每个反应腔内有2 个沉积站，每次可以同时最多处理10片晶圆
TS-300S指六边形传片平台，即TS-300型号平台的缩小版，最多搭载5 个反应腔，每个反应腔内有1个沉积站，每次可以同时最多 处理5片晶圆
VS-300T指五边形传片平台，最多搭载4个反应腔，每个反应腔有2个 沉积站，每次可以同时最多处理8片晶圆
ALE指AtomicLayerEtching，即原子层刻蚀，是一种利用连续自限 性反应去除薄膜材料的技术，可实现超高选择比的各向异性 或各向同性刻蚀，并能最大限度地减少甚至消除刻蚀量对位 置长宽比的依赖
PCT指PatentCooperationTreaty，即专利合作条约
注：本报告中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍五入所致。

第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称拓荆科技股份有限公司
公司的中文简称拓荆科技
公司的外文名称PiotechInc.
公司的外文名称缩写Piotech
公司的法定代表人刘静
公司注册地址辽宁省沈阳市浑南区全运路109-3号（109-3号）14层
公司注册地址的历史变更情况2024年12月31日，公司注册地址由“辽宁省沈阳市浑 南区水家900号”变更为“辽宁省沈阳市浑南区全运路 109-3号（109-3号）14层”。
公司办公地址辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司办公地址的邮政编码110171
公司网址www.piotech.cn
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引无
二、联系人和联系方式

　董事会秘书（信息披露境内代表）证券事务代表
姓名赵曦刘锡婷
联系地址辽宁省沈阳市浑南区水家900号辽宁省沈阳市浑南区水家900号
电话024-24188000-8089024-24188000-8089
传真024-24188000-8080024-24188000-8080
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称中国证券报（www.cs.com.cn）、上海证券报（www.cnstock.com） 证券时报（www.stcn.com）
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点中国辽宁省沈阳市浑南区水家900号公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引无
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用

公司股票简况　　　　
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板拓荆科技688072不适用
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他有关资料
□适用√不适用
六、公司主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位：元 币种：人民币

主要会计数据本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入1,954,146,173.651,266,890,685.6754.25
利润总额81,537,056.02119,120,570.67-31.55
归属于上市公司股东的净利润94,287,965.15129,093,960.35-26.96
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润38,187,705.2519,957,472.6991.35
经营活动产生的现金流量净额1,566,015,443.91-899,812,522.62　
　本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产5,411,946,495.375,280,154,359.392.50
总资产17,553,660,550.0615,314,166,086.8814.62
(二)主要财务指标

主要财务指标本报告期 （1－6月）上年同期本报告期比上年同期 增减(%)
基本每股收益（元／股）0.340.46-26.09
稀释每股收益（元／股）0.330.46-28.26
扣除非经常性损益后的基本每股收益 （元／股）0.140.07100.00
加权平均净资产收益率（%）1.762.77减少1.01个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净资 产收益率（%）0.710.43增加0.28个百分点
研发投入占营业收入的比例（%）17.8724.81减少6.94个百分点
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
1、2025年上半年，公司实现营业收入195,414.62万元，同比增长54.25%，其中第二季度单季营业收入达到124,544.35万元，同比增长56.64%，环比第一季度增长75.74%，呈现加速增长态势。主要原因如下：
产品竞争力持续提升，公司先进制程的验证机台已顺利通过客户认证，逐步进入规模化量产阶段。基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM及PECVDBianca等先进工艺设备，陆续通过客户验收，量产规模不断增加，ALD设备持续扩大量产规模，业务增长强劲。

市场拓展方面，公司持续优化客户结构，在巩固国内龙头晶圆厂合作的同时，成功导入新客户，市场渗透率进一步提升。截至报告期末，合同负债达453,577.43万元，相较2024年年末增长2、2025年上半年，公司实现归属于上市公司股东的净利润9,428.80万元，同比降低26.96%，其中第二季度实现归属于上市公司股东的净利润24,123.99万元，同比增长103.37%，环比第一季度增加38,819.19万元，业绩改善显著，主要原因如下：
1）2025年上半年归属于上市公司股东的净利润同比下降，主要系2025年第一季度归属于上市公司股东的净利润大幅下滑所致，因2025年第一季度确认收入的新产品、新工艺的设备在客户验证过程成本较高，毛利率较低。随着公司新产品验证机台完成技术导入并实现量产突破和持续优化，2025年第二季度毛利率环比大幅改善，呈现稳步回升态势。

2）随着公司运营效率的逐步提升，期间费用率同比下降，规模效应进一步释放利润空间。

3、2025年上半年，公司实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3,818.77万元，同比增长91.35%，主要为本期计入非经常性损益的政府补助同比减少。其中，2025年第二季度扣除非经常性损益的净利润21,843.37万元，同比增长240.42%，环比2025年第一季度增加39,867.97万元，盈利质量实质性提升。

4、2025年上半年，公司经营活动产生的现金流量净额为156,601.54万元，同比增加246,582.80万元，主要系2025年上半年预收货款及销售回款达到437,110.58万元，创历史新高，为公司持续研发投入和产能扩张提供了有力保障。

七、境内外会计准则下会计数据差异
□适用√不适用
八、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注（如适用）
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营 业务密切相关、符合国家政策规定、按照确定 的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府 补助除外47,366,793.27　
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业 务外，非金融企业持有金融资产和金融负债产 生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金 融负债产生的损益7,726,149.86　
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用 费24,029.75　
对于现金结算的股份支付，在可行权日之后， 应付职工薪酬的公允价值变动产生的损益1,241,956.80　
除上述各项之外的其他营业外收入和支出583,043.43　
减：所得税影响额241,950.09　
少数股东权益影响额（税后）599,763.12　
合计56,100,259.90　
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因□适用√不适用
九、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润√适用□不适用
单位：万元 币种：人民币

主要会计数据本报告期 （1－6月）上年同期本期比上年同期 增减(%)
扣除股份支付影响后的净利润21,873.9923,222.72-5.81
扣除股份支付影响后的，归属于上市 公司股东的扣除非经常性损益的净利 润16,263.9612,269.4132.56
十、非企业会计准则业绩指标说明
□适用√不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）公司所属行业情况
1、半导体设备行业
集成电路产业是驱动科技创新的重要引擎，更是支撑国家经济发展的关键基石，其发展水平直接影响一个国家在人工智能、信息技术、智能制造等前沿领域的核心竞争力。半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备，因此，半导体设备技术水平直接决定了芯片制造的先进性。

伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以人工智能（AI）、消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，对半导体芯片的性能、功耗、集成度等方面提出了更高的要求。特别是近两年，AI应用的迅速普及加速推动了技术创新，对先进半导体技术的需求强劲，同时催生了巨大的先进半导体设备市场空间。根据SEMI统计，2025年全球半导体设备销售额预计达到1255亿美元，同比增长超过7%，并持续保持增长态势，预计2026年销售额将进一步攀升至1381亿美元，实现连续三年增长。

数据来源：SEMI 中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备 带来了广阔的市场空间，尤其是在AI应用快速发展的拉动下，对先进半导体设备的需求呈现持续 增长的态势。根据SEMI统计，2024年中国大陆半导体设备销售额达到496亿美元，同比增长35%， 连续第五年成为全球最大半导体设备市场。近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导 体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等 方面均形成良好效果，产业链逐步完善，并加快先进技术领域的布局，为国内高端半导体设备厂 商创造了巨大的发展机遇和市场空间。数据来源：SEMI
2、公司所聚焦的薄膜沉积设备行业 在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备， 决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯 片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不 同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2025年晶圆制造设备 销售额预计将达到1108亿美元，同比增长超过6%，占总体半导体设备销售额的比例近90%。而 根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2025年全 球薄膜沉积设备市场规模约为244亿美元。 全球半导体设备及晶圆制造设备占比情况数据来源：SEMI、同行业公司定期报告
公司自设立以来，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。

在薄膜沉积设备方面，公司凭借十余年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及FlowableCVD（流动性化学气相沉积）等薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。

PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，主要应用及薄膜材料如图示：
在逻辑芯片中的主要应用图示
在3DNAND存储芯片中的主要应用图示在DRAM存储芯片中的主要应用图示
3、公司所聚焦的三维集成设备行业 随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工艺极限已 无法实现性能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术则是这一技 术创新和发展趋势的关键驱动力，而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域 的核心设备。 在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半 导体设备的前沿技术领域，研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、 熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。先进键合技术根据堆叠的方式不同分为晶圆对晶圆键 合和芯片对晶圆键合，主要应用如图示： 在三维集成领域的主要应用图示（二）公司主营业务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄设备产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，先进键合设备和配套的量检测设备产品已在先进存储、图像传感器（CIS）等领域实现量产。

2、主要产品情况
报告期内，公司不断拓展新工艺、新产品以及新型平台、新型反应腔的验证与产业化，持续保持产品核心竞争力，公司研制的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品、先进键合设备产品和配套的量检测设备产品已在客户端实现产业化应用，业务规模逐步扩大，其设备性能和产能均达到国际同类设备先进水平。具体产品情况如下：（1）PECVD系列产品
①PECVD产品

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T　在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先 进封装等领域已实现产业化应用，可以沉 积SiO、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、 2 BPSG、PSG等通用介质薄膜材料，以及 LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ACHM、ADC-Ⅰ、 ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack（ONO叠层） OPN、SiB等先进介质薄膜材料，可实现8 英寸与12英寸PECVD设备兼容，在客户 端具有高产能、低生产成本优势。
PF-300TeX PF-300TPluseX　　
PF-300TPluspX　　
PF-300TPlus Supra-D PF-300MSupra-D　　
PF-300TBianca　主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片 制造领域，已实现产业化应用，可以在晶 圆背面沉积SiN、SiO等介质薄膜材料，实 2 现对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面的保 护。
NF-300H　主要应用于集成电路存储芯片制造、三维 集成领域，已实现产业化应用，适用于沉 积较厚的薄膜，如ThickTEOS和Ultra-thick USG介质材料薄膜。
NF-300MSupra-H　主要应用于集成电路存储芯片制造领域， 可以沉积Stack（ONO叠层）等介质材料薄 膜。
PF-150T PF-200T　在新型功率器件领域已实现产业化应用， 可以沉积SiC器件制造中的SiO、SiN、 2 TEOS、SiON等介质材料薄膜。
②UVCure产品

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T Upsilon　在集成电路芯片制造领域已实现产业化应 用。该设备可以与PECVD成套使用，为 PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外 线固化处理。
（2）ALD系列产品
①PE-ALD产品

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T Astra　在集成电路逻辑芯片、存储制造及先进封 装领域已实现产业化应用，可以沉积高 温、低温、高质量的SiO、SiN、SiCO等 2 介质薄膜材料。
NF-300H Astra　　
VS-300T Astra-s　　
②Thermal-ALD产品

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T Altair　主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片 制造领域，已实现产业化应用，可以沉积 AlO、AlN、TiN等金属及金属化合物薄 2 3 膜材料。
TS-300 Altair　　
（3）SACVD系列产品

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300TSA　在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域 已实现产业化应用，可以沉积SATEOS、 SABPSG、SAF（包括等离子体处理优化的 SAF）等介质薄膜材料，可实现8英寸与12 英寸SACVD设备兼容。
PF-300TSAF PF-300TPlus PESAF　　
（4）HDPCVD系列产品

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T Hesper　主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片 制造领域，已实现产业化应用，可以沉积 USG、FSG、PSG等介质薄膜材料。
TS-300S Hesper　　
（5）FlowableCVD系列产品

主要产品型号产品图片产品应用情况
PF-300T Flora　主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制 造领域，已实现产业化应用，可以沉积SiO 2 等介质薄膜材料。
（6）三维集成领域系列产品
①晶圆对晶圆混合键合产品

产品型号产品图片产品应用情况
Dione300　主要应用于晶圆级三维集成、存储芯片领 域和图像传感器领域，已实现产业化应用， 可实现晶圆对晶圆的高精度混合键合。
Dione300eX　主要应用于晶圆级三维集成、存储芯片领 域，正在进行产业化验证，可实现晶圆对 晶圆的高精度混合键合，拥有更高的对准 精度、键合精度和设备产能。
②晶圆对晶圆熔融键合产品

产品型号产品图片产品应用情况
Dione300F　主要应用于晶圆级三维集成、存储芯片和 先进逻辑芯片制造领域，可实现晶圆对晶 圆的低应力熔融键合。
③芯片对晶圆键合前表面预处理产品

产品型号产品图片产品应用情况
Propus300　主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片 三维集成领域，已实现产业化应用，可实 现混合键合前晶圆及切割后芯片的表面活 化与清洗。
④芯片对晶圆混合键合产品

产品型号产品图片产品应用情况
Pleione300　主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片 三维集成领域，正在进行产业化验证，可 实现芯片的顺序拾取并精准键合到晶圆 上。
⑤键合套准精度量测产品

产品型号产品图片产品应用情况
Crux300　主要应用于混合键合质量（键合精度）检 测，已实现产业化应用，可实现晶圆对晶 圆混合键合和芯片对晶圆混合键合后的键 合套准精度量测。
⑥键合强度检测产品

产品型号产品图片产品应用情况
Ascella300　主要应用于混合键合质量（键合强度）检 测，已实现产业化应用，可实现晶圆对晶 圆混合键合后的键合强度检测。
⑦永久键合后晶圆激光剥离产品

产品型号产品图片产品应用情况
Lyra300　主要应用于需要进行特定层转移场景或薄 晶圆背面加工的场景，例如垂直架构 DRAM和先进逻辑芯片中，产品已开发完 成，可实现永久键合后晶圆剥离。
报告期内，公司主营业务未发生重大变化。

（三）主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。

（2）研发模式
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。公司的研发团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。

（3）采购模式
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。

公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。

（4）生产模式
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。

（5）销售和服务模式
报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。

经过多年的努力，公司已与国内半导体芯片制造厂商形成了较为稳定的合作关系。

公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。

报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。

新增重要非主营业务情况
□适用√不适用
二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持以创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。

1、主要经营情况
报告期内，公司不断突破核心技术，加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用，并取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于近年国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，营业收入维持高增长趋势。2025年上半年度，公司实现营业收入195,414.62万元，同比增长54.25%；实现归属于上市公司股东的净利润9,428.80万元，同比下降26.96%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润3,818.77万元，同比增长91.35%。

截至2025年6月30日，公司总资产1,755,366.06万元，较2024年年末增长14.62%；归属于上市公司股东的净资产541,194.65万元，较2024年年末增长2.50%。公司资产质量良好，财务状况稳健。

2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司积极把握半导体设备国产替代的战略机遇，通过高强度的研发投入，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，同时，在先进制程应用的新产品、新工艺、高产能设备产品的验证及产业化应用等方面均取得了突出成果，产品成熟度及性能优势获得客户广泛认可，市场渗透率进一步提升，收入持续高速增长。报告期内的研发投入金额达到34,917.71万元，同比增长11.09%，研发投入占营业收入比例为17.87%。

在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积设备工艺覆盖面。报告期内，基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM、Lok-II及PECVDBianca等先进工艺设备陆续通过客户验收，量产规模不断扩大；应用于先进存储领域的PECVDOPN、SiB等先进工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证；公司目前已实现对PECVDACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩模工艺的全面覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广泛，公司是国内集成电路领域硬掩模工艺覆盖最全面的设备厂商；基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得客户订单，PE-ALDSiO和PE-ALDSiCO2
多台通过客户验证，不断扩大量产规模，公司已实现PE-ALD介质薄膜材料的全面覆盖；Thermal-ALDTiN持续获得客户订单，出货量不断扩大；公司是集成电路领域国产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，公司ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升。

截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。

在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，报告期内，公司晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，同时，公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。

随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品和量产规模不断攀升，截至本报告披露日，公司累 计出货超过3,000个反应腔（包括超过340个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产 线。 报告期内，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时 间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线 的量产应用规模持续扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流 片量已突破3.43亿片。 公司薄膜沉积设备累计流片量（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。

公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UVCure产品：
产品系列产品类型主要产品型号主要薄膜工艺
PECVDPECVDPF-300TSiO、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、 2 BPSG、PSG等通用介质薄膜材料，以及 LoK-I、LoK-Ⅱ、ACHM、ADC-Ⅰ、 ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack（ONO叠层）、 OPN、SiB等先进介质薄膜材料
　　PF-300TeX PF-300TPluseX　
　　PF-300TPluspX　
　　PF-300TPlusSupra-D PF-300MSupra-D　
　　PF-300TBianca在晶圆背面沉积SiN、SiO等介质薄膜材 2
　　　料
　　NF-300HThickTEOS、Ultra-thickUSG等较厚的介 质薄膜材料
　　NF-300MSupra-HStack（ONO叠层）介质材料薄膜
　　PF-150T PF-200TSiO、SiN、TEOS、SiON等薄膜材料（新 2 型功率器件领域）
　UVCurePF-300TUpsilonHTN、LoK-Ⅱ等薄膜材料的固化和性能 优化后处理
1 PECVD产品
PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括SiO、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包2
括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。

公司面向先进存储领域自主研发的PECVDSupra-DOPN、SiB、高温SiN等工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证，关键性能指标已达到客户的技术要求。PECVDSupra-DOPN设备可沉积氧化硅掺杂多晶硅、氮化硅薄膜，主要作为3DNAND顶部选择栅极，形成存储单元的基本导电通路，能够实现对特定垂直存储串的精确选择和控制，同时，能够通过调控垂直沟道中的电流实现信号管理。PECVDSupra-DSiB和高温SiN设备可以沉积高性能的硬掩模，其中，SiB薄膜具有显著提升的刻蚀选择比，可有效降低硬掩模层厚度，同时实现优异的刻蚀均匀性，大幅简化图形转移的工艺难度，主要应用于集成电路制造的高深宽比结构图形转移工艺；高温SiN薄膜与低温沉积SiN薄膜相比，不仅具有更高的薄膜密度，还具备比较宽泛的应力调整区间，很大程度上兼容薄膜对密度和应力的双重需求，具备更高的刻蚀选择性，主要应用于DRAM的硬掩模中刻蚀选择比需求较高的工艺。

公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备实现了大量出货，并陆续通过客户验证，满足客户先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本报告披露日，累计超过340个反应腔出货至客户端。

公司PECVDBianca工艺设备持续获得客户多台复购订单，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。截至报告期末,累计超过60个PECVDBianca工艺设备反应腔出货至客户端，量产规模不断扩大。

公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在三维集成领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货并扩大量产规模。

公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔，每次可以同时处理24片晶圆。截至本报告披露日，NF-300MSupra-H设备已完成样机研发和制造，正在进行薄膜工艺调试。该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜，实现高均匀性和多种薄膜工艺集成，满足先进存储芯片制造领域最先进的生产需求。（未完）
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