[中报]慧智微(688512):2025年半年度报告

时间:2025年08月28日 23:50:45 中财网

原标题:慧智微:2025年半年度报告

公司代码:688512 公司简称:慧智微广州慧智微电子股份有限公司
年半年度报告
2025
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

二、重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”。敬请投资者予以关注,注意投资风险。

三、公司全体董事出席董事会会议。

四、本半年度报告未经审计。

五、公司负责人李阳、主管会计工作负责人徐斌及会计机构负责人(会计主管人员)徐斌声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案不适用
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用√不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。

九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况

十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否
十二、其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义..........................................................................................................................................4
第二节 公司简介和主要财务指标......................................................................................................8
第三节 管理层讨论与分析................................................................................................................12
第四节 公司治理、环境和社会........................................................................................................39
第五节 重要事项................................................................................................................................41
第六节 股份变动及股东情况............................................................................................................70
第七节 债券相关情况........................................................................................................................78
第八节 财务报告................................................................................................................................79

备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人 员)签名并盖章的财务报表
 报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿
第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:

常用词语释义  
公司、本公司、 发行人、慧智微广州慧智微电子股份有限公司
慧智微有限、有 限公司公司前身,广州慧智微电子有限公司
慧智微(香港)SmarterMicroelectronics(HongKong)Limited
慧智微(香港) 有限公司韩国分 公司???????????????????(???),Smarter Microelectronics(HongKong)Limited韩国分公司
一致行动人李阳、郭耀辉、奕江涛、王国样
大基金二期国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司
建投华科建投华科投资股份有限公司
StarSmartermicroStarHongKongLimited
ZhiChengZhiChengMicroHongKongLimited
BridgeSmartermicroBridgeHongKongLimited
慧智慧芯广州慧智慧芯企业管理合伙企业(有限合伙)
慧智慧资广州慧智慧资企业管理合伙企业(有限合伙)
横琴智古珠海横琴智古企业管理合伙企业(有限合伙)
横琴智往珠海横琴智往企业管理合伙企业(有限合伙)
横琴智今珠海横琴智今企业管理合伙企业(有限合伙)
横琴智来珠海横琴智来企业管理合伙企业(有限合伙)
GSRGSRVenturesIII,L.P.,注册在英属开曼群岛的有限责任公司
GZPAGZPAHoldingLimited,注册在香港的私人股份有限公司
南鑫珠海港广州南鑫珠海港股权投资合伙企业(有限合伙)
信德文化珠海广发信德科文创业投资基金(有限合伙),曾用名:珠海广 发信德科技文化产业股权投资基金(有限合伙)
信德环保珠海广发信德环保产业投资基金合伙企业(有限合伙)
信德智能珠海广发信德智能创新升级股权投资基金(有限合伙)
信德创业营广州信德创业营股权投资合伙企业(有限合伙)
广远众合广远众合(珠海)投资企业(有限合伙)
信德新州珠海广发信德新州一号创业投资基金(有限合伙)
Skyworks/思佳 讯SkyworksSolutions,Inc.,一家提供无线通信解决方案的企业,设 计并生产应用于移动通信领域的射频及完整半导体系统解决方 案,总部位于美国,纳斯达克上市公司(股票代码:SWKS.O)
Qorvo/威讯Qorvo,Inc.,一家为移动、基础设施与航空航天市场提供核心技术 及射频解决方案的企业,总部位于美国,纳斯达克上市公司(股 票代码:QRVO.O)
Broadcom/博通BroadcomInc.,主要从事半导体及软件基础架构解决方案的研发、 设计和销售,总部位于美国,纳斯达克上市公司(股票代码: AVGO.O)
Qualcomm/高通Qualcomm,Inc.,一家无线通信技术研发公司,总部位于美国,纳 斯达克上市公司(股票代码:QCOM.O)
Murata/村田MurataManufacturingCo.,Ltd.,一家设计、制造电子元器件及多 功能高密度模块的企业,总部位于日本京都,东京/新加坡证券交 易所上市公司(股票代码:6981.T/PJX.SG)
MTK/联发科MediaTekInc./联发科技股份有限公司,一家全球知名的半导体企
  业,专注于提供先进的系统级芯片(SoC)和解决方案,主要用于 智能手机、家庭娱乐设备、物联网(IoT)产品以及其他消费类电 子产品,总部位于中国台湾,中国台湾证券交易所上市公司 (2454.TW)
Realtek/瑞昱RealtekSemiconductorCorp./瑞昱半导体股份有限公司,一家全球 领先的集成电路设计企业,专注于提供广泛的半导体解决方案, 总部位于中国台湾,中国台湾证券交易所上市公司(2379.TW)
卓胜微江苏卓胜微电子股份有限公司,一家专注于射频集成电路领域的 研究、开发与销售的企业(股票代码:300782.SZ)
唯捷创芯唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司,一家主营业务为射频 前端芯片的研发、设计和销售的集成电路设计企业(股票代码: 688153.SH)
华勤通讯华勤技术股份有限公司(股票代码:603296.SH)及其关联公司
龙旗科技上海龙旗科技股份有限公司(股票代码:603341.SH)及其关联公 司
广和通深圳市广和通无线股份有限公司(股票代码:300638.SZ)及其关 联公司
日海智能日海智能科技股份有限公司(股票代码:002313.SZ)及其关联公 司
移远通信上海移远通信技术股份有限公司(股票代码:603236.SH)及其关 联公司
股东会广州慧智微电子股份有限公司股东会
董事会广州慧智微电子股份有限公司董事会
监事会广州慧智微电子股份有限公司监事会
《公司法》《中华人民共和国公司法》
《证券法》《中华人民共和国证券法》
《公司章程》现行有效的《广州慧智微电子股份有限公司章程》
证监会、中国证 监会中国证券监督管理委员会
保荐人华泰联合证券有限责任公司
审计机构天健会计师事务所(特殊普通合伙)
A股境内上市人民币普通股
报告期、报告期 内2025年1月1日至2025年6月30日
报告期末2025年6月30日
集成电路、芯片IntegratedCircuit的简称,是采用一定的工艺,将一个电路中所需 的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线连在一起,制作在一 小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内, 成为具有所需电路功能的微型结构
EDAElectronicDesignAutomation,指利用计算机辅助设计软件完成超 大规模集成电路芯片的功能设计、综合、验证、物理设计(包括 布局、布线、版图、设计规则检查等)等流程的设计方式
蜂窝通信采用蜂窝无线组网方式,在终端和网络设备之间通过无线通道连 接,进而实现用户在活动中可相互通信的通信技术,其主要特征 是终端的可移动性,并具有越区切换和跨本地网自动漫游等功能
2G、3G、4G、5G、 6G第二代、第三代、第四代、第五代和第六代移动通信技术与标准
LTE是“Long-TermEvolution”的缩写,LTE是第四代(4G)移动通 信技术,用于移动通信网络中的数据传输。目标是提供更高的数 据传输速度、更低的延迟和更好的性能,以满足不断增长的移动
  数据需求
5GRedCap5GReducedCapability(RedCap)是3GPP标准化组织定义的一种 5G技术。5GRedCap是5G的轻量化版本,具备高传输速率、低 功耗、低复杂性和高设备数量方面的特点,主要应用于工业物联 网、视频监控和可穿戴设备等
ODMOriginalDesignManufacturer的简称,原始设计制造商,企业根据 品牌厂商的产品规划进行设计和开发,然后按品牌厂商的订单进 行生产,产品生产完成后销售给品牌厂商
射频RadioFrequency,简称RF,一种高频交流变化电磁波的简称,频 率范围在300KHz-300GHz之间
射频前端RadioFrequencyFront-End,在通讯系统中天线和中频(或基带) 电路之间的部分,包括发射通路和接收通路,一般由射频功率放 大器、射频滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放大器等共 同组成
物联网InternetofThings,一个基于互联网、传统电信网等信息承载体, 通过信息传感设备,按标准和互操作通信协议,将任何物体与网 络相连接,以实现物体间的信息交换和通信,达到智能化识别、 定位、跟踪、监管等功能
射频功率放大 器、PA射频前端中的一种芯片,是各种无线发射机的重要组成部分,将 调制电路所产生的射频信号功率放大,以输出到天线上辐射出去
PA模组集成射频功率放大器及其他芯片的模组
射频开关射频前端中的一种芯片,在移动智能终端设备中主要用于对信号 传输路径上(接收或发射)不同频率或不同通信制式下的信号进 行切换
射频低噪声放大 器、LNA构成射频前端的一种芯片,主要用于无线通信系统中将接收自天 线的信号放大,以便于后级的电子设备处理
滤波器构成射频前端的一种芯片,负责滤除特定频率范围的频率成分, 从而将输入的多种射频信号中特定频率的信号输出
双工器构成射频前端的一种芯片,使得工作在不同频率上的接收和发射 通路能够共享一个天线。它通常由两个带通滤波器并联而成,其 作用是将发射和接收讯号相隔离,保证接收和发射都能同时正常 工作,互不干扰
L-PAMiFLowNoiseAmplifier-PowerAmplifierModuleintegratedFilter,集成 射频功率放大器、滤波器、射频开关和低噪声放大器的射频功率 放大器模组
L-PAMiDLowNoiseAmplifier-PowerAmplifierModuleintegratedDuplexer, 集成低噪声放大器、功率放大器、射频开关、滤波器、双工器等 的射频前端模组
L-FEMLowNoiseAmplifier-FrontEndModule,集成滤波器、低噪声放大 器和开关的射频前端模组
MMMBPAMulti-ModeMulti-BandPA,多模多频PA模组
Wi-FiFEMWirelessFidelityFrontEndModule,集成功率放大器、射频开关、 低噪声放大器等的Wi-Fi应用射频前端模组
FablessFabrication(制造)和less(无、没有)的组合词;一指集成电路 市场中,没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式,通常也 被称为“Fabless模式”;也用来指代无芯片制造工厂的IC设计 公司,经常被简称为“无晶圆厂”或“Fabless厂商”
晶圆代工厂在集成电路领域中专门负责生产、制造芯片的厂家
封装封装是半导体制造过程中的重要环节,指的是将芯片安装到一个 保护性的包壳中,以便于芯片的热管理、电连接、物理支撑以及
  保护芯片免受物理损害或环境影响。封装不仅确保了芯片的机械 强度和电路的完整性,还有助于芯片的热散逸和电信号的输入输 出
测试检测封装后的芯片是否可正常运作
封测“封装”、“测试”的合称
GaAs砷化镓,一种应用于半导体产品的砷元素和镓元素的化合物材料
CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor,互补金属氧化物半导 体,是一种芯片制造工艺
体硅CMOSBulkSiliconCMOS,是一种半导体技术,它使用硅作为主要材料 来制造互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路
SOISilicon-On-Insulator,简称SOI/绝缘硅,该技术是在顶层硅和背衬 底之间引入一层埋氧化层,有助于减少寄生电容,提升工艺性能
SMDSurfaceMountedDevices,表面贴装器件,包括电阻、电容、电感 等
PC2全称是PowerClass2,是3GPP定义的用户终端的发射功率等级, 发射功率达到26dBm,比中低频段普遍要求的功率等级PC3高 3dB
SiPSystemInaPackage,简称SiP,系统级封装是将多种功能芯片和 无源器件集成在一个封装内,从而实现一个基本完整的功能
匹配网络电路设计中的阻抗匹配,在信号源或者传输线跟负载之间的一种 合适的阻抗搭配方式,使得在信号频率范围内,从信号源至负载 的传输最大化
流片集成电路设计、制造和生产中的一个环节,把通过计算机辅助设 计软件完成的电路设计,在晶圆代工厂按一定的制程生产出芯片 的过程。通过流片,检验电路是否具备所需要的性能和功能。如 果成功,就可以大规模制造;反之则需找出其中的原因,进行相 应的优化设计,并进行再次流片
频段在通讯领域中,频段指的是电磁波的频率范围,单位为Hz,按照 频率的大小,可分为低频、中频、高频等,在不同通信制式下, 有B1、B3、B5、n41、n77等频段
n77/n78/n79n77、n78、n79的频率范围分别为 3.3GHz~4.2GHz、 3.3GHz~3.8GHz、4.4GHz~5.0GHz。其中n78的频率范围包含于 n77频段,因此支持n77/n78频段的产品通常称为单频产品,支持 n77/n78/n79频段的产品通常称为双频产品
5GUHB频段/5G 重耕频段3GPP标准化协会规定5GNR(5G新空口)频谱包含7GHz以下 频率范围1(FR1)和毫米波的频率范围2(FR2),其中FR1的 频率范围为410MHz-7,125MHz(因大部分频谱规划均在6GHz 以下,业界通常称为 Sub-6GHz),FR2的频率范围为24250 MHz-52600MHz(业界通常称为米波)。FR1中3GHz~6GHz频 段范围称为5GUHB(超高频)频段,在3GHz以下原4GLTE通 信的主要频段范围内应用5G通信技术,实现对4GLTE通信频段 的复用,该等频段称为5G重耕频段。
带宽信道的频带宽度,为最高频率与最低频率之差
线性度射频功率放大器的指标之一,用来度量放大器使信号形状失真的 程度,线性度越高,失真越小
IPIntellectualProperty,知识产权
第二节 公司简介和主要财务指标
一、公司基本情况

公司的中文名称广州慧智微电子股份有限公司
公司的中文简称慧智微
公司的外文名称SmarterMicroelectronics(Guangzhou)Co.,Ltd.
公司的外文名称缩写SmarterMicro
公司的法定代表人李阳
公司注册地址广州市高新技术产业开发区科学城科学大道182号创新 大厦C2第三层307单元
公司注册地址的历史变更情况不适用
公司办公地址广州市高新技术产业开发区科学城科学大道182号创新 大厦C2第八层
公司办公地址的邮政编码510663
公司网址http://www.smartermicro.com
电子信箱[email protected]
报告期内变更情况查询索引不适用
二、联系人和联系方式

 董事会秘书(信息披露境内代表)证券事务代表
姓名徐斌朱晓磊
联系地址广州市高新技术产业开发区科学城科学 大道182号创新大厦C2第八层广州市高新技术产业开发区科学城科 学大道182号创新大厦C2第八层
电话020-82258480020-82258480
传真020-82258993020-82258993
电子信箱[email protected][email protected]
三、信息披露及备置地点变更情况简介

公司选定的信息披露报纸名称《中国证券报》(www.cs.com.cn)《上海证券报》(w ww.cnstock.com)《证券时报》(www.stcn.com)《证 券日报》(www.zqrb.cn)
登载半年度报告的网站地址www.sse.com.cn
公司半年度报告备置地点公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引不适用
四、公司股票/存托凭证简况
(一)公司股票简况
√适用□不适用

公司股票简况    
股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称
A股上海证券交易所科创板慧智微688512不适用
(二)公司存托凭证简况
□适用√不适用
五、其他有关资料
□适用√不适用
六、公司主要会计数据和财务指标
(一)主要会计数据
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年 同期增减(%)
营业收入354,516,346.12253,275,049.7939.97
利润总额-65,384,443.43-183,318,554.51不适用
归属于上市公司股东的净利润-65,278,386.74-183,413,217.66不适用
归属于上市公司股东的扣除非经常性 损益的净利润-137,355,895.36-200,464,261.78不适用
经营活动产生的现金流量净额-235,395,231.56-237,546,431.50不适用
 本报告期末上年度末本报告期末比上 年度末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产1,772,649,759.121,806,309,190.76-1.86
总资产2,225,418,816.882,211,677,058.740.62
(二)主要财务指标

主要财务指标本报告期 (1-6月)上年同期本报告期比上年同 期增减(%)
基本每股收益(元/股)-0.14-0.40不适用
稀释每股收益(元/股)-0.14-0.40不适用
扣除非经常性损益后的基本每股收 益(元/股)-0.30-0.44不适用
加权平均净资产收益率(%)-3.65-8.73增加5.08个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净 资产收益率(%)-7.68-9.54增加1.86个百分点
研发投入占营业收入的比例(%)28.0255.56减少27.55个百分点
公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用□不适用
(1)2025年上半年公司营业收入为35,451.63万元,较上年同期增长39.97%,主要原因系公司持续完善射频前端产品线,产品结构不断优化,其中Phase8L全集成L-PAMiD产品已在头部安卓客户高端旗舰机型实现量产出货,其他高性价比产品也顺利规模出货;同时公司积极开拓市场,于2024年导入的三星自研供应链体系等大客户,在今年上半年逐步释放订单量。综上,公司芯片销量较上年同期增长较多,推动营业收入实现大幅增长。

(2)2025年上半年公司利润总额为-6,538.44万元,净亏损较上年同期减少64.33%;公司归属于上市公司股东的净利润为-6,527.84万元,净亏损较上年同期减少64.41%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-13,735.59万元,净亏损较上年同期减少31.48%,主要原因系报告期内公司通过优化产品结构和降低采购成本,改善毛利水平,带动销售利润较上年同期增长。同时,本期确认的与收益相关的政府补助较上年同期有所增加,研发费用比上年同期减少。

(3)2025年上半年末,归属于上市公司股东的净资产同比下降1.86%,主要原因系本期净亏损所致。

(4)2025年上半年,公司基本每股收益、稀释每股收益为-0.14元/股,每股亏损较上年同期减少64.83%;扣除非经常性损益后的基本每股收益为-0.30元/股,每股亏损较上年同期减少32.31%,主要原因系本期销售规模扩大,销售利润增长,政府补助增加,同时研发费用下降,带动净亏损和扣非净亏损收窄,从而推动每股亏损和扣非每股亏损下降。

(5)2025年上半年,公司加权平均净资产收益率为-3.65%,较上年同期增加5.08个百分点;扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率为-7.68%,较上年同期增加1.87个百分点,主要原因系本期净亏损下降,推动加权平均净资产收益率和扣非加权平均净资产收益率增长。

(6)2025年上半年,公司研发投入占营业收入的比例为28.02%,较上年同期减少27.55个百分点,主要原因系本期营业收入增长,同时研发投入中的职工薪酬、股份支付费用、流片费较上年同期减少。

七、境内外会计准则下会计数据差异
□适用√不适用
八、非经常性损益项目和金额
√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

非经常性损益项目金额附注(如适用)
非流动性资产处置损益,包括已计提资产减值 准备的冲销部分289.31处置固定资产
计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营 业务密切相关、符合国家政策规定、按照确定 的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府 补助除外65,051,677.99政府补助
除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业 务外,非金融企业持有金融资产和金融负债产 生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金 融负债产生的损益5,679,177.85公允价值变动收益
计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用 费  
委托他人投资或管理资产的损益1,346,363.47投资收益
对外委托贷款取得的损益  
因不可抗力因素,如遭受自然灾害而产生的各 项资产损失  
单独进行减值测试的应收款项减值准备转回  
企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资 成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认 净资产公允价值产生的收益  
同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并 日的当期净损益  
非货币性资产交换损益  
债务重组损益  
企业因相关经营活动不再持续而发生的一次性 费用,如安置职工的支出等  
因税收、会计等法律、法规的调整对当期损益 产生的一次性影响  
因取消、修改股权激励计划一次性确认的股份 支付费用  
对于现金结算的股份支付,在可行权日之后, 应付职工薪酬的公允价值变动产生的损益  
采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地 产公允价值变动产生的损益  
交易价格显失公允的交易产生的收益  
与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损 益  
受托经营取得的托管费收入  
除上述各项之外的其他营业外收入和支出  
其他符合非经常性损益定义的损益项目  
减:所得税影响额  
少数股东权益影响额(税后)  
合计72,077,508.62 
对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的,以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目,应说明原因□适用√不适用
九、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润√适用□不适用
单位:元 币种:人民币

主要会计数据本报告期 (1-6月)上年同期本期比上年同期 增减(%)
扣除股份支付影响后的净利润-33,659,431.64-142,296,512.68不适用
十、非企业会计准则业绩指标说明
□适用√不适用
第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
慧智微是一家为智能手机、物联网等领域提供射频前端的芯片设计公司,主营业务为射频前端芯片及模组的研发、设计和销售。公司具备全套射频前端芯片设计能力和集成化模组研发能力,技术体系以功率放大器(PA)的设计能力为核心,兼具低噪声放大器(LNA)、射频开关(Switch)、集成无源器件滤波器(IPDFilter)等射频器件的设计能力,同时具备高集成模组的高精度仿真和封装集成核心技术。

射频前端芯片作为无线通信设备的核心器件,负责保障信号的发射和接收。公司产品系列覆盖2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕频段、3GHz~6GHz的5GUHB等蜂窝通信频段和Wi-Fi通信等,可为客户提供无线通信射频前端发射模组、接收模组等。

公司的射频前端产品应用于三星、vivo、小米、OPPO、荣耀等国内外智能手机品牌机型,并进入华勤通讯和龙旗科技等一线移动终端设备ODM厂商和移远通信广和通日海智能等头部无线通信模组厂商。

(一)主要产品和业务情况
报告期内,公司对外销售的主要射频前端模组产品为5G模组和4G模组。随着射频前端支持的通信频段不断增加、通信频率不断上升,射频前端的复杂度和可靠性的要求不断提升,射频前端芯片逐渐从分立器件走向集成化模组,从低集成模组向高集成模组演进。公司基于自主设计的核心射频前端芯片集成其他元器件形成射频前端模组并对外销售。

(1)射频前端的基本构成和功能简介
通讯系统中,射频前端是无线通信设备的核心部件,负责天线和射频收发机之间的射频信号放大、滤波、频段选择等处理,以满足通信系统对无线电波发射和接收的需求。

按照功能,射频前端可分为发射链路(TX)和接收链路(RX)。在发射链路中,数字信号通过调制解调器(Modem)转换成易于传输的连续模拟信号,随后收发器(Transceiver)将模拟信号调制为不易受干扰的射频信号,进入射频前端进行射频信号的功率放大、滤波、开关切换等信号处理,最后通过天线将信号对外发射。接收链路则由天线接收到空间中传输的射频信号,通过射频前端对用户需要的频率和信道进行选择,对接收到的射频信号进行滤波和放大,最后输入收发器和调制解调器得到数字信号。

按照组成器件,射频前端可分为功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、滤波器(Filter)、射频开关(Switch)。功率放大器负责发射通道的射频信号放大;低噪声放大器负责接收通道中的小信号放大;滤波器负责发射及接收信号的滤波,去除非信号频率的杂波信号;射频开关负责收发以及不同频率通道之间的切换。

资料来源:Qualcomm
(2)公司主要产品类型及主要情况
报告期内,公司在售产品型号众多,主要产品类型及主要情况如下:①5GUHB频段系列产品
5GUHB频段系列产品支持3GHz~6GHz的频段范围,更高的频率有利于支持更大的通信带宽,从而获得更快的通信速度。该系列产品主要包括:L-PAMiF发射模组和L-FEM接收模组。

L-PAMiF发射模组内部集成PA、LNA、Switch、Filter等元件。该模组将Sub-6GHz频段的n77/n78/n79的射频发射和接收通路集成在一起,是5G蜂窝通信的核心器件之一。为满足不同市场和客户需求,公司开发有1T2R和1T1R等多种形态产品。公司发布了新一代高性能的n77/n79双频L-PAMiF产品,在客户端获得了良好的反馈。同时,公司紧跟市场需求和技术演进趋势,正在开发新一代高性能、高集成的n77/n79L-PAMiF产品,持续为客户提供具有竞争力的5GUHB频段射频前端解决方案。

L-FEM接收模组内部集成LNA、Switch、Filter等器件,将天线接收到的微弱信号放大,达到更好的接收信号效果。该模组提供单频1R、单频2R和双频2R等多种产品形态,以满足不同需求。公司发布了新一代n77/n79双频L-FEM产品,在实现小尺寸和高集成度的同时,性能进一步优化。公司开发的L-FEM模组已大规模应用于智能手机和物联网设备,并凭借其优异的性能和稳定性,在客户端赢得了认可。

②5G重耕频段系列产品
5G重耕频段主要集中于3GHz以下的频率范围,通信频段覆盖663MHz~2690MHz。该频段重耕4GLTE通信频段,其通信频率与4G共频段,并支持5G通信协议。公司针对5G重耕频段推出了L-PAMiD高集成模组、5GMMMBPA分立模组和接收模组。

L-PAMiD模组内部集成PA、LNA、Switch、Filter等元件,将Sub-3GHz的射频发射和接收功能封装进一颗芯片模组。公司基于多年的技术积累,以及对射频系统的理解,将多种元件集成在一起并有效避免了频段间干扰。2024年,公司基本与国际厂商同步推出Phase8L方案的全集成L-PAMiD产品,支持Sub-3GHz下2G/3G/4G/5G主流频段的发射和接收,该产品已在高端旗舰机型规模量产。

5GMMMBPA模组内部集成PA和Switch。除了常规MMMBPA模组外,公司还推出了可以在3.4V低压下输出PC2高功率的低压MMMBPA模组,满足大带宽和高线性要求,在关键性能参数上表现良好,具备较强的竞争力。公司已发布了小尺寸、高功率、高性能5GMMMBPA模组,并在头部客户量产出货。同时,公司发布了高性能的LNABank接收模组产品,内部集成LNA、开关等元器件,该产品已在客户端出货。

③4G频段系列产品
随着通信制式从4G向5G演进,4G智能手机市场逐渐成为长尾市场,而4GCat.1物联网市场则处于快速扩容期。

自成立以来,公司专注于4G多频多模功率放大器模组(MMMBPAM)的研发,并成功实现可重构功率放大器模组的商用化。公司已推出多款4GLTE可重构射频前端产品,支持4GLTE全频段,通过可重构技术可以在TD-SCDMA/WCDMA/CDMA2000/TD-LTE/FDD-LTE多个模式和频段下实现通路复用。这些产品凭借高集成度和优越性能,获得了客户的广泛认可。公司紧随市场需求,持续迭代4GMMMBPA产品,通过技术创新陆续推出了更高性能和更具性价比的产品。

④其他系列产品
为了更快地适应射频前端市场环境变化,保持市场竞争力,公司不断挖掘细分市场,持续开展新技术和新产品的研发。随着数字化时代的发展,Wi-Fi技术在无线通信领域的重要性越来越大。针对路由器、手机、物联网等市场,公司推出了高性能、低功耗的Wi-FiFEM产品,适配高通、MTK、Realtek等Wi-Fi系统平台。该产品不仅能够满足从路由器的大范围信号覆盖到物联网设备的稳定数据传输,而且针对手机等便携设备的无缝连接等需求,均表现出良好的性能。

(二)主要经营模式
公司的经营模式为集成电路行业常见的Fabless模式。公司充分利用集成电路行业高度专业化分工的产业链特点,主要负责产业链中的设计环节,包括射频前端模组中的核心芯片设计、基板设计和集成化模组设计,并向代工厂委托射频前端芯片的晶圆制造、基板制造和封装测试。在此模式下,公司可以将资源集中在设计研发环节,有利于公司紧密跟随市场变化趋势,不断推出性能优良、竞争力卓越的产品,以满足不断发展的市场需求。

1、研发模式
公司作为Fabless模式的芯片设计公司,其研发活动的核心为对新技术、新产品的研发和设计。

公司紧密跟随市场和技术的发展趋势,设计用于支持各类通信制式及各类射频前端方案的芯片及模组产品,以满足复杂的无线通信需求。保证质量的基础上开发出符合市场和客户需要的产品,公司已制定多项研发相关内部控制制度,对研发活动的各个环节进行规范化管理,通过各个节点的内部评审降低研发失败的风险。

2、采购及生产模式
公司采用Fabless模式经营,主要负责射频前端模组产品的研发、销售与质量管控,产品的生产则采用委外加工的模式完成。公司根据产品定义设计芯片版图和基板设计方案,委托晶圆代工厂根据芯片版图进行晶圆制造,委托基板代工厂根据基板设计方案进行基板的生产制造,晶圆代工厂、基板代工厂自主采购所需原材料,晶圆制造、基板制造完成后交付给后端封测代工厂,同时公司自主采购滤波器、SMD器件等物料,委托封测代工厂根据集成化模组的设计方案进行系统级封装(SiP)形成模组产品。目前,公司采购的项目主要包括晶圆、基板及相关的封装测试服务,公司的晶圆代工厂、基板代工厂和封测代工厂均为行业知名企业。

3、销售模式
公司的终端客户包括智能手机品牌客户、移动终端设备ODM客户及物联网模组客户等。按照集成电路行业惯例和企业自身特点,公司采用“经销为主、直销为辅”的销售模式。公司与经销商的关系属于买断式销售关系。公司与经销商签订销售框架协议,经销商根据其客户需求和自身销售备货等因素向公司下达订单,公司根据订单安排出货,后续的定期对账、付款和开票均由公司与经销商双方完成。

(三)公司所处行业情况
公司主要从事集成电路产品的研发、设计和销售。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类(2018)》,公司所属行业为“新一代信息技术产业”。根据《中华人民共和国国民经济行业分类(GB/T4754-2017)》,公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据国务院颁布的《关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策的通知》,公司所处的集成电路行业属于鼓励类产业。

1、集成电路行业的现状
半导体行业是利用介于导体和绝缘体之间的材料制作器件、电路等衍生出的电子元器件产业,包括集成电路、分立器件、传感器、光电子等细分领域。随着制造工艺和材料体系的不断演进,半导体已成为现代信息社会的基石,广泛应用于各行各业,是实现智能化、电气化的重要支撑力量。据世界半导体贸易统计组织(WSTS)最新统计,2024年全球半导体市场规模达到6,305亿美元,预计2025年市场规模将上升至7,009亿美元,预计增长11.2%。近年来,中国的半导体行业已经取得快速成长,半导体行业也将成为我国深入实施创新驱动发展战略的重要部分,为全面建设社会主义现代化国家、实现第二个百年奋斗目标贡献力量。

公司所处集成电路设计行业位于半导体产业链上游,属于技术密集型产业,对技术研发实力要求极高,具有技术门槛高、细分门类多等特点。受益于消费电子市场蓬勃发展,集成电路行业总体呈现上升趋势。在政策支持和市场需求的推动下,中国集成电路产业正加速向高端化、自主化发展。

近年来,我国集成电路产业发展迅速。国家统计局公布的数据显示,2024年中国的集成电路产量为4,514亿块,同比增长22.2%。尽管国内集成电路产业自给率不断提升,但是需求和供给之间仍存在不平衡。如下表所示,我国对集成电路的进口金额和出口金额贸易逆差一直存在。2024年,中国集成电路进口额达到3,856亿美元,出口额为1,595亿美元,贸易逆差高达2,261亿美元。 中国半导体产业仍有一定的进口依赖,具有较大的国产替代空间。图表数据来源:中国海关总署
2、射频前端行业的基本情况
射频前端芯片是集成电路中的模拟芯片,主要负责处理高频射频模拟信号,属于在模拟芯片中进入门槛较高、设计难度较大的细分领域。在射频前端芯片中,功率放大器(PA)芯片尤为重要,它直接决定了无线通信信号的强弱、稳定性和功耗,从而显著影响终端用户的实际体验,是射频前端芯片的核心组成部分。

根据Yole预测,全球移动设备的射频前端市场规模预计2028年增长至269亿美元。一方面,智能手机等无线终端设备的市场需求是射频前端市场增长的核心驱动力。随着5G技术的普及,全球5G手机的渗透率将持续提升。此外,物联网、智能家居、车联网等新兴领域的快速发展,也为射频前端市场带来了新的增长机遇。另一方面,从2G到5G的通信制式演进,对射频前端器件提出了更高的技术要求。智能手机需要同时兼容2G、3G、4G和5G网络,这不仅增加了射频前端器件的用量,也提升了其技术难度和产品价值,从而推动了射频前端市场规模的进一步扩大。

射频前端芯片在无线通信设备中扮演着不可或缺的角色,其市场规模的增长前景广阔,同时也面临着更高的技术挑战和更激烈的市场竞争。

3、公司所处的行业地位分析及其变化情况
从通信技术的发展历程来看,射频前端市场主要由国际厂商占据领导地位,其技术实力雄厚,产品定义能力强,占据了射频前端领域的大部分市场份额,主要厂商包括Skyworks(思佳讯)、Qorvo(威讯)、Broadcom(博通)、Qualcomm(高通)和Murata(村田)等。

自2011年成立以来,公司专注于射频前端芯片领域,经过多年的技术积累,逐步将研发投入转化为实际的经营成果,并形成了多项自主知识产权的核心技术。公司自主研发的“多频多模移动终端可重构射频芯片关键技术与产业化应用”项目曾获得中国通信学会科学技术一等奖。在5G发展周期与国产替代的大背景下,公司凭借长期的技术积累和前瞻性的技术研发,持续加强以射频功率放大器为核心的完整射频前端解决方案布局。

在5G通信市场,公司保持对研发的持续投入,紧跟技术发展趋势,成功推出了一系列高集成度射频前端模组产品。2023年,公司已实现了高集成5GL-PAMiD模组的量产。2024年,公司基本与国际头部厂商同步推出Phase8L低中高频段全集成的L-PAMiD产品,丰富了公司射频前端模组的产品线,扩大了市场覆盖范围,也彰显了公司在高端射频模组领域的技术突破能力,该产品已在高端旗舰机型规模量产。在5GUHB频段L-PAMiF模组方面,公司不断完善单频、双频的L-PAMiF模组系列形态布局,并在高集成度、小尺寸、高性能和高性价比等多个维度上持续优化,继续保持市场竞争力。在4G手机和物联网市场,面对日益激烈的竞争,公司利用自主可重构技术优势,开发更高性能、更高性价比的射频产品,满足客户的多样化需求。同时,公司积极拓展产品线,布局Wi-Fi领域,相关产品持续迭代中。

公司的射频前端模组产品以高集成度、高性价比、高可靠性,赢得客户的广泛认可,市场知名度不断提升,各系列产品在主要客户中的市场份额逐步扩大。2025年上半年,公司新一代小尺寸、高功率的MMMBPA模组在三星多款自研畅销机型商用。2025年,5GUHB频段L-PAMiF模组在三星自研体系出货,即将在三星畅销机型规模商用,为三星深入合作奠定了基础。目前,公司的射频前端模组已经在三星、vivo、小米、OPPO、荣耀等智能手机机型中大规模量产,并进入华勤通讯、龙旗科技等一线移动终端设备ODM厂商的供应链。此外,公司还积极布局物联网领域,持续保持与移远通信广和通日海智能等头部无线通信模组厂商的深度合作。

基于长期的经验积累和前瞻的技术研发,公司充分运用核心技术,依托日益优质的客户结构,公司能够准确把握国内外客户需求及技术趋势,及时推出和迭代升级产品,已具备较强的竞争优势。

新增重要非主营业务情况
□适用√不适用
二、经营情况的讨论与分析
报告期内,公司始终坚持以技术创新为核心竞争优势,持续完善射频前端产品线,提升产品性能,拓展品牌客户;同时持续提高管理效率,优化产品结构和成本管控,不断提升经营水平。

报告期内实现营业收入35,451.63万元,同比增长39.97%,归属于上市公司股东的净利润为-6,527.84万元,净亏损较上年同期收窄64.41%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-13,735.59万元,净亏损较上年同期收窄31.48%。现将报告期内公司经营情况总结报告如下:1、以市场需求为导向,丰富产品品类
公司始终聚焦行业发展趋势,以市场需求为驱动,持续优化和丰富产品布局。2024年,公司凭借多年自主创新技术积累,基本与国际头部厂商同步推出Phase8L方案的全集成L-PAMiD产品,该产品支持Sub-3GHz下2G/3G/4G/5G主流频段的发射和接收,其技术和性能已达到国际水平,目前已在头部客户的高端旗舰机型规模量产,打破了国际厂商对于Phase8L产品的垄断。同时,公司保持在5G领域的技术优势,报告期内,5G模组销售量较去年同期增长23.54%,呈稳步提升趋势。

2、坚持技术创新,构建高效研发体系
公司以技术创新为发展根基,不断探索移动通信领域的新技术、新方案。一方面,公司持续通过技术创新提高产品的稳定性和可靠性,同时降低成本和优化功耗,为客户提供更高性价比的射频前端产品,保持在5G领域的技术优势;同时,公司对技术发展趋势进行前瞻性预判,把握技术演进方向,加深在射频前端领域的技术储备。另一方面,公司高度重视研发体系的建设,致力于构建高效的产品研发管理体系,通过持续深化管理变革,提高研发团队的协同性,增强公司综合研发实力。

3、拓展头部客户,深化大客户合作关系
公司注重开拓大客户的业务机会,射频前端模组产品以高集成度、高性价比、高可靠性,赢得客户的广泛认可,市场知名度不断提升,各系列产品在主要客户中的市场份额逐步扩大。2025年上半年,公司新一代小尺寸、高功率的MMMBPA模组在三星多款自研畅销机型商用。2025年,5GUHB频段L-PAMiF模组在三星自研体系出货,即将在三星畅销机型规模商用,为三星深入合作奠定了基础,并展示了公司在5G模组中的市场竞争力。报告期内,LNABank产品顺利在品牌客户实现出货;此外,公司进一步提升高集成度产品销售市场份额,Phase8L全集成L-PAMiD产品在头部客户的高端旗舰机型量产,是国内首家实现Phase8L全集成L-PAMiD量产的企业,实现了国产射频高集成模组的重大突破,进一步提升了公司产品覆盖的机型价格区间。公司未来将持续拓展头部品牌客户,借助体系化的产品矩阵、优质快速的服务体系和良好的技术创新能力,不断提升在国内外品牌客户的销售份额,实现收入规模增长,改善公司毛利率水平。

4、加强团队建设,提升核心竞争力
半导体行业是典型的技术和人才密集型行业,优秀人才是公司的核心资产之一。公司通过内部培养和外部引进的方式打造了一支高素质的研发团队,技术范围覆盖芯片设计能力和集成化模组设计能力等方面。同时,公司积极营造良好的工作环境,从薪酬福利、人才激励和职业培训等方面激活员工的工作积极性,增强团队的凝聚力,打造浓厚的工程师文化,保障公司未来的人才需求,赋能公司高质量发展。

非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
□适用√不适用
报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来□适用√不适用
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
√适用□不适用
自2011年成立以来,公司一直专注于射频前端芯片领域,基于长期的经验积累和前瞻的技术研发,公司充分运用核心技术,依托日益优质的客户结构,公司能够准确把握国内射频前端领域客户需求及技术趋势,及时推出和迭代升级产品。公司已经在产品、技术、市场、团队等方面形成了较强的市场竞争力,具体如下:
1、产品线优势:深度布局全频段射频前端产品线,提供多样产品组合公司在售的产品型号众多,产品系列覆盖2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕频段、3GHz~6GHz的5GUHB等蜂窝通信频段和Wi-Fi通信等,可为客户提供无线通信射频前端发射模组、接收模组等,产品系列较为丰富,已经具备一定的产品广度,为后续公司进一步拓展产品深度、为客户提供一揽子的射频前端解决方案奠定基础。

公司持续保持在5G射频前端模组领域的市场地位,成功量产了5G重耕频段L-PAMiD产品、5GUHB频段高集成n77/n79双频L-PAMiF和L-FEM产品、5GUHB频段高性价比的n77单频L-PAMiF与L-FEM模组、支持5G全频段低压PC2的L-PAMiF和MMMBPA产品,获得更优功耗、更高性能以及更高性价比的领先优势。2024年,公司已成功发布Phase8L方案的全集成L-PAMiD模组,拓宽了公司产品目标市场的覆盖范围,该产品已在头部客户的高端旗舰机型规模量产。此外,公司也积极在5G重耕频段接收模组、物联网新形态等领域开发更多产品,以满足市场多元化的通信需求,为未来发展奠定坚实的基础。

2、技术优势:自主研发创新,保障企业高质量发展
随着通信制式的发展,5G增强技术、ENDC(非独立组网双连接)、DSDA(双卡双通)、NTN手机直连卫星等需求日益凸显,对射频前端模组也提出了更高的要求。公司基于可重构射频前端的技术优势,具备较强的技术壁垒,可重构射频前端产品不断迭代演进,充分验证了公司的技术创新能力,产品迭代升级速度领先,为公司高质量发展提供保障。

公司高度重视技术创新和自主知识产权,截至2025年6月30日,公司及子公司共拥有发明专利151项,实用新型专利24项,集成电路布图设计登记145项。

3、客户资源优势:覆盖国内外头部智能手机品牌、ODM厂商及物联网客户,市场地位不断提升
公司的射频前端模组产品已经在三星、vivo、小米、OPPO、荣耀等国内外头部智能手机机型中大规模量产,并进入华勤通讯和龙旗科技等一线移动终端设备ODM厂商,拥有优质的客户结构和客户基础。头部客户采用公司的产品具备良好的示范效应,为公司进入更多的头部客户奠定基础。2025年上半年,公司新一代小尺寸、高功率的MMMBPA模组在三星多款自研畅销机型商用。2025年,5GUHB频段L-PAMiF模组在三星自研体系出货,即将在三星畅销机型规模商用,为三星深入合作奠定了基础,并展示了公司在5G模组中的市场竞争力。

公司积极布局物联网领域,公司5G全频段产品已在移远通信广和通日海智能等头部无线通信模块厂商规模量产,推动5G在物联网领域的规模应用。公司与头部无线通信模块厂商进行深度合作,成功开发出适用于5G通信模块需求的小尺寸、低成本、高性能的产品,未来将在5GRedCap、NTN、车载等领域继续合作,共同制定并推出更有市场竞争力的方案。

4、成本和性能优势:混合架构优势使得晶圆供应更加灵活,带来一定的成本和集成度优势公司的射频前端混合架构采用绝缘硅和砷化镓工艺,集成度更高。成熟的绝缘硅工艺代工产能供应相对砷化镓更为充足和灵活,有利于实现供应链的多元化和差异化,避免了单一供应环节的过度集中。相对传统技术路线,公司的技术路线不使用体硅CMOS工艺的控制器,因此不受体硅CMOS产能波动的影响;使用更少的砷化镓,在行业整体产能趋紧时,能更好地保障供应的稳定性。在供应商选择上,公司与头部晶圆代工厂、封测代工厂、滤波器厂商和基板代工厂展开深度合作,有利于充分保障公司的产品质量。同时,公司也积极与晶圆代工厂、封测代工厂等供应商一起联合开发更适用于公司的新工艺和新流程,进一步提升公司产品在性能和可靠性上的竞争力。

5、团队优势:打造经验丰富的研发团队,积累了产品开发先进技术
半导体是典型的技术和人才密集型行业,优秀人才是公司的核心资产之一。公司高度重视研发团队的建设,一方面注重内部人才培养,为员工提供系统的培训和职业发展规划,帮助员工快速成长;另一方面,积极从外部引进优秀人才和行业专家,充实团队力量,提升整体技术水平。

公司的核心技术团队由行业资深专家组成,团队成员在射频前端领域拥有深厚的技术积累和丰富的实践经验。内外结合的人才策略,不仅为公司带来了丰富的行业经验和技术积累,还注入了新的创新思维和活力,保障公司未来的人才需求,赋能公司高质量发展。自2011年成立以来,在核心技术团队的带领下,公司打造了一支经验丰富、技术精湛且富有创新精神的研发队伍,能够保持对新技术的敏锐洞察力,快速响应市场需求,不断推动技术创新和产品升级。

(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施□适用√不适用
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司坚持自主研发的技术路线,高度重视技术、产品的研发。截至本报告期末,公司的主要核心技术情况如下:

序号主要核心技术名称技术先进性说明技术 来源主要应用 产品
1自适应输出偏置电压技掌握高频射频信号在不同工作环境下的自研4G模组、
 特征,基于自主设计传感电路实时监测芯 片的温度、功率等环境信息,通过内部反 馈电路自适应调整输入功率放大器的偏 置电压,对环境变量实现系统级补偿,大 幅提升复杂工作环境下的稳定性 5G模组
2多功能模块的低互扰高 集成技术在绝缘硅晶圆单芯片集成开关、LNA、数 字电路、模拟电路、IPD及驱动级功率放 大器等,解决了各种电路之间的相互耦合 和干扰影响,实现高集成度,大幅减少布 图面积和晶圆数量,极大降低封装成本和 供应链备货难度自研4G模组、 5G模组
3功放电路记忆效应改善 技术在砷化镓/绝缘硅材料相关工艺功率放大 器不同位置的偏置电路上,设计具有宽带 特性的阻抗,显著降低功放电路在放大宽 带调制信号下的非线性失真,从而改善大 宽带调制信号下的记忆效应自研4G模组、 5G模组
4自适应模拟预失真技术可重构射频前端中,根据功率级在不同工 作点的失真特性,在绝缘硅晶圆中设计模 拟预失真电路;同时内置随频段变化的自 适应调节技术,大幅改善功率放大器在不 同频段下的线性度,尤其是大信号带宽下 的线性度且实现电路简洁、易于集成自研4G模组、 5G模组
5匹配网络可重构技术为应对不同频段对匹配网络的性能优化 需求,自主开发了可调匹配网络,以数字 电路控制低插损、高线性绝缘硅工艺射频 开关对匹配网络进行通路重构,实现匹配 网络在不同频段下的最佳匹配效果,从而 使得功率放大器能覆盖更宽的工作频率 带宽和更优的射频性能自研4G模组、 5G模组
6驱动级射频放大技术基于公司长期以来对绝缘硅材料和工艺 的理解和积累,实现绝缘硅晶体管用于射 频驱动级功率放大电路的精准建模与仿 真,创新性地设计绝缘硅驱动级放大器及自研4G模组、 5G模组
  其偏置电路,支持大功率、高频应用场景, 大幅提升了效率、线性和可靠性  
7负压快速产生电路技术该技术可在绝缘硅晶圆上快速产生负压, 用于驱动大规模开关阵列,实现可重构射 频通路的快速切换,且电路结构简单,不 需要双相非重叠时钟,有效节省芯片面积自研4G模组、 5G模组
8全FlipChip封装工艺技 术根据砷化镓晶圆、绝缘硅晶圆的材料特 征,通过精准的应力、热电建模及仿真, 合理设计铜柱尺寸以及其在晶圆上的布 局,结合晶圆电路针对性芯片设计,成功 将FlipChip封装工艺全面应用于砷化镓及 绝缘硅晶圆,实现全FlipChip封装,大幅 优化FlipChip工艺在该领域的良率,充分 利用FlipChip的优势,包括减小阻容感寄 生、提升散热效率等自研4G模组、 5G模组
9射频电路可靠性优化技 术基于绝缘硅材料相关工艺设计过压保护 电路OVP和过流保护电路OCP,提升PA 在高功率和高VSWR阻抗等各种极限条 件下的可靠性,防止PA在大电压或电流 下出现烧坏现象自研4G模组、 5G模组
10支持可重构架构控制的 MIPI协议栈技术基于绝缘硅材料相关工艺自主研发基于 MIPI3.0内核的协议栈IP技术,通过设计 优化数字逻辑等技术,开发适用于控制可 重构架构的MIPI数字电路自研4G模组、 5G模组
11谐波抑制电路利用PA负载匹配网络实现谐波抑制功 能,降低了链路的插损,无需独立的滤波 器,节省成本和降低芯片面积自研4G模组、 5G模组
12大带宽高线性功率放大 器设计技术基于公司长期以来在器件和工艺方面的 理解和积累,通过对射频功率放大器、无 源匹配网络、偏置电路、控制电路等方面 的设计与优化,尤其是创新性地加入绝缘 硅增益提升电路、线性补偿电路、宽带提 升电路、记忆效应消除电路等技术,可实自研5G模组
  现更高的线性功率、更低的功耗和更大的 带宽覆盖,同时功率放大器在更低的电源 电压下工作,并大幅提升可靠性  
13可重构大带宽低噪声放 大器设计技术通过对绝缘硅晶体管的精准建模仿真,搭 配可重构匹配网络达到大带宽及多级增 益档的LNA设计,同时优化快速启动的 偏置电路以应对5G对LNA快速切换的需 求自研5G模组
14可重构集成滤波器技术通过对绝缘硅器件及工艺精准的电磁热 等指标的仿真建模,采用基于绝缘硅工艺 的厚金属、低插损的先进IPD工艺,快速 设计产品所需求的高性能IPD滤波器或输 出匹配电路自研5G模组
15可重构多频双向耦合器 技术该技术基于绝缘硅材料相关工艺实现多 个耦合通路共用信号路径,通过对耦合输 出端和隔离端灵活切换,实现多频双向耦 合,极大简化射频链路,减小布版面积, 降低成本自研5G模组
国家科学技术奖项获奖情况(未完)
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